CN117642048B - 锡基钙钛矿前驱体组合物、锡基钙钛矿薄膜及太阳能电池 - Google Patents
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- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 116
- 239000002243 precursor Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 30
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 35
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims abstract description 19
- CUDGTZJYMWAJFV-UHFFFAOYSA-N tetraiodogermane Chemical compound I[Ge](I)(I)I CUDGTZJYMWAJFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 30
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000012296 anti-solvent Substances 0.000 claims description 14
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 9
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 7
- -1 hydrazino compound Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 4
- SBMMOLKBPGETHC-UHFFFAOYSA-N [I].NC=N Chemical group [I].NC=N SBMMOLKBPGETHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 3
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- QEZYDNSACGFLIC-UHFFFAOYSA-N CN.[I] Chemical compound CN.[I] QEZYDNSACGFLIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 abstract description 14
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000004001 molecular interaction Effects 0.000 abstract 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 17
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 10
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- JTDNNCYXCFHBGG-UHFFFAOYSA-L tin(ii) iodide Chemical compound I[Sn]I JTDNNCYXCFHBGG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 8
- OFLXLNCGODUUOT-UHFFFAOYSA-N acetohydrazide Chemical compound C\C(O)=N\N OFLXLNCGODUUOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- FXEBKHIHECCEFH-UHFFFAOYSA-N amino(methyl)azanium;formate Chemical compound C[NH2+]N.[O-]C=O FXEBKHIHECCEFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- ATYWTDRPXVGCSB-UHFFFAOYSA-N C(=O)O.C(C1=CC=CC=C1)NN Chemical compound C(=O)O.C(C1=CC=CC=C1)NN ATYWTDRPXVGCSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 4
- ANOBYBYXJXCGBS-UHFFFAOYSA-L stannous fluoride Chemical compound F[Sn]F ANOBYBYXJXCGBS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 229960002799 stannous fluoride Drugs 0.000 description 4
- 229940108184 stannous iodide Drugs 0.000 description 4
- PNKUSGQVOMIXLU-UHFFFAOYSA-N Formamidine Chemical compound NC=N PNKUSGQVOMIXLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 230000009878 intermolecular interaction Effects 0.000 description 3
- 239000002667 nucleating agent Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 229910008449 SnF 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 125000000051 benzyloxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])O* 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 229960003350 isoniazid Drugs 0.000 description 2
- QRXWMOHMRWLFEY-UHFFFAOYSA-N isoniazide Chemical compound NNC(=O)C1=CC=NC=C1 QRXWMOHMRWLFEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- WFJRIDQGVSJLLH-UHFFFAOYSA-N methyl n-aminocarbamate Chemical compound COC(=O)NN WFJRIDQGVSJLLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- SYMANHMLHCZKCT-UHFFFAOYSA-N 1,1'-biphenyl;1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1.C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 SYMANHMLHCZKCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHJPGANWSLEMTI-UHFFFAOYSA-N aminomethylideneazanium;iodide Chemical class I.NC=N QHJPGANWSLEMTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXUBZLMIGSAPEJ-UHFFFAOYSA-N benzyl n-aminocarbamate Chemical compound NNC(=O)OCC1=CC=CC=C1 RXUBZLMIGSAPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 231100000053 low toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- LLWRXQXPJMPHLR-UHFFFAOYSA-N methylazanium;iodide Chemical class [I-].[NH3+]C LLWRXQXPJMPHLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000013112 stability test Methods 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/50—Organic perovskites; Hybrid organic-inorganic perovskites [HOIP], e.g. CH3NH3PbI3
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/40—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising a p-i-n structure, e.g. having a perovskite absorber between p-type and n-type charge transport layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
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Abstract
本发明提供了一种锡基钙钛矿前驱体组合物、锡基钙钛矿薄膜及太阳能电池，属于半导体材料技术领域。该锡基钙钛矿前驱体组合物包括：酰肼基化合物、卤化亚锡、碘化锗和有机源或无机源卤化物。本发明通过在结晶过程中，在锡基钙钛矿前驱体组合物中引入酰肼基化合物，酰肼基中的‑CO‑、‑C=O、‑NH2的基团与钙钛矿之间发生分子相互作用，促进结晶定向生长，并且延缓结晶速度，有利于后续提高钙钛矿光伏器件的效率及稳定性，促进钙钛矿太阳能电池的实用化进展。
Description
技术领域
本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种锡基钙钛矿前驱体组合物、锡基钙钛矿薄膜及太阳能电池。
背景技术
近年来，钙钛矿太阳能电池（PSC）的光电转化效率从3.8%增加到26.1%，但目前钙钛矿光伏器件活性层主要以含铅卤素钙钛矿为主，铅元素的毒性与污染性始终制约着其商业化应用。因此，锡（Sn）基钙钛矿太阳能电池以其低毒、合适的带隙、高光吸收系数、低激子结合能等优异的光电属性受到广泛关注。
然而，锡基钙钛矿因其路易斯酸性导致快速结晶使薄膜致密性差、晶格应力大，且由于Sn的5s电子较易失去，Sn2+易被氧化为Sn4+从而失去活性，致使钙钛矿活性层中缺陷密度较高。非辐射复合中心多，载流子输运受到阻碍，使得锡基钙钛矿太阳能电池的效率与稳定性都受到较大限制。
因此，亟需探索一种新的锡基钙钛矿薄膜。
发明内容
针对上述技术问题，本发明提供一种锡基钙钛矿前驱体组合物、锡基钙钛矿薄膜及太阳能电池，以期至少部分地解决上述提及的技术问题中的至少之一。
为实现上述目的，本发明的技术方案如下。
作为本发明的第一方面，提供了一种锡基钙钛矿前驱体组合物，包括：酰肼基化合物、卤化亚锡、碘化锗和有机源或无机源卤化物。
在本发明的一些实施方式中，酰肼基化合物的通式为R1C（=O）NR2NR3R4；其中，R1选自甲氧基（-OCH3）、甲基（-CH3）或苄氧基（－OCH2Ph）；R2、R3、R4分别独立地选自氢、甲基、羟基或羧基中的至少一种。
在本发明的一些实施方式中，酰肼基化合物、卤化亚锡、碘化锗、有机/无机源卤化物的摩尔比为（0.01~0.03）：1.1：0.05：1。酰肼基化合物具体包括肼甲酸甲酯、肼甲酸苄酯、乙酰肼或异烟肼中的至少一种；有机/无机源卤化物包括甲脒碘或甲胺碘。
作为本发明的第二方面，提供了一种锡基钙钛矿薄膜，由锡基钙钛矿前驱体溶液和反溶剂制备而成；其中，锡基钙钛矿前驱体溶液为如上述的锡基钙钛矿前驱体组合物的有机溶液。
在本发明的一些实施方式中，锡基钙钛矿前驱体溶液中酰肼基化合物的摩尔浓度为0.009~0.027mol/L。
在本发明的一些实施方式中，反溶剂包括氯苯、甲苯、氯苯与酰肼基化合物的混合液、甲苯与酰肼基化合物的混合液中的至少一种；锡基钙钛矿前驱体溶液与反溶剂的添加体积比为1：2~1：15。
在本发明的一些实施方式中，锡基钙钛矿前驱体溶液的溶剂由N，N-二甲基甲酰胺和二甲基亚砜组成，N，N-二甲基甲酰胺和二甲基亚砜的体积比是3：1~5：1。
在本发明的一些实施方式中，锡基钙钛矿薄膜是通过如下步骤获得：在惰性气体氛围下，将锡基钙钛矿前驱体溶液涂覆于基材，在涂覆过程中施加反溶剂于锡基钙钛矿前驱体溶液上；在涂覆结束后，于75~85℃的温度下退火，退火时间为15~25min，得到锡基钙钛矿薄膜。
在本发明的一些实施方式中，锡基钙钛矿薄膜的厚度为260~300nm。
作为本发明的第三方面，提供了一种太阳能电池，使用如上述的锡基钙钛矿薄膜作为吸光层。
基于上述技术方案，本发明的锡基钙钛矿前驱体组合物、锡基钙钛矿薄膜及太阳能电池至少具有以下有益效果其中之一或其中一部分：
（1）本发明通过在锡基钙钛矿前驱体组合物中引入酰肼基化合物，利用酰肼基化合物中的-CO-、-NH2、-C=O等基团与钙钛矿之间形成配位键和氢键，形成分子间的相互作用。并且利用-CO-、-NH2基团的还原性，抑制Sn2+的氧化。在后续制备锡基钙钛矿薄膜时，在溶液成核过程中，以酰肼基化合物作为表面活性剂或成核剂，以促进结晶定向生长，延缓结晶速度，调控晶体的表面能和形貌，有利于后续调整形成的锡基钙钛矿薄膜的结构和形貌，制备得到较高质量的锡基钙钛矿薄膜。
（2）本发明引入的酰肼基化合物有利于改善锡基钙钛矿薄膜的光电性能，通过调节晶体的形貌和结晶质量，有利于提升器件短路电流，提高制备得到的太阳能电池的光吸收、光电转化效率和稳定性。
附图说明
图1为本发明实施例1制备的锡基钙钛矿太阳能电池的器件结构图；
图2为本发明实施例1制备的锡基钙钛矿太阳能电池与对比例1制备的太阳能电池的光电流密度-电压曲线图；
图3为本发明实施例1制备的锡基钙钛矿太阳能电池的光照稳定性测试图；
图4为本发明实施例1~实施例6分别制备的锡基钙钛矿太阳能电池的光电流密度-电压曲线图。
上述附图中，附图标记含义具体如下：
1-导电衬底；
2-空穴传输层；
3-锡基钙钛矿薄膜层；
4-C60电子传输层；
5-2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲啰啉（BCP）电子传输层；
6-对电极层。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明作进一步的详细说明。
相关技术中使用锡基钙钛矿薄膜时，Sn2+氧化成Sn4+的氧化还原电位较低，Sn2+容易被氧化，使得器件容易被老化分解，并且锡基钙钛矿的晶格中形成锡空位，较高密度的锡空位将导致材料严重的p型掺杂和有限的载流子扩散长度；另一方面，锡基钙钛矿的路易斯酸性较强，结晶过程较快，提高了活性层薄膜的缺陷密度，导致严重的载流子非辐射复合，不利于钙钛矿器件的光伏性能。
有鉴于此，在实现本发明构思的过程中发现，通过在锡基钙钛矿前驱体组合物中引入酰肼基化合物，酰肼基化合物中的-CO-、-NH2、-C=O等基团不仅抑制了Sn2+的氧化，还与钙钛矿之间形成配位键和氢键，形成分子间的相互作用，减缓了钙钛矿薄膜结晶过程，促进了晶粒的定向生长和载流子定向输运，有利于后续制备得到较高质量的锡基钙钛矿薄膜。
具体而言，本发明提供了一种锡基钙钛矿前驱体组合物，包括：酰肼基化合物、卤化亚锡、碘化锗和有机/无机源卤化物。
在本发明的一些实施方式中，通过在锡基钙钛矿前驱体组合物中引入酰肼基化合物，利用酰肼基化合物中的-CO-、-NH2、-C=O等基团与钙钛矿之间形成配位键和氢键，形成分子间的相互作用。并且利用-CO-、-NH2基团的还原性，能够抑制Sn2+的氧化。在后续制备锡基钙钛矿薄膜时，在溶液成核过程中，以酰肼基化合物作为表面活性剂或成核剂，以促进结晶定向生长，延缓结晶速度，调控晶体的表面能和形貌，有利于后续调整形成的锡基钙钛矿薄膜的结构和形貌，制备得到较高质量的锡基钙钛矿薄膜。
在本发明的一些实施方式中，酰肼基化合物的通式为R1C（=O）NR2NR3R4；其中，R1选自甲氧基、甲基或苄氧基；R2、R3、R4分别独立地选自氢、甲基、羟基或羧基中的至少一种。
在本发明的一些实施方式中，酰肼基化合物、卤化亚锡、碘化锗、有机/无机源卤化物的摩尔比为（0.01~0.03）：1.1：0.05：1，例如可以是0.01：1.1：0.5：1、0.02：1.1：0.5：1或0.03：1.1：0.5：1，但并不以此为限。在进行本发明相关实验的过程中发现，当以上原料的投加摩尔比为上述范围时，后续制备得到的锡基钙钛矿薄膜的光电转换效率相对更高。
在本发明的一些实施方式中，酰肼基化合物具体包括肼甲酸甲酯、肼甲酸苄酯、乙酰肼或异烟肼中的至少一种，优选地，酰肼基化合物为肼甲酸甲酯。有机源或无机源卤化物包括甲脒碘或甲胺碘，优选地，有机源或无机源卤化物为甲脒碘。
在本发明的一些实施方式中，卤化亚锡具体包括氟化亚锡和碘化亚锡。氟化亚锡和碘化亚锡的投加摩尔比为0.1：1。
本发明还提供了一种锡基钙钛矿薄膜，由锡基钙钛矿前驱体溶液和反溶剂制备而成；其中，锡基钙钛矿前驱体溶液为上述的锡基钙钛矿前驱体组合物的有机溶液。
在本发明的一些实施方式中，引入含有酰肼基化合物的锡基钙钛矿前驱体溶液，能够以酰肼基化合物作为表面活性剂或成核剂，促进结晶定向生长，调节形成晶体的形貌和结晶质量，有利于提升器件的短路电流。
在本发明的一些实施方式中，锡基钙钛矿前驱体溶液中酰肼基化合物的摩尔浓度为0.009~0.027mol/L，例如可以是0.009mol/L、0.01mol/L、0.012mol/L、0.014mol/L、0.016mol/L、0.018mol/L、0.02mol/L、0.022mol/L、0.024mol/L、0.026mol/L或0.027mol/L，但并不以此为限。
在本发明的一些实施方式中，反溶剂包括氯苯、甲苯、氯苯与酰肼基化合物的混合液、甲苯与酰肼基化合物的混合液中的至少一种。在反溶剂中添加酰肼基化合物能够调控制备得到的锡基钙钛矿薄膜的结晶结构、表面性质以及光电性能，有助于提高锡基钙钛矿薄膜的结晶质量、稳定性以及光电器件的性能。锡基钙钛矿前驱体溶液与反溶剂的添加体积比为1：2~1：15，例如可以是1：2、1：3、1：4、1：5、1：6、1：7、1：8、1：9、1：10、1：11、1：12、1：13、1：14或1：15，但并不以此为限。
在本发明的一些实施方式中，锡基钙钛矿前驱体溶液的溶剂由N，N-二甲基甲酰胺和二甲基亚砜组成，N，N-二甲基甲酰胺和二甲基亚砜能够相互溶解，有助于保持锡基钙钛矿前驱体溶液均匀性和稳定性，避免溶液中出现相分离或沉淀。并且由于N，N-二甲基甲酰胺和二甲基亚砜具有较强的极性，能够有效地溶解锡基钙钛矿前驱体组合物中的物质。另外，上述两者的混合溶剂的粘度相对较低，有助于保证后续形成锡基钙钛矿薄膜的涂覆过程的均匀性和薄膜质量，低粘度的溶液可以更容易地形成均匀的薄膜，并且有利于在基底上实现较高的涂覆速度。N，N-二甲基甲酰胺和二甲基亚砜的体积比例如可以是3：1、4：1或5：1，但并不以此为限。优选地，N，N-二甲基甲酰胺和二甲基亚砜的体积比为4：1。
在本发明的一些实施方式中，锡基钙钛矿薄膜是通过如下步骤获得：在惰性气体氛围下，将锡基钙钛矿前驱体溶液涂覆于基材，在涂覆过程中施加反溶剂于锡基钙钛矿前驱体溶液上。在涂覆结束后，于75~85℃的温度下退火，得到锡基钙钛矿薄膜。其中，退火温度例如可以是75℃、76℃、77℃、78℃、79℃、80℃、81℃、82℃、83℃、84℃或85℃，但并不以此为限。退火时间为15~25min，例如可以是15min、16min、17min、18min、19min、20min、21min、22min、23min、24min或25min，但并不以此为限。
进一步地，涂覆的转速为5000~6500rpm，例如可以是5000rpm、5100rpm、5200rpm、5300rpm、5400rpm、5500rpm、5600rpm、5700rpm、5800rpm、5900rpm、6000rpm、6100rpm、6200rpm、6300rpm、6400rpm或6500rpm，但并不以此为限。涂覆的时间为45~55s，例如可以是45s、46s、47s、48s、49s、50s、51s、52s、53s、54s或55s，但并不以此为限。
在本发明的一些实施方式中，锡基钙钛矿薄膜的厚度为260~300nm，例如可以是260nm、270nm、280nm、290nm或300nm，但并不以此为限。
本发明还提供了一种太阳能电池，使用如上述的锡基钙钛矿薄膜作为吸光层。
在本发明的一些实施方式中，本发明通过在锡基钙钛矿薄膜中引入酰肼基化合物，能够提升锡基钙钛矿薄膜的光吸收系数，从而提高光电转换效率，使太阳能电池更有效地转换光能为电能。酰肼基化合物能够有助于调控钙钛矿薄膜的晶体结构，包括颗粒形貌、晶体尺寸和取向，有助于提高形成的钙钛矿晶体的结晶质量，减小晶界缺陷，改善载流子传输和减少载流子非辐射复合。另外，酰肼基化合物具有一定的还原性，有助于降低锡基钙钛矿薄膜对潮湿环境和氧气的敏感性，提高组装得到的太阳能电池的稳定性，有助于减缓锡基钙钛矿薄膜的老化分解过程，延长太阳能电池的寿命，提高太阳能电池的性能。
在本发明的一些实施方式中，通过将酰肼基化合物添加至钙钛矿前体液中，从旋涂结晶开始时即发挥作用，调控钙钛矿活性层薄膜本身的物化性质以及光电属性。
以下通过对比例、实施例、附图和相关测试实验及其结果来进一步说明本发明。在下面的详细描述中，为便于解释，阐述了许多具体的细节以提供对本发明实施例的全面理解。然而明显地，一个或多个实施例在没有这些具体细节的情况下也可以被实施。而且，在不冲突的情况下，以下各实施例中的细节可以任意组合为其它可行实施例。
需要注意的是，下述的具体实施例仅是作为举例说明，本发明的保护范围并不限于此。下述实施例中使用的化学药品和原料均为市售所得或通过公认的制备方法自制得到。
实施例1：
搭建2%摩尔比的肼甲酸甲酯调控结晶的锡基钙钛矿薄膜的太阳能电池，包括以下步骤：
将ITO透明导电衬底（长×宽：15×15mm）依次在去离子水、玻璃清洗剂、丙酮、异丙醇、乙醇溶液中超声清洗，并在每种溶剂中分别清洗15分钟，在70度恒温烘箱烘干3小时以上，将清洗好的导电衬底在紫外臭氧条件下处理15分钟，得到处理后的ITO透明导电衬底待用。
用移液枪取10μL的聚（3,4-亚乙二氧基噻吩）-聚（苯乙烯磺酸）的水分散液，用旋涂仪旋涂在处理后的ITO透明导电衬底上，具体旋涂工艺参数为：转速5000rpm，运行40秒。旋涂结束后放置在150℃热板上加热10分钟，形成空穴传输层，上述制备过程均在低湿度（10%以下）空气手套箱中进行。
将甲脒氢碘酸盐FAI、碘化亚锡SnI2、氟化亚锡SnF2、碘化锗GeI2、肼甲酸甲酯按摩尔比1：1：0.1：0.05：0.02溶解于N，N-二甲基甲酰胺（DMF）和二甲基亚砜（DMSO）体积比为4：1的混合溶剂中，其中甲脒氢碘酸盐FAI的浓度为0.9mol/L，肼甲酸甲酯的浓度为0.018mol/L，震荡4小时，得到FASnI3的钙钛矿前驱体溶液。
在充满氮气的手套箱内，用移液枪取50μL配置好的钙钛矿前驱液，用旋涂仪均匀旋涂在制备得到的空穴传输层上，具体旋涂工艺参数为：转速6000rpm，运行50秒，在运行第10秒时滴加600μL氯苯反溶剂。在旋涂涂覆结束后，将沉积好的锡基钙钛矿薄膜粗品在氮气氛围、80℃下退火20分钟，制备得到锡基钙钛矿薄膜。
将FASnI3锡基钙钛矿薄膜转移至热蒸发设备中，在2×10-4真空环境下在锡基钙钛矿薄膜上沉积电子传输层C60，厚度为20nm；在C60层接着沉积2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲啰啉（BCP）电子传输层，厚度为6nm。
在制备得到的BCP电子传输层上热蒸镀制备Ag电极，形成对电极，对电极层厚度为100nm。
图1为本发明实施例1制备的锡基钙钛矿太阳能电池的器件结构图。如图1所示，包括从下至上依次排列的导电衬底1、空穴传输层2、锡基钙钛矿薄膜层3、C60电子传输层4、BCP电子传输层5和对电极层6。其中导电衬底1为氧化铟锡（ITO）透明导电衬底，空穴传输层2为厚度是40nm的聚（3,4-亚乙二氧基噻吩）-聚（苯乙烯磺酸）（PEDOT：PSS）空穴传输层，锡基钙钛矿薄膜层3为厚度是280nm的肼甲酸甲酯处理后的锡基钙钛矿薄膜，C60电子传输层4为厚度是20nm的富勒烯层，BCP电子传输层5为厚度是6nm的2，9二甲基4，7联苯1，10邻二氮杂菲层，对电极层6为厚度是100nm的银对电极层。
对比例1：
搭建未添加酰肼基化合物的锡基钙钛矿薄膜的太阳能电池，本对比例1与实施例1的步骤大体相同，不同之处在于制备的钙钛矿前驱体溶液，其由甲脒氢碘酸盐FAI、碘化亚锡SnI2、氟化亚锡SnF2、碘化锗GeI2按摩尔比1：1：0.1：0.05溶解于相同的混合溶剂中。
对实施例1和对比例1制备得到太阳能电池分别进行测试，其测试结果如下所示：
在标准测试条件下（AM1.5光照）进行测试。图2为本发明实施例1制备的锡基钙钛矿太阳能电池与对比例1制备的太阳能电池的光电流密度-电压曲线图。如图2所示，实施例1制备的实验组太阳能电池器件的正向扫描的光电转换效率为12.14％，开路电压为0.591V，短路电流为25.82mA/cm2，填充因子为79.36％。对比例1的太阳能电池器件的正向扫描的光电转换效率为8.69％，开路电压为0.573V，短路电流为20.40mA/cm2，填充因子为74.38％。由此，能够看出添加了肼甲酸甲酯能够调控结晶定向生长，延缓结晶速度，提高短路电流和开路电压，并且提高光电转换效率。
图3为本发明实施例1制备的锡基钙钛矿太阳能电池的光照稳定性测试图。如图3所示，实施例1制备得到的太阳能电池在25℃氮气氛围的手套箱中经过550小时后能够保持90%的初始效率。由此可见，本发明实施例中由酰肼基材料调控结晶的锡基钙钛矿太阳能电池具有良好的光电转换效率和稳定性。
实施例2：
本实施例2的制备过程大体与实施例1相同，相同之处在此不再赘述，不同之处在于将摩尔比为2%的肼甲酸甲酯替换为摩尔比为2%的肼甲酸苄酯，搭建得到锡基钙钛矿太阳能电池。
实施例3：
本实施例3的制备过程大体与实施例1相同，相同之处在此不再赘述，不同之处在于将摩尔比为2%的肼甲酸甲酯替换为摩尔比为2%的乙酰肼，搭建得到锡基钙钛矿太阳能电池。
实施例4：
本实施例4的制备过程大体与实施例1相同，相同之处在此不再赘述，不同之处在于将摩尔比为2%的肼甲酸甲酯替换为摩尔比为0.5%的肼甲酸甲酯，搭建得到锡基钙钛矿太阳能电池。
实施例5：
本实施例5的制备过程大体与实施例1相同，相同之处在此不再赘述，不同之处在于将摩尔比为2%的肼甲酸甲酯替换为摩尔比为4%的肼甲酸甲酯，搭建得到锡基钙钛矿太阳能电池。
实施例6：
本实施例6的制备过程大体与实施例1相同，相同之处在此不再赘述，不同之处在于将摩尔比为2%的肼甲酸甲酯替换为摩尔比为6%的肼甲酸甲酯，搭建得到锡基钙钛矿太阳能电池。
对实施例2~实施例6制备得到太阳能电池分别进行测试，其测试结果如下所示：
在标准测试条件下（AM1.5光照）进行测试。图4为本发明实施例1~实施例6分别制备的锡基钙钛矿太阳能电池的光电流密度-电压曲线图。如图4所示，实施例2中使用摩尔比为2%的肼甲酸苄酯时，制备得到的太阳能器件的正向扫描的光电转换效率为11.05％，开路电压为0.588V，短路电流为25.41mA/cm2，填充因子为74.26％。实施例3中使用摩尔比为2%的乙酰肼时，制备得到的太阳能器件的正向扫描的光电转换效率为8.94%，开路电压为0.581V，短路电流为21.40mA/cm2，填充因子为71.90%。
继续如图4所示，实施例4中使用摩尔比为0.5%的肼甲酸甲酯时，制备得到的太阳能器件的正向扫描的光电转换效率为10.23%，开路电压为0.552V，短路电流为25.42mA/cm2，填充因子为73.27%。实施例5中使用摩尔比为4%的肼甲酸甲酯时，制备得到的太阳能器件的正向扫描的光电转换效率为10.13%，开路电压为0.581V，短路电流为23.76mA/cm2，填充因子为73.78%。实施例6中使用摩尔比为6%的肼甲酸甲酯时，制备得到的太阳能器件的正向扫描的光电转换效率为9.7%，开路电压为0.576V，短路电流为22.52mA/cm2，填充因子为71.11%。
表1示出了本发明实施例1~6以及对比例1制备的锡基钙钛矿太阳能电池的相关参数。如下表1所示，实施例1~实施例3进行同样在2%的摩尔投加比下，不同的酰肼基材料，分别为肼甲酸甲酯、肼甲酸苄酯和乙酰肼的效率指标对比。能够看出在同等的2%的摩尔投加比下，肼甲酸甲酯的对钙钛矿太阳能电池的提升效果最明显，肼甲酸苄酯有一定提升，而乙酰肼的提升效果不明显。因此，使用肼甲酸甲酯是酰肼基材料中较为优选的材料。对比实施例1、实施例4~实施例6能够看出，实施例1中的摩尔投加比为2%时的提升效果最明显，为优选的摩尔投加比。
表1 实施例1~6和对比例1的锡基钙钛矿太阳能电池的工艺参数
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种锡基钙钛矿薄膜，其特征在于，所述锡基钙钛矿薄膜由锡基钙钛矿前驱体溶液和反溶剂制备而成，所述锡基钙钛矿前驱体溶液为锡基钙钛矿前驱体组合物的有机溶液；
其中，所述锡基钙钛矿薄膜是通过如下步骤获得：
在惰性气体氛围下，将所述锡基钙钛矿前驱体溶液涂覆于基材，在涂覆过程中施加所述反溶剂于锡基钙钛矿前驱体溶液上；
在涂覆结束后，于75~85℃的温度下退火，退火时间为15~25min，得到所述锡基钙钛矿薄膜；
所述锡基钙钛矿前驱体组合物包括酰肼基化合物、卤化亚锡、碘化锗和有机源卤化物，所述酰肼基化合物具体为肼甲酸苄酯，所述有机源卤化物为甲脒碘或甲胺碘。
2.根据权利要求1所述的锡基钙钛矿薄膜，其特征在于，所述酰肼基化合物、卤化亚锡、碘化锗、所述有机源卤化物的摩尔比为(0.01~0.03)：1.1：0.05：1。
3.根据权利要求1所述的锡基钙钛矿薄膜，其特征在于，所述锡基钙钛矿前驱体溶液中酰肼基化合物的摩尔浓度为0.009~0.027mol/L。
4.根据权利要求1所述的锡基钙钛矿薄膜，其特征在于，所述反溶剂包括氯苯、甲苯、氯苯与酰肼基化合物的混合液、甲苯与酰肼基化合物的混合液中的至少一种；
其中，所述锡基钙钛矿前驱体溶液与所述反溶剂的添加体积比为1：2~1：15。
5.根据权利要求1所述的锡基钙钛矿薄膜，其特征在于，所述锡基钙钛矿前驱体溶液的溶剂由N，N-二甲基甲酰胺和二甲基亚砜组成，N，N-二甲基甲酰胺和二甲基亚砜的体积比是3：1~5：1。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的锡基钙钛矿薄膜，其特征在于，所述锡基钙钛矿薄膜的厚度为260~300nm。
7.一种太阳能电池，其特征在于，使用如权利要求1~6中任一项所述的锡基钙钛矿薄膜作为吸光层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202410108168.8A CN117642048B (zh) | 2024-01-26 | 2024-01-26 | 锡基钙钛矿前驱体组合物、锡基钙钛矿薄膜及太阳能电池 |
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|---|---|
| CN117642048A CN117642048A (zh) | 2024-03-01 |
| CN117642048B true CN117642048B (zh) | 2024-05-17 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN202410108168.8A Active CN117642048B (zh) | 2024-01-26 | 2024-01-26 | 锡基钙钛矿前驱体组合物、锡基钙钛矿薄膜及太阳能电池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117642048B (zh) |
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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