CN109166786A - 一种柔性tft基板的镀膜工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种柔性TFT基板的镀膜工艺，包括如下步骤：S1.提供承载基板；S2.在所述承载基板形成柔性基板；S3.将柔性基板置于镀膜腔室中，在40℃下采用PVD镀膜的方式在所述柔性基板上镀制第一钼层，将柔性基板从镀膜腔室中取出，冷却至室温后再放入镀膜腔室中，在40‑60℃下在所述第一钼层上采用采用PVD镀膜的方式分别镀制铝层和第二钼层。本发明中降低采用PVD镀膜的镀制温度，同时将第一钼层、以及铝层和第二钼层分次镀制，采用这种镀膜工艺，不仅可以保证钼铝钼层与柔性基板的粘附力，而且有效避免了TFT制备过程中因工艺温度过高柔性基板发生的形变、翘曲等问题。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及了一种柔性TFT基板的镀膜工艺。
背景技术
在显示技术领域，柔性显示器是基于柔性有机材料作为基板的显示器，其具有薄而轻、高对比度、快速响应、宽视角、高亮度、全彩色等优点，可以被弯曲、折叠、甚至作为可穿戴计算机的一部分，因此在显示效果好的便携产品和军事等特殊领域有非常广泛的应用，因此柔性显示技术已然成为下一代主流显示技术。
薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)是目前液晶显示装置(LiquidCrystal Display，简称LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(Active MatrixOrganic Light-Emitting Diode，简称AMOLED)中的主要驱动元件，直接关系到高性能显示装置的发展方向。
一般将磁控溅射简称为PVD，基本原理是在于，先将溅镀靶材 (SputteringTarget)及基板设置在真空环境中，并且将靶材设于具有高电压的阴极侧，基板设于具有高电压的阳极侧，接着利用阴极与阳极间的辉光放电所形成的电浆，使靶材与基板之间所通入的溅镀气体产生出正离子，正离子受到阴极吸引而轰击靶材，使靶材的原子或分子被轰击出并沉积至基板表面，以达到使基板沉积出薄膜的目的。由于磁控溅射沉积的膜层均匀、致密、针孔少，纯度高，附着力强，可以 在低温、低损伤的条件下实现高速沉积各种材料薄膜，已经成为当今真空镀膜 中的一种成熟技术与工业化的生产方式。
现有技术在柔性TFT基板的制作中，通常在承载基板上涂布有机材料并固化，以制作出柔性基板，然后在柔性基板上通过磁控溅射的工艺镀制钼铝钼层。发明人在实践中发现，采用现有的镀膜工艺，柔性基板在高温工艺条件下会发生形变、翘曲等问题。
发明内容
为了弥补已有技术的缺陷，本发明提供一种柔性TFT基板的镀膜工艺。
本发明所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：
一种柔性TFT基板的镀膜工艺，包括如下步骤：
S1.提供承载基板；
S2.在所述承载基板形成柔性基板；
S3.将柔性基板置于镀膜腔室中，在40℃下采用PVD镀膜的方式在所述柔性基板上镀制第一钼层，将柔性基板从镀膜腔室中取出，冷却至室温后再放入镀膜腔室中，在40-60℃下在所述第一钼层上采用采用PVD镀膜的方式分别镀制铝层和第二钼层。
现有技术中为了增强钼铝钼层与柔性基板的粘附力，提高钼铝钼层的致密性，往往在高温下采用采用PVD镀膜的方式在柔性基板上连续镀制第一钼层、铝层和第二钼层，但是发明人在实践中发现，采用这种镀膜工艺，柔性基板在高温下收缩会引起柔性基板的形变、翘曲等问题，若形变、翘曲过大则不能进行后续的曝光制程，产品的良率低。针对上述问题，发明人经过大量研究发现，将柔性基板置于镀膜腔室中，在40℃下采用采用PVD镀膜的方式在所述柔性基板上镀制第一钼层，将柔性基板从镀膜腔室中取出，冷却至室温后再放入镀膜腔室中，在40-60℃下在所述第一钼层上采用采用PVD镀膜的方式分别镀制铝层和第二钼层；本发明中降低采用PVD镀膜的镀制温度，同时将第一钼层、以及铝层和第二钼层分次镀制，采用这种镀膜工艺，不仅可以保证钼铝钼层与柔性基板的粘附力，而且有效避免了TFT制备过程中因工艺温度过高柔性基板发生的形变、翘曲等问题。
进一步地，所述承载基板为玻璃基板。
进一步地，步骤S2中，所述柔性基板通过有机粘结剂形成在所述承载基板上。
进一步地，步骤S2的具体操作为：（1）在所述承载基板上涂覆有机粘结剂；（2）在涂覆有粘结剂的承载基板上涂布有机材料并固化，以形成柔性基板。
进一步地，所述有机材料为PI、PET、PES、PEN、PC中的一种或多种。
本发明具有如下有益效果：
本发明中降低采用PVD镀膜的镀制温度，同时将第一钼层、以及铝层和第二钼层分次镀制，采用这种镀膜工艺，不仅可以保证钼铝钼层与柔性基板的粘附力，而且有效避免了TFT制备过程中因工艺温度过高柔性基板发生的形变、翘曲等问题。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明进行详细的说明，实施例仅是本发明的优选实施方式，不是对本发明的限定。
一种柔性TFT基板的镀膜工艺，包括如下步骤：
S1.提供承载基板；
S2.在所述承载基板形成柔性基板；
S3.将柔性基板置于镀膜腔室中，在40℃下采用PVD镀膜的方式在所述柔性基板上镀制第一钼层，将柔性基板从镀膜腔室中取出，冷却至室温后再放入镀膜腔室中，在40-60℃下在所述第一钼层上采用采用PVD镀膜的方式分别镀制铝层和第二钼层。
现有技术中为了增强钼铝钼层与柔性基板的粘附力，提高钼铝钼层的致密性，往往在高温下采用采用PVD镀膜的方式在柔性基板上连续镀制第一钼层、铝层和第二钼层，但是发明人在实践中发现，采用这种镀膜工艺，柔性基板在高温下收缩会引起柔性基板的形变、翘曲等问题，若形变、翘曲过大则不能进行后续的曝光制程，产品的良率低。针对上述问题，发明人经过大量研究发现，将柔性基板置于镀膜腔室中，在40℃下采用采用PVD镀膜的方式在所述柔性基板上镀制第一钼层，将柔性基板从镀膜腔室中取出，冷却至室温后再放入镀膜腔室中，在40-60℃下在所述第一钼层上采用采用PVD镀膜的方式分别镀制铝层和第二钼层；本发明中降低采用PVD镀膜的镀制温度，同时将第一钼层、以及铝层和第二钼层分次镀制，采用这种镀膜工艺，不仅可以保证钼铝钼层与柔性基板的粘附力，而且有效避免了TFT制备过程中因工艺温度过高柔性基板发生的形变、翘曲等问题。
本发明中，所述承载基板包括玻璃基板、硅片、金属或硬质薄膜，优选地，所述承载基板为玻璃基板。
本发明中，步骤S2中，所述柔性基板通过有机粘结剂形成在所述承载基板上；具体地，步骤S2的具体操作为：（1）在所述承载基板上涂覆有机粘结剂；（2）在涂覆有粘结剂的承载基板上涂布有机材料并固化，以形成柔性基板。
本发明中，承载基板和柔性基板之间采用有机粘结剂粘接，有机粘结剂的厚度约为100-200μm。后续制作中有机粘结剂会被分离留在承载基板上。具体地，后续从承载基板上剥离出柔性基板，可采用在0-10℃环境有机粘结剂自动失去粘性实现剥离，还可采用UV光照模式失去粘性实现剥离。
本发明中并不具体限定有机粘结剂的种类，其可以采用现有技术中的常规种类，其对本领域技术人员为公知。
本发明中，有机材料采用涂布的方式成膜，薄膜特性容易控制。有机材料也可直接固化成膜通过粘结剂连接在基板上
本发明实施方式中，并不具体限定柔性基板的厚度，具体厚度可根据实际需要而选择，作为举例所述柔性基板的厚度可以为10-50μm，进一步可以是20-30μm。
所述有机材料为PI、PET、PES、PEN、PC中的一种或多种，但不局限于此。优选地，所述有机材料为PI（聚酰亚胺），PI树脂的粘度系数能保证柔性基板与承载基板的粘接力度，使在制备工艺中不会出现脱落的情形。
本发明中，对PVD镀膜的具体工艺参数不作特别限定，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择。
可以理解，本发明中，还包括在柔性基板上制备TFT的其他步骤，其可按照本领域内的常规工艺进行，本发明不做特殊限定。
以上所述实施例仅表达了本发明的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制，但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案，均应落在本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种柔性TFT基板的镀膜工艺，包括如下步骤：
S1.提供承载基板；
S2.在所述承载基板形成柔性基板；
S3.将柔性基板置于镀膜腔室中，在40℃下采用PVD镀膜的方式在所述柔性基板上镀制第一钼层，将柔性基板从镀膜腔室中取出，冷却至室温后再放入镀膜腔室中，在40-60℃下在所述第一钼层上采用采用PVD镀膜的方式分别镀制铝层和第二钼层。
2.如权利要求1所述的镀膜工艺，其特征在于，所述承载基板为玻璃基板。
3.如权利要求1所述的镀膜工艺，其特征在于，步骤S2中，所述柔性基板通过有机粘结剂形成在所述承载基板上。
4.如权利要求1所述的镀膜工艺，其特征在于，步骤S2的具体操作为：（1）在所述承载基板上涂覆有机粘结剂；（2）在涂覆有粘结剂的承载基板上涂布有机材料并固化，以形成柔性基板。
5.如权利要求4所述的镀膜工艺，其特征在于，所述有机材料为PI、PET、PES、PEN、PC中的一种或多种。
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