CN117202699A - 显示面板和显示设备 - Google Patents

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金才源
朴贤爱
朴亨埈
成承祐
严努力
尹一求
李知恩
张东玄
赵乘汉
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Abstract

本申请提供一种显示面板和显示设备。该显示面板可以包括基板、像素、虚设像素和电压线。基板可以包括用于光传输和/或声传输的第一传输区域、围绕第一传输区域的非显示区域以及围绕非显示区域的显示区域。像素可以被设置在显示区域中，并且可以发光。虚设像素可以被设置在非显示区域中，可以包括第一虚设像素，并且可以不发光。电压线可以将电压传输到像素和虚设像素。电压线可以包括第一电压线和第二电压线。第一电压线可以与第二电压线隔开，可以与第二电压线对准，并且可以与第一虚设像素重叠。第一传输区域可以被放置在第一电压线与第二电压线之间。

Description

显示面板和显示设备
本申请是申请日为2019年11月27日、申请号为201911179927.5、名称为“显示面板”的发明专利申请的分案申请。
相关专利申请的交叉引用
本申请要求2018年11月30日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0153027号的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体并入本文。
技术领域
技术领域涉及显示面板。
背景技术
显示设备的应用很多。由于减小的厚度和重量，显示设备的应用已经增加。
为了增强应用，可以将功能添加或链接到显示设备。
发明内容
一个或多个实施例可以涉及包括在显示区域内的用于容纳摄像机、传感器等的区域的显示面板。一个或多个实施例可以涉及包括显示面板的设备。
根据一个或多个实施例，显示面板包括：基板，包括第一区域、第二区域、围绕第一区域和第二区域的非显示区域、以及围绕非显示区域的显示区域；被设置在显示区域中的多个像素；被设置在非显示区域中并且不发光的多个虚设像素；以及多条驱动电压线，被配置为将驱动电压传输到多个像素和多个虚设像素；其中多条驱动电压线中的一些驱动电压线在第一区域和第二区域周围被切割，并且多条驱动电压线的切割部分被设置在多个虚设像素中的一些虚设像素上。
多个虚设像素可以围绕第一区域和第二区域。
多个像素中的每个像素可以包括像素电路和显示元件，像素电路包括至少一个晶体管，并且显示元件连接到像素电路。多个虚设像素中的每个虚设像素可以包括虚设像素电路，虚设像素电路包括至少一个虚设晶体管。像素电路的结构可以与虚设像素电路的结构相同。
显示面板可以进一步包括像素限定层，像素限定层被设置在像素电路和虚设像素电路上，并且包括与多个像素中的每个像素对应的开口。像素限定层可以具有与虚设像素对应的平坦上表面。
显示面板可以进一步包括被设置在与像素对应的像素限定层的开口内的有机发射层。有机发射层可以被设置在与虚设像素对应的像素限定层的上表面上。
显示面板可以进一步包括第一公共层、有机发射层和第二公共层，第一公共层、有机发射层和第二公共层顺序地彼此堆叠并且被设置在与像素对应的像素限定层的开口内。第一公共层和第二公共层可以接触与虚设像素对应的像素限定层的上表面。
显示面板可以进一步包括与像素对应的：连接到像素电路的像素电极、被设置在像素限定层的开口内的中间层以及被设置在中间层上的对电极。开口可以暴露像素电极，并且对电极可以接触与虚设像素对应的像素限定层的上表面。
显示面板可以进一步包括多条电极电压线，多条电极电压线各自延伸以与多条驱动电压线交叉。多条电极电压线可以通过接触孔连接到多条驱动电压线以形成网格结构。
多条电极电压线中的一些电极电压线可以在第一区域和第二区域周围被切割，并且多条电极电压线的切割部分可以被设置在多个虚设像素中的一些虚设像素上。
多个虚设像素中的每个虚设像素可以包括虚设像素电路，虚设像素电路可以包括驱动薄膜晶体管和与驱动薄膜晶体管重叠的存储电容器，并且存储电容器的一个电极可以被提供为多条电极电压线中的一些电极电压线。
根据一个或多个实施例，显示面板包括：基板，包括第一区域、第二区域、围绕第一区域和第二区域的非显示区域、以及围绕非显示区域的显示区域；被设置在显示区域中的多个像素；被设置在非显示区域中并且不发光的多个虚设像素；以及多条驱动电压线，被配置为将驱动电压传输到多个像素和多个虚设像素；其中来自多条驱动电压线中的第一驱动电压线在第一区域和第二区域周围被切割，并且来自多条驱动电压线中的第二驱动电压线在非显示区域中是连续的。
第一驱动电压线的切割部分可以被设置在多个虚设像素中的一些虚设像素上。
多个虚设像素可以被设置为围绕第一区域和第二区域。
显示面板可以进一步包括多条电极电压线，多条电极电压线各自延伸以与多条驱动电压线交叉。多条电极电压线可以通过接触孔连接到多条驱动电压线以形成网格结构。
多条电极电压线中的一些电极电压线可以在第一区域和第二区域周围被切割，并且多条电极电压线的切割部分可以被设置在多个虚设像素中的一些虚设像素上。
多个虚设像素中的每个虚设像素可以包括虚设像素电路，虚设像素电路可以包括驱动薄膜晶体管和与驱动薄膜晶体管重叠的存储电容器，并且存储电容器的一个电极可以被提供为多条电极电压线中的一些电极电压线。
第一区域的尺寸可以大于第二区域的尺寸。
多个虚设像素可以围绕第一区域和第二区域，并且围绕第一区域的虚设像素的行数可以小于围绕第二区域的虚设像素的行数。
非显示区域的形状可以与第一区域的形状和第二区域的形状有关。
显示面板可以进一步包括与非显示区域中的第一区域和第二区域隔开的第三区域。第一区域、第二区域和第三区域可以是传输光或声音的开口区域或传输区域。
实施例可以涉及显示面板。显示面板可以包括基板、发射像素、虚设像素和驱动电压线。基板可以包括用于光传输和声传输中的至少一种的第一传输区域、围绕第一传输区域的非显示区域以及围绕非显示区域的显示区域。发射像素可以被设置在显示区域中，可以包括第一发射像素，并且可以发光。虚设像素可以被设置在非显示区域中，可以包括第一虚设像素，并且可以不发光。驱动电压线可以将驱动电压传输到发射像素和虚设像素。驱动电压线可以包括第一驱动电压线和第二驱动电压线。第一驱动电压线可以与第二驱动电压线隔开，可以与第二驱动电压线对准，并且可以与第一虚设像素重叠。第一传输区域可以被放置在第一驱动电压线与第二驱动电压线之间。
虚设像素可以围绕第一传输区域。
第一发射像素可以包括像素电路和显示元件。像素电路可以包括至少一个晶体管。显示元件可以电连接到像素电路。第一虚设像素包括虚设像素电路。虚设像素电路可以包括至少一个虚设晶体管。像素电路的结构可以与虚设像素电路的结构相同。
显示面板可以进一步包括被设置在像素电路和虚设像素电路上的像素限定层。像素限定层可以包括与第一发射像素对应的开口。像素限定层可以具有与第一虚设像素重叠的平坦表面。
显示面板可以进一步包括有机发射层。有机发射层的第一部分可以被设置在像素限定层的开口内。有机发射层的第二部分可以与虚设像素重叠，并且与有机发射层的第一部分相比可以被放置得更远离基板。
显示面板可以进一步包括彼此顺序地堆叠的第一公共层、有机发射层和第二公共层。第一公共层的第一部分、有机发射层的第一部分和第二公共层的第一部分可以被设置在像素限定层的开口内。第一公共层的第二部分和第二公共层的第二部分各自与虚设像素重叠，并且分别与第一公共层的第一部分和第二公共层的第一部分相比可以被放置得更远离基板。
显示面板可以进一步包括连接到像素电路的像素电极、被设置在像素限定层的开口内的中间层以及被设置在中间层上的对电极。对电极的第一部分可以与像素电极重叠。对电极的第二部分可以与虚设像素重叠，并且与对电极的第一部分相比可以被放置得更远离基板。
显示面板可以进一步包括电极电压线，电极电压线与驱动电压线交叉并且通过接触孔电连接到驱动电压线以形成导电网格结构。
虚设像素可以进一步包括第二虚设像素。电极电压线可以包括第一电极电压线和第二电极电压线。第一电极电压线可以与第二电极电压线隔开，可以与第二电极电压线对准，并且可以与第二虚设像素重叠。第一传输区域可以被放置在第一电极电压线与第二电极电压线之间。
第一虚设像素可以包括虚设像素电路。虚设像素电路可以包括驱动薄膜晶体管和与驱动薄膜晶体管重叠的存储电容器。存储电容器的一个电极可以是电极电压线中的一条。
实施例可以涉及显示面板。显示面板可以包括基板、发射像素、虚设像素和驱动电压线。基板可以包括用于光传输和声传输中的至少一种的第一传输区域、围绕第一传输区域的非显示区域以及围绕非显示区域的显示区域。发射像素可以被设置在显示区域中，可以包括第一像素，并且可以发光。虚设像素可以被设置在非显示区域中，可以包括第一虚设像素，并且可以不发光。驱动电压线可以将驱动电压传输到发射像素和虚设像素。驱动电压线可以包括第一驱动电压线、第二驱动电压线和第三驱动电压线。第一驱动电压线可以与第二驱动电压线隔开，并且可以与第二驱动电压线对准。第一传输区域可以被放置在第一驱动电压线与第二驱动电压线之间。第三驱动电压线可以与非显示区域的边界交叉至少两次，并且可以比第一驱动电压线和第二驱动电压线中的每个长。
第一驱动电压线可以与第一虚设像素重叠。
虚设像素可以围绕第一传输区域。
显示面板可以进一步包括电极电压线，电极电压线与驱动电压线交叉并且通过接触孔电连接到驱动电压线以形成导电网格结构。
虚设像素可以进一步包括第二虚设像素。电极电压线可以包括第一电极电压线和第二电极电压线。第一电极电压线可以与第二电极电压线隔开，可以与第二电极电压线对准，并且可以与第二虚设像素重叠。第一传输区域可以被放置在第一电极电压线与第二电极电压线之间。
第一虚设像素可以包括虚设像素电路。虚设像素电路可以包括驱动薄膜晶体管和与驱动薄膜晶体管重叠的存储电容器。存储电容器的一个电极可以是电极电压线中的一条。
显示面板可以进一步包括第二传输区域，第二传输区域被非显示区域围绕并且小于第一传输区域。
围绕第一传输区域而不围绕第二传输区域的虚设像素的总数可以小于围绕第二传输区域而不围绕第一传输区域的虚设像素的总数。
非显示区域的两个边缘可以彼此相对，并且可以被放置在第一传输区域与第二传输区域之间。非显示区域的两个边缘之间的距离可以小于第一传输区域的最大宽度和第二传输区域的最大宽度中的至少一个。
显示面板可以进一步包括第二传输区域和第三传输区域，第二传输区域和第三传输区域都与第一区域隔开并且都被非显示区域围绕。虚设像素的第一子集可以被放置在第一传输区域与第二传输区域之间。虚设像素的第二子集可以被放置在第二传输区域与第三传输区域之间。
附图说明
图1是根据实施例的显示设备的示意性透视图。
图2A、图2B和图2C各自图示了根据实施例的显示设备的截面图。
图3A、图3B和图3C各自图示了根据实施例的显示设备的截面图。
图4是根据实施例的显示面板的示意性平面图。
图5A是图4的区域III的实施例的平面图。
图5B是图4的区域III的实施例的平面图。
图6A、图6B、图6C和图6D各自图示了根据实施例的像素和虚设像素的截面图。
图7A和图7B各自图示了根据实施例的像素的等效电路图。
图8是根据实施例的像素电路的平面图。
图9是示意性地图示根据实施例的围绕显示面板的区域的线中的一些线的布置的平面图。
图10是根据实施例的显示面板的一部分的平面图。
图11是根据实施例的显示面板的一部分的平面图。
图12是根据实施例的显示面板的一部分的平面图。
图13是根据实施例的显示面板的一部分的平面图。
具体实施方式
参考附图描述示例实施例。所描述的实施例可以以许多不同的形式体现。
相同或相似的部件可以被赋予相同的附图标记，并且相关描述可以不再重复。
虽然可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种部件，但这些部件不应受这些术语限制。使用这些术语以将一个部件与另一部件区别开来。第一元件可以被称为第二元件，而不背离一个或多个实施例的教导。如“第一”元件的元件的描述可不要求或暗示存在第二元件或其他元件。术语“第一”、“第二”等可用于区分不同类别或集合的元件。为了简明，术语“第一”、“第二”等可分别代表“第一类型(或第一集合)”、“第二类型(或第二集合)”等。
单数形式“一”、“该”和“所述”也可以表示复数形式，除非上下文清楚地另外指出。
术语“包括”和/或“包含”可以指定存在所陈述的特征或部件，但可以不排除一个或多个其他特征或部件的存在或添加。
当第一元件被称为在第二元件“上”、“连接到”或“耦接到”第二元件时，第一元件可以直接或间接地在第二元件上、连接到或耦接到第二元件。一个或多个中间元件可以存在于第一元件与第二元件之间。
为便于说明，可以夸大图中元件的尺寸。
当某一实施例可被不同地实现时，特定工艺可以以与所描述的顺序不同的顺序被执行。例如，两个连续描述的工艺可以基本同时被执行，或以与所描述的顺序相反的顺序被执行。
术语“连接”或术语“耦接”可意味着“电连接”或“电耦接”。
图1是根据实施例的显示设备1的示意性透视图。
参考图1，显示设备1包括可以发光的显示区域DA以及不发光的非显示区域NDA。
显示设备1可以通过显示区域DA提供图像。显示设备1可以包括液晶显示器(LCD)、电泳显示器、有机发光显示器、无机发光显示器、量子点发光显示器、场发射显示器、表面传导电子发射器显示器、等离子体显示器或阴极射线显示器。
根据实施例，显示设备1可以是有机发光显示器。
显示设备1包括第一区域R1和第二区域R2。在第一区域R1和第二区域R2中，电子元件被设置。第一区域R1和第二区域R2可以是/包括开口(例如，腔或通孔)和/或传输区域，该传输区域能够从电子元件传输光或/和声音，或能够将光或/和声音传输到电子元件。一个、两个、三个或更多个开口和/或传输区域可以包含在显示设备1中。
根据实施例，在第一区域R1和第二区域R2处，透光率可以为大约30％或更大、50％或更大、70％或更大、80％或更大、或85％或更大。
非显示区域NDA可以包括围绕区域R1和R2的第一非显示区域NDA1，并且可以包括围绕显示区域DA的第二非显示区域NDA2。第一非显示区域NDA1可以完全围绕第一区域R1和第二区域R2，显示区域DA可以完全围绕第一非显示区域NDA1，并且第二非显示区域NDA2可以完全围绕显示区域DA。
区域R1和R2在图1中被放置在显示区域DA的右上侧。根据实施例，第一区域R1和第二区域R2的位置可以与图1中所示的位置不同。
图2A至图2C各自图示了根据实施例的沿图1的线II-II’截取的显示设备1的示意性截面图。
参考图2A，显示设备1可以包括显示面板10以及分别与显示面板10的区域R1和R2对应的电子元件20和30。尽管未示出，但是诸如用于感测触摸输入的输入感测构件、包括偏振器和延迟器或者滤色器和黑矩阵的防反射构件、以及透明窗口的一个或多个部件可以被设置在显示面板10上/中。
显示面板10可以包括基板100、面对基板100的封装基板400A以及在基板100与封装基板400A之间的密封构件450。
基板100可以包括玻璃或聚合物树脂。聚合物树脂的示例可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)和醋酸丙酸纤维素(CAP)。包括聚合物树脂的基板100可以是柔性的、可卷曲的或可弯曲的。基板100可以具有包括聚合物树脂层和无机层(未示出)的多层结构。封装基板400A可以包括玻璃或聚合物树脂。
薄膜晶体管TFT、连接到薄膜晶体管TFT的有机发光二极管OLED以及信号线SGL被设置在基板100的显示区域DA(与显示设备1的显示区域DA对应)中。信号线SGL和虚设薄膜晶体管TFT’被设置在基板100的第一非显示区域NDA1中。
信号线SGL可以将某些信号(例如，数据信号和扫描信号)提供到关于区域R1和R2在y方向上彼此隔开的显示元件。
显示面板10可以包括与区域R1和R2对应的通孔。例如，基板100和封装基板400A可以分别包括通孔100H和通孔400AH，其中通孔100H与区域R1和R2对应，并且通孔400AH与区域R1和R2对应。基板100与封装基板400A之间的绝缘层IL或元件的与区域R1和R2对应的部分可以全部被移除。
图2A图示了密封构件450被设置在区域R1和R2中的每个区域的相对侧。当在垂直于基板100的主表面的方向上观察时，即，在显示面板10的平面图中，区域R1和R2中的每个可以被密封构件450完全围绕。
电子元件20和30可以分别位于区域R1和R2中。电子元件20和30可以是使用、输入和/或输出光或声音的电子元件。例如，电子元件可以是接收并使用光的传感器(例如红外传感器)、接收光并捕获图像的摄像机、输出并感测光或声音以测量距离或识别指纹的传感器、输出光的小灯或输出声音的扬声器。使用光的电子元件可以使用诸如可见光、红外光和/或紫外光的各种波段中的一种或多种波段的光。
如在图2A中，由于显示面板10包括与区域R1和R2对应的通孔，因此光或声音可以被电子元件20有效地输出或接收。
显示面板10的一些元件可以不包括与区域R1和R2对应的通孔。例如，如图2B中所示，封装基板400A可以包括与区域R1和R2对应的通孔400AH，但基板100可以不包括通孔。可替代地，如图2C中所示，封装基板400A和基板100都可以不包括与区域R1和R2对应的通孔。如图2B和图2C中所示，即使基板100不包括通孔100H，基板100与封装基板400A之间的绝缘层IL和/或元件也可以包括与区域R1和R2对应的腔，并且因此可以为电子元件20和30的操作提供足够的透光率。当显示设备1包括图2B和图2C的显示面板10中的任一显示面板时，电子元件20和30可以是使用光的电子元件。
图3A至图3C各自图示了根据实施例的沿图1的线II-II’截取的显示设备1的示意性截面图。
与上面参考图2A描述的显示设备1类似，图3A的显示设备1可以包括包含显示元件的显示面板10以及分别与显示面板10的区域R1和R2对应的电子元件20和30。尽管未示出，但显示设备1可以进一步包括被设置在显示面板10上的用于感测触摸输入的输入检测构件、防反射构件、窗口等。
显示面板10可以包括用于增强柔性的薄膜封装层400B。
薄膜封装层400B可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。图3A图示了无机封装层410和430以及中间的有机封装层420。
无机封装层410和430可以包括诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氧氮化硅的至少一个无机绝缘材料。有机封装层420可以包括聚合物类材料。聚合物类材料的示例可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。
显示面板10可以包括与区域R1和R2对应的通孔。例如，基板100和薄膜封装层400B可以分别包括通孔100H和通孔400BH。使用光或声音的电子元件20和30可以分别被设置在区域R1和R2中。
如图3B中所示，薄膜封装层400B可以包括与区域R1和R2对应的通孔400BH，但基板100可以不包括通孔。可替代地，如图3C中所示，薄膜封装层400B和基板100都可以不包括与区域R1和R2对应的通孔。如图3B和图3C中所示，即使基板100不包括通孔100H，基板100与封装基板400B之间的绝缘层IL和/或元件也可以包括与区域R1和R2对应的通孔和/或腔，因此足够的透光率可以使电子元件20和30的操作成为可能。
如图3A和图3B中所示，当薄膜封装层400B包括通孔400BH时，至少一个无机封装层和至少一个有机封装层中的每个可以包括与通孔400BH对应的孔。在此情况下，使每个有机封装层的孔大于每个无机封装层的孔，并且因此无机封装层410和430可以在区域R1和R2周围彼此直接接触。
如图3C中所示，当薄膜封装层400B不包括通孔时，至少一个无机封装层和至少一个有机封装层中的每个可以覆盖区域R1和R2。基板100与薄膜封装层400B之间的绝缘层IL可以包括通孔和/或腔。绝缘层IL的与区域R1和R2对应的部分在图3A中被完全移除。在实施例中，构成绝缘层IL的多层中的一些层的仅部分可以被移除。
图4是根据实施例的显示面板10的示意性平面图，并且图5A和图5B各自图示了根据实施例的图4的区域III的平面图。
参考图4以及图5A或图5B，显示面板10包括被设置在显示区域DA中的多个像素P。像素P中的每个可以包括诸如有机发光二极管的显示元件。像素P可以使用有机发光二极管发射例如红光、绿光、蓝光或白光。可以通过上面参考图2A至图3C描述的封装构件保护显示区域DA免受外部空气或水分。
第一非显示区域NDA1围绕区域R1和R2。第一非显示区域NDA1不用于显示图像。将信号提供到区域R1和R2周围的像素P的信号线可以被设置在第一非显示区域NDA1中。不发光的虚设像素Pd被设置在第一非显示区域NDA1中。
第二非显示区域NDA2可以包括将扫描信号提供到像素P和虚设像素Pd的扫描驱动器1000、将数据信号提供到像素P和虚设像素Pd的数据驱动器2000以及用于提供驱动电压和公共电压的主电源线(未示出)。
图5A和图5B是图4的区域III的平面图。
参考图5A和图5B，第一区域R1和第二区域R2在第一方向(x方向)上被设置(并被对准)，第一非显示区域NDA1围绕第一区域R1和第二区域R2，并且显示区域DA围绕第一非显示区域NDA1。
像素P被设置在显示区域DA中，并且虚设像素Pd被设置在第一非显示区域NDA1中。多条信号线可以将像素P电连接到虚设像素Pd。图5A图示了各自基本在第一方向(x方向)上延伸的扫描线SLa和SLb将显示区域DA中的像素P连接到第一非显示区域NDA1中的虚设像素Pd，并且图示了(数据线DLa和)数据线DLb可以基本在第二方向(y方向)上将像素P电连接到虚设像素Pd，并且可以与扫描线SLa和SLb交叉。
一些扫描线SLa可以各自基本在第一方向(x方向)上延伸，以将信号提供到被放置在第一非显示区域NDA1的相对侧(例如，左侧和右侧)的像素P以及提供到被放置在第一非显示区域NDA1中的虚设像素Pd，但可以绕过第一非显示区域NDA1中的第一区域R1和第二区域R2(或在第一非显示区域NDA1中的第一区域R1和第二区域R2周围绕行)。被设置得足够远离第一非显示区域NDA1中的第一区域R1和第二区域R2的一些扫描线SLb或不横穿第一非显示区域NDA1的扫描线可以各自在基本直线上延伸。
一些数据线DLa可以各自基本在第二方向(y方向)上延伸，以将信号提供到被设置在第一非显示区域NDA1的相对侧(例如，上侧和下侧)的像素P，但可以绕过第一非显示区域NDA1中的第一区域R1和第二区域R2(或在第一非显示区域NDA1中的第一区域R1和第二区域R2周围绕行)。被设置在第一非显示区域NDA1中的第一区域R1与第二区域R2之间的一些数据线DLb或不横穿第一非显示区域NDA1的数据线可以各自在基本直线上延伸。
例如，当第一区域R1和第二区域R2具有圆形形状时，靠近第一区域R1和第二区域R2放置的信号线可以沿第一区域R1和第二区域R2弯曲，并且远离第一区域R1和第二区域R2放置的信号线可以各自在直线上延伸。
被放置在第一非显示区域NDA1中的虚设像素Pd可以包括不发光元件，并且即使当它们从信号线接收到电信号时也可以不发光。
虚设像素Pd可以被包含以确保图案密度的均匀性以及电气负载的均匀性。如果在第一非显示区域NDA1中没有设置虚设像素Pd，并且如果在第一非显示区域NDA1中仅设置了信号线SLa、SLb、DLa和DLb(将显示区域DA中的像素P彼此连接)，则图案密度在第一非显示区域NDA1中低；结果，在刻蚀期间可能不期望地形成不均匀的图案。
此外，如果在第一非显示区域NDA1中没有设置虚设像素Pd，则在第一非显示区域NDA1及其周围中的寄生电容或负载可以与显示区域DA的中心部分中的寄生电容或负载不同。因此，所显示的图像的亮度可能不期望地是不均匀的。
根据实施例，第一非显示区域NDA1包括具有与包含在每个像素P中的像素电路PC(参见图7A)基本相同的结构的虚设像素电路PC’(参见图6A)，并且电信号被施加到虚设像素电路PC’；因此，图案密度的均匀性和电气负载的均匀性都可以确保。
虚设像素Pd可以被放置在第一区域R1与第二区域R2之间的第一非显示区域NDA1中。
如图5B中所示，虚设像素Pd可以围绕第一区域R1和/或第二区域R2。虚设像素Pd可以在第一区域R1与第二区域R2之间，并且可以在第一区域R1的左侧、上侧和下侧并且靠近显示区域DA。虚设像素Pd可以在第二区域R2的右侧、上侧和下侧并且靠近显示区域DA。
虚设像素Pd可以被设置在像素P与第一区域R1之间和/或在像素P与第二区域R2之间。虚设像素Pd可以保护(显示区域DA中的)像素P免受可能在第一区域R1和/或第二区域R2周围发生的静电放电(ESD)的影响。虚设像素Pd可以用作用于防止由ESD引起的大电压被传输到像素P的缓冲器。
图6A至图6D各自图示了根据实施例的像素P和虚设像素Pd的示意性截面图。
参考图6A，像素P可以包括包含至少一个薄膜晶体管TFT的像素电路PC，并且可以包括作为显示元件的有机发光二极管OLED。虚设像素Pd可以包括虚设像素电路PC’，虚设像素电路PC’包括至少一个虚设薄膜晶体管TFT’。像素电路PC和虚设像素电路PC’可以具有相同的结构。
在虚设像素Pd中，显示元件的一些部件被移除或不被提供，使得即使当电信号被施加到虚设像素电路PC’时也不发光。
与像素P相比，没有像素电极310被设置在虚设像素Pd中，并且因此不发光。虚设像素Pd可以不包括有机发光二极管OLED的对电极330。可以进行各种修改。
尽管在图6A中，单个薄膜晶体管TFT被包括在像素电路PC中并且单个薄膜晶体管TFT’被包括在虚设像素电路PC’中，但可以包括多个(例如，两个至七个)薄膜晶体管TFT和多个(例如，两个至七个)薄膜晶体管TFT’。可以进行各种修改。
基板100可以包括玻璃材料、金属材料、或者柔性或可弯曲的材料。当基板100为柔性或可弯曲时，基板100可以包括聚合物树脂，诸如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)或醋酸丙酸纤维素(CAP)。基板100可以具有单层或多层的结构。多层结构可以包括无机层。在一些实施例中，基板100可以具有堆叠的有机材料、无机材料和有机材料的结构。
缓冲层111可以被放置在基板100上，并且可以减少或防止异物、水分或环境空气从基板100渗透到电路PC和PC’，并且可以在基板100上提供平坦的表面。缓冲层111可以包括无机材料(诸如氧化物或氮化物)、有机材料、或有机和无机复合材料/组合，并且可以包括单层或无机材料和有机材料的多层。
阻挡层(未示出)可以被进一步包括在基板100与缓冲层111之间。阻挡层可以防止或最小化杂质从基板100等渗透到半导体层A和A’中。阻挡层可以包括无机材料(诸如氧化物或氮化物)、有机材料、或有机和无机组合/复合材料，并且可以形成为单层或无机材料和有机材料的多层。
半导体层A和A’可以被设置在缓冲层111上。半导体层A和A’可以包括非晶硅或多晶硅。根据实施例，半导体层A和A’可以包括从由铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、铯(Cs)、铈(Ce)和锌(Zn)组成的组中选择的至少一种的氧化物。在一些实施例中，半导体层A和A’可以由作为基于Zn氧化物的材料的Zn氧化物、In-Zn氧化物、Ga-In-Zn氧化物等形成。在实施例中，半导体层A和A’可以是在ZnO中包含诸如In、Ga或Sn的金属的In-Ga-Zn-O(IGZO)、In-Sn-Zn-O(ITZO)或In-Ga-Sn-Zn-O(IGTZO)半导体。半导体层A和A’各自可以包括沟道区以及分别被设置在沟道区的两侧的源区和漏区。半导体层A和A’中的每个可以是单层或多层。
栅电极G和G’利用中间的第一栅绝缘层112被设置在半导体层A和A’上；栅电极G和G’与半导体层A和A’至少部分地重叠。栅电极G和G’可以包括例如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)，并且各自可以包括单层或多层。例如，栅电极G和G’中的每个可以包括Mo的单层。
第一栅绝缘层112可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化锌(ZnO2)等。
第二栅绝缘层113可以覆盖栅电极G和G’。第二栅绝缘层113可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化锌(ZnO2)等。
存储电容器Cst和Cst’的第一存储电容器板CE1和CE1’可以与薄膜晶体管TFT和TFT’重叠。薄膜晶体管TFT和TFT’的栅电极G和G’可以用作存储电容器Cst和Cst’的第一存储电容器板CE1和CE1’。
存储电容器Cst和Cst’的第二存储电容器板CE2和CE2’利用中间的第二栅绝缘层113与第一存储电容器板CE1和CE1’重叠。第二栅绝缘层113可以用作存储电容器Cst和Cst’的介电层。第二存储电容器板CE2和CE2’可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)的导电材料，并且各自可以是多层结构或单层结构。例如，第二存储电容器板CE2和CE2’各自可以包括Mo的单层结构或Mo-Al-Mo的多层结构。
在图6A至图6D中，存储电容器Cst和Cst’与薄膜晶体管TFT和TFT’重叠。在实施例中，存储电容器Cst和Cst’可以与薄膜晶体管TFT和TFT’不重叠。
层间绝缘层115可以覆盖存储电容器Cst和Cst’的第二存储电容器板CE2和CE2’。层间绝缘层115可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化锌(ZnO2)等。
源电极S和S’以及漏电极D和D’可以被设置在层间绝缘层115上。源电极S和S’以及漏电极D和D’中的每个可以包括包含Mo、Al、Cu和Ti的导电材料，并且可以是多层结构或单层结构。例如，源电极S和S’以及漏电极D和D’中的每个可以是Ti-Al-Ti的多层结构。
贯穿层117和附加贯穿层118可以被放置在源电极S和S’以及漏电极D和D’上，并且有机发光二极管OLED可以被放置在像素P的区域中、附加贯穿层118上。在一些实施例中，附加贯穿层118可以是不必要的。
贯穿层117和附加贯穿层118可以具有平坦的上表面，使得像素电极310可以足够平坦。贯穿层117和附加贯穿层118可以各自是包括有机材料的单层或包括有机材料的多层。贯穿层117和附加贯穿层118可以包括诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅醚(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的聚合物、具有苯酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、丙烯酰醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物、它们的混合物等。贯穿层117和附加贯穿层118可以包括无机材料。贯穿层117和附加贯穿层118可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化锌(ZnO2)等。当贯穿层117和附加贯穿层118包括无机材料时，可以进行化学平坦化抛光。贯穿层117可以包括有机材料和无机材料两者。
在基板100的显示区域DA中，有机发光二极管OLED被放置在附加贯穿层118上。有机发光二极管OLED包括像素电极310、对电极330以及包括有机发射层的中间层320。
贯穿孔被放置在贯穿层117和附加贯穿层118中，并且可以暴露薄膜晶体管TFT的源电极S和漏电极D中的一个，并且像素电极310通过贯穿孔接触源电极S或漏电极D并且电连接到薄膜晶体管TFT。
像素电极310可以是透明电极、半透光电极或反射电极。像素电极310可以包括由银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或组合/合金形成的反射层，并且可以包括形成在反射层上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以包括从由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)以及氧化铝锌(AZO)组成的组中选择的至少一个。像素电极310可以具有ITO-Ag-ITO的堆叠结构。
像素限定层119可以被布置在附加贯穿层118上。像素限定层119可以在分别与像素电极310对应的开口OP处限定像素P的发光区域。开口OP可以暴露像素电极310的至少中心部分。像素限定层119可以通过增加像素电极310的边缘与对电极330之间的距离来防止在像素电极310的边缘上发生电弧。像素限定层119可以通过旋涂等由诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、六甲基二硅醚(HMDSO)或酚醛树脂的有机绝缘材料形成。
像素P的发光区域可以由像素限定层119的开口OP限定。像素P的边缘可以与像素限定层119的开口OP的边缘对应。像素限定层119的开口OP的边缘可以与像素电极310的通过开口OP暴露的部分的边界对应。
有机发光二极管OLED的中间层320可以包括有机发射层321、以及可以分别被布置在有机发射层321的相对面(例如，底部和顶部)上的第一公共层322和第二公共层323。
有机发射层321可以包括有机材料，该有机材料包括可以发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光或磷光材料。有机发射层321可以包括低分子量有机材料或高分子量有机材料。
第一公共层322可以包括空穴注入层(HIL)和/或空穴传输层(HTL)，并且第二公共层323可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
中间层320可以与像素电极310中的每个对应。第一公共层322和/或第二公共层323可以在像素电极310上方延伸。第一公共层322和/或第二公共层323可以是不必要的。
对电极330可以包括透光电极或反射电极。根据一些实施例，对电极330可以包括透明或半透明电极，并且可以包括具有小/低功函数的金属薄膜，包括锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)或组合/合金。包括透明导电氧化物(TCO)(诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In2O3))的TCO层可以被布置在金属薄膜上。对电极330可以在显示区域DA和非显示区域NDA两者上方延伸，并且可以被设置在中间层320和像素限定层119上。对电极330的部分可以是多个有机发光二极管OLED的部分，并且可以与多个像素电极310对应。
当像素电极310包括反射电极并且对电极330包括透光电极时，由中间层320发射的光朝向对电极330发射，并且显示设备1可以是顶发射型。当像素电极310包括透明或半透明电极并且对电极330包括反射电极时，由中间层320发射的光朝向基板100发射，并且显示设备1可以是底发射型。显示设备1可以朝向显示设备1的顶表面和底表面两者发光。
被设置在基板100的第一非显示区域NDA1中的虚设像素Pd可以不包括像素电极，并且像素限定层119可以不包括与虚设像素Pd对应的开口。像素限定层119可以在虚设像素Pd处具有平坦的上表面。像素限定层119可以由有机材料形成(通过曝光和固化)，并且可以不影响非均匀性或图案密度。
在虚设像素Pd处，中间层320可以被放置在像素限定层119上。即使当中间层320被设置在虚设像素Pd的区域中时，虚设像素Pd也不包括像素电极，并且因此中间层320不发光。
在图6A中，有机发射层321、第一公共层322和第二公共层323都被设置在虚设像素Pd的区域中，就像中间层320被设置在像素P中一样。
在图6B中，有机发射层321、第一公共层322和第二公共层323可以被设置在像素P处；在虚设像素Pd处，可以不设置有机发射层321，并且可以仅设置第一公共层322和第二公共层323。公共层322和323可以在虚设像素Pd处彼此直接接触。
在图6C中，中间层320可以被设置在像素P处，并且在虚设像素Pd处，可以不设置中间层320。对电极330可以在虚设像素Pd处直接接触像素限定层119的上表面。
在图6D中，对电极330可以不被设置在虚设像素Pd中。在虚设像素Pd处，包括与像素电极310中所包含的材料相同的材料并且被放置在其上形成有像素电极310的同一层上的导电层310’可以被设置。中间层320的有机发射层321、第一公共层322和第二公共层323可以被设置在虚设像素Pd中。导电层310’、有机发射层321、第一公共层322和第二公共层323中的至少一个可以不形成在虚设像素Pd处。
由于对电极330使用开口掩模形成在整个显示面板之上，因此对电极330可以与像素P和虚设像素Pd对应。
封盖层340可以被设置在对电极330上。封盖层340可以具有与对电极330不同(更低或更高)的折射率，并且可以通过增大由中间层320产生的光被全反射并被发射到显示面板10外部的百分比来提高发光效率。
封盖层340可以包括有机材料，例如聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(或PEDOT)、4,4’-双[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]联苯(TPD)、4,4’,4”-三[(3-甲基苯基)苯基氨基]三苯胺(m-MTDATA)、1,3,5-三[N,N-双(2-甲基苯基)-氨基]-苯(o-MTDAB)、1,3,5-三[N,N-双(3-甲基苯基)-氨基]-苯(m-MTDAT)、1,3,5-三[N,N-双(4-甲基苯基)-氨基]-苯(p-MTDAB)、4,4’-双[N,N-双(3-甲基苯基)-氨基]-二苯基甲烷(BPPM)、4,4’-联咔唑基-1,1’-联苯(CBP)、4,4’,4”-三(N-咔唑)三苯胺(TCTA)、2,2’,2”-(1,3,5-苯甲苯基)三-[1-苯基-1H-苯并咪唑](TPBI)和3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)中的至少一种。
封盖层340可以包括无机材料，诸如氧化锌、氧化钛、氧化锆、氮化硅、氧化铌、氧化钽、氧化锡、氧化镍、氮化铟和氮化镓中的至少一种。
覆盖层(未示出)可以被设置在封盖层340上。覆盖层保护有机发光二极管OLED免受在使用等离子体等的后续工艺期间可能发生的损坏。封盖层可以包括LiF。
图7A和图7B是根据实施例的显示面板的像素P的示意性等效电路图。
参考图7A，每个像素P包括像素电路PC以及连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管(TFT)T1、开关TFT T2和存储电容器Cst。
开关TFT T2连接到扫描线SL和数据线DL，并且根据通过扫描线SL接收的开关电压，将通过数据线DL接收的数据电压传输到驱动TFT T1。存储电容器Cst连接到开关TFT T2和驱动电压线PL，并且存储与从开关TFT T2接收的电压与供给到驱动电压线PL的驱动电压ELVDD之间的差对应的电压。
驱动TFT T1连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以根据存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流到有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以根据驱动电流发射具有一定亮度的光。有机发光二极管OLED的对电极(例如，阴极)可以接收公共电压ELVSS。
尽管图7A图示了像素电路PC包括两个TFT和一个存储电容器的情况，但本公开并不限于此。TFT的数量和存储电容器的数量可以根据像素电路PC的设计而变化。
参考图7B，像素电路PC可以包括多个TFT和存储电容器Cst。TFT和存储电容器可以连接到信号线SL、SIL、EL和DL、初始化电压线VL以及驱动电压线PL。
尽管在图7B中，每个像素P连接到信号线SL、SIL、EL和DL、初始化电压线VL以及驱动电压线PL，但本公开并不限于此。根据另一实施例，初始化电压线VL、驱动电压线PL以及信号线SL、SIL、EL和DL中的至少一个可以由相邻像素共享。
多个TFT可以包括驱动TFT T1、开关TFT T2、补偿TFT T3、第一初始化TFT T4、操作控制TFT T5、发光控制TFT T6和第二初始化TFT T7。
信号线SL、SIL、EL和DL可以包括传输扫描信号Sn的扫描线SL、将先前扫描信号Sn-1传输到第二初始化TFT T7的先前扫描线SIL、将发光控制信号En传输到操作控制TFT T5和发光控制TFT T6的发光控制线EL、以及与扫描线SL交叉并传输数据信号Dm的数据线DL。驱动电压线PL将驱动电压ELVDD传输到驱动TFT T1，并且初始化电压线VL传输初始化驱动TFTT1和有机发光二极管OLED的像素电极的初始化电压Vint。
驱动TFT T1包括连接到存储电容器Cst的第一存储电容器板CE1的驱动栅电极G1、通过操作控制TFT T5连接到驱动电压线PL的驱动源电极S1、以及通过发光控制TFT T6电连接到有机发光二极管OLED的像素电极的驱动漏电极D1。驱动TFT T1根据开关TFT T2的开关操作接收数据信号Dm，并且将驱动电流IOLED供给到有机发光二极管OLED。
开关TFT T2包括连接到扫描线SL的开关栅电极G2、连接到数据线DL的开关源电极S2、以及连接到驱动TFT T1的驱动源电极S1并且还通过操作控制TFT T5连接到驱动电压线PL的开关漏电极D2。开关TFT T2根据通过扫描线SL接收的扫描信号Sn而被导通，并执行将从数据线DL接收的数据信号Dm传输到驱动TFT T1的驱动源电极S1的开关操作。
补偿TFT T3包括连接到扫描线SL的补偿栅电极G3、连接到驱动TFT T1的驱动漏电极D1并且通过发光控制TFT T6还连接到有机发光二极管OLED的像素电极的补偿源电极S3、以及连接到存储电容器Cst的第一存储电容器板CE1、第一初始化TFT T4的第一初始化漏电极D4和驱动TFT T1的驱动栅电极G1的补偿漏电极D3。补偿TFT T3根据通过扫描线SL接收的扫描信号Sn而被导通，并且将驱动TFT T1的驱动栅电极G1和驱动漏电极D1彼此电连接，使得驱动TFT T1为二极管连接。
第一初始化TFT T4包括连接到先前扫描线SIL的第一初始化栅电极G4、连接到第二初始化TFT T7的第二初始化漏电极D7和初始化电压线VL的第一初始化源电极S4、以及连接到存储电容器Cst的第一存储电容器板CE1、补偿TFT T3的补偿漏电极D3和驱动TFT T1的驱动栅电极G1的第一初始化漏电极D4。第一初始化TFT T4根据通过先前扫描线SIL接收的先前扫描信号Sn-1而被导通，并且将初始化电压Vint传输到驱动TFT T1的驱动栅电极G1，从而初始化驱动TFT T1的驱动栅电极G1的电压。
操作控制TFT T5包括连接到发光控制线EL的操作控制栅电极G5、连接到驱动电压线PL的操作控制源电极S5、以及连接到驱动TFT T1的驱动源电极S1和开关TFT T2的开关漏电极D2的操作控制漏电极D5。
发光控制TFT T6包括连接到发光控制线EL的发光控制栅电极G6、连接到驱动TFTT1的驱动漏电极D1和补偿TFT T3的补偿源电极S3的发光控制源电极S6、以及电连接到第二初始化TFT T7的第二初始化源电极S7和有机发光二极管OLED的像素电极的发光控制漏电极D6。
操作控制TFT T5和发光控制TFT T6根据通过发光控制线EL接收的发光控制信号En同时被导通，并且因此驱动电压ELVDD被传输到有机发光二极管OLED，使得驱动电流IOLED可以流入有机发光二极管OLED。
第二初始化TFT T7包括连接到先前扫描线SIL的第二初始化栅电极G7、连接到发光控制TFT T6的发光控制漏电极D6和有机发光二极管OLED的像素电极的第二初始化源电极S7、以及连接到第一初始化TFT T4的第一初始化源电极S4和初始化电压线VL的第二初始化漏电极D7。第二初始化TFT T7根据通过先前扫描线SIL接收的先前扫描信号Sn-1被导通，并且初始化有机发光二极管OLED的像素电极。
尽管在图7B中，第一初始化TFT T4和第二初始化TFT T7连接到先前扫描线SIL，但本公开并不限于此。根据另一实施例，第一初始化TFT T4可以连接到先前扫描线SIL并根据先前扫描信号Sn-1操作，并且第二初始化TFT T7可以连接到单独的信号线(例如，后续扫描线)并根据被传输到单独的信号线的信号来操作。
存储电容器Cst的第二存储电容器板CE2连接到驱动电压线PL，并且有机发光二极管OLED的对电极连接到公共电压ELVSS。因此，有机发光二极管OLED可以从驱动TFT T1接收驱动电流IOLED并发光，从而显示图像。
尽管在图7B中，补偿TFT T3和第一初始化TFT T4中的每个具有双栅电极，但补偿TFT T3和第一初始化TFT T4中的每个可以具有单个栅电极。
包含在图7A和图7B中所图示的像素P中的像素电路PC可应用于包含在虚设像素Pd中的虚设像素电路PC’。
图8是根据实施例的可应用于显示面板的像素电路的平面图。根据本实施例，虚设像素电路可以与像素电路相同。因此，图8可以是根据实施例的可应用于显示面板的虚设像素电路的平面图。
参考图8，沿半导体层1130设置驱动TFT T1、开关TFT T2、补偿TFT T3、第一初始化TFT T4、操作控制TFT T5、发光控制TFT T6和第二初始化TFT T7。半导体层1130可以被设置在其上设置有包括无机绝缘材料的缓冲层的基板上。
半导体层1130的一些区域与驱动TFT T1、开关TFT T2、补偿TFT T3、第一初始化TFT T4、操作控制TFT T5、发光控制TFT T6和第二初始化TFT T7的半导体层对应。换句话说，可以理解，驱动TFT T1、开关TFT T2、补偿TFT T3、第一初始化TFT T4、操作控制TFT T5、发光控制TFT T6和第二初始化TFT T7的半导体层彼此连接并且被弯曲成各种形状。
半导体层1130包括沟道区以及在沟道区的两个相对侧的源区和漏区。源区和漏区可以被理解为相关TFT的源电极和漏电极。在下文中，为了便于描述，源区和漏区分别被称为源电极和漏电极。
驱动TFT T1包括与驱动沟道区重叠的驱动栅电极G1，以及在驱动沟道区的两个相对侧的驱动源电极S1和驱动漏电极D1。与驱动栅电极G1重叠的驱动沟道区可以通过具有诸如欧米茄形状的弯曲形状而在狭窄的空间内形成长沟道。当驱动沟道区长时，栅电压的驱动范围变宽，并且因此可以更精巧地控制从有机发光二极管OLED发射的光的灰度，并且可以改善显示质量。
开关TFT T2包括与开关沟道区重叠的开关栅电极G2、以及在开关沟道区的两个相对侧的开关源电极S2和开关漏电极D2。开关漏电极D2可以连接到驱动源电极S1。
补偿TFT T3为双TFT，并且因此可以包括分别与两个补偿沟道区重叠的补偿栅电极G3，并且包括被设置在补偿沟道区的两个相对侧的补偿源电极S3和补偿漏电极D3。补偿TFT T3可以通过稍后将描述的节点连接线1174连接到驱动TFT T1的驱动栅电极G1。
第一初始化TFT T4为双TFT，并且因此可以包括分别与两个第一初始化沟道区重叠的第一初始化栅电极G4，并且包括被设置在第一初始化沟道区的两个相对侧的第一初始化源电极S4和第一初始化漏电极D4。
操作控制TFT T5可以包括与操作控制沟道区重叠的操作控制栅电极G5、以及被设置在操作控制沟道区的两个相对侧的操作控制源电极S5和操作控制漏电极D5。操作控制漏电极D5可以连接到驱动源电极S1。
发光控制TFT T6可以包括与发光控制沟道区重叠的发光控制栅电极G6、以及被设置在发光控制沟道区的两个相对侧的发光控制源电极S6和发光控制漏电极D6。发光控制源电极S6可以连接到驱动漏电极D1。
第二初始化TFT T7可以包括与第二初始化沟道区重叠的第二初始化栅电极G7、以及被设置在第二初始化沟道区的两个相对侧的第二初始化源电极S7和第二初始化漏电极D7。
上述TFT可以连接到信号线SL、SIL、EL和DL、初始化电压线VL和驱动电压线PL。
扫描线SL、先前扫描线SIL、发光控制线EL和驱动栅电极G1可以利用一个或多个中间绝缘层被设置在半导体层1130上。
扫描线SL可以在第一方向上延伸。扫描线SL的一些区域可以与开关栅电极G2和补偿栅电极G3对应。例如，扫描线SL的与开关TFT T2和补偿TFT T3的相应沟道区重叠的区域可以分别为开关栅电极G2和补偿栅电极G3。
先前扫描线SIL可以在第一方向上延伸，并且它的一些区域可以分别与初始化栅电极G4和G7对应。例如，先前扫描线SIL的与初始化TFT T4和T7的相应沟道区重叠的区域可以分别为初始化栅电极G4和G7。
发光控制线EL可以在第一方向上延伸。发光控制线EL的一些区域可以分别与操作控制栅电极G5和发光控制栅电极G6对应。例如，发光控制线EL的与操作控制TFT T5和发光控制TFT T6的相应沟道区重叠的区域可以分别为操作控制栅电极G5和发光控制栅电极G6。
驱动栅电极G1为浮置电极，并且因此可以通过上述节点连接线1174与补偿TFT T3电连接。
电极电压线HL可以利用一个或多个中间绝缘层被设置在扫描线SL、先前扫描线SIL、发光控制线EL和驱动栅电极G1上。
电极电压线HL可以在第一方向上延伸以与数据线DL和驱动电压线PL交叉。电极电压线HL的一部分可以覆盖驱动栅电极G1的至少一部分，并且与驱动栅电极G1一起形成存储电容器Cst。例如，驱动栅电极G1可以用作存储电容器Cst的第一存储电容器板CE1，并且电极电压线HL的一部分可以用作存储电容器Cst的第二存储电容器板CE2。
存储电容器Cst的第二存储电容器板CE2电连接到驱动电压线PL。对此，电极电压线HL可以通过接触孔CNT连接到被设置在电极电压线HL上的驱动电压线PL。因此，电极电压线HL可以具有与驱动电压线PL相同的电压电平(恒定电压)。例如，电极电压线HL可以具有+5V的恒定电压。电极电压线HL可以被理解为在第一方向(x方向)上延伸的驱动电压线。
由于驱动电压线PL在第二方向(y方向)上延伸并且电连接到驱动电压线PL的电极电压线HL在与第二方向交叉的第一方向上延伸，因此多条驱动电压线PL和多条电极电压线HL可以在显示区域DA中构成网格结构。
电极电压线HL可以被设置在与其上设置有驱动电压线PL的层不同的层上，并且电极电压线HL可以具有比驱动电压线PL大的比电阻。
数据线DL、驱动电压线PL、初始化连接线1173和节点连接线1174可以利用一个或多个中间绝缘层被设置在电极电压线HL上。
数据线DL可以在第二方向上延伸，并且可以通过接触孔1154连接到开关TFT T2的开关源电极S2。数据线DL的一部分可以被理解为开关源电极S2。
驱动电压线PL在第二方向上延伸，并且通过如上所述的接触孔CNT连接到电极电压线HL。驱动电压线PL也可以通过接触孔1155连接到操作控制TFT T5。驱动电压线PL可以通过接触孔1155连接到操作控制源电极S5。
初始化连接线1173的一端可以通过接触孔1152连接到初始化TFT T4和T7，并且初始化连接线1173的另一端可以通过接触孔1151连接到下面将描述的初始化电压线VL。
节点连接线1174的一端可以通过接触孔1156连接到补偿漏电极D3，并且节点连接线1174的另一端可以通过接触孔1157连接到驱动栅电极G1。
初始化电压线VL可以利用一个或多个中间绝缘层被设置在数据线DL、驱动电压线PL、初始化连接线1173和节点连接线1174上。
初始化电压线VL在第一方向上延伸。初始化电压线VL可以通过初始化连接线1173连接到初始化TFT T4和T7。初始化电压线VL可以具有恒定电压(例如，-2V)。
初始化电压线VL可以被设置在其上设置有第二存储电容器板CE2(即，电极电压线HL)的同一层上，并且可以包括与包含在第二存储电容器板CE2(即，电极电压线HL)中的材料相同的材料。在显示区域DA中，有机发光二极管OLED的像素电极可以连接到发光控制TFTT6。像素电极可以通过接触孔1163连接到连接金属1175，并且连接金属1175可以通过接触孔1153连接到发光控制漏电极D6。
图9是示意性地图示被设置在第一区域R1周围的扫描线SL、数据线DL、驱动电压线PL和电极电压线HL中的一些的平面图。在图9中，为了清楚起见，未示出连接到像素和虚设像素的一些布线。
参考图9，扫描线SL可以各自基本在第一方向(x方向)上延伸，并且数据线DL可以各自基本在第二方向(y方向)上延伸并且可以与扫描线SL交叉。
在第一非显示区域NDA1中，一些扫描线SLa可以在第一区域R1周围绕行。例如，一些扫描线SLa可以沿第一区域R1的上边缘弯曲，并且其他扫描线SLa可以沿第一区域R1的下边缘弯曲。位于第一区域R1的左侧和右侧的虚设像素Pd可以电连接到在第一区域R1周围绕行的扫描线SLa。
连接到被设置在第一非显示区域NDA1中的第一区域R1的上侧和下侧的虚设像素Pd的扫描线SLb可以各自在第一方向(x方向)上沿直线延伸，而不沿第一区域R1的边缘弯曲。
在第一非显示区域NDA1中，一些数据线DLa可以在第一区域R1周围绕行。例如，一些数据线DLa可以沿第一区域R1的左边缘弯曲，并且其他数据线DLa可以沿第一区域R1的右边缘弯曲。位于第一区域R1的上侧和下侧的虚设像素Pd可以电连接到在第一区域R1周围绕行的数据线DLa。
在第一非显示区域NDA1中，连接到第一区域R1的左侧和/或第二区域R2的右侧的虚设像素Pd或在区域R1与R2之间的一些虚设像素Pd的数据线DLb可以各自在第二方向(y方向)上沿直线延伸，而不沿区域R1和R2的边缘弯曲。
驱动电压线PLa和PLb可以被设置在其上设置有数据线DLa和DLb的同一层上，并且可以与数据线DLa和DLb隔开。驱动电压线PLa和PLb可以各自在第二方向上延伸，使得驱动电压线PLa和PLb与扫描线SLa和SLb交叉。驱动电压线PLa和PLb中的一些驱动电压线PLb可以各自连续地延伸以横穿第一非显示区域NDA1，但第一区域R1周围的驱动电压线PLa可以被切割和/或可以在第一区域R1周围不连续。一些驱动电压线PLa可以被设置成彼此分开，并且关于驱动电压线之间的第一区域R1彼此对准。同样地，一些驱动电压线PLa可以被设置成彼此分开，并且关于驱动电压线PLa之间的第二区域R2彼此对准。
电极电压线HLa和HLb可以各自在第一方向上延伸，并且可以与驱动电压线PLa和PLb交叉。一些电极电压线HLb可以各自连续地延伸以横穿第一非显示区域NDA1，但一些电极电压线HLa可以被切割和/或可以在区域R1和R2周围不连续。一些电极电压线HLa可以被设置成彼此分开，并且关于电极电压线HLa之间的第一区域R1彼此对准。同样地，一些电极电压线HLa可以被设置成彼此分开，并且关于电极电压线HLa之间的第二区域R2彼此对准。
驱动电压线PLa和PLb以及电极电压线HLa和HLb可以通过接触孔CNT电连接到虚设像素电路PC’。在区域R1与R2之间，由于驱动电压线PLb与电极电压线HLa交叉并且电连接到电极电压线HLa，因此驱动电压线PLb以及电极电压线HLa可以构成导电网格结构。
电极电压线HLa和HLb可以与包含在虚设像素电路PC’中的存储电容器Cst’的第二存储电容器板CE2’一体地形成，与图8的像素电路类似。
尽管一些驱动电压线PLa被设置成在第一区域R1和第二区域R2的相对侧彼此分开，但是由于第一区域R1与第二区域R2之间的虚设像素Pd通过电极电压线HLa和HLb彼此连接，因此可以最小化关于驱动电压ELVDD的电压降。
第一区域R1或第二区域R2的上侧或下侧的虚设像素Pd可以电连接到被隔开并且被对准的驱动电压线PLa(并且与被隔开并且被对准的驱动电压线PLa重叠)。第一区域R1与第二区域R2之间的虚设像素Pd可以电连接到驱动电压线PLb(并且与驱动电压线PLb重叠)，驱动电压线PLb各自在第二方向上从第一非显示区域NDA1的底部连续地延伸到第一非显示区域NDA1的顶部。
第一区域R1与第二区域R2之间的虚设像素Pd也可以电连接到被隔开并且被对准的电极电压线HLa(并且与被隔开并且被对准的电极电压线HLa重叠)。第一区域R1和/或第二区域R2的上侧或下侧的虚设像素Pd可以电连接到电极电压线HLb(并且与电极电压线HLb重叠)，电极电压线HLb各自在第一方向上连续地延伸。
根据实施例，被切割的(即，被隔开并且被对准的)驱动电压线PLa或被切割的(即，被隔开并且被对准的)的电极电压线HLa连接到虚设像素Pd而不是像素P；因此，虚设像素Pd用作电压特性的缓冲器。因此，可以稳定像素P的特性。
图10至图13各自图示了根据实施例的显示面板的一部分的平面图。
参考图10至图13，可以根据实施例来配置第一区域R1和第二区域R2的尺寸和/或形状。例如，第一区域R1的直径可以大于第二区域R2的直径。
在图10的实施例中，即使当第一区域R1和第二区域R2具有不同尺寸和/或不同形状时，第一非显示区域NDA1的一部分也可以在第一区域R1与第二区域R2之间，并且第一非显示区域NDA1的外边界可以关于在第二方向(y方向)上延伸的参考线RL对称。围绕第一区域R1的虚设像素Pd的行/层的数量可以与围绕第二区域R2的虚设像素Pd的行/层的数量不同。
例如，虚设像素Pd的一个行/层/圆RW可以围绕第一区域R1，并且虚设像素Pd的第一行/层/圆RW1和第二行/层/圆RW2可以围绕第二区域R2。
参考线RL与第一区域R1之间的虚设像素Pd的数量可以与参考线RL与第二区域R2之间的虚设像素Pd的数量不同(即，不相等)。
在图11的实施例中，第一非显示区域NDA1的左边缘可以与第一区域R1隔开d的距离，并且第一非显示区域NDA1的右边缘可以与第二区域R2隔开d的距离。第一非显示区域NDA1在第二方向(y方向)上的宽度可以在第一区域R1与第二区域R2之间在第一方向(x方向)上逐渐减小。
在图12的实施例中，第一非显示区域NDA1的轮廓(或外边界)可以包括沿第一区域R1的边缘弯曲的曲线CL1、沿第二区域R2的边缘弯曲的曲线CL2以及彼此平行并且将曲线CL1和CL2彼此连接的两条直线SL1和SL2。因此，在第二方向(y方向)上，在第一非显示区域NDA1的三个部分的最大宽度中，两条直线SL1和SL2之间的最大宽度Ws最小(Ws<Wc1；Ws<Wc2)。
参考图13，显示面板可以包括用作开口区域或传输区域的第一区域R1、第二区域R2和第三区域R3。显示面板可以包括四个或更多个开口区域或传输区域。
虚设像素Pd可以在第一区域R1与第二区域R2之间以及在第二区域R2与第三区域R3之间。虚设像素Pd也可以被设置在第一区域R1的左侧和第三区域R3的右侧。虚设像素Pd也可以被设置在区域R1、R2和R3的上侧和下侧。
由于虚设像素Pd被设置在第一非显示区域NDA1中，因此可以获得图案密度的足够的均匀性以及电气负载的足够的均匀性。
根据实施例，虚设像素被设置在与诸如传感器或摄像机的电子元件对应的区域之间，并且因此图案密度和负载可以是均匀的，并且因此可以提供高质量的显示面板。
本文中描述的实施例应当在说明性的意义上去考虑而不是为了限制的目的。每个实施例中的特征或方面的描述可用于其他实施例。
尽管已经参考图描述了实施例，但是在不脱离由所附权利要求限定的范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。

Claims (27)

1.一种显示面板，包括：
基板，包括第一传输区域、围绕所述第一传输区域的非显示区域以及围绕所述非显示区域的显示区域；
发射像素，被设置在所述显示区域上，包括第一发射像素，并且被配置为发光；
虚设像素，被设置在所述非显示区域上，包括第一虚设像素，并且被配置为不发光；以及
驱动电压线，被配置为将驱动电压传输到所述发射像素和所述虚设像素，
其中所述驱动电压线包括第一驱动电压线和第二驱动电压线，并且
其中所述第一传输区域被放置在所述第一驱动电压线与所述第二驱动电压线之间。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述虚设像素围绕所述第一传输区域。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一发射像素包括像素电路和显示元件，所述像素电路包括至少一个晶体管，所述显示元件电连接到所述像素电路，
其中所述第一虚设像素包括虚设像素电路，所述虚设像素电路包括至少一个虚设晶体管，并且
其中所述像素电路的结构与所述虚设像素电路的结构相同。
4.根据权利要求3所述的显示面板，进一步包括被设置在所述像素电路和所述虚设像素电路上的像素限定层，
其中所述像素限定层包括与所述第一发射像素对应的开口，并且
其中所述像素限定层具有与所述第一虚设像素重叠的平坦表面。
5.根据权利要求4所述的显示面板，进一步包括有机发射层，
其中所述有机发射层的第一部分被设置在所述像素限定层的所述开口内，并且
其中所述有机发射层的第二部分与所述虚设像素重叠，并且与所述有机发射层的所述第一部分相比被放置得更远离所述基板。
6.根据权利要求4所述的显示面板，进一步包括彼此顺序地堆叠的第一公共层、有机发射层和第二公共层，
其中所述第一公共层的第一部分、所述有机发射层的第一部分和所述第二公共层的第一部分被设置在所述像素限定层的所述开口内，并且
其中所述第一公共层的第二部分和所述第二公共层的第二部分各自与所述虚设像素重叠，并且分别与所述第一公共层的所述第一部分和所述第二公共层的所述第一部分相比被放置得更远离所述基板。
7.根据权利要求4所述的显示面板，进一步包括连接到所述像素电路的像素电极、被设置在所述像素限定层的所述开口内的中间层以及被设置在所述中间层上的对电极，
其中所述对电极的第一部分与所述像素电极重叠，并且
其中所述对电极的第二部分与所述虚设像素重叠，并且与所述对电极的所述第一部分相比被放置得更远离所述基板。
8.根据权利要求1所述的显示面板，进一步包括电极电压线，所述电极电压线与所述驱动电压线交叉，并且通过接触孔电连接到所述驱动电压线以形成导电网格结构。
9.根据权利要求8所述的显示面板，
其中所述虚设像素包括第二虚设像素，
其中所述电极电压线包括第一电极电压线和第二电极电压线，
其中所述第一电极电压线与所述第二电极电压线隔开，与所述第二电极电压线对准，并且与所述第二虚设像素重叠，并且
其中所述第一传输区域被放置在所述第一电极电压线与所述第二电极电压线之间。
10.根据权利要求8所述的显示面板，
其中所述第一虚设像素包括虚设像素电路，
其中所述虚设像素电路包括驱动薄膜晶体管和与所述驱动薄膜晶体管重叠的存储电容器，并且
其中所述存储电容器的一个电极是所述电极电压线中的一条。
11.一种显示设备，包括：
基板，包括第一传输区域、第二传输区域、围绕所述第一传输区域和所述第二传输区域的非显示区域以及围绕所述非显示区域的显示区域；
电子元件，在所述基板的所述第一传输区域和所述第二传输区域下方；
发射像素，被设置在所述显示区域上，并且被配置为发光；
虚设像素，被设置在所述非显示区域上，并且被配置为不发光；以及
驱动电压线，被配置为将驱动电压传输到所述发射像素和所述虚设像素，
其中所述驱动电压线中的一些驱动电压线被分离，所述第一传输区域或所述第二传输区域介于所述一些驱动电压线之间。
12.根据权利要求11所述的显示设备，其中所述第二传输区域小于所述第一传输区域。
13.根据权利要求12所述的显示设备，其中围绕所述第一传输区域而不围绕所述第二传输区域的虚设像素的总数小于围绕所述第二传输区域而不围绕所述第一传输区域的虚设像素的总数。
14.根据权利要求12所述的显示设备，其中所述第一传输区域和所述第二传输区域沿着第一方向布置，并且
其中所述非显示区域在与所述第一方向交叉的第二方向上的宽度在所述第一传输区域与所述第二传输区域之间在所述第一方向上逐渐减小。
15.根据权利要求12所述的显示设备，其中所述第一传输区域和所述第二传输区域沿着第一方向布置，并且
其中所述非显示区域在所述第一传输区域与所述第二传输区域之间在与所述第一方向交叉的第二方向上的宽度小于所述第二传输区域在所述第二方向上的宽度。
16.根据权利要求11所述的显示设备，进一步包括与所述第一传输区域和所述第二传输区域均间隔开的第三传输区域，所述第三传输区域被所述非显示区域围绕。
17.根据权利要求11所述的显示设备，
其中所述驱动电压线包括第一驱动电压线、第二驱动电压线和第三驱动电压线，
其中所述第一驱动电压线与所述第二驱动电压线隔开，并且与所述第二驱动电压线对准，
其中所述第一传输区域被放置在所述第一驱动电压线与所述第二驱动电压线之间，并且
其中所述第三驱动电压线与所述非显示区域的边界交叉至少两次，并且比所述第一驱动电压线和所述第二驱动电压线中的每个长。
18.根据权利要求17所述的显示设备，
其中所述虚设像素包括第一虚设像素，并且
其中所述第一驱动电压线与所述第一虚设像素重叠。
19.根据权利要求11所述的显示设备，其中所述虚设像素围绕所述第一传输区域和所述第二传输区域。
20.根据权利要求11所述的显示设备，进一步包括电极电压线，所述电极电压线与所述驱动电压线交叉，并且通过接触孔电连接到所述驱动电压线以形成导电网格结构。
21.一种显示面板，包括：
基板，包括第一传输区域、围绕所述第一传输区域的非显示区域以及围绕所述非显示区域的显示区域；
发射像素，被设置在所述显示区域上，包括第一发射像素，并且被配置为发光；
虚设像素，被设置在所述非显示区域上，包括第一虚设像素，并且被配置为不发光；以及
第一数据线，被布置在所述非显示区域和所述显示区域中，并且在第一方向上延伸，
其中所述第一数据线与所述第一发射像素和所述第一虚设像素重叠。
22.根据权利要求21所述的显示面板，进一步包括与所述第一数据线交叉并且与所述虚设像素中的至少一些重叠的第一扫描线，所述第一扫描线在所述非显示区域中连续设置。
23.根据权利要求21所述的显示面板，进一步包括：
第一驱动电压线和第二驱动电压线，设置于在所述第一方向上延伸的假想线上，
其中所述第一传输区域被放置在所述第一驱动电压线与所述第二驱动电压线之间。
24.根据权利要求21所述的显示面板，其中所述虚设像素围绕所述第一传输区域。
25.根据权利要求21所述的显示面板，其中所述第一发射像素包括像素电路和显示元件，所述像素电路包括至少一个晶体管，所述显示元件电连接到所述像素电路，
其中所述第一虚设像素包括虚设像素电路，所述虚设像素电路包括至少一个虚设晶体管，并且
其中所述像素电路的结构与所述虚设像素电路的结构相同。
26.根据权利要求25所述的显示面板，进一步包括被设置在所述像素电路和所述虚设像素电路上的像素限定层，
其中所述像素限定层包括与所述第一发射像素对应的开口，并且
其中所述像素限定层具有与所述第一虚设像素重叠的平坦表面。
27.根据权利要求26所述的显示面板，其中所述基板进一步包括第二传输区域，所述虚设像素中的至少一些布置在所述第一传输区域和所述第二传输区域之间。
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