CN117896908B - 超密线路封装基板及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提出了一种超密线路封装基板及其制作方法，该方法包括：对基板进行预处理；对预处理后的基板进行线路压膜处理，在基板的表面覆盖干膜；对线路压膜处理后的基板进行中间处理；通过退膜药水、高压装置和超声波装置对中间处理后的基板上的干膜进行剥膜处理；对剥膜后的基板进行烘烤；依次对烘烤后的基板进行微蚀处理和真空闪蚀处理，在基板上生成预设线宽和线间距的线路；对微蚀处理和真空闪蚀处理后的基板进行后处理。在使用mSAP工艺技术制作超密线路封装基板时，提高超密线路封装基板的生产良率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体封装技术领域，特别涉及一种超密线路封装基板及其制作方法。
背景技术
IC封装载板朝着高集成化、低耗能化和高频化趋势发展，即高密度布线、高速化和高频化、高导通性、高绝缘可靠性、低成本。做超密线路制程包括以下方法：Tenting制程为减成法，因受到铜厚、铜厚均匀性、蚀刻均匀性因素影响，线宽间距降低极限生产相比良率也在急剧下降；而SAP制程为半加成法，制程成本较高，受材料影响较大，一般需搭配ABF材料或NBF材料，工艺复杂；而mSAP制程为改良型半加成法，针对SAP工艺成本较高，采用较便宜的超薄铜皮式模拟SAP法，通过mSAP工艺技术，可以生产尺寸和复杂性堪比半导体行业产品的印制电路板和半导体封装载板。这种技术不按通常方式在印制电路板或半导体封装载板的铜层上蚀刻出用于传导信号的导电路径。相反，它只在印制电路板上真正需要的地方使用导电材料。与传统方法不同的是，这样可以使信号线布线更为紧密，导电路径之间的距离更短。但是，mSAP制程去膜容易不干净，导致超密线路封装基板生产良率较低。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种超密线路封装基板及其制作方法，能够在使用mSAP工艺技术制作超密线路封装基板时，提高超密线路封装基板的生产良率。
第一方面，本发明实施例提供了一种超密线路封装基板制作方法，包括：
对基板进行预处理；
对预处理后的所述基板进行线路压膜处理，在所述基板的表面覆盖干膜；
对线路压膜处理后的所述基板进行中间处理；
通过退膜药水、高压装置和超声波装置对中间处理后的所述基板上的干膜进行剥膜处理；
对剥膜后的所述基板进行烘烤；
依次对烘烤后的所述基板进行微蚀处理和真空闪蚀处理，在所述基板上生成预设线宽和线间距的线路；
对微蚀处理和真空闪蚀处理后的所述基板进行后处理。
在本发明的一些实施例中，所述对基板进行预处理，包括：
对所述基板进行PTH水平沉铜处理，在所述基板的通孔内部形成一层铜；
对进行PTH水平沉铜处理后的所述基板进行mSAP前处理。
在本发明的一些实施例中，所述对线路压膜处理后的所述基板进行中间处理，包括：
对线路压膜处理后的所述基板进行烘烤；
对烘烤后的所述基板进行曝光和显影，在所述基板上形成线路图案；
对曝光和显影后的所述基板进行镀铜。
在本发明的一些实施例中，对线路压膜处理后的所述基板进行烘烤的烘烤温度为60℃-70℃，烘烤时间为30-60秒。
在本发明的一些实施例中，所述通过退膜药水、高压装置和超声波装置对中间处理后的所述基板上的干膜进行剥膜处理，包括：
通过所述退膜药水对镀铜后的所述基板上的干膜进行膨松分解和去除；
通过所述高压装置对退膜药水处理后的所述基板上的干膜进行去除处理；
通过所述超声波装置对所述高压装置处理后的所述基板上的干膜进行去除处理；
通过所述退膜药水和所述高压装置依次对所述超声波装置处理后的所述基板上的干膜进行去除处理；
对干膜去除后的所述基板进行清洁处理。
在本发明的一些实施例中，所述对干膜去除后的所述基板进行清洁处理，包括：
对所述退膜药水和所述高压装置处理后的所述基板进行溢流水洗，清洁所述基板，得到溢流水洗后的所述基板；
通过抗氧化剂对溢流水洗后所述基板进行抗氧化处理，得到抗氧化后的所述基板；
通过热风对抗氧化后的所述基板进行吹干烘干处理，得到干燥的所述基板。
在本发明的一些实施例中，微蚀处理的蚀刻量为0.7±0.1，真空闪蚀处理的蚀刻量为2+/-0.2。
在本发明的一些实施例中，所述依次对烘烤后的所述基板进行微蚀处理和真空闪蚀处理，在所述基板上生成预设线宽和线间距的线路，包括：
对烘烤后的所述基板进行微蚀处理，得到微蚀处理后的所述基板；
对微蚀处理后的所述基板进行溢流水洗，清洁所述基板的表面；
通过酸性溶液对二级溢流水洗后的所述基板进行酸洗，清洗所述基板上的氧化物和污垢；
对酸洗后的所述基板进行溢流水洗，清洁所述基板上的所述酸性溶液；
将溢流水洗后的所述基板送入隔离段；
通过喷盘结构对所述基板进行两次真空闪蚀；
将真空闪蚀后的所述基板送入隔离段；
对所述基板进行溢流水洗，清洁所述基板的表面；
通过抗氧化剂对溢流水洗后所述基板进行抗氧化处理，得到抗氧化后的所述基板；
将抗氧化后的所述基板送入隔离段；
对所述基板进行溢流水洗，清洁所述基板的表面，得到水洗后的所述基板；
将水洗后的所述基板送入隔离段；
对所述基板进行烘干处理，得到干燥的所述基板。
在本发明的一些实施例中，所述对微蚀处理和真空闪蚀处理后的所述基板进行后处理，包括：
对微蚀处理和真空闪蚀处理后的所述基板进行AOI检查，检测所述基板的缺陷；
对AOI检查后的所述基板进行防焊处理。
第二方面，本发明实施例提供了一种超密线路封装基板，通过上述方面实施例所述的基于超密线路封装基板制作方法制备而成。
根据本发明实施例的超密线路封装基板制作方法，至少具有如下有益效果：对基板进行预处理；对预处理后的所述基板进行线路压膜处理，在所述基板的表面覆盖干膜；对线路压膜处理后的所述基板进行中间处理；通过退膜药水、高压装置和超声波装置对中间处理后的所述基板上的干膜进行剥膜处理；对剥膜后的所述基板进行烘烤；依次对烘烤后的所述基板进行微蚀处理和真空闪蚀处理，在所述基板上生成预设线宽和线间距的线路；对微蚀处理和真空闪蚀处理后的所述基板进行后处理。通过退膜药水、高压装置和超声波装置将基板上，特别是细线路间距位置中的干膜去除干净，解决mSAP制程去膜不净问题。在真空闪蚀前增加微蚀作业，满足mSAP超密线路的制程能力，从而在使用mSAP工艺技术制作超密线路封装基板时，提高超密线路封装基板的生产良率。
附图说明
图1是本发明一个实施例提供的超密线路封装基板制作方法的流程图；
图2是本发明一个实施例提供的对基板进行预处理的方法流程图；
图3是本发明一个实施例提供的对线路压膜处理后的基板进行中间处理的方法流程图；
图4是本发明一个实施例提供的通过退膜药水、高压装置和超声波装置对中间处理后的基板上的干膜进行剥膜处理的方法流程图；
图5是本发明一个实施例提供的对干膜去除后的基板进行清洁处理的方法流程图；
图6是本发明一个实施例提供的依次对烘烤后的基板进行微蚀处理和真空闪蚀处理的方法流程图；
图7是本发明一个实施例提供的对微蚀处理和真空闪蚀处理后的基板进行后处理的方法流程图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
本发明的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本发明中的具体含义。
IC封装载板朝着高集成化、低耗能化和高频化趋势发展，即高密度布线、高速化和高频化、高导通性、高绝缘可靠性、低成本。做超密线路制程，常用的方法是Tenting制程、SAP制程和mSAP制程，其中，（1）Tenting制程为减成法，即生产流程是一种选择性去除覆铜板表面铜箔的一部分以获得导电图案的方法。减成法是当今印刷电路制造的主要工艺，其最大的优点是工艺成熟、稳定、可靠。减成法首先进行全板电镀铜，在经图形转移蚀刻掉多余的铜形成线路，但是，此工艺目前线路加工能力极限在Pitch60的线宽间距，因受到铜厚、铜厚均匀性、蚀刻均匀性因素影响，线宽间距降低极限生产相比良率也在急剧下降。（2）而SAP制程为半加成法，SAP工艺从一层薄化学镀铜涂层（小于1.5mm）开始，即在绝缘基材表面上，用化学沉积金属（涂覆非常薄的铜层），然后电镀没有盖膜抗蚀剂的区域，随后再蚀刻去除导体间还残留的薄铜形成导电图形的加成法工艺，这种方法可以蚀刻出导体侧壁垂直的走线，精度非常高，走线顶底幅线宽几乎呈矩形，最大程度地提高了电路密度，实现了精确的阻抗控制，降低了信号损耗。使用传统的减成法蚀刻工艺时，受控阻抗的容差通常规定为±10%，这是因为材料和工艺都存在偏差。而使用SAP制程，可以更精确地控制走线宽度容差，受控阻抗也可以遵循更加严格的规定容差。当线宽间距小于25时会采用SAP法，但是SAP制程成本较高，此工艺受材料影响较大，一般需搭配ABF材料或NBF材料，工艺复杂。（3）而mSAP制程为改良型半加成法，针对SAP工艺成本较高，采用较便宜的超薄铜皮式模拟SAP法，mSAP工艺线宽间距无SAP精细，通过mSAP工艺技术，可以生产尺寸和复杂性堪比半导体行业产品的印制电路板和半导体封装载板。这种技术不按通常方式在印制电路板或半导体封装载板的铜层上蚀刻出用于传导信号的导电路径。相反，它只在印制电路板上真正需要的地方使用导电材料。与传统方法不同的是，这样可以使信号线布线更为紧密，导电路径之间的距离更短。可以看出，通过采用mSAP技术，解决在印制电路板的化学蚀刻导电路径上可以放置的体积越来越小的结构的数量限制问题。使用mSAP技术时，只在会有电流经过的地方使用铜材料。更重要的是，它的精度非常高，这样导电路径之间可以排列得更紧凑。mSAP使微电子领域的微型化水平又上了一个新台阶。也为了解决目前载板上精细线路加工效率与加工精度低、加工成本高的问题，mSAP印制电路板结构紧凑，信号路径短，处理高频信号时几乎没有损失，降低了密集封装电路板的短路风险。mSAP技术可以让导电路径布局更密集，从而节省空间。这为IC封装基板和设备的微型化开辟了道路。但是，在mSAP工艺流程中，要满足mSAP超密线路15/15的制程能力是非常具有挑战性的事情，另外，mSAP制程很容易出现去膜不净问题，这些问题都会影响超密线路封装基板的生产良率。因此，急需一种超密线路封装基板制作方法，能够在使用mSAP工艺技术制作超密线路封装基板时，提高超密线路封装基板的生产良率。
为解决上述问题，本申请实施例提供了一种超密线路封装基板制作方法，包括：对基板进行预处理；对预处理后的所述基板进行线路压膜处理，在所述基板的表面覆盖干膜；对线路压膜处理后的所述基板进行中间处理；通过退膜药水、高压装置和超声波装置对中间处理后的所述基板上的干膜进行剥膜处理；对剥膜后的所述基板进行烘烤；依次对烘烤后的所述基板进行微蚀处理和真空闪蚀处理，在所述基板上生成预设线宽和线间距的线路；对微蚀处理和真空闪蚀处理后的所述基板进行后处理。通过退膜药水、高压装置和超声波装置将基板上，特别是细线路间距位置中的干膜去除干净，解决mSAP制程去膜不净问题。在真空闪蚀前增加微蚀作业，满足mSAP超密线路的制程能力，从而在使用mSAP工艺技术制作超密线路封装基板时，提高超密线路封装基板的生产良率。
下面基于附图，对本发明实施例的控制方法作进一步阐述。
参照图1，图1为本发明实施例提供的一种超密线路封装基板制作方法的流程图，该超密线路封装基板制作方法包括但不限于有以下步骤：
步骤S110，对基板进行预处理；
步骤S120，对预处理后的基板进行线路压膜处理，在基板的表面覆盖干膜；
步骤S130，对线路压膜处理后的基板进行中间处理；
步骤S140，通过退膜药水、高压装置和超声波装置对中间处理后的基板上的干膜进行剥膜处理；
步骤S150，对剥膜后的基板进行烘烤；
步骤S160，依次对烘烤后的基板进行微蚀处理和真空闪蚀处理，在基板上生成预设线宽和线间距的线路；
步骤S170，对微蚀处理和真空闪蚀处理后的基板进行后处理。
需要说明的是，在基板表面覆盖一层线路压膜，在完成压膜之后需要经过一系列中间处理将线路图案保留在基板上，之后需要利用退膜药水、高压装置和超声波装置对基板细线路间距位置的干膜进行剥膜处理，解决mSAP制程去膜不净问题。之后对剥膜之后的基板进行烘烤，去除在退膜过程中产生的水分。之后在快速蚀刻（真空闪蚀）前增加微蚀作业，从而减少真空蚀刻量，更进一步地，微蚀蚀刻量按0.7±0.1，再通过调整真空闪蚀蚀刻参数及药水浓度，控制真空闪蚀蚀刻量在2+/-0.2，从而满足mSAP超密线路15/15的制程能力。使得最终生产出来的基板能够满足超密线路封装基板的超密线路规格，同时还能保障在基板制作过程中退膜的干净程度，从而提高超密线路基板的生产良率。
在另一实施例中，参考图2，对基板进行预处理这一步骤中，包括但不限于以下步骤：
步骤S210，对基板进行PTH水平沉铜处理，在基板的通孔内部形成一层铜；
步骤S220，对进行PTH水平沉铜处理后的基板进行mSAP前处理。
需要说明的是，采用mSAP工艺制作超密线路封装基板，并优化mSAP工艺制程，首先，需要对基板进行预处理，预处理的具体操作流程为：前制程作业完成后（铜箔厚度Boz(18+2)/或采用B/Boz材料)，对基板进行PTH水平沉铜，之后进行mSAP前处理，之后对基板进行线路压膜。前制程作业完成后（铜箔厚度Boz(18+2)/或采用B/Boz材料)：这一步是在进行mSAP工艺之前的前期准备工作。铜箔厚度和材料选择会影响后续步骤的加工和性能。之后进行PTH水平沉铜：这一步骤是在贯穿孔（PTH）内部形成一层铜，用于连接不同层次的电路，之后对基板进行mSAP前处理。
在另一实施例中，参考图3，对线路压膜处理后的基板进行中间处理这一步骤中，包括但不限于以下步骤：
步骤S310，对线路压膜处理后的基板进行烘烤；
步骤S320，对烘烤后的基板进行曝光和显影，在基板上形成线路图案；
步骤S330，对曝光和显影后的基板进行镀铜。
需要说明的是，在对基板进行线路压膜之后，首先对基板进行烘烤，烘烤温度为60℃-70℃，烘烤时间为30-60秒，提升压膜后干膜与铜面的结合力。之后依次对基板进行线路曝光、线路显影、镀铜/填孔，用于将所需要的线路图案保留到基板上，并使得线路之间具有导电性能。更进一步地，线路曝光流程中，采用LDI曝光使用激光束将曝光图形直接扫描成像在感光干膜上，利用计算机生成数字图形并输出到数字微镜，照射到数字微镜的光线被反射后进入光学投影系统，投影到基板表面相对应的成像位置进行曝光成像，高精度对位，对位精度达12，线路做正片菲林，另外，使用25的专用mSAP抗电镀干膜压膜，将需要做线路图形的位置不曝光显影，需蚀刻线路间距的区域曝光用干膜盖住不显影,线路显影段选用摇摆机构，提高喷淋的均匀性。
在另一实施例中，参考图4，通过退膜药水、高压装置和超声波装置对中间处理后的基板上的干膜进行剥膜处理这一步骤中，包括但不限于以下步骤：
步骤S410，通过退膜药水对镀铜后的基板上的干膜进行膨松分解和去除；
步骤S420，通过高压装置对退膜药水处理后的基板上的干膜进行去除处理；
步骤S430，通过超声波装置对高压装置处理后的基板上的干膜进行去除处理；
步骤S440，通过退膜药水和高压装置依次对超声波装置处理后的基板上的干膜进行去除处理；
步骤S450，对干膜去除后的基板进行清洁处理。
需要说明的是，剥膜流程中，先通过退膜药水先将干膜膨松分解去除，再采用高压退膜2次和超声波退膜，先利用药水和高压将细线路间距位置的干膜去除，利用超声波退膜去除干膜，再利用药水和高压将细线路间距位置的干膜彻底去除。能够理解的是，通过高压装置进行高压退膜，通过超声波装置进行超声波退膜，高压装置和超声波装置的具体产品和型号在此不做限定。
在另一实施例中，参考图5，对干膜去除后的基板进行清洁处理这一步骤，包括但不限于以下步骤：
步骤S510，对退膜药水和高压装置处理后的基板进行溢流水洗，清洁基板，得到溢流水洗后的基板；
步骤S520，通过抗氧化剂对溢流水洗后基板进行抗氧化处理，得到抗氧化后的基板；
步骤S530，通过热风对抗氧化后的基板进行吹干烘干处理，得到干燥的基板。
需要说明的是，完成退膜处理之后，基板上可能存在残留的退膜药水等物质，因此，需要通过溢流水洗去除残留药水，溢流水是指以较大流量通过物品表面，将残留物冲刷掉，以确保表面清洁。之后通过抗氧化微蚀铜面，防止氧化，保持良好的导电性能。之后使用热风将处理过的基板表面上的残留水分吹干。热风可以加速水分的蒸发，从而迅速去除残留的水分。这样可以确保基板表面干燥，以便后续的处理或使用，同时还能避免对后续处理的影响。
在另一实施例中，参考图6，依次对烘烤后的基板进行微蚀处理和真空闪蚀处理，在基板上生成预设线宽和线间距的线路这一步骤中，包括但不限于以下步骤：
步骤S610，对烘烤后的基板进行微蚀处理，得到微蚀处理后的基板；
步骤S620，对微蚀处理后的基板进行溢流水洗，清洁基板的表面；
步骤S630，通过酸性溶液对二级溢流水洗后的基板进行酸洗，清洗基板上的氧化物和污垢；
步骤S640，对酸洗后的基板进行溢流水洗，清洁基板上的酸性溶液；
步骤S650，将溢流水洗后的基板送入隔离段；
步骤S660，通过喷盘结构对基板进行两次真空闪蚀；
步骤S670，将真空闪蚀后的基板送入隔离段；
步骤S680，对基板进行溢流水洗，清洁基板的表面；
步骤S690，通过抗氧化剂对溢流水洗后基板进行抗氧化处理，得到抗氧化后的基板；
步骤S6100，将抗氧化后的基板送入隔离段；
步骤S6110，对基板进行溢流水洗，清洁基板的表面，得到水洗后的基板；
步骤S6120，将水洗后的基板送入隔离段；
步骤S6130，对基板进行烘干处理，得到干燥的基板。
需要说明的是，快速蚀刻采用真空闪蚀线，采用多级溢流水洗设计，从而节约用水减少废液排放。蚀刻连接法兰改为外置伸缩法兰设计，从而避免蚀刻药水泄漏问题，大大提高蚀刻因子，提升薄板和精细线路能力，使得真空闪蚀蚀刻因子可以达到6以上。真空闪蚀线采用镂空的轮片，确保闪蚀蚀刻槽药液交换通畅，减轻滚轮重量，闪蚀线进出段采用自由滚轮，可防止划伤板面。蚀刻段采用喷盘结构，两边有导轨，方便拆卸与保养。更进一步地，快速蚀刻依次经过入板、二级溢流水洗、酸洗、四级溢流水洗、隔离段、真空闪蚀1、真空闪蚀2、隔离段、四级溢流水洗、抗氧化、隔离段、四级溢流水洗、新水洗、隔离段、烘干组合、出板。酸洗清洗板面氧化脏污，真空闪蚀，通过真空蚀刻段采用喷盘结构，采用真空二流体闪蚀原理，调节真空泵压力，真空闪蚀1和真空闪蚀2喷雾泵的压力，喷管为喷嘴前后错开排列，喷嘴与走板方向为90度且喷嘴喷洒为扇形，上下喷管放入卡槽并最准槽内，调整喷流流量，通过蚀刻药水快速咬蚀掉产品比表面的铜厚，通过调整药水浓度使微蚀量达到3以上。
在另一实施例中，参考图7，对微蚀处理和真空闪蚀处理后的基板进行后处理这一步骤中，包括但不限于以下步骤：
步骤S710，对微蚀处理和真空闪蚀处理后的基板进行AOI检查，检测基板的缺陷；
步骤S720，对AOI检查后的基板进行防焊处理。
需要说明的是，完成微蚀处理和真空闪蚀处理之后，需要对基板进行AOI检查，AOI是自动光学检查（Automated Optical Inspection）的缩写，是一种使用光学设备和图像处理技术对基板进行自动检查的方法，通过对基板进行AOI检查，对基板上的电路连接等进行检查，确定其是否符合设计要求。同时，还能通过使用高分辨率的相机和图像处理算法，快速、准确检测出潜在的缺陷或错误等。对AOI检查后的基板进行防焊处理，防焊是为了保护基板上不需要焊接的区域，避免焊接材料误涂到这些区域当中，进而造成短路或其他电路问题的发生。防焊处理可以采用多种方法，在此不做具体限定。对微蚀处理和真空闪蚀处理后的基板进行AOI检查和防焊处理，可以确保生产出来的基板的质量。
另一方面，本发明还提出了一种超密线路封装基板，该基板通过上述的超密线路封装基板及其制作方法制作而成。
尽管本文描述了具体实施方案，但是本领域中的普通技术人员将认识到，许多其它修改或另选的实施方案同样处于本公开的范围内。例如，结合特定设备或组件描述的功能和/或处理能力中的任一项可以由任何其它设备或部件来执行。另外，虽然已根据本公开的实施方案描述了各种示例性具体实施和架构，但是本领域中的普通技术人员将认识到，对本文所述的示例性具体实施和架构的许多其它修改也处于本公开的范围内。
上文参考根据示例性实施方案所述的系统、方法、系统和/或计算机程序产品的框图和流程图描述了本公开的某些方面。应当理解，框图和流程图中的一个或多个块以及框图和流程图中的块的组合可分别通过执行计算机可执行程序指令来实现。同样，根据一些实施方案，框图和流程图中的一些块可能无需按示出的顺序执行，或者可以无需全部执行。另外，超出框图和流程图中的块所示的那些部件和/或操作以外的附加部件和/或操作可存在于某些实施方案中。
因此，框图和流程图中的块支持用于执行指定功能的装置的组合、用于执行指定功能的元件或步骤的组合以及用于执行指定功能的程序指令装置。还应当理解，框图和流程图中的每个块以及框图和流程图中的块的组合可以由执行特定功能、元件或步骤的专用硬件计算机系统或者专用硬件和计算机指令的组合来实现。
本文所述的程序模块、应用程序等可包括一个或多个软件组件，包括例如软件对象、方法、数据结构等。每个此类软件组件可包括计算机可执行指令，所述计算机可执行指令响应于执行而使本文所述的功能的至少一部分（例如，本文所述的例示性方法的一种或多种操作）被执行。
软件组件可以用各种编程语言中的任一种来编码。一种例示性编程语言可以为低级编程语言，诸如与特定硬件体系结构和/或操作系统平台相关联的汇编语言。包括汇编语言指令的软件组件可能需要在由硬件架构和/或平台执行之前由汇编程序转换为可执行的机器代码。另一种示例性编程语言可以为更高级的编程语言，其可以跨多种架构移植。包括更高级编程语言的软件组件在执行之前可能需要由解释器或编译器转换为中间表示。编程语言的其它示例包括但不限于宏语言、外壳或命令语言、作业控制语言、脚本语言、数据库查询或搜索语言、或报告编写语言。在一个或多个示例性实施方案中，包含上述编程语言示例中的一者的指令的软件组件可直接由操作系统或其它软件组件执行，而无需首先转换成另一种形式。
软件组件可存储为文件或其它数据存储构造。具有相似类型或相关功能的软件组件可一起存储在诸如特定的目录、文件夹或库中。软件组件可为静态的（例 如，预设的或固定的）或动态的（例如，在执行时创建或修改的）。
上面结合附图对本发明实施例作了详细说明，但是本发明不限于上述实施例，在所属技术领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下作出各种变化。
Claims (7)
1.一种超密线路封装基板制作方法，其特征在于，包括：
对基板进行预处理；
对预处理后的所述基板进行线路压膜处理，在所述基板的表面覆盖干膜；
对线路压膜处理后的所述基板进行中间处理；
通过退膜药水、高压装置和超声波装置对中间处理后的所述基板上的干膜进行剥膜处理；
对剥膜后的所述基板进行烘烤；
依次对烘烤后的所述基板进行微蚀处理和真空闪蚀处理，在所述基板上生成预设线宽和线间距的线路，其中，所述微蚀处理用于减少真空闪蚀的蚀刻量；
对微蚀处理和真空闪蚀处理后的所述基板进行后处理；
其中，所述通过退膜药水、高压装置和超声波装置对中间处理后的所述基板上的干膜进行剥膜处理这一步骤，包括：
通过所述退膜药水对镀铜后的所述基板上的干膜进行膨松分解和去除；
通过所述高压装置对退膜药水处理后的所述基板上的干膜进行去除处理；
通过所述超声波装置对所述高压装置处理后的所述基板上的干膜进行去除处理；
通过所述退膜药水和所述高压装置依次对所述超声波装置处理后的所述基板上的干膜进行去除处理；
对干膜去除后的所述基板进行清洁处理；
其中，所述依次对烘烤后的所述基板进行微蚀处理和真空闪蚀处理，在所述基板上生成预设线宽和线间距的线路这一步骤中，还包括：
对烘烤后的所述基板进行微蚀处理，得到微蚀处理后的所述基板；
对微蚀处理后的所述基板进行溢流水洗，清洁所述基板的表面；
通过酸性溶液对二级溢流水洗后的所述基板进行酸洗，清洗所述基板上的氧化物和污垢；
对酸洗后的所述基板进行溢流水洗，清洁所述基板上的所述酸性溶液；
将溢流水洗后的所述基板送入隔离段；
通过喷盘结构对所述基板进行两次真空闪蚀；
将真空闪蚀后的所述基板送入隔离段；
对所述基板进行溢流水洗，清洁所述基板的表面；
通过抗氧化剂对溢流水洗后所述基板进行抗氧化处理，得到抗氧化后的所述基板；
将抗氧化后的所述基板送入隔离段；
对所述基板进行溢流水洗，清洁所述基板的表面，得到水洗后的所述基板；
将水洗后的所述基板送入隔离段；
对所述基板进行烘干处理，得到干燥的所述基板。
2.根据权利要求1所述的超密线路封装基板制作方法，其特征在于，所述对基板进行预处理，包括：
对所述基板进行PTH水平沉铜处理，在所述基板的通孔内部形成一层铜；
对进行PTH水平沉铜处理后的所述基板进行mSAP前处理。
3.根据权利要求1所述的超密线路封装基板制作方法，其特征在于，所述对线路压膜处理后的所述基板进行中间处理，包括：
对线路压膜处理后的所述基板进行烘烤；
对烘烤后的所述基板进行曝光和显影，在所述基板上形成线路图案；
对曝光和显影后的所述基板进行镀铜。
4.根据权利要求3所述的超密线路封装基板制作方法，其特征在于，对线路压膜处理后的所述基板进行烘烤的烘烤温度为60℃-70℃，烘烤时间为30-60秒。
5.根据权利要求1所述的超密线路封装基板制作方法，其特征在于，所述对干膜去除后的所述基板进行清洁处理，包括：
对所述退膜药水和所述高压装置处理后的所述基板进行溢流水洗，清洁所述基板，得到溢流水洗后的所述基板；
通过抗氧化剂对溢流水洗后所述基板进行抗氧化处理，得到抗氧化后的所述基板；
通过热风对抗氧化后的所述基板进行吹干烘干处理，得到干燥的所述基板。
6.根据权利要求1所述的超密线路封装基板制作方法，其特征在于，微蚀处理的蚀刻量为0.7±0.1，真空闪蚀处理的蚀刻量为2+/-0.2。
7.根据权利要求1所述的超密线路封装基板制作方法，其特征在于，所述对微蚀处理和真空闪蚀处理后的所述基板进行后处理，包括：
对微蚀处理和真空闪蚀处理后的所述基板进行AOI检查，检测所述基板的缺陷；
对AOI检查后的所述基板进行防焊处理。
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