CN104835918A - 电光器件及其制造方法 - Google Patents

电光器件及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104835918A
CN104835918A CN201510117453.7A CN201510117453A CN104835918A CN 104835918 A CN104835918 A CN 104835918A CN 201510117453 A CN201510117453 A CN 201510117453A CN 104835918 A CN104835918 A CN 104835918A
Authority
CN
China
Prior art keywords
dielectric film
electro
top electrode
bottom electrode
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510117453.7A
Other languages
English (en)
Inventor
李亨燮
刘致旭
李成姬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jusung Engineering Co Ltd
Original Assignee
Jusung Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jusung Engineering Co Ltd filed Critical Jusung Engineering Co Ltd
Publication of CN104835918A publication Critical patent/CN104835918A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105After-treatment
    • H01L21/31058After-treatment of organic layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1292Multistep manufacturing methods using liquid deposition, e.g. printing
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/17Passive-matrix OLED displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/82Cathodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明提供一种电光器件及其制造方法。该方法包括在基板上形成下电极;形成与下电极交叉的第一绝缘膜;在形成有下电极和所述第一绝缘膜的基板上形成有机膜;在有机膜上形成顶膜;以及通过利用激光划线工艺去除顶膜的一部分形成与下电极交叉的上电极。这里,在利用激光划线工艺形成上电极时,上电极的下表面的边缘区域位于第一绝缘膜的上方。因此,能够减少形成上电极所需要的加工设备的数量和步骤,从而简化制造工艺并节省制造成本。此外,因为在上电极的边缘区域下方形成绝缘膜,所以即使上电极的边缘区域在激光划线工艺期间被损坏,也能够防止由于上电极的变形所引起的漏电流的产生以及电光器件发生故障。因此,可以提高电光器件的可靠性。

Description

电光器件及其制造方法
本申请为申请日为2010年07月15日、申请号为201010227384.2、名称为“电光器件及其制造方法”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种电光器件及其制造方法,更具体地,涉及一种能够通过利用激光划线工艺去除用于上电极的顶膜的一部分并因而形成上电极来简化形成上电极的工艺的电光器件及制造这种电光器件的方法。
背景技术
通常,多个有机发光器件(OLED)设置在单个基板上的有机发光显示器包括基板、在该基板上形成的多个下电极、覆盖所述下电极的边缘区域的绝缘膜、在所述多个下电极上形成的有机膜以及在有机膜上形成的、由分隔物隔开为与所述多个下电极交叉的多个上电极,从而多个OLED能够被独立驱动。简单地说,在制造有机发光显示器的现有方法中,该方法首先在基板的整个表面上沉积诸如氧化铟锡(ITO)的透明导电材料。接着,执行光刻工艺,从而形成多个下电极。然后,在下电极的边缘区域上、即在下电极的上表面的边缘区域和侧面上形成绝缘膜。接着,为了在后续工艺中形成上电极,按照与下电极交叉的方式形成分隔物。在这里,通过用负性光刻胶涂覆基板,接着对该涂覆的负性光刻胶执行光刻工艺来形成5μm或更高的分隔物。然后,在基板上形成有机膜。接着,在形成有下电极和有机膜的基板的整个表面上沉积金属膜。金属膜被分隔物分隔开,由此被分隔开的金属膜用作多个上电极。由于这样形成分隔物和上电极,所以多个OLED能够被独立驱动。
但是,如果利用如同现有技术方法中的光刻工艺形成分隔物,就会需要多个制造步骤。因此,制造工艺太复杂,导致光刻工艺时间增加,制造成本也增加。
发明内容
本发明提供一种能够通过利用激光划线工艺去除在基板的整个表面上形成的顶膜的一部分并因而形成上电极来简化形成上电极的工艺的电光器件,以及制造这种电光器件的方法。
根据典型实施例,一种用于制造电光器件的方法包括:在基板上形成下电极;形成与下电极交叉的第一绝缘膜;在形成有下电极和所述第一绝缘膜的基板上形成有机膜;在有机膜上形成顶膜;以及通过利用激光划线工艺去除顶膜的一部分形成与下电极交叉的上电极。在这里,在利用激光划线工艺形成上电极时,上电极的下表面的边缘区域位于第一绝缘膜的上方。
在利用激光划线工艺形成上电极时,可以去除设置在顶膜下方的有机膜的一部分以形成有机图案,同时可以去除设置在有机膜下方的第一绝缘膜的一部分。
在激光划线工艺中使用的激光的宽度可以小于第一绝缘膜的宽度,且所述激光沿着第一绝缘膜的上侧的中心区域移动。
在所述激光划线工艺期间,在激光沿着第一绝缘膜的上侧的中心区域移动时,第一绝缘膜的中心区域、与第一绝缘膜的中心区域对应的有机膜和顶膜的一部分可以被去除。
所述有机图案的边缘区域和上电极的边缘区域可位于其中心区域被去除的所述第一绝缘膜的边缘区域的上方。
该方法可以包括形成覆盖下电极的边缘区域的第二绝缘膜,其中第二绝缘膜与下电极平行并与上电极和第一绝缘膜交叉。
第一绝缘膜和第二绝缘膜可以同时形成。
第一绝缘膜和第二绝缘膜可以由有机材料、无机材料和氧化物中的一种形成。
可以利用印刷工艺和光刻工艺中的一种形成第一绝缘膜和第二绝缘膜。
根据另一典型实施例,一种电光器件包括:设置在基板上的下电极;与下电极交叉的上电极;以及设置在下电极和上电极之间以与下电极交叉并与上电极平行的第一绝缘膜。
上电极的下表面的边缘区域位于第一绝缘膜的上方。
该电光器件还可以包括被设置成与下电极平行并覆盖下电极的边缘区域的第二绝缘膜。
该电光器件还可以包括设置在上电极和下电极之间的有机图案,且有机图案的边缘区域可以设置在第一绝缘膜上。
附图说明
由下面的结合附图的说明,可以更详细地理解典型实施例,其中:
图1A到图5A是示出典型实施例的制造电光器件的方法的俯视图;以及
图1B到图5B是沿着图1A到图5A的A-A’线截取的截面图。
具体实施方式
下面将参考附图更加详细地描述本发明的具体实施例。但是,本发明可以以不同的形式体现,因此不应解释为限制于这里阐述的实施例。更确切地说,提供这些实施例是为了使本发明全面且完整,并向本领域技术人员充分地传达本发明的范围。本文中相同的附图标记表示相同的元件。
图1A到图5A是示出根据典型实施例的制造电光器件的方法的俯视图,并且图1B到图5B是沿着图1A到图5A的A-A’线截取的截面图。
根据典型实施例的制造电光器件的方法能够简化形成多个上电极600b的工艺,并提高该电光器件的可靠性。以下,将参照图1A到图5A以及图1B到图5B描述根据典型实施例的制造电光器件的方法。
参照图1A和图1B,在基板100上形成以预定距离彼此分隔的多个下电极200。该基板可以是具有80%或更高透光率的塑料基板(例如,PES、PEN等)和玻璃基板中的任意一种,但并不限于此。换句话说,基板100可以是其他各种基板,例如,薄硅基板或蓝宝石基板。在该典型实施例中,使用玻璃基板作为基板100。在这里,多个下电极200中的每个在基板100上沿着预定方向延伸,例如,图1A中所示的水平方向。虽然未示出,但是可以通过在基板100上沉积诸透明导电材料,例如沉积氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟(In2O3)中的一种,接着对沉积的透明导电材料构图来形成下电极200。在该典型实施例中,通过利用溅射工艺在基板100上沉积诸如ITO的透明导电材料,接着利用光刻对沉积的透明导电材料构图来形成多个下电极200。但是,透明导电材料的沉积不限于溅射方法,可以使用除了溅射方法之外的其他各种沉积方法。另外,也可以通过利用湿蚀刻、划线、印刷等对透明导电材料构图而形成下电极200。
参照图2A和图2B,在形成有多个下电极200的基板上形成绝缘膜300。根据典型实施例的绝缘膜300包括多个第一绝缘膜300a和多个第二绝缘膜300b。多个第一绝缘膜300a形成为与下电极200交叉,而多个第二绝缘膜300b形成为与下电极200平行。在这里,第一绝缘膜300a防止随后形成的上电极600b的边缘区域接触下电极200,从而防止漏电流产生并且防止电光器件发生故障。第一绝缘膜300a形成在下电极200上,以使第一绝缘膜与下电极200交叉并与上电极600b平行。可按照这样的方式形成第一绝缘膜300a:上电极的下表面的边缘区域位于第一绝缘膜300a的上方。此外,第二绝缘膜300b与下电极200平行地设置在所述下电极200之间,从而覆盖下电极200的每个的边缘区域。更具体地,第二绝缘膜300b覆盖下电极200的每个的上表面的边缘区域和侧面。在这里,第二绝缘膜300b起到覆盖会在下电极200的形成工艺期间变形的下电极200的边缘区域的作用。结果,第一绝缘膜300a与下电极200交叉,而第二绝缘膜300b与下电极200平行形成。第一绝缘膜300a和第二绝缘膜300b由诸如光刻胶(PR)的有机材料和诸如氮化物或例如氧化铝(Al2O3)的氧化物的无机材料形成。在典型实施例中,通过利用属于印刷方法中一种的丝网印刷法涂覆绝缘材料来形成第一绝缘膜300a和第二绝缘膜300b。简单地说,在基板100上方设置模板掩模,该模板掩模暴露下电极200的边缘区域和上电极600b的边缘区域。该模板掩模包括第一开口部分和第二开口部分,该第一开口部分与下电极200交叉并暴露上电极600b的边缘区域,而该第二开口部分与下电极200平行并暴露下电极200之间的区域和下电极200的边缘区域。然后,通过模板掩模施加绝缘材料。在这里,通过移动挤压机喷射绝缘材料,并且绝缘材料被填充到模板掩模的开口部分,由此被构图。结果,第一绝缘膜300a与下电极200交叉,而第二绝缘膜300b与下电极200平行。第一绝缘膜300a以这样的方式形成,即随后形成的上电极600b的边缘区域位于第一绝缘膜300a的上方。第二绝缘膜300b形成在下电极200的上表面的边缘区域和侧面处。这样,根据典型实施例,通过单一的丝网印刷在形成有下电极200的基板100上同时形成了第一绝缘膜300a和第二绝缘膜300b。在现有OLED的情况下,虽然未示出,但是在基板上仅形成覆盖下电极的边缘区域的绝缘膜。然而,在典型实施例中,形成覆盖下电极200的上表面的边缘区域和侧面的第二绝缘膜300b,同时形成第一绝缘膜300a,上电极600b的下表面的边缘区域位于该第一绝缘膜的上方。换句话说,第一绝缘膜300a和第二绝缘膜300b通过单一的工艺同时形成在下电极200上。于是,不需要另外执行形成第一绝缘膜300a的工艺,上电极600b的下表面的边缘区域位于该第一绝缘膜300a的上方。因此,即使利用相同的处理时间,也能够不仅形成覆盖下电极200的上表面的边缘区域和侧面的第二绝缘膜300b,还形成第一绝缘膜300a,上电极600b的下表面的边缘区域位于该第一绝缘膜的上方。虽然绝缘膜300在典型实施例中是通过丝网印刷工艺形成的,但并不限于此,所以各种印刷方法能够被使用。换句话说,第一绝缘膜300a和第二绝缘膜300b可以利用笔印刷(pen-printing)、滚筒印刷(roller-printing)和凹版印刷(gravure-printing)中的一种形成。此外,第一绝缘膜300a和第二绝缘膜300b可以通过在形成有下电极200的基板100上施加光刻胶并通过光刻对光刻胶构图来形成。
参照图3A和图3B,在形成有下电极200、第一绝缘膜300a和第二绝缘膜300b的基板100的整个表面上形成用于有机图案500b的有机膜500a。虽然未示出,但是有机膜500a包括空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层。有机膜500a通过顺序地层叠空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层形成。可以利用各种有机材料来形成有机膜500a。例如,利用有效注入空穴的诸如CuPc、2T-NATA和MTDA的材料在下电极200上形成空穴注入层。另外,利用可以有效传输空穴的诸如NPB和TPD的材料在空穴注入层上形成空穴传输层。接着,在空穴传输层上形成发光层。该发光层可以包括由Alp3:C545T组成的绿色发光层、由DPVBi组成的蓝色发光层、由CBP:Ir(acac)组成的红色发光层以及包含这些构成的组并具有卓越发光特性的材料。接着,利用可以有效传输电子的诸如Alq3的材料形成电子传输层。通过热蒸发沉积这些有机材料,从而形成有机膜500a。当然,本发明并不限于上述方法,因而可以根据有机材料利用各种方法来形成有机膜500a。
参照图4A和图4B,在形成有下电极200、第一绝缘膜300a、第二绝缘膜300b和有机膜500a的基板100的整个表面上形成顶膜600a。在典型实施例中,通过热蒸发由LiF、Al、Ag、Ca、Cu及其合金中选择的一种材料在基板100上形成顶膜600a。接着,如图5A和图5B中所示,利用激光划线工艺去除一部分顶膜600a来形成多个上电极600b。多个上电极600b可形成为沿与下电极200交叉的方向延伸。为此,移动激光以与下电极200交叉,并去除一部分顶膜600a,以使上电极600b可以与下电极200交叉。划线工艺中使用的激光的宽度可比第一绝缘膜300a的宽度小,并且激光可以沿着第一绝缘膜300a的上侧的中心区域移动。因此,去除了在第一绝缘膜300a上方形成的一部分顶膜600a,以形成多个上电极600b。此外,除了去除顶膜600a之外,在激光划线工艺期间同时还去除了部分有机膜500a和部分第一绝缘膜300a。因此,如图5B中所示,按照与上电极600b相同的方式对有机膜500a构图,以形成有机图案500b。这样构图的有机图案500b的边缘区域设置在第一绝缘膜300a上。第一绝缘膜300a具有以下结构:它的中心区域在如上所述的激光划线工艺中被去除,而有机图案500b的边缘区域和上电极600b的边缘区域分别设置在第一绝缘膜300a上和上方。因为通过激光划线工艺构图的上电极600b和有机图案500b的边缘区域设置在第一绝缘膜300a上,所以能够防止漏电流产生并且防止电光器件发生故障。在利用激光划线工艺去除一部分顶膜600a以形成上电极600b时,激光划线工艺期间的高热或高能量能够修改每个上电极600b的边缘区域。设置在顶膜600a下方的一部分有机膜500a在该激光划线工艺期间被去除,并且该工艺期间的高热或高能量能够修改有机图案500b的边缘区域。然而,在典型实施例中,第一绝缘膜300a可以设置在上电极600b和有机图案500b的边缘区域下方,以便即使上电极600b和有机图案500b的边缘区域在激光划线工艺期间被损坏,也能防止漏电流产生并且防止电光器件发生故障。在制备上电极600b之后,可以执行清洗工艺,以去除激光划线工艺期间产生的颗粒。在该典型实施例中,可以通过利用抽吸器通过干洗方法去除这些颗粒。虽然没有示出,但是形成互连以使下电极200和上电极600b中的每个可以连接到外部电源。
在典型实施例中,形成绝缘膜300,该绝缘膜300包括与下电极200交叉的多个第一绝缘膜300a和与下电极200平行的多个第二绝缘膜300b。第一绝缘膜300a设置在上电极600b和有机图案500b的边缘区域下方来制备电光器件,从而即使上电极600b和有机图案500b的边缘区域在激光划线工艺期间被损坏,电光器件的特性也不会受到影响。第二绝缘膜300b与下电极200平行设置,以起到覆盖下电极200的边缘区域的作用,该边缘区域能够在形成下电极200的工艺期间被修改。在实施例中,在形成覆盖下电极200的边缘区域的第二绝缘膜300b时,同时也形成第一绝缘膜300a,第一绝缘膜300a设置在随后形成的上电极600b的下方。从而,不需要其他的工艺时间来形成第一绝缘膜300a。因此,利用单一的工艺,不仅可以形成覆盖下电极200的边缘区域的第二绝缘膜300b,还可以形成设置在上电极600b下方的第一绝缘膜300a。
在典型实施例中,可以无需形成分隔物而形成多个上电极600b。可以利用激光划线工艺去除一部分顶膜600a来形成多个上电极600b。因此,与传统方法相比,可以简化形成多个上电极600b的工艺。即使上电极600b的边缘区域在激光划线期间被损坏,但是由于第一绝缘膜300a可以设置在上电极600b下方,也能够防止该电光器件的漏电流产生并且防止该电光器件发生故障。
在该典型实施例中,虽然通过用有机发光器件作为例子描述了用于形成上电极600b的方法,但是该方法并不限于此,可以将该方法应用到需要形成多个上电极的各种电光器件中。
如上所述,根据该典型实施例,通过利用激光划线工艺去除在基板的整个表面上形成的顶膜的一部分来形成多个上电极。因此,可以减少形成多个上电极所需要的加工设备的数量和步骤,从而简化制造工艺并节省制造成本。
此外,因为在上电极的边缘区域下方形成了绝缘膜,所以即使上电极的边缘区域在激光划线工艺期间被损坏,也能够防止由于上电极的变形所引起的漏电流的产生以及电光器件发生故障。因此,可以提高电光器件的可靠性。
虽然已经参考具体实施例描述了电光器件及其制造方法,但不限于此。因此,本领域技术人员将容易理解,在不脱离由权利要求确定的本发明的精神和范围的情况下,可以对本发明进行各种修改和改变。

Claims (20)

1.一种电光器件,包括:
下电极,在一基板上;
上电极,与所述下电极交叉;
第一绝缘膜,位于对应于所述上电极的边缘区域的下方的位置,并且与所述下电极交叉并与所述上电极平行地延伸;以及
第二绝缘膜,在所述下电极的上方且与所述下电极平行,并且覆盖所述下电极的边缘区域。
2.根据权利要求1所述的电光器件,其中所述第一绝缘膜的垂直侧边与所述上电极的垂直侧边平行。
3.根据权利要求1所述的电光器件,还包括第二绝缘膜,在所述下电极的上方且与所述下电极平行,并且覆盖所述下电极的边缘区域。
4.根据权利要求3所述的电光器件,其中所述第一绝缘膜和第二绝缘膜包括同样的材料。
5.根据权利要求3所述的电光器件,其中所述第一绝缘膜和第二绝缘膜包括有机材料和氧化物。
6.根据权利要求5所述的电光器件,其中所述第一绝缘膜和第二绝缘膜包括氧化铝、光刻胶或无机氮化物。
7.根据权利要求3所述的电光器件,其中所述第一绝缘膜和第二绝缘膜包括无机材料。
8.一种电光器件,包括:
下电极,在一基板上;
上电极,与所述下电极交叉;
第一绝缘膜,位于对应于所述上电极的边缘区域的下方的位置,并且与所述下电极交叉并与所述上电极平行地延伸;以及
有机膜图案,于所述上电极与所述下电极之间,其中所述有机图案的边缘区域覆盖所述第一绝缘膜的边缘区域。
9.根据权利要求8所述的电光器件,其中所述有机膜图案防止所述上电极的边缘区域与所述第一绝缘膜接触。
10.根据权利要求1所述的电光器件,其中所述第一绝缘膜防止所述上电极的边缘区域与下层接触。
11.根据权利要求1所述的电光器件,其中所述第一绝缘膜防止所述电光器件的漏电流和故障。
12.根据权利要求3所述的电光器件,其中所述第二绝缘膜沿着所述下电极的长度延伸,并且所述第二绝缘膜与所述上电极和所述第一绝缘膜交叉。
13.根据权利要求1所述的电光器件,其中所述第一绝缘膜是印刷的膜。
14.根据权利要求8所述的电光器件,其中所述第一绝缘膜的垂直侧边与所述上电极的垂直侧边平行。
15.根据权利要求3所述的电光器件,其中所述第一绝缘膜和第二绝缘膜包括有机材料和氧化物。
16.根据权利要求1所述的电光器件,其中所述第一绝缘膜和第二绝缘膜包括无机材料。
17.根据权利要求3所述的电光器件,其中所述第一绝缘膜防止所述上电极的边缘区域与下层接触。
18.根据权利要求8所述的电光器件,其中所述第一绝缘膜防止所述电光器件的漏电流和故障。
19.根据权利要求1所述的电光器件,其中所述第二绝缘膜沿着所述下电极的长度延伸,并且所述第二绝缘膜与所述上电极和所述第一绝缘膜交叉。
20.根据权利要求3所述的电光器件,其中所述第一绝缘膜是印刷的膜。
CN201510117453.7A 2009-07-15 2010-07-15 电光器件及其制造方法 Pending CN104835918A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090064482A KR101420773B1 (ko) 2009-07-15 2009-07-15 전기광학소자 및 이의 제작 방법
KR10-2009-0064482 2009-07-15
CN201010227384.2A CN101958403B (zh) 2009-07-15 2010-07-15 电光器件及其制造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201010227384.2A Division CN101958403B (zh) 2009-07-15 2010-07-15 电光器件及其制造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104835918A true CN104835918A (zh) 2015-08-12

Family

ID=43464648

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201010227384.2A Active CN101958403B (zh) 2009-07-15 2010-07-15 电光器件及其制造方法
CN201510117453.7A Pending CN104835918A (zh) 2009-07-15 2010-07-15 电光器件及其制造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201010227384.2A Active CN101958403B (zh) 2009-07-15 2010-07-15 电光器件及其制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US8399276B2 (zh)
KR (1) KR101420773B1 (zh)
CN (2) CN101958403B (zh)
TW (1) TWI553939B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101420773B1 (ko) * 2009-07-15 2014-07-17 주성엔지니어링(주) 전기광학소자 및 이의 제작 방법
KR101356216B1 (ko) * 2012-01-18 2014-01-28 참엔지니어링(주) 태양전지기판의 가공방법
CN111092170B (zh) * 2018-10-23 2022-08-16 宸鸿光电科技股份有限公司 有机发光二极管结构及其形成方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030017096A (ko) * 2001-08-23 2003-03-03 씨엘디 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
KR20060068676A (ko) * 2004-12-16 2006-06-21 엘지전자 주식회사 유기 전계발광표시소자의 제조방법
US20070065962A1 (en) * 2004-03-25 2007-03-22 Nanosolar, Inc. Manufacturing of optoelectronic devices
CN101009281A (zh) * 2006-01-26 2007-08-01 三星电子株式会社 半导体器件及其制造方法
CN101478032A (zh) * 2007-12-31 2009-07-08 周星工程股份有限公司 用于制造透明电极图案的方法和用于制造具有所述透明电极图案的电光装置的方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5106452A (en) * 1989-06-05 1992-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of depositing diamond and diamond light emitting device
US6211993B1 (en) * 1996-05-20 2001-04-03 Nz Applied Technologies Corporation Thin film ferroelectric light modulators
JP3485749B2 (ja) * 1997-02-17 2004-01-13 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
KR100282393B1 (ko) * 1998-06-17 2001-02-15 구자홍 유기이엘(el)디스플레이소자제조방법
US20010055454A1 (en) * 2000-06-22 2001-12-27 Roach William R. Fiber carrying light emitting elements having patterned insulation
US20010055458A1 (en) * 2000-06-22 2001-12-27 Ladd Judith A. Sheet-like light emitting display and method
JP2002075783A (ja) * 2000-08-25 2002-03-15 Alps Electric Co Ltd 温度補償用薄膜コンデンサ
US7034470B2 (en) * 2002-08-07 2006-04-25 Eastman Kodak Company Serially connecting OLED devices for area illumination
US6693296B1 (en) * 2002-08-07 2004-02-17 Eastman Kodak Company OLED apparatus including a series of OLED devices
EP1642125B1 (en) * 2003-06-20 2017-09-27 Roche Diabetes Care GmbH Biosensor with multiple electrical functionalities
US6982819B2 (en) * 2004-05-10 2006-01-03 Ciencia, Inc. Electro-optic array interface
KR100724157B1 (ko) * 2004-09-09 2007-06-04 (주)케이디티 절연막 패터닝에 의한 유기 전계 발광 소자의 제작 방법
KR100718255B1 (ko) * 2005-03-05 2007-05-15 삼성전자주식회사 디램 장치 및 그 제조 방법
JP2006294454A (ja) * 2005-04-12 2006-10-26 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機el素子とその製造方法
JP2007220648A (ja) * 2006-02-14 2007-08-30 Samsung Sdi Co Ltd 平板表示装置とその製造装置及び製造方法
WO2008150769A2 (en) * 2007-05-31 2008-12-11 Thinsilicon Corporation Photovoltaic device and method of manufacturing photovoltaic devices
KR100982412B1 (ko) * 2008-05-29 2010-09-15 (주)에이디에스 전기광학소자 및 이의 제작 방법
TW201017900A (en) * 2008-08-11 2010-05-01 Tg Solar Corp Solar cell and method for fabricating the same
KR20110006873A (ko) * 2009-07-15 2011-01-21 주성엔지니어링(주) 절연 페이스트 및 이를 이용한 유기 발광 소자의 제조 방법
KR101420773B1 (ko) * 2009-07-15 2014-07-17 주성엔지니어링(주) 전기광학소자 및 이의 제작 방법
US8137148B2 (en) * 2009-09-30 2012-03-20 General Electric Company Method of manufacturing monolithic parallel interconnect structure
US8865569B2 (en) * 2009-10-22 2014-10-21 M-Solv Ltd. Method and apparatus for dividing thin film device into separate cells
GB2474665B (en) * 2009-10-22 2011-10-12 M Solv Ltd Method and apparatus for dividing thin film device into separate cells

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030017096A (ko) * 2001-08-23 2003-03-03 씨엘디 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
US20070065962A1 (en) * 2004-03-25 2007-03-22 Nanosolar, Inc. Manufacturing of optoelectronic devices
KR20060068676A (ko) * 2004-12-16 2006-06-21 엘지전자 주식회사 유기 전계발광표시소자의 제조방법
CN101009281A (zh) * 2006-01-26 2007-08-01 三星电子株式会社 半导体器件及其制造方法
CN101478032A (zh) * 2007-12-31 2009-07-08 周星工程股份有限公司 用于制造透明电极图案的方法和用于制造具有所述透明电极图案的电光装置的方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9000454B2 (en) 2015-04-07
KR20110006872A (ko) 2011-01-21
CN101958403A (zh) 2011-01-26
CN101958403B (zh) 2015-04-15
KR101420773B1 (ko) 2014-07-17
US8399276B2 (en) 2013-03-19
TWI553939B (zh) 2016-10-11
US20130153875A1 (en) 2013-06-20
TW201108487A (en) 2011-03-01
US20110012094A1 (en) 2011-01-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100890250B1 (ko) 플렉서블 소자의 제조 방법 및 플렉서블 표시 장치의 제조방법
KR100986024B1 (ko) 투명 전극 패턴 제조 방법 및 이를 갖는 전기 광학 소자의제조 방법
CN106449718B (zh) Oled基板及其制作方法
CN107689390A (zh) 像素界定层及其制造方法、显示基板、显示面板
US9281492B2 (en) Electro-optic device and method for manufacturing same
JP2012216296A (ja) 有機発光装置の製造方法
CN105118836A (zh) 具有导电平坦层的阵列基板及其制备方法
KR101483193B1 (ko) 박막 패터닝 방법 및 이를 이용한 전기 광학 소자
CN101958403B (zh) 电光器件及其制造方法
JP2009266803A (ja) 有機elディスプレイパネル及びその製造方法
KR102042532B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US20090294157A1 (en) Electro-optic device and method for manufacturing the same
JP6057052B2 (ja) 表示素子、及び表示素子の製造方法
KR20100022627A (ko) 전기광학소자의 제작 방법
KR100612117B1 (ko) 보조 전극을 덮는 절연막이 형성된 유기 전계 발광 소자및 그 제조 방법
CN103855084B (zh) 制造有机发光显示装置的方法
KR100700656B1 (ko) 유기전계발광소자 및 그의 제조 방법
JP2009064562A (ja) 発光装置の製造方法及び発光装置
JP2020008741A (ja) 表示パネル製造装置および表示パネル製造方法
KR20130075427A (ko) 유기발광 표시장치 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
EXSB Decision made by sipo to initiate substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20150812