CN117096069B - 真空设备的压力测量装置、真空设备及其压力测量方法 - Google Patents
真空设备的压力测量装置、真空设备及其压力测量方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117096069B CN117096069B CN202311352633.4A CN202311352633A CN117096069B CN 117096069 B CN117096069 B CN 117096069B CN 202311352633 A CN202311352633 A CN 202311352633A CN 117096069 B CN117096069 B CN 117096069B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- vacuum
- valve
- pressure
- cavity
- foreline
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 267
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 250
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 36
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 claims description 26
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 19
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L21/00—Vacuum gauges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
本发明公开了一种应用于半导体的真空设备的压力测量装置、真空设备及其压力测量方法，涉及半导体技术领域。该真空设备的压力测量装置，前级真空规与前级腔体连接，用于监测前级腔体的压力。真空检测管路的一端与工艺腔体连接，另一端与工艺真空规连接，工艺真空规用于监测工艺腔体的压力。保护阀设于真空检测管路上，用于控制工艺真空规与工艺腔体的连通与断开。第一真空开关设于真空检测管路，且在工艺腔体的压力小于或等于第一真空开关的最大测量值时能发送第一信号，前级真空规监测到前级腔体的压力小于或等于工艺真空规的最大测量值时，能发送第二信号。该真空设备的压力测量装置能保护工艺真空规不被腐蚀，且不会失去精度。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种应用于半导体的真空设备的压力测量装置、真空设备及其压力测量方法。
背景技术
在半导体刻蚀等真空设备中，压力的测量分为直接测量和间接测量两种，在高真空环境下，一般采用间接测量法，间接测量法通常使用真空规。由于设备进行工艺时对于压力检测要求很高，真空规的使用和保护就极为重要。
现有真空设备中，由于工艺腔体在进行工艺时，会有很多腐蚀性工艺气体，真空规一直打开会被腐蚀，降低真空规的精度，缩短真空规的寿命。而且工艺腔体在进行工艺时对压力的要求很高，现有的压力测量装置的测压方案简单，无法判断真空规是否被损坏，从而无法保证真空设备的有效运行。
发明内容
本发明的目的在于提供一种真空设备的压力测量装置、真空设备及其压力测量方法，以实现保护真空规不被工艺气体损坏，同时能保证真空设备的有效运行。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
真空设备的压力测量装置，所述真空设备包括工艺腔体和前级腔体，所述前级腔体与所述工艺腔体连通，通过所述前级腔体对所述工艺腔体抽真空，其中，所述压力测量装置用于监测所述工艺腔体的压力，所述压力测量装置包括：
前级真空规，与所述前级腔体连接，用于监测所述前级腔体的压力；
工艺真空规和真空检测管路，所述真空检测管路的一端与所述工艺腔体连接，另一端与所述工艺真空规连接，所述工艺真空规用于监测所述工艺腔体的压力；
保护阀，设于所述真空检测管路上，用于控制所述工艺真空规与所述工艺腔体的连通与断开；
第一真空开关，设于所述真空检测管路，且位于所述工艺腔体和所述保护阀之间；
所述第一真空开关在所述工艺腔体的压力小于或等于所述第一真空开关的最大测量值时，能发送打开所述保护阀的第一信号，所述前级真空规监测到所述前级腔体的压力小于或等于所述工艺真空规的最大测量值时，能发送打开所述保护阀的第二信号。
作为真空设备的压力测量装置的一个可选方案，所述保护阀为两段阀，所述两段阀包括第一阀门和第二阀门，所述第一阀门的最大开度小于所述第二阀门的最大开度，切换所述第一阀门和所述第二阀门，能改变进入所述两段阀的气体流量。
作为真空设备的压力测量装置的一个可选方案，所述工艺真空规的测量范围小于所述前级真空规的测量范围。
作为真空设备的压力测量装置的一个可选方案，所述压力测量装置还包括第二真空开关，所述第二真空开关设于所述真空检测管路，且位于所述工艺腔体和所述保护阀之间，所述第二真空开关在所述工艺腔体的压力大于或等于所述第二真空开关的最大测量值时，能发送打开所述工艺腔体的信号。
作为真空设备的压力测量装置的一个可选方案，所述压力测量装置还包括控制单元，所述前级真空规、所述工艺真空规、所述第一真空开关和所述第二真空开关均与所述控制单元通信连接，所述保护阀与所述控制单元电连接，所述控制单元根据接收到的所述前级真空规、所述工艺真空规和所述第一真空开关的信号，控制所述保护阀动作；当所述控制单元接收到所述第二真空开关的信号时，控制所述工艺腔体打开。
作为真空设备的压力测量装置的一个可选方案，所述工艺真空规监测的所述工艺腔体的压力达到最高设定压力时，发送信号给所述控制单元，所述控制单元控制所述保护阀关闭。
真空设备，其包括工艺腔体、前级腔体、分子泵和如以上任一方案所述的真空设备的压力测量装置，所述前级腔体通过前级管道与干泵连接，所述前级管道上设置有预抽阀，所述预抽阀用于控制所述前级管道的通断；所述干泵通过分子泵阀与所述分子泵连接，所述分子泵通过分子泵角阀与所述前级腔体连接，所述前级腔体与所述工艺腔体连通，所述压力测量装置用于监测所述工艺腔体的压力。
真空设备的压力测量方法，其应用于上述方案所述的真空设备，所述真空设备的压力测量方法包括以下步骤：
打开所述预抽阀，所述干泵通过所述前级管道对所述前级腔体和所述工艺腔体抽真空；
当所述前级真空规监测到所述前级腔体的压力达到所述分子泵的启动压力时，关闭所述预抽阀，依次打开所述分子泵阀和所述分子泵角阀，所述干泵和所述分子泵同时对所述前级腔体和所述工艺腔体抽真空；
当所述第一真空开关发送所述第一信号，且所述前级真空规发送所述第二信号时，控制所述保护阀打开，所述工艺真空规能通过所述真空检测管路监测所述工艺腔体的压力；
打开所述保护阀后，再向所述工艺腔体内通入工艺气体。
作为真空设备的压力测量方法的一个可选方案，所述保护阀为两段阀，所述两段阀包括第一阀门和第二阀门，所述第一阀门的最大开度小于所述第二阀门的最大开度，控制所述保护阀打开时，先打开所述第一阀门，当所述工艺腔体内的压力稳定后，打开所述第二阀门，打开所述第二阀门后，再向所述工艺腔体内通入工艺气体。
作为真空设备的压力测量方法的一个可选方案，当所述工艺真空规监测到所述工艺腔体的压力达到最高设定压力时，控制所述保护阀关闭。
本发明的有益效果：
本发明提供的真空设备的压力测量装置，通过设置与前级腔体连接的前级真空规和与工艺腔体连通的工艺真空规，通过前级真空规和工艺真空规对真空设备中的压力分级测量，由于前级腔体和工艺腔体连通，前级腔体和工艺腔体中的压力基本一致，对比前级真空规和工艺真空规的监测值，能判断两个真空规是否有损坏；而且在有一个真空规损坏的情况下，还可以通过另一个真空规对工艺腔体的压力进行监测，能保证真空设备的有效运行。工艺真空规通过真空检测管路与工艺腔体连接，在真空检测管路上设置保护阀，保护阀用于控制工艺真空规与工艺腔体的连通与断开。在真空检测管路上还设置有第一真空开关，在工艺腔体的压力小于或等于第一真空开关的最大测量值，且前级真空规监测到前级腔体的压力小于或等于工艺真空规的最大测量值时，控制保护阀打开，以通过抽真空稀释工艺气体，保护工艺真空规不受工艺气体腐蚀，同时还能防止工艺真空规压力过载失去精度。
本发明提供的真空设备，包括工艺腔体、前级腔体、分子泵和上述的真空设备的压力测量装置，干泵通过前级管道上的预抽阀与前级腔体连接，前级腔体与工艺腔体连通，干泵通过分子泵阀与分子泵连接，分子泵通过分子泵角阀与前级腔体连接，在对工艺腔体抽真空时，先打开预抽阀，干泵通过前级管道对前级腔体抽真空，当前级真空规监测到前级腔体的压力达到分子泵的启动压力时，关闭预抽阀，先打开分子泵阀，分子泵先将自身内部杂质抽空，再打开分子泵角阀，干泵和分子泵同时对前级腔体和工艺腔体抽真空，在分子泵角阀打开之前，保护阀关闭，使得工艺腔体内先有一定的真空。在分子泵角阀打开之后，当第一真空开关发送打开保护阀的第一信号，且前级真空规发送打开保护阀的第二信号时，再控制保护阀打开。第一真空开关在小于或等于第一真空开关的最大测量值时发送第一信号，此时说明工艺腔体内已有一定的真空，能稀释工艺气体，防止工艺气体侵蚀工艺真空规。前级真空规监测到此时前级腔体的压力小于或等于工艺真空规的最大测量值，说明工艺腔体内的压力在工艺真空规的测量范围内，不会造成工艺真空规过载而导致精度失效，从而对工艺真空规起到保护作用，能保证真空设备的有效运行。
本发明提供的真空设备的压力测量方法，应用于上述的真空设备，该压力测量方法通过对压力进行分级测量，在保证工艺腔体内具有足以稀释工艺气体保护工艺真空规不被侵蚀的真空，且真空压力又不超过工艺真空规的最大测量值时，再控制保护阀打开，保护阀打开后，再向工艺腔体内通入工艺气体，使得工艺真空规对工艺腔体的压力进行监测的同时，既不会被工艺气体侵蚀，又不会因压力过载而精度失效，保证真空设备有效运行。
附图说明
图1是本发明实施例提供的真空设备的结构示意图一；
图2是本发明实施例提供的真空设备的结构示意图二；
图3是本发明实施例提供的真空设备的压力测量装置的工作原理图；
图4是本发明实施例提供的真空设备的压力测量方法的流程图。
图中：
101、工艺腔体；102、前级腔体；103、分子泵；104、前级管道；105、预抽阀；106、分子泵管道；107、分子泵阀；108、预抽真空规；109、分子泵角阀；110、真空总管道；
1、前级真空规；2、工艺真空规；3、真空检测管路；4、保护阀；5、第一真空开关；6、第二真空开关。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
如图1-图3所示，本实施例提供了一种真空设备，包括工艺腔体101、前级腔体102、分子泵103和真空设备的压力测量装置，前级腔体102通过前级管道104与干泵连接，前级管道104上设置有预抽阀105，预抽阀105用于控制前级管道104的通断；干泵通过分子泵阀107与分子泵103连接，分子泵103通过分子泵角阀109与前级腔体102连接，前级腔体102与工艺腔体101连通，压力测量装置用于监测工艺腔体101的压力。
前级管道104远离前级腔体102的一端连接干泵，预抽阀105设置于前级管道104靠近前级腔体102的一端。干泵与真空总管道110连接，分子泵103通过分子泵管道106与真空总管道110连接，分子泵管道106和前级管道104均与真空总管道110连接，分子泵阀107设置于分子泵管道106，前级管道104靠近真空总管道110的一端设置有预抽真空规108。在工作时，真空设备吹扫清洁过后，先打开预抽阀105，干泵通过真空总管道110和前级管道104对前级腔体102抽真空，当预抽真空规108检测到前级管道104内的压力达到分子泵103的开启压力0.07托时，关闭预抽阀105，开启分子泵阀107，分子泵103先将自身内部杂质抽空；再打开分子泵角阀109，分子泵103开始对前级腔体102和工艺腔体101抽真空，此时干泵和分子泵103同时抽真空，直至达到工艺腔体101所需的工艺压力。
预抽真空规108还起到保护分子泵103的作用，假如干泵失效，预抽真空规108会监测到前级管道104的压力升高，将不会打开分子泵103。
本实施例提供了一种真空设备的压力测量装置，应用于上述的真空设备，压力测量装置包括前级真空规1、工艺真空规2、真空检测管路3和保护阀4，前级真空规1与前级腔体102连接，用于监测前级腔体102的压力。真空检测管路3的一端与工艺腔体101连接，另一端与工艺真空规2连接，工艺真空规2用于监测工艺腔体101的压力。保护阀4设于真空检测管路3上，用于控制工艺真空规2与工艺腔体101的连通与断开。第一真空开关5设于真空检测管路3，且位于工艺腔体101和保护阀4之间。第一真空开关5在工艺腔体101的压力小于或等于第一真空开关5的最大测量值时，能发送打开保护阀4的第一信号，前级真空规1监测到前级腔体102的压力小于或等于工艺真空规2的最大测量值时，能发送打开保护阀4的第二信号；接收到第一信号和第二信号后，控制保护阀4打开。
通过设置与前级腔体102连接的前级真空规1和与工艺腔体101连通的工艺真空规2，通过前级真空规1和工艺真空规2对真空设备中的压力分级测量，由于前级腔体102和工艺腔体101连通，前级腔体102和工艺腔体101中的压力基本一致，对比前级真空规1和工艺真空规2的监测值，能判断两个真空规是否有损坏；而且在有一个真空规损坏的情况下，还可以通过另一个真空规对工艺腔体101的压力进行监测，能保证真空设备的有效运行。工艺真空规2通过真空检测管路3与工艺腔体101连接，在真空检测管路3上设置保护阀4，保护阀4用于控制工艺真空规2与工艺腔体101的连通与断开。在真空检测管路3上还设置有第一真空开关5，在工艺腔体101的压力小于或等于第一真空开关5的最大测量值，且前级真空规1监测到前级腔体102的压力小于或等于工艺真空规2的最大测量值时，控制保护阀4打开，以通过抽真空稀释工艺气体，保护工艺真空规2不受工艺气体腐蚀，同时还能防止工艺真空规2压力过载失去精度。
第一真空开关5的最大测量值为75托，当工艺腔体101内的压力小于或等于75托时，第一真空开关5一直有信号输出，此时说明工艺腔体101内有一定的真空。第一真空开关5的最大测量值越接近工艺真空规2的最大测量值越好，但是由于最大测量值越小，精度越高，而精度越高的真空规的成本越高，考虑到成本的问题，第一真空开关5的最大测量值为75托。于其他实施例中，第一真空开关5的最大测量值也可以为50托、10托或1托。
真空规的测量范围越小，测量精度越高，为了提高工艺腔体101的压力的检测的准确性，工艺真空规2的测量范围小于前级真空规1的测量范围。在本实施例中，工艺真空规2的测量范围为0.5托，前级真空规1和预抽真空规108的测量范围均为10托。
进一步地，保护阀4为两段阀，两段阀包括第一阀门和第二阀门，第一阀门的最大开度小于第二阀门的最大开度，切换第一阀门和第二阀门，能改变进入两段阀的气体流量。将保护阀4设置为两段阀，在工艺腔体101的压力小于或等于第一真空开关5的最大测量值，且前级真空规1监测到前级腔体102的压力小于或等于工艺真空规2的最大测量值时，控制保护阀4打开；控制保护阀4打开时，先打开第一阀门，使得工艺腔体101中的气体压力通过真空检测管路3缓慢通入工艺真空规2，当工艺真空规2检测的压力稳定后，再打开第二阀门，然后再向工艺腔体101内通入工艺气体；这样的设置能够避免真空检测管路3突然进入较大压力的气体，造成工艺真空规2损坏。
进一步地，压力测量装置还包括第二真空开关6，第二真空开关6设于真空检测管路3，且位于工艺腔体101和保护阀4之间，第二真空开关6在工艺腔体101的压力大于或等于第二真空开关6的最大测量值时，能发送打开工艺腔体101的信号。第二真空开关6的最大测量值为750托，当工艺腔体101内的压力大于或等于750托时，默认工艺腔体101内的压力与大气压力一致，此时第二真空开关6持续发送信号，可将工艺腔体101打开。
具体地，压力测量装置还包括控制单元，前级真空规1、工艺真空规2、第一真空开关5和第二真空开关6均与控制单元通信连接，保护阀4与控制单元电连接，控制单元根据接收到的前级真空规1、工艺真空规2和第一真空开关5的信号，控制保护阀4动作；当控制单元接收到第二真空开关6的信号时，控制工艺腔体101打开。控制单元收到第一真空开关5发送的第一信号和前级真空规1发送的第二信号后，先控制保护阀4的第一阀门打开，工艺真空规2监测的压力稳定后，发送信号给控制单元，控制单元再控制第二阀门打开。
进一步地，工艺真空规2监测的工艺腔体101的压力达到最高设定压力时，发送信号给控制单元，控制单元控制保护阀4关闭。最高设定压力为0.3托，当工艺真空规2监测到工艺腔体101内的压力达到0.3托时发送信号给控制单元，控制单元控制保护阀4关闭，实现过压保护，避免工艺真空规2测量压力过载失去精度。
本实施例提供的真空设备，包括工艺腔体101、前级腔体102、分子泵103和上述的真空设备的压力测量装置，干泵通过前级管道104上的预抽阀105与前级腔体102连接，前级腔体102与工艺腔体101连通，干泵通过分子泵阀107与分子泵103连接，分子泵103通过分子泵角阀109与前级腔体102连接，在对工艺腔体101抽真空时，先打开预抽阀105，干泵通过前级管道104对前级腔体102抽真空，当前级真空规1监测到前级腔体102的压力达到分子泵103的启动压力时，关闭预抽阀105，先打开分子泵阀107，分子泵103先将自身内部杂质抽空，再打开分子泵角阀109，干泵和分子泵103同时对前级腔体102和工艺腔体101抽真空，在分子泵角阀109打开之前，保护阀4关闭，使得工艺腔体101内先有一定的真空。在分子泵角阀109打开之后，当第一真空开关5发送打开保护阀4的第一信号，且前级真空规1发送打开保护阀4的第二信号时，再控制保护阀4打开。第一真空开关5在小于或等于第一真空开关5的最大测量值时发送第一信号，此时说明工艺腔体101内已有一定的真空，能稀释工艺气体，防止工艺气体侵蚀工艺真空规2。前级真空规1监测到此时前级腔体102的压力小于或等于工艺真空规2的最大测量值，说明工艺腔体101内的压力在工艺真空规2的测量范围内，不会造成工艺真空规2压力过载而导致精度失效，从而对工艺真空规2起到保护作用，能保证真空设备的有效运行。
如图4所示，本实施例还提供了一种真空设备的压力测量方法，采用上述的压力测量装置，真空设备的压力测量方法包括以下步骤：
S10、打开预抽阀105，干泵通过前级管道104对前级腔体102和工艺腔体101抽真空。
在真空设备吹扫清洁过后，打开预抽阀105，干泵通过真空总管道110和前级管道104对前级腔体102和工艺腔体101内抽真空，使得工艺腔体101内具有一定的真空。
S20、当前级真空规1监测到前级腔体102的压力达到分子泵103的启动压力时，关闭预抽阀105，依次打开分子泵阀107和分子泵角阀109，干泵和分子泵103同时对前级腔体102和工艺腔体101抽真空。
在本实施例中，前级管道104上还设置有预抽真空规108，当预抽真空规108检测到前级管道104的压力达到分子泵103的启动压力0.07托时，关闭预抽阀105。然后先打开分子泵阀107，分子泵103先将自身内部杂质抽空；再打开分子泵角阀109，分子泵103开始对前级腔体102和工艺腔体101抽真空，此时干泵和分子泵103同时抽真空，直至达到工艺腔体101所需的工艺压力。
当然，在其他实施例中，也可以通过前级真空规1检测前级管道104中的压力是否达到分子泵103的启动压力。
S30、当第一真空开关5发送第一信号，且前级真空规1发送第二信号时，控制保护阀4打开，工艺真空规2能通过真空检测管路3监测工艺腔体101的压力。
在干泵和分子泵103同时对前级腔体102和工艺腔体101抽真空时，当第一真空开关5检测的工艺腔体101的压力小于或等于70托时，会一直发送信号给控制单元，第一真空开关5发送的信号为控制单元控制保护阀4打开的第一信号；前级真空规1检测的前级腔体102的压力小于或等于工艺真空规2的最大测量值时，会发送信号给控制单元，前级真空规1发送的信号为控制单元控制保护阀4打开的第二信号，当控制单元同时接收到第一信号和第二信号时，说明不存在误测数据或者漏气误检，而且工艺腔体101内的真空能稀释工艺气体，避免工艺真空规2被工艺气体侵蚀，并且工艺腔体101内的压力在工艺真空规2的测量范围内，不会造成工艺真空规2压力过载而导致精度失效。
进一步地，保护阀4为两段阀，两段阀包括第一阀门和第二阀门，第一阀门的最大开度小于第二阀门的最大开度，控制保护阀4打开时，先打开第一阀门，当工艺腔体101内的压力稳定后，再打开第二阀门，打开第二阀门后，再向工艺腔体101内通入工艺气体。在打开保护阀4时，先打开第一阀门，使得工艺腔体101内的气体压力通过真空检测管路3缓慢流入工艺真空规2，当工艺真空规2监测到的压力稳定后，再打开第二阀门，加大气体流量和流速。
S40、打开保护阀4后，再向工艺腔体101内通入工艺气体。
当保护阀4的第二阀门打开，工艺腔体101内的气体压力快速流入工艺真空规2后，再向工艺腔体101内通入工艺气体，工艺真空规2可以正常监测工艺腔体101内的压力。
进一步地，当工艺真空规2监测到工艺腔体101的压力达到最高设定压力时，控制保护阀4关闭。工艺真空规2的最大测量值为0.5托，最高设定压力为0.3托，当工艺真空规2检测到工艺腔体101内的压力达到0.3托时，向控制单元发送信号，控制单元控制保护阀4关闭，实现过压保护，避免工艺真空规2的压力过载失去精度。
本实施例提供的真空设备的压力测量方法，采用上述的真空设备的压力测量装置，对上述的真空设备的工艺腔体101的压力进行监测，该压力测量方法通过对压力进行分级测量，在保证工艺腔体101内具有足以稀释工艺气体保护工艺真空规2不被侵蚀的真空，且真空压力又不超过工艺真空规2的最大测量值时，再控制保护阀4打开，保护阀4打开后，再向工艺腔体101内通入工艺气体，使得工艺真空规2对工艺腔体101的压力进行监测的同时，既不会被工艺气体侵蚀，又不会因压力过载而精度失效，保证真空设备有效运行。
以上内容仅为本发明的较佳实施例，对于本领域的普通技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (10)
1.真空设备的压力测量装置，所述真空设备包括工艺腔体(101)和前级腔体(102)，所述前级腔体(102)与所述工艺腔体(101)连通，通过所述前级腔体(102)对所述工艺腔体(101)抽真空，其特征在于，所述压力测量装置用于监测所述工艺腔体(101)的压力，所述压力测量装置包括：
前级真空规(1)，与所述前级腔体(102)连接，用于监测所述前级腔体(102)的压力；
工艺真空规(2)和真空检测管路(3)，所述真空检测管路(3)的一端与所述工艺腔体(101)连接，另一端与所述工艺真空规(2)连接，所述工艺真空规(2)用于监测所述工艺腔体(101)的压力；
保护阀(4)，设于所述真空检测管路(3)上，用于控制所述工艺真空规(2)与所述工艺腔体(101)的连通与断开；
第一真空开关(5)，设于所述真空检测管路(3)，且位于所述工艺腔体(101)和所述保护阀(4)之间；
所述第一真空开关(5)在所述工艺腔体(101)的压力小于或等于所述第一真空开关(5)的最大测量值时，能发送打开所述保护阀(4)的第一信号，所述前级真空规(1)监测到所述前级腔体(102)的压力小于或等于所述工艺真空规(2)的最大测量值时，能发送打开所述保护阀(4)的第二信号；
控制单元，所述前级真空规(1)、所述工艺真空规(2)、所述第一真空开关(5) 均与所述控制单元通信连接，所述保护阀(4)与所述控制单元电连接，所述控制单元根据接收到的所述前级真空规(1)、所述工艺真空规(2)和所述第一真空开关(5)的信号，控制所述保护阀(4)动作，且所述控制单元能对比所述前级真空规(1)和所述工艺真空规(2)的监测值，以判断两个真空规是否有损坏。
2.根据权利要求1所述的真空设备的压力测量装置，其特征在于，所述保护阀(4)为两段阀，所述两段阀包括第一阀门和第二阀门，所述第一阀门的最大开度小于所述第二阀门的最大开度，切换所述第一阀门和所述第二阀门，能改变进入所述两段阀的气体流量。
3.根据权利要求1所述的真空设备的压力测量装置，其特征在于，所述工艺真空规(2)的测量范围小于所述前级真空规(1)的测量范围。
4.根据权利要求1所述的真空设备的压力测量装置，其特征在于，所述压力测量装置还包括第二真空开关(6)，所述第二真空开关(6)设于所述真空检测管路(3)，且位于所述工艺腔体(101)和所述保护阀(4)之间，所述第二真空开关(6)在所述工艺腔体(101)的压力大于或等于所述第二真空开关(6)的最大测量值时，能发送打开所述工艺腔体(101)的信号。
5.根据权利要求4所述的真空设备的压力测量装置，其特征在于，所述第二真空开关(6)与所述控制单元通信连接，当所述控制单元接收到所述第二真空开关(6)的信号时，控制所述工艺腔体(101)打开。
6.根据权利要求5所述的真空设备的压力测量装置，其特征在于，所述工艺真空规(2)监测的所述工艺腔体(101)的压力达到最高设定压力时，发送信号给所述控制单元，所述控制单元控制所述保护阀(4)关闭。
7.真空设备，其特征在于，包括工艺腔体(101)、前级腔体(102)、分子泵(103)和如权利要求1-6任一项所述的真空设备的压力测量装置，所述前级腔体(102)通过前级管道(104)与干泵连接，所述前级管道(104)上设置有预抽阀(105)，所述预抽阀(105)用于控制所述前级管道(104)的通断；所述干泵通过分子泵阀(107)与所述分子泵(103)连接，所述分子泵(103)通过分子泵角阀(109)与所述前级腔体(102)连接，所述前级腔体(102)与所述工艺腔体(101)连通，所述压力测量装置用于监测所述工艺腔体(101)的压力。
8.真空设备的压力测量方法，其特征在于，应用于如权利要求7所述的真空设备，所述真空设备的压力测量方法包括以下步骤：
打开所述预抽阀(105)，所述干泵通过所述前级管道(104)对所述前级腔体(102)和所述工艺腔体(101)抽真空；
当所述前级真空规(1)监测到所述前级腔体(102)的压力达到所述分子泵(103)的启动压力时，关闭所述预抽阀(105)，依次打开所述分子泵阀(107)和所述分子泵角阀(109)，所述干泵和所述分子泵(103)同时对所述前级腔体(102)和所述工艺腔体(101)抽真空；
当所述第一真空开关(5)发送所述第一信号，且所述前级真空规(1)发送所述第二信号时，控制所述保护阀(4)打开，所述工艺真空规(2)能通过所述真空检测管路(3)监测所述工艺腔体(101)的压力；
打开所述保护阀(4)后，再向所述工艺腔体(101)内通入工艺气体。
9.根据权利要求8所述的真空设备的压力测量方法，其特征在于，所述保护阀(4)为两段阀，所述两段阀包括第一阀门和第二阀门，所述第一阀门的最大开度小于所述第二阀门的最大开度，控制所述保护阀(4)打开时，先打开所述第一阀门，当所述工艺腔体(101)内的压力稳定后，打开所述第二阀门，打开所述第二阀门后，再向所述工艺腔体(101)内通入工艺气体。
10.根据权利要求8所述的真空设备的压力测量方法，其特征在于，当所述工艺真空规(2)监测到所述工艺腔体(101)的压力达到最高设定压力时，控制所述保护阀(4)关闭。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311352633.4A CN117096069B (zh) | 2023-10-19 | 2023-10-19 | 真空设备的压力测量装置、真空设备及其压力测量方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311352633.4A CN117096069B (zh) | 2023-10-19 | 2023-10-19 | 真空设备的压力测量装置、真空设备及其压力测量方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117096069A CN117096069A (zh) | 2023-11-21 |
| CN117096069B true CN117096069B (zh) | 2024-02-06 |
Family
ID=88775719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311352633.4A Active CN117096069B (zh) | 2023-10-19 | 2023-10-19 | 真空设备的压力测量装置、真空设备及其压力测量方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117096069B (zh) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101393844A (zh) * | 2007-09-19 | 2009-03-25 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 半导体加工系统及其保护真空压力敏感元件的方法 |
| CN102749170A (zh) * | 2012-07-16 | 2012-10-24 | 卢耀文 | 复合型真空规校准系统及方法 |
| CN104746018A (zh) * | 2013-12-31 | 2015-07-01 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 腔室压力读取方法及设备 |
| CN204613731U (zh) * | 2015-05-27 | 2015-09-02 | 中国地质科学院地质研究所 | 智能真空控制系统 |
| CN114046929A (zh) * | 2021-11-08 | 2022-02-15 | 成都国光电气股份有限公司 | 一种多功能真空校准系统及方法 |
| CN114136534A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-03-04 | 拓荆科技股份有限公司 | 真空规保护系统和半导体设备 |
| CN115013338A (zh) * | 2021-03-04 | 2022-09-06 | 中国科学院物理研究所 | 一种前级真空泵系统 |
-
2023
- 2023-10-19 CN CN202311352633.4A patent/CN117096069B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101393844A (zh) * | 2007-09-19 | 2009-03-25 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 半导体加工系统及其保护真空压力敏感元件的方法 |
| CN102749170A (zh) * | 2012-07-16 | 2012-10-24 | 卢耀文 | 复合型真空规校准系统及方法 |
| CN104746018A (zh) * | 2013-12-31 | 2015-07-01 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 腔室压力读取方法及设备 |
| CN204613731U (zh) * | 2015-05-27 | 2015-09-02 | 中国地质科学院地质研究所 | 智能真空控制系统 |
| CN115013338A (zh) * | 2021-03-04 | 2022-09-06 | 中国科学院物理研究所 | 一种前级真空泵系统 |
| CN114046929A (zh) * | 2021-11-08 | 2022-02-15 | 成都国光电气股份有限公司 | 一种多功能真空校准系统及方法 |
| CN114136534A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-03-04 | 拓荆科技股份有限公司 | 真空规保护系统和半导体设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN117096069A (zh) | 2023-11-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5160054B2 (ja) | 排気可能なマグネトロンチャンバ | |
| US7592569B2 (en) | Substrate processing apparatus, pressure control method for substrate processing apparatus and recording medium having program recorded therein | |
| CN110017955B (zh) | 真空腔体漏率监测方法 | |
| CN110610881A (zh) | 腔室压力平衡方法、装置、系统及半导体加工设备 | |
| CN117096069B (zh) | 真空设备的压力测量装置、真空设备及其压力测量方法 | |
| US20120024394A1 (en) | Method for lowering the pressure in a load lock and associated equipment | |
| US20100163181A1 (en) | Vacuum processing apparatus | |
| JPH11214489A (ja) | 真空処理装置 | |
| CN109786297B (zh) | 晶圆传送装置、晶圆传送装置的控制方法及晶圆加工设备 | |
| CN111579172B (zh) | 反应腔室泄漏监测方法以及装置、半导体设备系统 | |
| CN115434912A (zh) | 双逻辑温度压力动态监测方法 | |
| WO2022021935A1 (zh) | 一种快速切换镀膜工艺气体的方法及设备 | |
| CN107591344B (zh) | 工艺室气氛检测方法和晶片加工设备 | |
| JP2826409B2 (ja) | ドライエッチング装置 | |
| CN218895904U (zh) | 回氦系统 | |
| CN220821484U (zh) | 一种真空系统及机台 | |
| CN102953958A (zh) | 双低温泵系统及其控制方法 | |
| KR100932118B1 (ko) | 반도체 제조설비의 진공 시스템 | |
| CN210071221U (zh) | 量测真空腔室压力的组件及基板处理设备 | |
| CN217605222U (zh) | 一种测漏系统 | |
| CN218509671U (zh) | 一种抽真空装置 | |
| US20220316976A1 (en) | Real-time gas leakage monitoring system | |
| CN215762110U (zh) | 一种加速腔体抽真空到工作压力装置 | |
| CN115389193B (zh) | 泄压阀的试验系统 | |
| CN113621936A (zh) | 一种真空镀膜中真空泵系统的工作方法及真空泵系统 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |