CN117500307A - Micro OLED的制造方法及Micro OLED显示装置 - Google Patents
Micro OLED的制造方法及Micro OLED显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117500307A CN117500307A CN202311238432.1A CN202311238432A CN117500307A CN 117500307 A CN117500307 A CN 117500307A CN 202311238432 A CN202311238432 A CN 202311238432A CN 117500307 A CN117500307 A CN 117500307A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- manufacturing
- layer
- micro oled
- pad
- manufactured
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 52
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 6
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了一种Micro OLED的制造方法,包括步骤:进行阳极结构的制作;进行介质层的制作;进行有机发光层和封装层的制作;进行第一平坦层的制作;进行彩膜RGB的制作;进行第二平坦层的制作;在第二平坦层上贴合玻璃盖板;露出Pad;进行切割;进行裂片;以及进行电路板的键合。本发明的Micro OLED的制造方法,通过采用新的工艺流程和使用激光开Pad的方式,使用激光开Pad取代干法刻蚀开Pad工艺,缩短工艺时间,提升产能;采用新的工艺流程,改善激光开Pad工艺过程中的产品污染。本发明还发明了一种Micro OLED显示装置。
Description
技术领域
本发明属于半导体技术领域,具体地说,本发明涉及一种Micro OLED的制造方法及Micro OLED显示装置。
背景技术
硅基Micro OLED显示器件生产制作过程中,主要包括前端的阳极工艺,PDL工艺,OLED+TFE封装工艺,彩膜工艺,Pad open工艺以及后段模组段的贴片,切割,裂片,bonding工艺。
Pad open工艺通常采用干法刻蚀的方式,去除Pad区域覆盖的膜层,然而生产过程中,工艺膜层的层层叠加,导致干法刻蚀去除Pad表面覆盖膜层时,需要金属刻蚀和介子刻蚀切换使用,且膜层厚度相对较厚,导致工艺时间长,甚至需要多次的光刻工艺配合干法刻蚀实现Pad区域所覆盖膜层的去除。
因此,现有的Pad open工艺时间长,干法刻蚀金属介子膜层交替,多次光刻配合:此工艺在生产过程中,前段工艺Pad open时,Pad区域所覆盖膜层厚,且包含金属和介子膜层的交替叠加,干法刻蚀过程中,需要金属刻蚀和介子刻蚀工艺互相切换使用,且需2次光刻或多次光刻配合,导致刻蚀设备产能低。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本发明提供一种Micro OLED的制造方法,目的是缩短工艺时间,提升产能。
为了实现上述目的,本发明采取的技术方案为:Micro OLED的制造方法,包括步骤:
进行阳极结构的制作;
进行介质层的制作;
进行有机发光层和封装层的制作;
进行第一平坦层的制作;
进行彩膜RGB的制作;
进行第二平坦层的制作;
在第二平坦层上贴合玻璃盖板;
露出Pad;
进行切割;
进行裂片;以及
进行电路板的键合。
所述露出Pad包括:
将基板从卡匣传送至工件台上;
通过基板上的Mark坐标对基板进行定位并利用激光将Pad区上的膜层去除;
将基板传送至清洗单元进行表面清洁;以及
再将基板传回至卡匣中。
所述进行阳极结构的制作时,使用PVD工艺沉积金属膜层,然后通过光刻工艺实现图像转移,再采用干刻或湿法刻蚀工艺实现金属阳极图案。
所述进行介质层的制作时,使用CVD设备沉积介质膜层,然后通过光刻工艺实现图像转移,再采用干刻或湿法刻蚀工艺实现PDL膜层。
所述进行有机发光层和封装层的制作时,首先蒸镀有机发光层,然后在有机发光层上制备封装层。
所述进行第一平坦层的制作时,通过使用涂胶显影机和曝光机进行第一平坦层的制作。
所述进行彩膜RGB的制作时,通过使用涂胶显影机和曝光机进行彩膜RGB的制作。
所述在第二平坦层上贴合玻璃盖板时,通过使用贴合机台将玻璃盖板贴合在第二平坦层上。
本发明还提供了一种Micro OLED显示装置,所述Micro OLED使用上述的MicroOLED的制造方法制造得到。
本发明的Micro OLED的制造方法,贴片后再进行激光开Pad,通过采用新的工艺流程和使用激光开Pad的方式,使用激光开Pad取代干法刻蚀开Pad工艺,将Pad金属上面的其它膜层全部去除,缩短工艺时间,提升产能;采用新的工艺流程,改善激光开Pad工艺过程中的产品污染。
附图说明
本说明书包括以下附图,所示内容分别是:
图1是本发明Micro OLED的制造方法的流程图;
图2是阳极结构的制作过程示意图;
图3是介质层的制作过程示意图;
图4是有机发光层和封装层制作后的产品结构示意图;
图5是第一平坦层制作后的产品结构示意图;
图6是彩膜RGB的制作过程示意图;
图7是第二平坦层制作后的产品结构示意图;
图8是Pad Open工艺制作过程示意图;
图9是Micro OLED显示装置的结构示意图;
图中标记为:1、晶圆衬底;2、阳极结构;3、介质层;4、有机发光层和封装层;5、第一平坦层;6-1、彩膜绿色滤光层;6-2、彩膜红色滤光层结构;6-3、彩膜蓝色滤光层结构;7、第二平坦层;8、玻璃盖板;9、Pad区;10、显示区域。
具体实施方式
下面对照附图,通过对实施例的描述,对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明,目的是帮助本领域的技术人员对本发明的构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解,并有助于其实施。
如图1所示,本发明提供了一种Micro OLED的制造方法,包括如下的步骤:
S1、晶圆投放;
S2、进行阳极结构2的制作;
S3、进行介质层3的制作;
S4、进行有机发光层和封装层4的制作;
S5、进行第一平坦层5的制作;
S6、进行彩膜RGB的制作;
S7、进行第二平坦层7的制作;
S8、在第二平坦层7上贴合玻璃盖板8;
S9、露出Pad;
S10、进行切割;
S11、进行裂片;
S12、进行电路板的键合。
具体地说,如图2所示,在上述步骤S2中,进行阳极结构2的制作时,主要使用PVD工艺沉积金属膜层,然后通过光刻工艺实现图像转移,再采用干刻或湿法刻蚀工艺实现金属阳极图案。
如图3所示,在上述步骤S3中,进行介质层3的制作时,主要使用CVD设备沉积介质膜层,然后通过光刻工艺实现图像转移,再采用干刻或湿法刻蚀工艺实现PDL膜层。
如图4所示,在上述步骤S4中,进行有机发光层和封装层4的制作时,使用涂胶显影机和曝光机进行制作,首先在完成阳极图案化的晶圆衬底1上蒸镀有机发光层,然后在有机发光层上制备封装层,封装层覆盖晶圆衬底1上的Pad区9。
如图5所示,在上述步骤S5中,进行第一平坦层5的制作时,通过使用涂胶显影机和曝光机进行第一平坦层5的制作,第一平坦层5位于封装层上。
如图6所示,在上述步骤S6中,进行彩膜RGB的制作时,通过使用涂胶显影机和曝光机进行彩膜RGB的制作,彩膜RGB位于第一平坦层5上,彩膜RGB包括彩膜绿色滤光层6-1、彩膜红色滤光层结构6-2和彩膜蓝色滤光层结构6-3。
如图7所示,在上述步骤S7中,进行第二平坦层7的制作时,通过使用涂胶显影机和曝光机进行第二平坦层7的制作,第二平坦层7位于彩膜RGB上。
如图9所示,在上述步骤S8中,在第二平坦层7上贴合玻璃盖板8时,通过使用贴合机台将玻璃盖板8贴合在第二平坦层7上。
在上述步骤S9中,通过使用激光对晶圆衬底1上的Pad区9所在位置的表面上的封装层进行烧灼,露出Pad包括如下的步骤:
S901、将基板从卡匣传送至工件台上;
S902、通过基板上的Mark坐标对基板进行定位并利用激光将晶圆衬底1上的Pad区9所在位置的表面上的膜层去除,露出下方的Pad区9;
S903、将基板传送至清洗单元进行表面清洁;
S904、再将基板传回至卡匣中。
在上述步骤S10中,进行切割工艺制作:主要使用切割机台,将前道工艺的基板进行die切割;然后进行裂片工艺制作:主要使用裂片机台,将基板上的所有的die进行分离。
在上述步骤S11中,进行bonding工艺制作:主要使用bonding机台实现FPCbonding或PCB bonding。
最后进行终检测试。
另外,如图9所示,本发明还提供了一种Micro OLED显示装置,Micro OLED显示装置使用上述的Micro OLED的制造方法制造得到。
以上结合附图对本发明进行了示例性描述。显然,本发明具体实现并不受上述方式的限制。只要是采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进;或未经改进,将本发明的上述构思和技术方案直接应用于其它场合的,均在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.Micro OLED的制造方法,其特征在于,包括步骤:
进行阳极结构的制作;
进行介质层的制作;
进行有机发光层和封装层的制作;
进行第一平坦层的制作;
进行彩膜RGB的制作;
进行第二平坦层的制作;
在第二平坦层上贴合玻璃盖板;
露出Pad;
进行切割;
进行裂片;以及
进行电路板的键合。
2.根据权利要求1所述的Micro OLED的制造方法,其特征在于,所述露出Pad包括:
将基板从卡匣传送至工件台上;
通过基板上的Mark坐标对基板进行定位并利用激光将Pad区上的膜层去除;
将基板传送至清洗单元进行表面清洁;以及
再将基板传回至卡匣中。
3.根据权利要求1所述的Micro OLED的制造方法,其特征在于,所述进行阳极结构的制作时,使用PVD工艺沉积金属膜层,然后通过光刻工艺实现图像转移,再采用干刻或湿法刻蚀工艺实现金属阳极图案。
4.根据权利要求1至3任一所述的Micro OLED的制造方法,其特征在于,所述进行介质层的制作时,使用CVD设备沉积介质膜层,然后通过光刻工艺实现图像转移,再采用干刻或湿法刻蚀工艺实现PDL膜层。
5.根据权利要求1至3任一所述的Micro OLED的制造方法,其特征在于,所述进行有机发光层和封装层的制作时,首先蒸镀有机发光层,然后在有机发光层上制备封装层。
6.根据权利要求1至3任一所述的Micro OLED的制造方法,其特征在于,所述进行第一平坦层的制作时,通过使用涂胶显影机和曝光机进行第一平坦层的制作。
7.根据权利要求1至3任一所述的Micro OLED的制造方法,其特征在于,所述进行彩膜RGB的制作时,通过使用涂胶显影机和曝光机进行彩膜RGB的制作。
8.根据权利要求1至3任一所述的Micro OLED的制造方法,其特征在于,所述在第二平坦层上贴合玻璃盖板时,通过使用贴合机台将玻璃盖板贴合在第二平坦层上。
9.Micro OLED显示装置,其特征在于,所述Micro OLED使用权利要求1至8任一所述的Micro OLED的制造方法制造得到。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202311238432.1A CN117500307A (zh) | 2023-09-25 | 2023-09-25 | Micro OLED的制造方法及Micro OLED显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202311238432.1A CN117500307A (zh) | 2023-09-25 | 2023-09-25 | Micro OLED的制造方法及Micro OLED显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117500307A true CN117500307A (zh) | 2024-02-02 |
Family
ID=89671509
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202311238432.1A Pending CN117500307A (zh) | 2023-09-25 | 2023-09-25 | Micro OLED的制造方法及Micro OLED显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN117500307A (zh) |
-
2023
- 2023-09-25 CN CN202311238432.1A patent/CN117500307A/zh active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100530757C (zh) | 气相沉积掩模和有机电致发光显示设备制造方法 | |
CN108977762B (zh) | 掩膜板、套装掩膜板和蒸镀系统 | |
US7444733B2 (en) | Alignment precision enhancement of electronic component process on flexible substrate device and method thereof the same | |
US7947518B2 (en) | Method for forming electronic devices by using protecting layers | |
CN103572206B (zh) | 一种复合掩模板组件的制作方法 | |
CN113286916B (zh) | 微型精密掩膜板及其制作方法和amoled显示器件 | |
CN101447509A (zh) | 顶部发光全彩色微型有机显示器结构及其制造工艺 | |
US8062834B2 (en) | Method for manufacturing transparent electrode pattern and method for manufacturing electro-optic device having the transparent electrode pattern | |
WO2020199008A1 (zh) | 发光基板及其制作方法、电子装置 | |
CN111048571A (zh) | 一种硅基oled微显示器的制备方法 | |
CN110112188A (zh) | 显示面板及显示面板的制备方法 | |
CN103474453A (zh) | 电致发光装置及其制备方法 | |
JP2004046144A (ja) | 液晶表示素子の製造方法 | |
JP2004218034A (ja) | メタルマスクの製造方法およびメタルマスク | |
CN117500307A (zh) | Micro OLED的制造方法及Micro OLED显示装置 | |
CN107475665A (zh) | 一种掩模板及蒸镀方法 | |
CN203456466U (zh) | 电致发光装置 | |
US20230154940A1 (en) | Manufacturing method of mini-led backlight plate and mini-led backlight plate | |
CN108396285B (zh) | 掩模板、显示基板及其制作方法、显示装置 | |
US20210351231A1 (en) | Led display apparatus, mass transfer method, and storage medium | |
CN109713168B (zh) | 一种柔性显示器件、显示装置及其制作方法 | |
US9484552B2 (en) | Manufacturing method of flexible device substrate | |
CN118102834A (zh) | 一种硅基oled阳极结构的制备方法 | |
TWI732530B (zh) | 基板側面部配線形成方法 | |
CN117597002A (zh) | 硅基oled微显示器强微腔阳极结构及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |