CN117597002A - 硅基oled微显示器强微腔阳极结构及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种硅基OLED微显示器强微腔阳极结构的制备方法，包括：制备CMOS基板；制备金属阳极层和透明阳极层；在透明阳极层上形成第一PR胶层；在透明阳极层上制备第一阳极结构；在透明阳极层和第一阳极结构上形成第二PR胶层；制备第二阳极结构和第三阳极结构；在透明阳极层、第一阳极结构和第二阳极结构上形成第三PR胶层；在透明阳极层上刻蚀出第一沟槽和第二沟槽，去除第三PR胶层。本发明的硅基OLED微显示器强微腔阳极结构的制备方法，工艺流程简单，成膜及刻蚀次数少，减少因为多次成膜及多次刻蚀导致的良率损失。本发明还公开了一种硅基OLED微显示器强微腔阳极结构。
Description
技术领域
本发明属于半导体技术领域，具体地说，本发明涉及一种硅基OLED微显示器强微腔阳极结构及其制备方法。
背景技术
有机发光二极管(organiclight-emittingdiode,oled)显示技术具有自发光、高对比度、高反应速度等特点，广泛适合应用在移动产品上。
传统的R/G/B子像素相同厚度的阳极已经无法满足高亮度、高色域的要求，为了进一步提升OLED器件的效能和光色，一般会采用强微腔共振的器件结构，即R/G/B子像素阳极厚度各不相同。
现有硅基OLED微显示器强微腔阳极结构在制备时，需要通过多次沉积ITO膜层以及多次刻蚀，存在成膜种类及次数多，流程复杂，Mask多，良率低且满足产能所需投入的设备数量较多等问题。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提供一种硅基OLED微显示器强微腔阳极结构的制备方法，目的是减少成膜及刻蚀次数，提高产品良率。
为了实现上述目的，本发明采取的技术方案为：硅基OLED微显示器强微腔阳极结构的制备方法，包括：
制备CMOS基板；
在CMOS基板上制备金属阳极层，在金属阳极层上制备透明阳极层；
进行第一次清洗、涂布、曝光、显影和固化，在透明阳极层上形成第一PR胶层；
在透明阳极层上制备第一阳极结构；
进行第二次清洗、涂布、曝光、显影和固化，在透明阳极层和第一阳极结构上形成第二PR胶层；
在透明阳极层上制备第二阳极结构和第三阳极结构；
进行第三次清洗、涂布、曝光、显影和固化，在透明阳极层、第一阳极结构和第二阳极结构上形成第三PR胶层；
在透明阳极层上刻蚀出第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽位于第一阳极结构和第二阳极结构之间，第二沟槽位于第二阳极结构和第三阳极结构之间，第一沟槽和第二沟槽延伸至CMOS基板，去除第三PR胶层。
所述第三阳极结构、所述第二阳极结构和所述第一阳极结构的高度尺寸呈台阶状依次变化。
硅片基底上制备CMOS驱动电路，形成所述CMOS基板。
对所述CMOS基板进行清洗后，通过金属溅镀机在CMOS基板上制备所述金属阳极层和所述透明阳极层。
在所述透明阳极层上制备所述第一阳极结构时，首先进行图形化，然后进行干法刻蚀，然后去除所述第一PR胶层，形成第一阳极结构。
所述进行干法刻蚀时采用时间刻蚀模式或者EPD模式控制刻蚀所述透明阳极层时的厚度。
在进行第二次清洗、涂布、曝光、显影和固化后，在所述第一阳极结构上形成的所述第二PR胶层完全覆盖第一阳极结构，在所述透明阳极层上形成的所述第二PR胶层未完全覆盖透明阳极层。
在所述透明阳极层上制备所述第二阳极结构和第三阳极结构时，首先进行图形化，然后进行干法刻蚀，然后去除所述第二PR胶层，形成第二阳极结构和第三阳极结构。
所述进行干法刻蚀时采用时间刻蚀模式或者EPD模式控制刻蚀所述透明阳极层时的厚度。
本发明还提供了一种硅基OLED微显示器强微腔阳极结构，采用上述方法形成。
本发明的硅基OLED微显示器强微腔阳极结构的制备方法，工艺流程简单，成膜及刻蚀次数少，减少因为多次成膜及多次刻蚀导致的良率损失，提高了产品良率；另外可以极大提高设备产能。
附图说明
本说明书包括以下附图，所示内容分别是：
图1是硅基OLED微显示器强微腔阳极结构的结构示意图；
图2a-图2h是硅基OLED微显示器强微腔阳极结构的制备流程示意图；
图中标记为：1、CMOS基板；2、金属阳极层；3、透明阳极层；4、第一PR胶层；5、第二PR胶层；6、第三PR胶层；7、第一阳极结构；8、第二阳极结构；9、第三阳极结构；10、第一沟槽；11、第二沟槽。
具体实施方式
下面对照附图，通过对实施例的描述，对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明，目的是帮助本领域的技术人员对本发明的构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解，并有助于其实施。
需要说明的是，在下述的实施方式中，所述的“第一”、“第二”和“第三”并不代表结构和/或功能上的绝对区分关系，也不代表先后的执行顺序，而仅仅是为了描述的方便。
如图2a至图2h所示，本发明提供了一种硅基OLED微显示器强微腔阳极结构的制备方法，包括如下的步骤：
S1、制备CMOS基板1；
S2、在CMOS基板1上制备金属阳极层2，在金属阳极层2上制备透明阳极层3；
S3、进行第一次清洗、涂布、曝光、显影和固化，在透明阳极层3上形成第一PR胶层4；
S4、在透明阳极层3上制备第一阳极结构7；
S5、进行第二次清洗、涂布、曝光、显影和固化，在透明阳极层3和第一阳极结构7上形成第二PR胶层5；
S6、在透明阳极层3上制备第二阳极结构8和第三阳极结构9；
S7、进行第三次清洗、涂布、曝光、显影和固化，在透明阳极层3、第一阳极结构7和第二阳极结构8上形成第三PR胶层6；
S8、在透明阳极层3上刻蚀出第一沟槽10和第二沟槽11，第一沟槽10位于第一阳极结构7和第二阳极结构8之间，第二沟槽11位于第二阳极结构8和第三阳极结构9之间，第一沟槽10和第二沟槽11延伸至CMOS基板1，去除第三PR胶层6。
具体地说，如图2h所示，第三阳极结构9、第二阳极结构8和第一阳极结构7的高度尺寸呈台阶状依次变化，第三阳极结构9的高度大于第二阳极结构8的高度，第二阳极结构8的高度大于第一阳极结构7的高度，第二阳极结构8位于第一阳极结构7和第三阳极结构9之间。第一阳极结构7、第二阳极结构8和第三阳极结构9的材质为ITO。
如图2a所示，在上述步骤S1中，硅片基底上制备CMOS驱动电路，形成CMOS基板1。
如图2b所示，在上述步骤S2中，对CMOS基板1进行清洗后，通过金属溅镀机在CMOS基板1上制备金属阳极层2和透明阳极层3。金属阳极层2的材质为AL，透明阳极层3的材质为ITO。
在上述步骤S3中，镀膜完成后进行第一次清洗、涂布、曝光(mask1)、显影和固化，在透明阳极层3上形成第一PR胶层4，得到如图2c所示的结构，第一PR胶层4未完全覆盖透明阳极层3。
如图2d所示，在上述步骤S4中，在透明阳极层3上制备第一阳极结构7时，首先进行图形化，然后进行干法刻蚀，然后去除第一PR胶层4，形成第一阳极结构7。
在上述步骤S3中，通过PH工艺完成图形化。
在上述步骤S3中，进行干法刻蚀时采用时间刻蚀模式或者EPD模式控制刻蚀透明阳极层3时的厚度，留下结构需求的透明阳极层3的厚度，再进行去胶-剥离第一PR胶层4(光阻)。去胶完成后，wafer进行清洗去除聚合体(Polymer)，最终可得到图形化Pattern。
在上述步骤S5中，在进行第二次清洗、涂布、曝光、显影和固化后，在第一阳极结构7上形成的第二PR胶层5完全覆盖第一阳极结构7，在透明阳极层3上形成的第二PR胶层5未完全覆盖透明阳极层3。如图2e所示，第二PR胶层5完全覆盖第一阳极结构7的顶面，另一第二PR胶层5覆盖透明阳极层3的顶面的一部分，透明阳极层3的顶面的高度大于第一阳极结构7的顶面的高度。
如图2f所示，在上述步骤S6中，在透明阳极层3上制备第二阳极结构8和第三阳极结构9时，首先进行图形化，然后进行干法刻蚀，然后去除第二PR胶层5，形成第二阳极结构8和第三阳极结构9。
在上述步骤S6中，通过PH工艺完成图形化。
在上述步骤S6中，进行干法刻蚀时采用时间刻蚀模式或者EPD模式控制刻蚀透明阳极层3时的厚度，留下结构需求的透明阳极层3的厚度，再进行去胶-剥离第二PR胶层5(光阻)。去胶完成后，wafer进行清洗去除聚合体(Polymer)，最终可得到图形化Pattern。
在上述步骤S7中，在进行第三次清洗、涂布、曝光、显影和固化后，在第一阳极结构7上形成的第三PR胶层6完全覆盖第一阳极结构7，在第二阳极结构8上形成的第三PR胶层6完全覆盖第二阳极结构8，在第三阳极结构9上形成的第三PR胶层6完全覆盖第三阳极结构9。如图2g所示，第三PR胶层6覆盖第一阳极结构7的顶面的一部分，另一第三PR胶层6覆盖透明阳极层3的顶面的一部分，另一第三PR胶层6覆盖第二阳极结构8的顶面的一部分，另一第三PR胶层6覆盖第三阳极结构9的顶面的一部分，第三阳极结构9的顶面的高度大于第二阳极结构8的顶面的高度，第二阳极结构8的顶面的高度大于第一阳极结构7的顶面的高度。
如图2h所示，在上述步骤S8中，首先进行图形化，然后进行干法刻蚀，刻蚀出第一沟槽10和第二沟槽11，最后去除第三PR胶层6。去胶完成后，wafer进行清洗去除聚合体(Polymer)，最终可得到图形化Pattern。
在上述步骤S8中，通过PH工艺完成图形化。
如图2h所示，在进行干法刻蚀时，通过刻蚀第三PR胶层6未掩盖第一阳极结构7、第二阳极结构8和第三阳极结构9的顶面的部分，在第一阳极结构7的相对两侧均形成有向下延伸至CMOS基板1的沟槽，在第二阳极结构8的相对两侧均形成有向下延伸至CMOS基板1的沟槽，在第三阳极结构9的相对两侧均形成有向下延伸至CMOS基板1的沟槽。
本发明还提供了一种硅基OLED微显示器强微腔阳极结构，采用上述方法形成。
以上结合附图对本发明进行了示例性描述。显然，本发明具体实现并不受上述方式的限制。只要是采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进；或未经改进，将本发明的上述构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.硅基OLED微显示器强微腔阳极结构的制备方法，其特征在于，包括：
制备CMOS基板；
在CMOS基板上制备金属阳极层，在金属阳极层上制备透明阳极层；
进行第一次清洗、涂布、曝光、显影和固化，在透明阳极层上形成第一PR胶层；
在透明阳极层上制备第一阳极结构；
进行第二次清洗、涂布、曝光、显影和固化，在透明阳极层和第一阳极结构上形成第二PR胶层；
在透明阳极层上制备第二阳极结构和第三阳极结构；
进行第三次清洗、涂布、曝光、显影和固化，在透明阳极层、第一阳极结构和第二阳极结构上形成第三PR胶层；
在透明阳极层上刻蚀出第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽位于第一阳极结构和第二阳极结构之间，第二沟槽位于第二阳极结构和第三阳极结构之间，第一沟槽和第二沟槽延伸至CMOS基板，去除第三PR胶层。
2.根据权利要求1所述的硅基OLED微显示器强微腔阳极结构的制备方法，其特征在于，所述第三阳极结构、所述第二阳极结构和所述第一阳极结构的高度尺寸呈台阶状依次变化。
3.根据权利要求1或2所述的硅基OLED微显示器强微腔阳极结构的制备方法，其特征在于，硅片基底上制备CMOS驱动电路，形成所述CMOS基板。
4.根据权利要求1至3任一所述的硅基OLED微显示器强微腔阳极结构的制备方法，其特征在于，对所述CMOS基板进行清洗后，通过金属溅镀机在CMOS基板上制备所述金属阳极层和所述透明阳极层。
5.根据权利要求1至3任一所述的硅基OLED微显示器强微腔阳极结构的制备方法，其特征在于，在所述透明阳极层上制备所述第一阳极结构时，首先进行图形化，然后进行干法刻蚀，然后去除所述第一PR胶层，形成第一阳极结构。
6.根据权利要求5所述的硅基OLED微显示器强微腔阳极结构的制备方法，其特征在于，所述进行干法刻蚀时采用时间刻蚀模式或者EPD模式控制刻蚀所述透明阳极层时的厚度。
7.根据权利要求1至6任一所述的硅基OLED微显示器强微腔阳极结构的制备方法，其特征在于，在进行第二次清洗、涂布、曝光、显影和固化后，在所述第一阳极结构上形成的所述第二PR胶层完全覆盖第一阳极结构，在所述透明阳极层上形成的所述第二PR胶层未完全覆盖透明阳极层。
8.根据权利要求1至7任一所述的硅基OLED微显示器强微腔阳极结构的制备方法，其特征在于，在所述透明阳极层上制备所述第二阳极结构和第三阳极结构时，首先进行图形化，然后进行干法刻蚀，然后去除所述第二PR胶层，形成第二阳极结构和第三阳极结构。
9.根据权利要求8所述的硅基OLED微显示器强微腔阳极结构的制备方法，其特征在于，所述进行干法刻蚀时采用时间刻蚀模式或者EPD模式控制刻蚀所述透明阳极层时的厚度。
10.硅基OLED微显示器强微腔阳极结构，其特征在于，采用如权利要求1至10任一项所述的方法形成。
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