CN118084349B - Ar和af膜层结构及ar和af镀膜玻璃产品 - Google Patents
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- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 61
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 231
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 183
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 169
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 164
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 120
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 120
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 120
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims abstract description 106
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 104
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 104
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 24
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 22
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000032798 delamination Effects 0.000 claims description 5
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 632
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 13
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003666 anti-fingerprint Effects 0.000 description 1
- 230000003373 anti-fouling effect Effects 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/3411—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials
- C03C17/3417—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of inorganic materials all coatings being oxide coatings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/70—Properties of coatings
- C03C2217/73—Anti-reflective coatings with specific characteristics
- C03C2217/734—Anti-reflective coatings with specific characteristics comprising an alternation of high and low refractive indexes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/70—Properties of coatings
- C03C2217/78—Coatings specially designed to be durable, e.g. scratch-resistant
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/10—Deposition methods
- C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
- C03C2218/154—Deposition methods from the vapour phase by sputtering
- C03C2218/156—Deposition methods from the vapour phase by sputtering by magnetron sputtering
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
本发明公开一种AR和AF膜层结构及AR和AF镀膜玻璃产品，涉及玻璃镀膜技术领域。AR和AF膜层结构包括AR膜层和AF膜层，AR膜层包括至少两个氧化硅层及至少两个氧化铌层，氧化硅层与氧化铌层间隔设置，氧化硅层包括层叠设置的第一硅分层和第二硅分层，氧化铌层包括层叠设置的第一铌分层和第二铌分层；AF膜层设置在AR膜层上方；其中，AR膜层靠近AF膜层的一侧为氧化硅层，AF膜层连接氧化硅层的第二硅分层。AR和AF镀膜玻璃产品包括玻璃基板及AR膜层和AF膜层，AR和AF膜层结构设置在玻璃基板上，AR和AF膜层结构的AR膜层与玻璃基板的上表面连接。解决现有技术的AR和AF膜层结构表面硬度较低，耐摩擦性不足，无法满足高规格的产品需求的问题。
Description
技术领域
本申请涉及玻璃镀膜技术领域，尤其涉及一种AR和AF膜层结构及AR和AF镀膜玻璃产品。
背景技术
AR(Anti reflection)膜又称增透膜，其通过降低玻璃表面的反射率而起到增加玻璃透过率的作用。在触摸显示、玻璃盖板等行业中，透过率会影响画面的成像质量。AF(Anti-Figerprint)膜又称防指纹膜，其可轻松去指纹等油脂类污渍同时表面更加平滑且不易产生划伤，具有优良的防油污性能、优秀的透过率和高的耐磨性能。由于AR膜镀制在触控盖板表面，在使用过程中经常处于一些触摸较高的应用场景，AR膜容易被摩擦脱落。行业内一般将AF膜镀在AR膜表面，使得表面膜层同时具有AR膜的增透和AF膜的防污和耐磨特性。
现有技术中的AR和AF成膜工艺，其在AR膜中使用低折射率材料比如SiO2(二氧化硅)，高折射率材料比如Nb2O5(五氧化二铌)，并组成Nb2O5/ SiO2/ Nb2O5/ SiO2这样的四层膜层结构。
但是发明人发现，现有技术存在不足。现有技术的AR和AF膜层结构表面硬度较低，耐摩擦性不足，无法满足高规格的产品需求。
发明内容
本发明的目的是提供一种AR和AF膜层结构及AR和AF镀膜玻璃产品，以解决现有技术的AR和AF膜层结构表面硬度较低，耐摩擦性不足，无法满足高规格的产品需求的问题。
为解决上述技术问题，本申请提供如下技术方案：
本申请第一方面提供一种AR和AF膜层结构，包括：
AR膜层，AR膜层包括至少两个氧化硅层及至少两个氧化铌层，氧化硅层与氧化铌层间隔设置，氧化硅层包括层叠设置的第一硅分层和第二硅分层，氧化铌层包括层叠设置的第一铌分层和第二铌分层；
AF膜层，AF膜层设置在AR膜层上方；
其中，AR膜层靠近AF膜层的一侧为氧化硅层，AF膜层连接氧化硅层的第二硅分层。
优选的，前述的AR和AF膜层结构，其中第一硅分层的厚度大于第二硅分层的厚度；第一铌分层的厚度大于第二铌分层的厚度。
优选的，前述的AR和AF膜层结构，其中第二硅分层的厚度为5~10nm；第二铌分层的厚度为5~10nm。
优选的，前述的AR和AF膜层结构，其中氧化硅层的数量为两个，分别为第一氧化硅层和第二氧化硅层；氧化铌层的数量为两个，分别为第一氧化铌层和第二氧化铌层；第一氧化铌层位于最底层，第一氧化硅层设置在第一氧化铌层上方，第二氧化铌层设置在第一氧化硅层上方，第二氧化硅层设置在第二氧化铌层上方，AF膜层设置在第二氧化硅层上方。
优选的，前述的AR和AF膜层结构，其中第二氧化硅层的厚度大于第一氧化硅层的厚度；第二氧化铌层的厚度大于第一氧化铌层的厚度；第一氧化硅层中第一硅分层的厚度占比为80%~90%，第一氧化硅层中第二硅分层的厚度占比为10%~20%；第二氧化硅层中第一硅分层的厚度占比为92%~96%，第二氧化硅层中第二硅分层的厚度占比为4%~8%；第一氧化铌层中第一铌分层的厚度占比为55%~65%，第一氧化铌层中第二铌分层的厚度占比为35%~45%；第二氧化铌层中第一铌分层的厚度占比为94%~98%，第二氧化铌层中第二铌分层的厚度占比为2%~6%。
优选的，前述的AR和AF膜层结构，其中第一氧化硅层中第一硅分层的厚度占比为85%，第一氧化硅层中第二硅分层的厚度占比为15%；第二氧化硅层中第一硅分层的厚度占比为95%，第二氧化硅层中第二硅分层的厚度占比为5%；第一氧化铌层中第一铌分层的厚度占比为60%，第一氧化铌层中第二铌分层的厚度占比为40%；第二氧化铌层中第一铌分层的厚度占比为96%，第二氧化铌层中第二铌分层的厚度占比为4%。
优选的，前述的AR和AF膜层结构，其中AR膜层的任意氧化硅层还包括第三硅分层，第一硅分层、第三硅分层与第二硅分层依次层叠设置；AR膜层的任意氧化铌层还包括第三铌分层，第一铌分层、第三铌分层与第二铌分层依次层叠设置；其中氧化硅层中第一硅分层、第三硅分层与第二硅分层的厚度依次递减，氧化铌层中第一铌分层、第三铌分层和第二铌分层的厚度依次递减。
优选的，前述的AR和AF膜层结构，其中氧化硅层的数量为三个，分别为第一氧化硅层、第二氧化硅层和第三氧化硅层；氧化铌层的数量为两个，分别为第一氧化铌层和第二氧化铌层；第一氧化硅层位于最底层，第一氧化铌层设置在第一氧化硅层上方，第二氧化硅层设置在第一氧化铌层上方，第二氧化铌层设置在第二氧化硅层上方，第三氧化硅层设置在第二氧化铌层上方，所述AF膜层设置在第三氧化硅层上方。
优选的，前述的AR和AF膜层结构，其中氧化硅层使用二氧化硅，氧化铌层使用五氧化二铌。
本申请第二方面提供一种AR和AF镀膜玻璃产品，包括：
玻璃基板；
上述的AR和AF膜层结构；
其中，AR和AF膜层结构设置在玻璃基板上，AR和AF膜层结构的AR膜层与玻璃基板的上表面连接。
通过上述技术方案，本发明AR和AF膜层结构及AR和AF镀膜玻璃产品至少具有下列优点：
本发明提供的一种AR和AF膜层结构，包括AR膜层和AF膜层。AR膜层包括至少两个氧化硅层及至少两个氧化铌层，氧化硅层与氧化铌层间隔设置，氧化硅层包括层叠设置的第一硅分层和第二硅分层，氧化铌层包括层叠设置的第一铌分层和第二铌分层；AF膜层设置在AR膜层上方；其中，AR膜层靠近AF膜层的一侧为氧化硅层，AF膜层连接氧化硅层的第二硅分层。本发明中的AR膜层中分层数量为现有技术中的膜层数量的双倍，通过第二硅分层和第二铌分层的设置，降低了现有技术中单层氧化硅层和单层氧化铌层的膜层厚度，由于厚底降低的膜层表面精细度更高，使得分层后间隔设置的氧化硅层和氧化铌层之间的连接更加致密，进而从整体上提升了AR和AF膜层结构的硬度，而AF膜层由于连接了氧化硅层的厚度较低、精细度较高的第二硅分层，使得AF膜层与AR膜层之间的连接更加致密，致密性更高的AR和AF膜层结构在受到摩擦时，能够提供更好的耐摩擦性。通过本发明的应用，解决现有技术的AR和AF膜层结构表面硬度较低，耐摩擦性不足，无法满足高规格的产品需求的问题。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示意性地示出了本发明实施例提供的一种AR和AF膜层结构的结构示意图；
图2示意性地示出了本发明实施例提供的另一种AR和AF膜层结构的结构示意图；
图3示意性地示出了本发明实施例提供的又一种AR和AF膜层结构的结构示意图；
图4示意性地示出了本发明实施例提供的其他一种AR和AF膜层结构的结构示意图；
图5示意性地示出了本发明实施例提供的一种AR和AF镀膜玻璃产品的结构示意图。
附图标号说明：
1、AR膜层；11、氧化硅层；12、氧化铌层；111、第一硅分层；112、第二硅分层；113、第三硅分层；114、第一氧化硅层；115、第二氧化硅层；116、第三氧化硅层；121、第一铌分层；122、第二铌分层；123、第三铌分层；124、第一氧化铌层；125、第二氧化铌层；
2、AF膜层；
3、玻璃基板。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本公开的实施方式作进一步详细描述。以下实施例的详细描述和附图用于示例性地说明本公开的原理，但不能用来限制本公开的范围，本公开可以以许多不同的形式实现，不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。
本公开提供这些实施例是为了使本公开透彻且完整，并且向本领域技术人员充分表达本公开的范围。应注意到：除非另外具体说明，这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、材料的组分、数字表达式和数值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。
需要说明的是，在本公开的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是大于或等于两个；术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
此外，本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的部分。“垂直”并不是严格意义上的垂直，而是在误差允许范围之内。“平行”并不是严格意义上的平行，而是在误差允许范围之内。“包括”或者“包含”等类似的词语意指在该词前的要素涵盖在该词后列举的要素，并不排除也涵盖其他要素的可能。
还需要说明的是，在本公开的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可视具体情况理解上述术语在本公开中的具体含义。当描述到特定器件位于第一器件和第二器件之间时，在该特定器件与第一器件或第二器件之间可以存在居间器件，也可以不存在居间器件。
本公开使用的所有术语与本公开所属领域的普通技术人员理解的含义相同，除非另外特别定义。还应当理解，在诸如通用字典中定义的术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义相一致的含义，而不应用理想化或极度形式化的意义来解释，除非这里明确地这样定义。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
实施例一
如图1所示，本申请第一方面公开了一种AR和AF膜层结构，包括AR膜层1和AF膜层2，AR膜层1包括至少两个氧化硅层11及至少两个氧化铌层12，氧化硅层11与氧化铌层12间隔设置，氧化硅层11包括层叠设置的第一硅分层111和第二硅分层112，氧化铌层12包括层叠设置的第一铌分层121和第二铌分层122；AF膜层2设置在AR膜层1上方；其中，AR膜层1靠近AF膜层2的一侧为氧化硅层11，AF膜层2连接氧化硅层11的第二硅分层112。
具体地，AR膜层1包括至少两个氧化硅层11及至少两个氧化铌层12，根据膜层结构中的AR膜层1所需达到的增透率调整氧化硅层11和氧化铌层12的数量。AR膜层1至少为四层，即两个氧化硅层11和两个氧化铌层12的情况，需要保证最上层连接AF膜层2的一层为氧化硅层11，现有技术中均使用低折射率的氧化硅层11与AF膜层2接触，以使光线在AR膜层1中经由低折射率层进入，再经过后续高折射率层进行光线传播，故当AR膜层1为五层时，即为三个氧化硅层11和两个氧化铌层12的情况，当AR膜层1为六层时，即为三个氧化硅层11和三个氧化铌层12的情况。
氧化硅层11与氧化铌层12间隔设置，即两个氧化硅层11之间无连接关系，需要布置氧化铌层12使其上下表面分别接触两个氧化硅层11，氧化铌层12同理。当氧化硅层11处于膜层结构的最上层时，氧化硅层11的上表面连接AF膜层2，下表面连接氧化铌层12。当氧化硅层11处于膜层结构的最底层时，氧化硅层11的上表面连接氧化铌层12，下表面连接在玻璃基板3上。当氧化铌层12处于膜层结构的最底层时，其上表面连接氧化硅层11，下表面连接在玻璃基板3上。
为了使得分层后间隔设置的氧化硅层11和氧化铌层12之间的连接更加致密，考虑到膜层的厚度影响膜层表面精细度，本申请氧化硅层11包括层叠设置的第一硅分层111和第二硅分层112，氧化铌层12包括层叠设置的第一铌分层121和第二铌分层122，分层后的氧化硅层11和氧化铌层12其中第一硅分层111、第二硅分层112、第一铌分层121和第二铌分层122的厚度较现有技术中单层氧化硅的厚度低，表面精细度更好，由于氧化硅层11和氧化铌层12间隔设置，故无论是第二硅分层112接触氧化铌层12的下表面，还是第二铌分层122接触氧化硅层11的下表面，还是各分层之间的彼此接触，均能获得更好的致密性，从而提高了AR膜层1的硬度。相比与现有技术提供的四层AR膜层1结构，本申请通过分层的设置，使本申请中AR膜层1至少含有八个分层，显著提供了AR膜层1的硬度属性。
AR膜层1的八个分层的制备方法，可以使用真空磁控溅射法按预设的膜层顺序去轰击氧化铌靶和氧化硅靶，可以采用孪生靶射频溅射工艺，在真空室设置三对氧化铌靶和三对氧化硅靶进行轰击。制备过程中，保证真空室内合适的真空度，调节真空室中氩气和氧气的流量比，逐步进行轰击，得到各分层。
以一种实施例为举例，在真空室中真空度小于等于1.5x10-3Pa的条件下；在氩气和氧气流量比为2000Sccm：180Sccm的条件下，以18kw的功率对氧化铌靶进行溅射轰击，得到第一铌分层121；在氩气和氧气流量比为2000Sccm：180Sccm的条件下，以9kw的功率对氧化铌靶进行溅射轰击，得到第二铌分层122；在氩气和氧气流量比为3000Sccm：170Sccm的条件下，以12kw的功率对氧化硅靶进行溅射轰击，得到第一硅分层111；在氩气和氧气流量比为3000Sccm：170Sccm的条件下，以6kw的功率对氧化硅靶进行溅射轰击，得到第二硅分层112；再重复上述四个步骤，得到具有八个分层的AR膜层1。
AF膜层2设置在AR膜层1上方，其镀膜方法可以是在制备完AR膜层1后，通过阻蒸工艺镀在AR膜层1上，也可以使用真空磁控溅射镀膜方式镀在AR膜上。AF膜层2由于连接了氧化硅层11的厚度较低、精细度较高的第二硅分层112，使得AF膜层2与AR膜层1之间的连接更加致密，致密性更高的AR和AF膜层结构在受到摩擦时，能够提供更好的耐摩擦性。相比与现有技术提供的四层AR膜层1结构与AF连接，本申请通过分层的设置，使本申请中AR膜层1至少含有八个分层后与AF连接，显著提供了AR和AF膜层结构的耐摩擦属性。
本发明提供AR和AF膜层结构在铅笔硬度试验测试中，将制备的AR和AF膜层结构放在玻璃基板3上，组成AR和AF镀膜玻璃产品，放在自动铅笔硬度计上测试负重500g或750g条件下，采用7H铅笔划5条铅笔线进行测试，玻璃表面5条铅笔线用橡皮擦清洁后，根据5条铅笔线中的划伤情况进行硬度判断。试验发现，与现有技术的四层膜层结构相比，具有八个分层AR膜层1的玻璃在500g负重下无划伤，750g负重下划伤数量更少，故本申请的硬度更高。
本发明提供AR和AF膜层结构在耐摩擦试验测试中，将制备的AR和AF膜层结构放在玻璃基板3上，组成AR和AF镀膜玻璃产品，放在多功能酒精橡皮摩擦试验机，采用日式0000#钢丝绒，负重500g的条件下，以0.2m/s的速度来回摩擦3000次，通过使用水滴角仪器测试玻璃摩擦前后水滴角的数值情况，对膜层的耐摩擦性能进行定性分析。试验发现，具有八个分层AR膜层1的玻璃摩擦后平均水滴角为104.07，4层AR+AF膜摩擦后平均水滴角为84.77，证明本申请具有更好的耐摩擦性。
本发明提供的一种AR和AF膜层结构，包括AR膜层1和AF膜层2。AR膜层1包括至少两个氧化硅层11及至少两个氧化铌层12，氧化硅层11与氧化铌层12间隔设置，氧化硅层11包括层叠设置的第一硅分层111和第二硅分层112，氧化铌层12包括层叠设置的第一铌分层121和第二铌分层122；AF膜层2设置在AR膜层1上方；其中，AR膜层1靠近AF膜层2的一侧为氧化硅层11，AF膜层2连接氧化硅层11的第二硅分层112。本发明中的AR膜层1中分层数量为现有技术中的膜层数量的双倍，通过第二硅分层112和第二铌分层122的设置，降低了现有技术中单层氧化硅层11和单层氧化铌层12的膜层厚度，由于厚底降低的膜层表面精细度更高，使得分层后间隔设置的氧化硅层11和氧化铌层12之间的连接更加致密，进而从整体上提升了AR和AF膜层结构的硬度，而AF膜层2由于连接了氧化硅层11的厚度较低、精细度较高的第二硅分层112，使得AF膜层2与AR膜层1之间的连接更加致密，致密性更高的AR和AF膜层结构在受到摩擦时，能够提供更好的耐摩擦性。通过本发明的应用，解决现有技术的AR和AF膜层结构表面硬度较低，耐摩擦性不足，无法满足高规格的产品需求的问题。
如图1所示，在一些实施例中，第一硅分层111的厚度大于第二硅分层112的厚度；第一铌分层121的厚度大于第二铌分层122的厚度。
具体地，为了提高本申请AR膜层1中的致密性，考虑到氧化硅层11和氧化铌层12彼此之间需要接触第二硅分层112和第二铌分层122，接触的层厚度越低，精细度越高，接触后的连接致密性越好，故本申请设置第一硅分层111的厚度大于第二硅分层112的厚度；第一铌分层121的厚度大于第二铌分层122的厚度。
需要注意的是，第二硅分层112的厚度可以为5~10nm，也可以为10~20nm，也可以为20~30nm，具体的数值不限，第二铌分层122厚度范围同理，但是考虑到AR膜层1增透属性，要根据实际情况调整第一硅分层111和第二硅分层112的厚度。
在一些实施例中，第二硅分层112的厚度为5~10nm；第二铌分层122的厚度为5~10nm。
具体地，为了提高本申请AR膜层1中的致密性，可以选择厚度较低的第二硅分层112和第二铌分层122，具体厚度为第二硅分层112的厚度为5~10nm；第二铌分层122的厚度为5~10nm。
如图1和图2所示，在一些实施例中，氧化硅层11的数量为两个，分别为第一氧化硅层114和第二氧化硅层115；氧化铌层12的数量为两个，分别为第一氧化铌层124和第二氧化铌层125；第一氧化铌层124位于最底层，第一氧化硅层114设置在第一氧化铌层124上方，第二氧化铌层125设置在第一氧化硅层114上方，第二氧化硅层115设置在第二氧化铌层125上方，AF膜层2设置在第二氧化硅层115上方。
具体地，以第一氧化铌层124、第一氧化硅层114、第二氧化铌层125和第二氧化硅层115的顺序组成本申请中的AR膜层1，并且各层对应包含第一硅分层111、第二硅分层112，第一铌分层121和第二铌分层122，本申请的AR膜层1具有八个分层，且各分层间具有很高的致密性。
在一些实施例中，第二氧化硅层115的厚度大于第一氧化硅层114的厚度；第二氧化铌层125的厚度大于第一氧化铌层124的厚度；第一氧化硅层114中第一硅分层111的厚度占比为80%~90%，第一氧化硅层114中第二硅分层112的厚度占比为10%~20%；第二氧化硅层115中第一硅分层111的厚度占比为92%~96%，第二氧化硅层115中第二硅分层112的厚度占比为4%~8%；第一氧化铌层124中第一铌分层121的厚度占比为55%~65%，第一氧化铌层124中第二铌分层122的厚度占比为35%~45%；第二氧化铌层125中第一铌分层121的厚度占比为94%~98%，第二氧化铌层125中第二铌分层122的厚度占比为2%~6%。
具体地，考虑到光线的传播，在实际使用中，AR和AF膜层结构中的第一氧化硅层114更靠近玻璃基板3，而第二氧化硅层115更靠近外界光线，也更需要经受外界存在硬度和摩擦力的使用环境，为了提高硬度和耐摩擦性，故设置低折射率的氧化硅层11中第二氧化硅层115的厚度大于第一氧化硅层114的厚度；AR和AF膜层结构中的第一氧化铌层124更靠近玻璃基板3，而第二氧化铌层125更靠近外界光线，也更需要经受外界存在硬度和摩擦力的使用环境，为了提高硬度和耐摩擦性，故设置高折射率的氧化铌层12中第二氧化铌层125的厚度大于第一氧化铌层124的厚度。
根据需要的增透率、硬度和耐摩擦性调节氧化硅层11或氧化铌层12中两分层的占比，由于为了保证各层之间连接的致密性，以第一氧化铌层124、第一氧化硅层114、第二氧化铌层125和第二氧化硅层115依次布置情况下，第一氧化铌层124中第一铌分层121的厚度占比为55%~65%，第一氧化铌层124中第二铌分层122的厚度占比为35%~45%；第一氧化硅层114中第一硅分层111的厚度占比为80%~90%，第一氧化硅层114中第二硅分层112的厚度占比为10%~20%；第二氧化铌层125中第一铌分层121的厚度占比为94%~98%，第二氧化铌层125中第二铌分层122的厚度占比为2%~6%；第二氧化硅层115中第一硅分层111的厚度占比为92%~96%，第二氧化硅层115中第二硅分层112的厚度占比为4%~8%。
在一些实施例中，第一氧化硅层114中第一硅分层111的厚度占比为85%，第一氧化硅层114中第二硅分层112的厚度占比为15%；第二氧化硅层115中第一硅分层111的厚度占比为95%，第二氧化硅层115中第二硅分层112的厚度占比为5%；第一氧化铌层124中第一铌分层121的厚度占比为60%，第一氧化铌层124中第二铌分层122的厚度占比为40%；第二氧化铌层125中第一铌分层121的厚度占比为96%，第二氧化铌层125中第二铌分层122的厚度占比为4%。
具体地，在本案的实施例中，通过真空磁控溅射的手段连接AR膜层1的镀膜，在玻璃基板3表面上，依次沉积第一氧化铌层124、第一氧化硅层114、第二氧化铌层125和第二氧化硅层115，第一氧化铌层124中第一铌分层121的厚度占比为60%，第一氧化铌层124中第二铌分层122的厚度占比为40%；第一氧化硅层114中第一硅分层111的厚度占比为85%，第一氧化硅层114中第二硅分层112的厚度占比为15%；第二氧化铌层125中第一铌分层121的厚度占比为96%，第二氧化铌层125中第二铌分层122的厚度占比为4%；第二氧化硅层115中第一硅分层111的厚度占比为95%，第二氧化硅层115中第二硅分层112的厚度占比为5%。
具体为第一氧化铌层124中第一铌分层121为8.17nm，第二铌分层122为5nm，第一氧化硅层114中第一硅分层111为27.44nm，第二硅分层112为5nm，第二氧化铌层125中第一铌分层121为108.19nm，第二铌分层122为5nm，第二氧化硅层115中第一硅分层111为82.35nm,第二硅分层112为5nm。采用上述数据最终获得的AR和AF膜层结构在玻璃基板3上经测试，具有较高的硬度和较好的耐摩擦性。
如图3所示，在一些实施例中，AR膜层1的任意氧化硅层11还包括第三硅分层113，第一硅分层111、第三硅分层113与第二硅分层112依次层叠设置；AR膜层1的任意氧化铌层12还包括第三铌分层123，第一铌分层121、第三铌分层123与第二铌分层122依次层叠设置；其中氧化硅层11中第一硅分层111、第三硅分层113与第二硅分层112的厚度依次递减，氧化铌层12中第一铌分层121、第三铌分层123和第二铌分层122的厚度依次递减。
具体地，为了进一步降低氧化硅层11中的层内各层厚度，本申请AR膜层1的任意氧化硅层11还包括第三硅分层113，第一硅分层111、第三硅分层113与第二硅分层112依次层叠设置，并且厚度依次递减，这样设置使得分层厚度更低，连接致密性更高，并且也使氧化硅层11和氧化铌层12的连接致密性更高。氧化铌层12的结构和上述同理，不再赘述。
需要注意的是，本申请设置任意氧化铌层12和任意氧化硅层11包括第三铌分层123和第三硅分层113，即根据需要的增透率、硬度和耐摩擦性调整具有第三铌分层123或第三硅分层113的氧化铌层12或氧化硅层11的数量。
如图1和图4所示，在一些实施例中，氧化硅层11的数量为三个，分别为第一氧化硅层114、第二氧化硅层115和第三氧化硅层116；氧化铌层12的数量为两个，分别为第一氧化铌层124和第二氧化铌层125；第一氧化硅层114位于最底层，第一氧化铌层124设置在第一氧化硅层114上方，第二氧化硅层115设置在第一氧化铌层124上方，第二氧化铌层125设置在第二氧化硅层115上方，第三氧化硅层116设置在第二氧化铌层125上方，所述AF膜层2设置在第三氧化硅层116上方。
具体地，以第一氧化硅层114、第一氧化硅层114、第二氧化铌层125、第二氧化硅层115和第三氧化硅层116的顺序组成本申请中的AR膜层1，并且各层对应包含第一硅分层111、第二硅分层112，第一铌分层121和第二铌分层122，本申请的AR膜层1具有十个分层，且各分层间具有很高的致密性。
需要注意的是，本申请中氧化硅层11和氧化铌层12的数量不只局限于两个或三个，在实际制备过程中，可根据需要的增透率、硬度和耐摩擦性调整氧化硅层11和氧化铌层12的数量，但要保证氧化硅层11与氧化铌层12间隔设置，并且氧化硅层11为靠近AF膜层2的一层。
在一些实施例中，氧化硅层11使用二氧化硅，氧化铌层12使用五氧化二铌。
具体地，在AR和AF成膜工艺中，使用低折射率材料中的二氧化硅作为本申请氧化硅层11的材料组分，使用高折射率材料中的五氧化二铌作为本申请氧化铌层12的材料组分，经试验，能够使本申请方案中的AR和AF膜层结构表面硬度更高，耐摩擦性更好。
实施例二
本申请第二方面公开了一种AR和AF镀膜玻璃产品，包括玻璃基板3；上述的AR和AF膜层结构；其中，AR和AF膜层结构设置在玻璃基板3上，AR和AF膜层结构的AR膜层1与玻璃基板3的上表面连接。
其中，AR和AF膜层结构的具体结构可参考上述实施例一，本处不再赘述。
本发明提供AR和AF镀膜玻璃产品在铅笔硬度试验测试中，放在自动铅笔硬度计上测试负重500g或750g条件下，采用7H铅笔划5条铅笔线进行测试，玻璃表面5条铅笔线用橡皮擦清洁后，根据5条铅笔线中的划伤情况进行硬度判断。试验发现，与现有技术的四层膜层结构相比，具有八个分层AR膜层1的玻璃在500g负重下无划伤，750g负重下划伤数量更少，故本申请的硬度更高。
本发明提供的AR和AF镀膜玻璃产品在耐摩擦试验测试中，放在多功能酒精橡皮摩擦试验机，采用日式0000#钢丝绒，负重500g的条件下，以0.2m/s的速度来回摩擦3000次，通过使用水滴角仪器测试玻璃摩擦前后水滴角的数值情况，对膜层的耐摩擦性能进行定性分析。试验发现，具有八个分层AR膜层1的玻璃摩擦后平均水滴角为104.07，4层AR+AF膜摩擦后平均水滴角为84.77，证明本申请具有更好的耐摩擦性。
本发明提供的一种AR和AF镀膜玻璃产品，包括玻璃基板3和上述的AR和AF膜层结构，AR和AF膜层结构包括AR膜层1和AF膜层2。AR膜层1包括至少两个氧化硅层11及至少两个氧化铌层12，氧化硅层11与氧化铌层12间隔设置，氧化硅层11包括层叠设置的第一硅分层111和第二硅分层112，氧化铌层12包括层叠设置的第一铌分层121和第二铌分层122；AF膜层2设置在AR膜层1上方；其中，AR膜层1靠近AF膜层2的一侧为氧化硅层11，AF膜层2连接氧化硅层11的第二硅分层112。本发明中的AR膜层1中分层数量为现有技术中的膜层数量的双倍，通过第二硅分层112和第二铌分层122的设置，降低了现有技术中单层氧化硅层11和单层氧化铌层12的膜层厚度，由于厚底降低的膜层表面精细度更高，使得分层后间隔设置的氧化硅层11和氧化铌层12之间的连接更加致密，进而从整体上提升了AR和AF膜层结构的硬度，而AF膜层2由于连接了氧化硅层11的厚度较低、精细度较高的第二硅分层112，使得AF膜层2与AR膜层1之间的连接更加致密，致密性更高的AR和AF膜层结构在受到摩擦时，能够提供更好的耐摩擦性。本申请AR和AF镀膜玻璃产品应用本申请提供的AR和AF膜层结构，具有更好的表面硬度和更好的耐摩擦性。通过本发明的应用，解决现有技术的AR和AF膜层结构表面硬度较低，耐摩擦性不足，无法满足高规格的产品需求的问题。
至此，已经详细描述了本公开的各实施例。为了避免遮蔽本公开的构思，没有描述本领域所公知的一些细节。本领域技术人员根据上面的描述，完全可以明白如何实施这里公开的技术方案。
虽然已经通过示例对本公开的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本公开的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本公开的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改或者对部分技术特征进行等同替换。尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。
Claims (10)
1.一种AR和AF膜层结构，其特征在于，包括：
AR膜层（1），所述AR膜层（1）包括至少两个氧化硅层（11）及至少两个氧化铌层（12），所述氧化硅层（11）与所述氧化铌层（12）间隔设置，所述氧化硅层（11）包括层叠设置的第一硅分层（111）和第二硅分层（112），所述氧化铌层（12）包括层叠设置的第一铌分层（121）和第二铌分层（122）；
AF膜层（2），所述AF膜层（2）设置在所述AR膜层（1）上方；
其中，所述AR膜层（1）靠近所述AF膜层（2）的一侧为所述氧化硅层（11），所述AF膜层（2）连接所述氧化硅层（11）的所述第二硅分层（112）。
2.根据权利要求1所述的AR和AF膜层结构，其特征在于，
所述第一硅分层（111）的厚度大于所述第二硅分层（112）的厚度；
所述第一铌分层（121）的厚度大于所述第二铌分层（122）的厚度。
3.根据权利要求2所述的AR和AF膜层结构，其特征在于，
所述第二硅分层（112）的厚度为5~10nm；
所述第二铌分层（122）的厚度为5~10nm。
4.根据权利要求1所述的AR和AF膜层结构，其特征在于，
所述氧化硅层（11）的数量为两个，分别为第一氧化硅层（114）和第二氧化硅层（115）；
所述氧化铌层（12）的数量为两个，分别为第一氧化铌层（124）和第二氧化铌层（125）；
所述第一氧化铌层（124）位于最底层，所述第一氧化硅层（114）设置在所述第一氧化铌层（124）上方，所述第二氧化铌层（125）设置在所述第一氧化硅层（114）上方，所述第二氧化硅层（115）设置在所述第二氧化铌层（125）上方，所述AF膜层（2）设置在所述第二氧化硅层（115）上方。
5.根据权利要求4所述的AR和AF膜层结构，其特征在于，
所述第二氧化硅层（115）的厚度大于所述第一氧化硅层（114）的厚度；
所述第二氧化铌层（125）的厚度大于所述第一氧化铌层（124）的厚度；
所述第一氧化硅层（114）中所述第一硅分层（111）的厚度占比为80%~90%，第一氧化硅层（114）中所述第二硅分层（112）的厚度占比为10%~20%；
所述第二氧化硅层（115）中所述第一硅分层（111）的厚度占比为92%~96%，第二氧化硅层（115）中所述第二硅分层（112）的厚度占比为4%~8%；
所述第一氧化铌层（124）中所述第一铌分层（121）的厚度占比为55%~65%，第一氧化铌层（124）中所述第二铌分层（122）的厚度占比为35%~45%；
所述第二氧化铌层（125）中所述第一铌分层（121）的厚度占比为94%~98%，第二氧化铌层（125）中所述第二铌分层（122）的厚度占比为2%~6%。
6.根据权利要求5所述的AR和AF膜层结构，其特征在于，
所述第一氧化硅层（114）中所述第一硅分层（111）的厚度占比为85%，第一氧化硅层（114）中所述第二硅分层（112）的厚度占比为15%；
所述第二氧化硅层（115）中所述第一硅分层（111）的厚度占比为95%，第二氧化硅层（115）中所述第二硅分层（112）的厚度占比为5%；
所述第一氧化铌层（124）中所述第一铌分层（121）的厚度占比为60%，第一氧化铌层（124）中所述第二铌分层（122）的厚度占比为40%；
所述第二氧化铌层（125）中所述第一铌分层（121）的厚度占比为96%，第二氧化铌层（125）中所述第二铌分层（122）的厚度占比为4%。
7.根据权利要求1所述的AR和AF膜层结构，其特征在于，
所述AR膜层（1）的任意氧化硅层（11）还包括第三硅分层（113），所述第一硅分层（111）、所述第三硅分层（113）与所述第二硅分层（112）依次层叠设置；
所述AR膜层（1）的任意氧化铌层（12）还包括第三铌分层（123），所述第一铌分层（121）、所述第三铌分层（123）与所述第二铌分层（122）依次层叠设置；
其中所述氧化硅层（11）中所述第一硅分层（111）、所述第三硅分层（113）与所述第二硅分层（112）的厚度依次递减，所述氧化铌层（12）中所述第一铌分层（121）、所述第三铌分层（123）和所述第二铌分层（122）的厚度依次递减。
8.根据权利要求1所述的AR和AF膜层结构，其特征在于，
所述氧化硅层（11）的数量为三个，分别为第一氧化硅层（114）、第二氧化硅层（115）和第三氧化硅层（116）；
所述氧化铌层（12）的数量为两个，分别为第一氧化铌层（124）和第二氧化铌层（125）；
所述第一氧化硅层（114）位于最底层，所述第一氧化铌层（124）设置在所述第一氧化硅层（114）上方，所述第二氧化硅层（115）设置在所述第一氧化铌层（124）上方，所述第二氧化铌层（125）设置在所述第二氧化硅层（115）上方，所述第三氧化硅层（116）设置在所述第二氧化铌层（125）上方，所述AF膜层（2）设置在所述第三氧化硅层（116）上方。
9.根据权利要求1所述的AR和AF膜层结构，其特征在于，
所述氧化硅层（11）使用二氧化硅，所述氧化铌层（12）使用五氧化二铌。
10.一种AR和AF镀膜玻璃产品，其特征在于，包括：
玻璃基板（3）；
如权利要求1-9任一项所述的AR和AF膜层结构；
其中，所述AR和AF膜层结构设置在所述玻璃基板（3）上，所述AR和AF膜层结构的AR膜层（1）与所述玻璃基板（3）的上表面连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202410525499.1A CN118084349B (zh) | 2024-04-29 | 2024-04-29 | Ar和af膜层结构及ar和af镀膜玻璃产品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202410525499.1A CN118084349B (zh) | 2024-04-29 | 2024-04-29 | Ar和af膜层结构及ar和af镀膜玻璃产品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN118084349A CN118084349A (zh) | 2024-05-28 |
| CN118084349B true CN118084349B (zh) | 2024-07-23 |
Family
ID=91157831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202410525499.1A Active CN118084349B (zh) | 2024-04-29 | 2024-04-29 | Ar和af膜层结构及ar和af镀膜玻璃产品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN118084349B (zh) |
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|---|---|---|---|---|
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| CN118084349A (zh) | 2024-05-28 |
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