CN117253968A - 一种钠离子电池层状氧化物的制备方法 - Google Patents

一种钠离子电池层状氧化物的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN117253968A
CN117253968A CN202311467920.XA CN202311467920A CN117253968A CN 117253968 A CN117253968 A CN 117253968A CN 202311467920 A CN202311467920 A CN 202311467920A CN 117253968 A CN117253968 A CN 117253968A
Authority
CN
China
Prior art keywords
composite film
oxide composite
sputtering
oxide
magnetron sputtering
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202311467920.XA
Other languages
English (en)
Inventor
张渊君
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Henan Solid Lithium Technology Co ltd
Original Assignee
Henan Solid Lithium Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Henan Solid Lithium Technology Co ltd filed Critical Henan Solid Lithium Technology Co ltd
Priority to CN202311467920.XA priority Critical patent/CN117253968A/zh
Publication of CN117253968A publication Critical patent/CN117253968A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/04—Processes of manufacture in general
    • H01M4/0402—Methods of deposition of the material
    • H01M4/0404—Methods of deposition of the material by coating on electrode collectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
    • H01M10/05—Accumulators with non-aqueous electrolyte
    • H01M10/054—Accumulators with insertion or intercalation of metals other than lithium, e.g. with magnesium or aluminium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/04—Processes of manufacture in general
    • H01M4/0402—Methods of deposition of the material
    • H01M4/0421—Methods of deposition of the material involving vapour deposition
    • H01M4/0423—Physical vapour deposition
    • H01M4/0426—Sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/13—Electrodes for accumulators with non-aqueous electrolyte, e.g. for lithium-accumulators; Processes of manufacture thereof
    • H01M4/139—Processes of manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/13—Electrodes for accumulators with non-aqueous electrolyte, e.g. for lithium-accumulators; Processes of manufacture thereof
    • H01M4/139—Processes of manufacture
    • H01M4/1391—Processes of manufacture of electrodes based on mixed oxides or hydroxides, or on mixtures of oxides or hydroxides, e.g. LiCoOx
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/13—Electrodes for accumulators with non-aqueous electrolyte, e.g. for lithium-accumulators; Processes of manufacture thereof
    • H01M4/139—Processes of manufacture
    • H01M4/1393—Processes of manufacture of electrodes based on carbonaceous material, e.g. graphite-intercalation compounds or CFx
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
    • H01M4/362—Composites
    • H01M4/364—Composites as mixtures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
    • H01M4/362—Composites
    • H01M4/366—Composites as layered products
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
    • H01M4/48—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic oxides or hydroxides
    • H01M4/50—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic oxides or hydroxides of manganese
    • H01M4/505—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic oxides or hydroxides of manganese of mixed oxides or hydroxides containing manganese for inserting or intercalating light metals, e.g. LiMn2O4 or LiMn2OxFy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
    • H01M4/48—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic oxides or hydroxides
    • H01M4/52—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic oxides or hydroxides of nickel, cobalt or iron
    • H01M4/525—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic oxides or hydroxides of nickel, cobalt or iron of mixed oxides or hydroxides containing iron, cobalt or nickel for inserting or intercalating light metals, e.g. LiNiO2, LiCoO2 or LiCoOxFy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
    • H01M4/58—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic compounds other than oxides or hydroxides, e.g. sulfides, selenides, tellurides, halogenides or LiCoFy; of polyanionic structures, e.g. phosphates, silicates or borates
    • H01M4/583—Carbonaceous material, e.g. graphite-intercalation compounds or CFx
    • H01M4/587—Carbonaceous material, e.g. graphite-intercalation compounds or CFx for inserting or intercalating light metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M2004/026—Electrodes composed of, or comprising, active material characterised by the polarity
    • H01M2004/027—Negative electrodes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10—Energy storage using batteries

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明公开了一种钠离子电池层状氧化物的制备方法，包括：使用磁控溅射方法在铜箔上沉积第一氧化物复合膜，其中，第一氧化物复合膜是炭黑和NaFe3.8Mn1.2O8的复合膜；使用磁控溅射方法在第一氧化物复合膜上沉积第二氧化物复合膜，其中，第二氧化物复合膜是炭黑和NaFe4.2Mn0.8O8的复合膜；使用磁控溅射方法在第二氧化物复合膜上沉积第三氧化物复合膜，其中，第三氧化物复合膜是炭黑和NaFe4.6Mn0.4O8的复合膜。本发明提出了一种污染较小、成本可控、且性能高于现有同系钠离子负极材料性能的钠离子电池层状氧化物。

Description

一种钠离子电池层状氧化物的制备方法
技术领域
本发明是关于钠离子电池技术领域，特别是关于一种钠离子电池层状氧化物的制备方法。
背景技术
与锂离子电池相比，钠离子电池具有的优势有：(1)、成本低；(2)由于钠离子电池无过放电特性，允许钠离子电池放电到零伏。钠离子电池能量密度大于100Wh/kg，可与磷酸铁锂电池相媲美，但是其成本优势明显，有望在大规模储能中取代传统铅酸电池。
针对钠离子电池负极材料，现有技术做出大量研究。现有技术CN105742619B提出了一种无定型锰氧化物包覆铁氧化物锂/钠离子电池负极材料及其制备方法。该方法使用化学方法制备了一种钠离子电池负极材料。该方法的缺陷在于：(1)、化学方法产生大量生产废水，至少部分废水目前没有低成本的无害化处理方法，这导致该方法的实施成本较高；(2)、化学方法无法实现大规模工业生产，虽然该现有技术声称其方案可以被用于大规模生产，但是该方案中众多步骤实际上不适合大规模工业化生产采用，例如该方案中具有核心步骤“逐滴向溶液B中加入溶液A”，该步骤显然不适合大规模工业化生产采用。再例如，该方案中要求“在磁力搅拌下将混合溶液在20-200℃保温1-48h”，由于磁力装置产生的磁力有限，所以磁力搅拌装置往往功率较低，无法一次搅拌重量较大的溶液，这种限制显然也造成该方法不适合大规模工业化生产。
近期公开的现有技术CN116613295A提出了一种钠离子电池铁基复合氧化物负极材料，该现有技术采用烧结工艺制备了铁基复合氧化物负极材料。该方案仍然存在以下缺陷：(1)、该方案在烧结步骤之前仍然使用了大量化学试剂来制备前体，所以该方案也存在废水处理成本高、难以大规模工业化应用的问题。(2)、该方案意识到过渡金属对于钠离子电池铁基复合氧化物的性能的提升，但是由于其方案本身的限制，该技术方案制备的钠离子电池铁基复合氧化物成分单一、组成单一，无法充分发挥复合型材料的优势。
发明内容
本发明的目的在于提供一种钠离子电池层状氧化物的制备方法，以解决现有技术的上述问题。
为了实现上述目的，本发明提供了一种钠离子电池层状氧化物的制备方法，包括：
使用磁控溅射方法在铜箔上沉积第一氧化物复合膜，其中，第一氧化物复合膜是炭黑和NaFe3.8Mn1.2O8的复合膜；
使用磁控溅射方法在第一氧化物复合膜上沉积第二氧化物复合膜，其中，第二氧化物复合膜是炭黑和NaFe4.2Mn0.8O8的复合膜；
使用磁控溅射方法在第二氧化物复合膜上沉积第三氧化物复合膜，其中，第三氧化物复合膜是炭黑和NaFe4.6Mn0.4O8的复合膜。
在一优选的实施方式中，方法还包括：
使用磁控溅射方法在第三氧化物复合膜上沉积第四氧化物复合膜，其中，第四氧化物复合膜是炭黑和NaFe4.3Ti0.7O8的复合膜；
使用磁控溅射方法在第四氧化物复合膜上沉积第五氧化物复合膜，其中，第五氧化物复合膜是炭黑和NaFe4.2Mo0.8O8的复合膜。
在一优选的实施方式中，第一氧化物复合膜的厚度为30-50nm，第二氧化物复合膜的厚度为100-200nm，第三氧化物复合膜的厚度为150-250nm，其中，第三氧化物复合膜的厚度比第二氧化物复合膜的厚度至少大50nm。
在一优选的实施方式中，第四氧化物复合膜的厚度为110-210nm，第五氧化物复合膜的厚度为160-260nm，其中，第五氧化物复合膜的厚度比第四氧化物复合膜的厚度至少大50nm，其中，第四氧化物复合膜的厚度不小于第二氧化物复合膜的厚度，第五氧化物复合膜的厚度不小于第三氧化物复合膜的厚度。
在一优选的实施方式中，使用磁控溅射方法在铜箔上沉积第一氧化物复合膜包括如下步骤：
使用射频磁控溅射方法并采用炭黑和NaFe3.8Mn1.2O8的复合靶材在铜箔上沉积第一氧化物复合膜，其中，溅射气氛为氩气气氛，氩气流量为30-50sccm，溅射功率为200-300W，溅射电压为100-200V，溅射温度为100-200℃。
在一优选的实施方式中，使用磁控溅射方法在第一氧化物复合膜上沉积第二氧化物复合膜包括如下步骤：
使用射频磁控溅射方法并采用炭黑和NaFe4.2Mn0.8O8的复合靶材在第一氧化物复合膜上沉积第二氧化物复合膜，其中，溅射气氛为氩气气氛，氩气流量为30-50sccm，溅射功率为300-400W，溅射电压为100-200V，溅射温度为100-200℃。
在一优选的实施方式中，使用磁控溅射方法在第二氧化物复合膜上沉积第三氧化物复合膜包括如下步骤：
使用射频磁控溅射方法并采用炭黑和NaFe4.6Mn0.4O8的复合靶材在第二氧化物复合膜上沉积第三氧化物复合膜，其中，溅射气氛为氩气气氛，氩气流量为30-50sccm，溅射功率为100-200W，溅射电压为50-100V，溅射温度为100-200℃。
在一优选的实施方式中，使用磁控溅射方法在第三氧化物复合膜上沉积第四氧化物复合膜包括如下步骤：
使用射频磁控溅射方法并采用炭黑和NaFe4.3Ti0.7O8的复合靶材在第三氧化物复合膜上沉积第四氧化物复合膜，其中，溅射气氛为氩气气氛，氩气流量为30-50sccm，溅射功率为100-200W，溅射电压为50-100V，溅射温度为100-200℃。
在一优选的实施方式中，使用磁控溅射方法在第四氧化物复合膜上沉积第五氧化物复合膜包括如下步骤：
使用射频磁控溅射方法并采用炭黑和NaFe4.2Mo0.8O8的复合靶材在第四氧化物复合膜上沉积第五氧化物复合膜，其中，溅射气氛为氩气气氛，氩气流量为30-50sccm，溅射功率为300-400W，溅射电压为100-200V，溅射温度为100-200℃。
与现有技术相比，本发明具有如下优点，有关钠离子负极材料制备的现有技术普遍存在污染大、成本高、不适宜大规模生产的缺陷。针对现有技术存在的问题，本发明提出了一种污染较小、成本可控、且性能高于现有同系钠离子负极材料性能的钠离子电池层状氧化物。
附图说明
图1是根据本发明的一个实施例的方法流程图。
图2是根据本发明的一个实施例的膜层结构示意图。
图3是根据本发明的另一个实施例的膜层结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明的具体实施方式进行详细描述，但应当理解本发明的保护范围并不受具体实施方式的限制。
实施例1
图1是根据本发明的一个实施例的方法流程图。如图所示，本发明的钠离子电池层状氧化物的制备方法包括如下步骤：
步骤1：使用磁控溅射方法在铜箔上沉积第一氧化物复合膜，其中，第一氧化物复合膜是炭黑和NaFe3.8Mn1.2O8的复合膜；在一个实施例中，炭黑和NaFe3.8Mn1.2O8的复合膜是通过炭黑和NaFe3.8Mn1.2O8的复合靶材形成的，炭黑和NaFe3.8Mn1.2O8的复合靶材可以通过各大有色金属研究院下属的材料加工公司购买，一般工厂生产该类复合靶材的方法通常是通过粉末冶金的方法，即首先将炭黑和NaFe3.8Mn1.2O8粉末混合均匀，随后将混合粉末经过冷等静压、热压的方法形成靶材。在本发明中，混合靶材中的炭黑主要用作导电剂，其重量比不会实质的影响本发明的钠离子电池层状氧化物的性能，为了便于比较实验结果，本发明中所提及的、我司所制作的样品的炭黑与对应氧化物的质量比均为10wt％：90wt％。通过炭黑靶材，借助磁控溅射生成炭膜，例如谷守旭等人的、名为《碳靶电流对磁控溅射GLC/Ti薄膜结构及摩擦学性能的影响》的学术论文可以对该观点予以佐证。
步骤2：使用磁控溅射方法在第一氧化物复合膜上沉积第二氧化物复合膜，其中，第二氧化物复合膜是炭黑和NaFe4.2Mn0.8O8的复合膜；
步骤3：使用磁控溅射方法在第二氧化物复合膜上沉积第三氧化物复合膜，其中，第三氧化物复合膜是炭黑和NaFe4.6Mn0.4O8的复合膜。根据实施例1的方法制备的膜层结构示意图可以参见图2。本实施例1相对于例如CN116613295A这样的现有技术的优势在于，实施例1由于使用了磁控溅射方法，从而形成了Fe与Mn之间的配比呈现梯度的三层膜层结构，后续的实验结果表明，这种复合型材料的性能要高于现有技术中成分单一的钠离子电池负极材料。
实施例2
在实施例2中，方法还包括：
使用磁控溅射方法在第三氧化物复合膜上沉积第四氧化物复合膜，其中，第四氧化物复合膜是炭黑和NaFe4.3Ti0.7O8的复合膜；
使用磁控溅射方法在第四氧化物复合膜上沉积第五氧化物复合膜，其中，第五氧化物复合膜是炭黑和NaFe4.2Mo0.8O8的复合膜。根据实施例2的方法制备的膜层结构示意图可以参见图3。本实施例2相对于例如CN116613295A这样的现有技术的优势在于，实施例2由于使用了磁控溅射方法，从而形成了Fe与Mn之间的配比呈现梯度的三层膜层结构，此外还形成了多种过渡金属相互配合形成一种钠离子电池铁基复合氧化物的效果。后续的实验结果表明，这种复合型材料的性能要高于现有技术中成分单一的钠离子电池负极材料。
实施例3
制备方法如下：使用磁控溅射方法在铜箔上沉积第一氧化物复合膜，其中，第一氧化物复合膜是炭黑和NaFe3.8Mn1.2O8的复合膜；使用磁控溅射方法在第一氧化物复合膜上沉积第二氧化物复合膜，其中，第二氧化物复合膜是炭黑和NaFe4.2Mn0.8O8的复合膜；使用磁控溅射方法在第二氧化物复合膜上沉积第三氧化物复合膜，其中，第三氧化物复合膜是炭黑和NaFe4.6Mn0.4O8的复合膜。第一氧化物复合膜的厚度为30nm，第二氧化物复合膜的厚度为100nm，第三氧化物复合膜的厚度为150nm。使用磁控溅射方法在铜箔上沉积第一氧化物复合膜包括如下步骤：使用射频磁控溅射方法(射频电源频率为13.56MHz，下同，不再赘述)并采用炭黑和NaFe3.8Mn1.2O8的复合靶材在铜箔上沉积第一氧化物复合膜，其中，溅射气氛为氩气气氛，氩气流量为30sccm，溅射功率为200W，溅射电压为100V，溅射温度为100℃(在本发明中，溅射温度指的是对于基片(其中，例如在实施例1的步骤1中，基片指的是铜箔，而在实施例1的步骤2中，基片指的是沉积第一氧化物复合膜的铜箔，以此类推)的加热温度，溅射温度为100℃对基片进行加热，基片附近的温度感测器感测的名义基片温度为100℃)。使用磁控溅射方法在第一氧化物复合膜上沉积第二氧化物复合膜包括如下步骤：使用射频磁控溅射方法并采用炭黑和NaFe4.2Mn0.8O8的复合靶材在第一氧化物复合膜上沉积第二氧化物复合膜，其中，溅射气氛为氩气气氛，氩气流量为30sccm，溅射功率为300W，溅射电压为100V，溅射温度为100℃。使用磁控溅射方法在第二氧化物复合膜上沉积第三氧化物复合膜包括如下步骤：使用射频磁控溅射方法并采用炭黑和NaFe4.6Mn0.4O8的复合靶材在第二氧化物复合膜上沉积第三氧化物复合膜，其中，溅射气氛为氩气气氛，氩气流量为30sccm，溅射功率为100W，溅射电压为50V，溅射温度为100℃。使用溅射成品作为钠离子电池负极，其中铜箔可以作为集流体，多层复合膜可以作为钠离子电池负极材料。电池组装可以参考CN116666585A，这里为了清楚，部分摘录CN116666585A的内容。钠离子电池的对电极为金属钠，隔膜为玻璃纤维膜，电解液为1MNaClO4/EC：DEC(1:1)+5wt％FEC。测试方法具体为：在室温为25±1℃时，充放电截止电压为0～3V，例在0.1C充放电倍率下，测试首次放电比容量，循环100圈后放电比容量。此后实施例或者对比例的电池制作方法以及实验方法参照实施例3，后续实施例和对比例不再赘述。实施例3的首次放电比容量为690mAh/g，循环100圈后放电比容量仍有300mAh/g。与CN116613295A的实施例1相比，本发明的实施例3的首次放电比容量大幅度增加，其中，由于本发明的负极不是使用涂覆法涂覆到铜箔上，所以本发明的负极中不包含粘结剂，一般而言，粘结剂与负极材料之间的质量比大约为9:1，本发明省略了粘结剂，所以省略粘结剂带来的首次放电比容量的增加值大概是60左右(当然这是一种粗略的解释和计算的方式，这部分分析仅用来总体上解释本发明实验结果的由来)，刨除粘结剂的影响，本发明实施例3的首次放电比容量仍然优于现有技术，这可能是由于过渡金属对于氧化物电子轨道的影响，电子轨道的改变可能导致离子(或者电子)输运性质的改变。具体而言，通过我司对于CN116613295A的研究，该现有技术可能是通过加入过渡金属，从而改变化合物的电子轨道的形态，从而改变离子(或者电子)输运性质，从而提高电池性能。本发明相对于现有技术，进一步通过梯度设计过渡金属含量，从而产生多种氧化物电子轨道形状，各种氧化物电子轨道本身可能还会产生复杂的相互作用，从而最终提升了电池性能。当然，本领域技术人员应该理解，上述解释只是对于实验结果的一种唯象解释，并非准确的物理机制的阐释。
实施例4
制备方法如下：使用磁控溅射方法在铜箔上沉积第一氧化物复合膜，其中，第一氧化物复合膜是炭黑和NaFe3.8Mn1.2O8的复合膜；使用磁控溅射方法在第一氧化物复合膜上沉积第二氧化物复合膜，其中，第二氧化物复合膜是炭黑和NaFe4.2Mn0.8O8的复合膜；使用磁控溅射方法在第二氧化物复合膜上沉积第三氧化物复合膜，其中，第三氧化物复合膜是炭黑和NaFe4.6Mn0.4O8的复合膜。第一氧化物复合膜的厚度为50nm，第二氧化物复合膜的厚度为200nm，第三氧化物复合膜的厚度为250nm。使用磁控溅射方法在铜箔上沉积第一氧化物复合膜包括如下步骤：使用射频磁控溅射方法并采用炭黑和NaFe3.8Mn1.2O8的复合靶材在铜箔上沉积第一氧化物复合膜，其中，溅射气氛为氩气气氛，氩气流量为50sccm，溅射功率为300W，溅射电压为200V，溅射温度为200℃。使用磁控溅射方法在第一氧化物复合膜上沉积第二氧化物复合膜包括如下步骤：使用射频磁控溅射方法并采用炭黑和NaFe4.2Mn0.8O8的复合靶材在第一氧化物复合膜上沉积第二氧化物复合膜，其中，溅射气氛为氩气气氛，氩气流量为50sccm，溅射功率为400W，溅射电压为200V，溅射温度为200℃。使用磁控溅射方法在第二氧化物复合膜上沉积第三氧化物复合膜包括如下步骤：使用射频磁控溅射方法并采用炭黑和NaFe4.6Mn0.4O8的复合靶材在第二氧化物复合膜上沉积第三氧化物复合膜，其中，溅射气氛为氩气气氛，氩气流量为50sccm，溅射功率为200W，溅射电压为100V，溅射温度为200℃。实施例4的首次放电比容量为680mAh/g，循环100圈后放电比容量仍有285mAh/g。
实施例5
制备方法如下：使用磁控溅射方法在铜箔上沉积第一氧化物复合膜，其中，第一氧化物复合膜是炭黑和NaFe3.8Mn1.2O8的复合膜；使用磁控溅射方法在第一氧化物复合膜上沉积第二氧化物复合膜，其中，第二氧化物复合膜是炭黑和NaFe4.2Mn0.8O8的复合膜；使用磁控溅射方法在第二氧化物复合膜上沉积第三氧化物复合膜，其中，第三氧化物复合膜是炭黑和NaFe4.6Mn0.4O8的复合膜。方法还包括：使用磁控溅射方法在第三氧化物复合膜上沉积第四氧化物复合膜，其中，第四氧化物复合膜是炭黑和NaFe4.3Ti0.7O8的复合膜；使用磁控溅射方法在第四氧化物复合膜上沉积第五氧化物复合膜，其中，第五氧化物复合膜是炭黑和NaFe4.2Mo0.8O8的复合膜。第一氧化物复合膜的厚度为30nm，第二氧化物复合膜的厚度为100nm，第三氧化物复合膜的厚度为150nm。第四氧化物复合膜的厚度为110nm，第五氧化物复合膜的厚度为160nm。使用磁控溅射方法在铜箔上沉积第一氧化物复合膜包括如下步骤：使用射频磁控溅射方法并采用炭黑和NaFe3.8Mn1.2O8的复合靶材在铜箔上沉积第一氧化物复合膜，其中，溅射气氛为氩气气氛，氩气流量为30sccm，溅射功率为200W，溅射电压为100V，溅射温度为100℃。使用磁控溅射方法在第一氧化物复合膜上沉积第二氧化物复合膜包括如下步骤：使用射频磁控溅射方法并采用炭黑和NaFe4.2Mn0.8O8的复合靶材在第一氧化物复合膜上沉积第二氧化物复合膜，其中，溅射气氛为氩气气氛，氩气流量为30sccm，溅射功率为300W，溅射电压为100V，溅射温度为100℃。使用磁控溅射方法在第二氧化物复合膜上沉积第三氧化物复合膜包括如下步骤：使用射频磁控溅射方法并采用炭黑和NaFe4.6Mn0.4O8的复合靶材在第二氧化物复合膜上沉积第三氧化物复合膜，其中，溅射气氛为氩气气氛，氩气流量为30sccm，溅射功率为100W，溅射电压为50V，溅射温度为100℃。使用磁控溅射方法在第三氧化物复合膜上沉积第四氧化物复合膜包括如下步骤：使用射频磁控溅射方法并采用炭黑和NaFe4.3Ti0.7O8的复合靶材在第三氧化物复合膜上沉积第四氧化物复合膜，其中，溅射气氛为氩气气氛，氩气流量为30sccm，溅射功率为100W，溅射电压为50V，溅射温度为100℃。使用磁控溅射方法在第四氧化物复合膜上沉积第五氧化物复合膜包括如下步骤：使用射频磁控溅射方法并采用炭黑和NaFe4.2Mo0.8O8的复合靶材在第四氧化物复合膜上沉积第五氧化物复合膜，其中，溅射气氛为氩气气氛，氩气流量为30sccm，溅射功率为300W，溅射电压为100V，溅射温度为100℃。实施例5的首次放电比容量为720mAh/g，循环100圈后放电比容量仍有330mAh/g。本发明相对于现有技术，进一步通过设计多层中的多种过渡金属种类的变化，从而产生多种氧化物电子轨道形状，各种氧化物电子轨道本身可能还会产生复杂的相互作用，从而最终提升了电池性能。当然，本领域技术人员应该理解，上述解释只是对于实验结果的一种唯象解释，并非准确的物理机制的阐释。
实施例6
使用磁控溅射方法在铜箔上沉积第一氧化物复合膜，其中，第一氧化物复合膜是炭黑和NaFe3.8Mn1.2O8的复合膜；使用磁控溅射方法在第一氧化物复合膜上沉积第二氧化物复合膜，其中，第二氧化物复合膜是炭黑和NaFe4.2Mn0.8O8的复合膜；使用磁控溅射方法在第二氧化物复合膜上沉积第三氧化物复合膜，其中，第三氧化物复合膜是炭黑和NaFe4.6Mn0.4O8的复合膜。方法还包括：使用磁控溅射方法在第三氧化物复合膜上沉积第四氧化物复合膜，其中，第四氧化物复合膜是炭黑和NaFe4.3Ti0.7O8的复合膜；使用磁控溅射方法在第四氧化物复合膜上沉积第五氧化物复合膜，其中，第五氧化物复合膜是炭黑和NaFe4.2Mo0.8O8的复合膜。第一氧化物复合膜的厚度为50nm，第二氧化物复合膜的厚度为200nm，第三氧化物复合膜的厚度为250nm。第四氧化物复合膜的厚度为210nm，第五氧化物复合膜的厚度为260nm。使用磁控溅射方法在铜箔上沉积第一氧化物复合膜包括如下步骤：使用射频磁控溅射方法并采用炭黑和NaFe3.8Mn1.2O8的复合靶材在铜箔上沉积第一氧化物复合膜，其中，溅射气氛为氩气气氛，氩气流量为50sccm，溅射功率为300W，溅射电压为200V，溅射温度为200℃。使用磁控溅射方法在第一氧化物复合膜上沉积第二氧化物复合膜包括如下步骤：使用射频磁控溅射方法并采用炭黑和NaFe4.2Mn0.8O8的复合靶材在第一氧化物复合膜上沉积第二氧化物复合膜，其中，溅射气氛为氩气气氛，氩气流量为50sccm，溅射功率为400W，溅射电压为200V，溅射温度为200℃。使用磁控溅射方法在第二氧化物复合膜上沉积第三氧化物复合膜包括如下步骤：使用射频磁控溅射方法并采用炭黑和NaFe4.6Mn0.4O8的复合靶材在第二氧化物复合膜上沉积第三氧化物复合膜，其中，溅射气氛为氩气气氛，氩气流量为50sccm，溅射功率为200W，溅射电压为100V，溅射温度为200℃。使用磁控溅射方法在第三氧化物复合膜上沉积第四氧化物复合膜包括如下步骤：使用射频磁控溅射方法并采用炭黑和NaFe4.3Ti0.7O8的复合靶材在第三氧化物复合膜上沉积第四氧化物复合膜，其中，溅射气氛为氩气气氛，氩气流量为50sccm，溅射功率为200W，溅射电压为100V，溅射温度为200℃。使用磁控溅射方法在第四氧化物复合膜上沉积第五氧化物复合膜包括如下步骤：使用射频磁控溅射方法并采用炭黑和NaFe4.2Mo0.8O8的复合靶材在第四氧化物复合膜上沉积第五氧化物复合膜，其中，溅射气氛为氩气气氛，氩气流量为50sccm，溅射功率为400W，溅射电压为200V，溅射温度为200℃。实施例5的首次放电比容量为715mAh/g，循环100圈后放电比容量仍有335mAh/g。
实施例7
使用磁控溅射方法在铜箔上沉积第一氧化物复合膜，其中，第一氧化物复合膜是炭黑和NaFe3.8Mn1.2O8的复合膜；使用磁控溅射方法在第一氧化物复合膜上沉积第二氧化物复合膜，其中，第二氧化物复合膜是炭黑和NaFe4.2Mn0.8O8的复合膜；使用磁控溅射方法在第二氧化物复合膜上沉积第三氧化物复合膜，其中，第三氧化物复合膜是炭黑和NaFe4.6Mn0.4O8的复合膜。方法还包括：使用磁控溅射方法在第三氧化物复合膜上沉积第四氧化物复合膜，其中，第四氧化物复合膜是炭黑和NaFe4.3Ti0.7O8的复合膜；使用磁控溅射方法在第四氧化物复合膜上沉积第五氧化物复合膜，其中，第五氧化物复合膜是炭黑和NaFe4.2Mo0.8O8的复合膜。第一氧化物复合膜的厚度为40nm，第二氧化物复合膜的厚度为150nm，第三氧化物复合膜的厚度为210nm。第四氧化物复合膜的厚度为170nm，第五氧化物复合膜的厚度为240nm。使用磁控溅射方法在铜箔上沉积第一氧化物复合膜包括如下步骤：使用射频磁控溅射方法并采用炭黑和NaFe3.8Mn1.2O8的复合靶材在铜箔上沉积第一氧化物复合膜，其中，溅射气氛为氩气气氛，氩气流量为40sccm，溅射功率为250W，溅射电压为150V，溅射温度为150℃。使用磁控溅射方法在第一氧化物复合膜上沉积第二氧化物复合膜包括如下步骤：使用射频磁控溅射方法并采用炭黑和NaFe4.2Mn0.8O8的复合靶材在第一氧化物复合膜上沉积第二氧化物复合膜，其中，溅射气氛为氩气气氛，氩气流量为40sccm，溅射功率为350W，溅射电压为150V，溅射温度为150℃。使用磁控溅射方法在第二氧化物复合膜上沉积第三氧化物复合膜包括如下步骤：使用射频磁控溅射方法并采用炭黑和NaFe4.6Mn0.4O8的复合靶材在第二氧化物复合膜上沉积第三氧化物复合膜，其中，溅射气氛为氩气气氛，氩气流量为40sccm，溅射功率为150W，溅射电压为70V，溅射温度为150℃。使用磁控溅射方法在第三氧化物复合膜上沉积第四氧化物复合膜包括如下步骤：使用射频磁控溅射方法并采用炭黑和NaFe4.3Ti0.7O8的复合靶材在第三氧化物复合膜上沉积第四氧化物复合膜，其中，溅射气氛为氩气气氛，氩气流量为40sccm，溅射功率为150W，溅射电压为70V，溅射温度为150℃。使用磁控溅射方法在第四氧化物复合膜上沉积第五氧化物复合膜包括如下步骤：使用射频磁控溅射方法并采用炭黑和NaFe4.2Mo0.8O8的复合靶材在第四氧化物复合膜上沉积第五氧化物复合膜，其中，溅射气氛为氩气气氛，氩气流量为40sccm，溅射功率为350W，溅射电压为150V，溅射温度为150℃。实施例5的首次放电比容量为723mAh/g，循环100圈后放电比容量仍有337mAh/g。
对比例1
使用磁控溅射方法在铜箔上沉积第一氧化物复合膜，其中，第一氧化物复合膜是炭黑和NaFe4.1Mn0.9O8的复合膜；使用磁控溅射方法在第一氧化物复合膜上沉积第二氧化物复合膜，其中，第二氧化物复合膜是炭黑和NaFe4.2Mn0.8O8的复合膜；使用磁控溅射方法在第二氧化物复合膜上沉积第三氧化物复合膜，其中，第三氧化物复合膜是炭黑和NaFe4.3Mn0.7O8的复合膜。制备工艺和其它参数可以参照实施例3。此对比例1的目的在于减小膜层之间的成分差距，从而证明单一组分(单一组分可以视为梯度为零的极端情况)的钠离子电池材料性能低于本发明的钠离子电池层状氧化物。对比例1的首次放电比容量为660mAh/g，循环100圈后放电比容量仍有210mAh/g。
对比例2
对比例2主要用于验证本发明的厚度设计的必要性，第一氧化物复合膜的厚度为30nm，第二氧化物复合膜的厚度为200nm，第三氧化物复合膜的厚度为150nm。制备工艺和其它参数可以参照实施例3。对比例2的首次放电比容量为540mAh/g，循环100圈后放电比容量仍有92mAh/g。该实验结果的一个可能解释在于，由于厚度设计的偏差，第二氧化物复合膜过厚，而第三氧化物复合膜过薄，这可能导致膜层之间应力不平衡，应力不平衡导致膜层内部的位错、应力集中等微观缺陷，缺陷又导致氧化物内部电子场的不规则，从而影响离子或者电子的输运，从而导致电池电性能下降。
对比例3
对比例3主要用于验证本发明的厚度设计的必要性，所述第二氧化物复合膜的厚度为150nm，所述第三氧化物复合膜的厚度为200nm。所述第四氧化物复合膜的厚度为110nm，所述第五氧化物复合膜的厚度为160nm。制备工艺和其它参数可以参照实施例3。对比例3的首次放电比容量为600mAh/g，循环100圈后放电比容量仍有170mAh/g。
对比例4
对比例4主要用于验证本发明的溅射工艺设计的必要性，使用磁控溅射方法在所述第二氧化物复合膜上沉积第三氧化物复合膜包括如下步骤：使用射频磁控溅射方法并采用炭黑和NaFe4.6Mn0.4O8的复合靶材在所述第二氧化物复合膜上沉积所述第三氧化物复合膜，其中，溅射气氛为氩气气氛，溅射功率为300W，溅射电压为300V。制备工艺和其它参数可以参照实施例3。对比例4的首次放电比容量为530mAh/g，循环100圈后放电比容量仍有80mAh/g。该实验结果的一个可能解释在于，由于第三氧化物复合膜在整个膜层中所处的特定位置，所以在沉积第三氧化物复合膜时，采用低功率低电压慢速的沉积方式，如果使用高功率高电压快速的沉积方式，可能仍然造成膜层间的应力过大，造成膜层内部的微观缺陷增多。从而不利地影响电池性能。
对比例5
对比例5主要用于验证本发明的溅射工艺设计的必要性，使用磁控溅射方法在所述第三氧化物复合膜上沉积第四氧化物复合膜包括如下步骤：使用射频磁控溅射方法并采用炭黑和NaFe4.3Ti0.7O8的复合靶材在所述第三氧化物复合膜上沉积所述第四氧化物复合膜，其中，溅射气氛为氩气气氛，溅射功率为300W，溅射电压为300V。制备工艺和其它参数可以参照实施例3。对比例5的首次放电比容量为546mAh/g，循环100圈后放电比容量仍有101mAh/g。
应当理解的是，本发明的上述具体实施方式仅仅用于示例性说明或解释本发明的原理，而不构成对本发明的限制。因此，在不偏离本发明的精神和范围的情况下所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。此外，本发明所附权利要求旨在涵盖落入所附权利要求范围和边界、或者这种范围和边界的等同形式内的全部变化和修改例。

Claims (9)

1.一种钠离子电池层状氧化物的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
使用磁控溅射方法在铜箔上沉积第一氧化物复合膜，其中，所述第一氧化物复合膜是炭黑和NaFe3.8Mn1.2O8的复合膜；
使用磁控溅射方法在所述第一氧化物复合膜上沉积第二氧化物复合膜，其中，所述第二氧化物复合膜是炭黑和NaFe4.2Mn0.8O8的复合膜；
使用磁控溅射方法在所述第二氧化物复合膜上沉积第三氧化物复合膜，其中，所述第三氧化物复合膜是炭黑和NaFe4.6Mn0.4O8的复合膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括：
使用磁控溅射方法在所述第三氧化物复合膜上沉积第四氧化物复合膜，其中，所述第四氧化物复合膜是炭黑和NaFe4.3Ti0.7O8的复合膜；
使用磁控溅射方法在所述第四氧化物复合膜上沉积第五氧化物复合膜，其中，所述第五氧化物复合膜是炭黑和NaFe4.2Mo0.8O8的复合膜。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一氧化物复合膜的厚度为30-50nm，所述第二氧化物复合膜的厚度为100-200nm，所述第三氧化物复合膜的厚度为150-250nm，其中，所述第三氧化物复合膜的厚度比所述第二氧化物复合膜的厚度至少大50nm。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第四氧化物复合膜的厚度为110-210nm，所述第五氧化物复合膜的厚度为160-260nm，其中，所述第五氧化物复合膜的厚度比所述第四氧化物复合膜的厚度至少大50nm，其中，所述第四氧化物复合膜的厚度不小于所述第二氧化物复合膜的厚度，所述第五氧化物复合膜的厚度不小于所述第三氧化物复合膜的厚度。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，使用磁控溅射方法在铜箔上沉积第一氧化物复合膜包括如下步骤：
使用射频磁控溅射方法并采用炭黑和NaFe3.8Mn1.2O8的复合靶材在所述铜箔上沉积所述第一氧化物复合膜，其中，溅射气氛为氩气气氛，氩气流量为30-50sccm，溅射功率为200-300W，溅射电压为100-200V，溅射温度为100-200℃。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，使用磁控溅射方法在所述第一氧化物复合膜上沉积第二氧化物复合膜包括如下步骤：
使用射频磁控溅射方法并采用炭黑和NaFe4.2Mn0.8O8的复合靶材在所述第一氧化物复合膜上沉积所述第二氧化物复合膜，其中，溅射气氛为氩气气氛，氩气流量为30-50sccm，溅射功率为300-400W，溅射电压为100-200V，溅射温度为100-200℃。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，使用磁控溅射方法在所述第二氧化物复合膜上沉积第三氧化物复合膜包括如下步骤：
使用射频磁控溅射方法并采用炭黑和NaFe4.6Mn0.4O8的复合靶材在所述第二氧化物复合膜上沉积所述第三氧化物复合膜，其中，溅射气氛为氩气气氛，氩气流量为30-50sccm，溅射功率为100-200W，溅射电压为50-100V，溅射温度为100-200℃。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，使用磁控溅射方法在所述第三氧化物复合膜上沉积第四氧化物复合膜包括如下步骤：
使用射频磁控溅射方法并采用炭黑和NaFe4.3Ti0.7O8的复合靶材在所述第三氧化物复合膜上沉积所述第四氧化物复合膜，其中，溅射气氛为氩气气氛，氩气流量为30-50sccm，溅射功率为100-200W，溅射电压为50-100V，溅射温度为100-200℃。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，使用磁控溅射方法在所述第四氧化物复合膜上沉积第五氧化物复合膜包括如下步骤：
使用射频磁控溅射方法并采用炭黑和NaFe4.2Mo0.8O8的复合靶材在所述第四氧化物复合膜上沉积所述第五氧化物复合膜，其中，溅射气氛为氩气气氛，氩气流量为30-50sccm，溅射功率为300-400W，溅射电压为100-200V，溅射温度为100-200℃。
CN202311467920.XA 2023-11-07 2023-11-07 一种钠离子电池层状氧化物的制备方法 Pending CN117253968A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311467920.XA CN117253968A (zh) 2023-11-07 2023-11-07 一种钠离子电池层状氧化物的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311467920.XA CN117253968A (zh) 2023-11-07 2023-11-07 一种钠离子电池层状氧化物的制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117253968A true CN117253968A (zh) 2023-12-19

Family

ID=89135278

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311467920.XA Pending CN117253968A (zh) 2023-11-07 2023-11-07 一种钠离子电池层状氧化物的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN117253968A (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114759160A (zh) * 2022-05-05 2022-07-15 河南固锂电技术有限公司 一种高倍率性能的梯度钠离子电池正极材料及其制备方法
CN114824235A (zh) * 2022-06-06 2022-07-29 河南固锂电技术有限公司 一种多层钠离子电池正极材料及其制备方法
CN116613295A (zh) * 2023-06-27 2023-08-18 电子科技大学 一种钠离子电池铁基复合氧化物负极材料及其制备方法
CN116732482A (zh) * 2023-05-16 2023-09-12 河南固锂电技术有限公司 一种复合多层镁离子电池正极材料及制备方法
CN116845200A (zh) * 2023-07-10 2023-10-03 河南固锂电技术有限公司 一种镁离子电池负极材料及制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114759160A (zh) * 2022-05-05 2022-07-15 河南固锂电技术有限公司 一种高倍率性能的梯度钠离子电池正极材料及其制备方法
CN114824235A (zh) * 2022-06-06 2022-07-29 河南固锂电技术有限公司 一种多层钠离子电池正极材料及其制备方法
CN116732482A (zh) * 2023-05-16 2023-09-12 河南固锂电技术有限公司 一种复合多层镁离子电池正极材料及制备方法
CN116613295A (zh) * 2023-06-27 2023-08-18 电子科技大学 一种钠离子电池铁基复合氧化物负极材料及其制备方法
CN116845200A (zh) * 2023-07-10 2023-10-03 河南固锂电技术有限公司 一种镁离子电池负极材料及制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
MURUGAN NANTHAGOPAL ET AL.: "Enhanced NaFe0.5Mn0.5O2/C Nanocomposite as a Cathode for Sodium-Ion Batteries", NANOMATERIALS, vol. 12, no. 984, 16 March 2022 (2022-03-16), pages 1 - 11 *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Li et al. SiOx anode: from fundamental mechanism toward industrial application
CN103904360B (zh) 一种固态电解质及其制作方法与全固态锂电池
CN104659412B (zh) 含平面三角形基团的锂碳硼氧化物固态电解质材料和电池
CN114824235B (zh) 一种多层钠离子电池正极材料及其制备方法
CN102315440A (zh) 一种尖晶石复合材料及其制备方法和用途
CN108336301A (zh) 一种高性能钠离子电池负极及其制备方法
CN113097559B (zh) 一种卤化物固态电解质及其制备方法和应用、一种全固态锂离子电池
CN102054961A (zh) 活性负极极片及其制备方法
CN102212789A (zh) 锂离子电池锡钛薄膜负极的磁控溅射制备方法
CN105449168B (zh) 具有界面修饰层的金属基固态薄膜锂电池正极的制备方法
Hou et al. Recent development of low temperature plasma technology for lithium-ion battery materials
CN116732482B (zh) 一种复合多层镁离子电池正极材料及制备方法
CN106099201A (zh) 一种高能量密度的全固态薄膜电池及其制备方法
CN108390013A (zh) 一种锂离子电池电极材料表面纳米金属修饰方法
CN110474037B (zh) 一种多孔硅碳复合负极材料的制备方法
CN117253968A (zh) 一种钠离子电池层状氧化物的制备方法
CN114759160B (zh) 一种高倍率性能的梯度钠离子电池正极材料及其制备方法
CN113437270A (zh) 双层包覆层改性锂离子电池正极材料粉体及其制备方法
CA3203562C (en) Silicon-based anode material and preparation method thereof, lithium ion battery
CN110137428B (zh) 用于全固态锂离子电池的超薄锂负极膜的制备工艺
CN105742612A (zh) 一种用于三维薄膜锂离子电池的LiFePO4/TiO2正极材料及其制备方法
CN111599994B (zh) 一种表面富锂三元材料及其制备方法
CN114975922B (zh) 一种小粒径纳米硅碳负极材料及其制备方法
CN204257756U (zh) 一种超薄硅膜
CN104466144B (zh) 一种超薄硅膜及其制备方法和用途

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination