CN106926559A - 转印基板及其制作方法、oled器件制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种转印基板及其制作方法、OLED器件制作方法，属于显示器领域。所述转印基板用于OLED器件的电极热转印，所述转印基板包括透光基板和光热转化层；所述光热转化层包括阵列排布的多个凸起，所述凸起包括平行设置的底面和顶面，所述底面设置在所述透光基板上，每个所述凸起的顶面用于设置一个待转印的电极块。使用该转印基板实现OLED的阴极制作，避免现有溅射工艺生成透明阴极时，对OLED有机薄膜层造成严重损伤的问题，从而可以提高器件的性能和寿命。
Description
技术领域
本发明涉及显示器领域，特别涉及一种转印基板及其制作方法、OLED器件制作方法。
背景技术
目前，常用的显示器主要包括有机电致发光显示器(英文Organic Light-Emitting Display，简称OLED)和液晶显示器(英文Liquid Crystal Display，简称LCD)两大类。其中，OLED的显示面板主要包括基板和盖板，基板上设置有OLED发光单元，盖板盖合在基板上的OLED发光单元上方。OLED发光单元包括依次形成于基板上的阳极、有机薄膜层和阴极，有机薄膜层主要包括空穴层、电子层以及二者之间的发光层。
OLED按照出光方向可以分为三种类型：底发射OLED、顶发射OLED与双面发射OLED。底发射OLED是指光从基板一侧射出的OLED，顶发射OLED是指光从盖板一侧射出的OLED，双面发射OLED是指光同时从基板一侧和盖板一侧射出的OLED。其中，顶发射OLED(或双面发射OLED)为了能保证光从器件顶部射出，要求阴极是透明的，通常采用ITO、IZO等材料制成。
透明阴极在制备过程中，通常采用溅射(sputter)工艺将ITO或IZO沉积到有机薄膜层上，为了获得厚度较小的透明阴极(透明度性能好)，制作时溅出的粒子动能较高，具有较高动能的粒子会对有机薄膜层造成严重损伤，降低OLED的性能，减少OLED的寿命。
发明内容
为了解决现有溅射工艺生成透明阴极时，会对有机薄膜层造成严重损伤，降低OLED性能，减少OLED的寿命的问题，本发明实施例提供了一种转印基板及其制作方法、OLED器件制作方法。所述技术方案如下：
第一方面，本发明实施例提供了一种转印基板，所述转印基板用于OLED器件的电极热转印，所述转印基板包括透光基板和光热转化层；所述光热转化层包括阵列排布的多个凸起，所述凸起包括平行设置的底面和顶面，所述底面设置在所述透光基板上，每个所述凸起的顶面用于设置一个待转印的电极块。
在本发明实施例的一种实现方式中，所述底面位于所述顶面在所述透光基板上的正投影内，或者所述底面与所述顶面在所述透光基板上的正投影重合。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述光热转化层采用吸热树脂、染料、碳、金属或者上述材料中至少两种形成的复合材料制成。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述转印基板还包括位于所述光热转化层和所述透光基板之间的隔热透光层。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述转印基板还包括设置在所述凸起的顶面与所述待转印的电极块之间的过渡层，所述过渡层与所述光热转化层之间的粘合力小于所述待转印的电极块与所述光热转化层之间的粘合力。
第二方面，本发明实施例还提供了一种转印基板制作方法，所述转印基板用于OLED器件的电极热转印，所述方法包括：
提供一透光基板；
在所述透光基板上制作光热转化层，所述光热转化层包括阵列排布的多个凸起，所述凸起包括平行设置的底面和顶面，所述底面设置在所述透光基板上，每个所述凸起的顶面分别用于设置一个待转印的电极块。
在本发明实施例的一种实现方式中，所述底面位于所述顶面在所述透光基板上的正投影内，或者所述底面与所述顶面在所述透光基板上的正投影重合。
在本发明实施例的另一种实现方式中，所述在透光基板上制作光热转化层，包括：
在所述透光基板上制备一膜层；
对所述膜层进行图形化处理，得到所述光热转化层；或者，
所述在透光基板上制作光热转化层，包括：
在所述透光基板上制备金属层，金属层设有镂空结构；
在具有所述金属层的所述透光基板上制备一膜层；
对所述膜层进行图形化处理，以去除所述金属层上的所述膜层；
去除所述金属层，得到所述光热转化层。
第三方面，本发明实施例还提供了一种OLED器件制作方法，所述方法包括：
提供一待生长电极的OLED基板；
在第一方面任一所述的转印基板上制作电极块；
将所述转印基板上的电极块采用热转印工艺转移到所述OLED基板上，以在所述OLED基板上形成电极。
在本发明实施例的一种实现方式中，所述待生长电极为顶发射OLED器件或者双面发射OLED器件的阴极。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
本发明提供的转印基板在使用时，光通过透光基板照射在光热转化层上，产生热量，实现电极块的转印；具体地，光热转化层包括按阵列分布的多个凸起，凸起的顶面用于设置需要转印的电极块，从而能够在转印时将分布在多个凸起上的电极块转印到OLED器件上；使用该转印基板实现OLED的阴极制作，可以避免对OLED有机薄膜层造成严重损伤，从而可以提高器件的性能和寿命。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种转印基板的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的另一种转印基板的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的另一种转印基板的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的另一种转印基板的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的一种转印基板制作方法的流程图；
图6是本发明实施例提供的转印基板使用过程示意图；
图7-14是本发明实施例提供的转印基板制作过程中转印基板的结构示意图；
图15是本发明实施例提供的一种OLED器件制作方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
图1是本发明实施例提供的一种转印基板的结构示意图，转印基板用于OLED器件的电极热转印，转印基板包括透光基板10和光热转化层11；光热转化层11包括阵列排布的多个凸起101，凸起101包括平行设置的底面和顶面，底面设置在透光基板10上，每个凸起101的顶面用于设置一个待转印的电极块。
本发明提供的转印基板在使用时，光通过透光基板10照射在光热转化层11上，产生热量，实现电极块的转印；具体地，光热转化层11包括按阵列分布的多个凸起101，凸起101的顶面用于设置需要转印的电极块，从而能够在转印时将分布在多个凸起101上的电极块转印到OLED器件上；使用该转印基板实现OLED的阴极制作，可以避免对OLED有机薄膜层造成严重损伤，从而可以提高器件的性能和寿命。
在本发明实施例中，多个凸起101的排布方式与OLED器件的像素排布一致，每个凸起101的顶面大小与OLED器件的像素大小一致。
在本发明实施例中，透光基板10可以为透明基板，该透明基板整面均透光，透明基板可以为玻璃基板、石英基板、金属基板、树脂基板等。透光基板10还可以为部分透光的基板，例如该基板对应凸起101的部分透光，使得光照时能够使光热转化层11进行光热转换，具体可以在透明基板上设置挡光膜层来挡住不设置凸起的部分。
在本发明实施例的一种实现方式中，底面位于顶面在透光基板10上的正投影内；在本发明实施例的另一种实现方式中，底面与顶面在透光基板10上的正投影重合。凸起101的底面位于顶面在透光基板10上的投影内，或者底面与顶面在透光基板10上的投影重合，使得该凸起101在透光基板10上呈倒置的棱台(其截面为倒梯形，如图1所示)或者长方体(附图未示出)，这样在形成电极时，由于凸起101的边缘与透光基板10之间存在段差，并且凸起101的边缘与透光基板10之间不会形成斜坡，使得电极在凸起101的边缘断开，形成各个分离的电极块，而不会连成一体，即可以有效避免形成整面电极，无法形成多个电极块的情况。
在本发明实施例中，光热转化层11采用吸热树脂、染料、碳、金属或者上述材料中至少两种形成的复合材料制成，其中复合材料是由上述两种或两种以上材料通过物理或化学的方法组成的具有新性能的材料。采用上述材料制成的光热转化层11能够保证光热转化层11能够在被光照时，产生热量。
图2是本发明实施例提供的另一种转印基板的结构示意图，该转印基板与图1所示出的转印基板的区别在于，该转印基板还包括位于光热转化层11和透光基板10之间的隔热透光层12。在光热转化层11和透光基板10之间设置隔热透光层12，避免热转印时热量从透光基板10一侧流失。
在本发明实施例中，隔热透光层12可以为吸热玻璃、隔热膜等。隔热透光层12可以整面布置或者阵列布置，其中整面布置是指透光基板10是全部覆盖隔热透光层12，阵列布置是指透光基板10上仅设置凸起101的位置设置有隔热透光层12，本发明提供的附图均采用整面布置的方式，整面布置能够更好地防止热量流失。
图3是本发明实施例提供的另一种转印基板的结构示意图，该转印基板与图1所示出的转印基板的区别在于，该转印基板还包括设置在凸起101的顶面与待转印的电极块之间的过渡层13，过渡层13与光热转化层11之间的粘合力小于待转印的电极块与光热转化层11之间的粘合力。过渡层13与光热转化层11之间的粘合力小于待转印的电极块与光热转化层11之间的粘合力，保证热转印时电极块能被顺利转印到OLED器件上，避免电极块直接设置在光热转化层11上难以分离的问题。
在本发明实施例中，过渡层13可以采用制作OLED发光器件的材料制成，例如空穴传输层材料、空穴注入层材料、发光层材料、电子传输层材料或电子注入层材料，或者，过渡层13还可以采用金属材料(如Mg、Ag)制成，或者，过渡层13还可以采用有机材料(如有机高分子材料、或有机小分子材料)制成。优选采用制作OLED发光器件的材料制成，该转印基板可以在OLED器件制备过程中进行制作，采用制作OLED发光器件的材料便于材料获取。
进一步地，在本发明实施例中，还可以在转印基板中同时设置隔热透光层12和过渡层13，其结构如图4所示。
图5是本发明实施例提供的转印基板使用示意图，该示意图中的转印基板采用的是图4所示的转印基板，图1-3提供的转印基板使用示意图与此类似。参见图4，使用时，凸起101(上的过渡层13)上制作有待转印的电极块14，通过光(图4中的箭头所示)照射在透光基板10的底面，使得光热转化层11产生热量，进而能够将待转印的电极块14转印到OLED器件上。其中，图5所示的OLED器件包括基板20、OLED器件结构21和像素界定层22，其中OLED器件结构21是指制作待转印前形成在基板20上的结构，以顶发射OLED器件为例，若上述电极块14用于制作阴极，则上述OLED器件结构21可以包括OLED发光器件和阳极。容易知道图5所示的OLED器件结构仅为示例，实际应用中OLED器件可以具有比图5更多的结构。
图6是本发明实施例提供的一种转印基板制作方法的流程图，转印基板用于OLED器件的电极热转印，参见图6，该方法包括：
步骤201：提供一透光基板。
在本发明实施例中，透光基板可以为透明基板，该透明基板整面均透光，透明基板可以为玻璃基板、石英基板、金属基板、树脂基板等。透光基板还可以为部分透光的基板，例如该基板对应凸起的部分透光，使得光照时能够使光热转化层进行光热转换。
步骤202：在透光基板上制作光热转化层，光热转化层包括阵列排布的多个凸起，凸起包括平行设置的底面和顶面，底面设置在透光基板上，每个凸起的顶面分别用于设置一个待转印的电极块。
采用上述方法制成的转印基板在使用时，光通过透光基板照射在光热转化层上，产生热量，实现电极块的转印；具体地，光热转化层包括按阵列分布的多个凸起，凸起的顶面用于设置需要转印的电极块，从而能够在转印时将分布在多个凸起上的电极块转印到OLED器件上；使用该转印基板实现OLED的阴极制作，可以避免对OLED有机薄膜层造成严重损伤，从而可以提高器件的性能和寿命。
在本发明实施例中，多个凸起的排布方式与OLED器件的像素排布一致，每个凸起的顶面大小与OLED器件的像素大小一致。
在本发明实施例的一种实现方式中，底面位于顶面在透光基板上的正投影内，或者底面与顶面在透光基板上的正投影重合。凸起的底面位于顶面在透光基板上的投影内，或者底面与顶面在透光基板上的投影重合，使得该凸起在透光基板上呈倒置的棱台(其截面为倒梯形)或者长方体，这样在形成电极时，由于凸起的边缘与透光基板之间存在段差，并且凸起的边缘与透光基板之间不会形成斜坡，使得电极在凸起的边缘断开，形成各个分离的电极块，而不会连成一体，即可以有效避免形成整面电极，无法形成多个电极块的情况。
在本发明实施例中，光热转化层可以有两种制作方式：
第一种，在透光基板上制作光热转化层，包括：在透光基板上制备一膜层；
对膜层进行图形化处理，得到光热转化层。
第二种，在透光基板上制作光热转化层，包括：在透光基板上制备金属层，金属层设有镂空结构，金属层中的镂空结构用于形成光热转化层的凸起，镂空结构的形状与光热转化层的凸起的形状对应；在具有金属层的透光基板上制备一膜层；对膜层进行图形化处理，以去除位于金属层上的膜层；去除金属层，得到光热转化层。
其中，上述对膜层进行图形化处理具体可以采用刻蚀工艺实现。刻蚀工艺包括利用光刻胶进行遮挡实现干法刻蚀或者湿法刻蚀，或者对具有光刻胶性能的材料进行曝光显影实现光刻蚀。
下面以图4所示的转印基板的制作方法为例对步骤202进行说明，该步骤202可以包括：
第一步，在透光基板上制作隔热透光层。
参见图7，在透光基板10上制作隔热透光层12。
在本发明实施例中，隔热透光层12可以为吸热玻璃、隔热膜等。隔热透光层12可以整面布置或者阵列布置，其中整面布置是指透光基板10是全部覆盖隔热透光层12，阵列布置是指透光基板10上仅设置凸起101的位置设置有隔热透光层12，本发明提供的附图均采用整面布置的方式，整面布置能够更好地防止热量流失。
第二步，在隔热透光层上制作光热转化层。
如前所述，制作光热转化层包括两种方式：
第一种方式，如图8-9所示，先在隔热透光层12上形成一膜层110；然后对膜层110进行图像化处理，得到光热转化层11。
在本发明实施例中，光热转化层11可以采用吸热树脂、染料、碳、金属或者上述材料中至少两种形成的复合材料制成，其中复合材料是由上述两种或两种以上材料通过物理或化学的方法组成的具有新性能的材料。采用上述材料制成的光热转化层能够保证光热转化层能够在被光照时，产生热量。
当制作光热转化层的材料具有负性光刻胶性能时(如吸热树脂)，形成一膜层110可以通过旋涂、狭缝涂布等方式实现。对膜层110进行图像化处理可以通过曝光、显影的方式实现。由于曝光时，光的衍射和光强随着厚度的变化减弱，使得显影后呈现图9所示的倒置的棱台结构(其截面为倒梯形)。
第二种方式，如图10-13所示，先在隔热透光层12上形成金属层111；在具有金属层111的透光基板10上制备一膜层110，膜层110部分位于隔热透光层12上(也即金属层111的镂空结构中)，另一部分位于金属层111上；对膜层110进行图形化处理，以去除膜层110位于金属层111上的部分；去除金属层111，剩下金属层之间的膜层110，得到光热转化层11。
当制作光热转化层的材料具有负性光刻胶性能时，膜层制作以及图形化处理可以与第一种方式相同。在该实现方式中，金属层11可以先溅射一整层金属，然后采用光刻工艺形成金属层；去除金属层11时可以采用湿刻方式实现。金属层11可以采用Mg、Ag等制成，在形成倒置的棱台结构的凸起101时，金属层11为棱台结构(其截面为正梯形)。
第三步，在制作有光热转化层的透光基板上制作过渡层。
参见图14，在透光基板10上制作过渡层13。
在本发明实施例中，过渡层13可以采用制作OLED发光器件的材料制成，例如空穴传输层材料、空穴注入层材料、发光层材料、电子传输层材料或电子注入层材料，或者，过渡层13还可以采用金属材料(如Mg、Ag)制成，或者，过渡层13还可以采用有机材料(如有机高分子材料、或有机小分子材料)制成。其中，采用制作OLED发光器件或金属材料制作过渡层13时，可以采用真空蒸镀或打印的方式实现；采用有机材料制作过渡层13时，可以采用沉积或旋涂的方式实现。
图15是本发明实施例提供的一种OLED器件制作方法的流程图，参见图15，该方法包括：
步骤301：提供一待生长电极的OLED基板。
该OLED基板可以如图5所示，参见图5，该OLED基板包括基板20、OLED器件结构21和像素界定层22，其中OLED器件结构21是指待转印前形成在基板20上的结构，以顶发射OLED器件为例，若上述电极块用于制作阴极，则上述OLED器件结构21可以包括OLED发光器件和阳极。容易知道图5所示的OLED器件结构仅为示例，实际应用中OLED器件可以具有比图5更多的结构。
步骤302：在转印基板上制作电极块。
其中，该转印基板可以为图1-4任一幅所示的转印基板。在转印基板上沉积一层电极材料(如ITO、IZO等)，此时位于光热转化层的凸起上的部分即为电极块。
步骤303：将转印基板上的电极块采用热转印工艺转移到OLED基板上，以在OLED基板上形成电极。
进行热转印工艺时，可以采用激光进行照射，以产生足够热量。具体地，激光照射可以只照射转印基板上的凸起，其他部分不用激光照射，节省能耗。
采用前文的转印基板制作OLED器件的电极时，光通过透光基板照射在光热转化层上，产生热量，实现电极块的转印；具体地，光热转化层包括按阵列分布的多个凸起，凸起的顶面用于设置需要转印的电极块，从而能够在转印时将分布在多个凸起上的电极块转印到OLED器件上；使用该转印基板实现OLED的阴极制作，可以避免对OLED有机薄膜层造成严重损伤，从而可以提高器件的性能和寿命。
在本发明实施例的一种实现方式中，待生长电极为顶发射OLED器件或者双面发射OLED器件的阴极。该方法能够解决顶发射OLED器件或者双面发射OLED器件的阴极采用溅射工艺造成有机薄膜层损伤的问题。
以上仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种转印基板，所述转印基板用于OLED器件的电极热转印，其特征在于，所述转印基板包括透光基板和光热转化层；所述光热转化层包括阵列排布的多个凸起，所述凸起包括平行设置的底面和顶面，所述底面设置在所述透光基板上，每个所述凸起的顶面用于设置一个待转印的电极块。
2.根据权利要求1所述的转印基板，其特征在于，所述底面位于所述顶面在所述透光基板上的正投影内，或者所述底面与所述顶面在所述透光基板上的正投影重合。
3.根据权利要求1或2所述的转印基板，其特征在于，所述光热转化层采用吸热树脂、染料、碳、金属或者上述材料中至少两种形成的复合材料制成。
4.根据权利要求1或2所述的转印基板，其特征在于，所述转印基板还包括位于所述光热转化层和所述透光基板之间的隔热透光层。
5.根据权利要求1或2所述的转印基板，其特征在于，所述转印基板还包括设置在所述凸起的顶面与所述待转印的电极块之间的过渡层，所述过渡层与所述光热转化层之间的粘合力小于所述待转印的电极块与所述光热转化层之间的粘合力。
6.一种转印基板制作方法，所述转印基板用于OLED器件的电极热转印，其特征在于，所述方法包括：
提供一透光基板；
在所述透光基板上制作光热转化层，所述光热转化层包括阵列排布的多个凸起，所述凸起包括平行设置的底面和顶面，所述底面设置在所述透光基板上，每个所述凸起的顶面分别用于设置一个待转印的电极块。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述底面位于所述顶面在所述透光基板上的正投影内，或者所述底面与所述顶面在所述透光基板上的正投影重合。
8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述在透光基板上制作光热转化层，包括：
在所述透光基板上制备一膜层；
对所述膜层进行图形化处理，得到所述光热转化层；或者，
所述在透光基板上制作光热转化层，包括：
在所述透光基板上制备金属层，所述金属层设有镂空结构；
在具有所述金属层的所述透光基板上制备一膜层；
对所述膜层进行图形化处理，以去除所述金属层上的所述膜层；
去除所述金属层，得到所述光热转化层。
9.一种OLED器件制作方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一待生长电极的OLED基板；
在权利要求1至5任一项所述的转印基板上制作电极块；
将所述转印基板上的电极块采用热转印工艺转移到所述OLED基板上，以在所述OLED基板上形成电极。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述待生长电极为顶发射OLED器件或者双面发射OLED器件的阴极。
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