CN115442983A - 一种封装基板及印制电路板及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种封装基板及印制电路板及其制作方法，该封装基板及印制电路板的制作方法包括以下步骤：提供一基板，所述基板包括依次层叠的下导电层、介电层及上导电层；对所述上导电层的上表面及所述下导电层的下表面进行表面粗化处理；对所述上导电层的上表面及所述下导电层的下表面进行干燥处理；于所述基板中形成通孔或盲孔，并清洗所述基板去除激光孔口悬浮的失去介电层支撑的导电层；对所述通孔或所述盲孔进行填孔。本发明通过对所述基板表面进行表面粗化处理及干燥处理，并采用直接激光钻孔得到所述通孔及所述盲孔，且利用多种类型的清洗装置进行清洗并去除孔口悬浮的失去介电层支撑的导电层，简化了制作工艺、提升了电路板的良率，降低了制作成本。

Description

一种封装基板及印制电路板及其制作方法

技术领域

本发明属于电路板加工制造技术领域，涉及一种封装基板及印制电路板及其制作方法。

背景技术

随着微电子技术的发展和不断进步，大规模集成电路的广泛应用，使得电路板的加工制造也向着多功能化及多层化发展，这就对电路板的制作工艺也有了更高的要求。在印制电路板(PCB板)及集成电路封装基板(IC封装基板)的制作过程中，一般采用机械钻孔或者激光钻孔，现有的激光钻孔都是采用先移除基板成孔位置表面铜层，裸露介电层，再进行激光钻孔。此种方法需要在激光钻孔前经过图形转移方式开出铜窗，加之目前多层板的需求，每层激光钻孔都需重复此种操作，耗费物料较多，生产流程和生产周期较长，生产成本也较高。

采用直接激光钻孔方法形成的激光孔的良率的高低与基板材料的吸光率有着直接的关系。因此，通常在采用直接激光钻孔工艺进行钻孔前都会对基板的表面进行处理，即对基板表面的导电层的材料进行棕化或者黑化等处理，在其表面生成棕化膜或者黑化膜氧化层，以增加基板表面的粗糙度，减少激光在基板表面产生的反射，增强基板表面对激光能量的吸收，才可直接在处理后的基板表面进行激光钻孔。但是黑化膜只能在垂直式生产线作业获得，水平式生产线极易出现滚轮刮伤等失效。对于厚度较薄的印制电路板，尤其薄封装基板，在垂直作业过程中极易出现印制电路板损伤，需要框架辅助装夹，但使用框架后印制电路板表面必然会有夹点位置无法烘干，造成薄印制电路板尤其封装基板黑化品质不合格。而且垂直黑化线多为开放式，关键槽体的处理试剂的温度高达70℃，生产过程污染严重，工作人员的作业条件恶劣。

采用直接激光钻孔工艺对封装基板进行激光钻孔后，在孔金属化前都需要去除棕化膜或者黑化膜，以便能够顺利进行后续工序。现有的去除方法一般采用化学方法或者物理方法。但是，当采用化学方法去除基板表面的氧化膜时，会造成氧化膜去除不完全，导致基板有分层的风险。采用磨刷这种物理去膜方式去除棕化膜或者黑化膜时，去膜过程的磨屑可能会掉落到激光孔内，造成塞孔后孔内杂物异常。此外由于磨刷去膜造成的基板表面沟槽会影响成品良率，还有可能会影响到成品电测试，且磨刷去膜过程还会造成印制电路板尤其是封装基板等薄板，由于受到摩擦、挤压等外力作用发生翘曲、变形，并且还会影响印制电路板的涨缩。基板变形后会对各层图形与孔的对位产生影响，进而影响最终产品对准度等品质；磨板使涨缩变化后会导致图形转移过程中LDI(激光直接成像)抓取对位靶标困难，影响产能。

因此，急需一种制作工艺简单、制作成本低且产品良率高的电路板的制作方法。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种封装基板及印制电路板及其制作方法，用于解决现有技术中封装基板及印制电路板制作工艺复杂、产品良率低及制作成本较高的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种封装基板及印制电路板及其制作方法，包括以下步骤：

提供一基板，所述基板包括依次层叠的下导电层、介电层及上导电层；

对所述上导电层的上表面及所述下导电层的下表面进行表面粗化处理；

对包含所述导电层的电路板进行干燥处理；

于所述基板中形成通孔或盲孔，并清洗去除孔口悬浮的失去介电层支撑的导电层，所述通孔贯穿所述基板，所述盲孔的底面显露出所述下导电层的上表面；

对所述激光通孔或盲孔进行填孔。

可选地，对所述基板进行表面粗化处理的处理试剂包括硫酸、双氧水，所述处理试剂中硫酸的浓度范围为1％～5％，双氧水的浓度范围为5％～20％。

可选地，经过表面粗化处理后，所述上导电层及所述下导电层的厚度均减少，所述上导电层的厚度减少范围为0.5μm～5μm，所述下导电层的厚度减少范围为0.5μm～5μm。

可选地，经过表面粗化处理后，所述上导电层上表面的表面粗糙度Rz的范围为0.5μm～5μm，所述下导电层下表面的表面粗糙度Rz的范围为0.5μm～5μm。

可选地，在表面粗化处理之后，形成所述通孔或所述盲孔之前，还包括对所述基板进行干燥处理的步骤，对所述基板进行干燥处理的温度范围为115℃～135℃，时间范围为4min～8min。

可选地，对所述基板进行干燥处理的方法包括真空烘箱干燥、氮气烘箱干燥等。

可选地，形成所述通孔的方法包括直接激光钻孔；形成所述盲孔的方法包括直接激光钻孔。

可选地，采用所述激光钻孔的方法形成所述通孔包括以下步骤：将所述基板置于激光钻机预设位置，利用所述激光钻机发射出的激光灼烧所述上导电层及所述介电层，以得到上孔部；利用所述激光器发射出的激光烧灼所述下导电层及所述介电层，以得到下孔部，所述上孔部与所述下孔部连通以构成所述通孔。

可选地，采用所述激光钻孔的方法形成所述盲孔包括以下步骤：将所述基板置于激光钻机预设位置，利用所述激光钻机发射出的激光灼烧所述上导电层及所述介电层，以得到所述盲孔。

可选地，清洗所述通孔的方法包括化学腐蚀、超声波清洗及高压清洗中的至少一种；清洗所述盲孔的方法包括化学腐蚀、超声波清洗及高压清洗中的至少一种。

本发明还提供了一种电路板，所述电路板是采用上述所述的电路板的制作方法制作得到。

可选地，所述电路板包括PCB板、IC封装基板。

如上所述，本发明的一种封装基板及印制电路板及其制作方法，具有以下有益效果：

本发明的封装基板及印制电路板及其制作方法采用表面粗化处理试剂对所述基板的上下表面进行表面粗化处理，且所述处理试剂包括硫酸溶液及双氧水，无需增加新的生产设备及开发新的表面粗化处理试剂；对所述基板的上下表面进行表面粗化处理后，采用真空烘箱或氮气烘箱等进行干燥，以保证表面粗化处理后的所述基板表面性质的稳定，避免由于所述基板导体层表面的性质差异造成形成所述通孔或所述盲孔的尺寸不一，提升形成的所述激光孔的良率，且采用直接激光钻孔的方法对表面粗化处理后的所述基板进行钻孔，减少了激光能量的损失，继而保证更多的激光能量用于灼烧所述基板；形成所述通孔的过程中，于所述基板的两个相对的表面依次形成所述上孔部及所述下孔部，以保证位于所述基板两个相对表面的所述通孔的孔口孔径一致，提升制作的所述通孔的良率；形成所述通孔或所述盲孔后无需去氧化处理工艺，简化了工艺步骤，节约了成本，缩短了生产周期。此外，采用化学腐蚀、超声波清洗及高压清洗的方法去除所述通孔或所述盲孔的孔口悬浮的失去介电层支撑的导电层，避免填孔的过程中由于孔口悬浮的失去介电层支撑的导电层部分从孔口分离、翘起，进而发生孔口凸起等填孔不良，提升了产品的良率，具有高度产业利用价值。

附图说明

图1显示为本发明的封装基板及印制电路板的制作方法的工艺流程图。

图2显示为本发明的封装基板及印制电路板的制作方法的基板的剖面结构示意图。

图3显示为本发明的封装基板及印制电路板的制作方法的形成盲孔后的剖面结构示意图。

图4显示为本发明的封装基板及印制电路板的制作方法的形成通孔后的剖面结构示意图。

图5显示为本发明的封装基板及印制电路板的制作方法的清洗基板的清洗装置图。

图6显示为未去除盲孔孔口悬浮的失去介电层支撑的导电层部分从孔口分离、翘起的盲孔完成填孔后的剖面结构示意图。

图7显示为本发明的封装基板及印制电路板制作方法的完全去除孔口悬浮的失去介电层支撑的导电层之后的盲孔填孔后的剖面结构示意图。

图8显示为未去除通孔孔口悬浮的失去介电层支撑的导电层部分从孔口分离、翘起的通孔完成填孔后的剖面结构示意图。

图9显示为本发明的封装基板及印制电路板制作方法的完全去除孔口悬浮的失去介电层支撑的导电层之后的通孔填孔后的剖面结构示意图。

元件标号说明

01 基板

011 下导电层

012 介电层

013 上导电层

014 盲孔

015 通孔

016 填孔

017 孔口悬浮的失去介电层支撑的且部分与孔口分离并翘起的导电层

1 基板

11 下导电层

12 介电层

13 上导电层

14 盲孔

15 通孔

151 上孔部

152 下孔部

16 填孔

2 清洗装置

21 传送带

22 挡水滚轮

23 超声波清洗槽

24 超声波清洗槽

25 第一次循环水洗装置

26 高压清洗装置

27 第二次循环水洗装置

28 去离子水清洗装置

具体实施方式

以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图1至图9。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当亦视为本发明可实施的范畴。

实施例一

本实施例提供一种封装基板及印制电路板的制作方法，如图1所示，为所述封装基板及印制电路板的制作方法的工艺流程图，包括以下步骤：

S1：提供一基板，所述基板包括依次层叠的下导电层、介电层及上导电层；

S2：对所述上导电层的上表面及所述下导电层的下表面进行表面粗化处理；

S3：对所述上导电层的上表面及所述下导电层的下表面进行干燥处理；

S4：于所述基板中形成通孔或盲孔，并清洗去除孔口悬浮的失去介电层支撑的导电层，所述通孔贯穿所述基板，所述盲孔的底面显露出所述下导电层的上表面；

S5：对所述通孔或所述盲孔进行填孔。

请参阅图2，执行所述步骤S1及所述步骤S2：提供一基板，所述基板1包括依次层叠的下导电层11、介电层12及上导电层13；对所述上导电层13的上表面及所述下导电层11的下表面进行表面粗化处理。

作为示例，所述上导电层13覆盖所述介电层12的上表面，所述下导电层11覆盖所述介电层12的下表面。

具体的，所述介电层12的材质包括环氧树脂、酚醛树脂、聚酯树脂、双马来酰亚胺改性三嗪树脂(BT)、聚酰亚胺树脂(PI)、聚苯醚树脂(PPO)、聚乙烯(PE)、马来酸酐亚胺-苯乙烯树脂(MS)及薄复合材料(ABF)中的一种，也可以是其他适合的材料。

具体的，在保证电路板中电路性能的情况下，所述介电层12的厚度可以根据实际情况进行设置，这里不再限制。

具体的，所述下导电层11的材质包括金、银、铜中的至少一种，也可以是其他合适的导电材料；所述上导电层13的材质包括金、银、铜中的至少一种，也可以是其他合适的导电材料。本实施例中，所述上导电层13及所述下导电层11的材质均采用铜。

具体的，在保证电路板中电路性能的情况下，所述上导电层13的厚度可以根据实际情况进行选择，这里不再限制；所述下导电层11的厚度可以根据实际情况进行选择，这里不再限制。

具体的，提供的所述基板1的制作方法包括以下步骤：提供一半固化片(未图示)，于所述半固化片的下表面放置所述下导电层11；半固化片的上表面放置所述上导电层13后进行层压处理，层压后半固化片经过化学反应成为介电层12，最后通过裁边等处理得到基板1。

具体的，所述半固化片在所述基板1中主要起导电层之间的粘合作用和绝缘作用，半固化片层压后变为介电层12，使所述上导电层13及所述下导电层11与所述介电层12牢固的贴合在一起。

作为示例，对所述上导电层13的上表面进行表面粗化的处理方法包括化学腐蚀或者其他合适的表面粗化处理方法；对所述下导电层11的下表面进行表面粗化的处理方法包括化学腐蚀或者其他合适的表面粗化处理方法。在本实施例中，采用化学腐蚀的方法对所述上导电层13的上表面及所述下导电层11的下表面同时进行表面粗化处理。

具体的，对所述基板1进行表面粗化处理的处理试剂包括硫酸、双氧水，也可以是其他适合的表面粗化处理试剂，所述处理试剂中硫酸的浓度范围为1％～5％，双氧水的浓度范围为5％～20％。

具体的，经过表面粗化处理后，所述上导电层13及所述下导电层11的厚度均减少，所述上导电层13的厚度减少范围为0.5μm～5μm，所述下导电层11的厚度减少范围为0.5μm～5μm。

具体的，所述上导电层13厚度减少的部分为粗化后的所述上导电层13的上表面到粗化处理前的所述上导电层13的上表面之间的距离；所述下导电层11厚度减少的部分为粗化后的所述下导电层11的下表面到粗化处理前的所述下导电层11的下表面之间的距离。

作为示例，经过表面粗化处理后，所述上导电层13上表面的表面粗糙度Rz的范围为0.5μm～5μm，所述下导电层11下表面的表面粗糙度Rz的范围为0.5μm～5μm。其中，Rz指的是取样长度内五个最大的轮廓峰高的平均值与五个最大的轮廓谷深的平均值之和。

再请参阅图3至图9，执行所述步骤S3、所述步骤S4及所述步骤S5：对所述上导电层13的上表面及下导电层11的下表面进行干燥处理；于所述基板1中形成通孔15或盲孔14并清洗所述基板1，从而去除孔口除悬浮的失去介电层支撑的导电层，所述通孔15贯穿所述基板1，所述盲孔14的底面显露出所述下导电层11的上表面；形成所述通孔15或所述盲孔14的填孔16。

具体的，对所述基板1的表面进行表面粗化处理之后，对所述基板1进行干燥之前，还包括对所述基板1进行清洗的步骤。

具体的，对所述基板1进行清洗以去除所述基板1表面的所述表面粗化处理试剂残留，避免影响电路板中电路性能。

具体的，对所述基板1进行干燥处理的方法包括真空烘箱干燥、氮气烘箱干燥或者其他适合的干燥方法。本实施例中，采用真空烘箱对所述基板1进行短时高温烘烤。

具体的，于清洗之后对所述基板1进行干燥处理，以去除所述基板1表面残留的清洗试剂。

具体的，在表面粗化处理之后，形成所述通孔15之前，还包括对所述基板1进行干燥处理的步骤，对所述基板1进行干燥处理的温度范围为115℃～135℃，时间范围为4min～8min。本实施例中，对所述基板1进行干燥处理温度为125℃，干燥时间为5min。

具体的，于真空氛围中或者氮气氛围中进行干燥处理，以防止高温环境下所述上导电层13及所述下导电层11发生氧化，以避免氧化层影响所述盲孔14或所述通孔15的质量，同时保证快速去除附着于所述基板1上的水分。

作为示例，形成通孔15的方法包括激光钻孔或者其他适合的钻孔方法；形成所述盲孔14的方法包括激光钻孔或者其他适合的钻孔方法。

具体的，由于所述基板1的上下表面经过表面粗化处理后，所述基板1的上下表面对激光束的反射率降低，减少了激光能量的损失，继而保证了更多的激光能量用于灼烧所述上导电层13、所述下导电层11及所述介电层12，即更多的激光能量用于灼烧所述基板1，从而提高钻孔效率。

具体的，在保证激光钻机发射出的激光能够灼烧所述上导电层13、所述下导电层11及所述介电层12的情况下，采用激光钻孔形成所述通孔15或所述盲孔14时，可以选择合适激光钻机类型及激光器功率，这里不再限制。

具体的，采用所述激光钻孔的方法形成所述通孔15包括以下步骤：将所述基板1置于激光钻机预设位置，利用所述激光钻机发射出的激光灼烧所述上导电层13及所述介电层12，以得到上孔部151；利用所述激光钻机发射出的激光灼烧所述下导电层11及所述介电层12，以得到下孔部152，所述上孔部151与所述下孔部152连通以构成所述通孔15。

具体的，采用所述激光钻孔的方法形成所述盲孔14包括以下步骤：将所述基板1置于激光钻机预设位置，利用所述激光钻机发射出的激光灼烧所述上导电层13及所述介电层12，以得到所述盲孔14。

具体的，所述上孔部151开口处的孔径尺寸大于所述上孔部151底面的孔径尺寸，所述上孔部151的深度范围为所述基板厚度的45％～55％，这里的深度是指所述上孔部151的底面到所述上孔部151的开口位置之间的垂直距离；所述下孔部152开口处的孔径尺寸大于所述下孔部152底面的孔径尺寸，所述下孔部152的深度范围为所述基板厚度的45％～55％，这里的深度是指所述下孔部152底面到所述下孔部152的开口位置之间的垂直距离。

具体的，采用激光钻孔的方法形成连通的所述上孔部151与所述下孔部152，所述上孔部151与所述下孔部152构成所述通孔15，避免了使用激光对所述基板1的单面进行灼烧得到的所述通孔15的两端孔口孔径不一致的问题，即未进行激光钻孔的面孔径较小，继而保证了所述通孔15的两端孔口孔径一致，提升了制作的所述通孔15的良率。

具体的，采用激光钻孔的方法形成所述盲孔14时，由于表面粗化处理后的所述上导电层13的上表面的性质一致，局部未产生氧化层，保证了形成的所述盲孔14的孔径的一致，提升了制作的所述盲孔14的良率。

具体的，在形成所述通孔15或所述盲孔14的过程中，激光先烧穿目标孔位置的所述上导电层13或所述下导电层11，然后灼烧去除目标孔位置的所述介电层12。

具体的，如图3至图4所示，分别为采用激光钻孔的方法形成所述盲孔14后的剖面结构示意图及采用激光钻孔的方法形成所述通孔15后的剖面结构示意图，所述通孔15的截面形状包括X型、正四边形、梯形或其他适合的形状；所述盲孔14的截面形状包括正四边形、梯形或其他适合的形状。

具体的，在保证电路板性能的情况下，所述通孔15的开口尺寸可以根据实际情况进行选择，这里不再限制；所述盲孔14的开口尺寸可以根据实际情况进行选择，这里不再限制。这里的开口是指所述通孔15或所述盲孔14位于所述上导电层13的上表面及所述下导电层11的下表面的开口。

具体的，清洗所述通孔15的方法包括化学腐蚀、超声波清洗及高压清洗中的至少一种，也可以是其他适合的清洗方法；清洗所述盲孔14的方法包括化学腐蚀，超声波清洗及高压清洗中的至少一种，也可以是其他适合的清洗方法。在本实施例中，先采用化学药水作为超声波清洗的介质，超声清洗的同时进行化学腐蚀处理，后经过高压清洗的方式对所述通孔15或者所述盲孔14进行清洁，以保证形成所述通孔15或所述盲孔14后的所述基板1上的孔口悬浮的失去介电层支撑的导电层完全去除。

具体的，如图5所示，为清洗所述基板1的清洗装置图，清洗所述通孔15或所述盲孔14的过程包括以下步骤：将所述基板1置于清洗装置2中的滚轮21上，所述基板1先通过以化学药水作为介质在超声波清洗槽23、24进行超声清洗和化学腐蚀，然后利用第一循环水洗装置25对所述基板1进行第一次循环水洗；于第一次水循环清洗之后再利用高压清洗装置26对所述基板1进行高压喷淋清洗；再利用第二循环水洗装置27对高压喷淋清洗后的所述基板1进行第二次循环水洗，并利用去离子水清洗装置28对所述基板1进行去离子水清洗，以完全去除所述基板1中的孔口悬浮的失去介电层支撑的导电层。其中，在所述清洗通孔15或所述盲孔14的过程中，清洗装置2中利用挡水滚轮22来避免清洗过程中的液体试剂的飞溅。

具体的，在化学试剂腐蚀及超声波清洗的过程中均对清洗试剂进行加热，以使所述基板1上的孔口悬浮的失去介电层支撑的导电层与化学试剂反应并溶解与孔口分离，且在化学腐蚀、超声波清洗段，所述基板1完全浸没在化学试剂中；在高压清洗段，高压清洗试剂喷淋在所述基板1表面进行清洗。

具体的，清洗所述通孔15或盲孔14的过程中，进行化学清洗所使用的化学试剂包括过硫酸钠和硫酸，过硫酸钠的浓度范围为30g/L～50g/L，硫酸的浓度范围为0.5％～5％。

作为示例，所述通孔15的所述填孔16的方法包括化学镀、电镀或者其他适合的方法；于所述盲孔14中形成填孔16的方法包括化学镀、电镀或者其他适合的方法。

具体的，如图6、图7、图8及图9所示，分别为孔口悬浮的失去介电层支撑的且部分与孔口分离的导电层部分与孔口分离、翘起造成盲孔填孔后孔口凸起的剖面结构示意图、本发明完全去除孔口悬浮的失去介电层支撑的导电层的所述盲孔14中形成所述填孔16后的剖面结构示意图、孔口悬浮的失去介电层支撑的且部分与孔口分离的导电层部分与孔口分离、翘起造成通孔孔填孔后孔口凸起的剖面结构示意图及本发明完全去除孔口悬浮的失去介电层支撑的导电层的所述通孔15中形成所述填孔16后的剖面结构示意图，其中，图6中的盲孔结构与图8中的通孔结构包括基板01、下导电层011、介电层012、上导电层013、盲孔014、通孔015、上孔部0151、下孔部0152、填孔016以及填孔后悬浮的失去介电层支撑的且部分脱离孔口的导电层017。从图6及图8中可以看出，一般清洗无法完全去除通孔或者盲孔孔口悬浮的失去介电层支撑的导电层，导致填孔过程中孔口悬浮的失去介电层支撑的且部分与孔口分离的导电层部分与孔口分离、翘起，造成通孔或盲孔的孔口填孔后表面相对于上导电层及下导电层的表面凸起，继而使基板表面异常，影响制作的所述电路板的良率；而本发明利用所述清洗装置2对所述基板1进行清洗，使所述通孔15或所述盲孔14中的悬浮的失去介电层支撑的导电层完全去除，形成的所述填孔16的上下表面平整，提升了制作的所述电路板的良率。

具体的，由于对所述基板1的表面进行表面粗化处理并在保护气体或者真空氛围中干燥，使所述基板1表面的材料性质的一致，保证了直接形成所述通孔15或所述盲孔14的孔径的一致，无需棕化或黑化处理，避免了去棕化及去黑化处理的步骤，简化了工艺，并去棕化或去黑化工艺影响电路板的质量，且采用所述清洗装置2对所述基板1进行清洗，使所述基板1上孔口悬浮的失去介电层支撑的导电层完全去除，保证了所述通孔15或所述盲孔14的所述填孔16的质量，提升了制作的所述电路板的良率。

本实施例的电路板的制作方法通过对所述基板1的上下表面进行表面粗化处理，无需增加新的生产设备及开发新的表面粗化处理试剂；对所述基板1的上下表面粗化处理后，再进行干燥处理，以保证表面粗化处理后的所述基板1表面性质的稳定，避免由于所述基板1表面性质的差异造成形成所述通孔15或所述盲孔14的尺寸不一，且采用直接激光钻孔的方法对表面粗化处理后的所述基板1进行钻孔，减少了激光能量的损失，且形成所述通孔15的过程中，于所述基板1相对的表面形成所述上孔部151及所述下孔部152，以保证所述通孔15或所述盲孔14的孔径一致，提升形成所述通孔15或所述盲孔14的良率；形成所述通孔15或所述盲孔14后无需去氧化处理工艺，简化了工艺步骤，节约了成本。此外，采用化学腐蚀、超声波清洗及高压清洗的方法去除所述通孔15或所述盲孔14中的悬浮的失去介电层支撑的导电层，避免了填孔过程中由于孔口悬浮的失去介电层支撑的导电层部分与孔口分离、翘起形成所述填孔16的过程中产生孔口凸起等不良，提升了产品的良率。

实施例二

本实施例提供一种封装基板及印制电路板，所述封装基板及印制电路板是采用实施例一中所述的电路板的制作方法制作得到。

具体的，所述电路板包括PCB板、IC封装基板或者其他适合的电路板。

具体的，图7及图9所示，分别为电路板中盲孔部分的剖面结构示意图及电路板中通孔部分的剖面结构示意图，所述电路板包括基板1及填孔16，其中，所述基板1包括依次层叠的下导电层11、介电层12及上导电层13，所述基板1中设有贯穿所述基板1的通孔15或底面显露出所述下导电层11上表面的盲孔14，所述通孔15或所述盲孔14填孔后的填孔16。

具体的，所述上导电层13覆盖所述介电层12的上表面，所述下导电层11覆盖所述介电层12的下表面。

具体的，在保证电路板中电路性能的情况下，所述介电层12的厚度可以根据实际情况进行设置，这里不再限制。

具体的，在保证电路板中电路性能的情况下，所述上导电层13的厚度可以根据实际情况进行选择，这里不再限制；所述下导电层11的厚度可以根据实际情况进行选择，这里不再限制。

具体的，所述填孔16的材质包括银、铜或其他适合的导电材料。

具体的，由于采用实施例一中所述的电路板的制作方法制作得到所述电路板，使所述电路板中所述通孔15或所述盲孔14的开口孔径大小一致，提升了所述通孔15或所述盲孔14的良率，缩短了生产周期。

具体的，采用实施例一中所述的电路板的制作方法对所述通孔15或所述盲孔14进行清洗，使所述通孔15或所述盲孔14中悬浮的失去介电层支撑的导电层完全去除，避免了填孔过程中由于孔口悬浮的失去介电层支撑的导电层部分与孔口分离、翘起形成所述填孔16的过程中产生不良，提升了所述通孔15或所述盲孔14的所述填孔16的质量，提高了所述电路板的良率，节约了成本。

本实施例的电路板通过采用实施例一中所述的电路板的制作方法制作所述电路板，所述电路板中所述通孔15或所述盲孔14的孔径大小一致，提升了所述通孔15或所述盲孔14的良率，缩短了生产周期，且所述通孔15或所述盲孔14中的孔口悬浮的失去介电层支撑的导电层完全去除，避免了填孔过程中由于孔口悬浮的失去介电层支撑的导电层部分与孔口分离、翘起形成所述填孔填孔16的过程中产生孔口凸起等不良，提升了所述通孔15或所述盲孔14的所述填孔16的质量，继而提升了所述电路板的良率，节约了成本。

综上所述，本发明的封装基板及印制电路板的制作方法采用表面粗化处理试剂对基板的上下表面进行表面粗化处理，对基板上下表面进行表面粗化处理所使用的处理试剂包括硫酸溶液及双氧水，无需增加新的生产设备及开发新的表面粗化处理试剂；对基板的上下表面粗化处理后，采用真空烘箱或氮气烘箱进行烘烤，保证了表面粗化处理后的基板的上下表面的性质保持稳定，避免由于基板表面性质的差异造成形成通孔两端孔口的尺寸不一，且采用直接激光钻孔的方法对表面粗化处理后的基板进行钻孔，减少了激光能量的损失，保证更多的激光能量用于灼烧基板，提升了钻孔的效率，且形成通孔的过程中，在基板相对的表面形成上孔部及下孔部，使形成的通孔的孔径一致，提升形成的通孔的良率；形成通孔后无需去氧化处理工艺，简化了工艺步骤，节约了成本，缩短了生产周期。此外，采用化学腐蚀、超声波清洗及高压清洗的方法去除通孔中的悬浮的失去介电层支撑的导电层，避免了填孔过程中由于孔口悬浮的失去介电层支撑的导电层部分与孔口分离、翘起造成的填孔的过程中孔口产生凸起等不良，提升了产品的良率。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (12)

1.一种封装基板及印制电路板其制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基板，所述基板包括依次层叠的下导电层、介电层及上导电层；

对所述上导电层的上表面及所述下导电层的下表面进行表面粗化处理；

对所述上导电层的上表面及所述下导电层的下表面进行干燥处理；

于所述基板中形成通孔或盲孔并清洗去除孔口悬浮的失去介电层支撑的导电层，所述通孔贯穿所述基板，所述盲孔的底面显露出所述下导电层的上表面；

对所述激光通孔或盲孔进行填孔。

2.根据权利要求1所述的封装基板及印制电路板的制作方法，其特征在于：对所述基板进行表面粗化处理的处理试剂包括硫酸、双氧水，所述处理试剂中硫酸的浓度范围为1％～5％，双氧水的浓度范围为5％～20％。

3.根据权利要求1所述的封装基板及印制电路板的制作方法，其特征在于：经过表面粗化处理后，所述上导电层及所述下导电层的厚度均减少，所述上导电层的厚度减少范围为0.5μm～5μm，所述下导电层的厚度减少范围为0.5μm～5μm。

4.根据权利要求1所述的封装基板及印制电路板的制作方法，其特征在于：经过表面粗化处理后，所述上导电层上表面的表面粗糙度Rz的范围为0.5μm～5μm，所述下导电层下表面的表面粗糙度Rz的范围为0.5μm～5μm。

5.根据权利要求1所述的封装基板及印制电路板的制作方法，其特征在于：在表面粗化处理之后，形成所述通孔或所述盲孔之前，还包括对所述基板进行干燥处理的步骤，对所述基板进行干燥处理的温度范围为115℃～135℃，时间范围为4min～8min。

6.根据权利要求5所述的封装基板及印制电路板的制作方法，其特征在于：对所述基板进行干燥处理的方法包括真空烘箱干燥、氮气烘箱干燥等。

7.根据权利要求1所述的封装基板及印制电路板的制作方法，其特征在于：形成所述通孔的方法包括直接激光钻孔；形成所述盲孔的方法包括直接激光钻孔。

8.根据权利要求7所述的封装基板及印制电路板的制作方法，其特征在于，采用所述激光钻孔的方法形成所述通孔包括以下步骤：将所述基板置于激光钻机预设位置，利用所述激光钻机发射出的激光灼烧所述上导电层及所述介电层，以得到上孔部；利用所述激光钻机发射出的激光烧灼所述下导电层及所述介电层，以得到下孔部，所述上孔部与所述下孔部连通以构成所述通孔。

9.根据权利要求7所述的封装基板及印制电路板的制作方法，其特征在于，采用所述激光钻孔的方法形成所述盲孔包括以下步骤：将所述基板置于激光钻机预设位置，利用所述激光钻机发射出的激光灼烧所述上导电层及所述的介电层，以得到所述盲孔。

10.根据权利要求1所述的封装基板及印制电路板的制作方法，其特征在于：清洗去除所述激光通孔或激光盲孔的孔口悬浮的且失去介电层支撑的导电层的方法包括化学腐蚀、超声波清洗及高压清洗中的至少一种。

11.一种封装基板及印制电路板，其特征在于：所述封装基板及印制电路板是采用如权利要求1-10任意一项所述的封装基板及印制电路板的制作方法制作得到。

12.根据权利要求11所述的封装基板及印制电路板，其特征在于：所述电路板包括PCB板、IC封装基板。

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