CN1191579C - 制作光学可扫描信息载体的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及用于制作如CD或DVD等光信息盘的主模(1)的制作方法。根据该方法,基板(3)设置有感光层(5),其后,用辐射束(7)辐照基板。将一种液体,例如水,充进间隙(53),该间隙位于感光层和面对所述层的透镜系统的辅助透镜(59)之间。作为结果,减小了扫描点尺寸,并且提高了所制作的信息盘的信息密度。根据本发明,通过供应口(69)提供该液体,此供应口被安置直接邻近于辅助透镜(59)。这样,通过供应口所提供的液体直接地并完全被输入进所述间隙(53)中,从而提供给填充间隙的液体数量有限。其结果,在间隙中得到没有空气夹杂物的液体的均匀的库埃特流动。这种库埃特流动不引起透镜系统的任何不希望的机械振动。
Description
技术领域
本发明涉及一种光学可扫描信息载体的制作方法,此方法包含第一步,其中制作主模,和第二步,其中借助主模或借助利用所述由主模制作的子模借助复制过程制作信息载体,在其第一步中,借助经过调制的辐射束对设置在基板上的感光层辐照,借助光学透镜系统在感光层上该辐射束聚焦成扫描点,基板和透镜系统被彼此相对移动,在位于感光层和面对所述感光层的透镜系统的透镜之间的间隙提供有液体。
本发明还涉及一种主模的制作方法,它用于制作一种光学可扫描信息载体,根据此方法,提供在基板上的感光层经过调制的辐射束辐照,借助光学透镜系统在感光层上将该辐射束聚焦成扫描点,基板和透镜系统被彼此相对移动,液体被提供在位于感光层和面对所述感光层的透镜系统的透镜之间的间隙。
本发明还涉及一种用于主模的装置,该主模被用于光学可扫描信息载体底制作,该装置安置有:一个可相对于旋转轴旋转的工作台,在其上可以放置有感光层的基板;辐射源;将由辐射源操作产生的辐射束聚焦成感光层上的扫描点的光学透镜系统;平移装置,该装置用于相对于旋转轴并主要沿径向平移的透镜系统;和在感光层和面对所述感光层的透镜系统的透镜之间的间隙提供液体的液体供应设备。
背景技术
在JP-A10255319中公开了一种在开篇章节中提及的制作主模的方法和装置。按照已知的方法,将感光层施加于由玻璃制成的盘形基板。基板被固定在已知装置的工作台上。工作台和基板围绕垂直于基板延长的旋转轴旋转,以相当低的速率相对于转动轴的径向移动透镜系统,从而感光层上形成的辐射束的扫描点在感光层上遵从螺旋形轨迹。辐射束是在已知装置中的激光束,它被调制到使得在螺旋形轨迹上形成一系列被辐照的和未被辐照的单元,这些系列单元对应于在待制作信息载体上指望得到的信息单元系列。随后,对感光层显影,从而使受辐照单元消散,在感光层中形成一系列下陷。接着,在感光层上溅射比较薄的铝层,随后通过电沉积过程使铝层设置有比较厚的镍层。接着将那样形成的镍层从基板除去并形成待制作的主模,以上述的方式使其设置有盘形表面,该表面有一系列隆起的部分,这些部分对应在待制作信息载体上的指望得到的信息单元系列。那样制作的主模可适于制作所指望得到的信息载体,然而,总体来说,借助在复制过程中的主模,进行大量复制,即制作所谓的子模。采用进一步的复制过程,一般是注入制模过程,采用子模制作指望得到的信息载体。这种方式限制了所需的价格比较昂贵的主模数量。这种采用主模或者由主模制作子模的具有坑形信息单元的光学可扫描信息载体的制作方法,例如CD或DVD的制作方法,是众所共知的。
根据已知的方法,用水填充位于感光层和面对所述感光层的透镜系统的透镜之间的间隙。为此目的,已知的装置设置有流出口,它位于工作台的旋转轴附近。在离心力的作用下,经过流出口供应的水是散开的,基本上遍及整个感光层表面,这样也可以说间隙被水填充。因为水比空气有高得多的光学折射率,在所述间隙提供水导致在扫描点位置来自辐射束的射线和透镜系统的光学轴之间角度的大大增加。其结果,大大减小了在感光层上的辐射束的扫描点,从而可以在感光层上形成非常大量的已经辐照的和未经辐照的单元,被制作的信息载体会有更高的信息密度。
已知的方法和装置的缺点在于:在所述间隙形成的液体薄膜不总是象在所述液体薄膜中空气含量的结果那样均匀。其结果是在感光层增多了不可允许的缺陷。另外,不均匀的液体薄膜对透镜系统施加变化不定的力。因为通过传动装置可以将透镜系统可以在垂直和平行于感光层方向平移以将辐射束聚焦并定位在感光层上,这个传动装置在所述方向具有有限的刚性,液体薄膜所施加的变化不定的力会引起透镜系统在所述方向的不希望的振动,它也可以在感光层导致不可允许的缺陷。已知的方法和装置的另一个缺点在于必须供应相当大量的液体。其结果是已知的装置必须提供大量措施排除液体和装置的其他部件之间不希望的接触。
发明内容
本发明的目的之一是提供一种制作光学可扫描信息载体的方法,制作主模的方法,和在开篇段落中提及的那种主模的制作装置,其中,尽可能排除上述已知方法和装置的缺点。
为达此目的,根据本发明,一种制作光学可扫描信息载体的方法,该方法包括:第一步,其中制作主模;和第二步,其中通过主模或利用由所述主模制作的子模通过复制过程制作信息载体;在所述第一步中,用经过调制的辐射束对设置在基板上的感光层辐照,使用光学透镜系统在感光层上将该辐射束聚焦成扫描点,所述基板和所述透镜系统被彼此相对移动,在位于所述感光层和面对所述感光层的透镜系统的透镜之间的间隙提供有液体;其特征在于:在所述第一步中,所述液体经过一个流出口被提供,沿与透镜系统相关的扫描点位置的基板平移方向观察时,所述流出口是处于扫描点的上游并且直接与所述透镜相邻,所述流出口设置在一个壁内,所述壁延伸在一个虚平面内,所述透镜的面对感光层的一侧在所述虚平面中延伸。
本发明还提供了一种制作用于制作光学可扫描信息载体的主模的方法,根据此方法,利用经过调制的辐射束对设置在基板上的感光层辐照,用光学透镜系统在感光层上将该辐射束聚焦成扫描点,所述基板和透镜系统被彼此相对移动,在位于感光层和面对所述感光层的透镜系统的透镜之间的间隙中提供有液体,其特征在于:所述液体经过一个流出口被提供,沿与透镜系统相关的扫描点位置的基板平移方向观察时,所述流出口处于扫描点的上游并且直接与所述透镜相邻,所述流出口设置在一个壁内,所述壁延伸在一个虚平面内,所述透镜的面对感光层的一侧在所述虚平面中延伸。
本发明还提供了一种用于制作主模的装置,该主模用于制作光学可扫描信息载体,该装置设置有:可以围绕旋转轴旋转的工作台,在该工作台上可以放置带感光层的基板;辐射源;光学透镜系统,用于将在操作过程中辐射源所产生的辐射束在感光层上聚焦成为扫描点;平移设备,通过该平移设备,可以相对于沿径向的旋转轴平移所述透镜系统;液体供应设备,用于在位于所述感光层与面对所述感光层的透镜系统的透镜之间的间隙提供液体;该用于制作主模的装置的特征在于:该液体供应设备包括一个流出口,沿所述旋转轴的切线方向观察,所述流出口被安置于光学轴的上游,并且直接与所述透镜相邻,位于一个壁内的所述流出口在一个虚平面内延伸,面对感光层的透镜的一侧在所述虚平面中延伸。
当设置流出口时,沿着与透镜系统相关的基板的平移方向观察,从扫描点的上游,在作为基板相对于透镜系统运动的结果,受到加在液体上的黏滞力的作用,液体从流出口被输送到扫描点。在根据本发明的装置中,设置液体供应装置,沿着相对于工作台的旋转轴的切线方向观察,从透镜系统的光学轴的上游,因为基板相对透镜系统平移的方向基本上是由工作台旋转方向决定。当流出口被布置在直接邻近面对感光层的透镜系统的透镜时,所供应的液体直接地和基本上全部被输送到感光层和所述透镜之间的间隙。其结果是,并不是必须对整个感光层供应液体,而仅仅是对直接位于透镜系统之下的相当小的部分。这导致待供应液体数量的大量减少。如上所述的在其中形成流出口的壁基本延伸进一个虚平面,在其中面对感光层的透镜的一侧也延伸,所述壁基本上与所述透镜侧混为一体。另外,如果所提供的经过流出口的液体有足够的流动速率和足够的压力,会在感光层和透镜之间的间隙产生均匀的库埃特(Couette)流动,即:没有带线性速度轮廓的空气夹杂物的均匀液体薄膜。所述均匀的库埃特流动对透镜系统施加基本上恒定的力,其结果尽可能地消除不需要的透镜系统振动。
根据本发明的制作光学可扫描信息载体的方法一个具体实施方案和根据本发明的制作主模的方法的具体实施方案它们的特征在于:基板是盘形的并围绕垂直于基板延伸的旋转轴转动,同时透镜系统基本上关于旋转轴沿径向平移,沿相对于旋转轴的切线方向观察,通过流出口供应的液体是从扫描点的上游。在这些具体实施方案中,基板围绕旋转轴以相当高的速率旋转,透镜系统沿着径向以相当低的速率平移,从而在感光层上形成辐照的和未辐照单元的螺旋形径迹。位于与透镜系统相关的扫描点位置的基板的平移方向基本上由基板的旋转方向决定。沿着相对旋转轴的切线方向观察,当流出口位于扫描点的上游时,在基板旋转作用下液体从流出口被输送到扫描点,沿切线方向观察,它是位于下游。
根据本发明制作光学可扫描信息载体的方法的具体实施方案和根据本发明制作主模的方法的具体实施方案它们的特征在于:经过流出口以流动速率0.5*V*H*W提供液体,此处W至少应等于
此处V是相对于透镜系统扫描点位置的基板平移速度,H是间隙高度尺寸,W是沿着垂直于平移方向的方向观察液体散开进入间隙的宽度,NA是透镜系统的数值孔径,n是液体的光学折射率。
根据本发明装置的具体实施方案其特征在于:在操作过程中,在间隙中,经过流出口的液体流动速率为0.5*V*H*W此处W至少应等于 此处V是在关于透镜系统的光学轴位置基板的速度,H是间隙的高度的尺寸,W是沿着径向观察液体流的宽度,NA是透镜系统的数值孔径,n是液体的光学折射率。
为了在间隙中得到没有空气夹杂物,具有有线性速度轮廓和宽度W的均匀库埃特流动,上述的流动速率是必须的。借助于在间隙中液体流的宽度W有至少上述值的这个事实,液体覆盖处于光学轴周围的透镜的光学有效部分的全部。
根据本发明制作光学可扫描信息载体的方法的具体实施方案,根据本发明制作主模的方法的具体实施方案,和根据本发明的装置的具体实施方案它们的特征在于:宽度W最接近于10*H。如果W接近于10*H,如果所用液体是水,并且透镜系统的数值孔径是通常值则液体流在间隙中的宽度接近于上述最小所需宽度的2-3倍。这样液体的宽度有一个富余量,从而在操作中如果流动速率或液体流动方向出现小的偏离,透镜的光学有效部分仍然全部被液体覆盖。
根据本发明制作光学可扫描信息载体的方法的具体实施方案,根据本发明制作主模的方法的具体实施方案,和根据本发明的装置的具体实施方案它们的特征在于:高度H至少接近于4μm,且至多接近于100μm。已经发现如果高度H的值处于上述的范围,根据本发明的方法和装置产生最满意的结果。如果高度H小于4μm,在透镜系统和基板之间存在相当大的机械接触的风险。如果高度H超过100μm,在间隙液体流动所需要的流动速率是如此之高以至于透镜系统和/或基板存在相当大的机械振动的风险。
根据本发明制作光学可扫描信息载体的方法的具体实施方案,根据本发明制作主模的方法的具体实施方案,和根据本发明的装置的具体实施方案它们的特征在于:高度H至少为大约7μm,且至多为大约10μm。已经发现如果如果高度H的值处于上述的范围,根据本发明的方法和装置产生最佳结果。
根据本发明制作光学可扫描信息载体的方法的具体实施方案,根据本发明制作主模的方法的具体实施方案,和根据本发明的装置的具体实施方案,它们的特征在于:其流出口是圆的,且其直径最大大约为0.5*W。为了排除在间隙液体流中的空气夹杂物,在流出口预置液体流的最小流出压力是必要的。在预置的液体流的流出速率的条件下,随着流出口的增大流出压力减小,使随流出口增大的空气夹杂物的风险增加。已经发现如果流出口是圆的,且其直径最大为接近0.5*W,则空气夹杂物的风险小到可以忽略。
根据本发明的装置的具体实施方案其特征在于:面对感光层的透镜的一侧设置有堤坝,沿切线方向观察,它从光学轴延伸到上游,其宽度等于所指望的液体流的宽度W,同时流出口设置有相同宽度的另一个堤坝,并且,沿切线方向观察,它连接到透镜的堤坝。在根据本发明装置的这个具体的实施方案中,在所述另一堤坝的一侧形成带有流出口的壁,该侧面向感光层。在毛细管液体力的作用下位于堤坝、另一个堤坝和感光层之间的液体流被维持在以与流动方向成直角观察的间隙中。作为结果,在液体流的流动速率足够高时,堤坝和另一个堤坝准确地确定所述液体流的宽度和位置,使得在操作期间,只需留出液体流最低所需宽度相当小的富余量就可以用液体始终覆盖透镜的光学有效部分。另外,在本具体实施方案中,进一步减小了液体流施加在透镜系统上的变化不定的力。
根据本发明制作光学可扫描信息载体的方法的具体实施方案,和根据本发明制作主模的方法的具体实施方案它们的特征在于:将液体从感光层抽出,沿平移方向观察,在透镜系统的下游。
根据本发明装置的具体实施方案其特征在于:该装置包含抽出装置,相对于流出口和透镜系统进行观察,它被安置在下游。当从感光层下游从透镜系统抽出液体,基本上排除了已经被用过的液体再次进入间隙并干扰间隙中的经过流出口的供应液体流。
根据本发明装置的具体实施方案其特征在于:该抽出装置具有通过另一个平移装置,与相对于转动轴更远的径向的透镜系统同步被平移的抽取嘴。在操作中借助进一步的平移装备以如下方式平移抽取嘴,总是将抽取嘴安置在离开旋转轴一段距离,该距离对应于透镜系统和旋转轴之间的一段距离。通过这种方式,获得了抽出装置的一种实际的结构,并且抽取嘴尺寸为最小。
参照此后描述的实施方案,本发明的这些和其他方面将是显而易见的并且得到阐明。
附图说明
图1a-1e图示出根据本发明制作光学可扫描信息载体的方法和根据本发明制作用于制作光学可扫描信息载体的主模的方法的若干步骤,
图2图示出根据本发明的用于图1a-1e所示方法的装置,
图3是通过图2所示装置处理的基板的俯视图,
图4是图2所示装置的透镜系统和安置在所述透镜系统之下的基板的截面图,
图5是图4所示的透镜系统和在透镜系统与基板之间的液体流的底视图,
图6是本发明装置的替代实施方案中的基板和安装在其上的透镜系统的截面图,它可以用于图1a-1e所示的方法中,
图7是图6所示透镜系统和在透镜系统与基板之间液体流的底视图。
具体实施方式
图1a-1e图示出根据本发明制作主模1方法的若干步骤,主模1用于制作光学可扫描信息载体,例如CD或VCD。图1a-1e所示的步骤因而也是根据本发明制作光学可扫描信息载体方法的若干步骤。图1a示出玻璃的盘形基板3的一部分。根据这些方法,首先在基板3的一侧提供薄的感光层5。如图1b所示,随后,用调制的辐射束7,在该实例中为波长接近260nm的DUV激光束,辐照感光层5。采用根据本发明的装置辐照感光层5,下文将参照图2-7对该装置进行描述。通过图1b所示装置的光学透镜系统将辐射束7在感光层5上聚焦成扫描点11。利用该装置将基板3和透镜系统9进行相对平移,从而调制的辐射束7在感光层5形成一系列辐照单元13和未辐照的单元15。所述系列对应于在待制作的信息载体上形成的信息单元系列。根据这个实例的方法,可以适当用于制作设置有信息层的信息载体,该信息层有坑形信息单元,图1b所示的辐照单元13对应于希望得到的有坑形的信息单元。随后用显影液将辐照的感光层显影,显影液将辐照单元13溶解掉,基板3上留下未辐照单元15。以这种方式,在感光层5上形成图1c所示的一系列坑17,这些坑对应于信息载体上的希望得到的坑形信息单元。接着如图1d所示借助溅射过程用相当薄的铝层19覆盖感光层5,此后在电沉积过程中用相当厚的镍层21覆盖所述铝层。这样形成的镍层21是待制作的主模1,如图1e所示,最后将其从基板3清除。主模1是待制作的信息载体的负片,主模1包含一系列凸起的部分23,它们对应于希望在信息载体上得到的一系列坑形信息单元。因此主模1表现出适于用作注入制模机的模,该注入制模机用于向信息载体注入制模。然而,一般而言,用主模1的复制品代替主模1作为注入制模的模,主模1的复制品通常被称作子模,用通常的复制过程借助所述主模1制作子模,它被认为是自身。由于用主模1制作大量的子模,大大减少了制作大量相同信息载体所需的相当昂贵的主模的数量。
图2图示根据本发明的用于制作主模1的装置25。如上文所述,装置25用于辐照感光层5,即:在感光层5上形成希望得到的一系列被辐照的和未被辐照的单元。装置25包括工作台27,在其上放置带有感光层5的基板3。工作台27可以围绕垂直于工作台27和基板3延伸的转动轴转动,工作台可以用第一电马达31驱动。装置25还包括辐射源33,如实例所示,它是固定在装置25的框架35的一个固定位置上的激光源。上述装置25的光学透镜系统9被固定在装置25的第一滑道37,借助装置25的第一平移设备39它可以相对于旋转轴29平行于径向X方向平移。为此目的,第一平移设备39包括第二电动马达41,借助于它第一滑道37可以在沿平行于X方向延伸的固定在框架35上的直导轨43上平移。镜子45也被固定于第一滑道37。在操作中,辐射源33产生的辐射束7跟随平行于X轴延伸的辐射束通路47,所述辐射束被镜子45偏转到平行于透镜系统9的光学轴49的方向。透镜系统9可以借助聚焦传动装置51相对于第一滑道37沿着平行于光学轴49的方向平移相当小的距离。借助聚焦传动装置51沿着平行于光学轴49的方向移动透镜系统9,辐射束7可以被聚焦在感光层5上。在操作过程中,工作台27与基板5一起借助于第一马达31以相当高的速率围绕旋转轴29转动,并且借助第二马达41透镜系统9沿着平行于径向X方向以相当低的速率平移,从而辐射束7的扫描点在感光层5上遵循螺旋形轨迹,并且在感光层5上提供一系列已辐照的和未辐照的单元按照螺旋形轨迹。
装置25可以适用于制作有相当高的信息密度的主模,即:利用装置25,可以在感光层5的单位面积上提供相当大量的辐照单元。所获得的信息密度随扫描点11尺寸的减小而增加。扫描点11的大小决定于辐射束7的波长和透镜系统9的数值孔径NA,数值孔径NA依赖于在透镜系统9和感光层5之间的介质的光学折射率。随着所述折射率变大扫描点11变小。借助根据本发明的装置25和根据本发明的方法使用所述装置,可以获得相当高的信息密度,其中,具有光学折射率大于空气的水被提供在透镜系统9和感光层5之间的间隙53中。在所示的实例中,水可能适用于这个目的,因为对于所用的DUV辐射束7它是透明的,并且它不侵蚀感光层5。除水之外的,也有具有相当大的光学折射率的液体,这些液体对于辐射束7透明并且不侵蚀感光层5,它们也可以替代水使用。
图4的截面图详细地示出了透镜系统9、带有感光层5的基板3、和感光层5与透镜系统9之间的间隙53。透镜系统9包括固定在透镜支架57中的物镜55。透镜系统9还包括设置在面向基板3的透镜系统9一侧的小辅助透镜59。所述辅助透镜59被固定在平板形载体61中,并包含一个面向基板3的平面63。载体61切断由透镜支架57所封闭的空间,并包含面向基板3的平壁65,它基本上延伸进虚平面,所述辅助透镜59的平面63也延伸至其中。在载体61中,有液体供应67,其敞开进入壁65中形成的流出口69。根据本发明,流出口69直接位于辅助透镜59的附近,相对于透镜系统9沿着直接与图4所示平移方向的Z方向相反的方向,该方向是是基板3平移方向,从光学轴49和扫描点11观察。在基板3相对予透镜系统9移动的影响下,经过流出口69供应的水从沿平移方向Z的流出口69向扫描点11所在的下游输送。于是沿着所述平移方向Z相反的方向观察,流出口69位于扫描点11和光学轴49的上游。在装置25的情况下,因为基板3转动速率相对于透镜系统9沿径向X方向平移的速率而言是相当高的,所以所述平移方向Z基本上由基板3的转动方向决定。由此,沿着相对于旋转轴29的切线方向并垂直于径向的X方向的Y方向观察,流出口69位于光学轴的上游。因为流出口69直接设置在邻近辅助透镜59,所以经过流出口69供应的水被直接地基本上全部被输送到间隙53。为了用水充满间隙53,来自流出口69的水必须仅仅以相当低的流动速率供应。在其中形成流出口69的壁65和面对基板3的辅助透镜59的面63基本上互相混为一体。作为结果,如果以足够高的流动速率和压力经过流出口69额外供应水,均匀的库埃特流动会出现在间隙53,即:没有包括空气的均匀水薄膜和基本上线性速率的轮廓。这种库埃特流在壁65和辅助透镜59的侧63上施加基本上恒定的力。其结果,出现在间隙53的水在透镜系统9上施加不可变的液体力。这种变化的液体力会导致透镜系统9产生不需要的振动,和因此导致辐射束7在感光层5上产生不允许的聚焦误差和定位误差。当库埃特流不含空气夹杂物时,出现在间隙53的辐射束7不会受到空气夹杂物干扰。这种空气夹杂物也导致不允许的聚焦和定位误差。
图5是底视图,该图示出了辅助透镜59和壁65以及用虚线表示的出现在间隙53的液体流71。图5也表示辅助透镜59的光学有效部分73,它由直径为DEFF的圆构成,由此,辅助透镜59的侧63被辐射束7的最外面的光线横截。图4还示出了直径DEFF。直径 此处H是图4所示的间隙53的高度,NA是透镜系统9的数值孔径,和n是在间隙53中水的光学折射率。为了用水完全覆盖辅助透镜59的光学有效部分73,即:为了确保间隙53中的辐射束7完全通过水,间隙53中的液体流71必须有至少等于所述直径DEFF的宽度W。为了得到指望宽度W的均匀的库埃特流,经过流出口69以0.5*V*H*W流动速率提供水,此处H是间隙53的高度,V是相对于透镜系统9在光学轴49和扫描点11处基板3的速度。如图5所示的实例中,宽度W大于所述直径DEFF。作为所得的宽度W富余量的结果,它排除了在操作中,如果流动速度或液体流71的方向出现小的偏差,辅助透镜59的光学有效部分73不完全被水覆盖的情况。实际上,如果W至多接近于直径DEFF的2至3倍,就获得了有用的富余量。在这种情况下,在透镜系统9的数值孔径是通常值,W至多大约为高度H的10倍。
在图4所示的实例中,间隙53的高度H大约为10μm。为了排除透镜系统9和感光层5之间的机械接触,高度H最好不小于约4μm。为了排除液体流71在间隙53过高的流动速率,高度H最好也不超过约100μm。液体流71以这样高的流动速率,透镜系统9的机械振动的风险大大增加。已经发现,如果高度H至少约为7μm而且至多约为10μm,用根据本发明的方法和装置可以获得最佳结果。另外,应当以足够的流出压力从流出口69供应水。如果流出压力太低,在液体流71中存在一定的不需要的空气夹杂物的风险。因为将液体流71的流动速度维持在一个预定值所需的流出压力随流出口69的尺寸增加而降低,所以流出口69的尺寸应该充分小。在图4和图5所示的实例中,流出口69是圆的,已经发现,为了排除空气夹杂物流出口69的直径一定不能超过0.5*W,W是间隙53种的液体流71的宽度。在足够高的流出压力的条件下,离开流出口69水的一部分首先沿着与平移方向Z相反的方向流入的事实使空气夹杂物被排除。参照图4和图5种的75,所述水的一部分基本上被引入平移方向Z,从而这部分75在流出口69周围散开,对空气夹杂物形成水壁垒。
如图2所示,装置25还包括设置有抽取嘴79的抽取装置77。如实例所示,抽取嘴79被固定在装置25的第二滑道81上,借助于装置25的第二平移装置83,它可以相对于转动轴29沿平行于径向X′方向平移。为此目的,第二平移装置83包括第三电动马达85,借助于它,第二滑道81可以在附属于框架35并沿平行于X′方向延伸的直引导设备上平移。图3的俯视图示出抽取嘴79被布置成相对于旋转轴29直接与透镜系统9相对。在操作过程中,借助于第三马达85,同步平移抽取嘴79与透镜系统9,透镜系统9和抽取嘴79相继位于距离旋转轴29基本相等的距离R。以这种方式,将抽取嘴79安置在透镜系统9的下游,从而如图3所示,在透镜系统9处供应的液体流71由旋转的基板3带走,从感光层5被抽取嘴79抽出。当水从透镜系统9下游的感光层5被抽走时,由此基本上被排除了已经使用过的水回流到间隙53情况,这种回流干扰间隙53中精确剂量的液体流71。借助于第三马达85使抽取嘴79与透镜系统9沿径向X′方向同步平移,使得,在操作过程中,抽取嘴79总是距旋转轴29一个距离,该距离对应于所布置的透镜系统9距旋转轴29的距离,抽取嘴79的尺寸和抽出功率只能必须相当小以抽出已经使用过的水。
根据本发明的一个替代实施方案,它不同于上述装置25,其中如图6和图7所示的面对感光层5的辅助透镜59′的侧63′设置有堤坝89。在图6和图7中,该装置的替代实施方案中与装置25相应的各部分用相应的参考数字表示。以下,仅仅讨论该装置的替代实施方案与装置25之间的差别。沿切线Y方向观察,堤坝89从辅助透镜59′的光学有效部分73′向上游延伸至辅助透镜59′的边缘。将流出口69′设置在另一堤坝91,堤坝91设置在载体61′的壁65′上,沿着切线Y方向观察,堤坝91从堤坝89延伸到流出口69′。堤坝89和另一个堤坝91的宽度W′和高度H′都相等,从而沿着切线Y方向观察,堤坝89和另一个堤坝91彼此混为一体。在操作过程中,如果以足够的流动速率经过流出口69′提供水,在堤坝89,91和感光层5之间的间隙93内产生库埃特流动,在毛细管液体力作用下,在相对于Y方向的直角方向观察,该库埃特流动被保持在间隙93内。因而,堤坝89,91决定在间隙93内的液体流71′的位置和宽度。因为由此精确确定了间隙93内的液体流71′的位置和宽度和在辅助透镜59′的光学有效部分73′的位置,所以可以限定上述的关于于液体流71′最小所需宽度的富余量。为此原因,在图7所示实例中,堤坝89,91的宽度W′仅仅略微超过辅助透镜59′的光学有效部分73′的直径DEFF。另外,由于堤坝89有限的宽度和有限的长度的结果,作用在辅助透镜59′上的液体力受到进一步限制,从而进一步降低了透镜系统9的不想要的机械振动的风险。
值得注意的是:当流出口69,69′越接近于辅助透镜59,59′以及越接近于它的光学有效部分时,获得的结果越好。在根据本发明的装置中,理论上,甚至可以将游出口设置在面对感光层的辅助透镜的一侧并位于其光学有效部分之外。然而,实际上证明在辅助透镜里设置流出口是非常费力的。
还应当注意的是,代替上述的圆形的流出口69,69′,可以使用不同形状的流出口,例如垂直于相对透镜系统平移基板的方向延伸的狭缝形流出口。
最后,值得注意的是:本发明不局限于图1a至图1e所示过程步骤的方法。本发明还包括其它方法,其中根据包括至少用调制的辐射束辐照基板上的感光层步骤过程制作主模,和用这种主模或用适当的复制过程借助这种主模制作的子模制作光学可扫描信息载体。
Claims (18)
1.一种制作光学可扫描信息载体的方法,该方法包括:
第一步,其中制作主模,和
第二步,其中通过主模或利用由所述主模制作的子模通过复制过程制作信息载体,
在所述第一步中,用经过调制的辐射束对设置在基板上的感光层辐照,使用光学透镜系统在感光层上将该辐射束聚焦成扫描点,所述基板和所述透镜系统被彼此相对移动,在位于所述感光层和面对所述感光层的透镜系统的透镜之间的间隙提供有液体,
其特征在于:在所述第一步中,所述液体经过一个流出口被提供,沿与透镜系统相关的扫描点位置的基板平移方向观察时,所述流出口是处于扫描点的上游并且直接与所述透镜相邻,所述流出口设置在一个壁内,所述壁延伸在一个虚平面内,所述透镜的面对感光层的一侧在所述虚平面中延伸。
2.一种制作用于制作光学可扫描信息载体的主模的方法,根据此方法,利用经过调制的辐射束对设置在基板上的感光层辐照,用光学透镜系统在感光层上将该辐射束聚焦成扫描点,所述基板和透镜系统被彼此相对移动,在位于感光层和面对所述感光层的透镜系统的透镜之间的间隙中提供有液体,其特征在于:所述液体经过一个流出口被提供,沿与透镜系统相关的扫描点位置的基板平移方向观察时,所述流出口处于扫描点的上游并且直接与所述透镜相邻,所述流出口设置在一个壁内,所述壁延伸在一个虚平面内,所述透镜的面对感光层的一侧在所述虚平面中延伸。
3.如权利要求1或2所要求的方法,其特征在于:该基板是盘形的,围绕垂直于基板延伸的旋转轴旋转,而透镜系统沿相对于旋转轴的径向平移,沿相对于旋转轴的切线方向观察时,经过流出口提供的液体在扫描点的上游。
4.如权利要求1或2所要求的方法,其特征在于:以速率=0.5*V*H*W提供经过流出口的液体,其中W等于或大于 V是相对于透镜系统在扫描点处基板的平移速度,H间隙的高度尺寸,W是沿垂直于该平移方向观察时,液体扩散进入间隙的宽度,NA是透镜系统的数值孔径,和n是液体的光学折射率。
5.如权利要求4所要求的方法,其特征在于:W小于或等于10*H。
6.如权利要求4所要求的方法,其特征在于:高度H在4μm和100μm之间。
7.如权利要求6所要求的方法,其特征在于:高度H在7μm和10μm之间。
8.如权利要求4所要求的方法,其特征在于:该流出口是圆的,并且其直径等于或小于0.5*W。
9.如权利要求1或2所要求的方法,其特征在于:沿着该平移方向观察,从感光层抽取的液体位于透镜系统的下游。
10.一种用于制作主模的装置,该主模用于制作光学可扫描信息载体,该装置设置有:
可以围绕旋转轴旋转的工作台,在该工作台上可以放置带感光层的基板,以及
辐射源,
光学透镜系统,用于将在操作过程中辐射源所产生的辐射束在感光层上聚焦成为扫描点,
平移设备,通过该平移设备,可以相对于沿径向的旋转轴平移所述透镜系统,
液体供应设备,用于在位于所述感光层与面对所述感光层的透镜系统的透镜之间的间隙提供液体,
该用于制作主模的装置的特征在于:该液体供应设备包括一个流出口,沿所述旋转轴的切线方向观察,所述流出口被安置于光学轴的上游,并且直接与所述透镜相邻,位于一个壁内的所述流出口在一个虚平面内延伸,面对感光层的透镜的一侧在所述虚平面中延伸。
11.如权利要求10所要求的方法,其特征在于:在操作过程中,在间隙内,提供经过流出口的液体流,其流动速率为0.5*V*H*W,此处W等于或大于
和V是相对于透镜系统在光学轴位置基板的速度,H间隙的高度尺寸,W是沿径向观察的液体流的宽度,NA是透镜系统的数值孔径,和n是液体的光学折射率。
12.如权利要求11所要求的装置,其特征在于:宽度W等于或小于10*H。
13.如权利要求11所要求的装置,其特征在于:高度H在4μm和100μm之间。
14.如权利要求13所要求的装置,其特征在于:高度H在7μm和10μm之间。
15.如权利要求11所要求的装置,其特征在于:所述流出口是圆的且直径等于或小于0.5*W。
16.如权利要求11所要求的装置,其特征在于:所述透镜的面对感光层的一侧设置有第一堤坝,沿上述切线方向观察,该第一堤坝从所述光学轴向上游延伸,并且其宽度等于所述液体流的期望宽度W,和
所述流出口设置有第二堤坝,沿上述切线方向观察,所述第二堤坝与第一堤坝具有相同的宽度,并且连接到所述第一堤坝。
17.如权利要求10所要求的装置,其特征在于:该装置包括一种抽出装置,相对于流出口和透镜系统观察,该抽出装置被布置在下游。
18.如权利要求17所要求的装置,其特征在于:该抽出装置有抽取嘴,借助于另一个平移装置,该抽取嘴可以与沿着另一相对于旋转轴的径向的透镜系统同步平移。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105700301A (zh) * | 2003-04-10 | 2016-06-22 | 株式会社尼康 | 包括用于沉浸光刻装置的真空清除的环境系统 |
Families Citing this family (168)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9482966B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE60335595D1 (de) * | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
SG2010050110A (en) | 2002-11-12 | 2014-06-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US10503084B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7372541B2 (en) * | 2002-11-12 | 2008-05-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7110081B2 (en) * | 2002-11-12 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP3953460B2 (ja) * | 2002-11-12 | 2007-08-08 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ投影装置 |
CN101470360B (zh) * | 2002-11-12 | 2013-07-24 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
SG121822A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG131766A1 (en) * | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI255971B (en) * | 2002-11-29 | 2006-06-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101036114B1 (ko) * | 2002-12-10 | 2011-05-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광장치 및 노광방법, 디바이스 제조방법 |
US7242455B2 (en) * | 2002-12-10 | 2007-07-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
KR20110086130A (ko) * | 2002-12-10 | 2011-07-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
EP1573730B1 (en) | 2002-12-13 | 2009-02-25 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Liquid removal in a method and device for irradiating spots on a layer |
EP1579435B1 (en) * | 2002-12-19 | 2007-06-27 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
EP1732075A3 (en) * | 2002-12-19 | 2007-02-21 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
CN106873316A (zh) * | 2003-02-26 | 2017-06-20 | 株式会社尼康 | 曝光装置、曝光方法以及器件制造方法 |
KR101562447B1 (ko) | 2003-02-26 | 2015-10-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
MXPA05010079A (es) * | 2003-03-24 | 2005-11-23 | Koninkl Philips Electronics Nv | Metodo para grabar una pista de salida en un disco optico. |
KR20170064003A (ko) * | 2003-04-10 | 2017-06-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템 |
KR101178756B1 (ko) * | 2003-04-11 | 2012-08-31 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침액체를 유지하는 장치 및 방법 |
JP4582089B2 (ja) * | 2003-04-11 | 2010-11-17 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム |
TWI295414B (en) | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI442694B (zh) * | 2003-05-30 | 2014-06-21 | Asml Netherlands Bv | 微影裝置及元件製造方法 |
US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7317504B2 (en) * | 2004-04-08 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2261742A3 (en) * | 2003-06-11 | 2011-05-25 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
US7436750B2 (en) * | 2003-06-19 | 2008-10-14 | Call/Recall Inc. | Optical storage with ultra high storage capacity |
EP2216685B1 (en) * | 2003-06-19 | 2012-06-27 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
EP1498778A1 (en) | 2003-06-27 | 2005-01-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6809794B1 (en) * | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
DE60308161T2 (de) | 2003-06-27 | 2007-08-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels |
JP3862678B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1975721A1 (en) * | 2003-06-30 | 2008-10-01 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1494074A1 (en) * | 2003-06-30 | 2005-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101296501B1 (ko) | 2003-07-09 | 2013-08-13 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
SG109000A1 (en) * | 2003-07-16 | 2005-02-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1500982A1 (en) | 2003-07-24 | 2005-01-26 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7326522B2 (en) * | 2004-02-11 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and a substrate |
US7175968B2 (en) * | 2003-07-28 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate |
EP1503244A1 (en) | 2003-07-28 | 2005-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
EP2264535B1 (en) * | 2003-07-28 | 2013-02-13 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, method for producing device, and method for controlling exposure apparatus |
US7779781B2 (en) | 2003-07-31 | 2010-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8149381B2 (en) | 2003-08-26 | 2012-04-03 | Nikon Corporation | Optical element and exposure apparatus |
KR101171809B1 (ko) * | 2003-08-26 | 2012-08-13 | 가부시키가이샤 니콘 | 광학소자 및 노광장치 |
TWI245163B (en) | 2003-08-29 | 2005-12-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US6954256B2 (en) * | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
TWI263859B (en) | 2003-08-29 | 2006-10-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2261740B1 (en) * | 2003-08-29 | 2014-07-09 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus |
EP3223074A1 (en) * | 2003-09-03 | 2017-09-27 | Nikon Corporation | Apparatus and method for immersion lithography for recovering fluid |
EP1519231B1 (en) * | 2003-09-29 | 2005-12-21 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1519230A1 (en) * | 2003-09-29 | 2005-03-30 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7158211B2 (en) * | 2003-09-29 | 2007-01-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1524557A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1524558A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7411653B2 (en) * | 2003-10-28 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US7352433B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7528929B2 (en) | 2003-11-14 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7545481B2 (en) * | 2003-11-24 | 2009-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7460206B2 (en) * | 2003-12-19 | 2008-12-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for immersion lithography |
US7589818B2 (en) * | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
US7394521B2 (en) * | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE602004027162D1 (de) * | 2004-01-05 | 2010-06-24 | Nippon Kogaku Kk | Belichtungsvorrichtung, belichtungsverfahren und bauelementeherstellungsverfahren |
US7589822B2 (en) * | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US7050146B2 (en) | 2004-02-09 | 2006-05-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101504445B1 (ko) | 2004-03-25 | 2015-03-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7227619B2 (en) * | 2004-04-01 | 2007-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7034917B2 (en) * | 2004-04-01 | 2006-04-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US7295283B2 (en) * | 2004-04-02 | 2007-11-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7898642B2 (en) | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7379159B2 (en) | 2004-05-03 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7616383B2 (en) | 2004-05-18 | 2009-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7486381B2 (en) * | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI257553B (en) * | 2004-06-04 | 2006-07-01 | Asustek Comp Inc | Multiple over-clocking main board and control method thereof |
US8508713B2 (en) | 2004-06-10 | 2013-08-13 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US8373843B2 (en) * | 2004-06-10 | 2013-02-12 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US8717533B2 (en) * | 2004-06-10 | 2014-05-06 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
KR101699965B1 (ko) * | 2004-06-10 | 2017-01-25 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
US7481867B2 (en) | 2004-06-16 | 2009-01-27 | Edwards Limited | Vacuum system for immersion photolithography |
JP4565272B2 (ja) * | 2004-07-01 | 2010-10-20 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィのための動的流体制御システム |
US7463330B2 (en) | 2004-07-07 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7161663B2 (en) * | 2004-07-22 | 2007-01-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US7304715B2 (en) | 2004-08-13 | 2007-12-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7701550B2 (en) | 2004-08-19 | 2010-04-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060044533A1 (en) * | 2004-08-27 | 2006-03-02 | Asmlholding N.V. | System and method for reducing disturbances caused by movement in an immersion lithography system |
CN100539019C (zh) * | 2004-09-17 | 2009-09-09 | 株式会社尼康 | 曝光装置、曝光方法以及器件制造方法 |
US7133114B2 (en) * | 2004-09-20 | 2006-11-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7522261B2 (en) * | 2004-09-24 | 2009-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7355674B2 (en) | 2004-09-28 | 2008-04-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and computer program product |
US7894040B2 (en) * | 2004-10-05 | 2011-02-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7209213B2 (en) * | 2004-10-07 | 2007-04-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7379155B2 (en) | 2004-10-18 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7119876B2 (en) * | 2004-10-18 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7583357B2 (en) * | 2004-11-12 | 2009-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7423720B2 (en) | 2004-11-12 | 2008-09-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7251013B2 (en) | 2004-11-12 | 2007-07-31 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7414699B2 (en) * | 2004-11-12 | 2008-08-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7411657B2 (en) | 2004-11-17 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7145630B2 (en) * | 2004-11-23 | 2006-12-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7161654B2 (en) * | 2004-12-02 | 2007-01-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7256121B2 (en) * | 2004-12-02 | 2007-08-14 | Texas Instruments Incorporated | Contact resistance reduction by new barrier stack process |
US7446850B2 (en) * | 2004-12-03 | 2008-11-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7196770B2 (en) * | 2004-12-07 | 2007-03-27 | Asml Netherlands B.V. | Prewetting of substrate before immersion exposure |
US7248334B2 (en) * | 2004-12-07 | 2007-07-24 | Asml Netherlands B.V. | Sensor shield |
US7397533B2 (en) * | 2004-12-07 | 2008-07-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7365827B2 (en) * | 2004-12-08 | 2008-04-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7352440B2 (en) | 2004-12-10 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Substrate placement in immersion lithography |
US7403261B2 (en) * | 2004-12-15 | 2008-07-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7528931B2 (en) * | 2004-12-20 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7880860B2 (en) * | 2004-12-20 | 2011-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7405805B2 (en) | 2004-12-28 | 2008-07-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7491661B2 (en) * | 2004-12-28 | 2009-02-17 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method, top coat material and substrate |
US20060147821A1 (en) | 2004-12-30 | 2006-07-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1681597B1 (en) | 2005-01-14 | 2010-03-10 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG124351A1 (en) | 2005-01-14 | 2006-08-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8692973B2 (en) * | 2005-01-31 | 2014-04-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
US20090262316A1 (en) | 2005-01-31 | 2009-10-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for producing device |
WO2006084641A2 (en) * | 2005-02-10 | 2006-08-17 | Asml Netherlands B.V. | Immersion liquid, exposure apparatus, and exposure process |
US7224431B2 (en) * | 2005-02-22 | 2007-05-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7378025B2 (en) | 2005-02-22 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Fluid filtration method, fluid filtered thereby, lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8018573B2 (en) | 2005-02-22 | 2011-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7428038B2 (en) | 2005-02-28 | 2008-09-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and apparatus for de-gassing a liquid |
US7324185B2 (en) * | 2005-03-04 | 2008-01-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7684010B2 (en) * | 2005-03-09 | 2010-03-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, seal structure, method of removing an object and a method of sealing |
US7330238B2 (en) * | 2005-03-28 | 2008-02-12 | Asml Netherlands, B.V. | Lithographic apparatus, immersion projection apparatus and device manufacturing method |
US7411654B2 (en) | 2005-04-05 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7291850B2 (en) * | 2005-04-08 | 2007-11-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060232753A1 (en) * | 2005-04-19 | 2006-10-19 | Asml Holding N.V. | Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow |
US7317507B2 (en) * | 2005-05-03 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7433016B2 (en) | 2005-05-03 | 2008-10-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8248577B2 (en) | 2005-05-03 | 2012-08-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7751027B2 (en) | 2005-06-21 | 2010-07-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7652746B2 (en) * | 2005-06-21 | 2010-01-26 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7474379B2 (en) | 2005-06-28 | 2009-01-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7468779B2 (en) * | 2005-06-28 | 2008-12-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7834974B2 (en) * | 2005-06-28 | 2010-11-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7535644B2 (en) * | 2005-08-12 | 2009-05-19 | Asml Netherlands B.V. | Lens element, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US8054445B2 (en) * | 2005-08-16 | 2011-11-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7411658B2 (en) | 2005-10-06 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7864292B2 (en) | 2005-11-16 | 2011-01-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7656501B2 (en) * | 2005-11-16 | 2010-02-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US7804577B2 (en) | 2005-11-16 | 2010-09-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US7633073B2 (en) * | 2005-11-23 | 2009-12-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7773195B2 (en) * | 2005-11-29 | 2010-08-10 | Asml Holding N.V. | System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography |
US7420194B2 (en) | 2005-12-27 | 2008-09-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and substrate edge seal |
US7839483B2 (en) | 2005-12-28 | 2010-11-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a control system |
US7649611B2 (en) * | 2005-12-30 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7893047B2 (en) * | 2006-03-03 | 2011-02-22 | Arch Chemicals, Inc. | Biocide composition comprising pyrithione and pyrrole derivatives |
US8045134B2 (en) | 2006-03-13 | 2011-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method |
US9477158B2 (en) * | 2006-04-14 | 2016-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7969548B2 (en) * | 2006-05-22 | 2011-06-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method |
US8045135B2 (en) * | 2006-11-22 | 2011-10-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus with a fluid combining unit and related device manufacturing method |
US8634053B2 (en) | 2006-12-07 | 2014-01-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9632425B2 (en) * | 2006-12-07 | 2017-04-25 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface |
US7791709B2 (en) * | 2006-12-08 | 2010-09-07 | Asml Netherlands B.V. | Substrate support and lithographic process |
US8654305B2 (en) * | 2007-02-15 | 2014-02-18 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography |
US8817226B2 (en) | 2007-02-15 | 2014-08-26 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography |
US8011377B2 (en) | 2007-05-04 | 2011-09-06 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method |
US7900641B2 (en) | 2007-05-04 | 2011-03-08 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method |
US8947629B2 (en) | 2007-05-04 | 2015-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
US7866330B2 (en) * | 2007-05-04 | 2011-01-11 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
NL1036186A1 (nl) * | 2007-12-03 | 2009-06-04 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2005207A (en) * | 2009-09-28 | 2011-03-29 | Asml Netherlands Bv | Heat pipe, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
WO2011090690A1 (en) * | 2009-12-28 | 2011-07-28 | Pioneer Hi-Bred International, Inc. | Sorghum fertility restorer genotypes and methods of marker-assisted selection |
EP2381310B1 (en) | 2010-04-22 | 2015-05-06 | ASML Netherlands BV | Fluid handling structure and lithographic apparatus |
JP5828626B2 (ja) * | 2010-10-04 | 2015-12-09 | キヤノン株式会社 | インプリント方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10255319A (ja) * | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Hitachi Maxell Ltd | 原盤露光装置及び方法 |
DE19952806A1 (de) * | 1999-11-02 | 2001-05-03 | Drecoll Stein Harm | Schwenkarm mit Schreibkopf |
-
2001
- 2001-06-14 TW TW090114438A patent/TW591653B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-07-23 BR BR0107071-1A patent/BR0107071A/pt not_active IP Right Cessation
- 2001-07-23 CN CNB018023177A patent/CN1191579C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-07-23 WO PCT/EP2001/008537 patent/WO2002013194A1/en not_active Application Discontinuation
- 2001-07-23 JP JP2002518463A patent/JP2004506290A/ja not_active Withdrawn
- 2001-07-23 AU AU72559/01A patent/AU784573B2/en not_active Ceased
- 2001-07-23 KR KR1020027004483A patent/KR20020037066A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-07-23 EP EP01951702A patent/EP1309971A1/en not_active Withdrawn
- 2001-07-23 MX MXPA02003536A patent/MXPA02003536A/es active IP Right Grant
- 2001-07-26 US US09/915,679 patent/US6649093B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105700301A (zh) * | 2003-04-10 | 2016-06-22 | 株式会社尼康 | 包括用于沉浸光刻装置的真空清除的环境系统 |
CN105700301B (zh) * | 2003-04-10 | 2018-05-25 | 株式会社尼康 | 包括用于沉浸光刻装置的真空清除的环境系统 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
MXPA02003536A (es) | 2002-12-13 |
US20020020821A1 (en) | 2002-02-21 |
BR0107071A (pt) | 2002-06-25 |
JP2004506290A (ja) | 2004-02-26 |
US6649093B2 (en) | 2003-11-18 |
EP1309971A1 (en) | 2003-05-14 |
CN1386273A (zh) | 2002-12-18 |
KR20020037066A (ko) | 2002-05-17 |
WO2002013194A1 (en) | 2002-02-14 |
TW591653B (en) | 2004-06-11 |
AU7255901A (en) | 2002-02-18 |
AU784573B2 (en) | 2006-05-04 |
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