CN117430424B - 一种复合碳化硼陶瓷的制备方法及其在防弹陶瓷插板中的应用 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种复合碳化硼陶瓷的制备方法及其在防弹陶瓷插板中的应用，属于陶瓷领域；所述制备方法包括碳化硼预处理、制备混合料、制备浆料、造粒、制备坯体以及烧结步骤；所述碳化硼预处理，包括等离子体处理和二次处理；所述制备混合料，将预处理后的碳化硼、钠铝硅酸盐、钛粉和改性炭黑混合，混合均匀后进行脉冲电场处理，控制脉冲电场的处理时间为8‑12min，脉冲电场处理的强度为32‑36kV/cm，脉冲频率为610‑630Hz，脉冲宽度为40‑44μs，脉冲处理结束后制得混合料。本发明制得的复合碳化硼陶瓷，致密度高，力学性能好，在强紫外线以及低温等极端环境下，仍保持较高的力学性能。
Description
技术领域
本发明属于陶瓷领域，具体涉及一种复合碳化硼陶瓷的制备方法及其在防弹陶瓷插板中的应用。
背景技术
碳化硼陶瓷作为一种重要的特种陶瓷，硬度仅次于金刚石和氮化硼，同时还具有低密度、高熔点、较强的中子吸收能力、优秀的热电性质等特点，这使得碳化硼陶瓷成为防弹陶瓷插板、防弹装甲板、耐磨件和核反应堆控制棒等领域的优秀候选材料。
但是碳原子和硼原子的半径非常接近，二者结合后会形成稳定的共价键，碳化硼中共价键的比例接近94%，较高的共价键比例会让材料烧结时晶界移动阻力增大，造成烧结困难、难以致密化，并且存在力学性能差，在强紫外线以及低温下的力学性能保持率低，不能满足工业实际上的需求。
因此，现有技术制备的复合碳化硼陶瓷，存在以下缺陷：
1.致密化程度低；
2.力学性能差；
3.在强紫外线以及低温等极端环境下，力学性能保持率低。
发明内容
为解决现有技术存在的技术问题，本发明提供了一种复合碳化硼陶瓷的制备方法及其在防弹陶瓷插板中的应用，同时解决以下技术问题：
1.致密化程度高；
2.力学性能优异；
3.在强紫外线以及低温等极端环境下，力学性能保持率高。
为解决上述技术问题，本发明采取以下技术方案：
1.碳化硼预处理
（1）等离子体处理
将碳化硼进行等离子体处理，处理时间为13-17min，放电电压为17-19kV，放电电流为90-94mA，放电频率为35-41kHz，结束后制得等离子体处理后的碳化硼；
所述碳化硼，粒径为16-20μm；
（2）二次处理
将等离子体处理后的碳化硼与油酸、月桂醇硫酸酯钠混合进行微波处理，微波时间为6-10min，微波功率为260-280W，微波频率为50-54kHz，微波处理结束后，加入处理剂进行球磨处理，球磨时间为30-34min，球磨转速为213-227rpm，球磨温度为47-49℃，球磨处理结束后置于1.0-1.4℃下静置38-42min，干燥后制得预处理后的碳化硼；
所述等离子处理后的碳化硼、油酸、月桂醇硫酸酯钠与处理剂的质量比为70-74:1.1-1.4:1.6-2.0:2.0-2.2；
所述处理剂由明胶、羧甲基纤维素、酒石酸和氯化钠组成，所述明胶、羧甲基纤维素、酒石酸和氯化钠的质量比为4.0-4.4:3.0-3.2:0.8-1.2:0.4-0.8。
2.制备混合料
将预处理后的碳化硼、钠铝硅酸盐、钛粉和改性炭黑混合，控制搅拌时间为34-38min，搅拌转速为317-343rpm，混合均匀后进行脉冲电场处理，控制脉冲电场的处理时间为8-12min，脉冲电场处理的强度为32-36kV/cm，脉冲频率为610-630Hz，脉冲宽度为40-44μs，脉冲处理结束后制得混合料；
所述钛粉，粒径为150-170nm；
所述预处理后的碳化硼、钠铝硅酸盐、钛粉和改性炭黑的质量比为90-110:7-9:5-7:6-8；
所述改性炭黑的制备方法为，将炭黑置于密闭容器中进行密闭处理，将密闭容器抽真空至真空度为0.07-0.09MPa，然后向密闭容器通入氮气至压力为1.10-1.18MPa，升高温度至64-68℃，加入棕榈酸、乙二醇、单硬脂酸甘油酯，混合均匀后进行紫外-超声处理，控制紫外灯的中心波长为260-280nm，紫外灯功率为306-314W，超声功率为445-455W，紫外-超声处理结束后制得改性炭黑；
所述炭黑，粒径为136-144nm；
所述炭黑、棕榈酸、乙二醇、单硬脂酸甘油酯的质量比为40-44:1.6-1.8:1.3-1.5:1.8-2.2。
3.制备浆料
将混合料与去离子水混合，然后加入木质素磺酸钠、硬脂酸镁混合均匀后，置于72-76℃下热处理25-29min，热处理结束后降低至4.0-4.6℃，加入聚乙烯醇、丙三醇、月桂酸和椰油酰胺，在-19～-15℃下冷冻处理44-50min，冷冻处理结束后，自然恢复至室温，制得浆料；
所述混合料、去离子水、木质素磺酸钠、硬脂酸镁、聚乙烯醇、丙三醇、月桂酸和椰油酰胺的质量比为35-40:100-110:2.2-2.6:1.4-1.6:1.7-2.3:1.0-1.4:1.6-1.8:0.8-1.0。
4.造粒
将浆料喷雾干燥进行造粒，控制喷雾干燥的进口温度为202-206℃，出口温度为95-97℃，控制造粒机的温度为136-138℃，制得造粒粉。
5.制备坯体
将造粒粉在128-132℃、45-47MPa条件下进行注射成型，注射完毕后，冷却得到素坯，将素坯置于真空炉中进行脱脂，控制真空度为96-100Pa，脱脂时间为1.8-2.0h，脱脂温度为340-342℃，制得坯体。
6.烧结
将坯体置于真空炉中进行烧结，控制真空度为0.03-0.05MPa，先是在1090-1110℃下烧结1.3-1.5h，然后以1.2-1.4℃/min速率升温至1580-1600℃，在1580-1600℃下烧结1.2-1.4h，自然冷却至室温后制得碳化硼陶瓷。
与现有技术相比，本发明取得以下有益效果：
1.本发明对碳化硼进行预处理，提高了碳化硼的表面活性，其与改性白炭黑成分与其他技术手段相结合制备浆料，增强了浆料的混合均匀度，提高了各种成分之间的相容性，从而使得陶瓷内部的致密度和均匀度高，力学性能好，在极端的条件下内部结构稳定，始终保持较高的力学性能；
2.采用本发明的方法制得的复合碳化硼陶瓷，致密度高，致密度为99.1-99.4%（GB/T 25995-2010）；
3.采用本发明的方法制得的复合碳化硼陶瓷，弹性模量为461-476Gpa（GB/T16534-2009），抗弯强度为485-499MPa（GB/T 6569-2006），抗拉强度为329-345MPa（GB/T23805-2009）；
4.采用本发明的方法制得的复合碳化硼陶瓷，在强度为800W/m2的紫外光下辐照10d后，弹性模量为447-466Gpa，抗弯强度为465-486MPa，抗拉强度为323-342MPa；
5.采用本发明的方法制得的复合碳化硼陶瓷，在温度为-50℃下静置10d后，弹性模量为442-463Gpa，抗弯强度为474-493MPa，抗拉强度为319-339MPa；
6.采用本发明的方法制得的复合碳化硼陶瓷，防弹性能好，采用子弹型号为53式7.62mm穿甲燃烧弹，打靶距离均为15米，第一弹的凹陷深度为17.3-18.1mm第二弹的凹陷深度为18.0-18.6mm，第三弹的凹陷深度为18.19-19.4mm。
具体实施方式
为了对本发明的技术特征、目的和效果更加清楚的理解，现说明本发明的具体实施方式。
实施例1
1.碳化硼预处理
（1）等离子体处理
将碳化硼进行等离子体处理，处理时间为15min，放电电压为18kV，放电电流为92mA，放电频率为38kHz，结束后制得等离子体处理后的碳化硼；
所述碳化硼，粒径为18μm；
（2）二次处理
将等离子体处理后的碳化硼与油酸、月桂醇硫酸酯钠混合进行微波处理，微波时间为8min，微波功率为270W，微波频率为52kHz，微波处理结束后，加入处理剂进行球磨处理，球磨时间为32min，球磨转速为220rpm，球磨温度为48℃，球磨处理结束后置于1.2℃下静置40min，干燥后制得预处理后的碳化硼；
所述等离子处理后的碳化硼、油酸、月桂醇硫酸酯钠与处理剂的质量比为72:1.3:1.8:2.1；
所述处理剂由明胶、羧甲基纤维素、酒石酸和氯化钠组成，所述明胶、羧甲基纤维素、酒石酸和氯化钠的质量比为4.2:3.1:1.0:0.6。
2.制备混合料
将预处理后的碳化硼、钠铝硅酸盐、钛粉和改性炭黑混合，控制搅拌时间为36min，搅拌转速为330rpm，混合均匀后进行脉冲电场处理，控制脉冲电场的处理时间为10min，脉冲电场处理的强度为34kV/cm，脉冲频率为620Hz，脉冲宽度为42μs，脉冲处理结束后制得混合料；
所述钛粉，粒径为160nm；
所述预处理后的碳化硼、钠铝硅酸盐、钛粉和改性炭黑的质量比为100:8:6:7；
所述改性炭黑的制备方法为，将炭黑置于密闭容器中进行密闭处理，将密闭容器抽真空至真空度为0.08MPa，然后向密闭容器通入氮气至压力为1.14MPa，升高温度至66℃，加入棕榈酸、乙二醇、单硬脂酸甘油酯，混合均匀后进行紫外-超声处理，控制紫外灯的中心波长为270nm，紫外灯功率为310W，超声功率为450W，紫外-超声处理结束后制得改性炭黑；
所述炭黑，粒径为140nm；
所述炭黑、棕榈酸、乙二醇、单硬脂酸甘油酯的质量比为42:1.7:1.4:2.0。
3.制备浆料
将混合料与去离子水混合，然后加入木质素磺酸钠、硬脂酸镁混合均匀后，置于74℃下热处理27min，热处理结束后降低至4.3℃，加入聚乙烯醇、丙三醇、月桂酸和椰油酰胺，在-17℃下冷冻处理47min，冷冻处理结束后，自然恢复至室温，制得浆料；
所述混合料、去离子水、木质素磺酸钠、硬脂酸镁、聚乙烯醇、丙三醇、月桂酸和椰油酰胺的质量比为37:104:2.4:1.5:2.0:1.2:1.7:0.9。
4.造粒
将浆料喷雾干燥进行造粒，控制喷雾干燥的进口温度为204℃，出口温度为96℃，控制造粒机的温度为137℃，制得造粒粉。
5.制备坯体
将造粒粉在130℃、46MPa条件下进行注射成型，注射完毕后，冷却得到素坯，将素坯置于真空炉中进行脱脂，控制真空度为98Pa，脱脂时间为1.9h，脱脂温度为341℃，制得坯体。
6.烧结
将坯体置于真空炉中进行烧结，控制真空度为0.04MPa，先是在1100℃下烧结1.4h，然后以1.3℃/min速率升温至1590℃，在1590℃下烧结1.3h，自然冷却至室温后制得碳化硼陶瓷。
实施例2
1.碳化硼预处理
（1）等离子体处理
将碳化硼进行等离子体处理，处理时间为13min，放电电压为19kV，放电电流为90mA，放电频率为35kHz，结束后制得等离子体处理后的碳化硼；
所述碳化硼，粒径为16μm；
（2）二次处理
将等离子体处理后的碳化硼与油酸、月桂醇硫酸酯钠混合进行微波处理，微波时间为6min，微波功率为260W，微波频率为50kHz，微波处理结束后，加入处理剂进行球磨处理，球磨时间为30min，球磨转速为213rpm，球磨温度为47℃，球磨处理结束后置于1.0℃下静置42min，干燥后制得预处理后的碳化硼；
所述等离子处理后的碳化硼、油酸、月桂醇硫酸酯钠与处理剂的质量比为70:1.1:1.6:2.0；
所述处理剂由明胶、羧甲基纤维素、酒石酸和氯化钠组成，所述明胶、羧甲基纤维素、酒石酸和氯化钠的质量比为4.0:3.0:0.8:0.4。
2.制备混合料
将预处理后的碳化硼、钠铝硅酸盐、钛粉和改性炭黑混合，控制搅拌时间为34min，搅拌转速为317rpm，混合均匀后进行脉冲电场处理，控制脉冲电场的处理时间为8min，脉冲电场处理的强度为32kV/cm，脉冲频率为610Hz，脉冲宽度为40μs，脉冲处理结束后制得混合料；
所述钛粉，粒径为150nm；
所述预处理后的碳化硼、钠铝硅酸盐、钛粉和改性炭黑的质量比为90:7:5:6；
所述改性炭黑的制备方法为，将炭黑置于密闭容器中进行密闭处理，将密闭容器抽真空至真空度为0.07MPa，然后向密闭容器通入氮气至压力为1.10MPa，升高温度至68℃，加入棕榈酸、乙二醇、单硬脂酸甘油酯，混合均匀后进行紫外-超声处理，控制紫外灯的中心波长为260nm，紫外灯功率为306W，超声功率为445W，紫外-超声处理结束后制得改性炭黑；
所述炭黑，粒径为136nm；
所述炭黑、棕榈酸、乙二醇、单硬脂酸甘油酯的质量比为40:1.6:1.3:1.8。
3.制备浆料
将混合料与去离子水混合，然后加入木质素磺酸钠、硬脂酸镁混合均匀后，置于72℃下热处理29min，热处理结束后降低至4.0℃，加入聚乙烯醇、丙三醇、月桂酸和椰油酰胺，在-19℃下冷冻处理44min，冷冻处理结束后，自然恢复至室温，制得浆料；
所述混合料、去离子水、木质素磺酸钠、硬脂酸镁、聚乙烯醇、丙三醇、月桂酸和椰油酰胺的质量比为35:100:2.2:1.4:1.7:1.0:1.6:0.8。
4.造粒
将浆料喷雾干燥进行造粒，控制喷雾干燥的进口温度为202℃，出口温度为95℃，控制造粒机的温度为136℃，制得造粒粉。
5.制备坯体
将造粒粉在128℃、47MPa条件下进行注射成型，注射完毕后，冷却得到素坯，将素坯置于真空炉中进行脱脂，控制真空度为96Pa，脱脂时间为1.8h，脱脂温度为340℃，制得坯体。
6.烧结
将坯体置于真空炉中进行烧结，控制真空度为0.03MPa，先是在1090℃下烧结1.5h，然后以1.2℃/min速率升温至1580℃，在1580℃下烧结1.4h，自然冷却至室温后制得碳化硼陶瓷。
实施例3
1.碳化硼预处理
（1）等离子体处理
将碳化硼进行等离子体处理，处理时间为17min，放电电压为17kV，放电电流为94mA，放电频率为41kHz，结束后制得等离子体处理后的碳化硼；
所述碳化硼，粒径为20μm；
（2）二次处理
将等离子体处理后的碳化硼与油酸、月桂醇硫酸酯钠混合进行微波处理，微波时间为10min，微波功率为280W，微波频率为54kHz，微波处理结束后，加入处理剂进行球磨处理，球磨时间为34min，球磨转速为227rpm，球磨温度为49℃，球磨处理结束后置于1.4℃下静置38min，干燥后制得预处理后的碳化硼；
所述等离子处理后的碳化硼、油酸、月桂醇硫酸酯钠与处理剂的质量比为74:1.4:2.0:2.2；
所述处理剂由明胶、羧甲基纤维素、酒石酸和氯化钠组成，所述明胶、羧甲基纤维素、酒石酸和氯化钠的质量比为4.4:3.2:1.2:0.8。
2.制备混合料
将预处理后的碳化硼、钠铝硅酸盐、钛粉和改性炭黑混合，控制搅拌时间为38min，搅拌转速为343rpm，混合均匀后进行脉冲电场处理，控制脉冲电场的处理时间为12min，脉冲电场处理的强度为36kV/cm，脉冲频率为630Hz，脉冲宽度为44μs，脉冲处理结束后制得混合料；
所述钛粉，粒径为170nm；
所述预处理后的碳化硼、钠铝硅酸盐、钛粉和改性炭黑的质量比为100:9:7:8；
所述改性炭黑的制备方法为，将炭黑置于密闭容器中进行密闭处理，将密闭容器抽真空至真空度为0.09MPa，然后向密闭容器通入氮气至压力为1.18MPa，升高温度至64℃，加入棕榈酸、乙二醇、单硬脂酸甘油酯，混合均匀后进行紫外-超声处理，控制紫外灯的中心波长为280nm，紫外灯功率为314W，超声功率为455W，紫外-超声处理结束后制得改性炭黑；
所述炭黑，粒径为144nm；
所述炭黑、棕榈酸、乙二醇、单硬脂酸甘油酯的质量比为44:1.8:1.5:2.2。
3.制备浆料
将混合料与去离子水混合，然后加入木质素磺酸钠、硬脂酸镁混合均匀后，置于76℃下热处理25min，热处理结束后降低至4.6℃，加入聚乙烯醇、丙三醇、月桂酸和椰油酰胺，在-15℃下冷冻处理50min，冷冻处理结束后，自然恢复至室温，制得浆料；
所述混合料、去离子水、木质素磺酸钠、硬脂酸镁、聚乙烯醇、丙三醇、月桂酸和椰油酰胺的质量比为40:110:2.6:1.6:2.3:1.4:1.8:1.0。
4.造粒
将浆料喷雾干燥进行造粒，控制喷雾干燥的进口温度为206℃，出口温度为97℃，控制造粒机的温度为138℃，制得造粒粉。
5.制备坯体
将造粒粉在132℃、45MPa条件下进行注射成型，注射完毕后，冷却得到素坯，将素坯置于真空炉中进行脱脂，控制真空度为100Pa，脱脂时间为2.0h，脱脂温度为342℃，制得坯体。
6.烧结
将坯体置于真空炉中进行烧结，控制真空度为0.05MPa，先是在1100℃下烧结1.3h，然后以1.4℃/min速率升温至1600℃，在1600℃下烧结1.2h，自然冷却至室温后制得碳化硼陶瓷。
对比例1
在实施例1的基础上，改变之处为，省略对碳化硼的预处理，直接采用未经任何处理的碳化硼，所述碳化硼，粒径为18μm，其余操作均相同。
对比例2
在实施例1的基础上，改变之处为，在制备混合料步骤中，将预处理后的碳化硼、钠铝硅酸盐、钛粉和炭黑混合，控制搅拌时间为36min，搅拌转速为330rpm，制得混合料；其中炭黑的粒径为140nm，其余操作均相同。
性能检测
将实施例1-3与对比例1-2制得的产品进行性能检测，具体结果如下：
1.基本性能
2.在强度为800W/m2的紫外光下辐照10d后，性能如下表：
3.在温度为-50℃下静置10d后，性能如下表：
4.防弹性能
将实施例1-3与对比例1-2制得的产品应用于防弹插板，防弹插板由迎弹面即防弹陶瓷与超高分子量的聚乙烯材料组成，防弹陶瓷为实施例1-3与对比例1-2制得的复合碳化硼陶瓷；
分别在实施例1-3与对比例1-2的防弹插板上进行实弹打靶测试，子弹型号为53式7.62mm穿甲燃烧弹，打靶距离均为15米，弹速为弹头出枪口时速度，测试防弹效果，具体结果如下：
除非另有说明，本发明中所采用的百分数均为质量百分数。
最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种复合碳化硼陶瓷的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括碳化硼预处理、制备混合料、制备浆料、造粒、制备坯体以及烧结步骤；
所述碳化硼预处理，包括等离子体处理和二次处理；
所述等离子体处理步骤为，将碳化硼进行等离子体处理，处理时间为13-17min，放电电压为17-19kV，放电电流为90-94mA，放电频率为35-41kHz，结束后制得等离子体处理后的碳化硼；
所述二次处理步骤为，将等离子体处理后的碳化硼与油酸、月桂醇硫酸酯钠混合进行微波处理，微波时间为6-10min，微波功率为260-280W，微波频率为50-54kHz，微波处理结束后，加入处理剂进行球磨处理，球磨时间为30-34min，球磨转速为213-227rpm，球磨温度为47-49℃，球磨处理结束后置于1.0-1.4℃下静置38-42min，干燥后制得预处理后的碳化硼；
所述处理剂由明胶、羧甲基纤维素、酒石酸和氯化钠组成，所述明胶、羧甲基纤维素、酒石酸和氯化钠的质量比为4.0-4.4:3.0-3.2:0.8-1.2:0.4-0.8；
所述制备混合料步骤为，将预处理后的碳化硼、钠铝硅酸盐、钛粉和改性炭黑混合，控制搅拌时间为34-38min，搅拌转速为317-343rpm，混合均匀后进行脉冲电场处理，控制脉冲电场的处理时间为8-12min，脉冲电场处理的强度为32-36kV/cm，脉冲频率为610-630Hz，脉冲宽度为40-44μs，脉冲处理结束后制得混合料；
所述改性炭黑的制备方法为，将炭黑置于密闭容器中进行密闭处理，将密闭容器抽真空至真空度为0.07-0.09MPa，然后向密闭容器通入氮气至压力为1.10-1.18MPa，升高温度至64-68℃，加入棕榈酸、乙二醇、单硬脂酸甘油酯，混合均匀后进行紫外-超声处理，控制紫外灯的中心波长为260-280nm，紫外灯功率为306-314W，超声功率为445-455W，紫外-超声处理结束后制得改性炭黑。
2.根据权利要求1所述的一种复合碳化硼陶瓷的制备方法，其特征在于，
所述等离子体处理步骤中，所述碳化硼，粒径为16-20μm；
所述二次处理步骤中，所述等离子处理后的碳化硼、油酸、月桂醇硫酸酯钠与处理剂的质量比为70-74:1.1-1.4:1.6-2.0:2.0-2.2。
3.根据权利要求1所述的一种复合碳化硼陶瓷的制备方法，其特征在于，
所述制备混合料步骤中，所述钛粉，粒径为150-170nm；
所述预处理后的碳化硼、钠铝硅酸盐、钛粉和改性炭黑的质量比为90-110:7-9:5-7:6-8。
4.根据权利要求1所述的一种复合碳化硼陶瓷的制备方法，其特征在于，
所述改性炭黑的制备方法中，所述炭黑，粒径为136-144nm；
所述炭黑、棕榈酸、乙二醇、单硬脂酸甘油酯的质量比为40-44:1.6-1.8:1.3-1.5:1.8-2.2。
5.根据权利要求1所述的一种复合碳化硼陶瓷的制备方法，其特征在于，
所述制备浆料步骤为，将混合料与去离子水混合，然后加入木质素磺酸钠、硬脂酸镁混合均匀后，置于72-76℃下热处理25-29min，热处理结束后降低至4.0-4.6℃，加入聚乙烯醇、丙三醇、月桂酸和椰油酰胺，在-19～-15℃下冷冻处理44-50min，冷冻处理结束后，自然恢复至室温，制得浆料。
6.根据权利要求5所述的一种复合碳化硼陶瓷的制备方法，其特征在于，
所述混合料、去离子水、木质素磺酸钠、硬脂酸镁、聚乙烯醇、丙三醇、月桂酸和椰油酰胺的质量比为35-40:100-110:2.2-2.6:1.4-1.6:1.7-2.3:1.0-1.4:1.6-1.8:0.8-1.0。
7.根据权利要求1所述的一种复合碳化硼陶瓷的制备方法，其特征在于，
所述造粒步骤为，将浆料喷雾干燥进行造粒，控制喷雾干燥的进口温度为202-206℃，出口温度为95-97℃，控制造粒机的温度为136-138℃，制得造粒粉。
8.根据权利要求1所述的一种复合碳化硼陶瓷的制备方法，其特征在于，
所述制备坯体步骤为，将造粒粉在128-132℃、45-47MPa条件下进行注射成型，注射完毕后，冷却得到素坯，将素坯置于真空炉中进行脱脂，控制真空度为96-100Pa，脱脂时间为1.8-2.0h，脱脂温度为340-342℃，制得坯体。
9.根据权利要求1所述的一种复合碳化硼陶瓷的制备方法，其特征在于，
所述烧结步骤为，将坯体置于真空炉中进行烧结，控制真空度为0.03-0.05MPa，先是在1090-1110℃下烧结1.3-1.5h，然后以1.2-1.4℃/min速率升温至1580-1600℃，在1580-1600℃下烧结1.2-1.4h，自然冷却至室温后制得碳化硼陶瓷。
10.复合碳化硼陶瓷在防弹陶瓷插板中的应用，其特征在于，使用权利要求1-9任一项制备方法制得的复合碳化硼陶瓷在防弹陶瓷插板中的应用。
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