CN117766442A - 基板处理装置 - Google Patents
基板处理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117766442A CN117766442A CN202311200617.3A CN202311200617A CN117766442A CN 117766442 A CN117766442 A CN 117766442A CN 202311200617 A CN202311200617 A CN 202311200617A CN 117766442 A CN117766442 A CN 117766442A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- substrates
- processing
- area
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 574
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 341
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 185
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000009736 wetting Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 224
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 23
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 13
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 28
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 24
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 11
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 11
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 10
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 9
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 8
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 8
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- -1 for example Substances 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
- H01L21/67781—Batch transfer of wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67718—Changing orientation of the substrate, e.g. from a horizontal position to a vertical position
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67736—Loading to or unloading from a conveyor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Robotics (AREA)
Abstract
本发明提供一种基板处理装置,该基板处理装置的处理块具备与批量处理区域及单片基板搬送区域相邻的濡湿搬送区域。在濡湿搬送区域设置有:设于六个批量处理槽的列的延长线上且将进行了浸渍处理的多张基板从铅垂姿势变换为水平姿势的第二姿势变换部;从第二姿势变换部逐张接收水平姿势的基板并搬送到单片基板搬送区域的带式输送机机构;以及为了使由带式输送机机构搬送的基板濡湿而供给液体的液体供给部。
Description
技术领域
本发明涉及一直对基板进行处理的基板处理装置。基板可举出例如半导体基板、FPD(Flat Panel Display)用的基板、光掩模用玻璃基板、光盘用基板、磁盘用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。FPD可举出例如液晶显示装置、有机EL(electroluminescence)显示装置等。
背景技术
作为现有的基板处理装置,具有混合式的基板处理装置,其具备对多张基板一并进行处理的批量式处理模块(批量处理部)和对由批量式处理模块处理过的基板逐张进行处理的单片式处理模块(单片处理部)(例如参照日本国:特表2016-502275号公报以及日本国:特开2021-064652号公报)。由批量式处理模块处理过的多张基板在变换成水平姿势后,由搬送机器人逐张搬送到单片式处理模块。
此外,日本国:实公平03-006581号公报中公开了一种液中装载机,其具备:液槽;悬臂,其载置收纳多个薄板材的匣盒(托架);升降装置,其使悬臂升降;以及推杆(推出部件),其将薄板材从匣盒向输送机推出。液中装载机使载置于悬臂的匣盒没入液中。在使用薄板材时,液中装载机使上层侧的薄板材逐张露出到液面上,并利用推杆将露出在液面上的薄板材推出到输送机。推出的薄板材被输送到下一处理装置。
发明内容
发明所要解决的课题
但是,现有的基板处理装置具有以下问题。由批量式处理模块处理过的多张基板需要从设置批量式处理模块的批量处理区域搬送到设置单片式处理模块的单片处理区域。如果在该搬送中基板干燥,则形成于基板的图案会倒塌。
本发明鉴于这种情况而作成,目的在于提供一种基板处理装置,在从批量处理区域到单片处理区域的基板搬送中,能够防止基板的干燥。
用于解决问题的方案
本发明为了实现这种目的而采取以下结构。即,本发明的基板处理装置连续进行将多张基板一并处理的批量处理和将基板逐张处理的单片处理,该基板处理装置的特征在于,具备:托架载置架,其载置将多张基板以水平姿势空开预定间隔沿铅垂方向收纳的托架;移载块,其与所述托架载置架相邻;以及处理块,其与所述移载块相邻,所述移载块具备:第一姿势变换机构,其将从所述托架取出的所述多张基板从水平姿势变换为铅垂姿势;以及基板操作机构,其从载置于所述托架载置架的所述托架一并取出所述多张基板并搬送到所述第一姿势变换机构,而且使进行了所述单片处理的基板返回载置于所述托架载置架的所述托架,所述处理块具备:批量处理区域,其沿从所述移载块离开的方向延伸;批量基板搬送区域,其沿着所述批量处理区域设置,且一端侧延伸至所述移载块,另一端侧沿从所述移载块离开的方向延伸;单片基板搬送区域,其沿从所述移载块离开的方向延伸;单片处理区域,其沿着所述单片基板搬送区域设置;以及濡湿搬送区域,其与所述批量处理区域及所述单片基板搬送区域相邻,在所述批量处理区域沿该区域延伸的方向排列有对多张基板一并进行浸渍处理的多个批量处理槽,在所述濡湿搬送区域设有:设于所述多个批量处理槽的列的延长线上,且将进行了所述浸渍处理的所述多张基板从铅垂姿势变换为水平姿势的第二姿势变换机构;从所述第二姿势变换机构逐张接收水平姿势的基板并搬送到所述单片基板搬送区域的带式输送机机构;以及为了使由所述带式输送机机构搬送的基板濡湿而供给液体的液体供给部,在所述单片处理区域沿该区域延伸的方向排列有将基板逐张处理的多个单片处理室,在所述单片基板搬送区域设有单片基板搬送机构,该单片基板搬送机构能够接收由所述带式输送机机构搬送来的水平姿势的基板并搬送到所述单片处理室,且搬出在所述单片处理室进行了处理的基板,在所述批量基板搬送区域设有批量基板搬送机构,该批量基板搬送机构在确定于所述移载块内的基板交接位置、所述多个批量处理槽以及所述第二姿势变换机构之间将多张基板一并搬送。
根据本发明的基板处理装置,濡湿搬送区域与批量处理区域及单片基板搬送区域相邻。在濡湿搬送区域设置有第二姿势变换机构、带式输送机机构以及液体供给部。第二姿势变换机构设于多个批量处理槽的列的延长线上,且将进行了浸渍处理的多张基板从铅垂姿势变换为水平姿势。带式输送机机构从第二姿势变换机构逐张接收水平姿势的基板并搬送到单片基板搬送区域。液体供给部为了使由带式输送机机构输送的基板濡湿而供给液体。带式输送机机构将被液体供给部濡湿的基板从第二姿势变换机构向单片基板搬送区域侧搬送。单片基板搬送区域的单片基板搬送机构接收由带式输送机机构搬送来的水平姿势的基板并搬送到单片处理室。因此,在从批量处理区域向单片处理区域的基板搬送中,能够防止基板的干燥。
另外,即使单片基板搬送区域从批量处理区域分离,由于带式输送机机构搬送基板,因此单片基板搬送机构也容易接收基板。另外,带式输送机机构及液体供给部能够防止基板的干燥。因此,能够延长输送路径,由此,能够增加批量处理区域和单片处理区域的配置的自由度。
另外,在上述的基板处理装置中,优选的是,所述单片基板搬送区域介于所述批量处理区域与所述单片处理区域之间。由此,移载块、批量处理区域以及单片处理区域能够以单片基板搬送区域为中心配置。
另外,在上述的基板处理装置中,优选的是,在所述单片处理区域设有第一单片处理室和第二单片处理室作为所述多个单片处理室,且还设有在两室之间搬送基板的第二单片基板搬送机构,所述单片基板搬送机构接收由所述带式输送机机构搬送来的水平姿势的基板并搬送到所述第一单片处理室,且将在所述第二单片处理室进行了处理的基板搬出。由此,基板由两台单片基板搬送机构搬送,因此能够提高吞吐量。
另外,在上述的基板处理装置中,优选的是,所述单片处理区域介于所述批量处理区域与所述单片基板搬送区域之间。由此,能够隔着单片基板搬送区域将单片处理区域的相反侧的区域用作第二单片处理区域,因此能够配置大量的单片处理室。
另外,在上述的基板处理装置中,优选的是,所述濡湿搬送区域设于所述批量处理区域的一端侧且与设置有所述移载块的侧相反的侧,在由于介有所述单片处理区域而不能够从所述第二姿势变换机构向所述单片基板搬送区域以直线状搬送基板的情况下,所述带式输送机机构在俯视下设置成绕过所述单片处理区域。带式输送机机构能够一边绕过障碍物一边搬送基板,因此能够提高单片处理区域等的配置的自由度。
另外,在上述的基板处理装置中,优选的是,所述濡湿搬送区域介于所述移载块与所述批量处理区域之间。由此,濡湿搬送区域配置于移载块的附近。因此,单片基板搬送机构能够以移载块侧为基点搬送基板。另外,能够将药液处理槽放置于从移载块离开的位置,因此能够抑制移载块的基板操作机构等机构被药液气氛腐蚀等不良影响。
另外,在上述的基板处理装置中,优选的是,在所述单片处理区域设有第一单片处理室和第二单片处理室作为所述多个单片处理室,且还设有配置于两室之间的第二单片基板搬送区域,所述濡湿搬送区域设于所述批量处理区域的一端侧且与设置有所述移载块的侧相反的侧,所述单片基板搬送区域具有所述移载块侧的移载块侧搬送区域和所述带式输送机机构侧的带式输送机侧搬送区域,在所述第二单片基板搬送区域及所述带式输送机侧搬送区域设有第二单片基板搬送机构,该第二单片基板搬送机构接收由所述带式输送机机构搬送来的水平姿势的基板并搬送到所述第一单片处理室,而且将在所述第一单片处理室进行了处理的基板搬送到所述第二单片处理室,所述单片基板搬送机构搬出在所述第二单片处理室进行了处理的基板。
由此,单片基板搬送机构能够仅搬送干燥处理后的基板,并且第二单片基板搬送机构能够仅搬送濡湿的基板。
另外,在上述的基板处理装置中,优选的是,所述第二姿势变换机构具备:槽内托架,其具有用于使基板出入的出入口,并且具有设置成用于收纳通过了所述出入口的所述多张基板的多对保持槽分别对置的两个侧壁,其中,具备隔着所述多张基板与所述出入口对置配置且在各基板的径向上具有比各基板的直径小的宽度的内侧开口;浸渍槽,其为了使所述槽内托架浸渍于浸渍液而贮存浸渍液;托架支撑部,其从下侧支撑所述槽内托架;托架升降部,其使所述托架支撑部升降;旋转机构,其为了将所述多张基板从铅垂姿势变换为水平姿势,而一边利用沿水平方向延伸的两根旋转轴夹持所述槽内托架的所述两个侧壁,一边使所述槽内托架绕所述两根旋转轴旋转;推出部件,其用于将收纳于所述槽内托架的一张基板推出;以及推出部件进退部,其使所述推出部件在水平方向上进退,所述推出部件进退部在收纳于所述槽内托架的所述多张基板为水平姿势时,一边使所述推出部件从所述内侧开口进入所述槽内托架内,一边将所述一张基板通过所述出入口推出。
第二姿势变换机构具备能够使槽内托架浸渍于浸渍液中的浸渍槽。因此,能够防止收纳于槽内托架的基板的干燥。另外,推出部件进退部能够利用推出部件推出收纳于槽内托架的基板。因此,即使不使单片基板搬送机构的机械手进入,也能够从槽内托架取出基板。
发明效果
根据本发明的基板处理装置,在从批量处理区域到单片处理区域的基板搬送中,能够防止基板的干燥。
附图说明
为了说明发明而图示了当前认为优选的几个方式,但是应当理解,发明并不限定于图示的结构及方案。
图1是表示实施例1的基板处理装置的概略结构的俯视图。
图2是表示基板操作机构的侧视图。
图3A~图3C是用于说明第一姿势变换机构(姿势变换部和推杆机构)的侧视图。
图4是从正面观察第二姿势变换部的纵剖视图。
图5A是从左侧面观察第二姿势变换部的纵剖视图,图5B是表示第二姿势变换部的俯视图。
图6A是表示带式输送机机构的俯视图,图6B是表示带式输送机机构和喷淋头的左侧视图。
图7是用于说明基板处理装置的动作的流程图。
图8A~图8C是用于说明姿势变换部的动作的主视图。
图9A~图9C是用于说明姿势变换部的动作的主视图。
图10是用于说明姿势变换部的动作的主视图。
图11A、图11B是用于说明从槽内托架的基板搬出的动作的图。
图12是表示实施例2的基板处理装置的概略结构的俯视图。
图13是表示实施例2的变形例的基板处理装置的概略结构的俯视图。
图14A、图14B是用于说明带式输送机机构的方向变换部的动作的侧视图。
图15是表示实施例3的基板处理装置的概略结构的俯视图。
图16是表示实施例4的基板处理装置的概略结构的俯视图。
图17是表示变形例的带式输送机机构的侧视图。
图中:
1—基板处理装置,5—移载块,7—处理块,13A—搁架,HTR—基板操作机构,15—第一姿势变换机构,PP—基板交接位置,R1—批量处理区域,R2—批量基板搬送区域,R3—单片基板搬送区域,R4—单片处理区域,R5—濡湿搬送区域,BT1~BT6—批量处理槽,WTR—搬送机构,CR1—第一中央机器人,CR2—第二中央机器人,55—第二姿势变换部,57、139—带式输送机机构,59—喷淋头,61—槽内托架,63—浸渍槽,65—旋转机构,69—出入口,71—两个侧壁,73—内侧开口,75—保持槽,79A—工作轴,85—托架支撑部,96—推出部件,98—推出部件进退部。
具体实施方式
【实施例1】
以下,参照附图对本发明的实施例1进行说明。图1是表示实施例1的基板处理装置1的概略结构的俯视图。图2是表示基板操作机构HTR的侧视图。图3A~图3C是用于说明第一姿势变换机构15(姿势变换部23和推杆机构25)的侧视图。
<1.整体结构>
参照图1。基板处理装置1具备储料器块3、移载块5以及处理块7。储料器块3、移载块5以及处理块7按照该顺序在水平方向上配置成一列。
基板处理装置1对基板W进行例如药液处理、清洗处理、干燥处理等。基板处理装置1对基板W连续地进行批量处理和单片处理。即,基板处理装置1在进行了批量处理后,对基板W进行单片处理。批量处理是将多张基板W一并处理的处理方式。单片处理是将基板W逐张处理的处理方式。
在本说明书中,为了方便,将储料器块3、移载块5以及处理块7排列的方向称为“前后方向X”。前后方向X是水平的。将前后方向X中的从移载块5朝向储料器块3的方向称为“前方”。将与前方相反的方向称为“后方”。将与前后方向X正交的水平方向称为“宽度方向Y”。将宽度方向Y的一个方向适当地称为“右方”。将与右方相反的方向称为“左方”。将相对于水平方向垂直的方向称为“铅垂方向Z”。在例如图1中,作为参考,适当表示前、后、右、左、上、下。
<2.储料器块>
储料器块3至少容纳一个托架C。在储料器块3设有一个或两个以上(例如两个)的装载端口9。储料器块3具备托架搬送机构(机器人)11和搁架13。
托架搬送机构11在装载端口9与搁架13之间搬送托架C。托架搬送机构11具备把持托架C的上表面的突起部的把持部、或者一边与托架C的底面接触,一边支撑托架C的机械手。搁架13分为用于取出、收纳基板W的搁架13A和保管用的搁架13B。
搁架13A与移载块5相邻配置。搁架13A也可以设置有装拆托架C的盖部的机构。搁架13A至少设置一个。搁架13A载置托架C。托架C将多张(例如25张)基板W以水平姿势空开预定间隔(例如10mm间隔)沿铅垂方向Z收纳。此外,基板W在基板W的厚度方向上整齐排列。作为托架C,例如使用FOUP(Front Opening Unify Pod)。FOUP为密闭型容器。托架C也可以是开放型容器,不分种类。此外,搁架13A相当于本发明的托架载置架。
<3.移载块>
移载块5在储料器块3的后方X相邻配置。移载块5具备基板操作机构(机器人)HTR和第一姿势变换机构15。
基板操作机构HTR设于移载块5内的右方Y侧。基板操作机构HTR从载置于载置架13A的托架C一并取出多张(例如25张)基板W并搬送到第一姿势变换机构15。另外,基板操作机构HTR将进行了单片处理的基板W返回到载置于载置架13A的托架C。例如,基板操作机构HTR从缓存部33取出多张(例如25张)基板W,并将该多张基板W返回到载置于载置架13A的托架C。基板操作机构HTR能够在载置于搁架13A的托架C、第一姿势变换机构15以及缓存部33之间搬送多张基板W。
参照图2。基板操作机构HTR具备多个(例如25个)机械手17。图2中,为了方便图示,基板操作机构HTR具备三个机械手17。各机械手17保持一张基板W。
另外,基板操作机构HTR具备机械手支撑部19、进退部20以及升降旋转部21。机械手支撑部19支撑多个机械手17。由此,多个机械手17一体移动。进退部20经由机械手支撑部19使多个机械手17前进及后退。升降旋转部21通过使进退部20绕铅垂轴AX1旋转,使多个机械手17等绕铅垂轴AX1旋转。另外,升降旋转部21通过使进退部20升降,使多个机械手17等升降。升降旋转部21固定于地面。即,升降旋转部21在水平方向上不移动。此外,进退部20及升降旋转部21分别具备电动马达。此外,基板操作机构HTR除了机械手17及机械手支撑部19,还可以具备用于搬送一张基板W的机械手(未图示的)。
参照图1。第一姿势变换机构15将多张基板W从水平姿势一并变换成铅垂姿势。第一姿势变换机构15具备姿势变换部23和推杆机构25。在图1中,基板操作机构HTR、姿势变换部23以及推杆机构25按照该顺序沿左方Y配置。图3A~图3C是用于说明第一姿势变换机构15的图。
如图3A所示,姿势变换部23具备支撑台23A、一对水平保持部23B、一对铅垂保持部23C、以及旋转驱动部23D。一对水平保持部23B及一对铅垂保持部23C设置于支撑台23A。水平保持部23B及铅垂保持部23C接收由基板操作机构HTR搬送来的多张基板W。在基板W为水平姿势时,一对水平保持部23B一边与各基板W的下表面接触,一边从下方支撑基板W。另外,在基板W为铅垂姿势时,一对铅垂保持部23C保持基板W。
旋转驱动部23D绕水平轴AX2可旋转地支撑支撑台23A。另外,旋转驱动部23D通过使支撑台23A绕水平轴AX2旋转,将保持于保持部23B、23C的多张基板W的姿势从水平变换成铅垂。
如图3C所示,推杆机构25具备推杆25A、升降旋转部25B、水平移动部25C以及轨道25D。推杆25A支撑铅垂姿势的多张(例如25张)基板W的各自的下部。此外,在图3A~图3C中,为了方便图示,推杆25A支撑三张基板W。
升降旋转部25B与推杆25A的下表面连结。升降旋转部25B通过伸缩使推杆25A沿上下方向升降。另外,升降旋转部25B使推杆25A绕铅垂轴AX3旋转。由此,能够使由箭头AR表示的基板W的器件面的朝向为任意的方向。水平移动部25C支撑升降旋转部25B。水平移动部25C使推杆25A及升降旋转部25B沿着轨道25D水平移动。轨道25D以沿宽度方向Y延伸的方式形成。此外,旋转驱动部23D、升降旋转部25B以及水平移动部25C分别具备电动马达。
在此,对第一姿势变换机构15的动作进行说明。处理块7的后述的批量处理槽BT1~BT6将一个托架C的例如25张基板W一并处理。因此,第一姿势变换机构15将从托架C取出的25张基板W从水平姿势一并变换成铅垂姿势。
参照图3A。姿势变换部23通过保持部23B、23C接收由基板操作机构HTR搬送来的25张基板W。此时,25张基板W为水平姿势,器件面朝上。25张基板W以预定的间隔(全间距)配置。全间距为例如10mm间隔。全间距还称为标准间距。此外,半间距为全间距的一半的间隔。
另外,基板W的器件面为形成有电路的面,且称为“表面”。另外,基板W的背面是指没有形成电路的面。器件面的相反侧的面是背面。
参照图3B。姿势变换部23使保持部23B、23C绕水平轴AX2旋转90度(degree),将25张基板W从水平姿势变换成铅垂姿势。参照图3C。推杆机构25使推杆25A上升到比姿势变换部23的保持部23B、23C高的位置。由此,推杆25A从保持部23B、23C接收25张基板W。保持于推杆25A的25张基板W朝向左方Y。此外,箭头AR表示基板W的器件面的朝向。
然后,推杆机构25使保持25张基板W的推杆25A沿着轨道25D移动到搬送机构WTR(后述)的一对夹头29、30的下方的基板交接位置PP。
<4.处理块7>
处理块7与移载块5相邻。处理块7配置于移载块5的后方X。处理块7具备批量处理区域R1、批量基板搬送区域R2、单片基板搬送区域R3、单片处理区域R4以及濡湿搬送区域R5。
<4-1.批量处理区域R1>
批量处理区域R1与移载块5、批量基板搬送区域R2、单片基板搬送区域R3以及濡湿搬送区域R5相邻。另外,批量处理区域R1在宽度方向Y上,介于批量基板搬送区域R2与单片基板搬送区域R3之间。另外,批量处理区域R1在前后方向X上,介于移载块5与濡湿搬送区域R5之间。批量处理区域R1的一端侧与移载块5相邻。批量处理区域R1的另一端侧(即,批量处理区域R1)沿从移载块5离开的方向(后方X)延伸。
在批量处理区域R1设有例如六个批量处理槽BT1~BT6。六个批量处理槽BT1~BT6在批量处理区域R1延伸的方向(前后方向X)上排成一列。六个批量处理槽BT1~BT6分别对多张基板W一并进行浸渍处理。例如,六个批量处理槽BT1~BT6由四个药液处理槽BT1~BT4和两个水洗处理槽BT5、BT6构成。具体而言,将两个药液处理槽BT1、BT2和水洗处理槽BT5设为一组。而且,将两个药液处理槽BT3、BT4和水洗处理槽BT6设为另一组。此外,药液处理槽与水洗处理槽的组合不限定于该例子。另外,批量处理槽的个数不限定于六个,只要是多个即可。
四个药液处理槽BT1~BT4分别进行基于药液进行的蚀刻处理。作为药液,使用例如磷酸。药液处理槽BT1贮存从未图示的药液喷出管供给的药液。药液喷出管设于药液处理槽BT1的内壁。三个药液处理槽BT2~BT4分别与药液处理槽BT1同样地构成。
两个水洗处理槽BT5、BT6分别进行利用纯水冲洗附着于多张基板W的药液的纯水清洗处理。作为纯水,使用例如去离子水(DIW:De ionized Water)。两个水洗处理槽BT5、BT6分别贮存从未图示的清洗液喷出管供给的纯水。清洗液喷出管设置于各水洗处理槽BT5、BT6的内壁。
在六个批量处理槽BT1~BT6分别设置有六个升降机LF1~LF6。例如,升降机LF1保持以预定间隔(例如10mm(全间距))配置的铅垂姿势的多张基板W。另外,升降机LF1使多张基板W在批量处理槽(药液处理槽)BT1的内部的处理位置与批量处理槽BT1的上方的交接位置之间升降。另外五个升降机LF2~LF6与升降机LF1同样地构成。
<4-2.批量基板搬送区域R2>
批量基板搬送区域R2与移载块5、批量处理区域R1以及濡湿搬送区域R5相邻。批量基板搬送区域R2沿着批量处理区域R1设置。批量基板搬送区域R2的一端侧延伸至移载块5,另一端侧沿从移载块5离开的方向(后方X)延伸。批量基板搬送区域R2相对于批量处理区域R1平行地延伸。
批量基板搬送区域R2具有搬送机构(机器人)WTR。即,在批量基板搬送区域R2设置有搬送机构WTR。搬送机构WTR在确定于移载块5内的基板交接位置PP、例如六个批量处理槽BT1~BT6以及第二姿势变换部55之间一并搬送铅垂姿势的多张(例如25张)基板W。
搬送机构WTR具备一对夹头29、30以及导轨31。夹头29、30例如分别为了保持25张基板W而具备25个保持槽。两个夹头29、30分别在俯视下与宽度方向Y(图1)平行地延伸。搬送机构WTR将两个夹头29、30打开或关闭。搬送机构WTR使一对夹头29、30沿着导轨31移动。搬送机构WTR由电动马达驱动。
<4-3.单片基板搬送区域R3>
单片基板搬送区域R3与移载块5、批量处理区域R1、单片处理区域R4以及濡湿搬送区域R5相邻。另外,单片基板搬送区域R3介于批量处理区域R1与单片处理区域R4之间。单片基板搬送区域R3的一端侧与移载块5相邻。另外,单片基板搬送区域R3的另一端侧(即单片基板搬送区域R3)沿从移载块5离开的方向(后方X)延伸。
在单片基板搬送区域R3设置有第一中央机器人CR1及缓存部33。第一中央机器人CR1在带式输送机机构57(后述)、第一单片处理室SW1(后述)、第二单片处理室SW2(后述)以及缓存部33之间搬送水平姿势的基板W。第一中央机器人CR1具备两个机械手35、进退部37、升降旋转部39以及水平移动部41(包含导轨)。
两个机械手35分别保持水平姿势的一张基板W。此外,第一机械手35用于搬送濡湿的基板W,第二机械手35用于搬送干燥后的基板W。进退部37可移动地支撑两个机械手35,并且使两个机械手35分别进退。升降旋转部39使机械手35及进退部37绕铅垂轴AX4旋转。另外,升降旋转部39使机械手35及进退部37升降。导轨沿着单片基板搬送区域R3延伸的方向设置,并且设于单片基板搬送区域R3的地面。水平移动部41使两个机械手35及进退部37等沿着导轨在前后方向X上移动。此外,进退部37、升降旋转部39以及水平移动部41分别具备电动马达。
例如,进退部37使第一机械手35前进,从带式输送机机构57接收基板W。然后,进退部37使第一机械手35前进,向第一单片处理室SW1搬送一张基板W。此外,第一中央机器人CR1也可以具备三个以上的机械手35。在具备三个以上机械手35的情况下,第一中央机器人CR1使三个以上的机械手35分别进退。
缓存部33具备多个载置架。多个载置架分别为水平姿势。多个载置架分别能够载置一张基板W。缓存部33将多张基板W以水平姿势空开预定间隔(全间距)沿铅垂方向Z载置。即,多个载置架以预定间隔(全间距)且沿铅垂方向Z配置。缓存部33例如构成为至少能够载置基板操作机构HTR可搬送的25张基板W。此外,缓存部33也可以构成为能够载置两张以上且低于25张的基板W。
此外,缓存部33也可以横跨移载块5和单片基板搬送区域R3配置。即,缓存部33也可以设于移载块5与单片基板搬送区域R3的边界。另外,缓存部33也可以仅设置于移载块5。因此,缓存部33只要固定地设置于移载块5与单片基板搬送区域R3的边界、移载块5以及单片基板搬送区域R3中的任一个即可。第一中央机器人CR1相当于本发明的单片基板搬送机构。
<4-4.单片处理区域R4>
单片处理区域R4与移载块5及单片基板搬送区域R3相邻。单片处理区域R4的一端侧与移载块5相邻,另一端侧沿从移载块5离开的方向(后方X)延伸。另外,单片处理区域R4沿着批量处理区域R1及单片基板搬送区域R3设置。
在单片处理区域R4设置有多个(例如两个)单片处理室SW1、SW2。两个单片处理室SW1、SW2在单片处理区域R4延伸的前后方向X上排列。各单片处理室SW1、SW2对基板W进行逐张处理。第一单片处理室SW1配置相距移载块5最远的位置。第二单片处理室SW2配置于第一单片处理室SW1的前方X。两个单片处理室SW1、SW2也可以以多层构成。例如,也可以是六个单片处理室在前后方向X(水平方向)上按两个配置且在铅垂方向Z上按三个配置。
例如,第一单片处理室SW1具备旋转处理部45和喷嘴47。旋转处理部45具备以水平姿势保持一张基板W的旋转夹头和使旋转夹头绕通过该基板W的中心的铅垂轴旋转的电动马达。
喷嘴47向由旋转处理部45所保持的基板W供给处理液。喷嘴47遍及旋转处理部45离开的待机位置和旋转处理部45的上方的供给位置移动。作为处理液,例如使用纯水(DIW)及IPA(异丙醇)。第一单片处理室SW1例如可以在利用纯水对基板W进行清洗处理后,利用IPA进行预备的干燥处理,也可以在基板W的上表面形成IPA的液膜。
第二单片处理室SW2例如进行利用超临界流体进行的干燥处理。作为流体,使用例如二氧化碳。第二单片处理室SW2具备腔室主体(容器)48、支撑托盘49、盖部51、三根顶针52。腔室主体48具备设于内部的处理空间48A、用于向该处理空间48A放入基板W的开口、供给口以及排气口。支撑托盘49具备用于穿过三根顶针52的三个孔部49A。三根顶针52能够升降。在图1所示的将支撑托盘49从处理空间48A取出的状态时,三根顶针52能够分别通过三个孔部49A。由此,三根顶针52能够从支撑托盘49举起基板W,或者将基板W放下到支撑托盘49。第一中央机器人CR1及第二中央机器人CR2(后述)分别能够在三根顶针52上升时,交接基板W。
基板W一边支撑于支撑托盘49,一边容纳于处理空间48A。盖部51堵塞腔室主体48的开口。例如,第二单片处理室SW2使流体成为超临界状态,从供给口向腔室主体48内的处理空间供给超临界流体。此时,腔室主体48内的处理空间48A的气体从排气口排出。通过供给到处理空间48A的超临界流体,进行对基板W的干燥处理。
超临界状态通过设为流体固有的临界温度和临界压力而得到。具体而言,在流体为二氧化碳的情况下,临界温度为31℃,临界压力为7.38MPa。在超临界状态下,流体的表面张力几乎为零。因此,不会对基板W的图案产生气液界面的影响。因此,不易产生基板W上的图案倒塌。
另外,在单片处理区域R4还设有在第一单片处理室SW1与第二单片处理室SW2之间搬送基板W的第二中央机器人CR2。第二中央机器人CR2从第一单片处理室SW1向第二单片处理室SW2搬送基板W。第二中央机器人CR2除了升降旋转部39的下端部固定于地面,与第一中央机器人CR1同样地构成。第二中央机器人CR2具备两个机械手35、进退部37以及升降旋转部39。各机械手35输送濡湿的基板W。
<4-5.濡湿搬送区域R5>
濡湿搬送区域R5与批量处理区域R1、批量基板搬送区域R2以及单片基板搬送区域R3相邻。濡湿搬送区域R5设于批量处理区域R1的一端侧,且与设有移载块5的侧相反的侧。在濡湿搬送区域R5设置有第二姿势变换部(水中姿势变换部)55、带式输送机机构57以及喷淋头59。
此外,第二姿势变换部55相当于本发明的第二姿势变换机构。喷淋头59相当于本发明的液体供给部。
<4-5-1.第二姿势变换部55>
如图1所示,第二姿势变换部55设置于六个批量处理槽BT1~BT6的列的延长线上。第二姿势变换部55将进行了浸渍处理的多张基板W从铅垂姿势变换成水平姿势。图4是从正面观察第二姿势变换部55的纵剖视图。图5A是从左侧面观察第二姿势变换部55的纵剖视图。图5B是表示第二姿势变换部55的俯视图。
第二姿势变换部55具备槽内托架61、浸渍槽63、旋转机构65、升降机LF9以及推杆67。槽内托架61能够收纳多张(例如25张)基板W。在该情况下,槽内托架61将25张基板W空开预定的间隔(例如全间距)收纳。25张基板W在各基板W的厚度方向上整齐排列。
槽内托架61具备出入口69、两个侧壁71以及内侧开口73。出入口69是用于使基板W出入的开口。两个侧壁71设有多对(例如25对)保持槽75。25对保持槽75分别对置。25对保持槽75收纳通过了出入口69的25张基板W。即,各对保持槽75收纳一张基板W。内侧开口73隔着收纳于槽内托架61的25张基板W与出入口69对置配置。内侧开口73在各基板W的径向(前后方向X)上具有比各基板W的直径小的宽度。由此,各基板W不能从内侧开口73出入。此外,在槽内托架61的出入口69向上时,推杆67能够通过出入口69及内侧开口73。
浸渍槽63容纳槽内托架61和升降机LF9的两根托架支撑部85(后述)。浸渍槽63贮存例如纯水作为浸渍液。由此,能够使槽内托架61浸渍于浸渍槽63内的纯水中。因此,能够防止基板W的干燥。此外,浸渍液不限于纯水,也可以为乙醇。另外,纯水使用例如去离子水(DIW)。浸渍槽63在底面上的前后方向X的两端具备喷出管77。各喷出管77形成为筒状,并且以沿宽度方向Y延伸的方式形成。各喷出管77向浸渍槽63内喷出纯水。
旋转机构65为了使收纳于槽内托架61的25张基板W从铅垂姿势变换为水平姿势,一边利用后述的两根工作轴79A夹持槽内托架61,一边使槽内托架61绕后述的两根工作轴79A旋转。旋转机构65具备两个气缸79和两个电动马达81。
气缸79分别具备沿着前后方向X延伸的工作轴79A。在浸渍槽63形成有两个贯通孔74。两根工作轴79A分别穿过两个贯通孔74。两个气缸79使两根工作轴79A沿着前后方向X前进,从而利用两根工作轴79A夹持槽内托架61的两个侧壁71。由此,两根工作轴79A和槽内托架61成为一体。另外,两个气缸79使两根工作轴79A沿着前后方向X后退,从而将利用两根工作轴79A夹持槽内托架61的状态释放。各工作轴79A相当于本发明的旋转轴。
两个电动马达81使两个气缸79绕两根工作轴79A(水平轴)旋转。由此,两个电动马达81能够使被两根工作轴79A夹着的槽内托架61旋转。
升降机LF9具备背板部83、两根托架支撑部85以及托架升降部87。背板部83沿铅垂方向Z延伸。背板部83具有用于使后述的推出部件96通过的背板开口83A。两根托架支撑部85安装于背板部83的下端部,且分别沿宽度方向Y延伸。两根托架支撑部85的间隔比内侧开口73的前后方向X的宽度宽。两根托架支撑部85从下侧支撑槽内托架61。托架升降部87使背板部83及两根托架支撑部85升降,从而使由两根托架支撑部85支撑的槽内托架61升降。托架升降部87具备电动马达。
另外,第二姿势变换部55除了推杆67,还具备铅垂轴89和推杆升降旋转部91。推杆67将多张(例如25张)基板W以铅垂姿势从下侧保持。在推杆67的下表面连接有铅垂轴89的上端。铅垂轴89沿着铅垂方向Z延伸。如图4所示,在浸渍槽63的底部设置有贯通孔93。铅垂轴89穿过贯通孔93。推杆升降旋转部91使推杆67及铅垂轴89升降,且使它们绕铅垂轴AX5旋转。推杆升降旋转部91具备例如多个电动马达。
另外,如图5A所示,第二姿势变换部55具备推出部件96和推出部件进退部98。推出部件96将收纳于槽内托架61的一张基板W推出。在推出部件进退部98的可进退的杆98A的前端部连接有推出部件96。推出部件进退部98使推出部件96沿水平方向进退。推出部件进退部98具备电动马达或气缸。推出部件进退部98在收纳于槽内托架61的多张(例如25张)基板W为水平姿势时,一边使推出部件96从背板开口83A及内侧开口73进入到槽内托架61内,一边将一张基板W通过出入口69推出。此外,也可以通过向基板W的端喷出液体,将基板W从槽内托架61推出。
<4-5-2.带式输送机机构57>
图6A是表示带式输送机机构57的俯视图。图6B是表示带式输送机机构57和喷淋头59的左侧视图。被推出部件96从槽内托架61推出的一张基板W交付给带式输送机机构57。带式输送机机构57从第二姿势变换部55逐张接收水平姿势的基板W,并向单片基板搬送区域R3侧搬送。
带式输送机机构57具备带式输送机101和交付部103。带式输送机101从第二姿势变换部55向交付部103搬送基板W。带式输送机101具备三个带轮105、106、107、三根带状件109A、109B、109C以及电动马达112。
三个带轮105、106、107从第二姿势变换部55侧沿着宽度方向Y按照该顺序配置。三个带轮105、106、107分别被支撑为可绕水平轴AX7、AX8、AX9旋转。另外,带轮107配置于交付部103的后述的三根顶针123的附近。
三根带状件109A、109B、109C分别形成为环状。三根带状件109A、109B、109C各自的截面形成为例如圆形。两根带状件109A、109B分别卷绕于两个带轮105、106。另外,带状件109C配置于两根带状件109A、109B之间,并且卷绕于三个带轮105、106、107。
通过电动马达112使例如带轮105旋转,载置于三根带状件109A~109C的基板W被搬送。另外,由于带状件109C卷绕于带轮107,因此带式输送机101能够使基板W移动至三根顶针123的附近。
交付部103具备三个带轮115、116、117、两根带状件119、121、三根顶针123以及顶针升降部125。三个带轮115、116、117分别可自如地旋转。两个带轮115、116沿着水平轴AX9配置,且夹着带式输送机101的第三带轮107。两个带轮115、116分别被支撑为可绕水平轴AX9旋转。带轮117被支撑为可绕水平轴AX10旋转。带状件119卷绕于两个带轮115、117。另外,带状件121卷绕于两个带轮116、117。
交付部103没有电动马达,因此不能利用自力驱动两根带状件119、121。但是,交付部103也可以具有电动马达,从而使带状件119、121驱动。
此外,带式输送机101具有交付部103的带状件119、121之外的带状件109A~109C。因此,即使在带状件119、121上具有基板W的情况下,也能够使带状件109A~109C上的其它基板W移动。
如图6A所示,三根顶针123配置于两根带状件119、121之间。顶针升降部125使三根顶针123在下侧的待机位置与上侧的交付位置之间升降。在三根顶针123上升到交付位置时,基板W从带状件119、121被抬起。另外,在三根顶针123下降到待机位置时,各顶针123的上端配置于比两根带状件119、121的搬送面127低的位置,以不会妨碍基板W的输送。顶针升降部125具备电动马达或气缸。
如图6B所示,喷淋头59为了使由带式输送机机构57输送的基板W濡湿而供给液体。作为液体,供给例如纯水(DIW)。另外,液体也可以为IPA等乙醇。多个喷淋头59沿着带式输送机101的三根带状件109A~109C(搬送方向)配置成一列。带式输送机101上的水平姿势的基板W的器件面的朝向(箭头AR)为向上。因此,能够在基板W的器件面形成纯水的液膜。此外,濡湿搬送区域R5也可以针对一个带式输送机101具备一个喷淋头59。
<5.控制部>
基板处理装置1具备控制部131(参照图1)和存储部(未图示)。控制部131控制基板处理装置1的各结构。控制部131具备例如中央运算处理装置(CPU)等一个以上的处理器。存储部例如具备ROM(Read-Only Memory)、RAM(Random-Access Memory)以及硬盘中的至少一个。存储部存储为了控制基板处理装置1的各结构而所需的计算机程序。
<6.动作说明>
接着,参照图7的流程图,对基板处理装置1的动作进行说明。参照图1。未图示的外部搬运机器人将一个托架C搬送到装载端口9。
〔步骤S01〕从托架的基板输送
储料器块3的托架搬送机构11从装载端口9向搁架13A搬送托架C。移载块5的基板操作机构HTR从载置于搁架13A的托架C取出水平姿势的25张基板W,并搬送到姿势变换部23。
〔步骤S02〕向铅垂姿势的姿势变换
如图3A~图3C所示,姿势变换部23将25张基板W从水平姿势变换为铅垂姿势,并将铅垂姿势的25张基板W交付到推杆机构25。推杆机构25将铅垂姿势的25张基板W搬送到在移载块5内确定的基板交接位置PP。
〔步骤S03〕药液处理(批量处理)
搬送机构WTR在基板交接位置PP从推杆机构25接收铅垂姿势的25张基板W,并将25张基板W搬送到四个药液处理槽BT1~BT4的四个升降机LF1~LF4中的任一个。
例如,搬送机构WTR将25张基板W搬送到药液处理槽BT1的升降机LF1。升降机LF1在药液处理槽BT1的上方的位置接收25张基板W。升降机LF1使25张基板W浸渍于药液处理槽BT1内的作为药液的磷酸。由此,对25张基板W进行蚀刻处理。在蚀刻处理后,升降机LF1从药液处理槽BT1的磷酸中提起25张基板W。此外,在将25张基板W搬送到其它药液处理槽BT2~BT4的升降机LF2~LF4的每一个的情况下,也进行与药液处理槽BT1同样的处理。
〔步骤S04〕纯水清洗处理(批量处理)
搬送机构WTR从例如升降机LF1(或升降机LF2)接收铅垂姿势的25张基板W,并将25张基板W搬送到水洗处理槽BT5的升降机LF5。升降机LF5在水洗处理槽BT5的上方的位置接收25张基板W。升降机LF5使25张基板W浸渍于水洗处理槽BT5内的纯水。由此,对25张基板W进行清洗处理。
此外,在搬送机构WTR从升降机LF3、LF4的一方接收铅垂姿势的25张基板W的情况下,搬送机构WTR将25张基板W搬送到水洗处理槽BT6的升降机LF6。升降机LF6使25张基板W浸渍于水洗处理槽BT6内的纯水。
在本实施例中,第二姿势变换部55隔着六个批量处理槽BT1~BT6设置于移载块5的相反侧。搬送机构WTR从靠近移载块5的侧的例如批量处理槽BT1(BT3)经由远离移载块5的侧的批量处理槽BT5(BT6)将25张基板W一并搬送到第二姿势变换部55。
〔步骤S05〕向水平姿势的姿势变换
图8A~图10是用于说明第二姿势变换部55的动作的主视图。此外,在升降机LF9的托架支撑部85位于第一高度位置P1时,托架支撑部85位于浸渍槽63的底面附近。在托架支撑部85位于第一高度位置P1时,旋转机构65能够将槽内托架61在浸渍槽63内纵向旋转。在托架支撑部85位于第二高度位置P2时,槽内托架61整体位于浸渍槽63的液面下。在托架支撑部85位于第二高度位置P2时,旋转机构65能够对出入口69朝上的槽内托架61进行夹持动作。
在托架支撑部85位于第三高度位置P3时,能够在槽内托架61与推杆67之间交接25张基板W。在托架支撑部85位于第四高度位置P4时,收纳有水平姿势的25张基板W的槽内托架61位于浸渍槽63内的水面下。
参照图8A。第二姿势变换部55的槽内托架61的出入口69朝上。搬送机构WTR将25张基板W搬送到槽内托架61的上方。参照图8B。然后,推杆升降旋转部91使推杆67上升到能够以铅垂姿势保持25张基板W的高度。由此,推杆67从搬送机构WTR接收25张基板W。此外,推杆67依次通过两根托架支撑部85之间、内侧开口73以及出入口69,上升到25张基板W。
参照图8C。然后,搬送机构WTR打开两个夹头29、30,解除25张基板W的保持,然后,从槽内托架61的上方移动。然后,托架升降部87使托架支撑部85上升到第三高度位置P3。由此,使由推杆67以铅垂姿势保持的25张基板W收纳于槽内托架61。
参照图9A。然后,推杆升降旋转部91使推杆67下降到浸渍槽63的底部。另外,托架升降部87使托架支撑部85下降到第二高度位置P2。由此,使收纳有25张基板W的槽内托架61浸渍于浸渍槽63内的纯水。因此,各基板W的干燥被防止。参照图9B。然后,旋转机构65的两个气缸79使两根工作轴79A前进,从而利用两根工作轴79A夹住槽内托架61(两个侧壁71)(夹持动作)。
参照图9C。然后,托架升降部87使托架支撑部85下降到第一高度位置P1。由此,槽内托架61仅被两根工作轴79A支撑。另外,槽内托架61能够进行纵向旋转。旋转机构65使槽内托架61绕两根工作轴79A(水平轴)旋转90度。由此,一边使器件面向上,一边将25张基板W从铅垂姿势变换为水平姿势。此外,该90度的旋转以使内侧开口73朝向背板部83的方式进行(参照图5A)。
参照图10。然后,托架升降部87使托架支撑部85上升到第四高度位置P4。然后,旋转机构65的两个气缸79使两根工作轴79A后退,从而释放两根工作轴79A对槽内托架61的夹持。由此,槽内托架61仅被托架支撑部85支撑。
〔步骤S06〕基于带式输送机的基板输送
然后,第二姿势变换部55将收纳于槽内托架61的水平姿势的25张基板W从最上层的基板W起依次搬出。如图11A所示,托架升降部87使支撑槽内托架61的托架支撑部85上升,以使最上层的基板W从液面露出。此外,最上层的基板W以外在纯水中待机。然后,推出部件进退部98一边使推出部件96从背板开口83A及内侧开口73进入槽内托架61内,一边将最上层的基板W通过出入口69推出。
通过出入口69推出的基板W(适当称为“第一张基板W”)载置于带式输送机101的三根带状件109A、109B、109C上。参照图6A、图6B。带式输送机101的电动马达112使带轮105旋转,从而使第一张基板W向交付部103侧移动。当该第一张基板W通过两个带轮105、106之间的预定的位置时,第二姿势变换部55搬出第二张基板W。该预定的位置通过例如光学传感器135检测。当光学传感器135检测到第一张基板W的通过时,托架升降部87使托架支撑部85上升,以使上侧的一张基板W从液面露出。然后,如图11B所示,推出部件进退部98通过推出部件96推出第二张基板W。
带式输送机101将基板W搬送到交付部103。在此,多个喷淋头59沿着带式输送机101的三根带状件109A~109C配置。因此,能够在通过带式输送机101搬送基板W的期间防止基板W干燥。带式输送机101的带状件109C配置到三根顶针123的附近,因此能够将基板W搬送到三根顶针123的上方。当基板W被搬送到三根顶针123的上方时,顶针升降部125使顶针123上升,从而能够抬起两根带状件119、121上的基板W。然后,图1所示的第一中央机器人CR1将由三根顶针123所抬起的基板W一边通过第一机械手35保持一边搬送。
〔步骤S07〕第一单片处理
参照图1。第一中央机器人CR1将从顶针123接收的基板W搬送到第一单片处理室SW1。第一单片处理室SW1例如一边通过旋转处理部45使器件面朝上的基板W旋转,一边从喷嘴47向器件面供给纯水。然后,第一单片处理室SW1从喷嘴47对基板W的器件面(上表面)供给IPA,用IPA置换基板W的纯水。
〔步骤S08〕第二单片处理(干燥处理)
然后,第二中央机器人CR2从第一单片处理室SW1取出被IPA濡湿的基板W,并将该基板W搬送到第二单片处理室SW2的三根顶针52。然后,通过使三根顶针52下降,基板W载置于支撑托盘49。然后,支撑托盘49移动到腔室主体48的处理空间48A。
第二单片处理室SW2通过超临界状态的二氧化碳(超临界流体)对基板W进行干燥处理。通过使用超临界流体的干燥处理,基板W的图案面(器件面)的图案倒塌被抑制。在干燥处理后,从处理空间48A取出支撑托盘49。然后,三根顶针52一边通过支撑托盘49的三个孔部49A,一边上升,将干燥处理后的基板W抬起。
〔步骤S09〕从缓存部向托架的基板搬送
第一中央机器人CR1使用第二机械手35从第二单片处理室SW2的三根顶针52将基板W搬送到缓存部33的载置架的任一个。当向缓存部33搬送一批次(25张)的基板W时,基板操作机构HTR将25张基板W从缓存部33一并搬送到载置于搁架13A的空的托架C内。然后,储料器块3内的托架搬送机构11将收纳有处理后的基板W的托架C搬送到装载端口9。未图示的外部搬送机器人将装载端口9的托架C搬送到下一目的地。此外,基板操作机构HTR也可以将基板W从缓存部33逐张返回到载置于搁架13A的托架C。
根据本实施例,濡湿搬送区域R5与批量处理区域R1及单片基板搬送区域R3相邻。在濡湿搬送区域R5设置有第二姿势变换部55、带式输送机机构57以及喷淋头59。第二姿势变换部55设置于六个批量处理槽BT1~BT6的列的延长线上,将进行了浸渍处理的多张基板W从铅垂姿势变换为水平姿势。带式输送机机构57从第二姿势变换部55逐张接收水平姿势的基板W,并搬送到单片基板搬送区域R3。喷淋头59为了使由带式输送机机构57搬送的基板W濡湿而供给液体。带式输送机机构57将被喷淋头59濡湿的基板W从第二姿势变换部55向单片基板搬送区域R3侧输送。单片基板搬送区域R3的第一中央机器人CR1接收由带式输送机机构57搬送来的水平姿势的基板W,并搬送到第一单片处理室SW1。因此,在从批量处理区域R1到单片处理区域R4的基板搬送中,能够防止基板W的干燥。
另外,即使单片基板搬送区域R3从批量处理区域R1分离,由于带式输送机机构57搬送基板W,因此第一中央机器人CR1也容易接收基板W。另外,带式输送机机构57及喷淋头59能够防止基板W的干燥。因此,能够延长搬送路径,由此,能够增加批量处理区域R1和单片处理区域R4的配置的自由度。
另外,单片基板搬送区域R3介于批量处理区域R1与单片处理区域R4之间。由此,移载块5、批量处理区域R1以及单片处理区域R4能够以单片基板搬送区域R3为中心配置。
另外,在单片处理区域R4设置有第一单片处理室SW1和第二单片处理室SW2,还设置有在两室SW1、SW2之间搬送基板W的第二中央机器人CR2。第一中央机器人CR1接收由带式输送机机构57搬送来的水平姿势的基板W并搬送到第一单片处理室SW1,且搬出在第二单片处理室SW2进行了处理的基板W。由此,基板W由两台中央机器人CR1、CR2搬送,因此能够提高吞吐量。
第二姿势变换部55具备能够使槽内托架61浸渍于纯水中的浸渍槽63。因此,能够防止收纳于槽内托架61的基板W的干燥。另外,推出部件进退部98能够通过推出部件96将收纳于槽内托架61的基板W推出。因此,即使不使第一中央机器人CR1的机械手35进入,也能够从槽内托架61取出基板W。
【实施例2】
接着,参照附图对本发明的实施例2进行说明。此外,省略与实施例1重复的说明。图12是表示实施例2的基板处理装置1的概略结构的俯视图。
在实施例1中,如图1所示,单片基板搬送区域R3介于批量处理区域R1与单片处理区域R4之间。这一点,在实施例2中,如图12所示,单片处理区域R4介于批量处理区域R1与单片基板搬送区域R3之间。
即,批量处理区域R1、单片处理区域R4以及单片基板搬送区域R3按照该顺序沿右方Y配置。因此,在图12中,在单片基板搬送区域R3的右方能够配置第二单片处理区域R6。由此,能够隔着单片基板搬送区域R3将单片处理区域R4的相反侧的区域用作第二单片处理区域R6,因此能够配置大量的单片处理室。此外,在批量处理区域R1与单片处理区域R4之间存在用于维护的区域R7,但也可以不存在区域R7。另外,移载块5具备缓存部33。基板操作机构HTR能够沿着轨道136在宽度方向Y上移动。
另外,在图12所示的基板处理装置1中,带式输送机机构57从第二姿势变换部55以直线状将基板W搬送到单片基板搬送区域R3。关于这一点,带式输送机机构57在不能以直线状搬送基板W的情况下,也可以设置成在俯视下,绕过妨碍的因素。由此,带式输送机机构57能够一边绕过障碍物一边搬送基板W,因此能够提高单片处理区域R4等的配置的自由度。
参照图13。有时在单片处理区域R4中,在两个单片处理室SW1、SW2的后方X设置有例如侧壳体137。在侧壳体137例如设置有用于供给药液的瓶、药液配管、纯水配管以及排气管道的至少一个。在该情况下,由于夹设有单片处理区域R4的侧壳体137,带式输送机机构57不能从第二姿势变换部55向单片基板搬送区域R3以直线状搬送基板W。障碍物不限于侧壳体137,例如,也可以是单片处理室。
因此,带式输送机机构139具备例如三台(n台)带式输送机141、143、145和例如两台(n-1台)方向变换部147、149。此外,“n”是2以上的自然数。第二姿势变换部55朝向后方X。即,推出部件进退部98使推出部件96沿着前后方向X进退。
在第二姿势变换部55的后方X设有第一带式输送机141。在第一带式输送机141的后方X设有第一方向变换部147。在第一方向变换部147的右方Y设有第二带式输送机143。在第二带式输送机143的右方Y设有第二方向变换部149。在第二方向变换部149的前方X设有第三带式输送机145。在第三带式输送机145的前方X设有交付部103(参照图6B)。
三台带式输送机141~145和两台方向变换部147、149分别为了驱动带状件151(151A)而具备电动马达。另外,第一方向变换部147为了在搬送方向不同的两台带式输送机141、143之间搬送基板W而改变基板W的搬送方向。如图14A所示,第一方向变换部147具备两个带轮153、154、卷绕于带轮153、154的两根带状件151A、能够旋转地支撑两个带轮153、154的支撑部件155以及升降旋转部157。升降旋转部157使支撑部件155升降,且使支撑部件155绕铅垂轴AX15旋转。此外,第二方向变换部149与第一方向变换部147同样地构成。此外,升降旋转部157具备例如多个电动马达。
此外,在图14A、图14B中,两台带式输送机141、143分别具有带轮158。此外,第三带式输送机145(图13)也具有带轮158。如图14A所示,例如,第二带式输送机143配置于比第一带式输送机141高的位置。另外,第三带式输送机145配置于比第二带式输送机143低的位置。此外,第三带式输送机145也可以配置于比第二带式输送机143高的位置。
在此,对第一方向变换部147的动作进行说明。参照图14A。基板W由第一带式输送机141搬送到第一方向变换部147。如图14B所示,第一方向变换部147在与两台带式输送机141、143不干涉的高度使两个带轮153、154及支撑部件155等绕铅垂轴AX15旋转。然后,第一方向变换部147使两个带轮153、154上升到与第二带式输送机143(带轮158)相同的高度。然后,第一方向变换部147利用电动马达使带状件151A驱动,从而将基板W搬送到第二带式输送机143。
接着,对带式输送机机构139的动作进行说明。第二姿势变换部55的推杆67从搬送机构WTR接收在宽度方向Y上整齐排列的25张基板W。然后,推杆升降旋转部91使推杆67绕铅垂轴AX5旋转90度。由此,25张基板W在前后方向X上整齐排列。第二姿势变换部55在贮存于浸渍槽63的纯水中将在前后方向X上整齐排列的25张基板W从铅垂姿势变换为水平姿势。
然后,第二姿势变换部55通过推出部件96向第一带式输送机141推出基板W。第一带式输送机141将基板W搬送到第一方向变换部147。第一方向变换部147一边使基板W上升,一边改变基板W的搬送方向,将基板W搬送到第二带式输送机143。第二带式输送机143将基板W搬送到第二方向变换部149。第二方向变换部149一边使基板W下降,一边改变基板W的搬送方向,将基板W搬送到第三带式输送机145。第三带式输送机145将基板W搬送到交付部103。交付部103利用三根顶针123将基板W抬起。然后,第一中央机器人CR1使用第一机械手35保持由三根顶针123抬起的基板W,然后,将基板W搬送到第一单片处理室SW1。
沿着三台带式输送机141、143、145各自的带状件151设置有多个喷淋头59。喷淋头59向搬送的基板W以淋浴状供给纯水。因此,在带式输送机机构139中,能够防止基板W的干燥。此外,在各方向变换部147、149也可以设置有喷淋头59。
【实施例3】
接着,参照附图,对本发明的实施例3进行说明。此外,省略与实施例1、2重复的说明。图15是表示实施例3的基板处理装置1的概略结构的俯视图。
在实施例1中,第一中央机器人CR1从带式输送机机构57向第一单片处理室SW1搬送基板W,且从第二单片处理室SW2向缓存部33搬送基板W。另外,第二中央机器人CR2从第一单片处理室SW1向第二单片处理室SW2搬送基板W。关于这一点,在实施例3中,第一中央机器人CR1从第二单片处理室SW2向缓存部33搬送基板W。另外,第二中央机器人CR2从带式输送机机构57向第一单片处理室SW1搬送基板W,且从第一单片处理室SW1向第二单片处理室SW2搬送基板W。
在单片处理区域R4设有两个单片处理室SW1、SW2,还设有配置于两室SW1、SW2之间的第二单片基板搬送区域R8。濡湿搬送区域R5设于批量处理区域R1的一端侧且与设置有移载块5的侧相反的侧。单片基板搬送区域R3具有移载块5侧的移载块侧搬送区域R31和带式输送机机构57侧的带式输送机侧搬送区域R32。
在移载块侧搬送区域R31设置有第一中央机器人CR1。第一中央机器人CR1搬出在第二单片处理室SW2进行了处理的基板W。即,第一中央机器人CR1将在第二单片处理室SW2进行了处理的基板W搬送到缓存部33。在第二单片基板搬送区域R8及带式输送机侧搬送区域R32设置有第二中央机器人CR2。第二中央机器人CR2接收由带式输送机机构57搬送来的水平姿势的基板W,并搬送至第一单片处理室SW1。另外,第二中央机器人CR2将在第一单片处理室SW1进行了处理的基板W搬送到第二单片处理室SW2。第二中央机器人CR2能够在第二单片基板搬送区域R8与带式输送机侧搬送区域R32之间沿宽度方向Y移动。
根据本实施例,第一中央机器人CR1能够仅搬送干燥处理后的基板W,并且第二中央机器人CR2能够仅搬送濡湿的基板W。
【实施例4】
接着,参照附图对本发明的实施例4进行说明。此外,省略与实施例1~3重复的说明。图16是表示实施例4的基板处理装置1的概略结构的俯视图。
在实施例1中,濡湿搬送区域R5设于批量处理区域R1的一端侧且与设置有移载块5的侧相反的侧。关于这一点,在实施例4中,濡湿搬送区域R5介于移载块5与批量处理区域R1之间。
根据本实施例,濡湿搬送区域R5配置于移载块5的附近。因此,第一中央机器人CR1能够以移载块5侧为基点搬送基板W。另外,由于能够将药液处理槽BT1~BT4放置于从移载块5离开的位置,因此能够抑制移载块5的基板操作机构HTR等机构被药液气氛腐蚀等不良影响。
另外,濡湿搬送区域R5也可以介于批量处理区域R1的例如两个批量处理槽BT3、BT4之间。由此,能够以六个批量处理槽BT1~BT6的列的中央侧为基点搬送基板W。
本发明不限于上述实施方式,能够如下述地变形实施。
(1)在上述的各实施例中,带式输送机机构57(139)具有多个喷淋头59,防止了输送中的基板W的干燥。关于这一点,带式输送机机构57(139)例如也可以如图17所示,在贮存于浸渍槽63的纯水中搬送基板W。在该情况下,例如,喷出管77相当于本发明的液体供给部。另外,作为液体供给部,喷淋头59对基板W供给淋浴状的纯水。关于这一点,液体供给部也可以对基板W供给雾状的纯水。
(2)在上述的各实施例及变形例(1)中,处理块7除了第一中央机器人CR1,还具备第二中央机器人CR2。关于这一点,根据需要,处理块7也可以不设置第二中央机器人CR2。在该情况下,第一中央机器人CR1从第一单片处理室SW1向第二单片处理室SW2搬送基板W。
(3)在上述的各实施例及各变形例中,各批量处理槽BT1~BT6对以全间距(例如10mm)且以面对背形式整齐排列的25张基板W进行处理。面对背形式是全部的基板W的器件面朝向相同方向排列。关于这一点,各批量处理槽BT1~BT6也可以对以全间距的一半的间隔即半间距(例如5mm)整齐排列的50张基板W进行处理。
此外,图5A所示的推出部件96一边与水平姿势的基板W的端部接触,一边将基板W水平地推出。因此,即使50张基板W以半间距且以面对背方式整齐排列,也能够不扩大两张基板W的间隔地通过推出部件96取出一张基板W。
另外,各批量处理槽BT1~BT6也可以对以面对面方式整齐排列的50张基板W进行处理。面对面方式是相邻的两张基板W的两个器件面(或两个背面)面对面的排列。在该情况下,批量基板搬送区域R2除了搬送以半间距整齐排列的50张基板W的搬送机构WTR,还具备能够从以半间距整齐排列的50张基板W中抽出每隔一张地整齐排列的25张基板W的第二搬送机构。第二搬送机构从例如水洗处理槽BT5的升降机LF5向推杆67搬送25张基板W。
(4)在上述的各实施例及各变形例中,单片处理室SW2使用超临界流体进行基板W的干燥处理。关于这一点,单片处理室SW2与单片处理室SW1同样地,也可以具备旋转处理部45和喷嘴47。在该情况下,单片处理室SW1、SW2分别例如在将纯水及IPA按照该顺序向基板W供给后,进行基板W的干燥处理(旋转干燥)。
本发明在不脱离其思想或本质的情况下能够以其它具体的形式实施,因此,作为表示发明的范围的记载,应参照附加的权利要求,而不是以上的说明。
Claims (8)
1.一种基板处理装置,其连续进行将多张基板一并处理的批量处理和将基板逐张处理的单片处理,该基板处理装置的特征在于,具备:
托架载置架,其载置将多张基板以水平姿势空开预定间隔沿铅垂方向收纳的托架;
移载块,其与所述托架载置架相邻;以及
处理块,其与所述移载块相邻,
所述移载块具备:
第一姿势变换机构,其将从所述托架取出的所述多张基板从水平姿势变换为铅垂姿势;以及
基板操作机构,其从载置于所述托架载置架的所述托架一并取出所述多张基板并搬送到所述第一姿势变换机构,而且使进行了所述单片处理的基板返回载置于所述托架载置架的所述托架,
所述处理块具备:
批量处理区域,其沿从所述移载块离开的方向延伸;
批量基板搬送区域,其沿着所述批量处理区域设置,且一端侧延伸至所述移载块,另一端侧沿从所述移载块离开的方向延伸;
单片基板搬送区域,其沿从所述移载块离开的方向延伸;
单片处理区域,其沿着所述单片基板搬送区域设置;以及
濡湿搬送区域,其与所述批量处理区域及所述单片基板搬送区域相邻,
在所述批量处理区域沿该区域延伸的方向排列有对多张基板一并进行浸渍处理的多个批量处理槽,
在所述濡湿搬送区域设有:设于所述多个批量处理槽的列的延长线上,且将进行了所述浸渍处理的所述多张基板从铅垂姿势变换为水平姿势的第二姿势变换机构;从所述第二姿势变换机构逐张接收水平姿势的基板并搬送到所述单片基板搬送区域的带式输送机机构;以及为了使由所述带式输送机机构搬送的基板濡湿而供给液体的液体供给部,
在所述单片处理区域沿该区域延伸的方向排列有将基板逐张处理的多个单片处理室,
在所述单片基板搬送区域设有单片基板搬送机构,该单片基板搬送机构能够接收由所述带式输送机机构搬送来的水平姿势的基板并搬送到所述单片处理室,且搬出在所述单片处理室进行了处理的基板,
在所述批量基板搬送区域设有批量基板搬送机构,该批量基板搬送机构在确定于所述移载块内的基板交接位置、所述多个批量处理槽以及所述第二姿势变换机构之间将多张基板一并搬送。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述单片基板搬送区域介于所述批量处理区域与所述单片处理区域之间。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述单片处理区域设有第一单片处理室和第二单片处理室作为所述多个单片处理室,且还设有在两室之间搬送基板的第二单片基板搬送机构,
所述单片基板搬送机构接收由所述带式输送机机构搬送来的水平姿势的基板并搬送到所述第一单片处理室,且将在所述第二单片处理室进行了处理的基板搬出。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述单片处理区域介于所述批量处理区域与所述单片基板搬送区域之间。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
所述濡湿搬送区域设于所述批量处理区域的一端侧且与设置有所述移载块的侧相反的侧,
在由于介有所述单片处理区域而不能够从所述第二姿势变换机构向所述单片基板搬送区域以直线状搬送基板的情况下,所述带式输送机机构在俯视下设置成绕过所述单片处理区域。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述濡湿搬送区域介于所述移载块与所述批量处理区域之间。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述单片处理区域设有第一单片处理室和第二单片处理室作为所述多个单片处理室,且还设有配置于两室之间的第二单片基板搬送区域,
所述濡湿搬送区域设于所述批量处理区域的一端侧且与设置有所述移载块的侧相反的侧,
所述单片基板搬送区域具有所述移载块侧的移载块侧搬送区域和所述带式输送机机构侧的带式输送机侧搬送区域,
在所述第二单片基板搬送区域及所述带式输送机侧搬送区域设有第二单片基板搬送机构,该第二单片基板搬送机构接收由所述带式输送机机构搬送来的水平姿势的基板并搬送到所述第一单片处理室,而且将在所述第一单片处理室进行了处理的基板搬送到所述第二单片处理室,
所述单片基板搬送机构搬出在所述第二单片处理室进行了处理的基板。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第二姿势变换机构具备:
槽内托架,其具有用于使基板出入的出入口,并且具有设置成用于收纳通过了所述出入口的所述多张基板的多对保持槽分别对置的两个侧壁,其中,具备隔着所述多张基板与所述出入口对置配置且在各基板的径向上具有比各基板的直径小的宽度的内侧开口;
浸渍槽,其为了使所述槽内托架浸渍于浸渍液而贮存浸渍液;
托架支撑部,其从下侧支撑所述槽内托架;
托架升降部,其使所述托架支撑部升降;
旋转机构,其为了将所述多张基板从铅垂姿势变换为水平姿势,而一边利用沿水平方向延伸的两根旋转轴夹持所述槽内托架的所述两个侧壁,一边使所述槽内托架绕所述两根旋转轴旋转;
推出部件,其用于将收纳于所述槽内托架的一张基板推出;以及
推出部件进退部,其使所述推出部件在水平方向上进退,
所述推出部件进退部在收纳于所述槽内托架的所述多张基板为水平姿势时,一边使所述推出部件从所述内侧开口进入所述槽内托架内,一边将所述一张基板通过所述出入口推出。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022-152835 | 2022-09-26 | ||
JP2022152835A JP2024047292A (ja) | 2022-09-26 | 2022-09-26 | 基板処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117766442A true CN117766442A (zh) | 2024-03-26 |
Family
ID=88146687
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202311200617.3A Pending CN117766442A (zh) | 2022-09-26 | 2023-09-18 | 基板处理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240105486A1 (zh) |
EP (1) | EP4345867A1 (zh) |
JP (1) | JP2024047292A (zh) |
KR (1) | KR20240043686A (zh) |
CN (1) | CN117766442A (zh) |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57154854A (en) * | 1981-03-20 | 1982-09-24 | Hitachi Ltd | Processing device for plate type material |
JPH036581U (zh) | 1990-05-09 | 1991-01-22 | ||
KR20060002266A (ko) * | 2004-07-01 | 2006-01-09 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치의 제조장치 |
DE102007061410A1 (de) * | 2007-12-11 | 2009-06-18 | Gebr. Schmid Gmbh & Co. | Verfahren und Vorrichtung zum Vereinzeln von Wafern von einem Waferstapel |
CN104813438B (zh) * | 2012-11-28 | 2017-07-25 | 盛美半导体设备(上海)有限公司 | 半导体硅片的清洗方法和装置 |
JP6685213B2 (ja) * | 2016-09-29 | 2020-04-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板整列装置、基板処理装置、基板配列装置、基板整列方法、基板処理方法および基板配列方法 |
JP7359610B2 (ja) * | 2019-09-13 | 2023-10-11 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP7336955B2 (ja) | 2019-10-10 | 2023-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム、及び基板処理方法 |
-
2022
- 2022-09-26 JP JP2022152835A patent/JP2024047292A/ja active Pending
-
2023
- 2023-09-14 KR KR1020230122461A patent/KR20240043686A/ko unknown
- 2023-09-18 CN CN202311200617.3A patent/CN117766442A/zh active Pending
- 2023-09-21 EP EP23198871.8A patent/EP4345867A1/en active Pending
- 2023-09-22 US US18/472,922 patent/US20240105486A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2024047292A (ja) | 2024-04-05 |
KR20240043686A (ko) | 2024-04-03 |
EP4345867A1 (en) | 2024-04-03 |
US20240105486A1 (en) | 2024-03-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20100109357A (ko) | 기판처리장치 및 기판반송방법 | |
JP2020109787A (ja) | 基板処理装置および基板搬送方法 | |
TW202043121A (zh) | 基板處理裝置、載具搬送方法及載具緩衝裝置 | |
TWI729653B (zh) | 基板處理裝置及基板搬送方法 | |
CN117766442A (zh) | 基板处理装置 | |
US20240105482A1 (en) | Substrate treating apparatus | |
WO2024062683A1 (ja) | 基板処理装置 | |
WO2024062762A1 (ja) | 基板処理装置 | |
KR20240041247A (ko) | 기판 처리 장치 | |
WO2024042815A1 (ja) | 基板処理装置 | |
CN117747488A (zh) | 基板处理装置 | |
TW202416420A (zh) | 基板處理裝置 | |
TW202410254A (zh) | 基板處理裝置 | |
US20240066715A1 (en) | Substrate treating apparatus | |
WO2024062799A1 (ja) | 基板処理装置 | |
WO2024062695A1 (ja) | 基板処理装置 | |
KR20230175105A (ko) | 기판 처리 장치 | |
TW202414664A (zh) | 基板處理裝置 | |
CN117747480A (zh) | 基板处理装置 | |
CN117438336A (zh) | 基板处理装置 | |
KR20240041248A (ko) | 기판 처리 장치 | |
TW202324530A (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |