CN117378037A - 半导体处理系统 - Google Patents

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S·菲利普
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Abstract

一种系统，包括：半导体处理工具(102)，其包括处理腔室(108)；阀模块(104)，其被构造成从所述处理腔室(108)接收流体并且选择性地引导所述流体的流动；以及冷却设备(402)，其被构造成向所述处理腔室(108)供应冷却流体流；其中，所述阀模块(104)和所述冷却设备(402)以堆叠构造布置。

Description

半导体处理系统
技术领域
本发明涉及包括半导体处理工具的系统，例如半导体制造系统。所述系统提供用于半导体处理工具的冷却流体和来自半导体处理工具的过程气体的定向流。
背景技术
半导体制造厂制造集成电路芯片。在制造这种器件时，晶片通过多个不同的处理站进行处理，包括晶片经历例如化学气相沉积、物理气相沉积、注入、蚀刻和光刻处理的站。这些处理中的许多涉及使用气态环境，并且通常需要使用高真空和降低的气体压力。
真空泵用于在处理腔室中提供这些降低的气体压力，提供腔室抽空，并保持过程气体的流动。
发明内容
当半导体处理工具的腔室内的压力不处于工作真空时，例如在气体腔室已经被通风到大气压以使得能够进行维护或保养之后，执行所谓的“抽空事件”以在腔室中建立所需的降低的气体压力。抽空事件涉及从腔室泵送气体，以便将其内的压力降低到所需水平。
真空和削减系统可以用于使用公共泵经由公共歧管同时从半导体处理工具的多个气体腔室泵送气体。本发明人已经认识到，在这样的系统中，因为多个腔室流体地连接到公共歧管，所以对那些腔室中的一个执行抽空事件可能影响那些腔室中的其它腔室内的条件。例如，在一个腔室上执行的抽空事件可能导致在连接到相同歧管的其它腔室中的非常不期望的波动。
本发明的方面提供了一种阀模块，其用于控制来自半导体处理工具的多个腔室的流体，使得这些缺陷被减少或消除。
在第一方面，提供了一种系统，其包括：半导体处理工具，所述半导体处理工具包括处理腔室；阀模块，所述阀模块被构造成从所述处理腔室接收流体并且选择性地引导所述流体的流动；以及冷却设备，所述冷却设备被构造成将冷却流体流供应到所述处理腔室；其中，所述阀模块和所述冷却设备以堆叠构造布置。
阀模块可以设置在冷却设备的顶部上。
该系统还可以包括公共电源，该公共电源被构造成向阀模块和冷却设备两者供应电力。
该系统还可包括公共气动流体源，其被构造成将气动流体供应到阀模块和冷却设备两者。阀模块可包括阀，并且阀模块可被构造成使用从公共气动流体源接收的气动流体来致动阀。阀模块可包括一个或多个导管，并且阀模块可被构造成使用从公共气动流体源接收的气动流体来吹扫一个或多个导管。阀模块可以被构造成使用从公共气动流体源接收的气动流体来执行泄漏测试。
半导体处理工具可以包括多个处理腔室。阀模块可被构造成从多个处理腔室中的每个接收相应流体，并选择性地引导所述相应流体的流动。该系统可包括多个冷却设备，每个冷却设备被构造成将冷却流体的相应流供应到多个冷却腔室中的相应一个。阀模块和多个冷却设备可以以堆叠构造布置。
在另一方面，提供了一种方法，其包括：提供半导体处理工具，所述半导体处理工具包括处理腔室；将阀模块流体地联接到所述处理腔室，使得所述阀模块被布置成从所述处理腔室接收流体，其中，所述阀模块被构造成选择性地引导所述流体的流动；将冷却设备流体地联接到所述处理腔室，使得所述冷却设备被布置成将冷却流体流供应到所述处理腔室；以及将所述阀模块和所述冷却设备以堆叠构造布置。
所述布置可包括将所述阀模块定位在所述冷却设备的顶部上。
该方法还可包括将公共电源电联接到阀模块和冷却设备两者。
该方法还可包括将公共气动流体源流体地联接到阀模块和冷却设备两者。阀模块可包括阀，并且该方法还可包括使用从公共气动流体源接收的气动流体来致动阀。阀模块可包括一个或多个导管，并且该方法还可包括使用从公共气动流体源接收的气动流体来吹扫一个或多个导管。该方法还可以包括使用从公共气动流体源接收的气动流体来执行泄漏测试。
附图说明
图1是半导体制造设施的示意图(未按比例绘制)；
图2是示意图(未按比例绘制)，示出了半导体制造设施的阀模块的透视图；
图3是过程流程图，示出了半导体制造设施中的泵送气体的过程的某些步骤；以及
图4是示意图(未按比例绘制)，示出了一系统，在该系统中，两个阀模块被安装在多个冷却设备的顶部上。
具体实施方式
图1是根据实施例的半导体制造设施100的示意图(未按比例绘制)。
半导体制造设施100包括半导体处理工具102、阀模块104和多个真空泵106。
半导体处理工具102包括多个处理腔室108，半导体晶片在所述处理腔室中经历相应的处理。这种处理的示例包括但不限于化学气相沉积、物理气相沉积、注入、蚀刻和光刻处理。
多个真空泵106被构造成经由阀模块104将流体(即，过程气体)泵出半导体处理工具102的处理腔室108。
阀模块104包括多个入口110、多个多分叉导管112、第一流体管线歧管114和第二流体管线歧管116。
每个入口110流体地连接到相应的处理腔室108，使得可以从该处理腔室108接收所泵送的流体。
每个多分叉导管112将相应的入口110流体地连接到第一流体管线歧管114和第二流体管线歧管116两者。更具体地，在该实施例中，多分叉导管112是包括相应的第一和第二分支118、120的双分叉导管。每个多分叉导管112的第一分支118将相应的入口110流体地连接到第一流体管线歧管114。每个多分叉导管112的第二分支120将相应的入口110流体地连接到第二流体管线歧管116。
阀模块104还包括多个压力传感器122。每个压力传感器122可操作地联接到相应的入口110，或者在入口110处或附近联接到相应的多分叉导管112。
每个压力传感器122被构造成测量与相应的处理腔室108相关联的压力。特别地，每个压力传感器122被构造成测量被泵出相应处理腔室108的过程气体的压力。优选地，压力传感器122尽可能靠近处理腔室108的出口定位。
阀模块104还包括多个闸阀，并且更具体地包括多个第一闸阀124和多个第二闸阀126。在该实施例中，第一闸阀124和第二闸阀126是气动阀。
每个第一闸阀124被设置在第一分支118中的相应一个上，并且被构造成控制通过其的流体流动。
每个第二闸阀126被设置在第二分支120中的相应一个上，并且被构造成控制通过其的流体流动。
阀模块104还包括阀控制器128。
阀控制器128经由有线或无线连接(未示出)可操作地联接到多个压力传感器122中的每个，使得由多个压力传感器122获得的压力测量结果可以被阀控制器128接收。
阀控制器128还经由相应的气动管线(未示出)可操作地联接到第一闸阀124中的每个和第二闸阀126中的每个。
如稍后参照图3更详细地描述的，阀控制器128被构造成基于从压力传感器122接收的压力测量结果来控制第一和第二闸阀124、126的操作。阀控制器128被构造成通过经由气动管线将气动流体传输到第一和第二闸阀124、126来控制第一和第二闸阀的操作。
阀模块104还包括多个手动阀(即，被构造成由操作人员手动操作的阀)，并且更具体地包括多个第一手动阀130、多个第二手动阀132和多个第三手动阀134。
在该实施例中，每个第一手动阀130设置在相应的多分叉导管112上，位于该多分叉导管112的压力传感器122和该多分叉导管112分叉所处的点之间。
在该实施例中，每个第二手动阀132设置在多分叉导管112的相应第一分支118上，位于该多分叉导管112的第一闸阀124和第一流体管线歧管114之间。
在该实施例中，每个第三手动阀134设置在多分叉导管112的相应第二分支120上，位于该多分叉导管112的第二闸阀126和第二流体管线歧管116之间。
因此，在该实施例中，第一和第二闸阀124、126中的每个都设置在相应的一对手动阀130-134之间。特别地，每个第一闸阀124设置在第一手动阀130和第二手动阀132之间。而且，每个第二闸阀126设置在第一手动阀130和第三手动阀134之间。
在该实施例中，第一流体管线歧管114是这样的歧管，经由该歧管从其内正在进行半导体制造过程的处理腔室108泵送过程气体。第一流体管线歧管114可以被认为是“过程气体管线”。第二流体管线歧管116可以被认为是“抽空气体管线”。流体管线歧管114和116被合适地确定尺寸以用于气体流动和真空要求。
可以执行抽空事件以从可以处于大气压力的一个或多个处理腔室108中排出气体，以将其内的压力降低到适合于半导体制造过程的水平。为了方便起见，在抽空期间从气体腔室中排出的气体在下文中被称为抽空气体。在该实施例中，第二流体管线歧管116是将抽空气体从处理腔室108泵出所经由的歧管。
包括阀控制器128的用于实现上述布置并执行下面将要描述的方法步骤的设备可以通过如下方式提供：构造或适配任何合适的设备(例如是一个或多个计算机或其他处理设备或处理器)和/或提供附加模块。该设备可以包括计算机、计算机网络或者一个或多个处理器，用于实现指令和使用数据，包括一个计算机程序或者多个计算机程序的形式的指令和数据，其存储在诸如计算机存储器、计算机盘、ROM、PROM等的机器可读存储介质或者这些或其他存储介质的任何组合中或者上。
图2是未按比例绘制的示意图，示出了阀模块104的透视图。
在该实施例中，阀模块104的某些部件，包括例如至少入口110、多分叉导管112、第一流体管线歧管114、第二流体管线歧管116、闸阀124、126、阀控制器128和手动阀130、132、134，被构造或布置为单个集成单元，在下文中称为“第一集成单元”。这些部件被容纳在公共框架200中。框架200可由钢制成。
在一些实施例中，压力传感器122也被包括在第一集成单元中，并且可以被容纳在框架200中。然而，在一些实施例中，压力传感器122与第一集成单元分离。例如，压力传感器122可以被构造或布置为单独的第二集成单元，其可以联接到第一集成单元，例如联接到第一集成单元的顶部。包括压力传感器122的第二集成单元可以被联接在处理腔室108和第一集成单元的入口110之间。
图3是过程流程图，示出了半导体制造设施100中的泵送气体的过程300的某些步骤。
应注意，图3的流程图中所描绘的及下文所描述的某些过程步骤可省略，或这些过程步骤可以以不同于下文所呈现及图3所示出的顺序来执行。此外，尽管为了方便及易于理解，所有过程步骤均已描绘为离散的时间循序步骤，然而所述过程步骤中的一些过程步骤实际上可同时执行或至少以某种程度在时间上重叠。
在步骤s302，在处理腔室108中执行半导体制造过程。这些半导体制造过程产生过程气体。
在该实施例中，在该阶段，第一闸阀124打开并且第二闸阀126关闭。此外，所有的手动阀130-134打开。
在步骤s304，联接到第一流体管线歧管114的真空泵106经由阀模块104将所产生的过程气体泵出处理腔室108。特别地，在该实施例中，过程气体从每个处理腔室108被泵送，并且依次经过与其联接的入口110、与其联接的多分叉导管112的第一分支118(包括经过设置在其上的第一闸阀124)和第一流体管线歧管114。
在步骤s306，压力传感器122测量与处理腔室108相关联的压力。特别地，每个压力传感器122测量通过相应入口110被泵送的过程气体的压力。在该实施例中，压力传感器122基本上连续地测量压力。
在步骤s308，压力传感器122将测得的压力值发送给阀控制器128。阀控制器128基本上连续地处理所接收的测得的压力值。
在步骤s310，关闭处理腔室108中的一个(为了方便，在下文中称为“第一处理腔室108”)以进行检查、维修、修理或维护。在此实施例中，关闭第一处理腔室108包括停止从第一处理腔室108泵送气体。在该实施例中，这可以通过操作员关闭与第一处理腔室108相关联的入口110中的隔离阀来实现。在该实施例中，关闭第一处理腔室108还包括将第一处理腔室108中的压力增大到大约大气压力。这可以通过打开联接到第一处理腔室108的阀从而允许空气进入第一处理腔室108来实现。
在步骤s312，操作人员对第一处理腔室108执行检查、维修、修理或维护操作。
在检查、维修、修理或维护操作之后，将要在第一处理腔室108中重新建立低气体压力环境，使得可以在其内执行半导体制造过程。
因此，在步骤s314，重新打开与第一处理腔室108相关联的隔离阀，从而允许从第一处理腔室108泵送气体。
在步骤s314从第一处理腔室108泵送气体是抽空事件。
在步骤s316，处理从压力传感器122接收的测得的压力值的阀控制器128确定正在发生抽空事件，。
特别地，在该实施例中，阀控制器128响应于与第一处理腔室108相关联的测得的压力超过第一阈值和/或与第一处理腔室108相关联的测得的压力的经计算的增大速率超过第二阈值而确定对于第一处理腔室108正在发生抽空事件。
第一阈值可以是任何适当的阈值。第二阈值可以是任何适当的阈值。
在一些实施例中，阀控制器128响应于与第一处理腔室108相关联的测得的压力超过第一阈值达至少第一时间段而确定对于第一处理腔室108正在发生抽空事件。第一时间段可以是任何适当的时间段。
在一些实施例中，阀控制器128响应于与第一处理腔室108相关联的测得的压力的经计算的增大速率超过第二阈值达至少第二时间段而确定对于第一处理腔室108正在发生抽空事件。第二时间段可以是任何适当的时间段。
在步骤s318，响应于检测到第一处理腔室108的抽空事件，阀控制器128控制与第一处理腔室108相关联的第一闸阀124关闭。因此，从第一处理腔室108到第一流体管线歧管114的气体流动被防止或阻止。
在该实施例中，阀控制器128将气动流体(例如，氮气)输送到第一闸阀124，从而控制第一闸阀124。
在步骤s320，在第一闸阀124关闭之后，阀控制器128控制与第一处理腔室108相关联的第二闸阀126打开。因此，从第一处理腔室108到第二流体管线歧管116的气体流动被允许。
在该实施例中，阀控制器128将气动流体输送到第二闸阀126，从而控制第二闸阀126。
在步骤s322，联接到第二流体管线歧管116的真空泵106经由阀模块104将抽空气体泵出第一处理腔室108。特别地，在该实施例中，抽空气体从第一处理腔室108被泵送，并且依次经过与其联接的入口110、与其联接的多分叉导管112的第二分支120(包括经过设置在其上的打开的第二闸阀126)和第二流体管线歧管116。
因此，抽空气体被泵出第一处理腔室108，从而在其内建立低气压或真空环境。
在步骤s324，处理从压力传感器122接收的测得的压力值的阀控制器128确定抽空事件已经结束。
特别地，在该实施例中，阀控制器128响应于与第一处理腔室108相关联的测得的压力小于或等于第三阈值和/或与第一处理腔室108相关联的测得的压力的经计算的减小速率大于或等于第四阈值而确定对于第一处理腔室108的抽空事件已经结束。替代地，在抽空事件已经运行了预定时间段之后，结束抽空事件。
第三阈值可以是任何适当的阈值。在一些实施例中，第三阈值等于或小于第一阈值。
第四阈值可以是任何适当的阈值。在一些实施例中，第四阈值等于或小于第二阈值。
在一些实施例中，阀控制器128响应于与第一处理腔室108相关联的测得的压力小于或等于第三阈值达至少第三时间段而确定对于第一处理腔室108的抽空事件已经结束。第三时间段可以是任何适当的时间段。
在一些实施例中，阀控制器128响应于与第一处理腔室108相关联的测得的压力的经计算的减小速率大于或等于第四阈值达至少第四时间段而确定对于第一处理腔室108的抽空事件已经结束。第四时间段可以是任何适当的时间段。
在步骤s326，响应于检测到对于第一处理腔室108的抽空事件已经结束，阀控制器128控制与第一处理腔室108相关联的第二闸阀126关闭。因此，从第一处理腔室108到第二流体管线歧管116的气体流动被防止或阻止。
在步骤s328，在第二闸阀126关闭之后，阀控制器128控制与第一处理腔室108相关联的第一闸阀124打开。因此，从第一处理腔室108到第一流体管线歧管114的气体流动被允许。
在步骤s330，可以在第一处理腔室108中执行半导体制造过程。这些半导体制造过程产生过程气体。
在步骤s332，联接到第一流体管线歧管114的真空泵106经由阀模块104将所产生的过程气体泵出第一处理腔室108。
因此，提供了在半导体制造设施100中泵送气体的过程300。
上述系统和方法有利地倾向于减少或消除不利地影响并联气体腔室内的条件的抽空事件。这倾向于通过将抽空气体泵送到与过程气体被泵送到的歧管不同的单独歧管来实现。
有利地，抽空事件和抽空事件的结束倾向于被自动地检测和减轻。
有利地，上述阀模块可以与将半导体处理工具连接到真空泵的水平歧管内嵌地(in-line)集成。
有利地，上述阀模块倾向于是稳健的。真空模块可以被完全组装、泄漏检查和预测试，例如在交付到半导体制造设施之前在现场外进行，或者在交付时在现场进行。这倾向于简化安装过程并减少安装时间。
有利地，上述阀模块倾向于是模块化的和可扩展的。
有利地，阀模块的气流中的部件倾向于易于维修、修理或更换。例如，通过关闭每个闸阀上游和下游的手动阀，可以将该闸阀与流体流隔离，从而允许操作人员维修、修理或更换闸阀。
有利地，系统的状态和操作条件倾向于能够容易地例如经由阀模块的人机界面或远程地监测。
有利地，系统中的每个阀模块倾向于能够容易地由系统控制器控制，例如使用诸如EtherCAT或以太网的通信协议。
有利地，上述阀模块允许多种安装选择。例如，阀模块可以从半导体制造设施的天花板悬挂，这提供了不占用地面空间的益处。替代地，阀模块可以安装在落地式框架中或安装在其它设备的顶部上。
现在将描述的是一个实施例，其中，阀模块被安装在其它设备的顶部上，所述其它设备特别是用于控制半导体处理工具的处理腔室的温度的冷却设备。
图4是示出系统400的示意图(未按比例绘制)，其中，两个阀模块104被安装在多个冷却设备402的顶部上。冷却设备402通常被称为“冷却器机架”或“冷却器”。
系统400包括六个冷却设备402、两个阀模块104、电源404和气动源406。
在该实施例中，阀模块104可以与以上参照图1和图2描述的阀模块基本相同。每个阀模块104被构造成从与其流体地联接的处理腔室108接收相应的多个泵送的流体流。
每个冷却设备402流体地联接到相应的处理腔室108。每个冷却设备402被构造成将冷却流体流供应到其所联接到的相应的处理腔室108。冷却流体可用于处理腔室108中以控制温度。
在该实施例中，阀模块104和冷却设备402以堆叠构造布置。更具体地，每个阀模块设置在冷却设备402中的三个的顶部上，所述三个冷却设备自身例如以并排构造彼此相邻地定位。
有利地，堆叠布置提供半导体制造设施内的减小的占用面积。
此外，堆叠布置倾向于促进冷却设备402和阀模块104到处理腔室108的联接。例如，堆叠布置倾向于允许冷却设备402和/或阀模块104相对于处理腔室108的更靠近的定位，从而减少导管长度并且因此减少安装时间和难度。此外，由于导管的长度减小，可以减小从导管泄漏或导管损坏的可能性。
在该实施例中，电源404电联接到冷却设备402和阀模块104中的每一者。电源404被构造成向冷却设备402和阀模块104中的每一者供应电力。因此，电源404可以被认为是公共电源。
有利地，用于冷却设备402和阀模块104的公共电源的使用便于安装并且倾向于提供减小的占地面积和布线。
在该实施例中，气动源406经由一个或多个导管流体地联接到冷却设备402和阀模块104中的每一者。气动源406被构造成将气动流体供应到冷却设备402和阀模块104中的每一者。因此，气动源406可以被认为是公共气动源。气动流体可以是任何合适类型的气体，包括但不限于氮气或CDA(清洁干燥空气)。
有利地，使用用于冷却设备402和阀模块104的公共气动源406便于安装，并且倾向于提供减小的占地面积和气动流体导管长度。
在该实施例中，在阀模块104中，从气动源406接收的气动流体可以用于致动阀模块104的阀。更具体地，阀模块104的阀控制器128可被构造成经由相应的气动管线将气动流体输送到第一闸阀124中的每个和第二闸阀126中的每个，从而致动第一闸阀124和第二闸阀126。因此，气动流体可以被认为是“阀控制流体”。
在该实施例中，在阀模块104中，从气动源406接收的气动流体可以用于执行吹扫过程，以吹扫多分叉导管112中的一个或多个的一部分。更具体地，手动操作员能够经由在多分叉导管112的每个中的相应的吹扫端口将气动流体输送到多分叉导管112的每个中。气动流体可以被迫通过多分叉导管112的至少一部分，从而吹扫多分叉导管112的该至少一部分。气动流体可经由第一流体管线歧管114和/或第二流体管线歧管116离开多分叉导管112。因此，气动流体可以被认为是“吹扫流体”。吹扫通常可在维护或维修阀模块104之前执行，例如在更换第一闸阀124和/或第二闸阀126之前执行。有利地，通过关闭第一手动阀130、第二手动阀132和第三手动阀134，第一闸阀124和/或第二闸阀126可与系统的其余部分隔离。
在该实施例中，阀模块104中的吹扫端口可用于在多分叉导管112中的一个或多个上执行泄漏测试。更具体地，阀模块104还可包括用于使用吹扫端口检测多分叉导管112的泄漏的装置，或者操作人员可使用附接到吹扫端口的适当感测设备来检测泄漏的存在。
在图4所示的实施例中，存在六个冷却设备402和两个阀模块104。然而，在其它实施例中，该系统可包括不同数量的冷却设备和/或不同数量的阀模块。
在图4所示的实施例中，每个阀模块104被安装在三个冷却设备402的顶部上。然而，在其它实施例中，阀模块中的一个或多个可以被安装在不同数量的冷却设备的顶部上。在一些实施例中，一个或多个冷却设备被安装在一个或多个阀模块或其它设备的顶部上。
在上述实施例中，在半导体制造设施中实施阀模块，用于引导所泵送的过程气体。然而，在其它实施例中，可在不同的系统中实施阀模块，并且用于引导不同类型的流体。
在上述实施例中，存在包括六个气体腔室的单个半导体处理工具。然而，在其他实施例中，存在多于一个半导体处理工具。半导体处理工具中的一个或多个可以包括除了六个之外的不同数量的气体腔室。
在上述实施例中，存在单个阀模块，或者在图4的实施例中，存在两个阀模块。然而，在其他实施例中，可以存在不同数量的阀模块。
在上述实施例中，阀模块包括六个入口和六个多分叉导管。然而，在其它实施例中，阀模块包括除了六个之外的不同数量的入口和多分叉导管。
在上述实施例中，每个多分叉导管包括两个闸阀，每个分支上一个闸阀。然而，在其它实施例中，多分叉导管包括除了两个之外的不同数量的闸阀。在一些实施例中，多分叉导管包括单个阀(例如，三通阀)，该阀可操作以引导流体沿着多分叉导管上的选择的分支流动。在一些实施例中，多个闸阀沿每个分支布置。在一些实施例中，多分叉导管包括多于两个的分支，每个分支可以包括相应的一个或多个闸阀。
在上述实施例中，每个多分叉导管包括三个手动阀。然而，在其它实施例中，多分叉导管包括除了三个之外的不同数量的手动阀。例如，在一些实施例中，手动阀可以被省略。在一些实施例中，多分叉导管包括以任何适当的方式沿着多分叉导管布置的多于三个的手动阀。
附图标记
100-半导体制造设施
102-处理工具
104-阀模块
106-真空泵
108-处理腔室
110-入口
112-多分叉导管
114-第一流体管线歧管
116-第二流体管线歧管
118-第一分支
120-第二分支
122-压力传感器
124-第一闸阀
126-第二闸阀
128-阀控制器
130-第一手动阀
132-第二手动阀
134-第三手动阀
200-框架
300-过程
s302-s332-步骤
400-系统
402-冷却设备
404-电源
406-气动源

Claims (15)

1.一种系统，包括：
半导体处理工具，所述半导体处理工具包括处理腔室；
阀模块，所述阀模块被构造成从所述处理腔室接收流体并且选择性地引导所述流体的流动；以及
冷却设备，所述冷却设备被构造成将冷却流体流供应到所述处理腔室；其中
所述阀模块和冷却设备以堆叠构造布置。
2.如权利要求1所述的系统，其中，所述阀模块设置在所述冷却设备的顶部上。
3.如权利要求1或2所述的系统，还包括公共电源，所述公共电源被构造成向所述阀模块和所述冷却设备两者供应电力。
4.如权利要求1至3中任一项所述的系统，还包括公共气动流体源，所述公共气动流体源被构造成向所述阀模块和所述冷却设备两者供应气动流体。
5.如权利要求4所述的系统，其中，所述阀模块包括阀，并且所述阀模块被构造成使用从所述公共气动流体源接收的气动流体来致动所述阀。
6.如权利要求4或5所述的系统，其中，所述阀模块包括一个或多个导管，并且所述阀模块被构造成使用从所述公共气动流体源接收的气动流体来吹扫所述一个或多个导管。
7.如权利要求4至6中任一项所述的系统，其中，所述阀模块被构造成使用从所述公共气动流体源接收的气动流体来执行泄漏测试。
8.如权利要求1至7中任一项所述的系统，其中：
所述半导体处理工具包括多个处理腔室；
所述阀模块被构造成从所述多个处理腔室中的每个接收相应的流体并且选择性地引导所述相应的流体的流动；并且
所述系统包括多个冷却设备，每个冷却设备被构造成将冷却流体的相应的流供应到所述多个冷却腔室中的相应一个；其中
所述阀模块和所述多个冷却设备以堆叠构造布置。
9.一种方法，包括：
提供半导体处理工具，所述半导体处理工具包括处理腔室；
将阀模块流体地联接到所述处理腔室，使得所述阀模块被布置成从所述处理腔室接收流体，其中，所述阀模块被构造成选择性地引导所述流体的流动；
将冷却设备流体地联接到所述处理腔室，使得所述冷却设备被布置成将冷却流体流供应到所述处理腔室；以及
将所述阀模块和所述冷却设备以堆叠构造布置。
10.如权利要求9所述的方法，其中，所述布置包括将所述阀模块定位在所述冷却设备的顶部上。
11.如权利要求9或10所述的方法，还包括：将公共电源电联接到所述阀模块和所述冷却设备两者。
12.如权利要求9至11中任一项所述的方法，还包括：将公共气动流体源流体地联接到所述阀模块和所述冷却设备两者。
13.如权利要求12所述的方法，其中，所述阀模块包括阀，并且所述方法还包括使用从所述公共气动流体源接收的气动流体来致动所述阀。
14.如权利要求12或13所述的方法，其中，所述阀模块包括一个或多个导管，并且所述方法还包括使用从所述公共气动流体源接收的气动流体来吹扫所述一个或多个导管。
15.如权利要求12至14中任一项所述的方法，还包括：使用从所述公共气动流体源接收的气动流体来执行泄漏测试。
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