CN117672796A - 终点检测窗的清洁方法及真空作业设备 - Google Patents

终点检测窗的清洁方法及真空作业设备 Download PDF

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CN117672796A CN202211065074.4A CN202211065074A CN117672796A CN 117672796 A CN117672796 A CN 117672796A CN 202211065074 A CN202211065074 A CN 202211065074A CN 117672796 A CN117672796 A CN 117672796A
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张彬彬
苏財钰
陈洋
王鹏鹏
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Chongqing Kangjia Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd
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Abstract

本发明涉及一种终点检测窗的清洁方法及真空作业设备。该清洁方法中在拆除终点检测探头后，通过加热器件从终点检测窗外壁所在的一侧对该终点检测窗进行加热，从而使得附着在终点检测窗上的沉积膜气化，并被真空反应腔对应的抽气系统抽吸到腔外。这种方案不需要更换终点检测窗，更不需要对真空反应腔进行开腔，使得真空反应腔可以时钟维持在高真空状态，在终点检测窗被清洁完成以后，真空作业设备可以立即投入生产，有利于提升设备产能，降低维护成本。

Description

终点检测窗的清洁方法及真空作业设备
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种终点检测窗的清洁方法及真空作业设备。
背景技术
EPD(End Point Detection，终点检测)在半导体制造过程中应用普遍，例如在干法刻蚀工艺中，需要通过EPD检测刻蚀过程，从而控制刻蚀时间。由于不同物质一般发射不同谱线且谱线强度与物质的多少相关，所以EPD探头可以通过设置在真空反应腔的腔体上的终点检测窗对真空反应腔内的反应物量或生成物量进行监测，从而确定工艺执行时间。但在真空反应腔内的反应生成物会逐渐附着沉积到终点检测窗上，久而久之EPD探头便无法准确侦测到谱线，这种情况下需要破真空来更换洁净的终点检测窗，但真空作业设备一旦被破真空，往往需要较长的时间才能重新投入生产，例如，对于干法刻蚀设备，在破真空后至少会影响12h的产能。
因此，如何降低终点检测窗维护过程对设备产能的影响是目前亟待解决的问题。
发明内容
鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种终点检测窗的清洁方法及真空作业设备，旨在解决更换终点检测窗严重影响真空作业设备产能的问题。
本申请提供一种终点检测窗的清洁方法，包括：
拆除终点检测探头，以使安装于真空反应腔的腔体上的终点检测窗外露，终点检测窗具有朝向真空反应腔的内壁及与内壁相对的外壁；
采用加热器件从外壁所在的一侧对终点检测窗进行加热，至附着在终点检测窗内壁上的沉积膜气化；以及
控制真空反应腔对应的抽气系统将腔内气体抽吸到腔外。
上述终点检测窗的清洁方法，在拆除终点检测探头后，通过加热器件在腔体外部对终点检测窗进行加热，从而使得附着在终点检测窗内壁上的沉积膜气化，并被真空反应腔对应的抽气系统抽吸到腔外。这种清洁方案不需要更换终点检测窗，更不需要对真空反应腔进行开腔，使得真空反应腔可以时钟维持在高真空状态，在终点检测窗被清洁完成以后，真空作业设备可以立即投入生产，有利于提升设备产能，降低维护成本。
可选地，加热器件为加热作业面的形状、尺寸与外壁的形状、尺寸相同的加热片，采用加热器件从外壁所在的一侧对终点检测窗进行加热包括：
将加热片贴合外壁设置；
控制加热片进行加热工作。
上述终点检测窗的清洁方法中，在加热过程中加热器件紧贴终点检测窗的外壁，这样有利于提升加热效果，加快清洁速度。而且因为加热器件为加热作业面的形状、尺寸与终点检测窗外壁的形状、尺寸相同的加热片，因此当将加热片与终点检测窗对齐并贴合之后，终点检测窗的各区域均可以被加热到，不需要进行加热器件的移动操作，而且可以提升终点检测窗受热的均匀性，维护终点检测窗的品质。
可选地，加热温度为300～500℃。
可选地，采用加热器件从外壁所在的一侧对终点检测窗进行加热包括：
采用加热器件从外壁所在的一侧对终点检测窗持续加热10～15min。
可选地，拆除终点检测探头之前，还包括：
根据真空反应腔对应的射频时数和终点检测探头检测到的光谱强度中的至少一种确定终点检测窗需要清洁；
发送清洁提示信息，以提示启动清洁流程。
上述终点检测窗的清洁方法中，清洁流程是否需要启动可以基于真空反应腔对应的射频时数和终点检测探头检测到的光谱强度中的至少一种进行判定，这样有利于准确把握终点检测窗的清洁时机，平衡清洁需求与真空作业设备产能之间的矛盾。
可选地，加热器件的加热工作与抽气系统的气体抽吸工作同步进行。
上述终点检测窗的清洁方法中，加热器件的加热工作与抽气系统的气体抽吸工作同步进行，这样可以保证沉积膜气化后形成的气体能即时被抽吸出去，避免这些气体凝华后再次附着在真空反应腔内，提升了清洁效率。
基于同样的发明构思，本申请还提供一种真空作业设备，包括：
形成真空反应腔的腔体；
设置于腔体上且透光的终点检测窗，终点检测窗具有朝向真空反应腔的内壁及与内壁相对的外壁；
抽气系统；以及
加热器件；
其中，加热器件被配置从外壁所在的一侧对终点检测窗进行加热，至附着在终点检测窗内壁上的沉积膜气化；抽气系统被配置为将真空反应腔内的气体抽吸到腔外。
上述真空作业设备具有加热器件，在对终点检测窗内壁上的沉积膜进行清理的时候，可以直接通过加热器件在腔体外部对终点检测窗进行加热，从而使得附着在终点检测窗上的沉积膜气化，并被真空反应腔对应的抽气系统抽吸到设备外部。这种方案不需要更换终点检测窗，更不需要对真空反应腔进行开腔，使得真空反应腔可以时钟维持在高真空状态，在终点检测窗被清洁完成以后，真空作业设备可以立即投入生产，有利于提升设备产能，降低维护成本。
可选地，加热器件为加热片，且加热片的加热作业面的形状、尺寸与外壁的形状、尺寸相同。
上述真空作业设备的加热器件为形状、尺寸与终点检测窗相同的加热片，因此当将加热片与终点检测窗对齐并贴合之后，终点检测窗的各区域均可以被加热到，不需要进行加热器件的移动操作，而且可以提升终点检测窗受热的均匀性，维护终点检测窗的品质。
可选地，加热片为电加热片和微波加热片中的任意一种。
可选地，真空作业设备为干法刻蚀设备，终点检测窗为厚度大于等于10mm的蓝宝石片，加热器件的加热温度为202～1900℃。
上述真空作业设备为干法刻蚀设备，终点检测窗为蓝宝石片，蓝宝石片的厚度大于等于10mm，这样可以确保终点检测窗能够承受真空反应腔内、外的压差。而加热器件的加热温度为202～1900℃，这既可以确保将干法刻蚀设备终点检测窗上常见的沉积膜(例如GaCl3)气化，又不会超过终点检测窗的工作温度，不会影响干法刻蚀设备的性能与可靠性。
附图说明
图1为本发明一可选实施例中示出的EPD探头与终点检测窗的一种配合示意图；
图2为本发明一可选实施例中提供的终点检测窗的清洁方法的流程示意图；
图3为本发明另一可选实施例中提供的真空作业设备的一种结构示意图。
附图标记说明：
11-腔体；12-终点检测窗；13-EPD探头；30-真空作业设备；31-腔体；310-真空反应腔；32-终点检测窗；33-抽气系统；34-加热器件。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
为了确保EPD探头在不接触真空反应腔的腔体的情况下也能对真空反应腔内物质发射的谱线进行检测，通常情况下，如图1所示，会在真空反应腔的腔体11上开孔，并在开孔位置处覆盖透光的终点检测窗12，例如可以是蓝宝石片、石英片等，一方面利用终点检测窗12与腔体11维持腔内的高真空环境，另一方面通过终点检测窗12向EPD探头13提供侦测窗口。
毫无疑义的是，如果真空反应腔内的反应生成物沉积在终点检测窗上，就会影响EPD探头对光谱强度检测的准确性，甚至可能导致EPD检测不到光谱，进而会影响真空作业设备作业的精准程度。以干法刻蚀设备为例，如果EPD探头无法准确检测光谱强度，就无法准确把握干法刻蚀流程的结束时刻，这样就会导致生产出的半导体器件良率低。
所以，一旦确定终点检测窗上的沉积膜影响到了终点检测的准确性，则工程人员会停止真空作业设备的运行，并对真空反应腔破真空，然后实现终点检测窗的更换。但真空反应腔一旦开腔之后，至少会停机12h，也即真空作业设备至少12h不能投入生产，这严重影响了真空作业设备的稼动率。
基于此，本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
本申请一可选实施例：
本实施例首先提供一种终点检测窗的清洁方法，请参见图2所示：
S202：拆除终点检测探头，以使安装于真空反应腔的腔体上的终点检测窗外露。
腔体与终点检测窗一起围合形成了一封闭空间(即真空反应腔)，在本实施例中，将腔体与终点检测窗朝向真空反应腔的一侧作为“内”，将腔体与终点检测窗背向真空反应腔的一侧作为“外”。因此，终点检测窗具有朝向真空反应腔的内壁(也可称为“内表面”)以及背向该内壁的外壁(也可称为“外表面”)。可以理解的是，EPD探头是安装在腔外的，与终点检测窗的外壁相对。
为了对终点检测窗进行清洁，需要先将遮挡终点检测窗的EPD探头拆除，从而使得终点检测窗外露出来。通常情况下，EPD探头通过法兰接头与螺栓连接在真空反应腔的腔体上，位置对应于终点检测窗，真空反应腔内物质发射的光谱透过终点检测窗被EPD探头侦测到。所以，工程人员在拆除EPD探头时，可以通过拆卸法兰接头上的螺栓实现。可以理解的是，真空反应腔内外压差巨大，终点检测窗安装在腔体上，其必须有足够承受该压差的强度，在本实施例的一些示例中，终点检测窗可以为蓝宝石片，例如，厚度不低于10mm的蓝宝石片。不过本领域技术人员可以理解的是，在其他一些真空作业设备中，终点检测窗也可以由其他具有透光性能的材料形成，例如石英等。
在本实施例中，真空作业设备是指在作业时需要在真空反应腔内维持真空状态的设备，通常情况下，真空作业设备的真空反应腔至少达到高真空状态，所谓高真空状态是指气压在1.333×10-1～1.333×10-6Pa之间的真空状态。
S204：采用加热器件从终点检测窗外壁所在的一侧对该终点检测窗进行加热，至附着在终点检测窗内壁上的沉积膜气化。
外露终点检测窗之后，可以采用加热器件从真空反应腔的外部对终点检测窗进行加热，即从终点检测窗外壁所在的一侧进行加热，以使得附着在终点检测窗内壁上的沉积膜气化。毫无疑义的是，加热温度至少应当超过沉积膜的气化温度。在本实施例的一些示例中，沉积于终点检测窗内壁的沉积膜主要为GaCl3，其沸点为201℃，因此加热温度须超过201℃。
除此以外，加热器件的加热温度也不能过高，其至少不能使终点检测窗熔化，以终点检测窗为蓝宝石材质为例，加热温度须小于2040℃；如果终点检测窗为石英材质，则加热温度不能超过1750℃。不过，本领域技术人员可以理解的是，因为终点检测窗需要通过固定结构(固定螺丝等)安装于真空反应腔的腔体上，因此加热温度也必须确保不会损坏这些固定结构，在本实施例的一些示例加热温度不会超过终点检测窗的工作温度，终点检测窗的工作温度即终点检测窗正常工作的最大温度，超过该工作温度，终点检测窗就无法在腔体上正常工作，例如可能存在终点检测窗与真空反应腔的腔体间的连接不可靠的问题。
在本实施例的一些示例中，将加热器件的加热温度设置在300～500℃(可包含端点值)的范围中，例如，可以为300℃、350℃、410℃、463℃或者500℃等，上述温度范围内的加热温度既能确保对沉积膜的清洁效果，也能维护真空作业设备的可靠性。不过本领域技术人员可以理解的是，加热温度也可以低于300℃，但高于沉积膜的气化温度，或者高于500℃，但低于终点检测窗的工作温度。
在本实施例中，可以选择能够较为精准地控制温度的加热器件实现清洁流程，例如电加热器件或者是微波加热器件等。在本实施例的部分示例中加热器件可以为加热片，加热片是指厚度尺寸较小，但具有两个面积较大的相对表面的片状加热器件，如微波加热片和电阻加热片。在采用加热片对终点检测窗加热时，可以将加热片紧贴终点检测窗的外表面。一些示例中加热片为形状、尺寸与终点检测窗外壁的形状、尺寸相同的加热片，这里所说的形状、尺寸仅指加热片的加热作业面的形状、尺寸，对于终点检测窗与加热片的厚度尺寸是否相同，这里不做限定。应当理解的是，如果加热片的加热作业面的形状、尺寸与终点检测窗的外壁的形状、尺寸相同，则意味着加热片对齐终点检测窗被贴合设置在终点检测窗上以后，不需要通过移动加热片就能使得终点检测窗外表面的所有区域都可以被加热片覆盖，各个区域都能够较为均匀地接收加热片的热传导，确保终点检测窗受热均匀。在另一些示例中，加热片的加热作业面的面积小于终点检测窗的外表面面积，在这种情况清洁终点检测窗的过程中，需要对加热片进行移动，以使得加热片对终点检测窗的不同区域进行加热。另外，本领域技术人员可以理解的是，加热片对终点检测窗进行加热时，也并不是必须紧贴终点检测窗的外壁，例如其与终点检测窗的外壁之间可以间隔其他热传导介质。
应当明白的是，因为加热器件是从真空反应腔的外部进行加热作业，因此不需要对真空反应腔进行开腔，在加热器件作业的过程中，真空反应腔内依旧保持高真空状态。
S206：控制真空反应腔对应的抽气系统将腔内气体抽吸到腔外。
在终点检测窗内壁上的沉积膜被气化后，可以通过真空反应腔对应的抽气系统将沉积膜形成的气体抽吸到真空反应腔外部。可以理解的是，抽气系统可以等加热器件将所有的沉积膜都气化之后再工作；不过，在本实施例的另外一些示例中，抽气系统的抽吸工作可以与加热器件的加热工作同步进行，这样可以避免沉积膜形成的气体在温度降低后液化或者凝华，加热的同时同步进行气体抽吸，不仅有利于提升清洁效率，而且能够提升清洁效果。不过本领域技术人员应当理解的是，这里所说的“同步”并不严格要求加热器件与抽气系统同步启动并同步关闭，只要在抽气系统与加热器件的工作时间存在至少部分重叠即可。当然抽气系统与加热器件同步启停自然也是可以的。在本实施例的一些示例中，可以先启动加热器件工作一段时间后再启动抽气系统，在关闭加热器件之后再关闭抽气系统；也可以先启动抽气系统之后再启动加热器件，在关闭加热器件之后再关闭抽气系统，或者关闭加热器件的同时关闭抽气系统。通常情况下，抽气系统停止工作的时间不会早于加热器件停止工作的时间，但本实施例中也不严格排除抽气系统先于加热器件停止工作的方案，例如，在加热器件将终点检测窗上的沉积膜除尽后，加热器件还可以持续工作一段时间，在这器件，抽气系统可以先行关闭。
在本实施例的一些示例中，加热器件的加热作业可以持续进行，例如，加热器件以300～500℃的加热温度，对终点检测窗持续加热10～15min。在这种情况下，抽气系统的抽气作业可以持续进行，也可以断续进行，例如抽气系统工作一段时间后会进入休眠周期，待休眠周期结束后继续进行气体抽吸；另一些示例中加热器件也可以断续作业，不过清洁流程花费的总时间会更长。
在本实施例的一些示例中，在真空作业设备，例如干法刻蚀设备作业的过程中，对终点检测窗是否需要清洁进行监测，例如，可以根据干法刻蚀设备的射频时数(也即电浆的实际工作时长)进行监测，在射频时数达到预设时数的情况下，判定终点检测窗需要被清洁。另一些示例中，可以根据EPD探头侦测到的光谱强度判定终点检测窗是否需要被清洁，通常情况下，射频时数超过50h后，终点检测窗上沉积的脏污便无法让EPD探头有效侦测到光谱，EPD探头检测到的光谱强度一般低于10cd，但在终点检测窗洁净的情况下，EPD探头侦测到的光谱强度可以100cd。在这些示例中，可以向真空作业设备的机台预设一个光谱强度，机台从EPD探头处获取EPD探头检测到的光谱强度，并将该光谱强度与预设光谱强度进行比对，从而确定终点检测窗是否需要被清洁，即是否需要启动清洁流程。
在确定需要启动清洁流程的情况下，真空作业设备的机台可以发出清洁提示信息，以提醒工程人员拆除EPD探头启动针对终点检测窗的清洁。在本实施例的一些示例中，真空作业设备机台可以直接通过人机交互界面向工程人员发出提示信息；另外一些示例中，真空作业设备的机台还可以通过声、光提示信息发出提示信息；还有一些示例中，真空作业设备的机台可以与工程人员的移动终端通信，将清洁提示信息发送到移动终端上，便于不在真空作业设备附近的工程人员注意到终点检测窗的清洁需求。
上述终点检测窗的清洁方法，可以在不对真空反应腔进行破真空的情况下实现终点检测窗的清洁，这样的维护方案相较于破真空更换终点检测窗或其他破真空的清洁方案，能够将真空作业设备的停机时间从12h缩减到0.5h左右，显著提升了真空作业设备的稼动率与产能。
本申请另一可选实施例：
本实施例提供一种真空作业设备，请参见图3所示出的该真空作业设备的一种结构示意图：
真空作业设备30包括腔体31、终点检测窗32、抽气系统33与加热器件34，其中，腔体31围合形成了真空反应腔310，终点检测窗32设置在腔体31上，其一个表面朝向真空反应腔310内，另一表面朝向真空反应腔310外。
抽气系统33用于将真空反应腔310内的气体抽吸到腔外，应当理解的是，当抽气系统33作业时，真空反应腔310与腔外是通过抽气系统33连通的，且气体只能向腔外单向流动，但当抽气系统33停止作业时，真空反应腔310内外就不能再通过抽气系统33连通了。
加热器件34在真空作业设备30上的位置是可以移动的，在使用加热器件34对终点检测窗32进行清洁的时候，加热器件34的加热作业面对着终点检测窗32的外表面，甚至可以将加热器件的加热作业面贴合到终点检测窗32的外表面。但在加热器件34的加热工作结束后，又必须让加热器件34离开终点检测窗32，以便在终点检测窗32外安装EPD探头。
在本实施例的一些示例中，加热器件34可以为加热片，其具有两个面积较大的相对表面，但厚度相对较小，如微波加热片和电阻加热片。在采用加热片对终点检测窗加热时，可以将加热片紧贴终点检测窗的外表面。一些示例中加热片的加热作业面的形状、尺寸与终点检测窗的外表面的形状、尺寸相同，因此，当将加热片对齐终点检测窗32被贴合设置在终点检测窗32的外表面以后，不需要通过移动加热片就能使得终点检测窗32外表面的所有区域都可以被加热片覆盖，各个区域都能够较为均匀地接收加热片的热传导，确保终点检测窗32受热均匀。在另一些示例中，加热片的加热作业面的面积小于终点检测窗32的外表面面积，在这种情况清洁终点检测窗32的过程中，需要对加热片进行移动，以使得加热片对终点检测窗32的不同区域进行加热。
在本实施例的一些示例中，终点检测窗32可以为蓝宝石片，因为蓝宝石片具有较大的硬度，能够承受较大的压差，在本实施例的一种示例中，真空作业设备30为干法刻蚀设备，而终点检测窗32为蓝宝石片，且终点检测窗32的厚度大于等于10mm。在对氮化镓半导体材料进行刻蚀的过程中，形成的附着于蓝宝石片内壁上的反应生成为主要为GaCl3，为了去除GaCl3，本实施例中可以控制加热器件34采用202～1900℃的温度对蓝宝石片进行加热，在部分示例中，可以将加热温度控制在300～500℃。
本领域技术人员应当理解的是，除了蓝宝石片以外，石英等材料也可以在一些真空作业设备30中作为终点检测窗32使用；另外真空作业设备30除了干法刻蚀设备以外，还可以是PECVD(等离子增强化学气相淀积)设备、离子注入机(IBI)、磁控溅射台(MSA)、反应离子刻蚀系统(RIE)等。
本实施例提供的真空作业设备30，带有加热器件34，当真空作业设备30的终点检测窗32内表面沉积过多反应生成物后，可以在拆除EPD探以后，利用加热器件34对终点检测窗34进行加热，使得反应生成物形成的沉积膜被气化，然后被真空作业设备30的抽气系统33抽吸排出，从而实现对终点检测窗34的清洁，避免了对真空反应腔破真空，导致真空作业设备30长时间停机，影响其稼动率与产能的问题。
本申请又一可选实施例：
本实施例提供一种针对干法刻蚀设备上终点检测窗的清洁方法：干法刻蚀设备具有真空反应腔，真空反应腔的腔体上开设有一空洞，在孔洞处设置有厚度不小于10mm的蓝宝石片，该蓝宝石片可作为EPD探头检测真空反应腔内物质光谱的窗口，即终点检测窗口。蓝宝石片的厚度大于等于10mm，可以确保其不至于被真空反应腔内外的压差压碎。
在干法刻蚀设备作业的过程中，蓝宝石片的内表面上逐渐沉积GaCl3，影响EPD探头检测结果的准确性，可以理解的是，如果EPD探头的检测结果不准确，则半导体的制造良率就会偏低。但如果开腔更换蓝宝石片，则又会导致干法刻蚀设备长时间停机，影响其产能。通过分析之后发现，蓝宝石片内表面上的沉积膜主要成分为GaCl3，所以可以在拆卸EPD探头后，利用加热器件对蓝宝石片进行加热，使得GaCl3被气化；与此同时，可以控制干法刻蚀设备的抽气系统进行抽气作业，将气化后的GaCl3抽吸排出。对蓝宝石片的清洁结束后，可以重新装上EPD探头，让干法刻蚀设备投入生产中。在清洁蓝宝石片的过程中，加热器件可以持续工作10～15min，再加上清洁前拆卸EPD探头的时间与清洁后重新安装EPD探头的时间，总时长在30min左右，这相较于对真空反应腔破真空并重新更换蓝宝石片的做法，极大地缩减了干法刻蚀设备的停机时间，提升了干法刻蚀设备的稼动率。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种终点检测窗的清洁方法，其特征在于，包括：
拆除终点检测探头，以使安装于真空反应腔的腔体上的所述终点检测窗外露，所述终点检测窗具有朝向所述真空反应腔的内壁及与所述内壁相对的外壁；
采用加热器件从所述外壁所在的一侧对所述终点检测窗进行加热，至附着在所述内壁上的沉积膜气化；以及
控制所述真空反应腔对应的抽气系统将腔内气体抽吸到腔外。
2.如权利要求1所述的终点检测窗的清洁方法，其特征在于，所述加热器件为加热作业面的形状、尺寸与所述外壁的形状、尺寸相同的加热片，所述采用加热器件从所述外壁所在的一侧对所述终点检测窗进行加热包括：
将所述加热片贴合所述外壁设置；
控制所述加热片进行加热工作。
3.如权利要求1所述的终点检测窗的清洁方法，其特征在于，所述加热温度为300～500℃。
4.如权利要求3所述的终点检测窗的清洁方法，其特征在于，所述采用加热器件从所述外壁所在的一侧对所述终点检测窗进行加热包括：
采用所述加热器件从所述外壁所在的一侧对所述终点检测窗持续加热10～15min。
5.如权利要求1所述的终点检测窗的清洁方法，其特征在于，所述拆除终点检测探头之前，还包括：
根据所述真空反应腔对应的射频时数和所述终点检测探头检测到的光谱强度中的至少一种确定所述终点检测窗需要清洁；
发送清洁提示信息，以提示启动清洁流程。
6.如权利要求1-5任一项所述的终点检测窗的清洁方法，其特征在于，所述加热器件的加热工作与所述抽气系统的气体抽吸工作同步进行。
7.一种真空作业设备，其特征在于，包括：
形成真空反应腔的腔体；
设置于所述腔体上且透光的终点检测窗，所述终点检测窗具有朝向所述真空反应腔的内壁及与所述内壁相对的外壁；
抽气系统；以及
加热器件；
其中，所述加热器件被配置从所述外壁所在的一侧对所述终点检测窗进行加热，至附着在所述内壁上的沉积膜气化；所述抽气系统被配置为将所述真空反应腔内的气体抽吸到腔外。
8.如权利要求7所述的真空作业设备，其特征在于，所述加热器件为加热片，且所述加热片的加热作业面的形状、尺寸与所述外壁的形状、尺寸相同。
9.如权利要求8所述的真空作业设备，其特征在于，所述加热片为电加热片和微波加热片中的任意一种。
10.如权利要求7-9任一项所述的真空作业设备，其特征在于，所述真空作业设备为干法刻蚀设备，所述终点检测窗为厚度大于等于10mm的蓝宝石片，所述加热器件的加热温度为202～1900℃。
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