CN117207375A - 一种提高晶圆划切效率的方法及系统 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种提高晶圆划切效率的方法及系统，该方法包括：确定晶圆在X/Y方向的行数或列数及每行或每列下的晶粒个数及单个晶粒在X方向和Y方向的尺寸；确定晶圆在X方向上第一行的起始切割坐标，根据第一行起始切割坐标及晶粒个数和尺寸得到第一行的终点切割坐标及所有晶粒的端点坐标；确定第二行起点晶粒与第一行起始晶粒间的个数差值，根据差值及第一行起始切割坐标得到第二行起始切割坐标，进而确定X方向第二行终点切割坐标及所有晶粒端点坐标，重复上述过程得到X方向每行晶粒的所有坐标；筛选坐标得到Y方向起始切割坐标及终点切割坐标；沿着X方向各行起始/终点切割坐标和Y方向各列起始/终点切割坐标进行划切，完成晶圆的切割。

Description

一种提高晶圆划切效率的方法及系统

技术领域

本申请属于半导体封装技术领域，特别涉及一种提高晶圆划切效率的方法及系统。

背景技术

在晶圆自动划切设备中，每次放置晶圆工件——尤其是手动放置晶圆工件时，时常不能保证晶圆工件中心与工作台中心点位置重合。为了保证切割稳定性,经常会将晶圆工件尺寸故意设大。如图1所示，当切割的晶圆12尺寸远小于工作台10尺寸时，放置的晶圆12中心与工作台10中心位置偏差大，为了实现对晶圆12进行完整切割，划切设备X方向或Y方向的切割线11就需要设置的较大，但划切设备的切割速度较慢(一般为1mm/s---5mm/s的切割速度进行加工)，低速下右侧多余部分的无效切割会造成切割效率低下。因此若能准确计算出每条切割线11的X方向起点/终点和Y方向的切割起点/终点，则会大大提高晶圆工件的切割效率。

但是目前这种技术一般应用于方形工件，不支持圆形工件，且切割方案不能细化到每一条切割路径，对于切割特殊圆形工件意义不大，并且传统的切割方式需要对晶圆两个通道都进行对准后对X、Y方向切割轨迹再次计算，切割效率低。

发明内容

本申请的目的是提供了一种提高晶圆划切效率的方法及系统，以解决或减轻背景技术中的至少一个问题。

一方面，本申请的技术方案是：一种提高晶圆划切效率的方法，所述方法包括：

确定所述晶圆在X方向和Y方向的行数或列数，以及确定每行或每列下的晶粒个数及单个晶粒在X方向和Y方向的尺寸；

根据晶圆上的对准标记点及晶圆中第一行晶粒距所述对准标记点的距离确定所述晶圆在X方向上第一行的起始切割坐标，根据第一行起始切割坐标及第一行的晶粒个数及晶粒尺寸得到第一行所有晶粒的端点坐标及终点切割坐标；

确定X方向第二行起点晶粒与第一行起始晶粒间的个数差值，根据晶粒个数差值及X方向第一行起始切割坐标得到X方向第二行起始切割坐标，根据X方向第二行起始切割坐标及X方向第二行晶粒个数及晶粒尺寸得到第二行所有晶粒端点坐标及终点切割坐标；

重复上述过程得到X方向每行的起始切割坐标、每行晶粒的端点坐标和终点切割坐标；

对X方向每行的起始切割坐标、终点切割坐标及每行的晶粒的端点坐标进行筛选得到Y方向每列的起始切割坐标和终点切割坐标；

使切割沿着X方向各行起始切割坐标及终点切割坐标和Y方向各列起始切割坐标及终点切割坐标进行划切，完成晶圆的切割。

在本申请优选实施方式中，所述晶圆在X方向和Y方向的行数或列数以及每行或每列下的晶粒个数及单个晶粒在X方向和Y方向的尺寸根据晶圆的光刻数据得到。

在本申请优选实施方式中，X方向下一行起始晶粒与上一行起始晶粒间的个数差值等于两行晶粒差值的一半。

在本申请优选实施方式中，对X方向每行的起始切割坐标、终点切割坐标及每行的晶粒的端点坐标进行筛选得到Y方向每列的起始切割坐标和终点切割坐标的过程包括：

通过在X方向所有的坐标中，选取x坐标值相同而y坐标值最小的坐标而得到Y方向切割的起点坐标；

通过在X方向所有的坐标中，选取x坐标值相同而y坐标值最大的坐标而得到Y方向切割的终点坐标。

在本申请优选实施方式中，Y方向上的起始切割坐标为X方向晶粒数量最多的行所对应X方向起始切割坐标。

在本申请优选实施方式中，当沿着X方向的起始切割坐标向终点切割坐标进行切割时，切割完上一行后，自靠近上一行终点切割坐标的下一行终点切割坐标向下一行起始切割坐标进行切割，或是当沿着X方向的终点切割坐标向起始切割坐标进行切割时，切割完上一行后，自靠近上一行起始切割坐标的下一行起始切割坐标向下一行终点切割坐标进行切割。

在本申请优选实施方式中，当沿着Y方向的起始切割坐标向终点切割坐标进行切割时，切割完上一列后，自靠近上一列终点切割坐标的下一列终点切割坐标向该列的起始切割坐标进行切割，或是当沿着Y方向的终点切割坐标向起始切割坐标进行切割时，切割完上一列后，自靠近上一列起始切割坐标的下一列起始切割坐标向该列的终点切割坐标进行切割。

另一方面，本申请提供了一种提高晶圆划切效率的系统，所述系统包括：

处理模块，所述处理模块用于根据如上的方法计算晶圆中X方向每行起始切割坐标、终点切割坐标和晶粒端点坐标，并对该坐标进行筛选、排序等得到Y方向每列的起始切割坐标、终点切割坐标；

数据存储模块，所述数据存储模块用于存储所述处理模块计算得到的晶圆中X方向和Y方向每行和每列的起始切割坐标和终点切割坐标；以及

切割执行模块，所述切割执行模块用于根据所述数据存储模块内存储的晶圆中X方向和Y方向每行和每列的起始切割坐标和终点切割坐标数据执行对晶圆的切割。

本申请提供的一种提高晶圆划切效率的方法及系统具有如下有益效果：

1.本发明可以精确计算出X方向和Y方向的下刀位置，相比传统切割，可以节省对准时间，提高切割效率及准确率；另外由于晶圆价值高，提升划切准确率的同时降低了废品率，节约成本。

2.本发明切割尺寸设置不再受限于工件中心与工作台中心的重合度要求，适用性强。

3.本发明精确计算X方向和Y方向起始、终点坐标进行划切，无需防止划切不到故意将晶圆工件尺寸设置的偏大，减少了多余部分的切割，提高了设备利用率及切割效率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请提供的技术方案，下面将对附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述的附图仅仅是本申请的一些实施例。

图1为现有技术的晶圆切割过程示意图。

图2为本申请的提高晶圆划切效率的方法流程图。

图3为本申请一实施例的晶圆结构示意图。

图4为本申请一实施例中的提高晶圆划切效率的系统示意图。

具体实施方式

为使本申请实施的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行更加详细的描述。

为了克服无图案晶圆切割现有切割方式X方向起点、终点，Y方向位置计算方法的不足，本申请提供了一种精确计算划切时X方向起点/终点、Y方向切割位置的方法，利用简便操作，在晶圆工件上没有精准定位点的情况下精确计算出X方向切割起点/终点，Y方向切割位置，实现晶圆工件的切割从而提高设备切割效率。

如图2所示，本申请提供的提高晶圆划切效率的方法包括如下过程：

步骤一、首先确定晶圆在X方向和Y方向各行或各列下的晶粒个数及单个晶粒在X方向和Y方向的尺寸。

如图3所示为本申请一实施例中提供的晶圆20结构示意图，该晶圆20在X方向具有十七行，在Y方向具有16列。为了提升切割效率，本申请中只切割完整的晶粒21，因此在本申请该实施例中，第一行中完整的晶粒21的个数为4个，即N1＝4，第二行中完整的晶粒21个数为8个，即N2＝8，其余行及其余列的完整晶粒个数不再赘述。

晶圆20中的晶粒21通常为矩形结构，且晶粒21一般尺寸相同，通过晶圆光刻数据可以得到关于晶粒21的尺寸信息，即每行或每列中单个晶粒X方向的尺寸dx和Y方向的尺寸dy。

步骤二、根据晶圆上设置的对准标记点及晶圆中第一行晶粒距该对准标记点的距离确定在晶圆X方向上第一行的起始切割坐标，根据第一行中的起始切割坐标及第一行中的晶粒个数及晶粒尺寸，可计算出第一行中所有晶粒的端点坐标及第一行的终点切割坐标。

例如在本申请图3所示的晶圆中，晶圆上的对准标记点坐标为(x_a,y_a),首点到标记点距离为(x_b,y_b)，由此可以得到晶圆X方向第一行的起始切割坐标(x₁₁,y₁₁)，该坐标即为第一行第一个晶粒的左上角位置，该坐标计算方法为：x₁₁＝x_a-x_b，y₁₁＝y_a-y_b。

在此基础上，根据晶圆X方向第一行的起始切割坐标及X方向第一行的晶粒个数(4个)及晶粒尺寸(dx、dy)即可得到晶圆X方向第一行所有晶粒的端点坐标，即第一行第二个晶粒端点坐标(x₁₂,y₁₂)、第一行第三个晶粒端点坐标(x₁₃,y₁₃)和第一行第四个晶粒端点坐标(x₁₄,y₁₄)，由于第一行仅有四个晶粒，因此，第四个晶粒的右侧端点即为终点切割坐标(x₁₅,y₁₅)。

其中，第一行第二个晶粒的端点坐标(x₁₂,y₁₂)通过如下公式得到：

x₁₂＝x₁₁+dx；

y₁₂＝y₁₁。

第一行第三及第四晶粒坐标计算方式不再赘述。

步骤三、确定X方向第二行起点晶粒与第一行起始晶粒间的个数差值，根据该晶粒个数差值及X方向第一行起始切割坐标得到X方向第二行起始切割坐标；根据X方向第二行起始切割坐标及X方向第二行的晶粒个数及晶粒尺寸得到X方向第二行所有晶粒的端点坐标及终点切割坐标。

以此类推，可以获得X方向每行的起始切割坐标、所有晶粒的端点坐标(x_ij,y_ij)和终点切割坐标，i为行数，j为列数。

例如在本申请该实施例中，X方向第二行中晶粒21的个数为8个，第一行中晶粒的个数为4个，由于晶粒21为均匀分布，由此，第二行起始晶粒与第一行起始晶粒的个数差值为2，即(8-4)/2。

根据该晶粒个数差值2及X方向第一行起始切割坐标即可计算得到X方向第二行起始切割坐标(x₂₁,y₂₁),即x₂₁＝x₁₁-2*dx，y₂₁＝y₁₁+dy。

然后，根据X方向第二行起始切割坐标(x₂₁,y₂₁)及第二行晶粒个数及尺寸即可得到X方向第二行第二个晶粒端点坐标(x₂₂,y₂₂)、第二行第三个晶粒端点坐标(x₂₃,y₂₃)等以及第二行第八个晶粒端点坐标(x₂₈,y₂₈)。由于第二行晶粒个数为八个，因此第八个晶粒的右侧端点即为终点切割坐标(x₂₉,y₂₉)。

X方向第三行起始切割坐标(x₃₁,y₃₁)、第三行所有晶粒端点坐标及终点切割坐标(x₃₁₃,y₃₁₃)与第二行起始切割坐标及终点切割坐标的计算过程相同，本处不再赘述。

X方向第四行起始晶粒(x₄₁,y₄₁)与第三行起始晶粒的个数差值为零，因此，X方向第四行起始切割坐标(x₄₁,y₄₁)与第三行起始切割坐标(x₃₁,y₃₁)具有如下关系：x₄₁＝x₃₁，y₄₁＝y₃₁+dy。

对于X方向其它行的起始切割坐标及终点切割坐标，可参照第二行与第一行的起始切割坐标及终点切割坐标处理过程及第四行与第三行的起始切割坐标及终点切割坐标处理过程，本处不再赘述。

需要说明的是，当第十二行晶粒与第十一行晶粒个数差值为负值时，表明第十二行晶粒少于第十一行晶粒个数，此时以上一行晶粒底线坐标作为该行的切割线，即对于第十二行晶粒来说，其起点切割坐标(x₁₂₁,y₁₂₁)为第十一行晶粒的底部坐标，其满足：

x₁₂₁＝x₁₁₁

y₁₂₁＝y₁₂₁+dy。

最终，通过上述过程即可得到X方向十七行晶粒所有端点坐标，其中，十七行晶粒对应的十八条切割线的起始切割坐标及终点切割坐标如下：

N0.1切割线：起始切割坐标(x₁₁,y₁₁)、终点切割坐标(x₁₅,y₁₅)；N0.2切割线：起始切割坐标(x₂₁,y₂₁)、终点切割坐标(x₂₉,y₂₉)；N0.3切割线：起始切割坐标(x₃₁,y₃₁)、终点切割坐标(x₃₁₃,y₃₁₃)；N0.4切割线：起始切割坐标(x₄₁,y₄₁)、终点切割坐标(x₄₁₃,y₄₁₃)；N0.5切割线：起始切割坐标(x₅₁,y₅₁)、终点切割坐标(x₅₁₅,y₅₁₅)；N0.6切割线：起始切割坐标(x₆₁,y₆₁)、终点切割坐标(x₆₁₇,y₆₁₇)；N0.7切割线：起始切割坐标(x₇₁,y₇₁)、终点切割坐标(x₇₁₇,y₇₁₇)；N0.8切割线：起始切割坐标(x₈₁,y₈₁)、终点切割坐标(x₈₁₇,y₈₁₇)；N0.9切割线：起始切割坐标(x₉₁,y₉₁)、终点切割坐标(x₉₁₇,y₉₁₇)；N0.10切割线：起始切割坐标(x₁₀₁,y₁₀₁)、终点切割坐标(x₁₀₁₇,y₁₀₁₇)；N0.11切割线：起始切割坐标(x₁₁₁,y₁₁₁)、终点切割坐标(x₁₁₁₇,y₁₁₁₇)；N0.12切割线：起始切割坐标(x₁₂₁,y₁₂₁)、终点切割坐标(x₁₂₁₇,y₁₂₁₇)；N0.13切割线：起始切割坐标(x₁₃₁,y₁₃₁)、终点切割坐标(x₁₃₁₅,y₁₃₁₅)；N0.14切割线：起始切割坐标(x₁₄₁,y₁₄₁)、终点切割坐标(x₁₄₁₅,y₁₄₁₅)；N0.15切割线：起始切割坐标(x₁₅₁,y₁₅₁)、终点切割坐标(x₁₅₁₃,y₁₅₁₃)；N0.16切割线：起始切割坐标(x₁₆₁,y₁₆₁)、终点切割坐标(x₁₆₁₁,y₁₆₁₁)；N0.17切割线：起始切割坐标(x₁₇₁,y₁₇₁)、终点切割坐标(x₁₇₉,y₁₇₉)；N0.18切割线：起始切割坐标(x₁₈₁,y₁₈₁)、终点切割坐标(x₁₈₃,y₁₈₃)。

步骤四、对X方向每行的起始切割坐标、终点切割坐标及每行的晶粒的端点坐标进行筛选得到Y方向每列的起始切割坐标和终点切割坐标。

通过在所有坐标中，选取x坐标值不变而y坐标值最小的坐标而得到Y方向切割的起点坐标。

例如在本申请该实施例中，在上述过程中已经获得了X方向第一行及第二行的起始切割坐标、终点切割坐标及该行所有晶粒的端点坐标。在Y方向切割时，在x坐标值不变的基础上，并不存在比第二行起始切割坐标(x₂₁,y₂₁)中y坐标值更小的坐标，因此该坐标可作为Y方向切割起点，同理第二行第二个晶粒的端点坐标(x₂₂,y₂₂)也可作为Y方向切割起点，但对于第二行第三个晶粒的端点坐标(x₂₃,y₂₃)，由于存在比其y坐标值更小的坐标(x₁₁,y₁₁)，因此其并不能作为Y方向的切割起点。同样的，对于第二行第四至第七个晶粒的端点坐标也不能作为Y方向的切割起点，但对于第二行第八个晶粒的端点坐标(x₂₈,y₂₈)及终点切割坐标(x₂₉,y₂₉)，并不存在比其y坐标值更小的坐标，因此其可以作为Y方向的切割起点。而第一行所有晶粒端点坐标(x₁₁,y₁₁)、(x₁₂,y₁₂)、(x₁₃,y₁₃)、(x₁₄,y₁₄)及终点切割坐标(x₁₅,y₁₅)均不存在比其y坐标值更小的坐标，因此上述坐标全部可以作为Y方向切割起点。

通过将上述坐标进行筛选，可得到用于Y方向切割的起点切割坐标。

在得到Y方向切割的起点切割坐标后，在x坐标不变的基础上，继续寻找y坐标值最大的坐标，从而可得到Y方向切割的终点切割坐标。

例如，在以坐标(x₂₁,y₂₁)作为Y方向切割起点坐标时，由于坐标(x₂₁,y₂₁)在x坐标值不变的基础上对应的y坐标存在多个，但y坐标值最大的坐标为(x₁₇₁,y₁₇₁)，因此其为该切割线的终点切割坐标。

通过上述过程，可得到Y方向上的终点切割坐标。

需要说明的是，Y方向的起始切割位置可以选择X方向的起始切割位置——即第一行第一个晶粒的起始切割坐标(x₁₁,y₁₁)，也可以选择x坐标值中最小的位置——即第六行第一个晶粒的起始切割坐标(x₆₁,y₆₁)。但在本申请优选实施例中，以晶粒数量最多的行数所对应的起始切割位置作为Y方向切割的初始位置，即本申请该实施例中，x坐标值中最小的第六行第一个晶粒的起始切割坐标(x₆₁,y₆₁)作为初始切割坐标。

步骤五、使切割沿着X方向各行起始切割坐标及终点切割坐标和Y方向各列起始切割坐标及终点切割坐标进行划切，完成晶圆的切割。

在本申请优选实施例中，当沿着X方向的起始切割坐标向终点切割坐标进行切割时，切割完上一行后，自靠近上一行终点切割坐标的下一行终点切割坐标向该行起始切割坐标进行切割，或是当沿着X方向的终点切割坐标向起始切割坐标进行切割时，切割完上一行后，自靠近上一行起始切割坐标的下一行起始切割坐标向该行终点切割坐标进行切割。通过上述设置，可使X方向某一行切割完毕后，至下一行切割前，减少切割过程中切割设备所行走的路径。例如在本申请该实施例中，当自坐标(x₁₁,y₁₁)向坐标(x₁₅,y₁₅)进行X方向切割时，切割至坐标(x₁₅,y₁₅)后自最靠近其的坐标(x₂₉,y₂₉)向坐标(x₂₁,y₂₁)进行第二行切割，而非自坐标(x₂₁,y₂₁)向坐标(x₂₉,y₂₉)进行切割，进而减少切割移动路径。

相似的，当沿着Y方向的起始切割坐标向终点切割坐标进行切割时，切割完上一列后，自靠近上一列终点切割坐标的下一列终点切割坐标向该列的起始切割坐标进行切割，或是当沿着Y方向的终点切割坐标向起始切割坐标进行切割时，切割完上一列后，自靠近上一列起始切割坐标的下一列起始切割坐标向该列的终点切割坐标进行切割。具体实施方式不再赘述。

本申请中通过精确计算晶圆中X方向和Y方向每行和每列的起始切割坐标和终点切割坐标，减少切割设备的无效切割路径或线路，从而提高晶圆的切割效率。

此外，如图4所示，本申请还提供了一种提高晶圆划切效率的系统100，该系统包括：

处理模块101，该处理模块具有数据处理能力，其根据上述过程计算晶圆中X方向每行起始切割坐标、终点切割坐标和晶粒端点坐标，并对该坐标进行筛选、排序等得到Y方向每列的起始切割坐标、终点切割坐标；

数据存储模块102，该数据存储模块用于存储处理模块101计算得到的晶圆中X方向和Y方向每行和每列的起始切割坐标和终点切割坐标，该数据存储模块102可以通过数据库等程序实现；以及

切割执行模块103，该切割执行模块103根据数据存储模块102存储的数据执行对晶圆的切割操作，切割执行模块103可由切割装置、导轨、电机等结构组成。

本申请提供的一种提高晶圆划切效率的方法及系统具有如下有益效果：

1.本发明可以精确计算出X方向和Y方向的下刀位置，相比传统切割，可以节省对准时间，提高切割效率及准确率；另外由于晶圆价值高，提升划切准确率的同时降低了废品率，节约成本。

2.本发明切割尺寸设置不再受限于工件中心与工作台中心的重合度要求，适用性强。

3.本发明精确计算X方向和Y方向起始、终点坐标进行划切，无需防止划切不到故意将晶圆工件尺寸设置的偏大，减少了多余部分的切割，提高了设备利用率及切割效率。

以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (8)

1.一种提高晶圆划切效率的方法，其特征在于，所述方法包括：

确定所述晶圆在X方向和Y方向的行数或列数，以及确定每行或每列下的晶粒个数及单个晶粒在X方向和Y方向的尺寸；

根据晶圆上的对准标记点及晶圆中第一行晶粒距所述对准标记点的距离确定所述晶圆在X方向上第一行的起始切割坐标，根据第一行起始切割坐标及第一行的晶粒个数及晶粒尺寸得到第一行所有晶粒的端点坐标及终点切割坐标；

确定X方向第二行起点晶粒与第一行起始晶粒间的个数差值，根据晶粒个数差值及X方向第一行起始切割坐标得到X方向第二行起始切割坐标，根据X方向第二行起始切割坐标及X方向第二行晶粒个数及晶粒尺寸得到第二行所有晶粒端点坐标及终点切割坐标；

重复上述过程得到X方向每行的起始切割坐标、每行晶粒的端点坐标和终点切割坐标；

对X方向每行的起始切割坐标、终点切割坐标及每行的晶粒的端点坐标进行筛选得到Y方向每列的起始切割坐标和终点切割坐标；

使切割沿着X方向各行起始切割坐标及终点切割坐标和Y方向各列起始切割坐标及终点切割坐标进行划切，完成晶圆的切割。

2.如权利要求1所述的提高晶圆划切效率的方法，其特征在于，所述晶圆在X方向和Y方向的行数或列数以及每行或每列下的晶粒个数及单个晶粒在X方向和Y方向的尺寸根据晶圆的光刻数据得到。

3.如权利要求1所述的提高晶圆划切效率的方法，其特征在于，X方向下一行起始晶粒与上一行起始晶粒间的个数差值等于两行晶粒差值的一半。

4.如权利要求1所述的提高晶圆划切效率的方法，其特征在于，对X方向每行的起始切割坐标、终点切割坐标及每行的晶粒的端点坐标进行筛选得到Y方向每列的起始切割坐标和终点切割坐标的过程包括：

通过在X方向所有的坐标中，选取x坐标值相同而y坐标值最小的坐标而得到Y方向切割的起点坐标；

通过在X方向所有的坐标中，选取x坐标值相同而y坐标值最大的坐标而得到Y方向切割的终点坐标。

5.如权利要求1所述的提高晶圆划切效率的方法，其特征在于，Y方向上的起始切割坐标为X方向晶粒数量最多的行所对应X方向起始切割坐标。

6.如权利要求1所述的提高晶圆划切效率的方法，其特征在于，当沿着X方向的起始切割坐标向终点切割坐标进行切割时，切割完上一行后，自靠近上一行终点切割坐标的下一行终点切割坐标向下一行起始切割坐标进行切割，或是当沿着X方向的终点切割坐标向起始切割坐标进行切割时，切割完上一行后，自靠近上一行起始切割坐标的下一行起始切割坐标向下一行终点切割坐标进行切割。

7.如权利要求1所述的提高晶圆划切效率的方法，其特征在于，当沿着Y方向的起始切割坐标向终点切割坐标进行切割时，切割完上一列后，自靠近上一列终点切割坐标的下一列终点切割坐标向该列的起始切割坐标进行切割，或是当沿着Y方向的终点切割坐标向起始切割坐标进行切割时，切割完上一列后，自靠近上一列起始切割坐标的下一列起始切割坐标向该列的终点切割坐标进行切割。

8.一种提高晶圆划切效率的系统，其特征在于，所述系统(100)包括：

处理模块(101)，所述处理模块(101)用于根据权利要求1至7任一所述的方法计算晶圆中X方向每行起始切割坐标、终点切割坐标和晶粒端点坐标，并对该坐标进行筛选、排序等得到Y方向每列的起始切割坐标、终点切割坐标；

数据存储模块(102)，所述数据存储模块用于存储所述处理模块(101)计算得到的晶圆中X方向和Y方向每行和每列的起始切割坐标和终点切割坐标；以及

切割执行模块(103)，所述切割执行模块(103)用于根据所述数据存储模块(102)内存储的晶圆中X方向和Y方向每行和每列的起始切割坐标和终点切割坐标数据执行对晶圆的切割。