CN1170940A - 电阻器及其制造方法 - Google Patents

电阻器及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1170940A
CN1170940A CN97105518A CN97105518A CN1170940A CN 1170940 A CN1170940 A CN 1170940A CN 97105518 A CN97105518 A CN 97105518A CN 97105518 A CN97105518 A CN 97105518A CN 1170940 A CN1170940 A CN 1170940A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode layer
surface electrode
layer
resistor
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN97105518A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1123015C (zh
Inventor
桥本正人
中山祥吾
森正治
高尚弘
津田清二
白井卓见
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP8134618A external-priority patent/JPH09320803A/ja
Priority claimed from JP8145543A external-priority patent/JPH09330802A/ja
Priority claimed from JP02118397A external-priority patent/JP3769859B2/ja
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of CN1170940A publication Critical patent/CN1170940A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1123015C publication Critical patent/CN1123015C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/28—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for applying terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C1/00—Details
    • H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
    • H01C1/142—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors the terminals or tapping points being coated on the resistive element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/006—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for manufacturing resistor chips
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • H05K3/3431—Leadless components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Details Of Resistors (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)

Abstract

本发明的目的在于提供一种电阻器及其制造方法,在将该电阻器安装在电路基板时可从其上下面的任一方将其正确地安装在电路基板的接头上。通过将侧面电极层的表面形成在比保护层表面高的位置,以及通过将第2上表面电极层的表面形成在比保护层表面高的位置,可将电阻器从其上下面的任一方将其正确地且高效率地安装在电路基板的接头上。而且,由于通过设在保护层的开口将第1上表面电极层和第2上表面电极层电连接,因此具有优异的连接可靠性。

Description

电阻器及其制造方法
本发明涉及用于高密度电路的电阻器及其制造方法。
现有的电阻器中，日本专利公开公报1992年第102302号中公开的电阻器广为人知。下面参照图面，对现有的电阻器及其制造方法进行说明。
图23是现有的电阻器的剖面图，在图中，1是绝缘基板，2是设在绝缘基板1上表面左右两端的第1上表面电极层，3是设在第1上表面电极层2上表面、一部分与其重叠的电阻层，4是仅将整个电阻层3覆盖的第1保护层，5是修正电阻值时被切去的电阻层3和第1保护层4上的修正沟，6是仅设在第1保护层4上表面的第2保护层，7是设在第1上表面电极层2上表面并延伸至绝缘基板1整个宽度的第2上表面电极层，8是设在绝缘基板1的两侧面上的侧面电极层，9、10是设在第2上表面电极层7和侧面电极层8表面的镀镍层和焊剂镀层。此时，焊剂镀层10设在比第2保护层6低的位置。即，在现有的电阻器中，第2保护层6设在电阻器表面最高的位置。
下面参照图面，对由此结构的现有电阻器的制造方法进行说明。
图24、图25是表示现有电阻器的制造方法的工艺图，如图24(a)所示，在绝缘基板1上表面左右两端，涂布形成第1上表面电极层2。接着，如图24(b)所示，在绝缘基板1的上表面涂布形成一部分分别与第1上表面电极层2的两端重叠的电阻层3。
然后，如图24(c)所示，涂布形成第1保护层4，使其覆盖整个电阻层3后，用激光等在电阻层3和第1保护层4中形成修正沟5，使在电阻层3的总电阻值进入规定的电阻值范围。
接着，如图25(a)所示，在第1保护层4上表面涂布形成第2保护层6。
然后，如图25(b)所示，在第1上表面电极层2上表面涂布形成第2上表面电极层7，使其延伸至绝缘基板1的整个宽度。
然后，如图25(c)所示，在绝缘基板1的两侧端面，涂布形成与第1上表面电极层2和第2上表面电极层7电连接的侧面电极层8。
最后，在第2上表面电极层7和侧面电极层8的表面镀镍后，镀焊剂，形成由图23所示剖面可见的镀镍层9和焊剂镀层10，由此得到现有的电阻器。
然而，在上述现有电阻器的结构和制造方法中，由于第2保护层6设得比焊剂镀层10高，因此存在只能通过绝缘基板1的下面将电阻器安装在电路基板(图中未标出)上，而无法用不分辨电阻器的上下进行安装的总安装机在电路基板上进行自动安装的问题。
本发明的目的在于提供在将电阻器安装在电路基板上时从该电阻器的上下面的任一方均可进行安装的电阻器及其制造方法。
具有本发明的第1结构的电阻器是由基板、设在该基板上表面的侧部的一对上表面电极层、与上述上表面电极层电连接的电阻层、至少覆盖上述电阻层的保护层、以及设在上述基板的侧面、与上述上表面电极层的一部分上表面重叠并电连接且该重叠的部位比上述保护层突出的侧面电极层组成。
本发明还包括由基板、分别设在该基板上表面和下面的侧部的一对上表面电极层和后表面电极层、至少与上述上表面电极层电连接的电阻层、至少覆盖上述电阻层的保护层、以及设在上述基板的侧面、与上述后表面电极层和上述上表面电极层的一部分上表面重叠并电连接且该重叠的部位比上述保护层高的侧面电极层组成的电阻器。
具有本发明的第2结构的电阻器有由基板、设在该基板上表面的侧部的一对第1上表面电极层、设在上述基板的上表面、与上述第1上表面电极层电连接的电阻层、至少覆盖上述第1上表面电极层和电阻层的上表面的保护层、设在该保护层上表面的侧部的一对第2上表面电极层、以及至少设在上述基板的侧面、将上述第1、第2上表面电极层电连接的侧面电极层组成。
此外，本发明还包括由基板、分别设在该基板上表面和下面的侧部的一对第1上表面电极层和后表面电极层、设在上述基板的上表面、与上述第1上表面电极层电连接的电阻层、至少覆盖上述第1上表面电极层和电阻层的上表面的保护层、设在该保护层上表面的侧部的一对第2上表面电极层、以及至少设在上述基板的侧面、将上述第1、第2上表面电极层和后表面电极层电连接的侧面电极层组成的电阻器。
另外，具有本发明的第2结构的电阻器的制造方法由设置横跨具有分割沟的片状基板的分割沟上表面的第1上表面电极层的工序、设置将上述第1上表面电极层间电连接的保护层的工序、设置至少将上述第1上表面电极层和电阻层的上表面覆盖的保护层的工序、在上述保护层上表面的侧部设置第2上表面电极层的工序、将具有形成上述第2上表面电极层而成的分割沟的片状基板分割成短栅状的工序、在经过分割的短栅状基板的侧面设置将上述第1上表面电极层和第2上表面电极层电连接的侧面电极层的工序、将形成有该侧面电极层的短栅状基板分割成各个基板的工序组成。
具有第2结构的本发明的其他电阻器的制造方法由设置横跨具有分割沟的片状基板的分割沟的上表面和下面的第1上表面电极层和后表面电极层的工序、设置将上述第1上表面电极层间电连接的电阻层的工序、设置至少覆盖上述第1上表面电极层和电阻层的上表面的保护层的工序、在上述保护层上表面的侧部设置第2上表面电极层的工序、将具有形成上述第2上表面电极层而成的分割沟的片状基板分割成短栅状的工序、在上述短栅状基板的侧面设置将上述第1、第2上表面电极层和后表面电极层电连接的侧面电极层的工序、以及将形成有上述侧面电极层的短栅状基板分割成各个基板的工序组成。
具有本发明的第3结构的电阻器由基板、设在该基板上表面的侧部的一对第1上表面电极层、设在上述基板的上表面、与上述第1上表面电极层电连接的电阻层、至少覆盖上述第1上表面电极层和电阻层的上表面的保护层、设在该保护层上表面的侧部的一对第2上表面电极层、以及至少设在上述基板的侧面、将上述第1、第2上表面电极层电连接的侧面电极层组成，所述保护层在上述第1上表面电极层的上表面具有开口且通过该开口将上述第1上表面电极层和第2上表面电极层互相电连接，并且，所述第2上表面电极层在其互相对置的端面具有角部。
此外，本发明还包括由基板、设在该基板上表面和下面的侧部的一对第1上表面电极层和后表面电极层、设在上述基板的上表面、与上述第1上表面电极层电连接的电阻层、至少覆盖上述第1上表面电极层和电阻层的上表面的保护层、设在该保护层上表面的侧部的一对第2上表面电极层、以及至少设在上述基板的侧面、将上述第1、第2上表面电极层和后表面电极层电连接的侧面电极层组成的电阻器，所述保护层在上述第1上表面电极层的上表面具有开口且通过该开口将上述第1上表面电极层和第2上表面电极层互相电连接，并且，所述第2上表面电极层在其互相对置的端面具有角部。
具有本发明的第3结构的电阻器的制造方法由设置横跨具有分割沟的片状基板的分割沟的上表面的第1上表面电极层的工序、设置将上述第1上表面电极层间电连接的电阻层的工序、设置至少覆盖上述第1上表面电极层和电阻层的上表面的保护层的工序、在上述保护层上表面的侧部设置第2上表面电极层的工序、将具有形成上述第2上表面电极层而成的分割沟的片状基板分割成短栅状的工序、至少在上述短栅状基板的侧面设置将上述第1上表面电极层和第2上表面电极层电连接的侧面电极层的工序、以及将形成有上述侧面电极层的短栅状基板分割成各个基板的工序组成，在设置所述保护层后，形成所述第2上表面电极层的工序具有在所述第1上表面电极层的上表面设置开口且通过该开口将所述第1上表面电极层和第2上表面电极层电连接，并且在所述第2上表面电极层的互相对置的端面形成角部的工序。
此外，具有第3结构的本发明的其他电阻器的制造方法由设置横跨具有分割沟的片状基板的分割沟的上表面和下面的第1上表面电极层和后表面电极层的工序、设置将上述第1上表面电极层间电连接的电阻层的工序、设置至少覆盖上述第1上表面电极层和电阻层的上表面的保护层的工序、在上述保护层上表面的侧部设置第2上表面电极层的工序、将具有形成上述第2上表面电极层而成的分割沟的片状基板分割成短栅状的工序、至少在上述短栅状基板的侧面设置分别将上述第1上表面电极层和第2上表面电极层以及后表面电极层电连接的侧面电极层的工序、以及将形成有上述侧面电极层的短栅状基板分割成各个基板的工序组成，在设置所述保护层后，形成所述第2上表面电极层的工序具有在所述第1上表面电极层的上表面设置开口且通过该开口将所述第1上表面电极层和第2上表面电极层电连接，并且在所述第2上表面电极层的互相对置的端面形成角部的工序。
由此，本发明的电阻器由于侧面电极或上述第2上表面电极设在比保护层高的位置，因此，具有可通过所得电阻器的上下面的任一方将其安装在电路基板上的效果。
图1是本发明的第1实施例中的电阻器的剖面图。
图2是显示同一实施例的制造方法的工艺图。
图3是显示同样的制造方法的工艺图。
图4是说明在将电阻器安装在电路基板上时出现的不合格例的图。
图5是本发明的第2实施例中的电阻器的剖面图。
图6是显示同一实施例的制造方法的工艺图。
图7是显示同样的制造方法的工艺图。
图8是本发明的第3实施例中的电阻器的剖面图。
图9是显示同一实施例的制造方法的工艺图。
图10是显示同样的制造方法的工艺图。
图11是本发明的第4实施例中的电阻器的剖面图。
图12是显示同一实施例的制造方法的工艺图。
图13是显示同样的制造方法的工艺图。
图14是本发明的第5实施例中的电阻器的立体图。
图15是本发明的第6实施例中的电阻器的立体图。
图16是同一电阻器的剖面图。
图17是显示同样的制造方法的工艺图。
图18是显示同样的制造方法的工艺图。
图19是本发明的第7实施例中的电阻器的立体图。
图20是同一电阻器的剖面图。
图21是显示同一实施例的制造方法的工艺图。
图22是显示同一制造方法的工艺图。
图23是现有的电阻器的剖面图。
图24是显示同一电阻器的制造方法的工艺图。
图25是显示同样的制造方法的工艺图。
下面参照图面，对本发明的第1实施例进行说明。
在图1中，11是由氧化铝等组成的基板，12是设在基板11上表面的两端部的由银和玻璃的混合材料等组成的一对上表面电极层，最好设置至基板11的侧端。13是设在基板11的上表面且分别与上表面电极层12的两端部重叠并电连接的由氧化钌和玻璃的混合材料等组成的电阻层。14是至少覆盖电阻层13上表面的由硼硅酸铅类玻璃等组成的保护层。15是与基板11的侧面、上表面电极层12的两端部和上表面电极层12上表面的一部分重叠并电连接且重叠部分的位置高于保护层14的表面的由银和玻璃的混合材料等组成的侧面电极层，该侧面电极层15的棱线带圆度。16是视需要而设置的覆盖侧面电极层15的由镀镍等组成的镀层。17是视需要而设置的覆盖镀层16的焊剂层，焊剂层17的棱线最好带圆度。
下面结合图面，说明具有上述结构的电阻器的制造方法。
图2、图3是显示本发明的第1实施例中的电阻器的制造方法的工艺图，如图2(a)所示，横跨具有纵横的分割沟21的由氧化铝等组成的片状基板22的分割沟21，丝网印刷银和玻璃的混合糊状材料，然后进行干燥，通过带式连续烧成炉在约850℃烧成约45分钟，形成上表面电极层23。
接着，如图2(b)所示，将氧化钌和玻璃的混合糊状材料丝网印刷在片状基板22的上表面，使其与上表面电极层23的各端部重叠，从而将上表面电极层23间电连接，然后进行干燥，通过带式连续烧成炉在约850℃烧成约45分钟，形成电阻层24。
接着，如图2(c)所示，为修正电阻层24的电阻值，用激光等修整加工，形成修正沟25。此时，也可在修正之前，至少用玻璃等将电阻层24的表面覆盖(图中未标出)后，从覆盖层的上表面，用激光等修整覆盖层和电阻层24，形成修正沟25。
接着，如图2(d)所示，丝网印刷硼硅酸铅类玻璃糊，使其完全覆盖电阻层24的上表面，然后进行干燥，通过带式连续烧成炉在约850℃烧成约45分钟，形成保护层26。
接着，如图3(a)所示，从基板侧面，沿片状基板22的分割沟21分割，使上表面电极层23露出，形成短栅状基板27。
接着，如图3(b)所示，通过辊转印将银和玻璃的混合糊状材料印刷在短栅状基板27的侧面，使其与上表面电极层23的一部分重叠且重叠部分的位置高于保护层26的表面，然后进行干燥，通过带式连续烧成炉在约600℃烧成约45分钟，形成侧面电极层28。
接着，如图3(c)所示，将短栅状基板27分割成各个基板，作为单片的电阻器29。
最后，可视需要，形成覆盖上表面电极层23的露出部分和侧面电极层28的由镀镍等组成的镀层(图中未标出)，同时，形成覆盖该镀层的由锡和铅的合金镀料等组成的焊剂层(图中未标出)，由此得到电阻器。
在本实施例中，对使用硼硅酸铅类玻璃材料作为保护层的材料的情况进行了说明，使用环氧类树脂材料也能得到同等的效果。
此外，在本实施例中，对使用银和玻璃的混合材料作为侧面电极层的材料的情况进行了说明，使用镍和酚醛树脂材料的混合材料也能得到同等的效果。
下面，说明将具有上述结构的本实施例的电阻器和现有的电阻器安装在电路基板上进行实验的结果。实验方法
用自动安装机(松下电器产业株式会社产品，PANASERT Mv2)装载大小为1×1的弹夹(cassette)进行自动安装后，在200-250℃回流焊接10-30秒，安装在电路基板上。此时，将实验中使用的约半数的电阻器的形成有电阻层的面朝下，与电路基板的接头焊接。判断优劣
关于电阻器电极头的单侧非连接，如图4(a)所示，当焊剂仅附着在电路基板的焊接用焊接区的单侧时判为不合格。
关于对电路基板上的焊接区的安装角度的偏差，如图4(b)所示，在焊接区上电阻器旋转0.2度以上时判为不合格。
在表1中，就具有本发明第1实施例的结构的电阻器的实验例和现有的电阻器，列出了侧面电极层的从保护层表面的高度与安装不合格数的关系。
                              表1
现有例1 现有例2 实验例1 实验例2
保护层与侧面电极的高度比(μm)     -5     0     5     10
  实验结果(*)     连接不良     25     4     0     0
    安装角度偏差     100     16     2     0
(*)安装10000个试样时出现不合格的数目(个)
表1表明，本实施例的电阻器由于侧面电极层设在比保护层表面高5μm以上的高度，因此，与现有的电阻器相比，安装不合格数极度减少。
接着，对本发明的第2实施例进行说明。图5是本发明的第2实施例中的电阻器的剖面图，在图5中，31是由氧化铝等组成的基板。32是设在基板31上表面两侧部的由银和玻璃的混合材料等组成的一对上表面电极层，最好设置至基板31的侧端。
33是设在基板31下面两侧端面的由银和玻璃的混合材料等组成的一对后表面电极层，最好设置至基板31的侧端。34是设在基板31上表面且与上表面电极层32的两端部分别重叠并电连接的由氧化钌和玻璃的混合材料等组成的电阻层。35是至少覆盖电阻层34上表面的由硼硅酸铅类玻璃等组成的保护层。
36是分别与基板31的侧面和上表面电极层32的两端部以及上表面电极层32的上表面的一部分重叠并电连接且重叠部分的位置高于保护层35的表面的由银和玻璃的混合材料等组成的侧面电极层，该侧面电极层36的棱线带圆度。37是视需要而设置的覆盖侧面电极层36的由镀镍等组成的镀层。38是视需要而设置的覆盖镀层37的焊剂层，最好该焊剂层38的棱线带圆度。
下面参照图面，对具有上述结构的电阻器的制造方法进行说明。
图6、图7是显示本发明的第2实施例中的电阻器的制造方法的工艺图，如图6(a)所示，横跨上下面具有纵横的分割沟41的由氧化铝等组成的片状基板42的分割沟41，丝网印刷银和玻璃的混合糊状材料，然后进行干燥，将该片状基板42反转，横跨分割沟(图中未标出)，丝网印刷银和玻璃的混合糊状材料，然后进行干燥，通过带式连续烧成炉在约850℃烧成约45分钟，形成上表面电极层43和后表面电极层44。
接着，如图6(b)所示，在片状基板42的上表面丝网印刷氧化钌和玻璃的混合糊状材料，使其与上表面电极层43的各端部重叠，从而将上表面电极层43间电连接，然后进行干燥，通过带式连续烧成炉在约850℃烧成约45分钟，形成电阻层45。
接着，如图6(c)所示，为修正电阻层45的电阻值，用激光等修整加工，形成修正沟46。此时，也可在修正之前，至少用玻璃等将电阻层45的表面覆盖(图中未标出)后，从覆盖层的上表面，用激光等修整覆盖层和电阻层45，形成修正沟46。
接着，如图6(d)所示，丝网印刷硼硅酸铅类玻璃糊，使其完全覆盖电阻层46的上表面，然后进行干燥，通过带式连续烧成炉在约850℃烧成约45分钟，形成保护层47。
接着，如图7(a)所示，从基板侧面，沿片状基板42的分割沟41分割，使上表面电极层43露出，形成短栅状基板48。
接着，如图7(b)所示，通过辊转印将银和玻璃的混合糊状材料印刷在短栅状基板48的侧面，使其与上表面电极层43的一部分重叠且重叠部分的位置高于保护层47的表面，然后进行干燥，通过带式连续烧成炉在约600℃烧成约45分钟，形成侧面电极层49。
接着，如图7(c)所示，将短栅状基板48分割成各个基板，作为单片的电阻器50。
最后，可视需要，形成覆盖上表面电极层43的露出部分和侧面电极层49的由镀镍等组成的镀层(图中未标出)，同时，形成覆盖该镀层的由锡和铅的合金镀剂等组成的焊剂层(图中未标出)，由此得到电阻器。
在本实施例中，对使用硼硅酸铅类玻璃材料作为保护层的材料的情况进行了说明，使用环氧类树脂材料也能得到同等的效果。
此外，在本实施例中，对使用银和玻璃的混合材料作为侧面电极层的材料的情况进行了说明，使用镍和酚醛树脂材料等的混合材料也能得到同等的效果。
下面，说明将具有上述结构的本实施例的电阻器和现有的电阻器安装在电路基板上进行实验的结果。
实验方法和试验结果的优劣判断与第1实施例的情况相同。
在表2中，就具有本发明第2实施例的结构的电阻器的实验例和现有的电阻器，列出了侧面电极层的从保护层表面的高度与安装不合格数的关系。
                       表2
现有例1 现有例2 实验例1 实验例2
保护层与侧面电极的高度比(μm)     -5     0     5     10
  实验结果(*)     连接不良     32     2     0     0
    安装角度偏差     83     9     0     0
(*)安装10000个试样时出现不合格的数目(个)
表2表明，本实施例的电阻器由于侧面电极层设在比保护层表面高5μm以上的高度，因此，与现有的电阻器相比，安装不合格数极度减少。
接着，参照图面，对本发明的第3实施例中的电阻器及其制造方法进行说明。
图8是本发明的第3实施例中的电阻器的剖面图，在图中，51是由氧化铝等组成的基板。52是设在基板51上表面两侧部的由银和玻璃的混合材料等组成的一对第1上表面电极层，最好设置至基板51的侧端。53是设在基板51上表面且与第1上表面电极层52的两端部分别重叠并电连接的由氧化钌和玻璃的混合材料等组成的电阻层。54是覆盖第1上表面电极层52和电阻层53的上表面的由硼硅酸铅类玻璃等或环氧树脂等组成的保护层，最好设置至基板51的侧端。55是设在保护层54上表面侧端的由银和玻璃或酚醛类树脂的混合材料等组成的一对第2上表面电极层，最好设置至基板51的侧端。56是将基板51的侧面、第1上表面电极层52和第2上表面电极层55电连接的由银和玻璃的混合材料等组成的侧面电极层，该侧面电极层56的棱线带圆度。57是视需要而设置的覆盖侧面电极层56的由镀镍等组成的镀层。58是视需要而设置的覆盖镀层57的焊剂层，最好该焊剂层58的棱线带圆度。
下面参照图面，对具有上述结构的电阻器的制造方法进行说明。
图9、图10是显示本发明的第3实施例中的电阻器的制造方法的工艺图，如图9(a)所示，横跨具有纵横的分割沟61的由氧化铝等组成的片状基板62的分割沟61，丝网印刷银和玻璃的混合糊状材料，然后进行干燥，通过带式连续烧成炉在约850℃烧成约45分钟，形成第1上表面电极层63。
接着，如图9(b)所示，在片状基板62的上表面丝网印刷氧化钌和玻璃的混合糊状材料，使其与第1上表面电极层63的各端部重叠，从而将第1上表面电极层63间电连接，然后进行干燥，通过带式连续烧成炉在约850℃烧成约45分钟，形成电阻层64。
接着，如图9(c)所示，为修正电阻层64的电阻值，用激光等修整加工，形成修正沟65。此时，也可在修正之前，至少用玻璃等将电阻层64的表面覆盖(图中未标出)后，从覆盖层的上表面，用激光等修整覆盖层和电阻层64，形成修正沟65。
接着，如图9(d)所示，丝网印刷硼硅酸铅类玻璃糊，使其覆盖第1上表面电极层63和电阻层46的上表面，然后进行干燥，通过带式连续烧成炉在约600℃烧成约45分钟，形成保护层66。此时，保护层66必须至少覆盖第1上表面电极层63和电阻层64的上表面。
接着，如图10(a)所示，在保护层66的上表面丝网印刷银和玻璃的混合糊状材料，然后进行干燥，通过带式连续烧成炉在约600℃烧成约45分钟，形成第2上表面电极层67。
接着，如图10(b)所示，从基板侧面，沿片状基板62的分割沟61分割，使第1和第2上表面电极层露出，形成短栅状基板68。
接着，如图10(c)所示，通过辊转印将银和玻璃的混合糊状材料印刷在短栅状基板68的侧面，使其将第1上表面电极层63和第2上表面电极层67电连接，然后进行干燥，通过带式连续烧成炉在约600℃烧成约45分钟，形成侧面电极层69。
接着，如图10(d)所示，将短栅状基板68分割成各个基板，作为单片的电阻器70。
最后，可视需要，形成覆盖侧面电极层69的由镀镍等组成的镀层(图中未标出)，同时，形成覆盖该镀层的由锡和铅的合金镀料等组成的焊剂层(图中未标出)，由此得到电阻器。
下面，说明将具有上述结构的本实施例的电阻器和现有的电阻器安装在电路基板上进行实验的结果。
实验方法和试验结果的优劣判断与第1实施例的情况相同。
在表3中，就具有本发明第3实施例的结构的电阻器的实验例和现有的电阻器，列出了上表面电极层的从保护层表面的高度与安装不合格数的关系。
                               表3
现有例1 现有例2 实验例1 实验例2
保护层与第2上表面电极层的高度比(μm)     -5     0     5     10
  实验结果(*)     连接不良     25     2     0     0
    安装角度偏差     105     13     2     0
(*)安装10000个试样时出现不合格的数目(个)
表3表明，本实施例的电阻器由于第2上表面电极层形成在比保护层表面高5μm以上的高度，因此，与现有的电阻器相比，安装不合格数显著减少。
此外，同样地在表4中显示了侧面电极层的从保护层表面起的高度与安装不合格数的关系。
                           表4
现有例1 现有例2 实验例1 实验例2
保护层与侧面电极层的高度比(μm)     -10     0     10     20
  实验结果(*)     连接不良     20     1     0     0
    安装角度偏差     100     14     0     0
(*)安装10000个试样时出现不合格的数目(个)
表4表明，本实施例的电阻器由于侧面电极层形成在比保护层表面高10μm以上的高度，因此，与现有的电阻器相比，安装不合格数显著减少。
接着，参照图面，对本发明的第4实施例中的电阻器及其制造方法进行说明。
图11是本发明的第4实施例中的电阻器的剖面图，在图中，71是由氧化铝等组成的基板。72是设在基板71上表面侧部的由银和玻璃的混合材料等组成的一对第1上表面电极层，最好设置至基板71的侧端。73是设在基板71下面两端部的由银和玻璃的混合材料等组成的一对后表面电极层，最好设置至基板71的侧端。
74是设在基板71上表面且分别与第1上表面电极层72的两端部重叠并电连接的由氧化钌和玻璃的混合材料等组成的电阻层。75是至少覆盖第1上表面电极层72和电阻层74的上表面的由硼硅酸铅类玻璃等组成的保护层，最好设置至基板71的侧端。76是设在保护层75的两端面的由银和玻璃的混合材料等组成的一对第2上表面电极层，最好设置至基板7 1的侧端并具有与后表面电极层73相同的形状。77是将基板71的侧面和第1上表面电极层72以及第2上表面电极层76的两端部电连接的由银和玻璃的混合材料等组成的侧面电极层，该侧面电极层77的棱线带圆度。
78是视需要而设置的覆盖侧面电极层77的由镀镍等组成的镀层。79是视需要而设置的覆盖镀层78的焊剂层，最好该焊剂层79的棱线带圆度。
下面参照图面，对具有上述结构的电阻器的制造方法进行说明。
图12、图13是显示本发明的第4实施例中的电阻器的制造方法的工艺图，如图12(a)所示，横跨具有纵横的分割沟81的由氧化铝等组成的片状基板82的分割沟81，丝网印刷银和玻璃的混合糊状材料，然后进行干燥，接着，在该片状基板82的后表面，横跨分割沟(图中未标出)，丝网印刷银和玻璃的混合糊状材料，然后进行干燥，通过带式连续烧成炉在约850℃烧成约45分钟，形成第1上表面电极层83和后表面电极层84。
接着，如图12(b)所示，在片状基板82的上表面丝网印刷氧化钌和玻璃的混合糊状材料，使其与第1上表面电极层83的各端部重叠，从而将第1上表面电极层83间电连接，然后进行干燥，通过带式连续烧成炉在约850℃烧成约45分钟，形成电阻层85。
接着，如图12(c)所示，为修正电阻层85的电阻值，用激光等修整加工，形成修正沟86。此时，也可在修正之前，至少用玻璃等将电阻层85的表面覆盖(图中未标出)后，从覆盖层的上表面，用激光等修整覆盖层和电阻层85，形成修正沟86。
接着，如图12(d)所示，丝网印刷硼硅酸铅类玻璃糊，使其覆盖第1上表面电极层83和电阻层85的上表面，然后进行干燥，通过带式连续烧成炉在约600℃烧成约45分钟，形成保护层87。此时，保护层87必须至少覆盖第1上表面电极层83和电阻层85的上表面。
接着，如图13(a)所示，在保护层87的上表面丝网印刷银和玻璃的混合糊状材料，然后进行干燥，通过带式连续烧成炉在约600℃烧成约45分钟，形成第2上表面电极层88。
接着，如图13(b)所示，从基板侧面，沿片状基板82的分割沟81分割，使第1和第2上表面电极层露出，形成短栅状基板89。
接着，如图13(c)所示，通过辊转印印刷银和玻璃的混合糊状材料，使其将第1上表面电极层83和第2上表面电极层88电连接，然后进行干燥，通过带式连续烧成炉在约600℃烧成约45分钟，形成侧面电极层90。
接着，如图13(d)所示，将短栅状基板89分割成各个基板，作为单片状电阻器。
最后，可视需要，形成覆盖侧面电极层90的由镀镍等组成的镀层(图中未标出)，同时，形成覆盖该镀层的由锡和铅的合金镀料等组成的钎焊层(图中未标出)，由此得到电阻器。
下面，说明将具有上述结构的本实施例的电阻器和现有的电阻器安装在电路基板上进行实验的结果。
实验方法和试验结果的优劣判断与第1实施例的情况相同。
在表5中，就具有本发明第4实施例的结构的电阻器的实验例和现有的电阻器，列出了上表面电极层从保护层表面起的高度与安装不合格数的关系。
                           表5
现有例1 现有例2 实验例1 实验例2
保护层与第2上表面电极层的高度比(μm)     -5     0     5     10
  实验结果(*)     连接不良     26     3     0     0
    安装角度偏差     98     12     1     0
(*)安装10000个试样时出现不合格的数目(个)
表5表明，本实施例的电阻器由于第2上表面电极层形成在比保护层表面高5μm以上的高度，因此，与现有的电阻器相比，安装不合格数显著减少。
此外，同样地在表6中显示了侧面电极层的从保护层表面起的高度与安装不合格数的关系。
                          表6
现有例1 现有例2 实验例1 实验例2
保护层与侧面电极层的高度比(μm)     -10     0     10     20
  实验结果(*)     连接不良     22     3     0     0
    安装角度偏差     101     12     0     0
(*)安装10000个试样时出现不合格的数目(个)
表6表明，本实施例的电阻器由于侧面电极层形成在比保护层表面高10μm以上的高度，因此，与现有的电阻器相比，安装不合格数显著减少。
接着，参照图面，对本发明的第5实施例中的电阻器进行说明。
图14是本发明的第5实施例中的电阻器的立体图，本实施例与第3和第4实施例的不同之处在于，如图14所示，按与基板89的宽度相同的尺寸形成如图13(d)所示的分割成单片的电阻器的第2上表面电极层88，且在第2上表面电极层88的互相对置的端面的两角部分别形成切去部88a。通过设置该切去部88a，可在将电阻器安装在电路基板(图中未标出)时，扩大接合面积，提高接合强度，同时，由于第2上表面电极层88无角部，可防止电阻器从电路基板剥落。
接着，参照图面，对本发明的第6实施例中的电阻器及其制造方法进行说明。
图15(a)是从上方观察的本发明的第6实施例中的电阻器的立体图，图15(b)是从后表面观察的立体图，图16是同一电阻器的剖面图。
在图15、16中，91是由氧化铝等组成的基板，92是设在基板91上表面两侧部的由银和玻璃的混合材料等组成的一对第1上表面电极层，最好设置至基板91的侧端。
93是设在基板91上表面且分别与第1上表面电极层92的两端部重叠并电连接的由氧化钌和玻璃的混合材料等组成的电阻层。94是覆盖第1上表面电极层92和电阻层93的上表面且在第1上表面电极层92上设有开口99的由硼硅酸铅类玻璃等或环氧树脂等组成的保护层，最好设置至基板91的侧端。95是设在保护层94上表面的侧部、通过保护层94的开口99而与第1上表面电极层92电连接的由银和玻璃或酚醛树脂的混合材料等组成的一对第2上表面电极层，最好设置至基板91的侧端。这一对第2上表面电极层95互相对置的端面的角部95a如图15(a)所示，分别形成突起部。96是将基板91的侧面和第1上表面电极层92以及第2上表面电极层95电连接的由银和玻璃的混合材料等组成的侧面电极层，该侧面电极层96的棱线带圆度。97是视需要而设置的覆盖侧面电极层96的由镀镍等组成的镀层，98是视需要而设置的覆盖镀层97的焊剂层，最好该焊剂层98的棱线带圆度。
下面参照图面，对具有上述结构的电阻器的制造方法进行说明。
图17、图18是显示本发明的第6实施例中的电阻器的制造方法的工艺图，如图17(a)所示，横跨具有纵横的分割沟101的由氧化铝等组成的片状基板102的分割沟101，丝网印刷银和玻璃的混合糊状材料，然后进行干燥，通过带式连续烧成炉在约850℃烧成约45分钟，形成第1上表面电极层103。
接着，如图17(b)所示，在片状基板102的上表面丝网印刷氧化钌和玻璃的混合糊状材料，使其与第1上表面电极层103的各端部重叠，从而将第1上表面电极层103间电连接，然后进行干燥，通过带式连续烧成炉在约850℃烧成约45分钟，形成电阻层104。
接着，如图17(c)所示，为修正电阻层104的电阻值，用激光等修整加工，形成修正沟105。此时，也可在修正之前，至少用玻璃等将电阻层104的表面覆盖(图中未标出)后，从覆盖层的上表面，用激光等修整覆盖层和电阻层104，形成修正沟105。
接着，如图17(d)所示，丝网印刷硼硅酸铅类玻璃糊，使其覆盖第1上表面电极层103和电阻层104的上表面且在第1上表面电极层103上具有开口110，然后进行干燥，通过带式连续烧成炉在约600℃烧成约45分钟，形成保护层106。此时，保护层106必须至少覆盖第1上表面电极层103和电阻层104的上表面。
接着，如图18(a)所示，丝网印刷银和玻璃的混合糊状材料，通过保护层106的开口110与第1上表面电极层103电连接，然后进行干燥，通过带式连续烧成炉在约600℃烧成约45分钟，形成第2上表面电极层107。此时，在第2上表面电极层107的互相对置的端面分别形成突起状角部107a，所述第2上表面电极层107的互相对置的端面位于设在片状基板102上的纵向分割沟101上。
接着，如图18(b)所示，从基板侧面，沿片状基板102的分割沟101分割，使第1和第2上表面电极层露出，形成短栅状基板108。
接着，如图18(c)所示，通过辊转印在短栅状基板108的侧面印刷银和玻璃的混合糊状材料，使其将第1上表面电极层103和第2上表面电极层107电连接，然后进行干燥，通过带式连续烧成炉在约600℃烧成约45分钟，形成侧面电极层109。
接着，如图18(d)所示，将短栅状基板108分割成各个基板，作为单片的电阻器。
最后，可视需要，形成覆盖侧面电极层109的由镀镍等组成的镀层(图中未标出)，同时，形成覆盖该镀层的由锡和铅的合金镀料等组成的焊剂层(图中未标出)，由此得到电阻器。
下面，说明将具有上述结构的本实施例的电阻器和现有的电阻器安装在电路基板上进行实验的结果。
实验方法和试验结果的优劣判断与第1实施例的情况相同。
在表7中，就具有本发明第6实施例的结构的电阻器的实验例和现有的电阻器，列出了第2上表面电极层的从保护层表面起的高度与安装不合格数的关系。
                           表7
现有例1 现有例2 实验例1 实验例2
保护层与第2上表面电极层的高度比(μm)     -5     0     5     10
  实验结果(*)     连接不良     18     3     0     0
    安装角度偏差     50     7     0     0
(*)安装10000个试样时出现不合格的数目(个)
表7表明，本实施例的电阻器由于第2上表面电极层形成在比保护层表面高5μm以上的高度且在第2上表面电极层的端面设有角部，因此，与现有的电阻器相比，安装不合格数显著减少。
此外，同样地在表8中显示了侧面电极层的从保护层表面起的高度与安装不合格数的关系。
                            表8
现有例1 现有例2 实验例1 实验例2
保护层与侧面电极层的高度比(μm)     -10     0     10     20
  实验结果(*)     连接不良     14     1     0     0
    安装角度偏差     61     6     0     0
(*)安装10000个试样时出现不合格的数目(个)
表8表明，本实施例的电阻器由于侧面电极层形成在比保护层表面高10μm以上的高度，因此，与现有的电阻器相比，安装不合格数显著减少。
接着，参照图面，对本发明的第7实施例中的电阻器及其制造方法进行说明。
图19(a)是从上方观察的本发明的第7实施例中的电阻器的立体图，图19(b)是从后表面观察的立体图，图20是同一电阻器的剖面图。
在图中，111是由氧化铝等组成的基板，112是设在基板111上表面两侧部的由银和玻璃的混合材料等组成的一对第1上表面电极层，最好设置至基板111的侧端。
113是设在基板111下面两侧部的由银和玻璃的混合材料等组成的一对后表面电极层，与第1上表面电极层112同样，最好设置至基板111的侧端。该后表面电极层113的角部113a设在一对后表面电极层113互相对置的端面的两端部。
114是设在基板111上表面且分别与第1上表面电极层112的两端部重叠并电连接的由氧化钌和玻璃的混合材料等组成的电阻膜。115是覆盖第1上表面电极层112和电阻层114的上表面且在第1上表面电极层112上设有开口120的由硼硅酸铅类玻璃等组成的保护层，最好设置至基板111的侧端。116是设在保护层115上表面的侧部、通过保护层115的开口120而与第1上表面电极层112电连接的由银和玻璃的混合材料等组成的一对第2上表面电极层，最好设置至基板111的侧端并具有与后表面电极层113相同的形状。
该第2上表面电极层116的角部116a设在一对第2上表面电极层116互相对置的端面的两端部。117是将基板111的侧面和第1上表面电极层112以及第2上表面电极层116电连接的由银和玻璃的混合材料等组成的侧面电极层，该侧面电极层117的棱线带圆度。118是视需要而设置的覆盖侧面电极层117的由镀镍等组成的镀层，119是视需要而设置的覆盖镀层118的焊剂层，最好该焊剂层119的棱线带圆度。
下面参照图面，对具有上述结构的电阻器的制造方法进行说明。
图21、图22是显示本发明的第7实施例中的电阻器的制造方法的工艺图，如图21(a)所示，横跨其上表面和下面具有纵横的分割沟121的由氧化铝等组成的片状基板122的横向分割沟121，丝网印刷银和玻璃的混合糊状材料，然后进行干燥，接着，在该片基板122的后表面，横跨分割沟(图中未标出)，丝网印刷银和玻璃的混合糊状材料，然后进行干燥，通过带式连续烧成炉在约850℃烧成约45分钟，形成第1上表面电极层123和后表面电极层124。此时，后表面电极层124的角部(图中未标出)形成在一对后表面电极层124互相对置的端面的两端部。
接着，如图21(b)所示，在片状基板122的上表面丝网印刷氧化钌和玻璃的混合糊状材料，使其与第1上表面电极层123的各端部重叠，从而将第1上表面电极层123间电连接，然后进行干燥，通过带式连续烧成炉在约850℃烧成约45分钟，形成电阻层125。
接着，如图21(c)所示，为修正电阻层125的电阻值，用激光等修整加工，形成修正沟126。此时，也可在修正之前，至少用玻璃等将电阻层125的表面覆盖(图中未标出)后，从覆盖层的上表面，用激光等修整覆盖层和电阻层125，形成修正沟126。
接着，如图21(d)所示，丝网印刷硼硅酸铅类玻璃糊，使其覆盖第1上表面电极层123和电阻层125的上表面且在第1上表面电极层123上具有开口131，然后进行干燥，通过带式连续烧成炉在约600℃烧成约45分钟，形成保护层127。
接着，如图22(a)所示，丝网印刷银和玻璃的混合糊状材料，通过保护层127的开口131与第1上表面电极层123电连接，然后进行干燥，通过带式连续烧成炉在约600℃烧成约45分钟，形成第2上表面电极层128。此时，在第2上表面电极层128的互相对置的端面分别形成突起状角部128a，所述第2上表面电极层128的互相对置的端面位于设在片状基板122上的纵向分割沟121上。
接着，如图22(b)所示，从基板侧面，沿片状基板122的分割沟121分割，使第1和第2上表面电极层露出，形成短栅状基板129。
接着，如图22(c)所示，通过辊转印在短栅状基板129的侧面印刷银和玻璃的混合糊状材料，使其将第1上表面电极层123和第2上表面电极层128电连接，然后进行干燥，通过带式连续烧成炉在约600℃烧成约45分钟，形成一对侧面电极层130。
接着，如图22(d)所示，将短栅状基板129分割成各个基板，作为单片的电阻器。
最后，可视需要，形成覆盖侧面电极层130的由镀镍等组成的镀层(图中未标出)，同时，形成覆盖该镀层的由锡和铅的合金镀料等组成的焊剂层(图中未标出)，由此得到电阻器。
下面，说明将具有上述结构的本实施例的电阻器和现有的电阻器安装在电路基板上进行实验的结果。
实验方法和试验结果的优劣判断与第1实施例的情况相同。
在表9中，就具有本发明第7实施例的结构的电阻器的实验例和现有的电阻器，列出了第2上表面电极层的从保护层表面起的高度与安装不合格数的关系。
                            表9
现有例1 现有例2 实验例1 实验例2
保护层与第2上表面电极层的高度比(μm)     -5     0     5     10
  实验结果(*)     连接不良     17     2     0     0
    安装角度偏差     56     8     0     0
(*)安装10000个试样时出现不合格的数目(个)
表9表明，本实施例的电阻器由于第2上表面电极层形成在比保护层表面高5μm以上的高度且在第2上表面电极层的端面和后表面电极层的端面分别设有角部，因此，与现有的电阻器相比，安装不合格数显著减少。
此外，同样地在表10中显示了侧面电极层的从保护层表面起的高度与安装不合格数的关系。
                             表10
现有例1 现有例2 实验例1 实验例2
保护层与侧面电极层的高度比(μm)     -10     0     10     20
  实验结果(*)     连接不良     16     1     0     0
    安装角度偏差     63     7     0     0
(*)安装10000个试样时出现不合格的数目(个)
表10表明，本实施例的电阻器由于侧面电极层形成在比保护层表面高10μm以上的高度，因此，与现有的电阻器相比，安装不合格数显著减少。
这样，根据本发明，由于侧面电极层或第2上表面电极层设在比保护层表面高的位置，因此，可从电阻器的上表面或下面将其安装在电路基板上，且由此可具有优异的连接可靠性。

Claims (33)

1.电阻器，由基板、设在该基板上表面的侧部的一对上表面电极层、与所述上表面电极层电连接的电阻层、至少覆盖所述电阻层的保护层、以及设在所述基板的侧面、与所述上表面电极层的一部分上表面重叠并电连接且该重叠的部位比所述保护层突出的侧面电极层组成。
2.电阻器，由基板、分别设在该基板上表面和下面的侧部的一对上表面电极层和后表面电极层、与所述上表面电极层电连接的电阻层、至少覆盖所述电阻层的保护层、以及设在所述基板的侧面、与所述后表面电极层和所述上表面电极层的一部分上表面重叠并电连接且该重叠的部位比所述保护层突出的侧面电极层组成。
3.如权利要求1或2所述的电阻器，其特征在于，与上表面电极层重叠的侧面电极层形成在比保护层表面高5μm以上的高度。
4.如权利要求1或2所述的电阻器，其特征在于，侧面电极层与保护层的一部分上表面重叠。
5.如权利要求4所述的电阻器，其特征在于，保护层覆盖上表面电极层的上表面的一部分或全部。
6.电阻器，由基板、设在该基板上表面的侧部的一对第1上表面电极层、设在所述基板的上表面、与所述第1上表面电极层电连接的电阻层、至少覆盖所述第1上表面电极层和电阻层的上表面的保护层、设在该保护层上表面的侧部的一对第2上表面电极层、以及至少设在所述基板的侧面、将所述第1和第2上表面电极层电连接的侧面电极层组成。
7.电阻器，由基板、分别设在该基板上表面和下面的侧部的一对第1上表面电极层和后表面电极层、设在所述基板的上表面、与所述第1上表面电极层电连接的电阻层、至少覆盖所述第1上表面电极层和电阻层的上表面的保护层、设在该保护层上表面的侧部的一对第2上表面电极层、以及至少设在所述基板的侧面、将所述第1和第2上表面电极层电连接的侧面电极层组成。
8.如权利要求6或7所述的电阻器，其特征在于，与基板侧面对置的第2上表面电极层具有切去部。
9.电阻器，由基板、设在该基板上表面的侧部的一对第1上表面电极层、设在所述基板的上表面、与所述第1上表面电极层电连接的电阻层、至少覆盖所述第1上表面电极层和电阻层的上表面的保护层、设在该保护层上表面的侧部的一对第2上表面电极层、以及至少设在所述基板的侧面、将所述第1和第2上表面电极层电连接的侧面电极层组成，所述保护层在所述第1上表面电极层的上表面具有开口且通过该开口将所述第1、第2上表面电极层互相电连接，所述第2上表面电极层在其互相对置的端面具有角部。
10.电阻器，由基板、设在该基板上表面和下面的侧部的一对第1上表面电极层和后表面电极层、设在所述基板的上表面、与所述第1上表面电极层电连接的电阻层、至少覆盖所述第1上表面电极层和电阻层的上表面的保护层、设在该保护层上表面的侧部的一对第2上表面电极层、以及至少设在所述基板的侧面、将所述第1、第2上表面电极层和后表面电极层电连接的侧面电极层组成的电阻器，所述保护层在所述第1上表面电极层的上表面具有开口且通过该开口将所述第1、第2上表面电极层互相电连接，所述第2上表面电极层在其互相对置的端面具有角部。
11.如权利要求6、7、9、10中任一项所述的电阻器，其特征在于，至少第1、第2上表面电极层中的任一个设置至基板的侧端。
12.如权利要求6、7、9、10中任一项所述的电阻器，其特征在于，后表面电极层设置至基板的侧端。
13.如权利要求6、7、9、10中任一项所述的电阻器，其特征在于，第2上表面电极层形成在比保护层表面高5μm以上的高度。
14.如权利要求6、7、9、10中任一项所述的电阻器，其特征在于，侧面电极层被焊剂层覆盖且形成在比保护层表面高10μm以上的高度。
15.如权利要求6、7、9、10中任一项所述的电阻器，其特征在于，侧面电极层或焊剂层的棱线带圆度。
16.如权利要求6、7、9、10中任一项所述的电阻器，其特征在于，第1上表面电极层由含银材料组成。
17.如权利要求6、7、9、10中任一项所述的电阻器，其特征在于，保护层由玻璃或树脂材料组成。
18.如权利要求6、7、9、10中任一项所述的电阻器，其特征在于，第2上表面电极层由至少含玻璃或树脂的导电性材料组成。
19.如权利要求6、7、9、10中任一项所述的电阻器，其特征在于，侧面电极层由至少含玻璃或树脂的导电性材料组成。
20.如权利要求6、7、9、10中任一项所述的电阻器，其特征在于，第2上表面电极层和后表面电极层具有相同的形状。
21.电阻器的制造方法，由设置横跨具有分割沟的片状基板的分割沟上表面的第1上表面电极层的工序、设置将所述第1上表面电极层间电连接的保护层的工序、设置至少将所述第1上表面电极层和电阻层的上表面覆盖的保护层的工序、在所述保护层上表面设置第2上表面电极层的工序、将具有形成所述第2上表面电极层而成的分割沟的片状基板分割成短栅状的工序、至少在所述短栅状基板的侧面设置将所述第1、第2上表面电极层电连接的侧面电极层的工序、将形成有所述侧面电极层的短栅状基板分割成单片的工序组成。
22.电阻器的制造方法，由设置横跨具有分割沟的片状基板的分割沟的上表面和下面的第1上表面电极层和后表面电极层的工序、设置将所述第1上表面电极层间电连接的电阻层的工序、设置至少覆盖所述第1上表面电极层和电阻层的上表面的保护层的工序、在所述保护层上表面设置第2上表面电极层的工序、将具有形成所述第2上表面电极层而成的分割沟的片状基板分割成短栅状的工序、至少在所述短栅状基板的侧面设置将所述第1、第2上表面电极层和后表面电极层电连接的侧面电极层的工序、以及将形成有所述侧面电极层的短栅状基板分割成单片的工序组成。
23.电阻器的制造方法，由设置横跨具有分割沟的片状基板的分割沟的上表面的第1上表面电极层的工序、设置将所述第1上表面电极层间电连接的电阻层的工序、设置至少覆盖所述第1上表面电极层和电阻层的上表面的保护层的工序、在所述保护层上表面的侧部设置第2上表面电极层的工序、将具有形成所述第2上表面电极层而成的分割沟的片状基板分割成短栅状的工序、至少在所述短栅状基板的侧面设置将所述第1、第2上表面电极层电连接的侧面电极层的工序、以及将形成有所述侧面电极层的短栅状基板分割成单片的工序组成，在设置所述保护层后，形成所述第2上表面电极层的工序具有在所述第1上表面电极层的上表面设置开口且通过该开口将所述第1、第2上表面电极层电连接，并且在所述第2上表面电极层的互相对置的各端面形成角部的工序。
24.电阻器的制造方法，由设置横跨具有分割沟的片状基板的分割沟的上表面和下面的第1上表面电极层和后表面电极层的工序、设置将所述第1上表面电极层间电连接的电阻层的工序、设置至少覆盖所述第1上表面电极层和电阻层的上表面的保护层的工序、在所述保护层上表面的侧部设置第2上表面电极层的工序、将具有形成所述第2上表面电极层而成的分割沟的片状基板分割成短栅状的工序、至少在所述短栅状基板的侧面设置将所述第1、第2上表面电极层和后表面电极层电连接的侧面电极层的工序、以及将形成有所述侧面电极层的短栅状基板分割成单片的工序组成，在设置所述保护层后，形成所述第2上表面电极层的工序具有在所述第1上表面电极层的上表面设置开口且通过该开口将所述第1、第2上表面电极层电连接，并且在所述第2上表面电极层的互相对置的各端面形成角部的工序。
25.如权利要求21至24中任一项所述的电阻器的制造方法，其特征在于，在形成第1、第2上表面电极层的工序中，将第1、第2上表面电极层设置至基板侧端。
26.如权利要求21至24中任一项所述的电阻器的制造方法，其特征在于，在形成后表面电极层的工序中，将后表面电极层设置至基板的侧端。
27.如权利要求21至24中任一项所述的电阻器的制造方法，其特征在于，在形成第2上表面电极层的工序中，将第2上表面电极层形成在比保护层表面高10μm以上的高度。
28.如权利要求21至24中任一项所述的电阻器的制造方法，其特征在于，在形成侧面电极层的工序中，用焊剂层将侧面电极层覆盖且将该焊剂层形成在比保护层高20μm以上的高度。
29.如权利要求21至24中任一项所述的电阻器的制造方法，其特征在于，在形成侧面电极层或焊剂层的工序中，使侧面电极层或焊剂层的棱线带圆度。
30.如权利要求21至24中任一项所述的电阻器的制造方法，其特征在于，在形成第1上表面电极层的工序中，将含银材料印刷、烧成。
31.如权利要求21至24中任一项所述的电阻器的制造方法，其特征在于，在形成保护层的工序中，将含玻璃或树脂的材料印刷、烧成或硬化。
32.如权利要求21至24中任一项所述的电阻器的制造方法，其特征在于，在形成第2上表面电极层的工序中，将至少含玻璃或树脂的导电性材料印刷、烧成或硬化。
33.如权利要求21至24中任一项所述的电阻器的制造方法，其特征在于，在形成侧面电极层的工序中，将至少含玻璃或树脂的导电性材料印刷或溅射。
CN97105518A 1996-05-29 1997-05-29 电阻器及其制造方法 Expired - Fee Related CN1123015C (zh)

Applications Claiming Priority (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP134618/1996 1996-05-29
JP8134618A JPH09320803A (ja) 1996-05-29 1996-05-29 抵抗器
JP134618/96 1996-05-29
JP145543/1996 1996-06-07
JP8145543A JPH09330802A (ja) 1996-06-07 1996-06-07 抵抗器およびその製造方法
JP145543/96 1996-06-07
JP021183/97 1997-02-04
JP02118397A JP3769859B2 (ja) 1997-02-04 1997-02-04 抵抗器およびその製造方法
JP021183/1997 1997-02-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1170940A true CN1170940A (zh) 1998-01-21
CN1123015C CN1123015C (zh) 2003-10-01

Family

ID=27283322

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN97105518A Expired - Fee Related CN1123015C (zh) 1996-05-29 1997-05-29 电阻器及其制造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6150920A (zh)
EP (1) EP0810614B1 (zh)
KR (1) KR100335295B1 (zh)
CN (1) CN1123015C (zh)
DE (1) DE69715091T2 (zh)
MY (1) MY117368A (zh)
SG (1) SG63712A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1722316B (zh) * 2000-01-17 2010-09-29 松下电器产业株式会社 电阻器的制造方法
CN104221099B (zh) * 2012-03-26 2017-04-12 兴亚株式会社 电阻器及其安装结构
CN109727741A (zh) * 2018-12-29 2019-05-07 广东爱晟电子科技有限公司 一种芯片玻璃封装工艺

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3225191B2 (ja) * 1996-03-13 2001-11-05 釜屋電機株式会社 チップ抵抗器
GB2320620B (en) * 1996-12-20 2001-06-27 Rohm Co Ltd Chip type resistor and manufacturing method thereof
EP1018750A4 (en) * 1997-07-03 2008-02-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd RESISTANCE AND ITS MANUFACTURING PROCESS
TW424245B (en) * 1998-01-08 2001-03-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Resistor and its manufacturing method
KR100328255B1 (ko) * 1999-01-27 2002-03-16 이형도 칩 부품 및 그 제조방법
KR100501559B1 (ko) * 2000-08-30 2005-07-18 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 저항기 및 그 제조 방법
US6740603B2 (en) 2001-02-01 2004-05-25 Texas Instruments Incorporated Control of Vmin transient voltage drift by maintaining a temperature less than or equal to 350° C. after the protective overcoat level
US7038572B2 (en) * 2001-03-19 2006-05-02 Vishay Dale Electronics, Inc. Power chip resistor
AU2002324848A1 (en) 2002-09-03 2004-03-29 Vishay Intertechnology, Inc. Flip chip resistor and its manufacturing method
JP3967272B2 (ja) * 2003-02-25 2007-08-29 ローム株式会社 チップ抵抗器
JP2004259864A (ja) * 2003-02-25 2004-09-16 Rohm Co Ltd チップ抵抗器
JP3848286B2 (ja) * 2003-04-16 2006-11-22 ローム株式会社 チップ抵抗器
TWI366837B (en) * 2004-02-27 2012-06-21 Rohm Co Ltd Chip resistor and method for manufacturing the same
JP3983264B2 (ja) * 2005-09-27 2007-09-26 北陸電気工業株式会社 チップ状電気部品の端子構造
US20100236054A1 (en) * 2007-08-30 2010-09-23 Kamaya Electric Co., Ltd. Method and apparatus for manufacturing metal plate chip resistors
KR101089840B1 (ko) * 2009-04-01 2011-12-05 삼성전기주식회사 회로 기판 모듈 및 그의 제조 방법
WO2011028870A1 (en) 2009-09-04 2011-03-10 Vishay Dale Electronics, Inc. Resistor with temperature coefficient of resistance (tcr) compensation
US8284016B2 (en) * 2009-09-04 2012-10-09 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Array type chip resistor
US8179226B2 (en) * 2009-09-04 2012-05-15 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Array type chip resistor
JP2012009767A (ja) * 2009-11-27 2012-01-12 Kyocera Corp 多数個取り配線基板およびその製造方法、ならびに配線基板およびその製造方法
US10083781B2 (en) 2015-10-30 2018-09-25 Vishay Dale Electronics, Llc Surface mount resistors and methods of manufacturing same
US10438729B2 (en) 2017-11-10 2019-10-08 Vishay Dale Electronics, Llc Resistor with upper surface heat dissipation
KR102515399B1 (ko) * 2017-12-12 2023-03-28 엘지디스플레이 주식회사 배선 필름 및 그를 포함한 표시 장치
KR102575337B1 (ko) 2020-08-20 2023-09-06 비쉐이 데일 일렉트로닉스, 엘엘씨 저항기, 전류 감지 저항기, 배터리 션트, 션트 저항기, 및 제조 방법
CN114765086A (zh) * 2021-01-12 2022-07-19 国巨电子（中国）有限公司 电阻器的制造方法
JP2022109674A (ja) * 2021-01-15 2022-07-28 Koa株式会社 チップ抵抗器およびその製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3122612A1 (de) * 1981-06-06 1982-12-23 Draloric Electronic GmbH, 8672 Selb "verfahren zur herstellung von chipwiderstaenden"
JPS59185801U (ja) * 1983-05-26 1984-12-10 アルプス電気株式会社 チツプ抵抗
NL8500433A (nl) * 1985-02-15 1986-09-01 Philips Nv Chipweerstand en werkwijze voor de vervaardiging ervan.
JPS61210601A (ja) * 1985-03-14 1986-09-18 進工業株式会社 チツプ抵抗器
ATE51462T1 (de) * 1985-12-17 1990-04-15 Siemens Bauelemente Ohg Elektrisches bauelement in chip-bauweise.
JPS6447001A (en) * 1987-08-18 1989-02-21 Murata Manufacturing Co Square-shaped chip resistor
JP2839262B2 (ja) * 1988-05-17 1998-12-16 松下電器産業株式会社 チップ抵抗器とその製造方法
FR2653588B1 (fr) * 1989-10-20 1992-02-07 Electro Resistance Resistance electrique sous forme de puce a montage de surface et son procede de fabrication.
JPH0817121B2 (ja) * 1990-02-16 1996-02-21 ローム株式会社 チップ部品におけるキャップ端子装置
JP2535441B2 (ja) * 1990-08-21 1996-09-18 ローム株式会社 チップ型抵抗器の製造方法
US5294910A (en) * 1991-07-01 1994-03-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Platinum temperature sensor
JP3092451B2 (ja) * 1994-07-18 2000-09-25 松下電器産業株式会社 角形薄膜チップ抵抗器およびその製造方法
JP3012875B2 (ja) * 1996-01-16 2000-02-28 北陸電気工業株式会社 チップ抵抗器の製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1722316B (zh) * 2000-01-17 2010-09-29 松下电器产业株式会社 电阻器的制造方法
CN104221099B (zh) * 2012-03-26 2017-04-12 兴亚株式会社 电阻器及其安装结构
CN109727741A (zh) * 2018-12-29 2019-05-07 广东爱晟电子科技有限公司 一种芯片玻璃封装工艺

Also Published As

Publication number Publication date
DE69715091D1 (de) 2002-10-10
CN1123015C (zh) 2003-10-01
KR970076913A (ko) 1997-12-12
MY117368A (en) 2004-06-30
EP0810614B1 (en) 2002-09-04
EP0810614A1 (en) 1997-12-03
DE69715091T2 (de) 2003-01-02
KR100335295B1 (ko) 2002-10-04
US6150920A (en) 2000-11-21
SG63712A1 (en) 1999-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1123015C (zh) 电阻器及其制造方法
CN1290258C (zh) 弹性表面波装置以及应用该装置的电子部件和复合模件
CN1237595C (zh) 具有树脂部件作为加固件的焊料球的形成
CN1277650C (zh) 铝合金钎焊板
CN1977399A (zh) Led部件及其制造方法
CN1294635C (zh) 凸起的形成方法、半导体器件的制造方法
CN1127095C (zh) 电阻器及其制造方法
CN1225153C (zh) 电路板装置及其安装方法
CN1882224A (zh) 配线基板及其制造方法
CN1171815C (zh) 模压的等离子体显示器底板
CN1243335C (zh) 生产性优良的等离子体显示屏的制法
CN1873971A (zh) 焊锡箔、半导体器件及电子器件
CN1606143A (zh) 半导体元件的安装方法及半导体元件安装基板
CN1870259A (zh) 多层布线基片
CN1128452C (zh) 电阻布线板及其制造方法
CN1476166A (zh) 弹性表面波装置及其制造方法
CN1870857A (zh) 被屏蔽的电子电路单元及其制造方法
CN1792537A (zh) 焊接用包覆材料、使用其的焊接方法以及焊接制品
CN1873935A (zh) 配线基板的制造方法及半导体器件的制造方法
CN1764344A (zh) 布线电路板
CN1572129A (zh) 焊料包覆球及其制造方法和半导体连接构造的形成方法
CN1674269A (zh) 多层布线基板制造用层间构件及其制造方法
CN1261977A (zh) 电阻器及其制造方法
CN1235284C (zh) 用于半导体和功率模件的绝缘衬底板
CN1031342A (zh) 自动电弧焊接方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20031001

Termination date: 20160529