CN117488242A - 一种采用磁控溅射实现陶瓷基板通孔金属化的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及磁控溅射技术领域，具体为一种采用磁控溅射实现陶瓷基板通孔金属化的方法。本发明通过先将溅射靶材进行安装，使用挡板阻隔靶材；然后，采用激光冲孔的方式对陶瓷基板进行冲孔，将冲孔后的陶瓷基板进行清洗，去除表面的污染物；最后将清洗后的陶瓷基板放入磁控溅射真空室内，先溅射钛层再溅射铜层，从而实现通孔金属化。本发明通过靶材安装、激光冲孔、清洗基板和磁控溅射等步骤的相互协作，实现了陶瓷基板通孔金属化，不仅提高铜层与陶瓷的结合力，同时避免环境污染和保护操作人员健康。

Description

一种采用磁控溅射实现陶瓷基板通孔金属化的方法
技术领域
本发明涉及磁控溅射技术领域，具体为一种采用磁控溅射实现陶瓷基板通孔金属化的方法。
背景技术
孔金属化，它的核心作用就是通过在孔壁镀铜，实现基板层与层之间的导通，它是双面板、多层板能够发挥作用的核心关键点，因此，许多电子行业的巨头都对此极其重视。目前行业主流的电镀铜前准备工艺，主要有：沉铜、黑孔等。
沉铜，也称化学沉铜，其主要原理是采用化学中的置换反应，在孔壁上沉积一层铜，以作为后续电镀铜的导电引线。但沉铜工艺具有如下缺点：(1)含甲醛，对操作人员健康不利；(2)设备投资大，生产成本高，环境污染大；(3)时效管控短，一般有效时间为3～6小时。黑孔属于直接电镀技术中的一种，其主要采用物理原理，使碳粉吸附在孔壁表面，形成一层导电层，以作为后续电镀铜的导电引线。通常情况下，其厚度为0.5～1μm。黑孔工艺问题主要在于：(1)在导电性能方面，导电碳粉会弱于沉积铜层；(2)其适用性不如沉铜广，虽然已经被大规模运用，但目前业内主要用于双面板，高端产品几乎不采用；(3)主要成分石墨和碳黑粉(颗粒直径为50～300nm)，溶液为弱碱性。
磁控溅射的工作原理是指电子在电场的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar+，Ar+在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材金属发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，在溅射过程中不存在环境污染且不会对操作人员的健康产生影响。
因此，我们提出一种采用磁控溅射实现陶瓷基板通孔金属化的方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种采用磁控溅射实现陶瓷基板通孔金属化的方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为了解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：
一种采用磁控溅射实现陶瓷基板通孔金属化的方法，包括以下步骤：
步骤S1：激光冲孔：采用激光冲孔的方式，按照线路排布的需要，确认冲孔位置并对陶瓷基板进行冲孔，形成通孔；
步骤S2：陶瓷基板清洗：使用纯水进行清洗；随后，将陶瓷基板浸泡在碱水中，依次经过碱水超声清洗、纯水喷淋清洗、稀硫酸、纯水喷淋洗、超声波水洗、脱水及干燥、再次清洗；将清洗后的陶瓷基板进行烘干；
步骤S3：陶瓷基板溅射：将步骤S3制得的陶瓷基板放入磁控溅射真空室内，以氮气为反应气体，以氩气为溅射气体，对陶瓷基板两侧表面、通孔进行磁控溅射，溅射时先溅射钛层，再溅射铜层；溅射完成后，待真空室内压力和大气压力平衡，并将真空室温度降至25～90℃时，取出。
进一步的，所述步骤S2中激光冲孔工艺条件为：螺旋间隔0.01～0.02mm，输出功率8～12W，扫描次数150～250次，扫描速度350～450mm/s。
进一步的，所述步骤S2中通孔孔径为φ70～80μm。
进一步的，所述步骤S2中陶瓷基板为Al2O3、AlN、Si3N4中的一种，厚度为0.15～1.00mm。
进一步的，所述步骤S3中陶瓷基板清洗的具体工艺如下：使用纯水清洗10～15min，将陶瓷基板浸泡在碱水中20～30min，经过碱水超声清洗8～12min，然后用纯水喷淋清洗10～15min，再进行稀硫酸酸洗8～12min，接着用纯水喷淋洗10～15min，再进行超声波水洗10～15min，最后进行脱水及干燥，对陶瓷基板进行再次清洗10～15min；将清洗后的陶瓷基板在100～110℃下烘烤50～60min。
进一步的，所述步骤S3中碱水为10～15wt％的氢氧化钾溶液。
进一步的，所述步骤S3中稀硫酸的质量浓度为5～10％。
进一步的，所述步骤S3中干燥方法为氮气吹干。
进一步的，所述步骤S4中溅射钛层的具体制备工艺如下：
将双阴极钛靶安装在磁控溅射真空室中，将真空室温度加热至250～300℃，维持20～30min，通入0.4～0.6Pa氩气，将真空度调至启辉压力5.0×10-1～6×10-1Pa，待双阴极钛靶启辉后，通入氮气作为反应气体，并通过调整氩气注入量将真空室调至镀膜压力2.0×10-1～3×10-1Pa，将磁控溅射电源功率调至7～9KW，对陶瓷基板溅射钛层，溅射25～30min。
进一步的，所述步骤S4中溅射钛层的具体制备工艺如下：
步骤(1)：将Ti、Nb、Sc、Mo、Ta金属单质粉末混合，加入无水乙醇混合均匀，进行球磨，烘干后，制得混合粉末；将混合粉末进行真空烧结，真空度2.5×10-2～5.0×10-1Pa，烧结压力10～20MPa，以10～50℃/min的升温速率加热至1350～1450℃，保温5-10min，随炉冷却，制得TiNbScMoTa靶材；
步骤(2)：将TiNbScMoTa靶材依次经过打磨、抛光、清洗及干燥后，放入真空腔室内，将步骤S3制得的陶瓷基板放入磁控溅射真空腔室，将真空室温度加热至200～300℃，维持20～30min，通入0.4～0.6Pa氩气，将真空度调至5×10-4～2×10-3Pa，溅射功率为100～200W，溅射60～120min；待陶瓷基板的左面溅射完TiNbScMoTa涂层后，在保持溅射功率、沉积温度、氩气气压不变的情况下，再通入0.05～0.07Pa的氮气，沉积一层(TiNbScMoTa)N，以此为一个周期，重复2～8个周期，制得钛层。
进一步的，所述步骤(1)中球磨工艺条件为：使用Φ5mm氧化锆磨球，球料比(2-6)：1，球磨转速200～300r/min，球磨时间10～12h。
进一步的，所述步骤(1)中TiNbScMoTa靶材包括以下质量百分比成分：50～60％Ti、12～18％Nb、5～10％Sc、10～15％Mo、5～7％Ta。
进一步的，所述步骤(1)中TiNbScMoTa靶材的直径为50mm、厚度为5mm。
进一步的，所述步骤S4中溅射铜层的具体制备工艺如下：
待陶瓷基板表面溅射完钛层后，再次将真空度调至启辉压力5.0×10-1～6×10- 1Pa，对陶瓷基板进行溅射铜层，待调整完镀膜压力后，将双阴极铜靶电源调至15～20KW，溅射60～80min。
进一步的，所述步骤S4中钛层的厚度为0.1-0.8μm，铜层的厚度为0.5-1.0μm。
与现有技术相比，本发明的有益效果如下：
1.本发明的一种采用磁控溅射实现陶瓷基板通孔金属化的方法，通过在钛靶与铜靶之间采用挡板阻隔，使得基板从一对阴极靶中经过以实现双面溅射；同时，通过激光冲孔的方式对陶瓷基板进行冲孔，利用激光作为高强度热源对陶瓷基板进行加热，从而使其融化或气化蒸发，形成通孔；在瓷片加工、包装、转运过程中，基板表面容易受到污染，激光冲孔后的陶瓷基板表面还容易产生瓷渣，这会对溅射后金属层与陶瓷的结合产生影响。因此，在溅射前有必要对瓷片进行清洗。将清洗后的瓷片放入磁控溅射真空室内，为提高铜层与陶瓷的结合力，需要先溅射一层钛层再溅射铜，从而实现孔金属化。本发明通过靶材安装、激光冲孔、清洗基板、磁控溅射等一系列步骤的相互协作，实现了陶瓷基板通孔金属化，并获得了提高金属层与陶瓷的结合力，避免了环境污染和对操作人员的健康产生影响。
2.本发明的一种采用磁控溅射实现陶瓷基板通孔金属化的方法，在溅射钛层工艺中，利用反应磁控溅射氮气流量灵活可调的特点，以TiNbScMoTa合金作为靶材，制得由TiNbScMoTa涂层和(TiNbScMoTa)N交替调制的多层结构涂层，该涂层不仅具有优异的耐腐蚀性和高温稳定性，能够有效保护陶瓷基板；还能够增强涂层的机械性能和结合力，提高陶瓷基板与金属层之间的结合强度。通过先溅射钛再溅射铜层工艺的相结合，进一步增强了铜层与陶瓷基板的结合力，还能够保护陶瓷基板，从而提高了整体的可靠性和稳定性。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1是本发明中实施例1与实施例2的通孔金属化示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本实施例中陶瓷基板：AlN陶瓷基板，规格为60mm×48mm×0.5mm，来源于无锡海古德新技术有限公司；双阴极钛靶：纯度为99.95％，直径为50mm、厚度为4mm，来源于宝鸡市盛华有色金属材料加工有限公司；双阴极铜靶；纯度为99.95％，直径为50mm、厚度为4mm，来源于北京瑞弛高科技有限公司；苏丹红染料：苏丹III染色液，来源于广州和为医药科技有限公司；Ti金属单质粉末：纯度≥99.95％，粒度为150～250目，来源于北京兴荣源科技有限公司；Nb金属单质粉末：纯度≥99.95％，粒度为200～250目，来源于南宫市晶兴合金焊接材料有限公司；Sc金属单质粉末：纯度≥99.95％，粒度为650～660目，来源于清河县诺图焊接材料有限公司；Mo金属单质粉末：纯度≥99.95％，粒度为200～400目，来源于南宫市盈泰金属材料有限公司；Ta金属单质粉末：纯度≥99.95％，粒度为300～500目，来源于南宫市盈泰金属材料有限公司。
实施例1：一种采用磁控溅射实现陶瓷基板通孔金属化的方法，包括以下工艺：
步骤S1：溅射靶材安装：将双阴极钛靶与双阴极铜靶安装在磁控溅射真空室中，使用挡板阻隔双阴极钛靶和双阴极铜靶；
步骤S2：激光冲孔：采用激光冲孔的方式(螺旋间隔0.01mm，输出功率8W，扫描次数150次，扫描速度350mm/s)，按照线路排布的需要，确认冲孔位置并对陶瓷基板就进行冲孔，形成通孔，在冲孔前，使用苏丹红染料将陶瓷基板表面进行涂抹(涂抹量为100g/m2)；
步骤S3：陶瓷基板清洗：使用纯水将步骤S2制得的陶瓷基板表面的苏丹红清洗干净；随后，将陶瓷基板浸泡在15wt％的氢氧化钾溶液中20min，经过15wt％的氢氧化钾溶液超声清洗8min，然后用纯水喷淋清洗10min，再进行5wt％稀硫酸酸洗8min，接着用纯水喷淋洗10min，再进行超声波水洗10min，最后进行脱水及干燥(氮气吹干)，对陶瓷基板进行再次清洗10min；将清洗后的陶瓷基板在100℃下烘烤50min；
步骤S4：陶瓷基板溅射：将步骤S3制得的陶瓷基板放入磁控溅射真空室内，以氮气为反应气体，以氩气为溅射气体，对陶瓷基板两侧表面、通孔进行磁控溅射；溅射时先溅射钛层，再溅射铜层(将真空室温度加热至250℃，维持20min，通入0.4Pa氩气，将真空度调至启辉压力5.0×10-1Pa，待双阴极钛靶启辉后，通入氮气做反应气体，并通过调整氩气注入量将真空室调至镀膜压力2.0×10-1Pa，将磁控溅射电源功率调至7KW，溅射25min；待陶瓷基板表面溅射完钛层后，再次将真空度调至启辉压力5.0×10-1Pa，采用同样调整方式，对陶瓷基板的进行溅射铜层，待调整完镀膜压力后，将双阴极铜靶电源调至15KW，溅射60min)；溅射完成后，待真空室内压力和大气压力平衡，并将真空室温度降至25℃时，取出。
实施例2：一种采用磁控溅射实现陶瓷基板通孔金属化的方法，包括以下工艺：
步骤S1：溅射靶材安装：将双阴极钛靶与双阴极铜靶安装在磁控溅射真空室中，使用挡板阻隔双阴极钛靶和双阴极铜靶；
步骤S2：激光冲孔：采用激光冲孔的方式(螺旋间隔0.02mm，输出功率12W，扫描次数250次，扫描速度450mm/s)，按照线路排布的需要，确认冲孔位置并对陶瓷基板就进行冲孔，形成通孔，在冲孔前，使用苏丹红染料将陶瓷基板表面进行涂抹(涂抹量为150g/m2)；
步骤S3：陶瓷基板清洗：使用纯水将步骤S2制得的陶瓷基板表面的苏丹红清洗干净；随后，将陶瓷基板浸泡在10wt％的氢氧化钾溶液中30min，经过10wt％的氢氧化钾溶液超声清洗12min，然后用纯水喷淋清洗15min，再进行10wt％稀硫酸酸洗12min，接着用纯水喷淋洗15min，再进行超声波水洗15min，最后进行脱水及干燥(氮气吹干)，对陶瓷基板进行再次清洗15min；将清洗后的陶瓷基板在110℃下烘烤60min；
步骤S4：陶瓷基板溅射：将步骤S3制得的陶瓷基板放入磁控溅射真空室内，以氮气为反应气体，以氩气为溅射气体，对陶瓷基板两侧表面、通孔进行磁控溅射；溅射时先溅射钛层，再溅射铜层(将真空室温度加热至300℃，维持30min，通入0.6Pa氩气，将真空度调至启辉压力6×10-1Pa，待双阴极钛靶启辉后，通入氮气做反应气体，并通过调整氩气注入量将真空室调至镀膜压力3×10-1Pa，将磁控溅射电源功率调至9KW，溅射30min；待陶瓷基板表面溅射完钛层后，再次将真空度调至启辉压力6×10-1Pa，采用同样调整方式，对陶瓷基板的进行溅射铜层，待调整完镀膜压力后，将双阴极铜靶电源调至20KW，溅射80min)；溅射完成后，待真空室内压力和大气压力平衡，并将真空室温度降至90℃时，取出。
实施例3：一种采用磁控溅射实现陶瓷基板通孔金属化的方法，包括以下工艺：
步骤S1：溅射靶材安装：将TiNbScMoTa靶材与双阴极铜靶安装在磁控溅射真空室中，使用挡板阻隔TiNbScMoTa靶材和双阴极铜靶；
步骤S2：激光冲孔：采用激光冲孔的方式(螺旋间隔0.01mm，输出功率10W，扫描次数200次，扫描速度400mm/s)，按照线路排布的需要，确认冲孔位置并对陶瓷基板就进行冲孔，在冲孔前，使用苏丹红染料将陶瓷基板表面进行涂抹(涂抹量为125g/m2)；
步骤S3：陶瓷基板清洗：使用纯水将步骤S2制得的陶瓷基板表面的苏丹红清洗干净；随后，将陶瓷基板浸泡在12wt％的氢氧化钾溶液中25min，经过12wt％的氢氧化钾溶液超声清洗10min，然后用纯水喷淋清洗12min，再进行8wt％稀硫酸酸洗10min，接着用纯水喷淋洗12min，再进行超声波水洗12min，最后进行脱水及干燥(氮气吹干)，对陶瓷基板进行再次清洗12min；将清洗后的陶瓷基板在105℃下烘烤55min；
步骤S4：陶瓷基板溅射：将步骤S3制得的陶瓷基板放入磁控溅射真空室内，以氮气为反应气体，以氩气为溅射气体，对陶瓷基板两侧表面、通孔进行磁控溅射；溅射时先溅射钛层，再溅射铜层(待陶瓷基板表面溅射完钛层后，再次将真空度调至启辉压力6×10-1Pa，采用同样调整方式，对陶瓷基板的进行溅射铜层，待调整完镀膜压力后，将双阴极铜靶电源调至20KW，溅射80min)；溅射完成后，待真空室内压力和大气压力平衡，并将真空室温度降至50℃时，取出；
溅射钛层工艺的具体制备工艺如下：
步骤(1)：将Ti、Nb、Sc、Mo、Ta金属单质粉末混合，加入无水乙醇混合均匀，进行球磨(使用Φ5mm氧化锆磨球，球料比2：1，球磨转速200r/min，球磨时间10h)，烘干后，制得混合粉末；将混合粉末进行真空烧结，真空度2.5×10-2Pa，烧结压力10MPa，以10℃/min的升温速率加热至1350℃，保温5min，随炉冷却，制得TiNbScMoTa靶材，TiNbScMoTa靶材包括以下质量百分比成分：50％Ti、12％Nb、5％Sc、10％Mo、5％Ta；
步骤(2)：将TiNbScMoTa靶材依次经过打磨、抛光、清洗及干燥后，放入真空腔室内，将步骤S3制得的陶瓷基板放入磁控溅射真空腔室，将真空室温度加热至250℃，维持25min，通入0.4Pa氩气，将真空度调至为5×10-4Pa，溅射功率为100W，溅射60min；待陶瓷基板表面溅射完TiNbScMoTa涂层后，在保持溅射功率、沉积温度、氩气气压不变的情况下，再通入0.05Pa的氮气，沉积一层(TiNbScMoTa)N，以此为一个周期，重复2-8个周期，制得钛层。
实施例4：一种采用磁控溅射实现陶瓷基板通孔金属化的方法，包括以下工艺：
步骤S1：溅射靶材安装：将TiNbScMoTa靶材与双阴极铜靶安装在磁控溅射真空室中，使用挡板阻隔TiNbScMoTa靶材和双阴极铜靶；
步骤S2：激光冲孔：采用激光冲孔的方式(螺旋间隔0.02mm，输出功率12W，扫描次数250次，扫描速度450mm/s)，按照线路排布的需要，确认冲孔位置并对陶瓷基板就进行冲孔，在冲孔前，使用苏丹红染料将陶瓷基板表面进行涂抹(涂抹量为150g/m2)；
步骤S3：陶瓷基板清洗：使用纯水将步骤S2制得的陶瓷基板表面的苏丹红清洗干净；随后，将陶瓷基板浸泡在15wt％的氢氧化钾溶液中30min，经过15wt％的氢氧化钾溶液超声清洗12min，然后用纯水喷淋清洗15min，再进行10wt％稀硫酸酸洗12min，接着用纯水喷淋洗15min，再进行超声波水洗15min，最后进行脱水及干燥(氮气吹干)，对陶瓷基板进行再次清洗15min；将清洗后的陶瓷基板在110℃下烘烤60min；
步骤S4：陶瓷基板溅射：将步骤S3制得的陶瓷基板放入磁控溅射真空室内，以氮气为反应气体，以氩气为溅射气体，对陶瓷基板两侧表面、通孔进行磁控溅射，溅射时先溅射钛层，再溅射铜层(待陶瓷基板表面溅射完钛层A后，再次将真空度调至启辉压力6×10-1Pa，采用同样调整方式，对陶瓷基板的进行溅射铜层，待调整完镀膜压力后，将双阴极铜靶电源调至20KW，溅射80min)；溅射完成后，待真空室内压力和大气压力平衡，并将真空室温度降至90℃时，取出；
溅射钛层工艺的具体制备工艺如下：
步骤(1)：将Ti、Nb、Sc、Mo、Ta金属单质粉末混合，加入无水乙醇混合均匀，进行球磨(使用Φ5mm氧化锆磨球，球料比6：1，球磨转速300r/min，球磨时间12h)，烘干后，制得混合粉末；将混合粉末进行真空烧结，真空度5.0×10-1Pa，烧结压力20MPa，以50℃/min的升温速率加热至1450℃，保温10min，随炉冷却，制得TiNbScMoTa靶材，TiNbScMoTa靶材包括以下质量百分比成分：60％Ti、18％Nb、10％Sc、15％Mo、7％Ta；
步骤(2)：将TiNbScMoTa靶材依次经过打磨、抛光、清洗及干燥后，放入真空腔室内，将步骤S3制得的陶瓷基板放入磁控溅射真空腔室，将真空室温度加热至300℃，维持30min，通入0.6Pa氩气，将真空度调至为2×10-3Pa，溅射功率为200W，溅射120min；待陶瓷基板表面溅射完TiNbScMoTa涂层后，在保持溅射功率、沉积温度、氩气气压不变的情况下，再通入0.07Pa的氮气，沉积一层(TiNbScMoTa)N，以此为一个周期，重复8个周期，制得钛层。
对比例1：与实施例3相比，对比例1将TiNbScMoTa靶材替换成同规格的Cr靶材(来源于宝鸡市盛华有色金属材料加工有限公司)，通过溅射工艺对陶瓷基板先溅射铬涂层，再溅射铜层；其余步骤与实施例3相同。
实验
取实施例1～4、对比例1～3中得到的产品，切割成长10mm×宽10mm×厚0.5mm的试样，采用JSM-7001F热场发射扫描电子显微镜观察陶瓷金属化后的涂层微观形貌。
取实施例1～4、对比例1～3中得到的产品，切割成长15mm×宽10mm×厚0.5mm的试样，用WS－2005型自动划痕测试仪测定铜层与陶瓷基板的结合力，加载载荷为50N，加载速率为50N/min，划痕长度为3mm，每个试样进行3次划痕测试，然后取其结合力的平均值作为结果。
测定结果：
涂层微观形貌 结合力/N
实施例1 表面平整光滑 21
实施例2 表面平整光滑 25
实施例3 表面平整光滑 32
实施例4 表面平整光滑 35
对比例1 表面平整光滑 11
根据上表中的数据，可以清楚得到以下结论：
1、本发明采用磁控溅射实现陶瓷基板通孔金属化的方法，制得的产品具有优秀的结合力和表面平整光滑的特点。
2、与实施例1-4相比，对比例1试样的结合力下降，说明相较于Cr靶材，本发明制备的TiNbScMoTa靶材更能增强铜层与陶瓷基本的结合力。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程方法物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程方法物品或者设备所固有的要素。
最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改等同替换改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种采用磁控溅射实现陶瓷基板通孔金属化的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：激光冲孔：采用激光冲孔的方式，按照线路排布的需要，确认冲孔位置并对陶瓷基板进行冲孔，形成通孔；
步骤S2：陶瓷基板清洗：使用纯水进行清洗；随后，将陶瓷基板浸泡在碱水中，依次经过碱水超声清洗、纯水喷淋清洗、稀硫酸、纯水喷淋洗、超声波水洗、脱水及干燥、再次清洗；将清洗后的陶瓷基板进行烘干；
步骤S3：陶瓷基板溅射：将步骤S3制得的陶瓷基板放入磁控溅射真空室内，以氮气为反应气体，以氩气为溅射气体，对陶瓷基板两侧表面、通孔进行磁控溅射，溅射时先溅射钛层，再溅射铜层；溅射完成后，待真空室内压力和大气压力平衡，并将真空室温度降至25～90℃时，取出。
2.根据权利要求1所述的一种采用磁控溅射实现陶瓷基板通孔金属化的方法，其特征在于：所述步骤S2中激光冲孔工艺条件为：螺旋间隔0.01-0.02mm，输出功率8-12W，扫描次数150-250次，扫描速度350-450mm/s。
3.根据权利要求1所述的一种采用磁控溅射实现陶瓷基板通孔金属化的方法，其特征在于：所述步骤S2中陶瓷基板为Al2O3、AlN、Si3N4中的一种，厚度为0.15～1.00mm。
4.根据权利要求1所述的一种采用磁控溅射实现陶瓷基板通孔金属化的方法，其特征在于：所述步骤S3中陶瓷基板清洗的具体工艺如下：使用纯水清洗10～15min，将陶瓷基板浸泡在碱水中20～30min，经过碱水超声清洗8～12min，然后用纯水喷淋清洗10～15min，再进行稀硫酸酸洗8～12min，接着用纯水喷淋洗10～15min，再进行超声波水洗10～15min，最后进行脱水及干燥，对陶瓷基板进行再次清洗10～15min；将清洗后的陶瓷基板在100～110℃下烘烤50～60min。
5.根据权利要求1所述的一种采用磁控溅射实现陶瓷基板通孔金属化的方法，其特征在于：所述步骤S4中溅射钛层的具体制备工艺如下：
将真空室温度加热至250～300℃，维持20～30min，通入0.4～0.6Pa氩气，将真空度调至启辉压力5.0×10-1～6×10-1Pa，待双阴极钛靶启辉后，通入氮气作为反应气体，并通过调整氩气注入量将真空室调至镀膜压力2.0×10-1～3×10-1Pa，将磁控溅射电源功率调至7～9KW，对陶瓷基板溅射钛层，溅射25～30min。
6.根据权利要求1所述的一种采用磁控溅射实现陶瓷基板通孔金属化的方法，其特征在于：所述步骤S4中溅射钛层的具体制备工艺如下：
步骤(1)：将Ti、Nb、Sc、Mo、Ta金属单质粉末混合，加入无水乙醇混合均匀，进行球磨，烘干后，制得混合粉末；将混合粉末进行真空烧结，真空度2.5×10-2～5.0×10-1Pa，烧结压力10～20MPa，以10～50℃/min的升温速率加热至1350～1450℃，保温5-10min，随炉冷却，制得TiNbScMoTa靶材；
步骤(2)：将TiNbScMoTa靶材依次经过打磨、抛光、清洗及干燥后，放入真空腔室内，将步骤S3制得的陶瓷基板放入磁控溅射真空腔室，将真空室温度加热至200～300℃，维持20～30min，通入0.4～0.6Pa氩气，将真空度调至5×10-4～2×10-3Pa，溅射功率为100～200W，溅射60～120min；待陶瓷基板的左面溅射完TiNbScMoTa涂层后，在保持溅射功率、沉积温度、氩气气压不变的情况下，再通入0.05～0.07Pa的氮气，沉积一层(TiNbScMoTa)N，以此为一个周期，重复2～8个周期，制得钛层。
7.根据权利要求6所述的一种采用磁控溅射实现陶瓷基板通孔金属化的方法，其特征在于：所述步骤(1)中球磨工艺条件为：使用Φ5mm氧化锆磨球，球料比(2-6)：1，球磨转速200～300r/min，球磨时间10～12h。
8.根据权利要求6所述的一种采用磁控溅射实现陶瓷基板通孔金属化的方法，其特征在于：所述步骤(1)中TiNbScMoTa靶材包括以下质量百分比成分：50～60％Ti、12～18％Nb、5～10％Sc、10～15％Mo、5～7％Ta。
9.根据权利要求1所述的一种采用磁控溅射实现陶瓷基板通孔金属化的方法，其特征在于：所述步骤S4中溅射铜层的具体制备工艺如下：
待陶瓷基板表面溅射完钛层后，再次将真空度调至启辉压力5.0×10-1～6×10-1Pa，对陶瓷基板进行溅射铜层，待调整完镀膜压力后，将双阴极铜靶电源调至15～20KW，溅射60～80min。
10.根据权利要求1所述的一种采用磁控溅射实现陶瓷基板通孔金属化的方法，其特征在于：所述步骤S4中钛层的厚度为0.1-2.0μm，铜层的厚度为0.5-1.0μm。
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