CN117242569A - 半导体装置及电力转换装置 - Google Patents

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Abstract

半导体装置(100)具有：引线框(20)，其具有安装面(20a)；半导体元件(30)，其配置于安装面之上；电路基板(50)，其在半导体装置的厚度方向上与安装面分离地配置，并且电路基板与引线框电连接；封装树脂(70)，其将引线框、半导体元件及电路基板封装；以及连接器(80)。引线框具有从封装树脂露出的引线(22)。电路基板具有从封装树脂露出的至少1个露出部(52)。在至少1个露出部中的1者电连接有连接器。

Description

半导体装置及电力转换装置
技术领域
本发明涉及半导体装置及电力转换装置。
背景技术
在日本特开2014-22444号公报(专利文献1)记载有半导体装置。专利文献1所记载的半导体装置具有引线框、半导体元件、控制基板和模塑树脂。半导体元件配置于引线框之上。控制基板在半导体装置的厚度方向上与引线框分离地配置。模塑树脂将引线框、半导体元件及控制基板封装。引线框的外部端子及控制基板的凸出部从模塑树脂露出。
专利文献1：日本特开2014-22444号公报
发明内容
专利文献1所记载的半导体装置在通过模塑树脂将引线框、半导体元件及控制基板封装时，控制基板的凸出部由下模塑模具及上模塑模具夹持。因此，在控制基板的凸出部仅能够形成平面状的电极。这样的平面状的电极难以进行与外部装置的端子之间的连接。
本发明就是鉴于上述这样的现有技术的问题而提出的。更具体而言，本发明提供与外部装置之间的连接容易的半导体装置。
本发明的半导体装置具有：引线框，其具有安装面；半导体元件，其配置于安装面之上；电路基板，其在半导体装置的厚度方向上与安装面分离地配置，并且该电路基板与引线框电连接；封装树脂，其将引线框、半导体元件及电路基板封装；以及连接器。引线框具有从封装树脂露出的引线。电路基板具有从封装树脂露出的至少1个露出部。在至少1个露出部中的1者电连接有连接器。
发明的效果
根据本发明的半导体装置，与外部装置之间的连接变得容易。
附图说明
图1是半导体装置100的俯视图。
图2是图1中的II-II处的剖视图。
图3是图1中的III-III处的剖视图。
图4是图3的局部放大图。
图5是半导体装置100的斜视图。
图6是表示半导体装置100的制造方法的工序图。
图7是对半导体装置100的制造方法中的树脂封装工序S2进行说明的说明图。
图8是半导体装置100A的俯视图。
图9是图8中的IX-IX处的剖视图。
图10是图8中的X-X处的剖视图。
图11是表示半导体装置100A的制造方法的工序图。
图12是对半导体装置100A的制造方法中的树脂封装工序S2进行说明的第1说明图。
图13是对半导体装置100A的制造方法中的树脂封装工序S2进行说明的第2说明图。
图14是半导体装置100B的俯视图。
图15是图14中的XV-XV处的剖视图。
图16是图15的局部放大图。
图17是半导体装置100C的俯视图。
图18是半导体装置100C所使用的引线框20的俯视图。
图19是表示电力转换系统的结构的框图，在该电力转换系统中应用了电力转换装置300。
具体实施方式
一边参照附图一边对本发明的实施方式的详情进行说明。在以下的附图中，对相同或相应的部分标注相同的参照标号，省略重复的说明。
实施方式1
对实施方式1涉及的半导体装置(以下记作“半导体装置100”)进行说明。
(半导体装置100的结构)
以下，对半导体装置100的结构进行说明。
图1是半导体装置100的俯视图。图2是图1中的II-II处的剖视图。图3是图1中的III-III处的剖视图。图4是图3的局部放大图。图5是半导体装置100的斜视图。如图1、图2、图3、图4及图5所示，半导体装置100具有绝缘基材10、引线框20、半导体元件30、连接层40、电路基板50、导线60a、导线60b、封装树脂70和连接器80。
如图2所示，绝缘基材10具有第1面10a和第2面10b。第1面10a及第2面10b是半导体装置100的厚度方向上的绝缘基材10的端面。第2面10b是第1面10a的相反面。
如图2及图3所示，绝缘基材10具有绝缘片11和金属箔12。绝缘片11位于第1面10a侧。金属箔12位于第2面10b侧。绝缘片11配置于金属箔12之上。
绝缘片11具有树脂材料和混入至树脂材料的填料。构成绝缘片11的树脂材料是环氧树脂等热固性树脂。填料由导热性高的材料形成。构成填料的材料例如是二氧化硅、氧化铝或氮化硼。
金属箔12由导热率高的金属材料形成。构成金属箔12的金属材料例如是铜或铝。金属箔12通过绝缘片11与引线框20绝缘。在半导体元件30产生的热通过引线框20及绝缘片11而传导至金属箔12，从金属箔12向外部散出。
引线框20具有第1面20a和第2面10b。第1面20a及第2面20b是半导体装置100的厚度方向上的引线框20的端面。第1面20a是引线框20的安装面。第2面20b是第1面20a的相反面，被安装于绝缘基材10。
如图2所示，引线框20具有底部21和引线22。在位于底部21的第1面20a之上配置有半导体元件30。引线框20通过位于底部21的第2面20b被安装于绝缘基材10。引线22与底部21连接。引线22与底部21相比更远离绝缘基材10。引线22与绝缘基材10分离。因此，在底部21与引线22之间的连接部存在台阶。
引线框20例如是通过对铜合金的板进行冲压成型而形成的。存在于底部21与引线22之间的连接部的台阶例如是通过半冲裁加工而形成的。存在于底部21与引线22之间的连接部的台阶也可以通过弯折加工而形成。引线框20的厚度例如是0.6mm。存在于底部21与引线22之间的连接部的台阶的高度优选小于或等于引线框20的厚度的0.5倍(小于或等于0.3mm)。存在于底部21与引线22之间的连接部的台阶的高度优选大于或等于0.1mm。
如图1及图2所示，在引线22形成有贯穿孔22a。半导体装置100通过使插至贯穿孔22a的螺钉螺合于外部装置而被安装于外部装置。
半导体元件30例如是二极管、双极晶体管、IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor)、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)或GTO(Gate Turn-Off thyristor)。如图2及图3所示，半导体元件30通过连接层40与引线框20电连接。连接层40例如是通过焊料合金或导电膏而形成的。
如图2所示，电路基板50具有侧面50a、第1面50b和第2面50c。第1面50b及第2面50c是半导体装置100的厚度方向上的电路基板50的端面。第2面50c是第1面50b的相反面，与引线框20相对。第1面50b及第2面50c与侧面50a相连。电路基板50在半导体装置100的厚度方向上与引线框20(第1面20a)分离。
如图4所示，在电路基板50形成有通孔50d。通孔50d在从第2面50c朝向第1面50b的方向上(半导体装置100的厚度方向上)将电路基板50贯穿。在通孔50d的内壁面之上及位于通孔50d周围的第1面50b之上形成有导电体膜51。导电体膜51由具有导电性的金属材料形成。
电路基板50例如由散布有强化纤维的树脂材料形成。电路基板50的耐热等级例如是FR-4。在使用能够进行高温动作的半导体元件(例如，由碳化硅形成半导体基板的半导体元件)作为半导体元件30的情况下，电路基板50的耐热等级也可以是FR-5。电路基板50的厚度例如是1.6mm。但是，电路基板50的厚度不限于此。
在第1面50b之上及第2面50c之上形成有配线图案(省略图示)。配线图案与导电体膜51连接。在配线图案连接有电气部件及半导体元件(省略图示)。优选电气部件及半导体元件配置于第1面50b之上及第2面50c之上这两者。
如图2及图3所示，导线60a将引线框20与半导体元件30连接。如图2所示，导线60b将引线框20与电路基板50连接。由此，电路基板50与引线框20电连接。导线60a及导线60b例如是铝线、金线或铜线。
如图2所示，封装树脂70将绝缘基材10、引线框20、半导体元件30、连接层40、电路基板50、导线60a及导线60b封装。由此，确保了被封装的部件间的绝缘性。另外，封装树脂70作为半导体装置100的壳体起作用。此外，封装树脂70进入至引线22与绝缘基材10之间。由此，抑制了绝缘破坏沿金属箔12与封装树脂70之间的界面发展。
但是，第2面10b从封装树脂70露出。另外，引线22及电路基板50的一部分也从封装树脂70露出。封装树脂70例如是环氧树脂或酚醛树脂。封装树脂70也可以包含填充剂。
如图1、图3及图4所示，将从封装树脂70露出的电路基板50的部分设为露出部52。露出部52的数量至少是1个。优选露出部52的数量为多个。通孔50d如图4所示位于露出部52。在露出部52的数量为多个的情况下，通孔50d只要位于多个露出部52中的1个即可。
如图4所示，在位于露出部52的第1面50b之上及第2面50c之上未配置封装树脂70。在露出部52的周围，侧面50a、与侧面50a相连的第1面50b的周缘部及与侧面50a相连的第2面50c的周缘部由封装树脂70覆盖。
如图4所示，露出部52的厚度小于由封装树脂70封装的电路基板50的部分的厚度。如果从其它观点来叙述该情况，则是在位于露出部52与由封装树脂70封装的电路基板50的部分之间的边界处的第1面50b及第2面50c形成有台阶。
如图4所示，连接器80具有壳体部81和端子部82。端子部82被从第1面50b侧插入至通孔50d。因此，壳体部81配置于第1面50b之上。端子部82通过连接层83与导电体膜51连接。由此，连接器80与电路基板50电连接。连接层83例如是由焊料合金形成的。
壳体部81的开口例如朝向上方(从第2面50c朝向第1面50b的方向)。壳体部81例如是由聚苯硫醚(PPS)树脂或聚对苯二甲酸丁二醇脂(PBT)树脂形成的。
引线22优选构成半导体装置100的主电路端子。连接器80优选构成半导体装置100的控制端子(栅极端子、感测端子)。如果从其它观点来叙述该情况，则是流过连接器80的电流优选小于流过引线22的电流。
(半导体装置100的制造方法)
以下，对半导体装置100的制造方法进行说明。
图6是表示半导体装置100的制造方法的工序图。如图6所示，半导体装置100的制造方法具有准备工序S1、树脂封装工序S2和连接器安装工序S3。树脂封装工序S2是在准备工序S1之后进行的。连接器安装工序S3是在树脂封装工序S2之后进行的。
在准备工序S1中，准备绝缘基材10、引线框20、半导体元件30及电路基板50。此外，在该时间点，引线框20被配置于绝缘基材10之上，半导体元件30通过连接层40及导线60a与引线框20连接，电路基板50通过导线60b与引线框20连接。但是，在该时间点，连接器80未与电路基板50连接。
在树脂封装工序S2中，进行由封装树脂70实现的绝缘基材10、引线框20、半导体元件30、连接层40、电路基板50、导线60a及导线60b的封装。树脂封装工序S2例如是通过传递模塑法进行的。树脂封装工序S2也可以是通过注塑成型法或压缩成型法进行的。
图7是对半导体装置100的制造方法中的树脂封装工序S2进行说明的说明图。在树脂封装工序S2中，第1，准备模具200。如图7所示，模具200具有上模210和下模220。在模具200的内部存在由上模210及下模220形成的型腔230。在树脂封装工序S2中，第2，绝缘基材10、引线框20、半导体元件30、连接层40、电路基板50、导线60a及导线60b被配置于型腔230内。
下模220具有支撑部221。支撑部221的数量至少是1个。支撑部221的数量与成为露出部52的电路基板50的部分的数量相等。成为露出部52的电路基板50的部分被上模210与支撑部221夹持。存在于成为露出部52的电路基板50的部分处的第1面50b及第2面50c优选被设计或追加工得平坦。
在树脂封装工序S2中，第2，向模具200供给未固化的封装树脂70。由此，型腔230内由未固化的封装树脂70填充。但是，由于成为露出部52的电路基板50的部分由上模210和支撑部221夹持，因此，未固化的封装树脂70不被供给至成为露出部52的电路基板50的部分。
在树脂封装工序S2中，第3，型腔230内的未固化的封装树脂70由于加热而固化。由此，绝缘基材10、引线框20、半导体元件30、连接层40、电路基板50、导线60a及导线60b由封装树脂70封装。此外，由于成为露出部52的电路基板50的部分由上模210和支撑部221夹持，因此，露出部52的厚度小于由封装树脂70封装的电路基板50的部分的厚度。
在连接器安装工序S3中，进行连接器80的安装。连接器80的安装是在将端子部82插入至通孔50d的状态下通过将端子部82与导电体膜51焊接而进行的。由此，制造出图1、图2、图3、图4及图5所示的构造的半导体装置100。
(半导体装置100的效果)
就半导体装置100而言，由于在从封装树脂70露出的电路基板50的部分(露出部52)安装有连接器80，因此，能够经由连接器80与外部装置的控制基板连接。因此，根据半导体装置100，易于进行与外部装置之间的连接。
就半导体装置100而言，能够通过连接器80与外部装置的控制基板连接，其结果，无需将半导体装置100的控制端子从引线框20引出。因此，根据半导体装置100，引线框20的设计变得容易。不再需要将半导体装置100的控制端子从引线框20引出，其结果，能够使引线22间的间隔变大。因此，根据半导体装置100，无需增大半导体装置100的面积(footprint)即可确保引线22间的绝缘距离。
在电路基板50具有多个露出部52的情况下，在进行树脂封装工序S2时，电路基板50在多个部位处由上模210和支撑部221夹持。因此，在这种情况下，在进行树脂封装工序S2时抑制电路基板50倾斜。
在位于底部21与引线22之间的连接部处的台阶的高度小于或等于0.3mm(小于或等于引线框20的厚度的0.5倍)的情况下，容易确保引线框20的强度。在位于底部21与引线22之间的连接部处的台阶的高度大于或等于0.1mm的情况下，抑制了在被填充于绝缘基材10与引线框20之间的封装树脂70内产生孔洞。
在电气部件及半导体元件配置于电路基板50的第1面50b之上及第2面50c之上这两者的情况下，能够使电路基板50的第1面50b侧的热膨胀率与电路基板50的第2面50c侧的热膨胀率之差变小，并且电路基板50的刚性提高。因此，在这种情况下，能够减小电路基板50的翘曲。
实施方式2
对实施方式2涉及的半导体装置(以下记作“半导体装置100A”)进行说明。这里，主要对与半导体装置100的不同点进行说明，省略重复的说明。
(半导体装置100A的结构)
以下，对半导体装置100A的结构进行说明。
图8是半导体装置100A的俯视图。图9是图8中的IX-IX处的剖视图。图10是图8中的X-X处的剖视图。如图8、图9及图10所示，半导体装置100A的露出部52及其周围的构造与半导体装置100不同。
如图8、图9及图10所示，就半导体装置100A而言，在露出部52与由封装树脂70封装的电路基板50的部分之间的边界形成有槽53。槽53形成为将露出部52包围。槽53形成于位于露出部52处的第1面50b及第2面50c。露出部52的第1面50b在槽53处向第2面50c侧凹陷。露出部52的第2面50c在槽53处向第1面50b侧凹陷。
(半导体装置100A的制造方法)
以下，对半导体装置100A的制造方法进行说明。
图11是表示半导体装置100A的制造方法的工序图。如图11所示，半导体装置100A的制造方法不具有连接器安装工序S3。连接器80在进行准备工序S1的阶段已经与电路基板50连接。
图12是对半导体装置100A的制造方法中的树脂封装工序S2进行说明的第1说明图。图13是对半导体装置100A的制造方法中的树脂封装工序S2进行说明的第2说明图。如图12及图13所示，对于半导体装置100A的制造方法中的树脂封装工序S2所使用的模具200，在支撑部221及与支撑部221相对的上模210的部分形成有凸起240。凸起240形成为将成为露出部52的电路基板50的部分包围。
凸起240在上模210及下模220已被合模时将位于成为露出部52的电路基板50的部分周围的第1面50b侧及第2面50c侧压溃。因此，被供给至型腔230内的未固化的封装树脂70不被供给至成为露出部52的电路基板50的部分。被凸起240压溃的部分成为槽53。如果从其他观点来叙述该情况，则槽53是通过凸起240而形成的压缩痕迹。
(半导体装置100A的效果)
以下，对半导体装置100A的效果进行说明。
就半导体装置100A而言，通过由凸起240将位于成为露出部52的电路基板50的部分周围的第1面50b及第2面50c压溃而防止向成为露出部52的电路基板50的部分供给未固化的封装树脂70。因此，根据半导体装置100A，即使在位于成为露出部52的电路基板50的部分周围的第1面50b及第2面50c存在台阶，也会更可靠地抑制向成为露出部52的电路基板50的部分供给未固化的封装树脂70。
实施方式3
对实施方式3涉及的半导体装置(以下记作“半导体装置100B”)进行说明。这里，主要对与半导体装置100A的不同点进行说明，省略重复的说明。
(半导体装置100B的结构)
以下，对半导体装置100B的结构进行说明。
图14是半导体装置100B的俯视图。图15是图14中的XV-XV处的剖视图。图16是图15的局部放大图。如图14、图15及图16所示，就半导体装置100B而言，电路基板50具有金属体54。
如图14、图15及图16所示，金属体54将侧面50a、与侧面50a相连的第1面50b的周缘部及与侧面50a相连的第2面50c的周缘部覆盖。金属体54是由金属材料(例如，铜)形成的。金属体54的数量为多个。在图14、图15及图16所示的例子中，金属体54的数量为2个。
如图14、图15及图16所示，金属体54位于露出部52与封装树脂70之间的边界处。就半导体装置100B而言，槽53沿露出部52与封装树脂70之间的边界而延伸，从金属体54之上穿过。就半导体装置100而言，槽53也可以不以将露出部52包围的方式形成。就半导体装置100B而言，位于露出部52周围的侧面50a未由封装树脂70覆盖。
(半导体装置100B的效果)
在半导体装置100B的制造工序中，在上模210及下模220已被合模时，凸起240与金属体54接触，使金属体54变形。其结果，变形后的金属体54将电路基板50与上模210及下模220之间的间隙填埋。因此，根据半导体装置100B，抑制了封装树脂70漫入至位于露出部52周围的侧面50a。
实施方式4
对实施方式4涉及的半导体装置(以下记作“半导体装置100C”)进行说明。这里，主要对与半导体装置100的不同点进行说明，省略重复的说明。
图17是半导体装置100C的俯视图。如图17所述，露出部52在俯视观察时(在沿半导体装置100的厚度方向观察时)位于封装树脂70的外形线的内侧。俯视观察时的封装树脂70的外形线在图17中由虚线示出。俯视观察时的封装树脂70的外形线呈与封装树脂70外接的矩形。
图18是半导体装置100C所使用的引线框20的俯视图。由于露出部52由上模210及下模220夹持，因此，如图18所示，在俯视观察时位于与露出部52重叠的位置处的引线框20的部分被去除。在图17中，露出部52的位置由虚线示出。
实施方式5
对实施方式5涉及的电力转换装置(以下记作“电力转换装置300”)进行说明。
实施方式5是将实施方式1至实施方式4涉及的半导体装置应用于电力转换装置。本发明不限定于特定的电力转换装置，但作为实施方式5，对将本发明应用于三相逆变器的情况进行说明。
(电力转换装置300的结构)
以下，对电力转换装置300的结构进行说明。
图19是表示电力转换系统的结构的框图，在该电力转换系统中应用了电力转换装置300。图19所示的电力转换系统由电力转换装置300、电源410及负载420构成。
电源410是向电力转换装置300供给直流电力的直流电源。电源410能够由各种电源构成。电源410例如能够由直流系统、太阳能电池或蓄电池构成。电源410也可以由与交流系统连接的整流电路或AC/DC转换器构成。电源410也可以由将从直流系统输出的直流电力转换为规定的电力的DC/DC转换器构成。
负载420是由从电力转换装置300供给的交流电力进行驱动的三相电动机。此外，负载420不限于特定的用途。负载420是搭载于各种电气设备的电动机。负载420例如用作面向混合动力汽车、电动汽车、轨道车辆、电梯或空调设备的电动机。
电力转换装置300是连接在电源410与负载420之间的三相逆变器。电力转换装置300将从电源410供给的直流电力转换为交流电力，向负载420供给交流电力。电力转换装置300如图18所示，具有：主转换电路301，其将直流电力转换为交流电力而输出；以及控制电路303，其将对主转换电路301进行控制的控制信号向主转换电路301输出。
(电力转换装置300的详细结构)
以下，对电力转换装置300的结构的详情进行说明。
尽管未图示，主转换电路301具有开关元件和续流二极管。主转换电路301通过开关元件的通断，从而将从电源410供给的直流电力转换为交流电力，向负载420供给。
主转换电路301的具体的电路结构存在各种结构，但实施方式5涉及的主转换电路301是两电平的三相全桥电路，能够由6个开关元件和与各个开关元件逆并联的6个续流二极管构成。
主转换电路301的开关元件及各续流二极管的至少任一者是与实施方式1～实施方式4的任一者的半导体装置相当的半导体装置302所具有的开关元件或续流二极管。
6个开关元件两个两个地串联连接而构成上下桥臂。各上下桥臂构成全桥电路的各相(U相、V相、W相)。各上下桥臂的输出端子即主转换电路301的3个输出端子与负载420连接。
主转换电路301具有对各开关元件进行驱动的驱动电路(未图示)。该驱动电路可以内置于半导体装置302，也可以是与半导体装置302分开的结构。该驱动电路生成对主转换电路301的开关元件进行驱动的驱动信号，供给至主转换电路301的开关元件的控制电极。
更具体而言，该驱动电路按照来自后述的控制电路303的控制信号，向各开关元件的控制电极输出将开关元件设为接通状态的驱动信号和将开关元件设为断开状态的驱动信号。在将开关元件维持为接通状态的情况下，上述驱动信号是大于或等于开关元件的阈值电压的电压信号(接通信号)。在将开关元件维持为断开状态的情况下，驱动信号成为小于或等于开关元件的阈值电压的电压信号(断开信号)。
控制电路303对主转换电路301的开关元件进行控制，以向负载420供给期望的电力。更具体而言，基于应向负载420供给的电力，对主转换电路301的各开关元件应成为接通状态的时间(接通时间)进行计算。例如，能够通过与应输出的电压相对应地对开关元件的接通时间进行调制的PWM控制，对主转换电路301进行控制。控制电路303向主转换电路301的驱动电路输出控制指令(控制信号)，以在各时刻向应成为接通状态的开关元件及应成为断开状态的开关元件分别输出接通信号及断开信号。主转换电路301的驱动电路按照该控制信号，将接通信号或断开信号作为驱动信号而向各开关元件的控制电极输出。
(电力转换装置300的效果)
根据电力转换装置300，作为构成主转换电路301的半导体装置302而应用实施方式1～实施方式4涉及的半导体装置，因此，能够容易地进行半导体装置302与控制电路303之间的连接。
在实施方式5中，对在两电平的三相逆变器中应用本发明的例子进行了说明，但本发明不限于此，能够应用于各种电力转换装置。在本实施方式中，采用了两电平的电力转换装置，但也可以是三电平或多电平的电力转换装置，在向单相负载供给电力的情况下，也可以向单相逆变器应用本发明。另外，在向直流负载等供给电力的情况下，也能够向DC/DC转换器、AC/DC转换器应用本发明。
另外，应用了本发明的电力转换装置不限定于上述的负载为电动机的情况，例如，还能够用作放电加工机、激光加工机、感应加热烹调器或非接触供电系统的电源装置，并且也能够用作太阳能发电系统、蓄电系统等的功率调节器。
应该认为本次公开的实施方式在所有方面都是例示，并非是限定性的内容。本发明的基本范围并不是由上述实施方式示出的，而是由权利要求书示出的，意在包含与权利要求书等同的含义及范围内的全部变更。
标号的说明
10绝缘基材，10a第1面，10b第2面，11绝缘片，12金属箔，20引线框，20a第1面，20b第2面，21底部，22引线，22a贯穿孔，30半导体元件，40连接层，50电路基板，50a侧面，50b第1面，50c第2面，50d通孔，51导电体膜，52露出部，53槽，54金属体，60a、60b导线，70封装树脂，80连接器，81壳体部，82端子部，83连接层，100、100A、100B、100C半导体装置，200模具，210上模，220下模，221支撑部，230型腔，240凸起，300电力转换装置，301主转换电路，302半导体装置，303控制电路，410电源，420负载，S1准备工序，S2树脂封装工序，S3连接器安装工序。

Claims (13)

1.一种半导体装置，其具有：
引线框，其具有安装面；
半导体元件，其配置于所述安装面之上；
电路基板，其在所述半导体装置的厚度方向上与所述安装面分离地配置，并且该电路基板与所述引线框电连接；
封装树脂，其将所述引线框、所述半导体元件及所述电路基板封装；以及
连接器，
所述引线框具有从所述封装树脂露出的引线，
所述电路基板具有从所述封装树脂露出的至少1个露出部，
在所述至少1个露出部中的1者电连接有所述连接器。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述至少1个露出部的厚度小于由所述封装树脂封装的所述电路基板的部分的厚度。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
在位于所述至少1个露出部与所述封装树脂之间的边界处的所述电路基板的部分形成有槽。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
所述槽形成为将所述至少1个露出部各自包围。
5.根据权利要求3或4所述的半导体装置，其中，
所述电路基板具有侧面，
位于所述至少1个露出部的周围的所述侧面由所述封装树脂覆盖。
6.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，
所述电路基板具有侧面、与所述侧面相连的第1面及第2面，
所述电路基板具有多个金属体，
所述多个金属体各自将所述侧面、与所述侧面相连的所述第1面的周缘部及与所述侧面相连的所述第2面的周缘部覆盖，
所述多个金属体各自位于所述至少1个露出部与所述封装树脂之间的边界处，
所述槽从所述多个金属体之上穿过。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，
位于所述至少1个露出部各自的周围的所述侧面从所述封装树脂露出。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，
所述至少1个露出部的数量大于或等于2个。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置，其中，
在所述至少1个露出部中的1者形成有供所述连接器的端子插入的通孔。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
在沿所述半导体装置的厚度方向观察时，所述至少1个露出部位于比所述封装树脂的外形线更靠内侧处。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的半导体装置，其中，
在所述引线形成有供螺钉插入的贯穿孔。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的半导体装置，其中，
所述连接器构成所述半导体装置的控制端子，
所述引线构成所述半导体装置的主电路端子。
13.一种电力转换装置，其具有：
主转换电路，其具有权利要求1至12中任一项所记载的所述半导体装置，该主转换电路对输入来的电力进行转换而输出；以及
控制电路，其将对所述主转换电路进行控制的控制信号输出至所述主转换电路。
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