CN112420798B - 硅基oled面板的制备方法 - Google Patents

硅基oled面板的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112420798B
CN112420798B CN202011303553.6A CN202011303553A CN112420798B CN 112420798 B CN112420798 B CN 112420798B CN 202011303553 A CN202011303553 A CN 202011303553A CN 112420798 B CN112420798 B CN 112420798B
Authority
CN
China
Prior art keywords
pixel
sub
layer
gluing
evaporating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202011303553.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112420798A (zh
Inventor
王登峰
邓琼
李光
郑武
王志超
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Integrated Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Integrated Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Integrated Display Technology Co Ltd filed Critical Semiconductor Integrated Display Technology Co Ltd
Priority to CN202011303553.6A priority Critical patent/CN112420798B/zh
Publication of CN112420798A publication Critical patent/CN112420798A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112420798B publication Critical patent/CN112420798B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开了一种硅基OLED面板的制备方法，包括步骤：S1、制作阳极金属层；S2、涂胶显影，形成R像素lift off结构；S3、蒸镀R材料和阴极金属层；S4、涂胶显影，形成G像素lift off结构；S5、蒸镀G材料和阴极金属层；S6、涂胶显影，形成B像素lift off结构；S7、蒸镀B材料和阴极金属层；S8、光刻胶剥离；S9、涂胶制作平坦层；S10、灰化形成PDL层；S11、蒸镀整面共阴极金属层。本发明的硅基OLED面板的制备方法，采用黄光工艺制备OLED蒸镀用自对准结构，能实现PPI 2000以上的RGB独立自主发光，大大提高整体显示亮度和分辨率。

Description

硅基OLED面板的制备方法
技术领域
本发明属于半导体器件技术领域，具体地说，本发明涉及一种硅基OLED(有机发光二极管)面板的制备方法。
背景技术
由于目前OLED面板的主流生产方法是真空蒸镀，而真空蒸镀必须用到FMM金属薄板(Fine Metal Mask)，其材料主要为一种低热膨胀金属，一般使用因瓦金属(invar)制成，其成分主要为含36％的镍的铁属合金。因为用在FMM金属薄板的因瓦金属的厚度很薄，其厚度仅约为20-30um，而薄型的因瓦金属生产困难，蚀刻工艺使得OLED物理分辨率被限制在210-300ppi，材料难以继续减薄，同时减薄后的材料物理强度降低，FMM制作难度增加，成品率低，成本增加，张网后的FMM成品使用寿命减少。蚀刻工艺制作FMM技术限制了OLED面板行业分辨率的提高。同时硅基OLED面板需要高达5000以上的PPI，现有技术采用白光加彩膜的方案实现全彩化，这进一步降低了整体有机材料的光利用率。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提供一种硅基OLED面板的制备方法，目的是提高硅基OLED面板的分辨率。
为了实现上述目的，本发明采取的技术方案为：硅基OLED面板的制备方法，包括步骤：
S1、制作阳极金属层；
S2、涂胶显影，形成R像素lift off结构；
S3、蒸镀R材料和阴极金属层；
S4、涂胶显影，形成G像素lift off结构；
S5、蒸镀G材料和阴极金属层；
S6、涂胶显影，形成B像素lift off结构；
S7、蒸镀B材料和阴极金属层；
S8、光刻胶剥离；
S9、涂胶制作平坦层；
S10、灰化形成PDL层；
S11、蒸镀整面共阴极金属层。
所述步骤S2中，在衬底上涂覆光刻胶，对R子像素阳极区域进行曝光显影，使得R子像素阳极金属暴露，形成R像素lift off结构。
所述步骤S3中，利用步骤S2形成的结构，采用整面蒸镀工艺，形成R子像素阳极区域OLED材料及阴极金属材料层。
所述步骤S4中，利用步骤S3形成的结构，对G子像素阳极区域进行曝光显影，使得G子像素阳极金属暴露，形成G像素lift off结构。
所述步骤S5中，利用步骤S4形成的结构，采用整面蒸镀工艺，形成G子像素阳极区域OLED材料及阴极金属材料层。
所述步骤S6中，利用步骤S5形成的结构，对B子像素阳极区域进行曝光显影，使得B子像素阳极金属暴露，形成B像素lift off结构。
所述步骤S7中，利用步骤S6形成的结构，采用整面蒸镀工艺，形成B子像素阳极区域OLED材料及阴极金属材料层。
所述步骤S8中，使用湿法或干法工艺，去除步骤S7形成的结构上的多余的光刻胶膜层。
所述步骤S10中，使用干法工艺，去除多余光刻胶，在各子像素间距内形成绝缘结构，作为各子像素PDL层。
所述步骤S11中，将各子像素阴极连接在一起，形成共阴极结构。
本发明的硅基OLED面板的制备方法，采用黄光工艺制备OLED蒸镀用自对准结构，能实现PPI 2000以上的RGB独立自主发光，一方面突破FMM掩膜现用制程对显示PPI的限制，另一方面突破现有硅基微显示白光加彩膜的全彩化技术方案，实现RGB独立自主发光，大大提高整体显示亮度和分辨率。
附图说明
本说明书包括以下附图，所示内容分别是：
图1是本发明硅基OLED面板的制备方法的流程图；
图2-图13是步骤S1-S11的OLED面板结构变化示意图。
具体实施方式
下面对照附图，通过对实施例的描述，对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明，目的是帮助本领域的技术人员对本发明的构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解，并有助于其实施。
如图1所示，本发明提供了一种硅基OLED面板的制备方法，包括如下的步骤：
S1、制作阳极金属层；
S2、涂胶显影，形成R像素lift off结构；
S3、蒸镀R材料和阴极金属层；
S4、涂胶显影，形成G像素lift off结构；
S5、蒸镀G材料和阴极金属层；
S6、涂胶显影，形成B像素lift off结构；
S7、蒸镀B材料和阴极金属层；
S8、光刻胶剥离；
S9、涂胶制作平坦层；
S10、灰化形成PDL层(像素定义层)；
S11、蒸镀整面共阴极金属层。
具体地说，如图1和图2所示，在上述步骤S1中，将硅基CMOS驱动wafer放入磁控溅射沉积真空腔内，进行OLED阳极金属溅射沉积。沉积的金属膜通常选择高反射率的Al金属，并搭配其他buffer金属形成符合阳极膜层结构，总体厚度一般不超过
Figure BDA0002787664070000041
通过曝光显影，刻蚀多余部分金属，形成各子像素可独立驱动控制的阳极金属阵列。
如图1和图3所示，在上述步骤S2中，在步骤S1形成的衬底上均匀的涂覆光刻胶，为保证光刻胶的均匀粘附，衬底基片的表面必须严格清洗。在衬底上涂覆光刻胶，使用的涂胶方式是旋涂法，即将光刻胶溶液滴在衬底上，通过高速旋转的方式将溶液甩开，从而在衬底表面形成均匀的薄膜层，薄膜层的厚度可以通过溶液的浓度和旋转速度来调控。首先对R子像素阳极区域进行曝光显影，使得R子像素阳极金属暴露，形成R像素lift off结构。
如图1和图4所示，在上述步骤S3中，无需使用掩膜版，利用步骤S2形成的结构，采用整面蒸镀工艺，形成R子像素阳极区域OLED材料及阴极金属材料层。
如图1和图5所示，在上述步骤S4中，利用步骤S3形成的结构，通过类似步骤S2的工艺，对G子像素阳极区域进行曝光显影，使得G子像素阳极金属暴露，形成G像素lift off结构。
如图1和图6所示，在上述步骤S5中，无需使用掩膜版，利用步骤S4形成的结构，采用整面蒸镀工艺，形成G子像素阳极区域OLED材料及阴极金属材料层。
如图1和图7所示，在上述步骤S6中，利用步骤S5形成的结构，通过类似步骤S2的工艺，对B像素阳极区域进行曝光显影，使得B像素阳极金属暴露，形成B像素lift off结构。
如图1和图8所示，在上述步骤S7中，无需使用掩膜版，利用步骤S6形成的结构，采用整面蒸镀工艺，形成B子像素阳极区域OLED材料及阴极金属材料层。
如图1和图9所示，在上述步骤S8中，使用湿法或干法工艺，去除步骤S7形成的结构上的多余的光刻胶膜层。
如图1和图10所示，在上述步骤S9中，在步骤S8形成的结构上涂胶形成平坦层，便于后一步工艺处理。
如图1和图11所示，在上述步骤S10中，使用干法工艺，去除多余光刻胶，在各子像素间距内形成绝缘结构，作为各子像素PDL层。
如图1和图12所示，在上述步骤S11中，将各子像素阴极连接在一起，形成共阴极结构。
以上结合附图对本发明进行了示例性描述。显然，本发明具体实现并不受上述方式的限制。只要是采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进；或未经改进，将本发明的上述构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。

Claims (1)

1.硅基OLED面板的制备方法，其特征在于，包括步骤：
S1、制作阳极金属层；
S2、涂胶显影，形成R像素剥离结构；
S3、蒸镀R材料和阴极金属层；
S4、涂胶显影，形成G像素剥离结构；
S5、蒸镀G材料和阴极金属层；
S6、涂胶显影，形成B像素剥离结构；
S7、蒸镀B材料和阴极金属层；
S8、光刻胶剥离；
S9、涂胶制作平坦层；
S10、灰化形成PDL层；
S11、蒸镀整面共阴极金属层；
其中，所述步骤S1中，将硅基CMOS驱动晶圆放入磁控溅射沉积真空腔内，进行OLED阳极金属溅射沉积；
所述步骤S2中，在衬底上涂覆光刻胶，对R子像素阳极区域进行曝光显影，使得R子像素阳极金属暴露，形成R像素剥离结构；
所述步骤S3中，利用步骤S2形成的结构，采用整面蒸镀工艺，形成R子像素阳极区域OLED材料及阴极金属材料层；
所述步骤S4中，利用步骤S3形成的结构，涂覆光刻胶，对G子像素阳极区域进行曝光显影，使得G子像素阳极金属暴露，形成G像素剥离结构；
所述步骤S5中，利用步骤S4形成的结构，采用整面蒸镀工艺，形成G子像素阳极区域OLED材料及阴极金属材料层；
所述步骤S6中，利用步骤S5形成的结构，涂覆光刻胶，对B子像素阳极区域进行曝光显影，使得B子像素阳极金属暴露，形成B像素剥离结构；
所述步骤S7中，利用步骤S6形成的结构，采用整面蒸镀工艺，形成B子像素阳极区域OLED材料及阴极金属材料层；
所述步骤S8中，使用湿法或干法工艺，去除步骤S2、S4、S6中剩余的光刻胶；
所述步骤S9中，在步骤S8形成的结构上涂胶形成平坦层；
所述步骤S10中，使用干法工艺，去除多余光刻胶，在各子像素间距内形成绝缘结构，作为各子像素PDL层；
所述步骤S11中，将各子像素阴极连接在一起，形成共阴极结构。
CN202011303553.6A 2020-11-19 2020-11-19 硅基oled面板的制备方法 Active CN112420798B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011303553.6A CN112420798B (zh) 2020-11-19 2020-11-19 硅基oled面板的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011303553.6A CN112420798B (zh) 2020-11-19 2020-11-19 硅基oled面板的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112420798A CN112420798A (zh) 2021-02-26
CN112420798B true CN112420798B (zh) 2023-04-18

Family

ID=74773597

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011303553.6A Active CN112420798B (zh) 2020-11-19 2020-11-19 硅基oled面板的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112420798B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113054148A (zh) * 2021-03-16 2021-06-29 安徽熙泰智能科技有限公司 一种避免阴极断裂的pdl的制备方法
CN113299542B (zh) * 2021-05-20 2023-03-10 安徽熙泰智能科技有限公司 一种高分辨率硅基彩色oled微显示器件的制备方法
CN113380968A (zh) * 2021-06-08 2021-09-10 安徽熙泰智能科技有限公司 一种回刻制备硅基Micro OLED微显示器件PDL的方法
CN115802858B (zh) * 2022-12-01 2023-10-13 安徽芯视佳半导体显示科技有限公司 一种oled直接rgb图形化的方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107863457A (zh) * 2017-10-18 2018-03-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled器件及其制作方法
CN108574056A (zh) * 2017-03-10 2018-09-25 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN109148738A (zh) * 2018-08-21 2019-01-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled面板及其制造方法
CN109509765A (zh) * 2017-09-14 2019-03-22 黑牛食品股份有限公司 一种有机发光显示屏及其制造方法
CN109742266A (zh) * 2019-01-11 2019-05-10 京东方科技集团股份有限公司 一种oled微腔结构的制作方法
CN110970458A (zh) * 2018-09-28 2020-04-07 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种全色led阵列器件集成制作方法
CN111276618A (zh) * 2018-12-05 2020-06-12 陕西坤同半导体科技有限公司 有机功能层及制备有机功能层的方法、显示面板

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102490889B1 (ko) * 2016-02-29 2023-01-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR20180080416A (ko) * 2017-01-03 2018-07-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108574056A (zh) * 2017-03-10 2018-09-25 三星显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
CN109509765A (zh) * 2017-09-14 2019-03-22 黑牛食品股份有限公司 一种有机发光显示屏及其制造方法
CN107863457A (zh) * 2017-10-18 2018-03-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled器件及其制作方法
CN109148738A (zh) * 2018-08-21 2019-01-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled面板及其制造方法
CN110970458A (zh) * 2018-09-28 2020-04-07 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种全色led阵列器件集成制作方法
CN111276618A (zh) * 2018-12-05 2020-06-12 陕西坤同半导体科技有限公司 有机功能层及制备有机功能层的方法、显示面板
CN109742266A (zh) * 2019-01-11 2019-05-10 京东方科技集团股份有限公司 一种oled微腔结构的制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN112420798A (zh) 2021-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN112420798B (zh) 硅基oled面板的制备方法
CN110112172B (zh) 基于氮化镓纳米孔阵列/量子点混合结构的全色微米led显示芯片及其制备方法
US8646405B2 (en) Deposition mask and method of fabricating the same
US20030025446A1 (en) Manufacturing method and structure of OLED display panel
US7947518B2 (en) Method for forming electronic devices by using protecting layers
KR20040095031A (ko) 유기 이엘 디스플레이 패널 제조용 새도우 마스크
TWI712165B (zh) 微發光二極體陣列與其製法
CN112750889A (zh) 一种自对准像素定义层结构及其加工方法
CN113793908A (zh) 一种硅基有源矩阵式有机发光显示器及其制作方法
JP2002313564A (ja) シャドウマスク、該シャドウマスクの製造方法、およびディスプレイ
US20210407841A1 (en) Mass transfer method and system for micro light emitting diodes
CN215069991U (zh) 一种自对准像素定义层结构
CN112786675A (zh) 一种改善光学串扰高分辨率微显示器的制作方法
CN108396285B (zh) 掩模板、显示基板及其制作方法、显示装置
CN112103402A (zh) 一种干法刻蚀制备硅基oled阳极及oled器件的方法
CN112510068A (zh) 一种硅基有机电致发光微显示器及其制备方法
US20240147805A1 (en) Quantum dot pattern, quantum dot light-emitting device, display apparatus, and manufacturing method
CN219658728U (zh) 一种Micro LED显示器件和Micro LED芯片
CN115802858B (zh) 一种oled直接rgb图形化的方法
CN118102834A (zh) 一种硅基oled阳极结构的制备方法
CN117597002A (zh) 硅基oled微显示器强微腔阳极结构及其制备方法
CN109166786A (zh) 一种柔性tft基板的镀膜工艺
CN116936554B (zh) 一种使用机械式转移技术制备Mini LED阵列的方法
CN113793906B (zh) 硅基有源矩阵式oled显示器及其制作方法
US20230170337A1 (en) Transient-substrate assembly and manufacturing method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant