CN102394164B - 一种小型片式电阻的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种小型片式电阻的制造方法，其包括以下步骤：(1)高精密激光划片：在光白基板的一面划上矩形外框、折条分割槽X与折粒分割槽Y阵列；(2)电阻体成形：制备条状电阻排，然后采用高精密激光划线将条状电阻排切割成粒状电阻体。与现有技术相比，本发明所得的基板尺寸精度非常高，大大提高印刷对位精度，有效解决传统划槽基板精度差问题；同时可有效精确控制折条分割槽与折粒分割槽的深度比例，以减少生产过程中容易出现的高断片率以及分割面尖角不平导致产品尺寸精度差等问题；而且所得的粒状电阻体具备尺寸大小非常一致且周边平直、阻值集中性好等特点，从而解决了常规的粒状印刷图形所出现的渗浆、连线、阻值集中性差等缺陷。

Description

一种小型片式电阻的制造方法

技术领域

本发明涉及电子元器件领域，尤其是指一种小型片式电阻的制造方法。

背景技术

目前片式电阻的普遍生产方法是在含有分割槽(含折条槽、折粒槽)的氧化铝陶瓷基板上先经数道工序制成电阻阵列半成品，接着沿折条槽将块状产品分割成条状，然后将条状产品堆叠整齐并对折条分割面进行金属化，再将条状产品沿折粒槽分割成粒状，最后对粒状产品的端头进行镀镍层、镀锡层。制造工艺如图1所示。

以上常规的生产方法若用于生产小型化片式电阻，特别是0201、01005或更小型，存在以下严重不足：

1、传统含分割槽的基板在成形过程要经高温烧结，存在尺寸精度差及分割槽深浅不均匀等缺陷。此基板若用于生产小型化电阻，由于其尺寸精度差，大大增加印刷对位难度或甚至使图形位置偏离目标范围；再受折条、折粒分割槽的深浅不均匀或两者深度比例不适当影响，在分割时基板极容易出现横断或纵断、分割面尖角不平等现象，既影响产品最终尺寸精度，又增加操作难度及生产成本。

2、常规片式电阻的电阻体图形一般设计为粒状印刷，若小型化电阻的电阻体也采用此工艺生产，由于图形尺寸很小且相邻两粒的间距非常窄，因此在印刷时很容易出现渗浆形变或相邻两粒发生连线，导致电阻体膜厚不均匀、阻值集中性差，并给后面数道工序的生产带来很大影响。

发明内容

为克服现有技术中的缺点与不足，本发明的目的在于提供一种小型片式电阻的制造方法，其制得产品尺寸精度高，电阻体尺寸大小一致且周边平直、阻值集中性好。

为了实现上述目的，本发明是这样实现：一种小型片式电阻的制造方法，其特征在于包括以下步骤：(1)高精密激光划片：在光白基板的一面划上矩形外框、折条分割槽X与折粒分割槽Y阵列；(2)电阻体成形：制备条状电阻排，然后采用高精密激光划线将条状电阻排切割成粒状电阻体。

所述步骤(1)中，折条分割槽的深度为基板总厚度的2/5～4/5，宽度为10～25um。

所述步骤(1)中，折粒分割槽的深度一般为基板总厚度的1/3～3/5，宽度为10～20um。

所述步骤(2)中，在基板非划槽面的相应位置印刷条状电阻排，优选的印刷用浆料为氧化钌电阻浆。

所述步骤(2)中，先在基板非划槽面上的非进行真空溅射电阻材料的区域印上掩膜胶并干燥，然后在此面的非掩膜区域真空溅射上条状电阻排，优选的真空溅射材料为合金电阻靶。

所述步骤(2)中，用高精密激光划线将条状电阻排切割成粒状电阻体，切割线宽度为30～60um。

与现有技术相比，本发明的主要优点为：

1)、通过高精密激光划片，所得的基板尺寸精度非常高(误差可控在3～5um)，大大提高印刷对位精度，有效解决传统划槽基板精度差问题；

2)、可有效精确控制折条分割槽与折粒分割槽的深度比例，以减少生产过程中容易出现的高断片率以及分割面尖角不平导致产品尺寸精度差等问题；

3)、本发明的电阻体成形工艺是先形成条状电阻排，再根据产品型号采用高精密激光划线技术将条状电阻排切割成粒状电阻体，所得的粒状电阻体具备尺寸大小非常一致且周边平直、阻值集中性好等特点，从而解决了常规的粒状印刷图形所出现的渗浆、连线、阻值集中性差等缺陷。

附图说明

图1是现有技术中的制造工艺流程图；

图2是本发明中的光白基板进行激光划片后的结构示意图；

图3是本发明中的光白基板掰掉矩形外框以外白边后的结构示意图；

图4是本发明中的光白基板印刷条状电阻排后的结构示意图；

图5是本发明中的条状电阻排被激光划线形成粒状电阻体后的结构示意图；

图6是本发明中的光白基板印刷掩膜胶后的结构示意图；

图7是本发明中的光白基板印刷掩膜胶后溅射形成条状电阻体的结构示意图。

具体实施方式

为了能更清晰的理解本发明，以下将结合附图说明阐述本发明的具体实施方式。

本发明是一种小型片式电阻的制造方法，包括以下步骤：

(1)高精密激光划片：根据产品设计要求采用高精密激光划片技术先在光白基板1的一面划上矩形外框11，并在矩形外框11中间部分划上折条分割槽X与折粒分割槽Y阵列(如图2)。接着掰掉矩形外框11以外的白边，如图3，并将基板1清洁干净与烘干。优选的，折条分割槽X的深度为基板1总厚度的2/5～4/5，宽度为10～25um。优选的，折粒分割槽Y的深度一般为基板1总厚度的1/3～3/5，宽度为10～20um。

(2)电阻体121成形：在基板1光白面(非划槽面)的相应位置制备条状电阻排12(如图4)，然后采用高精密激光划线将条状电阻排12切割成粒状电阻体121(如图5)。优选的，条状电阻排12的制备采用印刷的方式，所用的浆料为氧化钌电阻浆，并干燥；或者，在基板1光白面上的非进行真空溅射电阻材料的区域先印上掩膜胶13(如图6)，并干燥，然后接着在此面的非掩膜区域131真空溅射上条状电阻排12(如图7)，所用材料为合金电阻靶，最后清洗掉掩膜胶并烘干，同样得到结构如图4所示的产品。真空溅射时，真空度一般为1×10^-3～7×10^-3托；时间为1～10分钟。合金电阻靶优选NiCrSi、NiCrAlSi或类似合金。当然，本发明中条状电阻排的成形工艺也包括其他相类似的方法。用高精密激光划线将条状电阻排12切割成粒状电阻体121时，优选的，切割线宽度r为30～60um。

本发明的核心是通过高精密激光划片，形成尺寸精度非常高的基板，并可有效精确控制折条分割槽与折粒分割槽的深度比例；电阻体成形工艺是先形成条状电阻排，再利用高精密激光划线技术将条状电阻排切割成形成粒状电阻体。除上述两道工序外，其余流程与常规片阻工艺流程基本相同，各工艺参数根据选用的材料进行设定。

实施例1

光白基板划片¹(只划一面)，清洗，150℃烘干约10分钟；在划槽面印刷背电极，150℃烘干约10分钟；[以下图形均在基板另一面(正面，即非划槽面)印刷]印刷氧化钌条状电阻排，150℃烘干约10分钟；用激光将条状电阻排切割²成粒状电阻体，850℃烧结10分钟；印刷面电极，150℃烘干约10分钟，850℃烧结10分钟；印刷一次玻璃，150℃烘干10分钟，600℃烧结5分钟；激光调阻；印刷二次玻璃，150℃烘干10分钟；印刷标记(可不印)，150度烘干10分钟；200度固化30分钟；折条；端面真空溅射金属层；折粒；电镀镍层；电镀锡层；编带；入库。

在本实施例中，划片¹：折条分割槽x的深度为基板总厚度的3/5，宽度为18um；折粒分割槽y的深度为基板总厚度的1/2，宽度为15um。同一次划片的槽宽、槽深精度误差均可控制在3～5um以内。切割²线宽度为45um。

实施例2

光白基板划片(只划一面)，清洗，150℃烘干约10分钟；在划槽面印刷背电极，150℃烘干约10分钟；[以下图形均在基板另一面(正面，即非划槽面)印刷]印刷面电极，150℃烘干约10分钟，850℃烧结10分钟；印刷掩膜胶，150度烘干约10分钟；真空溅射条状电阻排，溅射的真空度4.5×10^-3托，时间为5分钟，合金电阻靶采用NiCrSi；清洗掉掩膜胶，150℃烘干约10分钟；用激光将条状电阻排切割成粒状电阻体；激光调阻；随后流程同实施例1。

Claims (8)

1.一种小型片式电阻的制造方法，其特征在于包括以下步骤：（1）高精密激光划片：在光白基板的一面划上矩形外框、折条分割槽X与折粒分割槽Y阵列，掰掉矩形外框以外的白边；（2）电阻体成形：制备条状电阻排，然后采用高精密激光划线将条状电阻排切割成粒状电阻体。

2.根据权利要求1所述的一种小型片式电阻的制造方法，其特征在于：所述步骤（1）中，折条分割槽的深度为基板总厚度的2/5～4/5，宽度为10～25um。

3.根据权利要求1所述的一种小型片式电阻的制造方法，其特征在于：所述步骤（1）中，折粒分割槽的深度一般为基板总厚度的1/3～3/5，宽度为10～20um。

4.根据权利要求1所述的一种小型片式电阻的制造方法，其特征在于：所述步骤（2）中，在基板非划槽面的相应位置印刷条状电阻排。

5.根据权利要求4所述的一种小型片式电阻的制造方法，其特征在于：所述印刷用的浆料为氧化钌电阻浆。

6.根据权利要求1所述的一种小型片式电阻的制造方法，其特征在于：所述步骤（2）中，先在基板非划槽面上的非进行真空溅射电阻材料的区域印上掩膜胶并干燥，然后在此面的非掩膜区域真空溅射上条状电阻排。

7.根据权利要求6所述的一种小型片式电阻的制造方法，其特征在于：所述真空溅射材料为合金电阻靶。

8.根据权利要求1所述的一种小型片式电阻的制造方法，其特征在于：所述步骤（2）中，用高精密激光划线将条状电阻排切割成粒状电阻体，切割线宽度为30～60um。

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