CN104582332B - 一种精细线路封装基板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

一种精细线路封装基板的制备方法，所述方法包括：将线路制作后的线路板，进行第一次胶渣去除处理并沉铜；对所述沉铜的线路板，进行贴干膜、曝光和显影处理；进行显影处理后，将所述线路板电镀铜；将所述电镀铜线路板第一次退膜后，进行第二次胶渣去除处理，再第二次退膜；将所述第二次退膜后的线路板，烘板、闪蚀形成线路。在本发明实施例中，通过在MSAP流程增加Desmear及退膜流程，能够完成制作L/S(线宽/线距)＝20/20um甚至L/S(线宽/线距)＝18/18um的精细线路，避免SAP流程中所涉及的特殊沉铜线药水、光成像的退膜药水及蚀刻药水以及特殊的板材所带来的成本，进而大大降低投资和生产成本。

Description

一种精细线路封装基板及其制备方法
技术领域
本发明涉及印制线路板技术领域，特别是涉及一种精细线路封装基板及其制备方法。
背景技术
随着芯片封装产业的不断发展及智能化设备功能逐渐强大，其体积逐渐变小的影响，对于芯片中的封装基板的尺寸及排线密集度也有了更高的要求。根据行业内对于基板中线路的要求，由普通的设计的35/35um演变为一般的25/25um以及正在使用的18/18um等的精细线路。
目前，普通的MSAP(Modified Semi-Additive Process，改良后的半加成法)流程能制作密集度为25/25um的线路，但对于更精细的线路在制作过程中存在一定的难度，针对超精细的线路行业内通用的流程为SAP(Semi-Additive Process，加成法)流程，SAP流程的主要特点是利用化学铜作为底铜，用作SAP的基材材料主要有两种：ABF(ajinomoto build-up film，专用的干膜型材料)和PCF(primer coated copper foil，涂层为铜的树脂材料)。现在SAP材料用的较为广泛的以ABF居多，其极限能力可达L/S(线宽/线距)＝8/8um，但是采用该方法需要配备不同的沉铜药水、光成像退膜药水、蚀刻药水及特殊板材，对生产成本要求较高。
发明内容
基于此，有必要针对SAP流程中需要配备不同的沉铜药水、光成像退膜药水、蚀刻药水及特殊板材，使生产成本增加，而提供一种精细线路封装基板及其制备方法。
本发明实施例是这样实现的，一种精细线路封装基板的制备方法，所述方法包括：
将线路制作后的线路板，进行第一次胶渣去除处理并沉铜；
对所述沉铜的线路板，进行贴干膜、曝光和显影处理；
进行显影处理后，将所述线路板电镀铜；
将所述电镀铜线路板第一次退膜后，进行第二次胶渣去除处理，再第二次退膜；
将所述第二次退膜后的线路板，烘板、闪蚀形成线路。
在其中一个实施例中，所述第二次胶渣去除使用的药水成分包含：
160～200mL/L的Sweller E，40～55g/L的MnO4 -，0～20g/L的MnO4 2-，30～45g/L的NaOH，60～80g/L的H2SO4，10～20ml/l的H2O2和0～20g/L Cu2+。
在其中一个实施例中，所述第二次退膜的参数具体为：
剥膜剂v/v8.0％～12.0％(浓度)，剥膜促进剂v/v0.6％～1.0％(浓度)，温度在48℃～52℃之间，喷压在0.14MPa～0.16MPa之间，H2SO4v/v 3～7％(浓度)。
在其中一个实施例中，所述贴干膜具体为：
所述贴附干膜在真空环境下进行，且所述干膜的厚度为25μm。
在其中一个实施例中，所述真空环境的具体参数为：
真空压膜温度为60-90℃，抽真空时间为30～50s，压力为0.4～0.6MPa，加压时间为20～50s。
本发明的另一目的是提供上述制备方法制备得到的精细线路封装基板
上述无引线镀金板退膜方法具有以下有益效果：
通过在MSAP流程增加Desmear及退膜流程，能够完成制作L/S(线宽/线距)＝20/20um甚至L/S(线宽/线距)＝18/18um的精细线路，避免SAP流程中所涉及的特殊沉铜线药水、光成像的退膜药水及蚀刻药水以及特殊的板材所带来的成本，进而大大降低投资和生产成本。
附图说明
图1为本发明实施例提供的精细线路封装基板的制备方法的实现流程图；
图2为本发明实施例提供的精细线路封装基板第一次胶渣去除和沉铜的状态图；
图3为本发明实施例提供的精细线路封装基板贴膜曝光显影的状态图；
图4为本发明实施例提供的精细线路封装基板电镀的状态图；
图5为本发明实施例提供的精细线路封装基板第一次退膜的状态图；
图6为本发明实施例提供的精细线路封装基板第二次胶渣去除的状态图；
图7为本发明实施例提供的精细线路封装基板第二次退膜和烘板的状态图；
图8为本发明实施例提供的精细线路封装基板闪蚀的状态图。
具体实施方式
为了使本发明的上述特征及有益效果能够更加明显易懂，下面结合实施例对本发明做详细的阐述，需要说明的是，本文所使用的术语“第一”、“第二”、“第三”、“垂直”、“水平”、“上方”、“下方”以及类似的表述只是为了起说明目的，并不表示是唯一的实施方式。
为了说明本发明所述的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。
图1示出了本发明实施例提供的精细线路封装基板制备方法的实现流程，具体详述如下：
在步骤S101中，将线路制作后的线路板，进行第一次胶渣去除处理并沉铜；
在本发明实施例中，采用载铜的板材或者铜箔进行线路制作。其中，载铜的板材厚度为2μm，在当线路板为四层板时，需使用铜箔进行线路制作。第一次胶渣去除(Desmear)可以为将线路板上的胶渣，通过化学药水去除附着于孔壁的胶渣，保持线路板清洁，方便整版沉铜处理，以实现内层铜环与孔壁的导通，沉铜的厚度为0.5～1μm之间，即确保电路导通，又不会对板面的线路造成影响(参见图2)。
在步骤S102中，对沉铜后的线路板，进行贴干膜、曝光和显影处理；
参见图3，在本发明实施例中，在线路板上贴附干膜需要在真空环境下进行。真空压膜温度为60～90℃，抽真空时间控制为30～50s，压力为0.4～0.6MPa，加压时间为20～50s。通过该温度和压力的作用，真空贴膜使该干膜具有较强的流动性，使该干膜充分填充线路间隙。真空贴膜广泛应用于封装基板，通过抽真空、热压的方式使该干膜充分填充线路间隙，同时也填入微通孔内，干膜将在抗蚀过程中起保护作用。
作为本发明的一个优选实施例，干膜的厚度可以为25μm。曝光能量通常为70mj(毫焦)，此处采用曝光能量范围为30～40mj。在此范围内进行曝光，为通孔内干膜与退膜药水反应创造有利的条件，使退膜效果较好。
在步骤S103中，进行显影处理后，将线路板电镀铜；
参见图4，对线路板电镀铜或者金属涂敷可以确保焊接性和保护电路避免侵蚀的标准操作，在单面、双面和多层印制电路板的制造中，电镀铜能够抗氧化。
在步骤S104中，将电镀铜线路板第一退膜后，进行第二次胶渣去除处理，再第二次退膜；
参见图5、6、7，将干膜进行化学分解并去除后，在精细线路之间还残留有少量的干膜，需要通过第二次胶渣去除(Desmear)处理，将少量的干膜进行溶解。然后通过第二次退膜将第二次胶渣去除处理中溶解的干膜，进行化学分解和冲击，确保超精细线路中干膜的完全去除。
在本发明实施例中，Desmear的药水效果直接决定第二次退膜的结果，进而Desmear段药水成分包含：160～200mL/L的Sweller E，40～55g/L的MnO4 -，0～20g/L的MnO4 2-，30～45g/L的NaOH，60～80g/L的H2SO4，10～20ml/l的H2O2和0～20g/L Cu2+。
退膜参数可以为：剥膜主剂v/v8.0％～12.0％(浓度)，剥膜促进剂v/v0.6％～1.0％(浓度)，温度在48℃～52℃之间，喷压在0.14MPa～0.16MPa之间，H2SO4v/v3～7％(浓度)。
在步骤S105中，将第二次退膜后的线路板，烘板、闪蚀形成线路。
参见图8，由于需要蚀刻掉的沉铜层较薄，闪蚀操作与现有的蚀刻操作相同，区别仅在于蚀刻的时间相对较短。
在本发明实施例中，提供的精细线路封装基板及其制备方法，通过在MSAP流程增加Desmear及退膜流程，能够完成制作L/S(线宽/线距)＝20/20um甚至L/S(线宽/线距)＝10/10um的精细线路，避免SAP流程中所涉及的特殊沉铜线药水、光成像的退膜药水及蚀刻药水以及特殊的板材所带来的成本，进而大大降低投资和生产成本。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (4)

1.一种精细线路封装基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
将线路制作后的线路板，进行第一次胶渣去除处理并沉铜；
对所述沉铜的线路板，进行贴干膜、曝光和显影处理；
进行显影处理后，将所述线路板电镀铜；
将所述电镀铜线路板第一次退膜后，进行第二次胶渣去除处理，再第二次退膜；
将所述第二次退膜后的线路板，烘板、闪蚀形成线路；
所述第二次胶渣去除使用的药水成分包含：
160～200mL/L的二甘醇一丁醚与乙二醇混合液，40～55g/L的MnO4 -，0～20g/L的MnO4 2-，30～45g/L的NaOH，60～80g/L的H2SO4，10～20ml/l的H2O2和0～20g/L Cu2+。
2.如权利要求1所述的精细线路封装基板的制备方法，其特征在于，所述第二次退膜的参数具体为：
剥膜剂v/v8.0％～12.0％(浓度)，剥膜促进剂v/v0.6％～1.0％(浓度)，温度在48℃～52℃之间，喷压在0.14MPa～0.16MPa之间，H2SO4v/v 3～7％(浓度)。
3.如权利要求1所述的精细线路封装基板的制备方法，其特征在于，所述贴干膜具体为：
所述贴附干膜在真空环境下进行，且所述干膜的厚度为25μm。
4.如权利要求3所述的精细线路封装基板的制备方法，其特征在于，所述真空环境的具体参数为：
真空压膜温度为60-90℃，抽真空时间为30～50s，压力为0.4～0.6MPa，加压时间为20～50s。
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