CN118102834A - 一种硅基oled阳极结构的制备方法 - Google Patents
一种硅基oled阳极结构的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN118102834A CN118102834A CN202410187711.8A CN202410187711A CN118102834A CN 118102834 A CN118102834 A CN 118102834A CN 202410187711 A CN202410187711 A CN 202410187711A CN 118102834 A CN118102834 A CN 118102834A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- film layer
- photoresist
- basis
- silicon
- ito
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 47
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 47
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 53
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 21
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 21
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 claims description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 239000007888 film coating Substances 0.000 claims description 2
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了一种硅基OLED阳极结构的制备方法，包括以下步骤：S1、在CMOS基板上镀一层阳极膜层；S2、通过光罩刻蚀出阳极结构；S3、通过一次性ITO成膜形成ITO导电膜层，再通过刻蚀形成B、G和R不同高度的ITO。该硅基OLED阳极结构的制备方法设计合理，通过一次性ITO成膜及多次刻蚀完成腔阳极结构，工艺流程简单，成膜及刻蚀次数少，减少因为多次成膜及多次刻蚀导致的良率损失；另外可以极大提高设备产能。
Description
技术领域
本发明涉及硅基OLED技术领域，尤其是涉及一种硅基OLED阳极结构的制备方法。
背景技术
目前硅基OLED显示技术具有自发光、高对比度、高反应速度等特点，广泛适合应用在移动显示产品上。传统的R/G/B子像素相同厚度的阳极已经无法满足高亮度、高色域的要求，为了进一步提升oled器件的效能和光色，一般会采用强微腔共振的器件结构，即R/G/B子像素阳极厚度各不相同。常见强微腔阳极结构是在通过多次沉积ITO膜层以及多次刻蚀完成强微腔阳极结构，存在成膜种类及次数多，流程复杂，Mask多，良率低且满足产能所需投入的设备数量较多等问题。
如中国专利CN116600621A公开的一种硅基OLED微腔阳极结构的制备方法，包括以下步骤：在衬底上进行黄光制程，保留衬底上两相邻子像素之间的光刻胶；沉积金属反射层后，沉积多层导电膜层，在相邻两层导电膜层沉积之间进行包括负性光刻胶涂布的黄光制程以保留一种子像素上方的负性光刻胶；去除光刻胶后得到微腔阳极结构；其制备方法需要多次沉积ITO膜层。
发明内容
针对现有技术不足，本发明提供一种硅基OLED阳极结构的制备方法，其成膜次数少，流程简单。
为了解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案为：
该硅基OLED阳极结构的制备方法，包括以下步骤：
S1、在CMOS基板上镀一层阳极膜层；
S2、通过光罩刻蚀出阳极结构；
S3、通过一次性ITO成膜形成ITO导电膜层，再通过刻蚀形成B、G和R不同高度的ITO。
所述制备方法各步骤中：
1)在硅片基底上制备CMOS驱动电路，形成CMOS基板；
2)在CMOS基板上通过金属溅镀机镀一层阳极膜层；
3)在阳极膜层上镀上硅复合膜层；
4)在硅复合膜层上涂光刻胶-曝光-显影；
5)在步骤4)基础上对硅复合膜层进行刻蚀形成并排的一组型腔结构；
6)在步骤5)基础上将光刻胶去除；
7)在步骤6)基础上一次性ITO镀膜；
8)在步骤7)基础上对应型腔涂光刻胶，然后进行曝光和显影；
9)在步骤8)基础上首先去除硅复合膜层上的ITO，然后将光刻胶去除；
10)在步骤9)基础上，仅一个型腔不涂光刻胶，其它区域均涂一层光刻胶，然后进行曝光和显影；
11)在步骤10)基础上，对不涂光刻胶一个型腔中的ITO进行刻蚀；
12)在步骤11)基础上将光刻胶去除；
13)在步骤12)基础上，仅另一个型腔不涂光刻胶，其它区域均涂一层光刻胶，然后进行曝光和显影；
14)在步骤13)基础上，对不涂光刻胶另一个型腔中的ITO进行刻蚀；
15)在步骤14)基础上将光刻胶去除；
16)在步骤15)基础上涂光刻胶-曝光-显影；
17)在步骤16)基础上刻蚀形成内切结构，将阳极膜层刻穿；
18)在步骤17)基础上去除光刻胶，使用非导电物填充阳极膜层刻穿位置，从而形成阳极之间不会串电的微腔阳极结构。
其中，
所述步骤2)中，镀膜前进行CMOS基板清洗。
所述步骤3)中，硅复合膜层包括SiO膜层Ⅰ、SiN膜层以及SiO膜层Ⅱ，SiN膜层位于SiO膜层Ⅰ和SiO膜层Ⅱ之间，其SiO膜层Ⅰ、SiN膜层以及SiO膜层Ⅱ均是一次成膜。
所述步骤5)中，一组型腔的尺寸规格相同。
所述步骤7)中，一组型腔中的ITO高度一致。
所述步骤11)和14)中，刻蚀降低型腔中ITO高度。
所述步骤16)中，对应相邻型腔之间硅复合膜层上的光刻胶留有开口。
所述步骤18)中，非导电物为光刻胶或非导电有机物。
所述步骤18)中，填充后进行曝光和显影。
本发明与现有技术相比，具有以下优点：
该硅基OLED阳极结构的制备方法设计合理，通过一次性ITO成膜及多次刻蚀完成强微腔阳极结构，工艺流程简单，成膜及刻蚀次数少，减少因为多次成膜及多次刻蚀导致的良率损失；另外可以极大提高设备产能。
附图说明
下面对本说明书各幅附图所表达的内容及图中的标记作简要说明：
图1为本发明基板示意图。
图2为本发明在基板上镀阳极膜层获得结构示意图。
图3为在图2基础上复合膜层获得结构示意图。
图4为在图3基础上涂胶-曝光-显影获得结构示意图。
图5为在图4基础上刻蚀获得结构示意图。
图6为在图5基础上去胶获得结构示意图。
图7为在图6基础上镀ITO膜获得结构示意图。
图8为在图7基础上涂胶-曝光-显影获得结构示意图。
图9为在图8基础上去除多余ITO膜和胶获得结构示意图。
图10为在图9基础上涂胶-曝光-显影获得结构示意图。
图11为在图10基础上刻蚀获得结构示意图。
图12为在图11基础上去除多余胶获得结构示意图。
图13为在图12基础上涂胶-曝光-显影获得结构示意图。
图14为在图13基础上刻蚀获得结构示意图。
图15为在图14基础上去除多余胶获得结构示意图。
图16为在图15基础上涂胶-曝光-显影获得结构示意图。
图17为在图16基础上刻蚀获得内切结构示意图。
图18为在图17基础上填充后曝光-显影获得结构示意图。
图中：
1.CMOS基板、2.阳极膜层、3.SiO膜层Ⅰ、4.SiN膜层、5.SiO膜层Ⅱ、6.ITO导电膜层、7.光刻胶。
具体实施方式
下面对照附图，通过对实施例的描述，对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。
如图1至图18所示，该硅基OLED阳极结构的制备方法，包括以下步骤：
在硅片基底上制备CMOS驱动电路，形成CMOS基板1，在CMOS基板1上镀一层阳极膜层2；
通过光罩刻蚀出阳极结构；
通过一次性ITO成膜形成ITO导电膜层6，再通过刻蚀形成B、G和R不同高度的ITO。
该硅基OLED阳极结构的制备方法设计合理，通过一次性ITO成膜及多次刻蚀完成腔阳极结构，工艺流程简单，成膜及刻蚀次数少，减少因为多次成膜及多次刻蚀导致的良率损失；另外可以极大提高设备产能。
本发明优选具体制备方法为：
1)在硅片基底上制备CMOS驱动电路，形成CMOS基板1，得到如图1所示结构；
2)镀膜前进行CMOS基板清洗，在CMOS基板上通过金属溅镀机镀一层阳极膜层2，得到如图2所示结构；
3)使用CVD在阳极膜层上镀上硅复合膜层；硅复合膜层包括SiO膜层Ⅰ3、SiN膜层4以及SiO膜层Ⅱ5，SiN膜层位于SiO膜层Ⅰ和SiO膜层Ⅱ之间，其SiO膜层Ⅰ、SiN膜层以及SiO膜层Ⅱ均是一次成膜，得到如图3所示结构；
4)在硅复合膜层上涂光刻胶7，再到曝光机上进行曝光，然后再进行显影，得到如图4所示结构；
5)在步骤4)基础上对硅复合膜层进行刻蚀形成并排的一组型腔结构，一组型腔的尺寸规格相同，得到如图5所示结构；
6)在步骤5)基础上，使用光刻机的去胶腔将光刻胶去除，得到如图6所示结构；
7)在步骤6)基础上一次性ITO镀膜，ITO镀的高度与B,G，R中ITO最高的高度一致，并且一组型腔中的ITO高度一致，得到如图7所示结构；
8)在步骤7)基础上对应型腔涂光刻胶，然后进行曝光和显影，得到如图8所示结构；
9)在步骤8)基础上首先去除硅复合膜层上的ITO，然后将光刻胶去除，得到如图9所示结构；
10)在步骤9)基础上，仅一个型腔不涂光刻胶，其它区域均涂一层光刻胶，然后进行曝光和显影，得到如图10所示结构；
11)在步骤10)基础上，对不涂光刻胶一个型腔中的ITO进行刻蚀，刻蚀降低该型腔中ITO高度形成B-ITO，得到如图11所示结构；
12)在步骤11)基础上将光刻胶去除，得到如图12所示结构；
13)在步骤12)基础上，仅另一个型腔不涂光刻胶，其它区域均涂一层光刻胶，然后进行曝光和显影，得到如图13所示结构；
14)在步骤13)基础上，对不涂光刻胶另一个型腔中的ITO进行刻蚀，刻蚀降低该型腔中ITO高度形成G-ITO，得到如图14所示结构；；
15)在步骤14)基础上将光刻胶去除，得到如图15所示结构；
16)在步骤15)基础上涂光刻胶-曝光-显影，对应相邻型腔之间硅复合膜层上的光刻胶留有开口，得到如图16所示结构；
17)在步骤16)基础上刻蚀形成内切结构，将阳极膜层刻穿，得到如图17所示结构；
18)在步骤17)基础上去除光刻胶，使用非导电物填充阳极膜层刻穿位置，从而形成阳极之间不会串电的微腔阳极结构。
进一步的，非导电物为光刻胶或非导电有机物，填充后进行曝光和显影，得到如18所示结构。
本发明制备强微腔阳极结构工艺流程简单，成膜及刻蚀次数少，减少因为多次成膜及多次刻蚀导致的良率损失。
上述仅为对本发明较佳的实施例说明，上述技术特征可以任意组合形成多个本发明的实施例方案。
上面结合附图对本发明进行了示例性描述，显然本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的构思和技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种硅基OLED阳极结构的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括以下步骤：
S1、在CMOS基板上镀一层阳极膜层；
S2、通过光罩刻蚀出阳极结构；
S3、通过一次性ITO成膜形成ITO导电膜层，再通过刻蚀形成B、G和R不同高度的ITO。
2.如权利要求1所述硅基OLED阳极结构的制备方法，其特征在于：所述制备方法各步骤中：
1)在硅片基底上制备CMOS驱动电路，形成CMOS基板；
2)在CMOS基板上通过金属溅镀机镀一层阳极膜层；
3)在阳极膜层上镀上硅复合膜层；
4)在硅复合膜层上涂光刻胶-曝光-显影；
5)在步骤4)基础上对硅复合膜层进行刻蚀形成并排的一组型腔结构；
6)在步骤5)基础上将光刻胶去除；
7)在步骤6)基础上一次性ITO镀膜；
8)在步骤7)基础上对应型腔涂光刻胶，然后进行曝光和显影；
9)在步骤8)基础上首先去除硅复合膜层上的ITO，然后将光刻胶去除；
10)在步骤9)基础上，仅一个型腔不涂光刻胶，其它区域均涂一层光刻胶，然后进行曝光和显影；
11)在步骤10)基础上，对不涂光刻胶一个型腔中的ITO进行刻蚀；
12)在步骤11)基础上将光刻胶去除；
13)在步骤12)基础上，仅另一个型腔不涂光刻胶，其它区域均涂一层光刻胶，然后进行曝光和显影；
14)在步骤13)基础上，对不涂光刻胶另一个型腔中的ITO进行刻蚀；
15)在步骤14)基础上将光刻胶去除；
16)在步骤15)基础上涂光刻胶-曝光-显影；
17)在步骤16)基础上刻蚀形成内切结构，将阳极膜层刻穿；
18)在步骤17)基础上去除光刻胶，使用非导电物填充阳极膜层刻穿位置，从而形成阳极之间不会串电的微腔阳极结构。
3.如权利要求2所述硅基OLED阳极结构的制备方法，其特征在于：所述步骤2)中，镀膜前进行CMOS基板清洗。
4.如权利要求2所述硅基OLED阳极结构的制备方法，其特征在于：所述步骤3)中，硅复合膜层包括SiO膜层Ⅰ、SiN膜层以及SiO膜层Ⅱ，SiN膜层位于SiO膜层Ⅰ和SiO膜层Ⅱ之间，其SiO膜层Ⅰ、SiN膜层以及SiO膜层Ⅱ均是一次成膜。
5.如权利要求2所述硅基OLED阳极结构的制备方法，其特征在于：所述步骤5)中，一组型腔的尺寸规格相同。
6.如权利要求2所述硅基OLED阳极结构的制备方法，其特征在于：所述步骤7)中，一组型腔中的ITO高度一致。
7.如权利要求2所述硅基OLED阳极结构的制备方法，其特征在于：所述步骤11)和14)中，刻蚀降低型腔中ITO高度。
8.如权利要求2所述硅基OLED阳极结构的制备方法，其特征在于：所述步骤16)中，对应相邻型腔之间硅复合膜层上的光刻胶留有开口。
9.如权利要求2所述硅基OLED阳极结构的制备方法，其特征在于：所述步骤18)中，非导电物为光刻胶或非导电有机物。
10.如权利要求2所述硅基OLED阳极结构的制备方法，其特征在于：所述步骤18)中，填充后进行曝光和显影。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202410187711.8A CN118102834A (zh) | 2024-02-20 | 2024-02-20 | 一种硅基oled阳极结构的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202410187711.8A CN118102834A (zh) | 2024-02-20 | 2024-02-20 | 一种硅基oled阳极结构的制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN118102834A true CN118102834A (zh) | 2024-05-28 |
Family
ID=91141589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202410187711.8A Pending CN118102834A (zh) | 2024-02-20 | 2024-02-20 | 一种硅基oled阳极结构的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN118102834A (zh) |
-
2024
- 2024-02-20 CN CN202410187711.8A patent/CN118102834A/zh active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7947518B2 (en) | Method for forming electronic devices by using protecting layers | |
| CN112420798B (zh) | 硅基oled面板的制备方法 | |
| CN104934548A (zh) | 有源矩阵式有机发光显示器的反射阳极及制作方法 | |
| CN113286916B (zh) | 微型精密掩膜板及其制作方法和amoled显示器件 | |
| US20210226180A1 (en) | Manufacturing method of oled microcavity structure | |
| CN113097242A (zh) | 一种高分辨率微显示器结构及其制备方法 | |
| JP2004218034A (ja) | メタルマスクの製造方法およびメタルマスク | |
| KR102269904B1 (ko) | Oled 증착용 대면적 오픈 메탈 마스크의 제조 방법 | |
| CN118102834A (zh) | 一种硅基oled阳极结构的制备方法 | |
| CN116018034A (zh) | 一种显示器件像素电极结构的制备方法 | |
| CN111029476A (zh) | 显示器及其制备方法 | |
| CN113284931B (zh) | 一种硅基oled微显示器改善像素定义层制备方法 | |
| CN109216405A (zh) | Amoled用金属掩膜板的制造方法 | |
| CN109817692B (zh) | 像素界定层、彩色滤光膜及制造方法、自发光显示面板 | |
| WO2019075808A1 (zh) | 一种oled器件及其制作方法 | |
| CN117597002A (zh) | 硅基oled微显示器强微腔阳极结构及其制备方法 | |
| CN112510068A (zh) | 一种硅基有机电致发光微显示器及其制备方法 | |
| CN115802858B (zh) | 一种oled直接rgb图形化的方法 | |
| CN108396285B (zh) | 掩模板、显示基板及其制作方法、显示装置 | |
| CN117500307A (zh) | Micro OLED的制造方法及Micro OLED显示装置 | |
| CN116723749A (zh) | 一种硅基oled显示器件阳极制作方法 | |
| KR100510691B1 (ko) | 쉐도우 마스크 제작 방법 | |
| CN118076186A (zh) | 一种应用于硅基oled显示器件的新型阳极结构制作方法 | |
| KR20050058361A (ko) | 유기 ｅｌ 장치 및 그의 제조 방법 | |
| US20240147805A1 (en) | Quantum dot pattern, quantum dot light-emitting device, display apparatus, and manufacturing method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication |