CN117594454A - 晶圆键合方法及晶圆键合结构 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种晶圆键合方法及晶圆键合结构，包括：提供第一晶圆和第二晶圆；分别于所述第一晶圆上和所述第二晶圆上对应形成第一氧化层、第二氧化层；分别对所述第一氧化层和所述第二氧化层进行脱水处理；分别于脱水处理后的所述第一氧化层上、所述第二氧化层上旋涂金属氧化物盐溶液对应形成第一键合界面和第二键合界面；将所述第一键合界面和所述第二键合界面对准后键合，以形成晶圆键合结构。采用申请的晶圆键合方法，可通过提高氧化层的致密性，提高键合质量，同时避免退火过程中水分子和氧化层的孔隙结合产生气泡的现象发生，可提高产品良率。
Description
技术领域
本申请涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种晶圆键合方法及晶圆键合结构。
背景技术
晶圆键合技术是利用化学或物理作用使两组晶圆紧密结合的技术，其可以为减薄晶圆提供机械支承或层转移。
晶圆键合前，通常需要等离子体激活等工艺对晶圆表面进行活化处理，形成悬挂键。在晶圆键合过程中，键合界面悬挂键会形成水分子逸出，从而形成晶圆键合结构。但由于氧化层的不致密性，氧化层内存在孔隙残留，使得在后续退火过程中未及时逸出的水分子和孔隙结合形成气泡，影响产品良率。
发明内容
基于此，有必要提供一种能够提高氧化层的致密性，以提高键合质量的晶圆键合方法及晶圆键合结构。
为了实现上述目的，一方面，本申请提高了一种晶圆键合方法，包括：
提供第一晶圆和第二晶圆；
分别于所述第一晶圆上和所述第二晶圆上对应形成第一氧化层、第二氧化层；
分别对所述第一氧化层和所述第二氧化层进行脱水处理；
分别于脱水处理后的所述第一氧化层上、所述第二氧化层上旋涂金属氧化物盐溶液对应形成第一键合界面和第二键合界面；
将所述第一键合界面和所述第二键合界面对准后键合，以形成晶圆键合结构。
在其中一个实施例中，在将所述第一键合界面和所述第二键合界面对准后键合之前，所述方法还包括：
分别对所述第一晶圆、所述第二晶圆进行热处理以致密化所述第一键合界面和所述第二键合界面；
分别对致密化后的所述第一晶圆和所述第二晶圆进行浸泡处理，以在所述第一键合界面的裸露表面和所述第二键合界面的裸露表面形成氢氧悬挂键。
在其中一个实施例中，所述金属氧化物盐溶液包括氧化铝溶液、氧化铪溶液、氧化锆溶液和氧化钇溶液的一种。
在其中一个实施例中，所述金属氧化物盐溶液的浓度范围为15%~35%。
在其中一个实施例中，在将所述第一键合界面和所述第二键合界面对准后键合之后，所述方法还包括：
对键合后的结构进行低温干燥处理。
在其中一个实施例中，所述对键合后的结构进行低温干燥处理包括：
基于微波流体辅助升华脱水工艺对所述键合后的结构进行干燥脱水处理；
对干燥脱水处理后的结构进行退火工艺处理，获得所述晶圆键合结构。
在其中一个实施例中，所述微波流体辅助升华脱水工艺的加热温度范围为-30℃~-5℃。
在其中一个实施例中，所述微波流体辅助升华脱水工艺的加热时间范围为15min~60min。
在其中一个实施例中，所述分别于所述第一晶圆和所述第二晶圆上对应形成第一氧化层、第二氧化层，包括：
分别于所述第一晶圆上和所述第二晶圆上对应形成第一氧化层预生长层和第二氧化层预生长层；
分别对所述第一氧化层预生长层和所述第二氧化层预生长层进行等离子体活化处理，以形成所述第一氧化层和所述第二氧化层。
第二方面，本申请还提供了一种晶圆键合结构，由上述任一实施例中提供的晶圆键合方法制备而成。
上述晶圆键合方法和晶圆键合结构，通过提供第一晶圆和第二晶圆，分别于第一晶圆上和第二晶圆上对应形成第一氧化层、第二氧化层，并分别对第一氧化层和第二氧化层进行脱水处理，脱除形成氧化层时残留的水分，避免水分子填充孔隙；进一步地，分别于脱水处理后的第一氧化层上、第二氧化层上旋涂金属氧化物盐溶液对应形成第一键合界面和第二键合界面，使得金属离子可以填充氧化层的孔隙，提高氧化层的致密性，将第一键合界面和第二键合界面对准后键合，以形成晶圆键合结构。采用本申请提供的晶圆键合方法，通过金属离子和氧基结合填充氧化层的孔隙，提高了氧化层的致密性，在第一键合界面和第二键合界面对准键合的过程中提高键合质量，同时，还可以避免水分子和氧化层的孔隙结合产生气泡，导致在后续减薄工艺中气泡破裂对机台造成污染的现象发生，可提高产品良率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一实施例中提供的晶圆键合方法的流程图；
图2a-2b为一实施例中提供的晶圆键合方法中步骤S120所得结构的截面示意图；
图3a-3b为一实施例中提供的晶圆键合方法中步骤S140所得结构的截面示意图；
图4为一实施例中提供的晶圆键合方法中步骤S150所得结构的截面示意图；
图5为一实施例中提供的晶圆键合方法中晶圆键合界面的键位示意图；
图6为一实施例中步骤分别于第一晶圆和第二晶圆上对应形成第一氧化层、第二氧化层的流程图；
图7为另一实施例中提供的晶圆键合方法的流程图；
图8为一实施例中步骤对键合后的结构进行低温干燥处理的流程图；
图9为另一实施例中提供的晶圆键合方法的流程图；
图10为一实施例中提供的晶圆键合结构的截面示意图。
附图标记说明：
10-第一晶圆，11-第一氧化层，12-第一键合界面，20-第二晶圆，21-第二氧化层，22-第二键合界面，30-键合层。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它层时，则不存在居间的层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二等描述各种部件、层，这些元件、部件、层不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、层与另一个元件、部件、层。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、层可表示为第二元件、部件、层。
空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可以用于描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。此外，器件也可以包括另外地取向(譬如，旋转90度或其它取向)，并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。同时，在本说明书中，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
请参阅图1，本申请提供了一种晶圆键合方法，包括步骤S110-步骤S150。
步骤S110，提供第一晶圆和第二晶圆。
请参阅图2a和图2b，第一晶圆10可以为器件晶圆，第二晶圆20可以为承载晶圆。可选地，第一晶圆10可为承载晶圆，第二晶圆20可为器件晶圆。在第一晶圆10和第二晶圆20上可设置有功能结构。第一晶圆10和第二晶圆20的衬底材料可为硅、锗、磷等常用的衬底材料。
步骤S120，分别于第一晶圆上和第二晶圆上对应形成第一氧化层、第二氧化层。
请继续参阅图2a和图2b，第一晶圆10和第二晶圆20可能设置有功能结构，直接键合会对功能结构造成影响。因此，需要分别在第一晶圆10和第二晶圆20上形成第一氧化层11和第二氧化层21。在本申请实施例中，可采用热氧化法、物理气相沉积法、化学气相沉积法等任一方法在第一晶圆10上形成第一氧化层11。可采用热氧化法、物理气相沉积法、化学气相沉积法等任一方法在第二晶圆20上形成第二氧化层21。第一氧化层11和第二氧化层21的材料可以相同，也可以不同。示例性的，第一氧化层11和第二氧化层21的材料可以为氧化硅层、碳氧化硅层、氮氧化硅层的一种。
步骤S130，分别对第一氧化层和第二氧化层进行脱水处理。
形成第一氧化层和第二氧化层之后，如果第一氧化层和第二氧化层上有水分子残留，水分子会填充第一氧化层和第二氧化层的孔隙，使得之后使用金属氧化物填充孔隙时，金属离子无法发挥作用，只能堆积在氧化层表面。并且，第一氧化层和第二氧化层上残留的水分可能会稀释金属氧化物溶液。在本申请实施例中，可对第一氧化层和第二氧化层进行脱水处理，其中，对第一氧化层和第二氧化层进行脱水处理后，可避免形成第一氧化层和第二氧化层的过程中残留的水分子和孔隙结合。
步骤S140，分别于脱水处理后的第一氧化层上、第二氧化层上旋涂金属氧化物盐溶液对应形成第一键合界面和第二键合界面。
请参阅图3a和图3b，对第一氧化层11进行脱水处理后，在第一氧化层11上旋涂金属氧化物盐溶液形成第一键合界面12。对第二氧化层21进行脱水处理后，在第二氧化层21上旋涂金属氧化物盐溶液形成第二键合界面22。其中，金属氧化物盐溶液为和氧基结合能力强的、低粘度的金属氧化物的盐溶液。示例性地，可为由金属铝、氢氧化钾溶液、水和盐酸经由一定比例配制成的氧化铝溶液。通过在第一氧化层11和第二氧化层21上旋涂金属氧化物溶液，使得金属离子可以原位填充第一氧化层11和第二氧化层21的孔隙，减少了第一氧化层和第二氧化层上的空洞，提高了第一氧化层和第二氧化层的致密度。
步骤S150，将第一键合界面和第二键合界面对准后键合，以形成晶圆键合结构。
请参阅图4，可采用直接键合的方式，将第一键合界面12和第二键合界面22置于室温环境中直接键合。示例性地，静置时间可为1h-72h，例如1h、16h、32h、48h、72h。形成的键合界面的键位分布如图5所示，在键合界面主要存在H-O、Si-O、X-O键，其中X表示旋涂的金属氧化物盐溶液的金属元素。可以理解，X能够填充氧化层上存在的孔隙，提高氧化层的致密性。进一步地，可再通过后续热处理工艺将使键合界面的H-O键形成水分子逸出，得到键合紧密的晶圆键合结构。
在本申请实施例中，通过提供第一晶圆10和第二晶圆20，分别于第一晶圆10上和第二晶圆20上对应形成第一氧化层11、第二氧化层21，并分别对第一氧化层11和第二氧化层21进行脱水处理，脱除形成氧化层时残留的水分，避免水分子填充孔隙；进一步地，分别于脱水处理后的第一氧化层11上、第二氧化层21上旋涂金属氧化物盐溶液对应形成第一键合界面12和第二键合界面22，使得金属离子可以填充氧化层的孔隙，提高氧化层的致密性，并可避免在后续退火过程中产生气泡；最后将第一键合界面12和第二键合界面22对准后键合，以形成晶圆键合结构。采用本申请实施例的晶圆键合方法，通过金属离子和氧基结合填充氧化层的孔隙，提高了氧化层致密性，在第一键合界面和第二键合界面对准键合的过程中提高键合质量，同时，还可避免键合过程中，水分子和氧化层的孔隙结合产生气泡，导致在后续减薄工艺中，气泡破裂对机台造成污染的现象发生，可提高产品良率。
在一个实施例中，请参阅图6，分别于第一晶圆和第二晶圆上对应形成第一氧化层、第二氧化层，包括步骤S610-步骤S620。
步骤S610，分别于第一晶圆上和第二晶圆上对应形成第一氧化层预生长层和第二氧化层预生长层。
可通过热氧化法、化学气相沉积等方法分别于第一晶圆形成第一氧化层预生长层，于第二晶圆上形成第二氧化层预生长层。第一氧化层预生长层和第二氧化层预生长层的材料可以为是正硅酸乙酯（TEOS）、等离子体增强的氧化物（PEOX）、热氧化物（THOX）等。
步骤S620，分别对第一氧化层预生长层和第二氧化层预生长层进行等离子体活化处理，以形成第一氧化层和第二氧化层。
采用等离子体法分别对第一氧化层预生长层、第二氧化层预生长层表面进行清洁和活化，形成第一氧化层和第二氧化层。示例性地，等离子体活化的功率可为30W-80W，气体压力可为1mbar-7mbar，采用的等离子体气体可为氮气。
在本申请实施例中，分别于第一晶圆上和第二晶圆上对应形成第一氧化层预生长层和第二氧化层预生长层，并分别对第一氧化层预生长层和第二氧化层预生长层进行等离子体活化处理，能够有效减少形成的第一氧化层和第二氧化层的空洞。
在一个实施例中，于第一氧化层和第二氧化层上旋涂的金属氧化物盐溶液可包括氧化铝溶液、氧化铪溶液、氧化锆溶液和氧化钇溶液的一种。
金属氧化物溶液的粘度较低，很容易被吹散开，易于在氧化层上形成较薄的金属氧化物薄膜。同时，金属离子与氧基结合能力较强，可以有效填充氧化层的孔隙，进而可避免在后续退火过程中，孔隙和水分子结合形成气泡。
第一氧化层和第二氧化层的厚度和金属氧化物盐溶液的浓度相关，若金属氧化物盐溶液的浓度过高，会导致饱和的金属氧化物堆积在氧化层表面，使得氧化层厚度过高，因此在本申请实施例中，金属氧化物盐溶液的浓度可设置在15%~35%，例如15%、25%、35%等，这样，可以使旋涂金属氧化物盐溶液之后的第一氧化层和第二氧化层的厚度要求在50A-6000A范围内，可以满足晶圆键合结构的厚度要求。
在一个实施例中，请参阅图7，提供了一种晶圆键合方法，包括步骤S710-步骤S770。
步骤S710，提供第一晶圆和第二晶圆。
步骤S720，分别于第一晶圆上和第二晶圆上对应形成第一氧化层、第二氧化层。
步骤S730，分别对第一氧化层和第二氧化层进行脱水处理。
步骤S740，分别于脱水处理后的第一氧化层上、第二氧化层上旋涂金属氧化物盐溶液对应形成第一键合界面和第二键合界面。
步骤S750，分别对第一晶圆、第二晶圆进行热处理以致密化第一键合界面和第二键合界面。
在第一晶圆上旋涂金属氧化物盐溶液形成第一键合界面之后，可对第一晶圆进行热处理，使金属氧化物填充第一键合界面上的孔隙，并使孔隙闭合，以致密化第一键合界面。在第二晶圆上旋涂金属氧化物盐溶液形成第二键合界面之后，可对第二晶圆进行热处理，使金属氧化物可填充第二键合界面上的孔隙，并使孔隙闭合，以致密化第二键合界面。示例性地，对晶圆进行热处理的加热时间可为15min-60min，例如15min、30min、45min、60min等。加热温度可为200℃-600℃，例如200℃、400℃、600℃等。热处理时的气氛气体可以为氮气。
步骤S760，分别对致密化后的第一晶圆和第二晶圆进行浸泡处理，以在第一键合界面的裸露表面和第二键合界面的裸露表面形成氢氧悬挂键。
将致密化后的第一晶圆进行浸泡处理后，第一晶圆的表面将会吸附有大量-OH基。对致密化后的第二晶圆进行浸泡处理后，第二晶圆的表面同样也会吸附大量-OH基。这样，当带有-OH基的第一键合界面靠近带有-OH基的第二键合界面时，在范德华力作用下两个晶圆会接触并键合在一起，形成图4所示的晶圆键合结构。示例性地，可将第一晶圆和第二晶圆浸泡在纯水中，也可将其浸泡在NH4OH:H2O2:H2O的混合液中。
步骤S770，将第一键合界面和第二键合界面对准后键合，以形成晶圆键合结构。
在本申请实施例中，通过分别对第一晶圆、第二晶圆进行热处理以致密化第一键合界面和第二键合界面，并分别对致密化后的第一晶圆和第二晶圆进行浸泡处理，以在第一键合界面的裸露表面和第二键合界面的裸露表面形成氢氧悬挂键，使得第一晶圆和第二晶圆可在范德华力作用下直接键合形成晶圆键合结构，操作方便，能够降低键合成本。
在一个实施例中，在将第一键合界面和第二键合界面对准后键合之后，晶圆键合方法还包括对键合后的结构进行低温干燥处理的步骤。
将第一键合界面和第二键合界面对准后键合，键合界面的氢氧悬挂键会结合形成水分子。在退火过程中，水分子可能和硅基结合，发生化学反应（H2O+Si—>SiO2+H2）生成氢气。若晶圆表面氧化层致密化过快，导致氢气不能及时逸出，就会在晶圆表面产生气泡。这样，在后续减薄工艺中，气泡易发生破裂而导致机台被污染，造成晶圆键合结构批量异常。因此还需要对键合后的结构进行低温干燥处理，以脱除键合界面残留的水分，同时，还可通过低温热处理消除晶圆内部的热应力。
在一个实施例中，请参阅图8，对键合后的结构进行低温干燥处理包括步骤S810和步骤S820。
步骤S810，基于微波流体辅助升华脱水工艺对键合后的结构进行干燥脱水处理。
微波流体辅助升华脱水工艺是以升华脱水工艺为主要手段，微波干燥和流体干燥作为辅助手段的脱水方式。
基于升华原理，利用零摄氏度以下温度脱除水分子，可避免氧化层的孔隙致密化过快，同时，辅助以微波干燥手段，提高水分子的振动频率，提高升华速率。可选地，辅助以流体干燥手段，将水分子带出设备。示例性地，流体干燥时的气体可以为氮气。
在一个实施例中，微波流体辅助升华脱水工艺的加热温度范围为-30℃~-5℃，即采用微波流体辅助升华脱水工艺的加热温度可为-30℃、-25℃、-20℃、-15℃、-10℃、-5℃等。
在一个实施例中，微波流体辅助升华脱水工艺的加热时间范围为15min~60min，即采用微波流体辅助升华脱水工艺的加热时间可为15min、30min、45min、60min等。
步骤S820，对干燥脱水处理后的结构进行退火工艺处理，获得晶圆键合结构。
前段工艺制程中进行了多次热处理，使得键合后的结构内部存在热应力，因此，还需要对键合后的结构进行低温退火处理，以消除热处理过程中氧化层产生的热应力。示例性地，退火温度可为200℃-500℃，例如200℃、350℃、500℃等。退火处理时间可为10min-30min，例如10min、20min、30min等。
在本申请实施例中，基于微波流体辅助升华脱水工艺对键合后的结构进行干燥脱水处理以脱除键合界面产生的水分子，避免在后续退火工艺中产生气泡，进一步地，对干燥脱水处理后的结构进行退火工艺处理，可消除热处理过程中产生的热应力，获得键合界面强度高、致密性高的晶圆键合结构。
为了更好的理解，请参阅图9，以一个具体的实施例进行说明本申请的晶圆键合方法，包括步骤S910-步骤S9110。
步骤S910，分别提供一枚已经处理好的第一晶圆和第二晶圆。第一晶圆和第二晶圆上设置有金属互联结构等结构。
步骤S920，对第一晶圆和第二晶圆进行氧化层预生长处理。
步骤S930，通过等离子体活化法分别在第一晶圆和第二晶圆上形成二氧化硅层。
步骤S940，对第一晶圆和第二晶圆进行低温脱除自由水处理。
步骤S950，采用均胶机旋涂金属氧化物溶液。
步骤S960，采用低温热处理工艺分别对第一晶圆和第二晶圆进行脱水致密化处理，使金属离子填补二氧化硅氧化层的孔隙，形成致密的二氧化硅层（即第一键合界面和第二键合界面）。
步骤S970，对第一晶圆和第二晶圆进行浸泡处理，在第一键合界面和第二键合界面形成H-O悬挂键。
步骤S980，将第一晶圆和第二晶圆在室温下静置键合。
步骤S990，采用低温微波流体辅助升华工艺对键合后的结构进行干燥处理，脱除键合界面的残留水分。
步骤S9100，通过退火工艺消除热处理过程产生的热应力。
步骤S9110，得到界面结合强度高、致密性好的晶圆键合结构。
应该理解的是，虽然上述流程图中的各个步骤按照顺序依次显示，但是这些步骤并不是必然按照该顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，各流程图中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
请继续参阅图10，本发明还提供一种晶圆键合结构，该晶圆键合结构由上述任一实施例提供的晶圆键合方法形成。该晶圆键合结构包括第一晶圆10、第二晶圆20和键合层30。其中，键合层30包括第一氧化层、第一键合界面、第二氧化层和第二键合界面。通过分别在第一氧化层和第二氧化层上旋涂金属氧化物盐溶液形成第一键合界面和第二键合界面，并将第一键合界面和第二键合界面对准键合形成键合层30。键合层30的键位包括Si-O键、X-O键和Si-X键（X为金属氧化物的金属元素）。该晶圆键合结构，由于在键合之前，通过金属氧化物填充第一氧化层和第二氧化层的孔隙，提高了氧化层的致密性，使得在后续退火过程中，水分子不能和孔隙结合形成气泡，提高了产品良率。
需要注意的是，描述本申请实施例中的晶圆键合结构的横截面的示意图中，显示的区实质上是示意性的，它们的形状并不表示器件的区的实际形状，且并不限定本发明的范围。
在本说明书的描述中，参考术语“有些实施例”、“其他实施例”、“理想实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特征包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性描述不一定指的是相同的实施例或示例。
上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括：
提供第一晶圆和第二晶圆；
分别于所述第一晶圆上和所述第二晶圆上对应形成第一氧化层、第二氧化层；
分别对所述第一氧化层和所述第二氧化层进行脱水处理；
分别于脱水处理后的所述第一氧化层上、所述第二氧化层上旋涂金属氧化物盐溶液对应形成第一键合界面和第二键合界面；
将所述第一键合界面和所述第二键合界面对准后键合，以形成晶圆键合结构。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在将所述第一键合界面和所述第二键合界面对准后键合之前，所述方法还包括：
分别对所述第一晶圆、所述第二晶圆进行热处理以致密化所述第一键合界面和所述第二键合界面；
分别对致密化后的所述第一晶圆和所述第二晶圆进行浸泡处理，以在所述第一键合界面的裸露表面和所述第二键合界面的裸露表面形成氢氧悬挂键。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属氧化物盐溶液包括氧化铝溶液、氧化铪溶液、氧化锆溶液和氧化钇溶液的一种。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述金属氧化物盐溶液的浓度范围为15%~35%。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在将所述第一键合界面和所述第二键合界面对准后键合之后，所述方法还包括：
对键合后的结构进行低温干燥处理。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述对键合后的结构进行低温干燥处理包括：
基于微波流体辅助升华脱水工艺对所述键合后的结构进行干燥脱水处理；
对干燥脱水处理后的结构进行退火工艺处理，获得所述晶圆键合结构。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述微波流体辅助升华脱水工艺的加热温度范围为-30℃~-5℃。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述微波流体辅助升华脱水工艺的加热时间范围为15min~60min。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述分别于所述第一晶圆和所述第二晶圆上对应形成第一氧化层、第二氧化层，包括：
分别于所述第一晶圆上和所述第二晶圆上对应形成第一氧化层预生长层和第二氧化层预生长层；
分别对所述第一氧化层预生长层和所述第二氧化层预生长层进行等离子体活化处理，以形成所述第一氧化层和所述第二氧化层。
10.一种晶圆键合结构，其特征在于，由权利要求1-9任一项所述的晶圆键合方法制备而成。
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