CN113284931A - 一种硅基oled微显示器改善像素定义层制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种硅基OLED微显示器改善像素定义层制备方法，包括以下步骤：S1、将硅基CMOS驱动电路基板清洗干净后烘干，在进行阳极膜层沉积，得到基板Ⅰ；S2、对基板Ⅰ进行阳极图形化作业，干刻，去胶后得到基板Ⅱ；S3、在基板Ⅱ上用DUV光刻胶进行阳极图形化，得到基板Ⅲ；S4、在基板Ⅲ上用i线聚酰亚胺光刻胶进行像素定义层图形化作业，得到基板Ⅳ；S5、对基板Ⅳ进行DUV整面曝光、显影，将DUV光刻胶显掉，得到基板Ⅴ。通过在硅基OLED器件的阳极上做DUV光刻胶和聚酰亚胺光刻胶，以两种光刻胶的不同曝光波长来实现像素定义层底部微倒梯形或直角形貌，可以有效的防止像素间的横向电流，改善像素间串扰，提高色域，从而提升产品竞争力。

Description

一种硅基OLED微显示器改善像素定义层制备方法
技术领域
本发明涉及硅基OLED微显示器技术领域，尤其是涉及一种硅基OLED微显示器的改善像素间横向电流串扰的像素定义层制备方法。
背景技术
硅基OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)微显示器是一种将主动型发光器件OLED制作在硅基CMOS驱动电路基板上的一种新型显示技术，已广泛应用于机戴头盔、枪瞄、夜视仪等军用市场，并且在AR/VR市场的应用前景也极其广泛，被称为下一代显示技术的黑马。
但常规的硅基OLED微显示器制备过程中，pixel间的横向电流，会导致space和临近pixel发光，从而导致像素间横向电流串扰，不同像素之间的电学串扰影响产品色域。
发明内容
针对现有技术不足，本发明所要解决的技术问题是提供一种硅基OLED微显示器改善像素定义层制备方法，以达到改善像素间串扰，提高色域的目的。
为了解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案为：
一种硅基OLED微显示器改善像素定义层制备方法，包括以下步骤：
S1、将硅基CMOS驱动电路基板清洗干净后烘干，在进行阳极膜层沉积，得到基板Ⅰ；
S2、对基板Ⅰ进行阳极图形化作业，干刻，去胶后得到基板Ⅱ；
S3、在基板Ⅱ上用DUV光刻胶进行阳极图形化，得到基板Ⅲ；
S4、在基板Ⅲ上用聚酰亚胺光刻胶进行像素定义层图形化作业，得到基板Ⅳ；
S5、对基板Ⅳ进行DUV整面曝光、显影，将DUV光刻胶显掉，得到基板Ⅴ。
其中，
所述S2步骤中，在完成阳极沉积的基板上进行黄光作业，固化后光刻胶形貌为正梯形；在完成黄光的基板上进行干法刻蚀后，采用湿法去胶去除光刻胶。
所述黄光作业，涂胶胶厚为0.6～1um，曝光显影后线距为0.4～0.8um。
所述S3步骤中，在完成阳极去胶的基板上进行DUV光刻胶图案化，涂胶使用DUV光刻胶，曝光使用阳极图形的掩膜版，曝光量要求大于阳极图形的曝光量，使DUV光刻胶过曝、显影，固化后DUV光刻胶形貌为正梯形。
所述涂胶使用DUV光刻胶，胶厚为0.5～1um；显影后光刻胶线宽小于阳极线宽0.2～0.4um，形貌正梯形的角度在80°～90°。
所述S4步骤中，在完成DUV光刻胶图案化的基板上进行PDL图形化，使用聚酰亚胺光刻胶充当像素定义层，胶厚0.8～1.0um，曝光显影后，聚酰亚胺光刻胶搭在DUV光刻胶上，显影时间为30～60s。
所述S5步骤中，在完成PDL图形化的基板上进行DUV整面曝光、显影，将剩下的DUV光刻胶显掉，显影时间为30～60s，得到需求图形，聚酰亚胺光刻胶底部形成100～300A微倒梯形或直角。
所述DUV整面曝光为不涂胶操作。
本发明与现有技术相比，具有以下优点：
该硅基OLED微显示器改善像素定义层制备方法设计合理，通过在硅基OLED器件的阳极上做DUV光刻胶和聚酰亚胺光刻胶，以两种光刻胶的不同曝光波长来实现像素定义层底部微倒梯形或直角形貌，可以有效的防止像素间的横向电流，改善像素间串扰，提高色域，从而提升产品竞争力。
附图说明
下面对本说明书各幅附图所表达的内容及图中的标记作简要说明：
图1为本发明制备流程示意图。
图2为本发明PDL仿真示意图。
图3为本发明蒸镀仿真示意图。
具体实施方式
下面对照附图，通过对实施例的描述，对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。
如图1至3所示，该硅基OLED微显示器改善像素定义层制备方法，包括以下步骤：
S1、将硅基CMOS驱动电路基板清洗干净后烘干，在进行阳极膜层沉积，得到基板Ⅰ；
S2、对基板Ⅰ进行阳极图形化作业，干刻，去胶后得到基板Ⅱ；
S3、在基板Ⅱ上用DUV光刻胶进行阳极图形化，得到基板Ⅲ；
S4、在基板Ⅲ上用聚酰亚胺光刻胶进行像素定义层图形化作业，得到基板Ⅳ；
S5、对基板Ⅳ进行DUV整面曝光、显影，将DUV光刻胶显掉，得到基板Ⅴ。
本发明通过在硅基OLED器件的阳极上做DUV光刻胶和聚酰亚胺光刻胶，以两种光刻胶的不同曝光波长来实现像素定义层底部微倒梯形或直角形貌，可以有效的防止像素间的横向电流，改善像素间串扰，提高色域，从而提升产品竞争力。
具体优选实例为：
1、对来料wafer进行清洗烘干，在用PVD进行阳极膜层沉积。
2、在完成阳极沉积的片子上进行黄光作业，涂胶胶厚为0.6～1um，曝光显影后线距为0.4～0.8um，固化后光刻胶形貌为正梯形；在完成黄光的片子上进行干法刻蚀后，采用湿法去胶去除光刻胶。
3、在完成阳极去胶的片子上进行DUV光刻胶图案化，涂胶使用DUV光刻胶，胶厚为0.5～1um，曝光使用阳极图形的掩膜版，曝光量要求大于阳极图形的曝光量，使DUV光刻胶过曝，显影后光刻胶线宽略小于阳极线宽大概0.2～0.4um，固化后DUV光刻胶形貌为正梯形(角度在80°～90°)。
4、在完成DUV光刻胶图案化的片子上进行PDL图形化，使用i线聚酰亚胺光刻胶充当像素定义层，胶厚0.8～1.0um，曝光显影后，i线聚酰亚胺光刻胶搭在DUV光刻胶上，显影时间为30～60s。
5、在完成PDL图形化的片子上进行DUV整面曝光(不涂胶)，显影，将剩下的DUV光刻胶显掉，显影时间为30～60s，得到需求图形，i线聚酰亚胺光刻胶底部形成100～300A微倒梯形或直角。
传统制程制作的产品，pixel之间会出现横向电流，会导致space和临近pixel发光，导致串扰。现在通过形成PDL底部微倒梯形和直角的形貌(见图2的PDL仿真)，可以使蒸镀HIL，HTL断线(见图3的蒸镀仿真)，邻近的pixel之间被隔绝，就不会有电荷导通，杜绝横向电流的产生。这样可以有效的防止横向电流的产生，避免了像素间的串扰，提高色域，提升了产品竞争力。
上面结合附图对本发明进行了示例性描述，显然本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的构思和技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种硅基OLED微显示器改善像素定义层制备方法，其特征在于：所述制备方法包括以下步骤：
S1、将硅基CMOS驱动电路基板清洗干净后烘干，在进行阳极膜层沉积，得到基板Ⅰ；
S2、对基板Ⅰ进行阳极图形化作业，干刻，去胶后得到基板Ⅱ；
S3、在基板Ⅱ上用DUV光刻胶进行阳极图形化，得到基板Ⅲ；
S4、在基板Ⅲ上用聚酰亚胺光刻胶进行像素定义层图形化作业，得到基板Ⅳ；
S5、对基板Ⅳ进行DUV整面曝光、显影，将DUV光刻胶显掉，得到基板Ⅴ。
2.如权利要求1所述硅基OLED微显示器改善像素定义层制备方法，其特征在于：所述S2步骤中，在完成阳极沉积的基板上进行黄光作业，固化后光刻胶形貌为正梯形；在完成黄光的基板上进行干法刻蚀后，采用湿法去胶去除光刻胶。
3.如权利要求1所述硅基OLED微显示器改善像素定义层制备方法，其特征在于：所述S3步骤中，在完成阳极去胶的基板上进行DUV光刻胶图案化，涂胶使用DUV光刻胶，曝光使用阳极图形的掩膜版，曝光量要求大于阳极图形的曝光量，使DUV光刻胶过曝、显影，固化后DUV光刻胶形貌为正梯形。
4.如权利要求1所述硅基OLED微显示器改善像素定义层制备方法，其特征在于：所述S4步骤中，在完成DUV光刻胶图案化的基板上进行PDL图形化，使用聚酰亚胺光刻胶充当像素定义层，胶厚0.8～1.0um，曝光显影后，聚酰亚胺光刻胶搭在DUV光刻胶上，显影时间为30～60s。
5.如权利要求1所述硅基OLED微显示器改善像素定义层制备方法，其特征在于：所述S5步骤中，在完成PDL图形化的基板上进行DUV整面曝光、显影，将剩下的DUV光刻胶显掉，显影时间为30～60s，得到需求图形，聚酰亚胺光刻胶底部形成100～300A微倒梯形或直角。
6.如权利要求2所述硅基OLED微显示器改善像素定义层制备方法，其特征在于：所述黄光作业，涂胶胶厚为0.6～1um，曝光显影后线距为0.4～0.8um。
7.如权利要求3所述硅基OLED微显示器改善像素定义层制备方法，其特征在于：所述涂胶使用DUV光刻胶，胶厚为0.5～1um；显影后光刻胶线宽小于阳极线宽0.2～0.4um，形貌正梯形的角度在80°～90°。
8.如权利要求5所述硅基OLED微显示器改善像素定义层制备方法，其特征在于：所述DUV整面曝光为不涂胶操作。
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