CN117577517A - 一种复合衬底清洗方法 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种复合衬底清洗方法，首先提供复合衬底；其中，复合衬底包括基底和异质微结构，然后采用满足预设电离率条件的气体，分别调节基底的表面的界面动电势和异质微结构的表面的界面动电势，最后采用清洗溶液，对复合衬底进行清洗；其中，复合衬底的表面上包括副产物，至少部分副产物在清洗溶液中形成带电胶体微粒，且在清洗溶液中，基底的表面的界面动电势、异质微结构的表面的界面动电势与带电胶体微粒的界面动电势相同。利用上述方法，在清洗前合理调节基底的表面的界面动电势和异质微结构的表面的界面动电势，则带电胶体微粒不易吸附，只采用一种清洗溶液即可实现复合衬底的清洗洁净效果，有效提高了复合衬底的清洗效率。
Description
技术领域
本发明实施例涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种复合衬底清洗方法。
背景技术
伴随半导体器件制造工艺的不断进步，半导体器件的体积变得越来越小，非常微小的杂质颗粒也可能影响半导体器件的制造和产品性能。因此，为减少半导体器件的制造缺陷，清洗工艺变得越来越重要，合理的清洗过程可以有效去除杂质颗粒，避免杂质颗粒对半导体器件制造的影响。
一方面，晶圆在切削和刻蚀等加工步骤后，晶圆的表面上的晶格处于破坏状态，呈现一层到几层的悬挂键(也称为不饱和键)，该悬挂键的化学活性高，则该悬挂键极易与周围的分子或原子结合起来，形成吸附作用，且这种吸附(包括物理吸附和化学吸附)是不可避免的。另一方面，晶圆在切削和刻蚀等加工步骤后，在清洗过程中，晶圆的表面上的副产物部分会在清洗溶液中被氧化分解，晶圆的表面上的副产物部分会在纯水或清洗溶液中以带电胶体的形式存在，且该带电胶体物质极易吸附在晶圆的表面。
特定的，针对复合衬底的清洗工艺，由于复合衬底在切削和刻蚀等加工步骤后，复合衬底的各层材料间的界面动电势可能差异较大，或者，复合衬底的各层材料间的界面动电势正负相反。示例性地，复合衬底包括两层材料层，其中第一层材料层的界面动电势为正，第二层材料层的界面动电势为负，则界面动电势为正的带电胶体会吸附在第二层材料层上，界面动电势为正的带电胶体不会吸附在第一层材料层上。因此，只采用一种清洗溶液无法同时对该复合衬底的两层材料层进行清洗，带电胶体总会吸附在其中一层材料层上。若采用多种清洗溶液对该复合衬底的两层材料层进行清洗，则可能会引入其他的杂质颗粒，不利于该复合衬底的清洗效率。
发明内容
本发明实施例提供一种复合衬底清洗方法，在清洗前合理调节复合衬底的表面的界面动电势，避免清洗过程中带电胶体微粒的吸附，只采用一种清洗溶液即可实现复合衬底的清洗洁净效果，有效提高复合衬底的清洗效率。
本发明实施例提供了一种复合衬底清洗方法，包括：
提供复合衬底；其中，所述复合衬底包括基底和异质微结构；
采用满足预设电离率条件的气体，分别调节所述基底的表面的界面动电势和所述异质微结构的表面的界面动电势；
采用清洗溶液，对所述复合衬底进行清洗；其中，所述复合衬底的表面上包括副产物，至少部分所述副产物在所述清洗溶液中形成带电胶体微粒，且在所述清洗溶液中，所述基底的表面的界面动电势、所述异质微结构的表面的界面动电势与所述带电胶体微粒的界面动电势相同。
可选地，所述基底的表面具有第一悬挂键，所述异质微结构的表面具有第二悬挂键；
采用满足预设电离率条件的气体，分别调节所述基底的表面的界面动电势和所述异质微结构的表面的界面动电势，包括：
在第一反应阶段，在第一预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键；其中，在所述清洗溶液中，所述第一共价键的界面动电势、所述第二共价键的界面动电势与所述带电胶体微粒的界面动电势相同。
可选地，在第一反应阶段，在第一预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键之后，还包括：
在第二反应阶段，在第二预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成所述第一共价键和所述第二共价键；其中，所述第一预设反应参数条件和所述第二预设反应参数条件的反应参数中的至少一种不同。
可选地，所述第一预设反应参数条件和所述第二预设反应参数条件的反应参数包括上电极功率、下电极功率、气体流量、反应温度、反应压力和反应时间中的至少一种。
可选地，在第一反应阶段，在第一预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键，包括：
在所述第一反应阶段，在1400-1600W的上电极功率范围，700-900W的下电极功率范围的条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成所述第一共价键和所述第二共价键；
在第二反应阶段，在第二预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成所述第一共价键和所述第二共价键，包括：
在所述第二反应阶段，在600-1000W的上电极功率范围，0-10W的下电极功率范围的条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成所述第一共价键和所述第二共价键。
可选地，在第一反应阶段，在第一预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键，包括：
在所述第一反应阶段，在100-150SCCM的气体流量范围的条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成所述第一共价键和所述第二共价键；
在第二反应阶段，在第二预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成所述第一共价键和所述第二共价键，包括：
在所述第二反应阶段，在80-100SCCM的气体流量范围的条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成所述第一共价键和所述第二共价键。
可选地，在第一反应阶段，在第一预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键，包括：
在所述第一反应阶段，在120-160℃的反应温度范围的条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成所述第一共价键和所述第二共价键；
在第二反应阶段，在第二预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成所述第一共价键和所述第二共价键，包括：
在所述第二反应阶段，在60-80℃的反应温度范围的条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成所述第一共价键和所述第二共价键。
可选地，在第一反应阶段，在第一预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键，包括：
在所述第一反应阶段，在200-400s的反应时间范围的条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成所述第一共价键和所述第二共价键；
在第二反应阶段，在第二预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成所述第一共价键和所述第二共价键，包括：
在所述第二反应阶段，在500-700s的反应时间范围的条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成所述第一共价键和所述第二共价键。
可选地，在第一反应阶段，在第一预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键，包括：
在所述第一反应阶段，在4-6Torr的反应压力范围的条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成所述第一共价键和所述第二共价键；
在第二反应阶段，在第二预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成所述第一共价键和所述第二共价键，包括：
在所述第二反应阶段，在4-6Torr的反应压力范围的条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成所述第一共价键和所述第二共价键。
可选地，在第一反应阶段，在第一预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键之前，还包括：
将所述复合衬底置于满足预设电离率条件的所述气体的氛围中。
可选地，所述气体包括氮气、氨气、氟化氢、氯气和氯化硼中的至少一种。
可选地，所述基底的材料包括氧化铝，所述异质微结构的材料包括氧化硅。
本发明实施例提供了一种复合衬底清洗方法，首先提供复合衬底；其中，复合衬底包括基底和异质微结构，然后采用满足预设电离率条件的气体，分别调节基底的表面的界面动电势和异质微结构的表面的界面动电势，最后采用清洗溶液，对复合衬底进行清洗；其中，复合衬底的表面上包括副产物，至少部分副产物在清洗溶液中形成带电胶体微粒，且在清洗溶液中，基底的表面的界面动电势、异质微结构的表面的界面动电势与带电胶体微粒的界面动电势相同。利用上述方法，不改变复合衬底的内部材料和结构的基础上，在清洗前合理调节基底的表面的界面动电势和异质微结构的表面的界面动电势，避免清洗过程中因界面动电势“相同排斥，相反吸附”的原理，导致带电胶体微粒吸附于基底和/或异质微结构的表面，且基底的表面的界面动电势、异质微结构的表面的界面动电势与带电胶体微粒的界面动电势相同，则带电胶体微粒不易吸附，只采用一种清洗溶液即可实现复合衬底的清洗洁净效果，有效提高了复合衬底的清洗效率，有利于提高外延层的结晶质量，抑制籽晶的侧壁生长，减少外延缺陷，提高内量子效率，改善了半导体器件的生产良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种复合衬底清洗方法的流程示意图；
图2是现有的一种复合衬底在清洗过程中的界面动电势的示意图；
图3是本发明实施例提供的一种复合衬底在清洗过程中的界面动电势的示意图；
图4是本发明实施例提供的另一种复合衬底清洗方法的流程示意图；
图5是本发明实施例提供的又一种复合衬底清洗方法的流程示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。需要注意的是，本发明实施例所描述的“上”、“下”、“左”、“右”等方位词是以附图所示的角度来进行描述的，不应理解为对本发明实施例的限定。此外在上下文中，还需要理解的是，当提到一个元件被形成在另一个元件“上”或“下”时，其不仅能够直接形成在另一个元件“上”或者“下”，也可以通过中间元件间接形成在另一元件“上”或者“下”。术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
本发明使用的术语“包括”及其变形是开放性包括，即“包括但不限于”。术语“基于”是“至少部分地基于”。术语“一个实施例”表示“至少一个实施例”。
需要注意，本发明中提及的“第一”、“第二”等概念仅用于对相应内容进行区分，并非用于限定顺序或者相互依存关系。
需要注意，本发明中提及的“一个”、“多个”的修饰是示意性而非限制性的，本领域技术人员应当理解，除非在上下文另有明确指出，否则应该理解为“一个或多个”。
图1是本发明实施例提供的一种复合衬底清洗方法的流程示意图，本实施例可适用于任意一种复合衬底在任意一个制备工艺步骤后的清洗过程的情况，如图1所示，该清洗方法包括：
S110、提供复合衬底；其中，复合衬底包括基底和异质微结构。
具体地，可以在一平片基底的表面上利用化学气相沉积工艺形成异质层，之后利用光刻工艺和刻蚀工艺等将异质层刻蚀得到多个异质微结构。该基底与异质微结构组成的整体称为复合衬底。也即，在一实施方式中，复合衬底包括基底和位于基底一侧的多个异质微结构，该异质微结构的材料可以包括一种，也可以包括多种；该异质微结构也可以部分为异质材料，剩余部分为与基底相同的材料。
S120、采用满足预设电离率条件的气体，分别调节基底的表面的界面动电势和异质微结构的表面的界面动电势。
其中，预设电离率条件根据气体的反应速度以及复合衬底的表面对界面动电势的调控要求而定，可以理解的是，在气体的电离率较高时，该气体极易发生反应，并与周围的分子或原子相结合形成化学键。具体地，若不进行界面动电势的调节过程，基底的表面的界面动电势与异质微结构的表面的界面动电势之间的差异较大，甚至正负相反，后续在清洗溶液中带电胶体微粒极易吸附在基底和/或异质微结构的表面，导致复合衬底未清洗干净且额外吸附杂质的带电胶体微粒的问题。则在清洗前，合理采用满足预设电离率条件的气体，分别调节基底的表面的界面动电势和异质微结构的表面的界面动电势，该调节过程的目的是使得基底的表面的界面动电势与异质微结构的表面的界面动电势之间的差异较小，在同一种清洗溶液中，基底的表面的界面动电势与异质微结构的表面的界面动电势的正负相同，且与带电胶体微粒的界面动电势的正负相同，则带电胶体微粒不会吸附在该复合衬底上，只采用一种清洗溶液即可实现复合衬底的清洗洁净效果，扩大了清洗溶液的适用性。
S130、采用清洗溶液，对复合衬底进行清洗；其中，复合衬底的表面上包括副产物，至少部分副产物在清洗溶液中形成带电胶体微粒，且在清洗溶液中，基底的表面的界面动电势、异质微结构的表面的界面动电势与带电胶体微粒的界面动电势相同。
具体地，图2是现有的一种复合衬底在清洗过程中的界面动电势的示意图，如图2所示，此为不进行界面动电势的调节过程，在一实施方式中，复合衬底的表面上包括副产物(示例性地，该副产物可以吸附或者沉积在复合衬底的表面，尤其是基底10的侧面以及基底10远离异质微结构20的表面)，至少部分副产物在清洗溶液中形成带电胶体微粒30，示例性地，该带电胶体微粒30的界面动电势可以为正。复合衬底包括基底10和异质微结构20，在清洗溶液中，基底10的表面的界面动电势可以为负，异质微结构20的表面的界面动电势可以为正。则根据界面动电势“相同排斥，相反吸附”的原理，在清洗溶液中，带电胶体微粒30会吸附在基底10的表面上，带电胶体微粒30不会吸附在异质微结构20的表面上，导致基底10未清洗干净且额外吸附杂质的带电胶体微粒30的问题。只采用一种清洗溶液不能同时实现基底10和异质微结构20的清洗洁净效果。图3是本发明实施例提供的一种复合衬底在清洗过程中的界面动电势的示意图，如图3所示，此为进行界面动电势的调节过程，在一实施方式中，复合衬底的表面上包括副产物，至少部分副产物在清洗溶液中形成带电胶体微粒30，示例性地，该带电胶体微粒30的界面动电势可以为正。复合衬底包括基底10和异质微结构20，基底10的表面的界面动电势可以由负调节为正，异质微结构20的表面的界面动电势仍为正，且基底10的表面的界面动电势与异质微结构20的表面的界面动电势的差异较小。则根据界面动电势“相同排斥，相反吸附”的原理，在清洗溶液中，带电胶体微粒30既不会吸附在基底10的表面上，也不会吸附在异质微结构20的表面上，还可以去除复合衬底的表面上的微尘、可溶性有机物和可溶性无机物等杂质，只采用一种清洗溶液就可以同时实现基底10和异质微结构20的清洗洁净效果。此外，若带电胶体微粒30的界面动电势为负，则相应将基底10的表面的界面动电势调节为负，将异质微结构20的表面的界面动电势调节为负，且调节基底10的表面的界面动电势与异质微结构20的表面的界面动电势的差异较小。在清洗过程中，清洗溶液可以选择酸性溶液、碱性溶液和中性溶液等，示例性地，该清洗溶液可以为SPM溶液(浓硫酸和双氧水按照一定的比例混合而成)，在此只是举例，不作限定。
本发明实施例中的技术方案，首先提供复合衬底；其中，复合衬底包括基底和异质微结构，然后采用满足预设电离率条件的气体，分别调节基底的表面的界面动电势和异质微结构的表面的界面动电势，最后采用清洗溶液，对复合衬底进行清洗；其中，复合衬底的表面上包括副产物，至少部分副产物在清洗溶液中形成带电胶体微粒，且在清洗溶液中，基底的表面的界面动电势、异质微结构的表面的界面动电势与带电胶体微粒的界面动电势相同。利用上述方法，不改变复合衬底的内部材料和结构的基础上，在清洗前合理调节基底的表面的界面动电势和异质微结构的表面的界面动电势，避免清洗过程中因界面动电势“相同排斥，相反吸附”的原理，导致带电胶体微粒吸附于基底和/或异质微结构的表面，且基底的表面的界面动电势、异质微结构的表面的界面动电势与带电胶体微粒的界面动电势相同，则带电胶体微粒不易吸附，只采用一种清洗溶液即可实现复合衬底的清洗洁净效果，有效提高了复合衬底的清洗效率，有利于提高外延层的结晶质量，抑制籽晶的侧壁生长，减少外延缺陷，提高内量子效率，改善了半导体器件的生产良率。
图4是本发明实施例提供的另一种复合衬底清洗方法的流程示意图，本实施例在上述实施例的基础上进行优化。可选地，基底的表面具有第一悬挂键，异质微结构的表面具有第二悬挂键；
采用满足预设电离率条件的气体，分别调节基底的表面的界面动电势和异质微结构的表面的界面动电势，包括：
在第一反应阶段，在第一预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键；其中，在清洗溶液中，第一共价键的界面动电势、第二共价键的界面动电势与带电胶体微粒的界面动电势相同。
本实施例尚未详尽的内容请参考上述实施例，如图4所示，该清洗方法包括：
S210、提供复合衬底；其中，复合衬底包括基底和异质微结构。
S220、在第一反应阶段，在第一预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键；其中，在清洗溶液中，第一共价键的界面动电势、第二共价键的界面动电势与带电胶体微粒的界面动电势相同。
具体地，在第一反应阶段，在第一预设反应参数条件下，进行对基底的界面动电势和对异质微结构的界面动电势的调节过程。其中，第一反应阶段可以理解为化学反应(化学键的形成)阶段。第一预设反应参数条件的反应参数包括上电极功率、下电极功率、气体流量、反应温度、反应压力和反应时间中的至少一种。继续参考图2和图3，复合衬底在切削和刻蚀等加工步骤后，基底10和异质微结构20的表面的晶格处于破坏状态，基底10的表面具有第一悬挂键，异质微结构20的表面具有第二悬挂键，第一悬挂键和第二悬挂键可以理解为未配对原子。则在第一反应阶段，可以采用满足预设电离率条件的气体，该满足预设电离率条件的气体在第一预设反应参数条件下发生电离，该满足预设电离率条件的气体产生的未配对的原子容易与第一悬挂键进行化学反应，并生成第一共价键，该满足预设电离率条件的气体产生的未配对的原子容易与第二悬挂键进行化学反应，并生成第二共价键。可以理解的是，为了避免带电胶体微粒30吸附于基底10和/或异质微结构20的表面导致复合衬底未清洗干净且额外吸附杂质的带电胶体微粒30的问题，界面动电势的调节过程所得到的第一共价键的界面动电势、第二共价键的界面动电势与带电胶体微粒30的界面动电势相同。
在一具体实施方式中，继续参考图2和图3，可选地，气体包括氮气、氨气、氟化氢、氯气和氯化硼中的至少一种。可选地，基底10的材料包括氧化铝，异质微结构20的材料包括氧化硅。则基底10的表面具有的第一悬挂键可以为不饱和铝键，异质微结构20的表面具有的第二悬挂键可以为不饱和硅键。且在酸性的清洗溶液中，基底10的表面的饱和硅氧键(Si-O键)的界面动电势为正，异质微结构20的表面的饱和铝氧键(Al-O键)的界面动电势为负。制备过程中的副产物主要为氧化硅，且氧化硅在酸性的清洗溶液中形成的带电胶体微粒30为硅酸胶体，硅酸胶体的界面动电势为正。在第一反应阶段，在第一预设反应参数条件下，可以采用氮气电离形成的不饱和氮键与不饱和铝键进行化学反应(两个不饱和键组合成一个饱和键)，并对应生成饱和铝氮键(Al-N键，即第一共价键)，同样，可以采用氮气电离形成的不饱和氮键与不饱和硅键进行化学反应(两个不饱和键组合成一个饱和键)，并对应生成饱和硅氮键(Si-N键，即第二共价键)。则在同样的酸性的清洗溶液中，基底10的表面的饱和硅氮键的界面动电势为正，异质微结构20的表面的饱和铝氮键的界面动电势为正，且基底10的表面的饱和硅氮键的界面动电势与异质微结构20的表面的饱和铝氮键的界面动电势的差异较小。则基底10的表面的饱和硅氮键的界面动电势、异质微结构20的表面的饱和铝氮键与硅酸胶体的界面动电势均为正，硅酸胶体既不会吸附于基底10的表面，也不会吸附于异质微结构20的表面。可以明显发现，经界面动电势的调节过程后，清洗完成后，复合衬底的表面上的残留的杂质颗粒的数量明显减少。
其次，界面动电势的调节过程后，基底10的表面既存在饱和硅氧键，也存在饱和硅氮键，两者性质相似，不会影响后续外延的结晶质量；同样，界面动电势的调节过程后，异质微结构20的表面既存在饱和铝氧键，也存在饱和铝氮键，两者性质相似，也不会影响后续外延的结晶质量。此外，基底10的表面的不饱和铝键与不饱和氮键相结合，异质微结构20的表面的不饱和硅键与不饱和氮键相结合，改变了该复合衬底的表面的悬挂键的种类及数量，且基底10的表面上形成的饱和铝氮键数量较多，可以理解为在基底10的表面形成一层氮化铝薄膜；同样，异质微结构20的表面上形成的饱和硅氮键数量较多，可以理解为在异质微结构20的表面形成一层氮化硅薄膜。也即氮化铝薄膜的界面动电势、氮化硅薄膜的界面动电势与硅酸胶体的界面动电势均为正，硅酸胶体既不会吸附于氮化铝薄膜上，也不会吸附于氮化硅薄膜上。且氮化铝薄膜与氮化硅薄膜的界面动电势的差异较小。
S230、采用清洗溶液，对复合衬底进行清洗；其中，复合衬底的表面上包括副产物，至少部分副产物在清洗溶液中形成带电胶体微粒，且在清洗溶液中，基底的表面的界面动电势、异质微结构的表面的界面动电势与带电胶体微粒的界面动电势相同。
图5是本发明实施例提供的又一种复合衬底清洗方法的流程示意图，本实施例在上述实施例的基础上进行优化。可选地，基底的表面具有第一悬挂键，异质微结构的表面具有第二悬挂键；
采用满足预设电离率条件的气体，分别调节基底的表面的界面动电势和异质微结构的表面的界面动电势，包括：
在第一反应阶段，在第一预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键；其中，在清洗溶液中，第一共价键的界面动电势、第二共价键的界面动电势与带电胶体微粒的界面动电势相同。
进一步地，在第一反应阶段，在第一预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键之后，还包括：
在第二反应阶段，在第二预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键；其中，第一预设反应参数条件和第二预设反应参数条件的反应参数中的至少一种不同。
再进一步地，在第一反应阶段，在第一预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键之前，还包括：
将复合衬底置于满足预设电离率条件的气体的氛围中。
本实施例尚未详尽的内容请参考上述实施例，如图5所示，该清洗方法包括：
S310、提供复合衬底；其中，复合衬底包括基底和异质微结构。
S320、将复合衬底置于满足预设电离率条件的气体的氛围中。
具体地，在一实施方式中，复合衬底在切削和刻蚀等加工步骤后，无需将该复合衬底从刻蚀腔体中取出，即仍在刻蚀腔体中对该复合衬底进行界面动电势的调节过程。示例性地，可以先采用满足预设电离率条件的气体，对刻蚀腔体内进行吹扫，该吹扫过程的时间范围可以为2-4min，该吹扫过程可以有效将复合衬底在刻蚀过程中的副产物气体以及其他干扰气体从刻蚀腔体内排出，避免副产物气体以及其他干扰气体对后续的界面动电势的调节过程的影响。
该吹扫过程后，可以在初步扩散阶段，在第三预设反应参数条件下，将该复合衬底置于满足预设电离率条件的气体的氛围中(示例性地，该复合衬底仍在刻蚀腔体中)。第三预设反应参数条件的反应参数可以包括上电极功率、下电极功率、气体流量、反应温度、反应压力和反应时间。其中，上电极功率和下电极功率可以为零，气体流量范围可以为250-400SCCM，反应温度范围可以为25-35℃，反应压力范围可以为4-6Torr，该吹扫过程的反应时间可以为200-500s。在初步扩散阶段，可以有效促进满足预设电离率条件的气体的扩散，以使满足预设电离率条件的气体移动至该复合衬底的表面，进而使得该复合衬底的表面处的满足预设电离率条件的气体的浓度得以提高，为后续满足预设电离率条件的气体与基底的表面的第一悬挂键充分反应、与异质微结构的表面的第二悬挂键充分反应打好基础，从而促进界面动电势的调节过程的进行。尤其还可以避免氧气与复合衬底的表面的悬挂键相结合进而生成氧化薄膜的问题，若复合衬底的表面形成氧化薄膜，该氧化薄膜对复合衬底的光学性能和化学性质等均有影响，例如降低透光率和增加表面能等，不利于复合衬底与外延层之间的界面质量，以及复合衬底的出光效率。该初步扩散阶段后，复合衬底的表面的悬挂键的种类可以由亲和性较高的氧键变为亲和性较低的氮键，避免了氧化薄膜的形成。可选地，气体包括氮气、氨气、氟化氢、氯气和氯化硼中的至少一种。
S330、在第一反应阶段，在第一预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键；其中，在清洗溶液中，第一共价键的界面动电势、第二共价键的界面动电势与带电胶体微粒的界面动电势相同。
S340、在第二反应阶段，在第二预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键；其中，第一预设反应参数条件和第二预设反应参数条件的反应参数中的至少一种不同。
具体地，在第二反应阶段，在第二预设反应参数条件下，继续进行对基底的界面动电势和对异质微结构的界面动电势的调节过程。其中，第二反应阶段可以理解为化学反应(化学键的形成)阶段。第二预设反应参数条件的反应参数包括上电极功率、下电极功率、气体流量、反应温度、反应压力和反应时间中的至少一种。继续参考图2和图3，复合衬底在第一反应阶段中，该满足预设电离率条件的气体产生的未配对的原子容易与第一悬挂键进行化学反应，并生成第一共价键，该满足预设电离率条件的气体产生的未配对的原子容易与第二悬挂键进行化学反应，并生成第二共价键。但可能存在部分第一共价键和/或第二悬挂键未与该满足预设电离率条件的气体产生的未配对的原子相结合，导致复合衬底的表面的界面动电势的调节不完全，复合衬底的表面的界面动电势不稳定。则在第二反应阶段，继续采用满足预设电离率条件的气体，该满足预设电离率条件的气体在第二预设反应参数条件下发生电离，该满足预设电离率条件的气体产生的未配对的原子与剩余的第一悬挂键进行化学反应，并生成第一共价键，该满足预设电离率条件的气体产生的未配对的原子与剩余的第二悬挂键进行化学反应，并生成第二共价键。确保基底10的表面的第一悬挂键和异质微结构20的表面的第二悬挂键均与该满足预设电离率条件的气体产生的未配对的原子相结合，提高复合衬底的表面的界面动电势的稳定性。可选地，第一预设反应参数条件和第二预设反应参数条件的反应参数包括上电极功率、下电极功率、气体流量、反应温度、反应压力和反应时间中的至少一种。以使该满足预设电离率条件的气体产生的未配对的原子分别与第一悬挂键、第二悬挂键充分结合。
在一具体实施方式中，继续参考图2和图3，可选地，气体包括氮气、氨气、氟化氢、氯气和氯化硼中的至少一种。可选地，基底10的材料包括氧化铝，异质微结构20的材料包括氧化硅。则基底10的表面具有的第一悬挂键可以为不饱和铝键，异质微结构20的表面具有的第二悬挂键可以为不饱和硅键。在第二反应阶段，在第二预设反应参数条件下，可以采用氮气电离形成的不饱和氮键与剩余的不饱和铝键进行化学反应(两个不饱和键组合成一个饱和键)，并对应生成饱和铝氮键(Al-N键，即第一共价键)，同样，可以采用氮气电离形成的不饱和氮键与剩余的不饱和硅键进行化学反应(两个不饱和键组合成一个饱和键)，并对应生成饱和硅氮键(Si-N键，即第二共价键)。极大减少了基底10的表面的不饱和铝键的数量以及异质微结构20的表面的不饱和硅键的数量。且对应生成的饱和铝氮键和饱和硅氮键的活性较高，稳定性不足，也需要在第二反应阶段，在第二预设反应参数条件下进行固化，提高饱和铝氮键(也可以理解为氮化铝薄膜)和饱和硅氮键(也可以理解为氮化硅薄膜)的稳定性。此外，氮气电离形成的不饱和氮键，还可以与第一反应阶段后，复合衬底的表面上的不饱和氮键相结合，有效减少复合衬底的表面的悬挂键的数量，也避免复合衬底的表面的悬挂键与不饱和氧键相结合以形成氧化薄膜的问题。
在第二反应阶段后，仍在刻蚀腔体中，采用满足预设电离率条件的气体，对刻蚀腔体内进行吹扫，使得复合衬底冷却。待冷却后，采用清洗溶液，对复合衬底进行清洗，避免复合衬底因冷热变化过大而发生破损和开裂等问题。
S350、采用清洗溶液，对复合衬底进行清洗；其中，复合衬底的表面上包括副产物，至少部分副产物在清洗溶液中形成带电胶体微粒，且在清洗溶液中，基底的表面的界面动电势、异质微结构的表面的界面动电势与带电胶体微粒的界面动电势相同。
进一步地，在第一反应阶段，在第一预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键，包括：在第一反应阶段，在1400-1600W的上电极功率范围，700-900W的下电极功率范围的条件下，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键；在第二反应阶段，在第二预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键，包括：在第二反应阶段，在600-1000W的上电极功率范围，0-10W的下电极功率范围的条件下，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键。
示例性地，在第一反应阶段，可以调节上电极功率为1400W，下电极功率为800W，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键。在第二反应阶段，可以调节上电极功率为1000W，下电极功率为0W，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键。
进一步地，在第一反应阶段，在第一预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键，包括：在第一反应阶段，在100-150SCCM的气体流量范围的条件下，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键；在第二反应阶段，在第二预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键，包括：在第二反应阶段，在80-100SCCM的气体流量范围的条件下，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键。
示例性地，在第一反应阶段，可以调节气体流量为100SCCM，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键。在第二反应阶段，可以调节气体流量为80SCCM，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键。
进一步地，在第一反应阶段，在第一预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键，包括：在第一反应阶段，在120-160℃的反应温度范围的条件下，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键；在第二反应阶段，在第二预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键，包括：在第二反应阶段，在60-80℃的反应温度范围的条件下，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键。
示例性地，在第一反应阶段，可以调节反应温度为120℃，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键。在第二反应阶段，可以调节反应温度为80℃，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键。
进一步地，在第一反应阶段，在第一预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键，包括：在第一反应阶段，在200-400s的反应时间范围的条件下，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键；在第二反应阶段，在第二预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键，包括：在第二反应阶段，在500-700s的反应时间范围的条件下，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键。
示例性地，在第一反应阶段，可以调节反应时间为300s，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键。在第二反应阶段，可以调节反应时间为500s，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键。
进一步地，在第一反应阶段，在第一预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键，包括：在第一反应阶段，在4-6Torr的反应压力范围的条件下，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键；在第二反应阶段，在第二预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键，包括：在第二反应阶段，在4-6Torr的反应压力范围的条件下，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键。
示例性地，在第一反应阶段，可以调节反应压力为5Torr，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键。在第二反应阶段，可以调节反应压力为5Torr，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键。
可选地，第一预设反应参数条件和第二预设反应参数条件的反应参数包括上电极功率、下电极功率、气体流量、反应温度、反应压力和反应时间中的至少一种。在一具体实施方式中，在第一反应阶段，在1400-1600W的上电极功率范围，700-900W的下电极功率范围，100-150SCCM的气体流量范围，120-160℃的反应温度范围，200-400s的反应时间范围，4-6Torr的反应压力范围的条件下，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键。在上述第一预设反应参数条件下，复合衬底的各向刻蚀/反应速率稳定，不会影响复合衬底的接触角，能维持复合衬底的表面疏水性，满足预设电离率条件的气体可以与复合衬底的表面的悬挂键发生化学反应，形成新的共价键，改变了复合衬底的表面的悬挂键的种类和数量。在第二反应阶段，在600-1000W的上电极功率范围，0-10W的下电极功率范围，80-100SCCM的气体流量范围，60-80℃的反应温度范围，500-700s的反应时间范围，4-6Torr的反应压力范围的条件下，采用满足预设电离率条件的气体，分别与第一悬挂键和第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键。也即，在上电极功率、下电极功率、气体流量、反应温度、反应压力和反应时间的反应参数的共同影响下，进行第一反应阶段和第二反应阶段。在上述第二预设反应参数条件下，满足预设电离率条件的气体可以进一步与复合衬底的表面剩下的悬挂键发生化学反应，有效减少复合衬底的表面的悬挂键的数量，且有利于固化生成的共价键(也可以理解为薄膜)，并提高生成的共价键(也可以理解为薄膜)的稳定性。
在又一具体实施方式中，复合衬底包括基底和异质微结构，其中，基底的材料可以为氧化铝，基底表面的界面动电势为负，异质微结构的材料可以为氧化硅，异质微结构表面的界面动电势为正。表面残留杂质颗粒即为带电胶体微粒，该带电胶体微粒可以为硅酸胶体。对万片级数量的氧化硅图形化复合蓝宝石衬底蚀刻片，分别使用表面处理条件与正常条件进行处理后，在同一条件下进行酸洗及甩干，并对所有清洗后的晶片进行AOI检测(自动化光学检测)。其中，表面处理条件为对该复合衬底中的基底的表面的界面动电势和异质微结构的表面的界面动电势进行调节后，采用清洗溶液清洗该复合衬底，正常条件为直接采用清洗溶液清洗该复合衬底，未对该复合衬底中的基底的表面的界面动电势和异质微结构的表面的界面动电势进行调节。根据多次清洗过程进行分析统计，分别确定表面处理条件对应的清洗完成后复合衬底表面的残留杂质颗粒的数量，以及正常条件对应的清洗完成后复合衬底表面的残留杂质颗粒的数量。
表1是本发明实施例提供的一种表面处理条件和正常条件对应的晶片清洗后表面颗粒残留的分布数量示意表，表2是本发明实施例提供的一种表面处理条件和正常条件对应的晶片清洗后表面颗粒残留的分布占比示意表，表3是本发明实施例提供的一种表面处理条件和正常条件对应的晶片清洗后表面颗粒残留的整体数据汇总示意表，如表1、表2和表3所示，可知：(1)在表面处理条件下，复合衬底表面的残留杂质颗粒的数量范围为0-9时，对应的复合衬底的数量占总量的比例为最大，且远大于复合衬底表面的残留杂质颗粒的数量范围为10-100时，对应的复合衬底的数量占总量的比例之和，由此可知，基底的表面的界面动电势和异质微结构的表面的界面动电势的合理调节，有利于复合衬底的清洗效率，极大减少了复合衬底表面的残留杂质颗粒的数量。(2)在复合衬底表面的残留杂质颗粒的数量范围为0-9时，表面处理条件对应的复合衬底的数量占总量的比例，远大于正常条件对应的复合衬底的数量占总量的比例，由此可知，基底的表面的界面动电势和异质微结构的表面的界面动电势的合理调节，使得表面处理条件对应的复合衬底的清洗洁净程度优于正常条件对应的复合衬底的清洗洁净程度。(3)在表面处理条件清洗大量复合衬底，复合衬底表面的残留杂质颗粒的数量平均值5.5，小于在正常条件清洗大量复合衬底，复合衬底表面的残留杂质颗粒的数量平均值30.3，由此可知，表面处理条件对应的复合衬底的表面的残留杂质颗粒的数量更少，有效避免了硅酸胶体吸附于复合衬底表面的情况，表面处理条件对应的复合衬底的清洗更加洁净。
表1
| 条件 | 0-9 | 10-19 | 20-29 | 30-39 | 40-49 | 50-59 | 60-69 | 70-79 | 80-89 | 90-99 | >100 |
| 表面处理条件 | 17962 | 2060 | 778 | 408 | 235 | 153 | 106 | 61 | 38 | 36 | 141 |
| 正常条件 | 4412 | 8740 | 5800 | 3076 | 2112 | 1164 | 756 | 476 | 404 | 244 | 888 |
表2
| 条件 | 0-9 | 10-19 | 20-29 | 30-39 | 40-49 | 50-59 | 60-69 | 70-79 | 80-89 | 90-99 | >100 |
| 表面处理条件 | 81.7％ | 9.4％ | 3.5％ | 1.9％ | 1.1％ | 0.7％ | 0.5％ | 0.3％ | 0.2％ | 0.2％ | 0.6％ |
| 正常条件 | 15.7％ | 31.1％ | 20.7％ | 11.0％ | 7.5％ | 4.1％ | 2.7％ | 1.7％ | 1.4％ | 0.9％ | 3.2％ |
表3
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (12)
1.一种复合衬底清洗方法，其特征在于，包括：
提供复合衬底；其中，所述复合衬底包括基底和异质微结构；
采用满足预设电离率条件的气体，分别调节所述基底的表面的界面动电势和所述异质微结构的表面的界面动电势；
采用清洗溶液，对所述复合衬底进行清洗；其中，所述复合衬底的表面上包括副产物，至少部分所述副产物在所述清洗溶液中形成带电胶体微粒，且在所述清洗溶液中，所述基底的表面的界面动电势、所述异质微结构的表面的界面动电势与所述带电胶体微粒的界面动电势相同。
2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述基底的表面具有第一悬挂键，所述异质微结构的表面具有第二悬挂键；
采用满足预设电离率条件的气体，分别调节所述基底的表面的界面动电势和所述异质微结构的表面的界面动电势，包括：
在第一反应阶段，在第一预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键；其中，在所述清洗溶液中，所述第一共价键的界面动电势、所述第二共价键的界面动电势与所述带电胶体微粒的界面动电势相同。
3.根据权利要求2所述的清洗方法，其特征在于，在第一反应阶段，在第一预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键之后，还包括：
在第二反应阶段，在第二预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成所述第一共价键和所述第二共价键；其中，所述第一预设反应参数条件和所述第二预设反应参数条件的反应参数中的至少一种不同。
4.根据权利要求3所述的清洗方法，其特征在于，所述第一预设反应参数条件和所述第二预设反应参数条件的反应参数包括上电极功率、下电极功率、气体流量、反应温度、反应压力和反应时间中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的清洗方法，其特征在于，在第一反应阶段，在第一预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键，包括：
在所述第一反应阶段，在1400-1600W的上电极功率范围，700-900W的下电极功率范围的条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成所述第一共价键和所述第二共价键；
在第二反应阶段，在第二预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成所述第一共价键和所述第二共价键，包括：
在所述第二反应阶段，在600-1000W的上电极功率范围，0-10W的下电极功率范围的条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成所述第一共价键和所述第二共价键。
6.根据权利要求4所述的清洗方法，其特征在于，在第一反应阶段，在第一预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键，包括：
在所述第一反应阶段，在100-150SCCM的气体流量范围的条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成所述第一共价键和所述第二共价键；
在第二反应阶段，在第二预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成所述第一共价键和所述第二共价键，包括：
在所述第二反应阶段，在80-100SCCM的气体流量范围的条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成所述第一共价键和所述第二共价键。
7.根据权利要求4所述的清洗方法，其特征在于，在第一反应阶段，在第一预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键，包括：
在所述第一反应阶段，在120-160℃的反应温度范围的条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成所述第一共价键和所述第二共价键；
在第二反应阶段，在第二预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成所述第一共价键和所述第二共价键，包括：
在所述第二反应阶段，在60-80℃的反应温度范围的条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成所述第一共价键和所述第二共价键。
8.根据权利要求4所述的清洗方法，其特征在于，在第一反应阶段，在第一预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键，包括：
在所述第一反应阶段，在200-400s的反应时间范围的条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成所述第一共价键和所述第二共价键；
在第二反应阶段，在第二预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成所述第一共价键和所述第二共价键，包括：
在所述第二反应阶段，在500-700s的反应时间范围的条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成所述第一共价键和所述第二共价键。
9.根据权利要求4所述的清洗方法，其特征在于，在第一反应阶段，在第一预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键，包括：
在所述第一反应阶段，在4-6Torr的反应压力范围的条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成所述第一共价键和所述第二共价键；
在第二反应阶段，在第二预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成所述第一共价键和所述第二共价键，包括：
在所述第二反应阶段，在4-6Torr的反应压力范围的条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成所述第一共价键和所述第二共价键。
10.根据权利要求3所述的清洗方法，其特征在于，在第一反应阶段，在第一预设反应参数条件下，采用满足预设电离率条件的所述气体，分别与所述第一悬挂键和所述第二悬挂键进行化学反应，并对应生成第一共价键和第二共价键之前，还包括：
将所述复合衬底置于满足预设电离率条件的所述气体的氛围中。
11.根据权利要求10所述的清洗方法，其特征在于，所述气体包括氮气、氨气、氟化氢、氯气和氯化硼中的至少一种。
12.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述基底的材料包括氧化铝，所述异质微结构的材料包括氧化硅。
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|---|---|---|---|
| CN202311532573.4A CN117577517A (zh) | 2023-11-16 | 2023-11-16 | 一种复合衬底清洗方法 |
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