TWI553939B - 光電元件及其製造方法 - Google Patents

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Description

光電元件及其製造方法
本發明係關於一光電元件及用於製造該光電元件之一方法，且更特定而言，係關於能夠簡化用於藉由使用一雷射劃線製程移除一頂部電極之一頂部膜之一部分且因此形成該頂部電極而形成該頂部電極之製程之一光電元件及用於製造該光電元件之一方法。
一般而言，其中在一單個基板上提供複數個有機發光元件(OLED)之一有機發光顯示器包含：一基板；複數個底部電極，其等形成於該基板上；一絕緣膜，其覆蓋該等底部電極之一邊緣區域；一有機物膜，其形成於該複數個底部電極上；複數個頂部電極，其等形成於該有機物膜上且由一分隔件隔開以跨越該複數個底部電極，以便允許單獨地驅動該複數個OLED。簡言之，在用於製造一有機發光顯示器之一相關技術方法中，該方法開始於在一基板之一整個表面上沈積一透明導電材料(例如，氧化銦錫(ITO))。然後，實施一光微影製程以藉此形成複數個底部電極。下文在該等底部電極之一邊緣區域上形成一絕緣膜，亦即，該等底部電極之一頂部表面及一側表面之一邊緣區域。接下來，為在一後續製程中形成該等頂部電極，以其跨越該等底部電極之一方式形成一分隔件。此處，藉由用負光阻劑塗佈該基板且然後在所塗佈之負光阻劑上實施一光微影製程來形成具有5 μm或更大之一高度之分隔件。然後，在該基板上形成一有機物膜。隨後，在其上形成有該等底部電極及該有機物膜之基板之一整個表面上沈積一金屬膜。該金屬膜係由該分隔件分開，且因此該經分開之金屬膜用作該複數個頂部電極。憑藉如此形成之該分隔件及該等頂部電極，可單獨地驅動該複數個OLED。
然而，在使用如相關技術方法中之光微影製程形成該分隔件之情況下，應需要數個製造步驟。因此，該製造過程極為複雜，此導致光微影製程時間之增加，且亦導致製造成本之增加。
本發明提供可簡化用於藉由透過一雷射劃線製程移除形成於一基板之一整個表面上之一頂部膜之一部分以藉此形成一頂部電極而形成該頂部電極之一製程的一光電元件及用於製造該光電元件之一方法。
根據一實例性實施例，用於製造一光電元件之一方法包含：在一基板上形成一底部電極；形成跨越該底部電極之一第一絕緣膜；在其上形成有該底部電極及該第一絕緣膜之該基板上形成一有機物膜；在該有機物膜上形成一頂部膜；及藉由透過一雷射劃線製程移除該頂部膜之一部分來形成跨越該底部電極之一頂部電極。本文中，在透過該雷射劃線製程形成該頂部電極中，可將該頂部電極之一下側之一邊緣區域定位於該第一絕緣膜上方。
在透過該雷射劃線製程形成該頂部電極時，可移除設置於該頂部膜下方之有機物膜之一部分以形成一有機物圖 案，且可同時移除設置於該有機物膜下之第一絕緣膜之一部分。
雷射劃線製程中所使用之一雷射之寬度可小於第一絕緣膜之寬度，且可使該雷射沿第一絕緣膜之上側之中心區域移動。
當該雷射在雷射劃線製程期間沿第一絕緣膜之上側之中心區域移動時，可移除第一絕緣膜之中心區域、對應於第一絕緣膜之中心區域之上側之有機物膜及頂部膜之一部分。
可將該有機物圖案之一邊緣區域及該頂部電極之一邊緣區域設置於其中心區域被移除之該第一絕緣膜之邊緣區域上方。
該方法可包含形成覆蓋該底部電極之一邊緣區域之一第二絕緣膜，其中該第二絕緣膜與該底部電極平行且與該頂部電極及該第一絕緣膜交叉。
可同時形成第一絕緣膜及第二絕緣膜。
第一絕緣膜及第二絕緣膜可係由一有機物材料、一無機物材料及氧化物中之一者形成。
可使用一印刷製程及一光微影製程中之一者來形成第一絕緣膜及第二絕緣膜。
根據另一實例性實施例，一光電元件包含：一底部電極，其設置於一基板上；一頂部電極，其跨越該底部電極；及一第一絕緣膜，其設置於該底部電極與該頂部電極之間以跨越該底部電極且與該頂部電極平行。
其中該頂部電極之下側之邊緣區域係定位於該第一絕緣膜上方。
該光電元件可進一步包含一第二絕緣膜，其經設置以與該底部電極平行且覆蓋該底部電極之一邊緣區域。
該光電元件可進一步包含一有機物圖案，其設置於頂部電極與底部電極之間，且該有機物圖案之邊緣區域可設置於該第一絕緣膜上。
下文將參照附圖詳細闡述若干具體實施例。然而，本發明可體現為不同形式且不應被視為為侷限於本文中所陳述之實施例。而係，提供此等實施例旨在使本發明全面及完整，且將本發明之範疇充分傳達給彼等熟知此項技術者。在圖中，通篇中相同之參考編號指代相同之構件。
圖1A至5A係圖解說明用於根據一實例性實施例製造一光電元件之一方法之俯視圖，且圖1B至5B係沿圖1A至5A中之線A-A'所截取之剖視圖。
用於根據一實例性實施例製造一光電元件之一方法能夠簡化形成複數個頂部電極600b之一製程並增加該光電元件之可靠性。下文將參照圖1A至5A及圖1B至5B闡述用於根據一實例性實施例製造一光電元件之該方法。
參照圖1A及1B，彼此分開預定距離之複數個底部電極200形成於一基板100上。該基板可係一塑性基板(例如，PES、PEN或類似物)及具有80%或更大之透光率之一玻璃基板中的任一者，但並不限於此。亦即，基板100可係其他各種基板，例如一薄矽基板或一藍寶石基板。在此實例性實施例中，將一玻璃基板用作基板100。此處，複數個底部電極200中之每一者皆沿一預定方向在基板100上延伸。舉例而言，如圖1A中所示之水平方向。雖然未顯示，但可藉由在基板100上沈積一透明導電材料(例如，氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)及氧化銦(In2O3)中之一者)並然後圖案化所沈積之導電膜來形成底部電極200。在此實例性實施例中，藉由使用一濺鍍製程在基板100上沈積一透明導電材料(例如ITO)並然後透過光微影圖案化所沈積之透明導電膜來形成複數個底部電極200。然而，該透明導電材料之沈積並不限於該濺鍍方法，亦可使用除該濺鍍製程以外之其他各種沈積製程。此外，可藉由使用濕蝕刻、劃線、印刷或類似方法圖案化該透明導電膜來形成底部電極200。
參照圖2A及2B，一絕緣膜300係形成於在其上形成有複數個底部電極200之基板上。根據實例性實施例之絕緣膜300包含複數個第一絕緣膜300a及複數個第二絕緣膜300b。複數個第一絕緣膜300a經形成以跨越底部電極200，且與底部電極200平行形成複數個第二絕緣膜300b。此處，第一絕緣膜300a防止頂部電極600b(稍後形成)之一邊緣區域接觸底部電極200，藉此防止洩漏電流的產生及該光電元件的失靈。第一絕緣膜300a形成於底部電極200上，使得其等跨越底部電極200且與頂部電極600b平行。可以將頂部電極之下側之邊緣區域定位於第一絕緣膜300a上方之一方式來形成第一絕緣膜300a。此外，與底部電極200平行且在底部電極200之間設置第二絕緣膜300b以藉此覆蓋底部電極200中之每一者的邊緣區域。更具體而言，形成第二絕緣膜300b以覆蓋底部電極200中之每一者的頂部表面及側表面的邊緣區域。此處，第二絕緣膜300b充當覆蓋底部電極200之邊緣區域的角色，在底部電極200之形成製程期間可使其變形。因此，第一絕緣膜300a係形成為跨越底部電極200，且第二絕緣膜300b係形成為與底部電極200平行。第一及第二絕緣膜300a及300b係由有機物材料(例如光阻劑(PR))、無機物材料(例如氮化物)、或氧化物(例如氧化鋁(Al2O3))形成。在實例性實施例中，藉由使用一絲網印刷(其係印刷方法中的一種)塗佈一絕緣材料來形成第一及第二絕緣膜300a及300b。簡言之，將曝露底部電極200之邊緣區域及頂部電極600b之邊緣區域之一模板遮罩設置於基板100上方。該模板遮罩包含：一第一開口部分，其跨越底部電極200且曝露頂部電極600b的邊緣區域；及一第二開口部分，其與底部電極200平行且曝露底部電極200之間的區域及底部電極200的邊緣區域。之後，透過該模板遮罩施加絕緣材料。此處，藉由移動一擠壓機來噴塗絕緣材料，且將絕緣材料填充至該模板遮罩之該等開口部分中，因此絕緣材料被圖案化。因此，第一絕緣膜300a係形成為跨越底部電極200，且第二絕緣膜300b係形成為與底部電極200平行。第一絕緣膜300a亦形成於將稍後形成之頂部電極600b的邊緣區域處。第二絕緣膜300b形成於底部電極200之頂部表面及側表面的邊緣區域處。如此一來，根據實例性實施例，第一絕緣膜300a及第二絕緣膜300b同時形成於在其上透過一單個絲網印刷形成底部電極200的基板100上。在相關技術OLED之情況下，雖然未顯示，但僅在該基板上形成覆蓋底部電極之邊緣區域之一個絕緣膜。然而，在實例性實施例中，在形成覆蓋底部電極200之頂部表面及側表面之邊緣區域的第二絕緣膜300b時，形成在其上方定位頂部電極600b之下側之邊緣區域的第一絕緣膜300a。亦即，透過一單個製程，在底部電極200上同時形成第一及第二絕緣膜300a及300b。因此，無需額外地實施形成在其上方定位頂部電極600b之下側之邊緣區域之第一絕緣膜300a的製程。因此，甚至在相同處理時間下，亦不僅可形成覆蓋底部電極200之頂部表面及側表面之邊緣區域的第二絕緣膜300b，而且可形成在其上方定位頂部電極600b之下側之邊緣區域的第一絕緣膜300a。雖然在實例性實施例中透過絲網印刷製程來形成絕緣膜300，但並不限於此，且因此可使用各種印刷方法。亦即，可使用筆式印刷、滾筒印刷及凹版印刷中之一者來形成第一及第二絕緣膜300a及300b。同樣地，可藉由在形成底部電極200之基板100上施加一光阻劑並透過光微影圖案化該光阻劑來形成第一及第二絕緣膜300a及300b。
參照圖3A及圖3B，用於一有機物圖案500b之一有機物膜500a形成於在其上形成有底部電極200、第一絕緣膜300a及第二絕緣膜300b之基板100之整個表面上。雖然未顯示，但有機物膜500a包含一電洞注入層、一電洞傳輸層、一發射層及一電子傳輸層。有機物膜500a係藉由依序堆疊該電洞注入層、該電洞傳輸層、該發射層及該電子傳輸層而形成。可使用各種有機物材料來形成有機物膜500a。舉例而言，使用有效地注入電洞之材料(例如，CuPc、2T-NATA及MTDA)來在底部電極200上形成電洞注入層。另外，使用可有效地傳輸電洞之材料(例如，NPB及TPD)來在該電洞注入層上形成電洞傳輸層。隨後，在該電洞傳輸層上形成發射層。該發射層可包含由Alp3:C545T組成之一綠光發射層、由DPVBi組成之一藍光發射層、由CBP:Ir(acac)組成之一紅光發射層及由其群組構成且具有極佳發射特性之材料。隨後，使用可有效地傳輸電子之材料(例如，Alq3)來形成該電子傳輸層。藉由熱蒸發來沈積此等有機物材料以藉此形成一有機層500。當然，本發明並不限於上述方法，且因此可藉由根據該等有機物材料之各種方法來形成有機物膜500a。
參照圖4A及圖4B,一頂部膜600a形成於其上形成有底部電極200、第一絕緣膜300a、第二絕緣膜300b及有機物膜500a之基板100之整個表面上。在實例性實施例中，藉由熱蒸發選自LiF、Al、Ag、Ca、Cu及其一合金之材料中之一者在基板100上形成頂部膜600a。隨後，如圖5A及圖5B中所圖解說明，藉由一雷射劃線製程移除頂部膜600a之一部分以形成複數個頂部電極600b。可將複數個頂部電極600b形成為沿跨越底部電極200之一方向延伸。為此，移動該雷射以跨越底部電極200且移除頂部膜600a之部分以使得頂部電極600b可跨越底部電極200。該劃線製程中所使用之雷射之寬度可變得小於第一絕緣膜300a之寬度，且可沿第一絕緣膜300a之上側之中心區域移動該雷射。因此，移除在第一絕緣膜300a上方形成之頂部膜600a之一部分以形成複數個頂部電極600b。此外，除移除頂部膜600a以外，在該雷射劃線製程期間亦同時移除有機物膜500a及第一絕緣膜300a之部分。因此，如圖5B中所圖解說明，以與頂部電極600b相同之形式圖案化有機物膜500a以形成一有機物圖案500b。將如此圖案化之有機物圖案500b之一邊緣區域設置於第一絕緣膜300a上。第一絕緣膜300a具有其中在如上述闡述之雷射劃線製程期間移除中心區域之一形式中心，且將有機物圖案500b之一邊緣區域及頂部電極600a之一邊緣區域分別設置於第一絕緣膜300a上及上方。由於藉由雷射劃線製程圖案化之頂部電極600b及有機物圖案500b之一邊緣區域設置於第一絕緣膜300a上，因此可防止洩漏電流之產生及該光電元件之失靈。當藉由該雷射劃線製程移除頂部膜600a之一部分以形成頂部電極600b時，在該雷射劃線製程期間可藉由高熱或高能量對頂部電極600b中之每一者之一邊緣區域進行修改。在此雷射劃線製程期間移除設置於頂部膜600a下面之有機物膜500a之一部分，且可在該製程期間藉由高熱或高能量對有機物圖案500b之一邊緣區域進行修改。然而，在實例性實施例中，即使在該雷射劃線製程期間頂部電極600b及有機物圖案500b之邊緣區域可受到損壞，亦可將第一絕緣膜300a設置於頂部電極600b及有機物圖案500b之一邊緣區域下面以防止洩漏電流之產生及該光電元件之失靈。若已製造頂部電極600b，則可實施一清潔製程以移除雷射劃線製程期間所產生之粒子。在此實例性實施例中，藉由一乾式清潔方法使用一抽吸元件來移除該等離子。雖然未顯示，但形成互連件以使得底部電極200及頂部電極600b中之每一者可連接至一外部電源。
在本實例性實施例中，形成一絕緣膜300，其包含經形成以跨越底部電極200之複數個第一絕緣膜300a及經形成以與底部電極200平行之複數個第二絕緣膜300b。第一絕緣膜300a設置於頂部電極600b及有機物圖案500b之一邊緣區域下面以製造一光電元件，使得即使在雷射劃線製程期間頂部電極600b及有機物圖案500b之一邊緣區域受到損壞，亦不影響該光電元件的特性。與底部電極200平行地設置第二絕緣膜300b，以在覆蓋於形成底部電極200之一製程期間可進行修改之底部電極200之一邊緣區域中起作用。在該等實施例中，當形成覆蓋底部電極200之一邊緣區域之第二絕緣膜300b時，同時亦形成第一絕緣膜300a，其設置於稍後形成之頂部電極600b下面。因此，不需要一額外製程時間來形成第一絕緣膜300a。因此，藉助一單個製程不僅可形成覆蓋底部電極200之一邊緣區域的第二絕緣膜300b，而且亦可形成設置於頂部電極600b下面的第一絕緣膜300a。
在實例性實施例中，在不形成一分隔件的情況下，可形成複數個頂部電極600b。可藉由該雷射劃線製程來移除頂部膜600a之一部分，以形成該複數個頂部電極600b。因此，與習用方法相比，可簡化形成複數個頂部電極600b的製程。即使頂部電極600b之一邊緣區域在雷射劃線期間受到損壞，由於可將第一絕緣膜300a設置於頂部電極600b下面，因此亦可防止洩漏電流的產生及該光電元件的失靈。
在實例性實施例中，儘管形成頂部電極600b之一方法係藉由例示一有機發光元件來闡述，但並不限於此，且其可適用於其中需要形成複數個頂部電極的各種光電元件。
如上文所闡述，根據實例性實施例，複數個頂部電極係透過一雷射劃線製程移除形成於一基板之一整個表面上之一頂部膜的一部分而形成。因此，可減少形成該複數個頂部電極所需之處理裝置及步驟的數目，藉此簡化製造過程並節約製造成本。
此外，由於一絕緣膜係形成於頂部電極之一邊緣區域下方，因此即使該等頂部電極之該邊緣區域在一雷射劃線製程期間受到損壞，亦可防止由該等頂部電極之變形導致之洩漏電流的產生及該光電元件的失靈。因此，可改良該光電元件的可靠性。
儘管已參照具體實施例本文闡述了一光電元件及用於製造該光電元件之一方法，但其等並不限於此。因此，熟習此項技術者將易於理解，可在不背離隨附申請專利範圍所界定之本發明之精神及範疇之情形下對其作出各種修改及改變。
100．．．基板
200．．．底部電極
300．．．絕緣膜
300a．．．第一絕緣膜
300b．．．第二絕緣膜
500a．．．有機物膜
500b．．．有機物圖案
600a．．．頂部膜
600b．．．頂部電極
根據結合附圖之以上說明可更詳細地理解實例性實施例，在附圖中：
圖1A至5A係圖解說明根據一實例性實施例製造一光電元件之一方法之俯視圖，且
圖1B至5B係沿圖1A至5A之線A-A'所截取之剖視圖。
100．．．基板
200．．．底部電極

Claims (7)

  1. 一種用於製造一光電元件之方法，其包括：在一基板上形成複數個底部電極；形成複數個第一絕緣膜使得該複數個第一絕緣膜跨越該複數個底部電極，且形成複數個第二絕緣膜使得該複數個第二絕緣膜與該複數個底部電極平行且與該複數個第一絕緣膜交叉；在其上形成有該複數個底部電極、該複數個第一絕緣膜及該複數個第二絕緣膜之該基板上形成一有機物膜；在該有機物膜上形成一頂部膜；及藉由透過一單一雷射劃線製程移除該頂部膜之一部分來形成跨越該複數個底部電極及該複數個第二絕緣膜之複數個頂部電極；其中該複數個第二絕緣膜係形成於介於該複數個底部電極之間以覆蓋該複數個底部電極之一頂部表面之一邊緣區域及一側表面，其中該複數個第一絕緣膜之一中心區域、對應於該複數個第一絕緣膜之該中心區域之一上側之有機物膜及該頂部膜經同時移除以同時形成複數個有機物圖案及複數個頂部電極，使得該複數個有機物圖案之一下側之一邊緣區域及該複數個頂部電極定位於該複數個第一絕緣膜之上。
  2. 如請求項1之方法，其中該雷射劃線製程中所使用之一雷射的寬度小於該複數個第一絕緣膜的寬度，且使該雷 射沿該複數個第一絕緣膜之上側的中心區域移動。
  3. 如請求項1之方法，其中同時形成該第一絕緣膜及該第二絕緣膜。
  4. 如請求項1之方法，其中由一有機物材料或一無機物材料形成該第一絕緣膜及該第二絕緣膜。
  5. 如請求項4之方法，其中使用一印刷製程及一光微影製程中之一者來形成該第一絕緣膜及該第二絕緣膜。
  6. 一種光電元件，其包括：複數個底部電極，其設置於一基板上；複數個頂部電極，其跨越該複數個底部電極；及複數個第一絕緣膜，其設置於該複數個底部電極與該複數個頂部電極之間，以跨越該複數個底部電極且與該複數個頂部電極平行；複數個第二絕緣膜，其經形成以與該複數個底部電極平行且與該複數個頂部電極及該複數個第一絕緣膜交叉，以覆蓋介於該複數個底部電極之間的區域以及該複數個底部電極之一頂部表面之一邊緣區域及一側表面，其中該複數個第一絕緣膜使用一單一雷射劃線製程定位在該複數個頂部電極之一下邊緣區域之一下側。
  7. 如請求項6之光電元件，其中該頂部電極之下側之邊緣區域係定位於該第一絕緣膜上方。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101420773B1 (ko) * 2009-07-15 2014-07-17 주성엔지니어링(주) 전기광학소자 및 이의 제작 방법
KR101356216B1 (ko) * 2012-01-18 2014-01-28 참엔지니어링(주) 태양전지기판의 가공방법
CN111092170B (zh) * 2018-10-23 2022-08-16 宸鸿光电科技股份有限公司 有机发光二极管结构及其形成方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10233286A (ja) * 1997-02-17 1998-09-02 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
US6146715A (en) * 1998-06-17 2000-11-14 Lg Electronics Inc. Method of fabricating organic electroluminescent display panel
JP2006294454A (ja) * 2005-04-12 2006-10-26 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機ｅｌ素子とその製造方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5106452A (en) * 1989-06-05 1992-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of depositing diamond and diamond light emitting device
US6211993B1 (en) * 1996-05-20 2001-04-03 Nz Applied Technologies Corporation Thin film ferroelectric light modulators
US20010055454A1 (en) * 2000-06-22 2001-12-27 Roach William R. Fiber carrying light emitting elements having patterned insulation
US20010055458A1 (en) * 2000-06-22 2001-12-27 Ladd Judith A. Sheet-like light emitting display and method
JP2002075783A (ja) * 2000-08-25 2002-03-15 Alps Electric Co Ltd 温度補償用薄膜コンデンサ
KR100413856B1 (ko) * 2001-08-23 2004-01-07 씨엘디 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
US7034470B2 (en) * 2002-08-07 2006-04-25 Eastman Kodak Company Serially connecting OLED devices for area illumination
US6693296B1 (en) * 2002-08-07 2004-02-17 Eastman Kodak Company OLED apparatus including a series of OLED devices
EP3376223A1 (en) * 2003-06-20 2018-09-19 Roche Diabetes Care GmbH Devices relating to electrochemical biosensors
US7122398B1 (en) * 2004-03-25 2006-10-17 Nanosolar, Inc. Manufacturing of optoelectronic devices
US6982819B2 (en) * 2004-05-10 2006-01-03 Ciencia, Inc. Electro-optic array interface
KR100724157B1 (ko) * 2004-09-09 2007-06-04 (주)케이디티 절연막 패터닝에 의한 유기 전계 발광 소자의 제작 방법
KR20060068676A (ko) * 2004-12-16 2006-06-21 엘지전자 주식회사 유기 전계발광표시소자의 제조방법
KR100718255B1 (ko) * 2005-03-05 2007-05-15 삼성전자주식회사 디램 장치 및 그 제조 방법
KR100685659B1 (ko) * 2006-01-26 2007-02-26 삼성전자주식회사 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP2007220648A (ja) * 2006-02-14 2007-08-30 Samsung Sdi Co Ltd 平板表示装置とその製造装置及び製造方法
US20080295882A1 (en) * 2007-05-31 2008-12-04 Thinsilicon Corporation Photovoltaic device and method of manufacturing photovoltaic devices
KR100986024B1 (ko) * 2007-12-31 2010-10-07 (주)에이디에스 투명 전극 패턴 제조 방법 및 이를 갖는 전기 광학 소자의제조 방법
KR100982412B1 (ko) * 2008-05-29 2010-09-15 (주)에이디에스 전기광학소자 및 이의 제작 방법
TW201017900A (en) * 2008-08-11 2010-05-01 Tg Solar Corp Solar cell and method for fabricating the same
KR101420773B1 (ko) * 2009-07-15 2014-07-17 주성엔지니어링(주) 전기광학소자 및 이의 제작 방법
KR20110006873A (ko) * 2009-07-15 2011-01-21 주성엔지니어링(주) 절연 페이스트 및 이를 이용한 유기 발광 소자의 제조 방법
US8137148B2 (en) * 2009-09-30 2012-03-20 General Electric Company Method of manufacturing monolithic parallel interconnect structure
US8865569B2 (en) * 2009-10-22 2014-10-21 M-Solv Ltd. Method and apparatus for dividing thin film device into separate cells
GB2474665B (en) * 2009-10-22 2011-10-12 M Solv Ltd Method and apparatus for dividing thin film device into separate cells

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10233286A (ja) * 1997-02-17 1998-09-02 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
US6146715A (en) * 1998-06-17 2000-11-14 Lg Electronics Inc. Method of fabricating organic electroluminescent display panel
JP2006294454A (ja) * 2005-04-12 2006-10-26 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機ｅｌ素子とその製造方法

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