CN117476562A - 可变形超薄柔性薄膜封装基板及其应用 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了可变形超薄柔性薄膜封装基板及其应用,涉及封装基板技术领域,包括以下步骤:首先提供一种MIS基板,MIS基板包含一层或多层预包装结构且MIS基板上设置有树脂层,在MIS基板的上表面和下表面喷涂一层薄铜层,并设置管脚线,通过薄铜层将管脚线与其周围的线路铝层形成电连接,在薄铜层的表面涂抹粘接层,并添加双马来酰亚胺三嗪树脂,得到超薄柔性薄膜封装基板。本发明可变形超薄柔性薄膜封装基板及其应用,使得制备出的薄膜封装基板能够高密度布线,且电和热性能更强外形更小,实现超薄轻小,耐高温性能较强,提高封装基板使用的稳定性,变形效果好,折弯后恢复速度快。
Description
技术领域
本发明涉及封装基板技术领域,特别涉及可变形超薄柔性薄膜封装基板及其应用。
背景技术
封装基板是半导体芯片封装的载体,封装基板正朝着高密度化方向发展,而积层法多层板是能使封装基板实现高密度化的新型PCB产品技术,基板可为芯片提供电连接、保护、支撑、散热、组装等功效,以实现多引脚化,缩小封装产品体积、改善电性能及散热性、超高密度或多芯片模块化的目的。
目前,由于薄膜封装基板主要为芯片提供电连接,但是电连接时内部线路复杂,导致薄膜基板的电和热性能较弱,难以实现高密度稳定布线,且封装基板的薄度仍存在不足,影响使用;
由于封装基板主要为芯片提供保护、支撑和散热的作用,但是在封装基板使用时,由于本身的耐高温性能较弱,导致被保护的芯片耐高温性能下降,容易出现热胀冷缩现象,影响封装基板使用的稳定性;
由于柔性薄膜封装基板设置为柔性,能够对芯片起到保护作用,且可以根据自身需求进行变形操作,但是封装基板在变形时,柔软性和弹性较弱,容易出现封装基板折弯后难以快速恢复,变形较为严重。
因此,现提出一种新型的可变形超薄柔性薄膜封装基板及其应用解决上述问题。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种高密度布线、耐高温强、高稳定性、变形弹性强的可变形超薄柔性薄膜封装基板的制备方法,应用于薄膜封装基板中。
为实现上述目的,本发明采取的技术方案为:可变形超薄柔性薄膜封装基板及其应用,包括以下步骤:
步骤一:首先提供一种MIS基板,MIS基板包含一层或多层预包装结构,每一层都通过电镀铜来进行互连,在封装过程中提供电性连接,且MIS基板上设置有树脂层;
步骤二:在MIS基板的上表面和下表面喷涂一层薄铜层,并设置管脚线,通过薄铜层将管脚线与其周围的线路铝层形成电连接,在薄铜层的表面涂抹粘接层,并添加双马来酰亚胺三嗪树脂,将MIS基板上的树脂层通过粘接层与薄铜层接合;
步骤三:制备硅胶包裹层,硅胶包裹层由硅橡胶、活性剂、填充剂和外加剂混合搅拌30—60min,使其分散,然后在高温下反应,最终聚合成一定形状、体积、重量和强度的硅胶包裹材料,在硅胶包裹材料内添加弹性耐磨添加剂;
步骤四:将制备出的硅胶包裹层涂抹在薄铜层的上表面和下表面,涂抹的硅胶包裹层将管脚线包裹住并漏出管脚线头,且硅胶包裹层将MIS基板包裹住,实现封装,得到超薄柔性薄膜封装基板。
所述步骤一中的MIS基板包括三层有胶板和两层无胶板,无胶板的厚度小于有胶板的厚度,树脂层包括PI树脂或PE树脂,所述PI树脂或PE树脂的配重比率为1%—10%。
所述步骤二中的粘接层设置为改性环氧E—42,所述改性环氧E—42用有机硅树脂和聚乙烯醇缩丁醛复合改性后制得。
所述步骤二中的管脚线为D2822音频放大芯片管脚,所述粘接层还包括粘结剂,粘结剂包括胶料、溶剂、固化剂、增韧剂、防腐剂、着色剂、消泡剂等辅助成分。
所述步骤三中的硅橡胶为氟硅橡胶,所述硅橡胶的配重比率为1%—20%;
所述填充剂包括聚氨酯灌封胶,所述填充剂的配重比率为1%—5%;
所述外加剂包括水杨酸类、纳米颗粒、活性、耐酸、耐碱、耐热等矿物质中的一种或多种,所述外加剂的配重比率为1%—10%。
所述步骤三中的弹性耐磨添加剂为聚氨酯弹性体,所述聚氨酯弹性体由聚醚多元醇、聚酯多元醇、异氰酸酯和链延长剂混拌而成,所述聚醚多元醇包括聚醚二元醇和聚醚三元醇中的一种或两种,所述聚酯多元醇包括聚酯二元醇和聚酯三元醇中的一种或两种,所述异氰酸酯与聚醚多元醇或聚酯多元醇反应形成聚氨酯结构,所述链延长剂包括丁二酸二丁酯和丁二酸二己酯中的一种或两种,配重比率为1%—5%的聚醚多元醇、1%—10%的聚酯多元醇、1%—3%的异氰酸酯和1%—5%的链延长剂,通过搅拌机混拌30—60min,温度设置为50℃,制备而成,再与硅胶包裹层混拌30—60min,温度设置为60℃。
本发明具有如下有益效果:
1.本发明中,通过采用MIS基板,在MIS基板上设置树脂层,树脂层包括PI树脂和PE树脂,且MIS基板包括三层有胶板和两层无胶板,无胶板的厚度小于有胶板的厚度,MIS基板与传统基板不同,包含一层或多层预包封结构,每一层都通过电镀铜来进行互连,以提供在封装过程中的电性连接,MIS可以替代QFN封装或基于引线框的封装,且由于MIS具有更细的布线能力,结合PI树脂和PE树脂,使得制备出的薄膜封装基板能够高密度布线,且电和热性能更强外形更小,实现超薄轻小。
2.本发明中,通过涂抹粘接层,粘接层设置为用有机硅树脂和聚乙烯醇缩丁醛复合改性后制得的改性环氧E—42,改性环氧E—42能够满足被粘接件在150℃下长期工作,使得制备的封装基板的耐高温性能较强,并添加双马来酰亚胺三嗪树脂,双马来酰亚胺三嗪树脂具备高耐热性、抗湿性、低介电常数和低散失因素等多种优势,可以稳定尺寸,防止热胀冷缩而影响线路良率,提高封装基板使用的稳定性。
3.本发明中,通过设置硅胶包裹层将封装基板完全包裹在其中,使得制备出的封装基板具有较好的防护性能,避免封装基板损坏,添加弹性耐磨添加剂,弹性耐磨添加剂设置为聚氨酯弹性体,并由聚醚多元醇、聚酯多元醇、异氰酸酯和链延长剂混拌而成,使得制备出的薄膜封装基板不仅具有良好的柔软性和弹性,还具有较高的强度和耐磨性,变形效果好,折弯后恢复速度快。
附图说明
图1为本发明可变形超薄柔性薄膜封装基板及其应用的整体流程示意图。
具体实施方式
为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施方式,进一步阐述本发明。
比较例
可变形超薄柔性薄膜封装基板及其应用,可变形超薄柔性薄膜封装基板的制备方法包括以下步骤:
步骤一:首先提供一种MIS基板,MIS基板包含一层或多层预包装结构,每一层都通过电镀铜来进行互连,在封装过程中提供电性连接,且MIS基板上设置有树脂层;
步骤二:在MIS基板的上表面和下表面喷涂一层薄铜层,并设置管脚线,通过薄铜层将管脚线与其周围的线路铝层形成电连接,在薄铜层的表面涂抹粘接层,并添加双马来酰亚胺三嗪树脂,将MIS基板上的树脂层通过粘接层与薄铜层接合;
步骤三:制备硅胶包裹层,硅胶包裹层由硅橡胶、活性剂、填充剂和外加剂混合搅拌30—60min,使其分散,然后在高温下反应,最终聚合成一定形状、体积、重量和强度的硅胶包裹材料,在硅胶包裹材料内添加弹性耐磨添加剂;
步骤四:将制备出的硅胶包裹层涂抹在薄铜层的上表面和下表面,涂抹的硅胶包裹层将管脚线包裹住并漏出管脚线头,且硅胶包裹层将MIS基板包裹住,实现封装,得到超薄柔性薄膜封装基板。
比较一:S1:首先提供一种MIS基板,MIS基板包含一层或多层预包装结构,每一层都通过电镀铜来进行互连,在封装过程中提供电性连接,设置配重比率为1%—10%的PI树脂或PE树脂,将三层有胶板和两层无胶板与MIS基板接合;
S2:在MIS基板的上表面和下表面喷涂一层薄铜层,并设置管脚线,通过薄铜层将管脚线与其周围的线路铝层形成电连接,在薄铜层的表面涂抹用有机硅树脂和聚乙烯醇缩丁醛复合改性后制得改性环氧E—42,并添加双马来酰亚胺三嗪树脂,将MIS基板上的树脂层通过粘接层与薄铜层接合;
S3:将1%—5%的硅橡胶、1%—10%的活性剂、1%—20%的填充剂和1%—5%的外加剂混合搅拌30—60min,使其分散,然后高温60℃下反应1—2h,聚合成一定形状、体积、重量和强度的硅胶包裹材料,在硅胶包裹材料内添加配重比率为1%—5%的聚醚多元醇、1%—10%的聚酯多元醇、1%—3%的异氰酸酯和1%—5%的链延长剂混拌而成的聚氨酯弹性体,通过搅拌机混拌30—60min,温度设置为50℃,制备而成,再与硅胶包裹层混拌30—60min,温度设置为60℃;
S4:将制备出的硅胶包裹层涂抹在薄铜层的上表面和下表面,涂抹的硅胶包裹层将管脚线包裹住并漏出管脚线头,且硅胶包裹层将MIS基板包裹住,实现封装,得到超薄柔性薄膜封装基板。
MIS基板包括三层有胶板和两层无胶板,无胶板的厚度小于有胶板的厚度,MIS基板与传统基板不同,包含一层或多层预包封结构,每一层都通过电镀铜来进行互连,以提供在封装过程中的电性连接,MIS可以替代QFN封装或基于引线框的封装,且由于MIS具有更细的布线能力,结合PI树脂和PE树脂,使得制备出的薄膜封装基板能够高密度布线,且电和热性能更强外形更小,实现超薄轻小。
比较二:S1:首先提供一种MIS基板,MIS基板包含一层或多层预包装结构,每一层都通过电镀铜来进行互连,在封装过程中提供电性连接,设置配重比率为1%—10%的PI树脂或PE树脂,将三层有胶板和两层无胶板与MIS基板接合;
S2:在MIS基板的上表面和下表面喷涂一层薄铜层,并设置管脚线,通过薄铜层将管脚线与其周围的线路铝层形成电连接,在薄铜层的表面涂抹用有机硅树脂和聚乙烯醇缩丁醛复合改性后制得改性环氧E—42,并添加双马来酰亚胺三嗪树脂,将MIS基板上的树脂层通过粘接层与薄铜层接合;
S3:将1%—5%的硅橡胶、1%—10%的活性剂、1%—20%的填充剂和1%—5%的外加剂混合搅拌30—60min,使其分散,然后高温90℃下反应1—3h,聚合成一定形状、体积、重量和强度的硅胶包裹材料,在硅胶包裹材料内添加配重比率为1%—5%的聚醚多元醇、1%—10%的聚酯多元醇、1%—3%的异氰酸酯和1%—5%的链延长剂混拌而成的聚氨酯弹性体,通过搅拌机混拌60—120min,温度设置为90℃,制备而成,再与硅胶包裹层混拌20—50min,温度设置为80℃;
S4:将制备出的硅胶包裹层涂抹在薄铜层的上表面和下表面,涂抹的硅胶包裹层将管脚线包裹住并漏出管脚线头,且硅胶包裹层将MIS基板包裹住,实现封装,得到超薄柔性薄膜封装基板。
改性环氧E—42能够满足被粘接件在150℃下长期工作,使得制备的封装基板的耐高温性能较强,并添加双马来酰亚胺三嗪树脂,双马来酰亚胺三嗪树脂具备高耐热性、抗湿性、低介电常数和低散失因素等多种优势,可以稳定尺寸,防止热胀冷缩而影响线路良率,提高封装基板使用的稳定性。
比较三:S1:首先提供一种MIS基板,MIS基板包含一层或多层预包装结构,每一层都通过电镀铜来进行互连,在封装过程中提供电性连接,设置配重比率为1%—10%的PI树脂或PE树脂,将三层有胶板和两层无胶板与MIS基板接合;
S2:在MIS基板的上表面和下表面喷涂一层薄铜层,并设置管脚线,通过薄铜层将管脚线与其周围的线路铝层形成电连接,在薄铜层的表面涂抹用有机硅树脂和聚乙烯醇缩丁醛复合改性后制得改性环氧E—42,并添加双马来酰亚胺三嗪树脂,将MIS基板上的树脂层通过粘接层与薄铜层接合;
S3:将1%—5%的硅橡胶、1%—10%的活性剂、1%—20%的填充剂和1%—5%的外加剂混合搅拌30—60min,使其分散,然后高温120℃下反应1—2h,聚合成一定形状、体积、重量和强度的硅胶包裹材料,在硅胶包裹材料内添加配重比率为1%—5%的聚醚多元醇、1%—10%的聚酯多元醇、1%—3%的异氰酸酯和1%—5%的链延长剂混拌而成的聚氨酯弹性体,通过搅拌机混拌10—30min,温度设置为120℃,制备而成,再与硅胶包裹层混拌10—30min,温度设置为100℃;
S4:将制备出的硅胶包裹层涂抹在薄铜层的上表面和下表面,涂抹的硅胶包裹层将管脚线包裹住并漏出管脚线头,且硅胶包裹层将MIS基板包裹住,实现封装,得到超薄柔性薄膜封装基板。
添加弹性耐磨添加剂,弹性耐磨添加剂设置为聚氨酯弹性体,并由聚醚多元醇、聚酯多元醇、异氰酸酯和链延长剂混拌而成,使得制备出的薄膜封装基板不仅具有良好的柔软性和弹性,还具有较高的强度和耐磨性,变形效果好,折弯后恢复速度快。
实施例一
请参照图1所示:可变形超薄柔性薄膜封装基板及其应用,包括以下步骤:
步骤一:首先提供一种MIS基板,MIS基板包含一层或多层预包装结构,每一层都通过电镀铜来进行互连,在封装过程中提供电性连接,且MIS基板上设置有树脂层;
步骤二:在MIS基板的上表面和下表面喷涂一层薄铜层,并设置管脚线,通过薄铜层将管脚线与其周围的线路铝层形成电连接,在薄铜层的表面涂抹粘接层,并添加双马来酰亚胺三嗪树脂,将MIS基板上的树脂层通过粘接层与薄铜层接合;
步骤三:制备硅胶包裹层,硅胶包裹层由硅橡胶、活性剂、填充剂和外加剂混合搅拌30—60min,使其分散,然后在高温下反应,最终聚合成一定形状、体积、重量和强度的硅胶包裹材料,在硅胶包裹材料内添加弹性耐磨添加剂;
步骤四:将制备出的硅胶包裹层涂抹在薄铜层的上表面和下表面,涂抹的硅胶包裹层将管脚线包裹住并漏出管脚线头,且硅胶包裹层将MIS基板包裹住,实现封装,得到超薄柔性薄膜封装基板。
步骤一中的MIS基板包括三层有胶板和两层无胶板,无胶板的厚度小于有胶板的厚度,树脂层包括PI树脂或PE树脂,PI树脂或PE树脂的配重比率为1%—10%。
在MIS基板上设置树脂层,树脂层包括PI树脂和PE树脂,且MIS基板包括三层有胶板和两层无胶板,无胶板的厚度小于有胶板的厚度,MIS基板与传统基板不同,包含一层或多层预包封结构,每一层都通过电镀铜来进行互连,以提供在封装过程中的电性连接,MIS可以替代QFN封装或基于引线框的封装,且由于MIS具有更细的布线能力,结合PI树脂和PE树脂,使得制备出的薄膜封装基板能够高密度布线,且电和热性能更强外形更小,实现超薄轻小。
实施例二
请参照图1所示:可变形超薄柔性薄膜封装基板及其应用,包括以下步骤:
步骤一:首先提供一种MIS基板,MIS基板包含一层或多层预包装结构,每一层都通过电镀铜来进行互连,在封装过程中提供电性连接,且MIS基板上设置有树脂层;
步骤二:在MIS基板的上表面和下表面喷涂一层薄铜层,并设置管脚线,通过薄铜层将管脚线与其周围的线路铝层形成电连接,在薄铜层的表面涂抹粘接层,并添加双马来酰亚胺三嗪树脂,将MIS基板上的树脂层通过粘接层与薄铜层接合;
步骤三:制备硅胶包裹层,硅胶包裹层由硅橡胶、活性剂、填充剂和外加剂混合搅拌30—60min,使其分散,然后在高温下反应,最终聚合成一定形状、体积、重量和强度的硅胶包裹材料,在硅胶包裹材料内添加弹性耐磨添加剂;
步骤四:将制备出的硅胶包裹层涂抹在薄铜层的上表面和下表面,涂抹的硅胶包裹层将管脚线包裹住并漏出管脚线头,且硅胶包裹层将MIS基板包裹住,实现封装,得到超薄柔性薄膜封装基板。
步骤二中的粘接层设置为改性环氧E—42,改性环氧E—42用有机硅树脂和聚乙烯醇缩丁醛复合改性后制得。
步骤二中的管脚线为D2822音频放大芯片管脚,粘接层还包括粘结剂,粘结剂包括胶料、溶剂、固化剂、增韧剂、防腐剂、着色剂、消泡剂等辅助成分。
粘接层设置为用有机硅树脂和聚乙烯醇缩丁醛复合改性后制得的改性环氧E—42,改性环氧E—42能够满足被粘接件在150℃下长期工作,使得制备的封装基板的耐高温性能较强,并添加双马来酰亚胺三嗪树脂,双马来酰亚胺三嗪树脂具备高耐热性、抗湿性、低介电常数和低散失因素等多种优势,可以稳定尺寸,防止热胀冷缩而影响线路良率,提高封装基板使用的稳定性。
实施例三
请参照图1所示:可变形超薄柔性薄膜封装基板及其应用,包括以下步骤:
步骤一:首先提供一种MIS基板,MIS基板包含一层或多层预包装结构,每一层都通过电镀铜来进行互连,在封装过程中提供电性连接,且MIS基板上设置有树脂层;
步骤二:在MIS基板的上表面和下表面喷涂一层薄铜层,并设置管脚线,通过薄铜层将管脚线与其周围的线路铝层形成电连接,在薄铜层的表面涂抹粘接层,并添加双马来酰亚胺三嗪树脂,将MIS基板上的树脂层通过粘接层与薄铜层接合;
步骤三:制备硅胶包裹层,硅胶包裹层由硅橡胶、活性剂、填充剂和外加剂混合搅拌30—60min,使其分散,然后在高温下反应,最终聚合成一定形状、体积、重量和强度的硅胶包裹材料,在硅胶包裹材料内添加弹性耐磨添加剂;
步骤四:将制备出的硅胶包裹层涂抹在薄铜层的上表面和下表面,涂抹的硅胶包裹层将管脚线包裹住并漏出管脚线头,且硅胶包裹层将MIS基板包裹住,实现封装,得到超薄柔性薄膜封装基板。
步骤三中的硅橡胶为氟硅橡胶,硅橡胶的配重比率为1%—20%;
填充剂包括聚氨酯灌封胶,填充剂的配重比率为1%—5%;
外加剂包括水杨酸类、纳米颗粒、活性、耐酸、耐碱、耐热等矿物质中的一种或多种,外加剂的配重比率为1%—10%。
步骤三中的弹性耐磨添加剂为聚氨酯弹性体,聚氨酯弹性体由聚醚多元醇、聚酯多元醇、异氰酸酯和链延长剂混拌而成,聚醚多元醇包括聚醚二元醇和聚醚三元醇中的一种或两种,聚酯多元醇包括聚酯二元醇和聚酯三元醇中的一种或两种,异氰酸酯与聚醚多元醇或聚酯多元醇反应形成聚氨酯结构,链延长剂包括丁二酸二丁酯和丁二酸二己酯中的一种或两种,配重比率为1%—5%的聚醚多元醇、1%—10%的聚酯多元醇、1%—3%的异氰酸酯和1%—5%的链延长剂,通过搅拌机混拌30—60min,温度设置为50℃,制备而成,再与硅胶包裹层混拌30—60min,温度设置为60℃。
硅胶包裹层将封装基板完全包裹在其中,使得制备出的封装基板具有较好的防护性能,避免封装基板损坏,添加弹性耐磨添加剂,弹性耐磨添加剂设置为聚氨酯弹性体,并由聚醚多元醇、聚酯多元醇、异氰酸酯和链延长剂混拌而成,使得制备出的薄膜封装基板不仅具有良好的柔软性和弹性,还具有较高的强度和耐磨性,变形效果好,折弯后恢复速度快。
耐高温、稳定性及柔软性和弹性的测试结果如下表1所示:
表1:耐高温、稳定性及柔软性和弹性的测试
耐高温(℃) | 稳定性(%) | 柔软性和弹性(%) | |
比较一 | 20—100 | 15—25 | 10—15 |
比较二 | 60—100 | 15—30 | 25—60 |
比较三 | 80—120 | 25—55 | 45—75 |
实施例一 | 20—80 | 10—20 | 10—20 |
实施例二 | 60—100 | 15—35 | 35—75 |
实施例三 | 120—150 | 25—50 | 55—85 |
由上表中的测试结果可知,制备的可变形超薄柔性薄膜封装基板的耐高温、稳定性及柔软性和弹性明显增强。
本发明中,可变形超薄柔性薄膜封装基板及其应用,本方法在操作时,首先通过采用MIS基板,在MIS基板上设置树脂层,树脂层包括PI树脂和PE树脂,且MIS基板包括三层有胶板和两层无胶板,无胶板的厚度小于有胶板的厚度,MIS基板与传统基板不同,包含一层或多层预包封结构,每一层都通过电镀铜来进行互连,以提供在封装过程中的电性连接,MIS可以替代QFN封装或基于引线框的封装,且由于MIS具有更细的布线能力,结合PI树脂和PE树脂,使得制备出的薄膜封装基板能够高密度布线,且电和热性能更强外形更小,实现超薄轻小;通过涂抹粘接层,粘接层设置为用有机硅树脂和聚乙烯醇缩丁醛复合改性后制得的改性环氧E—42,改性环氧E—42能够满足被粘接件在150℃下长期工作,使得制备的封装基板的耐高温性能较强,并添加双马来酰亚胺三嗪树脂,双马来酰亚胺三嗪树脂具备高耐热性、抗湿性、低介电常数和低散失因素等多种优势,可以稳定尺寸,防止热胀冷缩而影响线路良率,提高封装基板使用的稳定性;通过设置硅胶包裹层将封装基板完全包裹在其中,使得制备出的封装基板具有较好的防护性能,避免封装基板损坏,添加弹性耐磨添加剂,弹性耐磨添加剂设置为聚氨酯弹性体,并由聚醚多元醇、聚酯多元醇、异氰酸酯和链延长剂混拌而成,使得制备出的薄膜封装基板不仅具有良好的柔软性和弹性,还具有较高的强度和耐磨性,变形效果好,折弯后恢复速度快。整个可变形超薄柔性薄膜封装基板的制备,过程简单,便于操作。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (6)
1.可变形超薄柔性薄膜封装基板,其特征在于,所述可变形超薄柔性薄膜封装基板的制备方法包括以下步骤:
步骤一:首先提供一种MIS基板,MIS基板包含一层或多层预包装结构,每一层都通过电镀铜来进行互连,在封装过程中提供电性连接,且MIS基板上设置有树脂层;
步骤二:在MIS基板的上表面和下表面喷涂一层薄铜层,并设置管脚线,通过薄铜层将管脚线与其周围的线路铝层形成电连接,在薄铜层的表面涂抹粘接层,并添加双马来酰亚胺三嗪树脂,将MIS基板上的树脂层通过粘接层与薄铜层接合;
步骤三:制备硅胶包裹层,硅胶包裹层由硅橡胶、活性剂、填充剂和外加剂混合搅拌30—60min,使其分散,然后在高温下反应,最终聚合成一定形状、体积、重量和强度的硅胶包裹材料,在硅胶包裹材料内添加弹性耐磨添加剂;
步骤四:将制备出的硅胶包裹层涂抹在薄铜层的上表面和下表面,涂抹的硅胶包裹层将管脚线包裹住并漏出管脚线头,且硅胶包裹层将MIS基板包裹住,实现封装,得到超薄柔性薄膜封装基板。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤一中的MIS基板包括三层有胶板和两层无胶板,无胶板的厚度小于有胶板的厚度,树脂层包括PI树脂或PE树脂,所述PI树脂或PE树脂的配重比率为1%—10%。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤二中的粘接层设置为改性环氧E—42,所述改性环氧E—42用有机硅树脂和聚乙烯醇缩丁醛复合改性后制得。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤二中的管脚线为D2822音频放大芯片管脚,所述粘接层还包括粘结剂,粘结剂包括胶料、溶剂、固化剂、增韧剂、防腐剂、着色剂、消泡剂等辅助成分。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤三中的硅橡胶为氟硅橡胶,所述硅橡胶的配重比率为1%—20%;
所述填充剂包括聚氨酯灌封胶,所述填充剂的配重比率为1%—5%;
所述外加剂包括水杨酸类、纳米颗粒、活性、耐酸、耐碱、耐热等矿物质中的一种或多种,所述外加剂的配重比率为1%—10%。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤三中的弹性耐磨添加剂为聚氨酯弹性体,所述聚氨酯弹性体由聚醚多元醇、聚酯多元醇、异氰酸酯和链延长剂混拌而成,所述聚醚多元醇包括聚醚二元醇和聚醚三元醇中的一种或两种,所述聚酯多元醇包括聚酯二元醇和聚酯三元醇中的一种或两种,所述异氰酸酯与聚醚多元醇或聚酯多元醇反应形成聚氨酯结构,所述链延长剂包括丁二酸二丁酯和丁二酸二己酯中的一种或两种,配重比率为1%—5%的聚醚多元醇、1%—10%的聚酯多元醇、1%—3%的异氰酸酯和1%—5%的链延长剂,通过搅拌机混拌30—60min,温度设置为50℃,制备而成,再与硅胶包裹层混拌30—60min,温度设置为60℃。
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