CN117242920A - 显示基板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种显示基板包括：衬底基板(100)、电路结构层(20)、发光结构层(4)、至少一个导电层以及至少一个电容补偿层(51)。衬底基板(100)包括第一显示区(A1)和至少部分围绕第一显示区(A1)的第二显示区(A2)。电容补偿层(51)位于第一显示区(A1)且位于发光结构层(4)靠近衬底基板(100)的一侧。电容补偿层(51)包括至少一个补偿电容极板(511)。至少一个第一发光元件(13)的阳极(411)与电容补偿层(51)的补偿电容极板(511)电连接。
Description
本文涉及但不限于显示技术领域，尤指一种显示基板及显示装置。
有机发光二极管(OLED，Organic Light Emitting Diode)和量子点发光二极管(QLED，Quantum-dot Light Emitting Diode)为主动发光显示器件，具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度、轻薄、可弯曲和成本低等优点。屏下摄像头技术是为了提高显示装置的屏占比所提出的一种全新的技术。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本公开实施例提供一种显示基板及显示装置。
一方面，本公开实施例提供一种显示基板，包括：衬底基板、电路结构层、发光结构层、至少一个导电层以及至少一个电容补偿层。衬底基板包括：第一显示区和至少部分围绕第一显示区的第二显示区。电路结构层位于衬底基板的一侧，且包括位于第二显示区的多个第一像素电路。发光结构层位于电路结构层远离衬底基板的一侧，且包括位于第一显示区的多个第一发光元件。至少一个导电层位于电路结构层和发光结构层之间，且包括多条导电线。多个第一像素电路中的至少一个第一像素电路通过至少一个导电层的导电线与多个第一发光元件中的至少一个第一发光元件电连接，至少一个第一像素电路被配置为驱动至少一个第一发光元件发光。至少一个电容补偿层位于第一显示区且位于发光结构层靠近衬底基板的一侧。电容补偿层包括至少一个补偿电容极板。至少一个第一发光元件的阳极与至少一个电容补偿层的补偿电容极板电连接。
在一些示例性实施方式中，所述第一发光元件的阳极在所述衬底基板的正投影包含其所电连接的补偿电容极板在所述衬底基板的正投影。
在一些示例性实施方式中，所述至少一个导电层的材料包括透明导电材料。
在一些示例性实施方式中，所述至少一个电容补偿层位于所述至少一个导电层靠近所述衬底基板的一侧。
在一些示例性实施方式中，所述至少一个导电层包括多个阳极连接电极；所述至少一个电容补偿层的补偿电容极板通过所述至少一个导电层的阳极连接电极与所述第一发光元件的阳极电连接。
在一些示例性实施方式中，所述补偿电容极板在所述衬底基板的正投影与所述至少一个导电层的所述阳极连接电极在所述衬底基板的正投影部分交叠。
在一些示例性实施方式中，所述至少一个导电层包括：沿着远离所述衬底基板的方向依次设置的第一透明导电层、第二透明导电层和第三透明导电层；所述第一透明导电层包括多个第一阳极连接电极，所述第二透明导电层包括多个第三阳极连接电极，所述第三透明导电层包括多个第五阳极连接电极；所述至少一个电容补偿层的补偿电容极板通过所述第一透明导电层的第一阳极连接电极、所述第二透明导电层的第三阳极连接电极和所述第三透明导电层的第五阳极连接电极与所述第一发光元件的阳极电连接。
在一些示例性实施方式中，所述第一透明导电层还包括至少一条第一透明导电线，所述第二透明导电层还包括至少一条第二透明导电线，所述第三透明导电层还包括至少一条第三透明导电线。所述至少一个补偿电容极板在所述衬底基板的正投影与所述第一透明导电线、所述第二透明导电线和所述第三透明导电线中的至少一条在所述衬底基板的正投影存在交叠。
在一些示例性实施方式中，所述第二透明导电线在所述衬底基板的正投影与所述第一透明导电线在所述衬底基板的正投影存在交叠，所述第三透明导电线在所述衬底基板的正投影与所述第一透明导电线和所述第二透明导电线在所述衬底基板的正投影均存在交叠。
在一些示例性实施方式中，一条第一透明导电线与一个第一阳极连接电极为一体结构，一条第二透明导电线与一个第三阳极连接电极为一体结构，一条第三透明导电线与一个第五阳极连接电极为一体结构。
在一些示例性实施方式中，所述电容补偿层的材料包括金属材料。
在一些示例性实施方式中，在垂直于所述显示基板的方向上，所述第二显示区的电路结构层包括：设置在所述衬底基板上的半导体层、第一栅金属层、第二栅金属层和第一源漏金属层。所述至少一个电容补偿层与以下之一为同层结构：所述第一栅金属层、所述第二栅金属层、所述第一源漏金属层。
在一些示例性实施方式中，在垂直于所述显示基板的方向上，所述第二显示区的电路结构层包括：设置在所述衬底基板上的半导体层、第一栅金属层、第二栅金属层和第一源漏金属层；所述至少一个电容补偿层位于所述第一源漏金属层远离所述衬底基板的一侧。
在一些示例性实施方式中，显示基板还包括：位于所述第二显示区且位于所述电路结构层远离所述衬底基板一侧的第二源漏金属层。所述至少一个电容补偿层与所述第二源漏金属层为同层结构，或者，所述至少一个电容补偿层位于所述第一源漏金属层和第二源漏金属层之间。
在一些示例性实施方式中，在沿着所述第一显示区的中心至边缘方向的一行第一发光元件中，靠近第一显示区中心的第一发光元件与所述第二显示区内靠近所述第一显示区的第一像素电路电连接，远离第一显示区中心的第一发光元件与所述第二显示区内远离所述第一显示区的第一像素电路电连接。靠近第一显示区中心的第一发光元件通过电连接补偿电容极板产生的补偿电容，小于远离第一显示区中心的第一发光元件通过电连接补偿电容极板产生的补偿电容。
在一些示例性实施方式中，所述多个第一发光元件包括：多个出射第一颜色光的第一发光元件、多个出射第二颜色光的第一发光元件以及多个出射第三颜色光的第一发光元件；所述多个出射第一颜色光的第一发光元件与所述电容补偿层的多个补偿电容极板电连接。
在一些示例性实施方式中，所述第一颜色光为绿色，所述第二颜色光为 红色，所述第三颜色光为蓝色。
在一些示例性实施方式中，所述电路结构层还包括位于所述第二显示区的多个第二像素电路，所述发光结构层还包括：位于所述第二显示区的多个第二发光元件。所述多个第二像素电路中的至少一个第二像素电路与所述多个第二发光元件中的至少一个第二发光元件电连接，所述至少一个第二像素电路被配置为驱动所述至少一个第二发光元件发光。
另一方面，本公开实施例提供一种显示装置，包括如上所述的显示基板。
在一些示例性实施方式中，显示装置还包括：位于所述显示基板的非显示面一侧的感光传感器，所述感光传感器在所述显示基板的正投影与所述显示基板的第一显示区存在交叠。
另一方面，本公开实施例提供一种显示基板的制备方法，用于制备如上所述的显示基板，所述制备方法包括：在衬底基板形成电路结构层、至少一个电容补偿层、至少一个导电层和发光结构层。所述衬底基板包括第一显示区和至少部分围绕所述第一显示区的第二显示区，所述电路结构层位于衬底基板的一侧且包括位于所述第二显示区的多个第一像素电路，所述发光结构层位于电路结构层远离衬底基板的一侧且包括位于第一显示区的多个第一发光元件。所述至少一个导电层位于所述电路结构层和所述发光结构层之间，且包括多条导电线。所述多个第一像素电路中的至少一个第一像素电路通过所述至少一个导电层的导电线与所述多个第一发光元件中的至少一个第一发光元件电连接，所述至少一个第一像素电路被配置为驱动所述至少一个第一发光元件发光。所述至少一个电容补偿层位于所述第一显示区且位于所述发光结构层靠近所述衬底基板的一侧，所述电容补偿层包括至少一个补偿电容极板。所述至少一个第一发光元件的阳极与所述至少一个电容补偿层的补偿电容极板电连接。
在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部 分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开的技术方案的限制。附图中一个或多个部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。
图1为本公开至少一实施例的显示基板的示意图；
图2为本公开至少一实施例的像素电路的等效电路图；
图3为图2提供的像素电路的工作时序图；
图4为本公开至少一实施例的第一像素电路和第一发光元件之间的连接示意图；
图5A和图5B为一种显示基板的同一行第一发光元件连接不同长度的透明导电线产生的灰阶差异；
图6为本公开至少一实施例的显示基板的局部俯视示意图；
图7为图6中沿P-P’方向的局部剖面示意图；
图8A为图6中形成第二源漏金属层和电容补偿层后的显示基板的局部俯视示意图；
图8B为图6中形成第一透明导电层后的显示基板的局部俯视示意图；
图8C为图6中形成第二透明导电层后的显示基板的局部俯视示意图；
图8D为图6中形成第三透明导电层后的显示基板的局部俯视示意图；
图9为本公开至少一实施例的第二显示区的电路结构层的俯视示意图；
图10为图9中沿R-R’方向的局部剖面示意图；
图11A为图9中形成半导体层后的显示基板的俯视示意图；
图11B为图9中形成第一栅金属层后的显示基板的俯视示意图；
图11C为图9中形成第二栅金属层后的显示基板的俯视示意图；
图11D为图9中形成第三绝缘层后的显示基板的俯视示意图；
图11E为图9中形成第一源漏金属层后的显示基板的俯视示意图；
图12A为本公开至少一实施例的显示基板的第一显示区的第一发光元件在改善前后的阳极电容量的对比示意图；
图12B为本公开至少一实施例的第一发光元件在改善前后所增加的阳极电容量；
图13为本公开至少一实施例的形成第二源漏金属层和电容补偿层后的显示基板的另一局部俯视示意图；
图14为本公开至少一实施例的显示基板的另一局部剖面示意图；
图15为本公开至少一实施例的显示装置的示意图。
下面将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为其他形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了一个或多个构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中一个或多个部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。
本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。本公开中的“多个”表示两个及以上的数量。
在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述的构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据情况理解上述术语在本公开中的含义。
在本说明书中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的传输，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有多种功能的元件等。
在本说明书中，晶体管是指至少包括栅极、漏极以及源极这三个端子的元件。晶体管在漏极(漏电极端子、漏区域或漏电极)与源极(源电极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏极、沟道区域以及源极。在本说明书中，沟道区域是指电流主要流过的区域。
在本说明书中，第一极可以为漏极、第二极可以为源极，或者第一极可以为源极、第二极可以为漏极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源极”及“漏极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源极”和“漏极”可以互相调换。另外，栅极还可以称为控制极。
在本说明书中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。
本公开中的“光透过率”指的是光线透过介质的能力，是透过透明或半透明体的光通量与其入射光通量的百分率。
本公开中的“约”、“大致”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的情况。在本公开中，“大致相同”是指数值相差10％以内的情况。
本实施例提供一种显示基板，包括：衬底基板、电路结构层、发光结构层、至少一个导电层以及至少一个电容补偿层。衬底基板包括：第一显示区和至少部分围绕第一显示区的第二显示区。电路结构层位于衬底基板的一侧，且包括位于第二显示区的多个第一像素电路。发光结构层位于电路结构层远离衬底基板的一侧，且包括位于第一显示区的多个第一发光元件。至少一个导电层位于电路结构层和发光结构层之间，且包括多条导电线。多个第一像素电路中的至少一个第一像素电路通过至少一个导电层的导电线与多个第一发光元件中的至少一个第一发光元件电连接，至少一个第一像素电路被配置为驱动至少一个第一发光元件发光。至少一个电容补偿层位于第一显示区且位于发光结构层靠近衬底基板的一侧。电容补偿层包括至少一个补偿电容极板。至少一个第一发光元件的阳极与至少一个电容补偿层的补偿电容极板电连接。
在一些示例中，第一显示区可以设置一个电容补偿层，或者可以设置多个电容补偿层。例如，出射相同颜色光的多个第一发光元件的阳极可以与同一个电容补偿层的多个补偿电容极板电连接，出射不同颜色光的第一发光元件的阳极可以与不同电容补偿层的补偿电容极板电连接。又如，第一显示区的全部第一发光元件的阳极可以与同一个电容补偿层内的多个补偿电容极板电连接。然而，本实施例对此并不限定。
本实施例提供的显示基板，通过设置第一发光元件的阳极与补偿电容极板电连接，可以增加第一发光元件的阳极的电容量，从而改善第一显示区的亮度差异，提高显示基板的显示效果。
在一些示例性实施方式中，第一发光元件的阳极在衬底基板的正投影可以包含其所电连接的补偿电容极板在衬底基板的正投影。在本示例中，第一发光元件的阳极在衬底基板的正投影可以覆盖其所电连接的补偿电容极板在衬底基板的正投影，以确保第一显示区的光透过率。
在一些示例性实施方式中，至少一个导电层的材料可以包括透明导电材料。例如，至少一个导电层的材料可以包括氧化铟锡(ITO)。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，至少一个电容补偿层可以位于至少一个导电 层靠近衬底基板的一侧。在一些示例中，至少一个导电层可以包括多个阳极连接电极。至少一个电容补偿层的补偿电容极板可以通过导电层的阳极连接电极与第一发光元件的阳极电连接。在一些示例中，补偿电容极板在衬底基板的正投影与至少一个导电层的阳极连接电极在衬底基板的正投影可以部分交叠。
在一些示例性实施方式中，至少一个导电层可以包括：沿着远离衬底基板的方向依次设置的第一透明导电层、第二透明导电层和第三透明导电层。第一透明导电层可以包括多个第一阳极连接电极，第二透明导电层可以包括多个第三阳极连接电极，第三透明导电层可以包括多个第五阳极连接电极。至少一个电容补偿层的补偿电容极板可以通过第一透明导电层的第一阳极连接电极、第二透明导电层的第三阳极连接电极和第三透明导电层的第五阳极连接电极与第一发光元件的阳极电连接。在本示例中，补偿电容极板通过多个阳极连接电极依次电连接来实现与第一发光元件的阳极之间的电连接。然而，本实施例对此并不限定。例如，补偿电容极板可以直接与第一发光元件的阳极电连接。
在一些示例性实施方式中，第一透明导电层还可以包括至少一条第一透明导电线，第二透明导电层还可以包括至少一条第二透明导电线，第三透明导电层还可以包括至少一条第三透明导电线。至少一个补偿电容极板在衬底基板的正投影可以与第一透明导电线、第二透明导电线和第三透明导电线中的至少一条在衬底基板的正投影存在交叠。例如，至少一个补偿电容极板在衬底基板的正投影可以与至少一条(例如，一条、两条或三条)第一透明导电线、至少一条(例如，一条、两条或三条)第二透明导电线和至少一条(例如一条、两条或三条)第三透明导电线在衬底基板的正投影存在交叠。又如，至少一个补偿电容极板在衬底基板的正投影可以与第一透明导电线和第二透明导电线在衬底基板的正投影存在交叠。又如，至少一个补偿电容极板在衬底基板的正投影可以与第二透明导电线和第三透明导电线在衬底基板的正投影存在交叠。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，第二透明导电线在衬底基板的正投影可以与第一透明导电线在衬底基板的正投影存在交叠，第三透明导电线在衬底基板 的正投影可以与第一透明导电线和第二透明导电线在衬底基板的正投影均存在交叠。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，电容补偿层的材料可以包括金属材料。通过采用金属材料的电容补偿层，可以有利于增加第一发光元件的阳极的电容量，并避免增大电阻，从而改善第一显示区的亮度差异。
在一些示例性实施方式中，在垂直于显示基板的方向上，第二显示区的电路结构层可以包括：设置在衬底基板上的半导体层、第一栅金属层、第二栅金属层和第一源漏金属层。至少一个电容补偿层可以与以下之一为同层结构：第一栅金属层、第二栅金属层、第一源漏金属层。例如，第一显示区的电容补偿层可以与第二显示区的第一源漏金属层为同层结构，或者，第一显示区的电容补偿层可以与第二显示区的第二栅金属层为同层结构。然而，本实施例对此并不限定。在本示例中，通过设置电容补偿层与第二显示区的电路结构层的任一金属层为同层结构，有利于简化制备过程。
在一些示例性实施方式中，在垂直于显示基板的方向上，第二显示区的电路结构层可以包括：设置在衬底基板上的半导体层、第一栅金属层、第二栅金属层和第一源漏金属层。至少一个电容补偿层可以位于第一源漏金属层远离衬底基板的一侧。在一些示例中，显示基板还可以包括：位于第二显示区且位于电路结构层远离衬底基板一侧的第二源漏金属层。至少一个电容补偿层可以与第二源漏金属层为同层结构，或者，至少一个电容补偿层可以位于第一源漏金属层和第二源漏金属层之间。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，电容补偿层可以位于发光结构层和导电层之间，或者，电容补偿层可以位于相邻两个导电层之间。
在一些示例性实施方式中，在沿着第一显示区的中心至边缘方向的一行第一发光元件中，靠近第一显示区中心的第一发光元件可以与第二显示区内靠近第一显示区的第一像素电路电连接，远离第一显示区中心的第一发光元件可以与第二显示区内远离第一显示区的第一像素电路电连接。靠近第一显示区中心的第一发光元件通过电连接补偿电容极板产生的补偿电容，可以小于远离第一显示区中心的第一发光元件通过电连接补偿电容极板产生的补偿电容。在本示例中，通过整体增加一行第一发光元件的阳极电容量，可以减 小一行第一发光元件的阳极电容量差异，从而改善第一显示区的亮度差异。
在一些示例性实施方式中，多个第一发光元件可以包括：多个出射第一颜色光的第一发光元件、多个出射第二颜色光的第一发光元件以及多个出射第三颜色光的第一发光元件。多个出射第一颜色光的第一发光元件与电容补偿层的多个补偿电容极板电连接。在一些示例中，第一颜色光可以为绿色，第二颜色光可以为红色，第三颜色光可以为蓝色。在本示例中，可以仅设置出射绿色光的第一发光元件连接补偿电容极板，以改善第一显示区的亮度差异。然而，本实施例对此并不限定。例如，显示基板的第一显示区的全部第一发光元件均可以连接补偿电容极板。
在一些示例性实施方式中，电路结构层还可以包括：位于第二显示区的多个第二像素电路，发光结构层还可以包括：位于第二显示区的多个第二发光元件。多个第二像素电路中的至少一个第二像素电路与多个第二发光元件中的至少一个第二发光元件电连接，至少一个第二像素电路被配置为驱动至少一个第二发光元件发光。
下面通过一些示例对本实施例的方案进行举例说明。下面以显示基板为适用于全面屏和屏下摄像技术的显示基板为例进行说明。然而，本实施例对此并不限定。
图1为本公开至少一实施例的显示基板的示意图。在一些示例性实施方式中，如图1所示，显示基板可以包括：显示区域AA和周边区域BB。周边区域BB可以为非显示区域。显示区域AA可以包括：第一显示区A1和第二显示区A2。例如，感光传感器(例如，摄像头)等硬件设置在显示基板的一侧，且感光传感器在显示基板的正投影与第一显示区A1交叠。第一显示区A1可以为透光显示区，还可以称为屏下摄像头(UDC，Under Display Camera)区域；第二显示区A2可以为正常显示区。例如，第二显示区A2可以不透光仅用于显示。本实施例的显示基板可以给真全面屏的实现奠定坚实的基础。
在一些示例性实施方式中，如图1所示，第一显示区A1可以位于显示区域AA的顶部正中间位置。第二显示区A2可以围绕在第一显示区A1的四周。然而，本实施例对此并不限定。例如，第一显示区A1可以位于显示区 域AA的左上角或者右上角等其他位置。例如，第二显示区A2可以围绕在第一显示区A1的至少一侧。
在一些示例性实施方式中，如图1所示，显示区域AA可以为矩形，例如圆角矩形。第二显示区A2可以为圆形。然而，本实施例对此并不限定。例如，第二显示区A2可以为矩形、其他五边形或六边形等形状。
在一些示例性实施方式中，显示区域AA可以设置有多个子像素。至少一个子像素可以包括像素电路和发光元件。像素电路可以配置为驱动所连接的发光元件。例如，像素电路可以配置为提供驱动电流以驱动发光元件发光。像素电路可以包括多个晶体管和至少一个电容，例如，像素电路可以为3T1C(即3个晶体管和1个电容)结构、7T1C(即7个晶体管和1个电容)结构、5T1C(即5个晶体管和1个电容)结构、8T1C(即8个晶体管和1个电容)结构或者8T2C(即8个晶体管和2个电容)结构等。在一些示例中，发光元件可以为有机发光二极管(OLED)，发光元件在其对应的像素电路的驱动下发出红光、绿光、蓝光、或者白光等。发光元件发光的颜色可根据需要而定。在一些示例中，发光元件可以包括：阳极、阴极以及位于阳极和阴极之间的有机发光层。发光元件的阳极可以与对应的像素电路电连接。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，显示区域AA的一个像素单元可以包括三个子像素，三个子像素可以分别为红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。然而，本实施例对此并不限定。在一些示例中，一个像素单元可以包括四个子像素，四个子像素可以分别为红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素。
在一些示例性实施方式中，发光元件的形状可以是矩形、菱形、五边形或六边形。一个像素单元包括三个子像素时，三个子像素的发光元件可以采用水平并列、竖直并列或品字方式排列；一个像素单元包括四个子像素时，四个子像素的发光元件可以采用水平并列、竖直并列或正方形方式排列。然而，本实施例对此并不限定。
图2为本公开至少一实施例的像素电路的等效电路图。图3为图2提供的像素电路的工作时序图。本示例性实施例的像素电路以7T1C结构为例进 行说明。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，如图2所示，本示例的像素电路可以包括六个开关晶体管(T1、T2、T4至T7)、一个驱动晶体管T3和一个存储电容Cst。六个开关晶体管分别为数据写入晶体管T4、阈值补偿晶体管T2、第一发光控制晶体管T5、第二发光控制晶体管T6、第一复位晶体管T1、以及第二复位晶体管T7。发光元件EL可以包括阳极、阴极和设置在阳极和阴极之间的有机发光层。
在一些示例性实施方式中，驱动晶体管和六个开关晶体管可以是P型晶体管，或者可以是N型晶体管。像素电路中采用相同类型的晶体管可以简化工艺流程，减少显示基板的工艺难度，提高产品的良率。在一些可能的实现方式中，驱动晶体管和六个开关晶体管可以包括P型晶体管和N型晶体管。
在一些示例性实施方式中，驱动晶体管和六个开关晶体管可以采用低温多晶硅薄膜晶体管，或者可以采用氧化物薄膜晶体管，或者可以采用低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管。低温多晶硅薄膜晶体管的有源层采用低温多晶硅(LTPS，Low Temperature Poly-Silicon)，氧化物薄膜晶体管的有源层采用氧化物半导体(Oxide)。低温多晶硅薄膜晶体管具有迁移率高、充电快等优点，氧化物薄膜晶体管具有漏电流低等优点，将低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管集成在一个显示基板上，形成低温多晶氧化物(LTPO，Low Temperature Polycrystalline Oxide)显示基板，可以利用两者的优势，可以实现低频驱动，可以降低功耗，可以提高显示品质。
在一些示例性实施方式中，如图2所示，显示基板可以包括扫描线GL、数据线DL、第一电源线PL1、第二电源线PL2、发光控制线EML、第一初始信号线INIT1、第二初始信号线INIT2、第一复位控制线RST1和第二复位控制线RST2。在一些示例中，第一电源线PL1可以配置为向像素电路提供恒定的第一电压信号VDD，第二电源线PL2可以配置为向像素电路提供恒定的第二电压信号VSS，并且第一电压信号VDD大于第二电压信号VSS。扫描线GL可以配置为向像素电路提供扫描信号SCAN，数据线DL可以配置为向像素电路提供数据信号DATA，发光控制线EML可以配置为向像素电路提供发光控制信号EM，第一复位控制线RST1可以配置为向像素电路 提供第一复位控制信号RESET1，第二复位控制线RST2可以配置为向像素电路提供第二复位控制信号RESET2。在一些示例中，在第n行像素电路中，第一复位控制线RST1可以与第n-1行像素电路的扫描线GL电连接，以被输入扫描信号SCAN(n-1)，即第一复位控制信号RESET1(n)与扫描信号SCAN(n-1)相同。第二复位控制线RST2可以与第n行像素电路的扫描线GL电连接，以被输入扫描信号SCAN(n)，即第二复位控制信号RESET2(n)与扫描信号SCAN(n)相同。在一些示例中，第n行像素电路所电连接的第二复位控制线RST2与第n+1行像素电路所电连接的第一复位控制线RST1可以为一体结构。其中，n为大于0的整数。如此，可以减少显示基板的信号线，实现显示基板的窄边框设计。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，第一初始信号线INIT1可以配置为向像素电路提供第一初始信号，第二初始信号线INIT2可以配置为向像素电路提供第二初始信号。例如，第一初始信号可以不同于第二初始信号。第一初始信号和第二初始信号可以为恒压信号，其大小例如可以介于第一电压信号VDD和第二电压信号VSS之间，但不限于此。在另一些示例中，第一初始信号与第二初始信号可以相同，可以仅设置第一初始信号线来提供第一初始信号。
在一些示例性实施方式中，如图2所示，驱动晶体管T3与发光元件EL电连接，并在扫描信号SCAN、数据信号DATA、第一电压信号VDD、第二电压信号VSS等信号的控制下输出驱动电流以驱动发光元件EL发光。数据写入晶体管T4的栅极与扫描线GL电连接，数据写入晶体管T4的第一极与数据线DL电连接，数据写入晶体管T4的第二极与驱动晶体管T3的第一极电连接。阈值补偿晶体管T2的栅极与扫描线GL电连接，阈值补偿晶体管T2的第一极与驱动晶体管T3的栅极电连接，阈值补偿晶体管T2的第二极与驱动晶体管T3的第二极电连接。第一发光控制晶体管T5的栅极与发光控制线EML电连接，第一发光控制晶体管T5的第一极与第一电源线PL1电连接，第一发光控制晶体管T5的第二极与驱动晶体管T3的第一极电连接。第二发光控制晶体管T6的栅极与发光控制线EML电连接，第二发光控制晶体管T6的第一极与驱动晶体管T3的第二极电连接，第二发光控制晶体管T6的第二极与发光元件EL的阳极电连接。第一复位晶体管T1与驱动晶体管 T3的栅极电连接，并配置为对驱动晶体管T3的栅极进行复位，第二复位晶体管T7与发光元件EL的阳极电连接，并配置为对发光元件EL的阳极进行复位。第一复位晶体管T1的栅极与第一复位控制线RST1电连接，第一复位晶体管T1的第一极与第一初始信号线INIT1电连接，第一复位晶体管T1的第二极与驱动晶体管T3的栅极电连接。第二复位晶体管T7的栅极与第二复位控制线RST2电连接，第二复位晶体管T7的第一极与第二初始信号线INIT2电连接，第二复位晶体管T7的第二极与发光元件EL的阳极电连接。存储电容Cst的第一电容极板与驱动晶体管T3的栅极电连接，存储电容Cst的第二电容极板与第一电源线PL1电连接。
在本示例中，第一节点N1为存储电容Cst、第一复位晶体管T1、驱动晶体管T3和阈值补偿晶体管T2的连接点，第二节点N2为第一发光控制晶体管T5、数据写入晶体管T4和驱动晶体管T3的连接点，第三节点N3为驱动晶体管T3、阈值补偿晶体管T2和第二发光控制晶体管T6的连接点，第四节点N4为第二发光控制晶体管T6、第二复位晶体管T7和发光元件EL的连接点。
下面参照图3对图2示意的像素电路的工作过程进行说明。以图2所示的像素电路包括的多个晶体管均为P型晶体管为例进行说明。
在一些示例性实施方式中，如图3所示，在一帧显示时间段，像素电路的工作过程可以包括：第一阶段S1、第二阶段S2和第三阶段S3。
第一阶段S1，称为复位阶段。第一复位控制线RST1提供的第一复位控制信号RESET1为低电平信号，使第一复位晶体管T1导通，第一初始信号线INIT1提供的第一初始信号被提供至第一节点N1，对第一节点N1进行初始化，清除存储电容Cst中原有数据电压。扫描线GL提供的扫描信号SCAN为高电平信号，发光控制线EML提供的发光控制信号EM为高电平信号，使数据写入晶体管T4、阈值补偿晶体管T2、第一发光控制晶体管T5、第二发光控制晶体管T6以及第二复位晶体管T7断开。此阶段发光元件EL不发光。
第二阶段S2，称为数据写入阶段或者阈值补偿阶段。扫描线GL提供的扫描信号SCAN为低电平信号，第一复位控制线RST1提供的第一复位控制 信号RESET1和发光控制线EML提供的发光控制信号EM均为高电平信号，数据线DL输出数据信号DATA。此阶段由于存储电容Cst的第一电容极板为低电平，因此，驱动晶体管T3导通。扫描信号SCAN为低电平信号，使阈值补偿晶体管T2、数据写入晶体管T4和第二复位晶体管T7导通。阈值补偿晶体管T2和数据写入晶体管T4导通，使得数据线DL输出的数据电压Vdata经过第二节点N2、导通的驱动晶体管T3、第三节点N3、导通的阈值补偿晶体管T2提供至第一节点N1，并将数据线DL输出的数据电压Vdata与驱动晶体管T3的阈值电压之差充入存储电容Cst，存储电容Cst的第一电容极板(即第一节点N1)的电压为Vdata-|Vth|，其中，Vdata为数据线DL输出的数据电压，Vth为驱动晶体管T3的阈值电压。第二复位晶体管T7导通，使得第二初始信号线INIT2提供的第二初始信号提供至发光元件EL的阳极，对发光元件EL的阳极进行初始化(复位)，清空其内部的预存电压，完成初始化，确保发光元件EL不发光。第一复位控制线RST1提供的第一复位控制信号RESET1为高电平信号，使第一复位晶体管T1断开。发光控制信号线EML提供的发光控制信号EM为高电平信号，使第一发光控制晶体管T5和第二发光控制晶体管T6断开。
第三阶段S3，称为发光阶段。发光控制信号线EML提供的发光控制信号EM为低电平信号，扫描线GL提供的扫描信号SCAN和第一复位控制线RST1提供的第一复位控制信号RESET1为高电平信号。发光控制信号线EML提供的发光控制信号EM为低电平信号，使第一发光控制晶体管T5和第二发光控制晶体管T6导通，第一电源线PL1输出的第一电压信号VDD通过导通的第一发光控制晶体管T5、驱动晶体管T3和第二发光控制晶体管T6向发光元件EL的阳极提供驱动电压，驱动发光元件EL发光。
在像素电路驱动过程中，流过驱动晶体管T3的驱动电流由其栅极和第一极之间的电压差决定。由于第一节点N1的电压为Vdata-|Vth|，因而驱动晶体管T3的驱动电流为：
I＝K×(Vgs-Vth)
2＝K×[(VDD-Vdata+|Vth|)-Vth]
2＝K×[VDD-Vdata]
2。
其中，I为流过驱动晶体管T3的驱动电流，也就是驱动发光元件EL的驱动电流，K为常数，Vgs为驱动晶体管T3的栅极和第一极之间的电压差， Vth为驱动晶体管T3的阈值电压，Vdata为数据线DL输出的数据电压，VDD为第一电源线PL1输出的第一电压信号。
由上式中可以看到流经发光元件EL的电流与驱动晶体管T3的阈值电压无关。因此，本实施例的像素电路可以较好地补偿驱动晶体管T3的阈值电压。
在一些示例性实施方式中，如图1所示，第一显示区A1可以包括：多个第一发光元件13。第二显示区A2可以包括：多个第一像素电路11、多个第二像素电路12、多个第二发光元件14以及多个无效像素电路。多个第二像素电路12中的至少一个第二像素电路12可以与多个第二发光元件14中的至少一个第二发光元件14电连接，且至少一个第二像素电路12在衬底基板的正投影与至少一个第二发光元件14在衬底基板的正投影可以至少部分重叠。至少一个第二像素电路12可以配置为给所电连接的第二发光元件14提供驱动信号，以驱动第二发光元件14发光。多个第一像素电路11中的至少一个第一像素电路11与多个第一发光元件13中的至少一个第一发光元件13可以通过透明导电线L电连接。至少一个第一像素电路11在衬底基板的正投影与至少一个第一发光元件13在衬底基板的正投影可以没有交叠。透明导电线L的一端与第一像素电路11电连接，另一端与第一发光元件13电连接。透明导电线L可以从第一显示区A1延伸至第二显示区A2。例如，透明导电线L可以沿第一方向X从第一显示区A1延伸至第二显示区A2；或者，透明导电线L可以先在第一显示区A1沿第二方向Y延伸，再沿第一方向X延伸至第二显示区A2。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，透明导电线L可以采用透明导电材料，例如，可以采用导电氧化物材料，比如，氧化铟锡(ITO)。然而，本实施例对此并不限定。在一些示例中，透明导电线L可以排布在一个透明导电层中，或者，多个透明导电线L可以排布在两个或三个透明导电层中。每一条透明导电线L可以连接一个第一像素电路11和一个第一发光元件13。或者，一个第一像素电路11和一个第一发光元件13可以通过位于不同透明导电层的多条透明导电线L依次连接来实现电连接。
在本公开实施例中，一行发光元件可以指与该行发光元件相连的像素电 路均与同一条栅线(例如，扫描线)相连。一行像素电路可以指该行像素电路均与同一条栅线相连。然而，本实施例对此并不限定。
图4为本公开至少一实施例的第一像素电路和第一发光元件之间的连接示意图。图4以第一显示区A1的一行第一发光元件和第二显示区A2的一行像素电路为例进行示意。如图4所示，以显示基板包括三个透明导电层为例，第一透明导电层可以包括多条第一透明导电线L1，第二透明导电层可以包括多条第二透明导电线L2，第三透明导电层可以包括多条第三透明导电线L3。在图4中，以点划线示意第一透明导电线L1，以虚线示意第二透明导电线L2，以实线示意第三透明导电线L3。第一透明导电层、第二透明导电层和第三透明导电层可以沿着远离衬底基板的一侧依次排布。
在一些示例中，如图4所示，第一发光元件13可以通过第一透明导电线L1、第二透明导电线L2或第三透明导电线L3与第一像素电路11电连接。在一行第一发光元件13中，沿着从第一显示区A1的中心到边缘的第一方向X上，靠近第一显示区A1的中心的第一发光元件13与远离第一显示区A1的第一像素电路11电连接，远离第一显示区A1的中心的第一发光元件13与靠近第一显示区A1的第一像素电路11电连接。越靠近第一显示区A1边缘的第一发光元件13所连接的透明导电线的长度越短，越靠近第一显示区A1中心的第一发光元件13所连接的透明导电线的长度越长。
以第一像素电路11为图2所示的7T1C的像素电路为例。第一像素电路11的第四节点N4可以通过透明导电线与第一发光元件13的阳极电连接。由于位于第一显示区A1的多个第一发光元件13所连接的透明导电线的长度不同，会导致不同第一发光元件13的阳极(即第一像素电路的第四节点N4)的电容量存在差异变化。第一发光元件的阳极电容量较大，会导致第一发光元件的启亮时长较长。不同第一发光元件的阳极的电容量差异较大，容易造成第一发光元件的发光启亮时长差异，从而使得第一显示区出现亮度差异，造成显示不良。
图5A和图5B为一种显示基板的同一行第一发光元件连接不同长度的透明导电线产生的灰阶差异。图5A和图5B示意了第一显示区的出射绿色光的第一发光元件之间的显示差异。图5A和图5B的横坐标为第一显示区在第一 方向X上从第一显示区的中心至边缘的出射绿色光的第一发光元件的位置，纵坐标表示灰阶。图5A为第一显示区的出射绿色光的第一发光元件在128灰阶下的亮度情况，图5B为第一显示区的出射绿色光的第一发光元件在32灰阶下的亮度情况。由图5A可见，最靠近第一显示区中心的出射绿色光的第一发光元件和最远离第一显示区中心的出射绿色光的第一发光元件之间的显示灰阶差异△GR1＝50.86。由图5B可见，最靠近第一显示区中心的出射绿色光的第一发光元件和最远离第一显示区中心的出射绿色光的第一发光元件之间的显示灰阶差异△GR2＝115.29。而且，如图5B所示，靠近第一显示区中心的多个出射绿色光的第一发光元件甚至无法启亮。因此，在低灰阶下，最靠近第一显示区中心的出射绿色光的第一发光元件和最远离第一显示区中心的出射绿色光的第一发光元件之间的显示差异较大，而且还存在靠近第一显示区中心的多个第一发光元件无法启亮的情况。可见，在低灰阶下，存在由于第一发光元件电连接的透明导电线的长度差异较大而导致第一发光元件显示异常，造成第一显示区显示不良的情况。而且，通过发明人的研究得知，在低灰阶下，出射绿色光的第一发光元件的不良程度大于出射红色光的第一发光元件的不良程度，且出射红色光的第一发光元件的不良程度大于出射蓝色光的第一发光元件的不良程度。
针对第一发光元件连接的透明导电线由于长度不同而导致第一发光元件的阳极电容量差异变化的情况，可以通过减小第一发光元件电连接的透明导电线的长度差异来减少第一发光元件的阳极电容量差异。然而，上述方式在透明导电线的长度无法进一步优化时不能起到改善作用。针对上述情况，本实施例提供的显示基板，通过增加第一发光元件的阳极电容量，来减小由于透明导电线的长度差异带来的阳极电容量差异，从而改善第一显示区的显示效果。关于第一显示区和第二显示区之间存在的亮度差异，可以利用双Gamma、Demura、IC算法等来实现改善，上述算法可以参照已有的实现方式，故于此不再赘述。
图6为本公开至少一实施例的显示基板的局部俯视示意图。图7为图6中沿P-P’方向的局部剖面示意图。图8A为图6中形成第二源漏金属层和电容补偿层后的显示基板的局部俯视示意图。图8B为图6中形成第一透明导 电层后的显示基板的局部俯视示意图。图8C为图6中形成第二透明导电层后的显示基板的局部俯视示意图。图8D为图6中形成第三透明导电层后的显示基板的局部俯视示意图。
在一些示例性实施方式中，如图6至图8D所示，在垂直于显示基板的方向上，第一显示区A1的显示基板可以包括：衬底基板100、设置在衬底基板100上的电路结构层20、电容补偿层51、第一透明导电层31、第二透明导电层32、第三透明导电层33和发光结构层4；第二显示区A2的显示基板可以包括：衬底基板100、设置在衬底基板100上的电路结构层20、第二源漏金属层30、第一透明导电层31、第二透明导电层32、第三透明导电层33和发光结构层4。第二源漏金属层30和第一透明导电层31之间、以及电容补偿层51和第一透明导电层31之间可以设置有第一平坦层21；第一透明导电层31和第二透明导电层32之间可以设置有第二平坦层22；第二透明导电层32和第三透明导电层33之间可以设置有第三平坦层23；第三透明导电层33和发光结构层之间可以设置有第四平坦层24。发光结构层4可以包括：阳极层41、像素定义层、有机发光层和阴极层。第一平坦层21至第四平坦层24可以为有机材料层。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，显示基板可以包括一个或两个透明导电层。
图9为本公开至少一实施例的第二显示区的电路结构层的俯视示意图。图10为图9中沿R-R’方向的局部剖面示意图。图11A为图9中形成半导体层后的显示基板的俯视示意图。图11B为图9中形成第一栅金属层后的显示基板的俯视示意图。图11C为图9中形成第二栅金属层后的显示基板的俯视示意图。图11D为图9中形成第三绝缘层后的显示基板的俯视示意图。图11E为图9中形成第一源漏金属层后的显示基板的俯视示意图。
在一些示例性实施方式中，如图9和图10所示，第二显示区A2的电路结构层20可以包括：依次设置在衬底基板100上的半导体层200、第一绝缘层101、第一栅金属层201、第二绝缘层102、第二栅金属层202、第三绝缘层103、第一源漏金属层203和第四绝缘层104。第一显示区A1的电路结构层20可以包括：依次叠设在衬底基板100上的第一绝缘层101、第二绝缘层102、第三绝缘层103和第四绝缘层104。在一些示例中，第一绝缘层101至 第四绝缘层104可以为无机材料层，或者，第一绝缘层101至第三绝缘层103可以为无机材料层，第四绝缘层104可以为有机材料层。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，如图6至图8A所示，第一显示区A1的电容补偿层51可以包括：多个补偿电容极板511。多个补偿电容极板511可以与第一显示区A1的阳极层41的多个第一发光元件的阳极411一一对应电连接。第一显示区A1的第一发光元件的阳极411在衬底基板100的正投影可以覆盖对应电连接的补偿电容极板511在衬底基板100的正投影。在一些示例中，第一发光元件的阳极411和其所电连接的补偿电容极板511在衬底基板的正投影的形貌可以大致相同。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，如图6至图8A所示，电容补偿层51可以与第二显示区A2的第二源漏金属层30为同层结构。第二显示区A2的第二源漏金属层30可以包括：遮挡电极301和第七连接电极302。遮挡电极301可以配置为覆盖第二显示区A2的像素电路的第一节点N1，以减小透明导电层对第一节点N1的串扰。第七连接电极302可以配置为电连接第二显示区A2的像素电路的第四节点N4。
在一些示例性实施方式中，如图6至图8B所示，第一透明导电层31可以包括：多条第一透明导电线L1、多个第一阳极连接电极311a和311b、以及多个第二阳极连接电极312。多条第一透明导电线L1可以从第二显示区A2延伸至第一显示区A1。多个第一阳极连接电极311a和311b可以位于第一显示区A1，多个第二阳极连接电极312可以位于第二显示区A2。其中，一个第一阳极连接电极311b与一条第一透明导电线L1可以电连接，例如可以为一体结构。如图6至图8C所示，第二透明导电层32可以包括：多条第二透明导电线L2、多个第三阳极连接电极321a和321b、以及多个第四阳极连接电极322。多条第二透明导电线L2可以从第二显示区A2延伸至第一显示区A1。多个第三阳极连接电极321a和321b可以位于第一显示区A1，多个第四阳极连接电极322可以位于第二显示区A2。其中，一个第三阳极连接电极321b与一条第二透明导电线L2可以电连接，例如可以为一体结构。如图6至图8D所示，第三透明导电层32可以包括：多条第三透明导电线L3、 多个第五阳极连接电极331、多个第六阳极连接电极332。多条第三透明导电线L3可以从第二显示区A2延伸至第一显示区A1。多个第五阳极连接电极331可以位于第一显示区A1，多个第六阳极连接电极332可以位于第二显示区A2。第三透明导电线L3可以通过一个第五阳极连接电极与第一发光元件41的阳极411电连接。一条第三透明导电线L3与一个第五阳极连接电极可以为一体结构。
在一些示例性实施方式中，第二透明导电线L2和第一透明导电线L1在衬底基板的正投影可以存在交叠，第三透明导电线L3在衬底基板的正投影与第一透明导电线L1和第二透明导电线L2在衬底基板的正投影均存在交叠。例如，第一透明导电线L1沿第一方向X延伸的部分在衬底基板的正投影可以覆盖第二透明导电线L2沿第一方向X延伸的部分在衬底基板的正投影，第三透明导电线L3沿第一方向X延伸的部分在衬底基板的正投影可以位于第一透明导电线L1和第二透明导电线L2沿第一方向X延伸的部分在衬底基板的正投影之间。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，补偿电容极板511在衬底基板的正投影可以与多条透明导电线在衬底基板的正投影存在交叠。例如，补偿电容基板511可以与三条第一透明导电线L1、三条第二透明导电线L2以及三条第三透明导电线L3在衬底基板的正投影存在交叠。然而，本实施例对此并不限定。
在一些示例性实施方式中，如图6至图8D所示，阳极层41可以包括：位于第一显示区A1的第一发光元件的阳极411、位于第二显示区A2的第二发光元件的阳极412。在一些示例中，第一发光元件的阳极面积可以小于出射相同颜色光的第二发光元件的阳极面积，以提高第一显示区的光透过率。例如，可以对第一发光元件的阳极进行角部平滑设计，以降低显示基板的第一显示区下方的摄像头在拍摄时的衍射，从而提高拍摄效果。
在一些示例性实施方式中，如图6至图8D所示，第一显示区A1的阳极411可以通过第四平坦层24上开设的过孔(例如，第十一过孔K11)与第三透明导电层33的第五阳极连接电极331电连接。第五阳极连接电极331可以通过第三平坦层23上开设的过孔(例如，第九过孔K9)与第二透明导电层32的第三阳极连接电极321b电连接。第三阳极连接电极321b可以通过第二 平坦层22上开设的过孔(例如，第七过孔K7)与第一透明导电层31的第一阳极连接电极311a电连接，且该第一阳极连接电极311a可以通过第一平坦层21上开设的过孔(例如，第三过孔K3)与电容补偿层51的一个补偿电容极板511电连接。第三阳极连接电极321a可以通过第二平坦层22上开设的过孔(例如，第六过孔K6)与第一透明导电层31的第一阳极连接电极311b电连接，且第一透明导电线L1可以通过第一平坦层21上开设的过孔(例如，第四过孔K4)与电容补偿层51的另一个补偿电容极板511电连接。在本示例中，第一显示区A1的第一发光元件的阳极411可以通过位于三个透明导电层的阳极连接电极实现与补偿电容极板511的电连接。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，第一显示区A1的第一发光元件的阳极可以直接与某一透明导电层的阳极连接电极电连接，再由该阳极连接电极直接与对应的补偿电容极板电连接。
在一些示例性实施方式中，如图6至图8A所示，第二显示区A2的阳极412可以通过第四平坦层24上开设的过孔(例如第十二过孔K12)与第三透明导电层33的第六阳极连接电极332电连接。第六阳极连接电极332可以通过第三平坦层23上开设的过孔(例如第十过孔K10)与第二透明导电层32的第四阳极连接电极322电连接。第四阳极连接电极322可以通过第二平坦层22上开设的过孔(例如第八过孔K8)与第一透明导电层31的第二阳极连接电极312电连接。第二阳极连接电极312可以通过第一平坦层21上开设的过孔(例如第五过孔K5)与第二源漏金属层30的第七连接电极302电连接。在本示例中，第二显示区A2的第二发光元件的阳极412可以通过位于三个透明导电层和第二源漏金属层的连接电极实现与第二像素电路的电连接。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，第二显示区A2的第二发光元件的阳极可以与某一透明导电层的阳极连接电极电连接，再由该阳极连接电极直接与第二像素电路电连接。又如，第二显示区A2的第二发光元件的阳极可以直接与第二像素电路电连接。
在一些示例中，如图4所示，靠近第一显示区A1边缘的第一发光元件的阳极覆盖的透明导电层的膜层数较多(例如，三个透明导电层)，而靠近第一显示区A1中心的第一发光元件的阳极覆盖的透明导电层的膜层数较少 (例如一个透明导电层)。在第一显示区设置的补偿电容极板的大小可以大致相同。由于第一显示区A1边缘位置的透明导电层的膜层数较多，靠近第一显示区A1边缘的第一发光元件的阳极电连接的补偿电容极板与多个透明导电层之间的电容量也会增加，从而产生较大的补偿电容。靠近第一显示区A1边缘的第一发光元件通过补偿电容极板产生的补偿电容可以大于靠近第一显示区A1中心的第一发光元件通过补偿电容极板产生的补偿电容。在一些示例中，每个第一发光元件通过补偿电容极板产生的补偿电容可以约为100fF至180fF，比如可以约为120fF至180fF。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，可以设置不同大小的补偿电容极板，且靠近第一显示区中心的第一发光元件电连接的补偿电容极板的大小可以小于远离第一显示区中心的第一发光元件电连接的补偿电容极板的大小，使得靠近第一显示区中心的第一发光元件通过补偿电容极板产生的补偿电容可以小于远离第一显示区中心的第一发光元件通过补偿电容极板产生的补偿电容。
下面通过显示基板的制备过程的示例说明显示基板的结构。本公开实施例所说的“图案化工艺”，对于金属材料、无机材料或透明导电材料，包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，对于有机材料，包括涂覆有机材料、掩模曝光和显影等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂、旋涂和喷墨打印中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种，本公开不做限定。“薄膜”是指将某一种材料在衬底基板上利用沉积、涂覆或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。
在一些示例性实施方式中，显示基板的制备过程可以包括如下操作。其中，以第二显示区A2的一个像素电路为例说明第二显示区A2的电路结构层。该像素电路的电路结构可以如图2所示。
(1)、提供衬底基板。
在一些示例性实施方式中，衬底基板100可以为刚性基板，例如玻璃基 板。然而，本实施例对此并不限定。例如，衬底基板100可以为柔性基板。
(2)、形成半导体层200。
在一些示例性实施方式中，在第二显示区A2的衬底基板100上沉积半导体薄膜，通过图案化工艺对半导体薄膜进行图案化，在第二显示区A2形成半导体层200。如图9和图11A所示，半导体层200可以包括：像素电路的多个晶体管的有源层(例如包括：第一复位晶体管T1的有源层T10、阈值补偿晶体管T2的有源层T20、驱动晶体管T3的有源层T30、数据写入晶体管T4的有源层T40、第一发光控制晶体管T5的有源层T50、第二发光控制晶体管T6的有源层T60以及第二复位晶体管T7的有源层T70)。一个像素电路的七个晶体管的有源层可以为相互连接的一体结构。
在一些示例性实施方式中，半导体层200的材料例如可以包括多晶硅。有源层可以包括至少一个沟道区和多个掺杂区。沟道区可以不掺杂杂质，并具有半导体特性。多个掺杂区可以在沟道区的两侧，并且掺杂有杂质，并因此具有导电性。杂质可以根据晶体管的类型而变化。在一些示例中，有源层的掺杂区可以被解释为晶体管的源电极或漏电极。晶体管之间的有源层的部分可以被解释为掺杂有杂质的布线，可以用于电连接晶体管。
(3)、形成第一栅金属层。
在一些示例性实施方式中，在形成前述结构的衬底基板100上，依次沉积第一绝缘薄膜和第一金属薄膜，通过图案化工艺对第一金属薄膜进行图案化，形成覆盖半导体层200的第一绝缘层101，以及设置在第二显示区A2的第一绝缘层101上的第一栅金属层201。如图9和图11B所示，第一栅金属层201可以包括：像素电路的多个晶体管的栅极、以及存储电容Cst的第一电容极板Cst-1、第一复位控制线RST1、第二复位控制线RST2、扫描线GL以及发光控制线EML。第一复位控制线RST1与第一复位晶体管T1的栅极T11可以为一体结构。扫描线GL与数据写入晶体管T4的栅极T41和阈值补偿晶体管T2的栅极T21可以为一体结构。驱动晶体管T3的栅极T31和存储电容Cst的第一电容极板Cst-1可以为一体结构。发光控制线EML、第一发光控制晶体管T5的栅极T51以及第二发光控制晶体管T61的栅极T61可以为一体结构。第二复位控制线RST2与第二复位晶体管T7的栅极T71 可以为一体结构。
(4)、形成第二栅金属层。
在一些示例性实施方式中，在形成前述结构的衬底基板100上，依次沉积第二绝缘薄膜和第二金属薄膜，通过图案化工艺对第二金属薄膜进行图案化，形成覆盖第一栅金属层201的第二绝缘层102，以及设置在第二显示区A2的第二绝缘层102上的第二栅金属层202。如图9和图11C所示，第二栅金属层202可以包括：像素电路的存储电容Cst的第二电容极板Cst-2、屏蔽电极BK、第一初始信号线INIT1以及第二初始信号线INIT2。屏蔽电极BK可以配置为屏蔽数据电压跳变对关键节点的影响，避免数据电压跳变影响像素电路的关键节点的电位，提高显示效果。
(5)、形成第三绝缘层和第一源漏金属层。
在一些示例性实施方式中，在形成前述结构的衬底基板100上，沉积第三绝缘薄膜，通过图案化工艺形成第三绝缘层103。第三绝缘层103开设有多个像素过孔。随后，沉积第三金属薄膜，通过图案化工艺对第三金属薄膜进行图案化，形成设置在第二显示区A2的第三绝缘层103上的第一源漏金属层203。
在一些示例中，如图9和图11D所示，第二显示区A2的第三绝缘层103可以开设有多个像素过孔，例如可以包括第一像素过孔V1至第十五像素过孔V15。第一像素过孔V1至第八像素过孔V8内的第三绝缘层103、第二绝缘层102和第一绝缘层101被去掉，暴露出半导体层200的表面。第九像素过孔V9内的第三绝缘层103和第二绝缘层102被去掉，暴露出第一栅金属层201的表面。第十像素过孔V10至第十五像素过孔V15内的第三绝缘层103被去掉，暴露出第二栅金属层202的表面。
在一些示例中，如图9和图11E所示，第一源漏金属层203可以包括：数据线DL、第一电源线PL1、以及多个连接电极(例如，第一连接电极CP1至第六连接电极CP6)。第一连接电极CP1可以通过第一像素过孔V1与第一复位晶体管T1的有源层T10的第一掺杂区电连接，还可以通过第十像素过孔V10与第一初始信号线INIT1电连接。第二连接电极CP2可以通过第八像素过孔V8与上一行像素电路的第二复位晶体管的有源层的第一掺杂区电 连接，还可以通过第十一像素过孔V11与第二初始信号线INIT2电连接。第三连接电极CP3可以通过第九像素过孔V9与驱动晶体管T3的栅极T31电连接，还可以通过第二像素过孔V2与阈值补偿晶体管T2的有源层T20的第一掺杂区电连接。第四连接电极CP4可以通过第五像素过孔V5与第二发光控制晶体管T6的有源层T60的第二掺杂区电连接。第五连接电极CP5可以通过第六像素过孔V6与第二复位晶体管T7的有源层T70的第一掺杂区电连接，还可以通过第十五像素过孔V15与另一条第二初始信号线INIT2电连接。第六连接电极CP6可以通过第七像素过孔V7与下一行像素电路的第一复位晶体管的有源层的第一掺杂区电连接，还可以通过第十四过孔V14与另一条第一初始信号线INIT1电连接。数据线DL可以通过第三像素过孔V3与数据写入晶体管T4的有源层T40的第一掺杂区电连接。第一电源线PL1可以通过第十二像素过孔V12与屏蔽电极BK电连接，还可以通过第四像素过孔V4与第一发光控制晶体管T5的有源层T50的第一掺杂区电连接，还可以通过竖排设置的两个第十三像素过孔V13与存储电容Cst的第二电容极板Cst-2电连接。
在一些示例性实施方式中，在清楚前述结构的衬底基板100上，沉积第四绝缘薄膜，通过图案化工艺形成第四绝缘层104。第二显示区A2的第四绝缘层104开设有暴露出第一源漏金属层203表面的多个过孔(例如包括：第一过孔K1和第二过孔K2)。
至此，制备完成第二显示区A2的电路结构层。第一显示区A1可以包括衬底基板100以及叠设在衬底基板100上的第一绝缘层101、第二绝缘层102、第三绝缘层103和第四绝缘层104。
(6)、形成第二源漏金属层和电容补偿层。
在一些示例性实施方式中，在形成前述结构的衬底基板100上，沉积第四金属薄膜，通过图案化工艺对第四金属薄膜进行图案化，形成设置在第二显示区A2的第四绝缘层104上的第二源漏金属层30以及设置在第一显示区A1的第四绝缘层104上的电容补偿层51，如图9和图8A所示。在一些示例中，如图9所示，第二源漏金属层30可以包括：遮挡电极301和第七连接电极302。遮挡电极301可以通过第一过孔K1与第一电源线PL1电连接。第 七连接电极302可以通过第二过孔K2与第四连接电极CP4电连接。在本示例中，遮挡电极301可以为不规则形状，可以配置为覆盖像素电路的第一节点N1，以减小透明导电层对第一节点N1的串扰。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，遮挡电极301可以为圆形或五边形或六边形等规则形状。关于电容补偿层51的结构如前所述。
(7)、形成第一平坦层和第一透明导电层。
在一些示例性实施方式中，在形成前述结构的衬底基板100上，涂覆第一平坦薄膜，通过图案化工艺形成第一平坦层21。随后，沉积第一透明导电薄膜，通过图案化工艺对第一透明导电薄膜进行图案化，形成设置在第一平坦层21上的第一透明导电层31，如图6和图8B所示。在一些示例中，第一平坦层21开设有多个过孔(例如包括：位于第一显示区A1的第三过孔K3和第四过孔K4，以及位于第二显示区A2的第五过孔K5)。例如，第一显示区A1的第一透明导电层31的第一阳极连接电极311a可以通过第三过孔K3与一个补偿电容极板电连接，第一透明导电线L1可以通过第一阳极连接电极311b和第四过孔K4与另一个补偿电容极板电连接。第二显示区A2的第一透明导电层31的第二阳极连接电极312可以通过第五过孔K5与第七连接电极302电连接。
(8)、形成第二平坦层和第二透明导电层。
在一些示例性实施方式中，在形成前述结构的衬底基板100上，涂覆第二平坦薄膜，通过图案化工艺形成第二平坦层22。随后，沉积第二透明导电薄膜，通过图案化工艺对第二透明导电薄膜进行图案化，形成设置在第二平坦层22上的第二透明导电层32，如图6和图8C所示。在一些示例中，第二平坦层22开设有多个过孔(例如包括：位于第一显示区A1的第六过孔K6和第七过孔K7，以及位于第二显示区A2的第八过孔K8)。例如，第一显示区A1的第二透明导电层32的第三阳极连接电极321a可以通过第六过孔K6与第一透明导电层31的第一阳极连接电极311b电连接，第二透明导电线L2可以通过第三阳极连接电极321b和第七过孔K7与第一透明导电层31的第一阳极连接电极311a电连接。第二显示区A2的第二透明导电层32的第四阳极连接电极322可以通过第八过孔K8与第二阳极连接电极312电连接。
(9)、形成第三平坦层和第三透明导电层。
在一些示例性实施方式中，在形成前述结构的衬底基板100上，涂覆第三平坦薄膜，通过图案化工艺形成第三平坦层23。随后，沉积第三透明导电薄膜，通过图案化工艺对第三透明导电薄膜进行图案化，形成设置在第三平坦层23上的第三透明导电层33，如图6和图8D所示。在一些示例中，第三平坦层22开设有多个过孔(例如包括：位于第一显示区A1的第九过孔K9，以及位于第二显示区A2的第十过孔K10)。例如，第一显示区A1的第三透明导电层33的第五阳极连接电极331可以通过第九过孔K9与第二透明导电层32的第三阳极连接电极321b电连接。第二显示区A2的第三透明导电层33的第六阳极连接电极332可以通过第十过孔K10与第四阳极连接电极322电连接。
(10)、形成发光结构层。
在一些示例性实施方式中，在形成前述结构的衬底基板100上，涂覆第四平坦薄膜，通过图案化工艺形成第四平坦层24。随后，沉积阳极导电薄膜，通过图案化工艺对阳极导电薄膜进行图案化，形成设置在第四平坦层24上的阳极层41。随后，在形成前述图案的衬底基底上涂覆像素定义薄膜，通过掩膜、曝光和显影工艺形成像素定义层(PDL，Pixel Define Layer)。像素定义层形成有暴露出阳极层的多个像素开口。在前述形成的像素开口内形成有机发光层，有机发光层与阳极连接。随后，沉积阴极薄膜，通过图案化工艺对阴极薄膜进行图案化，形成阴极图案，阴极分别与有机发光层和第二电源线电连接。随后，在阴极上形成封装层，封装层可以包括无机材料/有机材料/无机材料的叠层结构。
在一些示例性实施方式中，第一栅金属层201、第二栅金属层202、第一源漏金属层203、第二源漏金属层30以及电容补偿层51可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Mo/Cu/Mo等。第一透明导电层31至第三透明导电层33可以采用透明导电材料，例如氧化铟锡(ITO)。第一绝缘层101、第二绝缘层102、第三绝缘层103和第四绝缘层104可以采用硅氧化物 (SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一平坦层21至第四平坦层24可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等有机材料。像素定义层可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等有机材料。阳极层41可以采用金属等反射材料，阴极可以采用透明导电材料。然而，本实施例对此并不限定。
本实施例的显示基板的结构及其制备过程仅仅是一种示例性说明。在一些示例性实施方式中，可以根据实际需要变更相应结构以及增加或减少构图工艺。本示例性实施例的制备工艺可以利用目前成熟的制备设备即可实现，可以很好地与现有制备工艺兼容，工艺实现简单，易于实施，生产效率高，生产成本低，良品率高。
本示例性实施例提供的显示基板，在第一显示区A1的第一发光元件靠近衬底基板的一侧设置电容补偿层，并将第一发光元件的阳极与电容补偿层的补偿电容极板电连接，可以增加第一显示区的第一发光元件的阳极电容量，从而改善不同第一发光元件的阳极电容量差异过大的情况，改善低灰阶下第一发光元件无法启亮的情况，从而提高第一显示区的显示效果。
图12A为本公开至少一实施例的显示基板的第一显示区的第一发光元件在改善前后的阳极电容量的对比示意图。图12B为本公开至少一实施例的第一发光元件在改善前后所增加的阳极电容量。图12A和图12B中的横坐标为第一显示区在第一方向X上从第一显示区的中心至边缘的第一发光元件的位置，纵坐标表示电容量，单位为fF。图12A中，粗实线表示本实施例的设置电容补偿层的显示基板的第一发光元件的阳极电容量的变化曲线，粗虚线表示未设置电容补偿层的显示基板的第一发光元件的阳极电容量的变化曲线。由图12A可见，本实施例的显示基板可以减小靠近第一显示区中心的第一发光元件和远离第一显示区中心的第一发光元件之间的阳极电容量差异，从而可以有利于改善第一显示区的低灰阶显示不良(Mura)。由图12B可见，本实施例中，在沿着第一显示区中心到边缘的方向上，第一发光元件通过连接补偿电容极板产生的补偿电容逐渐增大，使得第一显示区中心到边缘方向上的多个第一发光元件的阳极电容量均得到增加，以减少多个第一发光元件的阳极电容量差异。
图13为本公开至少一实施例的形成第二源漏金属层和电容补偿层后的显示基板的另一局部俯视示意图。在一些示例性实施方式中，第一显示区的多个第一发光元件可以包括：出射绿色光的多个第一发光元件，出射红色光的多个第一发光元件以及出射蓝色光的多个第一发光元件。如图13所示，可以仅在电容补偿层51设置位于出射绿色光的多个第一发光元件下方的补偿电容极板511，即对出射绿色光的多个第一发光元件的阳极电容量进行补偿。关于显示基板的其余结构可以参照前述实施例的说明，故于此不再赘述。
表1所示为出射绿色光的多个第一发光元件的阳极电容量在补偿前后的对比结果。表1以图4所示的第一显示区的中心至边缘的一行第一发光元件中出射绿色光的多个第一发光元件为例。
表1
基于表1，未设置补偿电容极板的显示基板内的出射绿色光的第一发光元件的最大阳极电容量与最小阳极电容量之比约为3.92，本示例通过的显示基板内的出射绿色光的第一发光元件的最大阳极电容量与最小阳极电容量之比约为1.87。由此可见，通过在第一显示区设置电容补偿层，可以整体增加了第一显示区的出射绿色光的多个第一发光元件的阳极电容量，使得最大阳极电容量和最小阳极电容量之间的差异减小。
图14为本公开至少一实施例的显示基板的另一局部剖面示意图。在一些示例性实施方式中，如图14所示，第一显示区可以设置电容补偿层51，且电容补偿层51可以位于第二源漏金属层30靠近衬底基板100的一侧。电容补偿层51可以位于第二源漏金属层30和第一源漏金属层之间。然而，本实施例对此并不限定。在另一些示例中，电容补偿层51可以与第二显示区的第一源漏金属层为同层结构。或者，电容补偿层51可以与第二显示区的第二栅金属层为同层结构。关于本实施例的显示基板的其余结构可以参照前述实施例的说明，故于此不再赘述。
本公开实施例还可以提供一种显示基板的制备方法，用于制备如上所述的显示基板，所述制备方法包括：在衬底基板形成电路结构层、至少一个电容补偿层、至少一个导电层和发光结构层。衬底基板包括第一显示区和至少部分围绕第一显示区的第二显示区。电路结构层位于衬底基板的一侧且包括位于所述第二显示区的多个第一像素电路。发光结构层位于电路结构层远离衬底基板的一侧，且包括位于第一显示区的多个第一发光元件。至少一个导电层位于电路结构层和发光结构层之间，且包括多条导电线。多个第一像素 电路中的至少一个第一像素电路通过至少一个导电层的导电线与多个第一发光元件中的至少一个第一发光元件电连接。至少一个第一像素电路被配置为驱动至少一个第一发光元件发光。至少一个电容补偿层位于第一显示区且位于发光结构层靠近衬底基板的一侧。电容补偿层包括至少一个补偿电容极板。至少一个第一发光元件的阳极与至少一个电容补偿层的补偿电容极板电连接。
关于本实施例的显示基板的制备方法可以如前所述，故于此不再赘述。
本公开至少一实施例还提供一种显示装置，包括如上所述的显示基板。
图15为本公开至少一实施例的显示装置的示意图。如图15所示，本实施例提供一种显示装置，包括：显示基板91以及位于远离显示基板91的显示结构层的出光侧的感光传感器92。感光传感器92位于显示基板91的非显示面一侧。感光传感器92在显示基板91上的正投影与第一显示区A1存在交叠。
在一些示例性实施方式中，显示基板91可以为柔性OLED显示基板、QLED显示基板、Micro-LED显示基板、或者Mini-LED显示基板。显示装置可以为：OLED显示器、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，本公开实施例并不以此为限。
本公开中的附图只涉及本公开涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。在不冲突的情况下，本公开的实施例即实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。本领域的普通技术人员应当理解，可以对本公开的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本公开技术方案的精神和范围，均应涵盖在本公开的权利要求的范围当中。
Claims (20)
- 一种显示基板，包括：衬底基板，包括：第一显示区和至少部分围绕所述第一显示区的第二显示区；电路结构层，位于所述衬底基板的一侧，包括位于所述第二显示区的多个第一像素电路；发光结构层，位于所述电路结构层远离所述衬底基板的一侧，包括位于所述第一显示区的多个第一发光元件；至少一个导电层，位于所述电路结构层和所述发光结构层之间，包括多条导电线；所述多个第一像素电路中的至少一个第一像素电路通过所述至少一个导电层的导电线与所述多个第一发光元件中的至少一个第一发光元件电连接，所述至少一个第一像素电路被配置为驱动所述至少一个第一发光元件发光；至少一个电容补偿层，位于所述第一显示区且位于所述发光结构层靠近所述衬底基板的一侧，所述电容补偿层包括至少一个补偿电容极板；所述至少一个第一发光元件的阳极与所述至少一个电容补偿层的补偿电容极板电连接。
- 根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一发光元件的阳极在所述衬底基板的正投影包含其所电连接的补偿电容极板在所述衬底基板的正投影。
- 根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述至少一个导电层的材料包括透明导电材料。
- 根据权利要求3所述的显示基板，其中，所述至少一个电容补偿层位于所述至少一个导电层靠近所述衬底基板的一侧。
- 根据权利要求4所述的显示基板，其中，所述至少一个导电层包括多个阳极连接电极；所述至少一个电容补偿层的补偿电容极板通过所述至少一个导电层的阳极连接电极与所述第一发光元件的阳极电连接。
- 根据权利要求5所述的显示基板，其中，所述补偿电容极板在所述衬 底基板的正投影与所述至少一个导电层的所述阳极连接电极在所述衬底基板的正投影部分交叠。
- 根据权利要求5或6所述的显示基板，其中，所述至少一个导电层包括：沿着远离所述衬底基板的方向依次设置的第一透明导电层、第二透明导电层和第三透明导电层；所述第一透明导电层包括多个第一阳极连接电极，所述第二透明导电层包括多个第三阳极连接电极，所述第三透明导电层包括多个第五阳极连接电极；所述至少一个电容补偿层的补偿电容极板通过所述第一透明导电层的第一阳极连接电极、所述第二透明导电层的第三阳极连接电极和所述第三透明导电层的第五阳极连接电极与所述第一发光元件的阳极电连接。
- 根据权利要求7所述的显示基板，其中，所述第一透明导电层还包括至少一条第一透明导电线，所述第二透明导电层还包括至少一条第二透明导电线，所述第三透明导电层还包括至少一条第三透明导电线；所述至少一个补偿电容极板在所述衬底基板的正投影与所述第一透明导电线、所述第二透明导电线和所述第三透明导电线中的至少一条在所述衬底基板的正投影存在交叠。
- 根据权利要求8所述的显示基板，其中，所述第二透明导电线在所述衬底基板的正投影与所述第一透明导电线在所述衬底基板的正投影存在交叠，所述第三透明导电线在所述衬底基板的正投影与所述第一透明导电线和所述第二透明导电线在所述衬底基板的正投影均存在交叠。
- 根据权利要求8或9所述的显示基板，其中，一条第一透明导电线与一个第一阳极连接电极为一体结构，一条第二透明导电线与一个第三阳极连接电极为一体结构，一条第三透明导电线与一个第五阳极连接电极为一体结构。
- 根据权利要求1至10中任一项所述的显示基板，其中，所述电容补偿层的材料包括金属材料。
- 根据权利要求1至11中任一项所述的显示基板，其中，在垂直于所述显示基板的方向上，所述第二显示区的电路结构层包括：设置在所述衬底 基板上的半导体层、第一栅金属层、第二栅金属层和第一源漏金属层；所述至少一个电容补偿层与以下之一为同层结构：所述第一栅金属层、所述第二栅金属层、所述第一源漏金属层。
- 根据权利要求1至11中任一项所述的显示基板，其中，在垂直于所述显示基板的方向上，所述第二显示区的电路结构层包括：设置在所述衬底基板上的半导体层、第一栅金属层、第二栅金属层和第一源漏金属层；所述至少一个电容补偿层位于所述第一源漏金属层远离所述衬底基板的一侧。
- 根据权利要求13所述的显示基板，还包括：位于所述第二显示区且位于所述电路结构层远离所述衬底基板一侧的第二源漏金属层；所述至少一个电容补偿层与所述第二源漏金属层为同层结构，或者，所述至少一个电容补偿层位于所述第一源漏金属层和第二源漏金属层之间。
- 根据权利要求1至14中任一项所述的显示基板，其中，在沿着所述第一显示区的中心至边缘方向的一行第一发光元件中，靠近第一显示区中心的第一发光元件与所述第二显示区内靠近所述第一显示区的第一像素电路电连接，远离第一显示区中心的第一发光元件与所述第二显示区内远离所述第一显示区的第一像素电路电连接；靠近第一显示区中心的第一发光元件通过电连接补偿电容极板产生的补偿电容，小于远离第一显示区中心的第一发光元件通过电连接补偿电容极板产生的补偿电容。
- 根据权利要求1至15中任一项所述的显示基板，其中，所述多个第一发光元件包括：多个出射第一颜色光的第一发光元件、多个出射第二颜色光的第一发光元件以及多个出射第三颜色光的第一发光元件；所述多个出射第一颜色光的第一发光元件与所述电容补偿层的多个补偿电容极板电连接。
- 根据权利要求16所述的显示基板，其中，所述第一颜色光为绿色，所述第二颜色光为红色，所述第三颜色光为蓝色。
- 根据权利要求1至17中任一项所述的显示基板，其中，所述电路结构层还包括位于所述第二显示区的多个第二像素电路，所述发光结构层还包括：位于所述第二显示区的多个第二发光元件；所述多个第二像素电路中的至少一个第二像素电路与所述多个第二发光元件中的至少一个第二发光元件电连接，所述至少一个第二像素电路被配置为驱动所述至少一个第二发光元件发光。
- 一种显示装置，包括如权利要求1至18中任一项所述的显示基板。
- 根据权利要求19所述的显示装置，还包括：位于所述显示基板的非显示面一侧的感光传感器，所述感光传感器在所述显示基板的正投影与所述显示基板的第一显示区存在交叠。
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