CN117083701A - 基板处理装置、基板处理系统以及基板处理方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 972
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 568
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 244
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 241
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 97
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 49
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims description 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 209
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 64
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 54
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 28
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 23
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 19
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 17
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 16
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 3
- 210000002421 cell wall Anatomy 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000007730 finishing process Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
- Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Robotics (AREA)
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
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Abstract
基板处理装置包含:载体保持部,其保持载体;处理单元,其处理基板且执行使用虚拟基板的处理;虚拟基板收容部;基板载置部;第一搬运单元,其在处理单元与基板载置部之间搬运基板,并在处理单元、虚拟基板收容部以及基板载置部之间搬运虚拟基板;第二搬运单元,其在载体保持部与基板载置部之间搬运基板;存储部,其存储虚拟基板的使用历史信息;使用期限通知部,其基于使用历史信息通知虚拟基板的使用期限信息;行程制作部,其制作用于回收已被通知使用期限信息的虚拟基板的搬运行程;搬运控制部,其按照搬运行程来控制第一搬运单元和第二搬运单元所进行的基板或者虚拟基板的搬运。
Description
关联申请
本申请主张基于2021年3月23日所提出的日本专利申请JP2021-049169的优先权,将该申请的全部内容引用于本申请。
技术领域
本发明有关于一种用于处理基板的装置、系统以及方法。成为处理的对象的基板例如包括半导体晶圆、液晶显示设备以及有机EL(Electroluminescence,电致发光)显示设备等FPD(Flat Panel Display,平板显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太阳电池用基板等。
背景技术
在半导体装置的制造工序中,使用处理如半导体晶圆这样的基板的基板处理装置。这种基板处理装置的一例被公开于专利文献1。该基板处理装置包含:载体保持部,其保持收容基板的载体;多个处理单元,其处理基板;搬运单元,其在载体与处理单元之间搬运基板;以及控制单元。当处理单元的不使用持续时间到达预定时间时,控制装置对主机装置请求搬入保持有虚拟基板的虚拟载体。当虚拟载体被搬入载体保持部时,搬运单元将虚拟基板从虚拟载体向处理单元搬运。使用该虚拟基板进行处理单元的洗净。
搬运单元包含分度机器人以及主搬运机器人,并在分度机器人与主搬运机器人之间配置有传递单元。分度机器人在载体与传递单元之间搬运基板。主搬运机器人在传递单元与处理单元之间搬运基板。
当虚拟载体载置于载体保持部时,分度机器人从虚拟载体取出虚拟基板并搬运至传递单元。该虚拟基板被主搬运机器人从传递单元搬运至处理单元。当结束使用了虚拟基板的单元洗净处理时,主搬运机器人将虚拟基板从处理单元取出并搬运至传递单元。该虚拟基板被分度机器人从传递单元搬运至虚拟载体。当全部的虚拟基板被收容至虚拟载体时,从载体保持部搬出虚拟载体。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2017-41506号公报。
发明内容
发明所要解决的课题
这样,虚拟基板从基板处理装置的外部被导入,通过与制品基板相同的路径被搬运至处理单元,且从处理单元被搬出并被收容至虚拟载体。因此,为了搬运虚拟基板而使用分度机器人以及主搬运机器人双方,并通过传递单元搬运虚拟基板。由此,将干扰制品基板的搬运,从而制品基板的搬运效率变差,其结果是会妨碍提升生产率。
尤其,在被构成为增加处理单元的数量且并行地处理多片制品基板的基板处理装置中,分度机器人以及主搬运机器人的搬运负担变大,分度机器人以及主搬运机器人的搬运负担减轻是生产率提升的关键。
此外,虚拟载体被搬入载体保持部,虚拟载体会占有载体保持部,直至虚拟基板从虚拟载体搬运至处理单元并结束在处理单元中的处理后该虚拟基板被收容至载体为止。因此,由于虚拟载体持续占有载体保持部,因此有可能在制品基板的搬入中产生待机时间。因此,从这种观点而言也会妨碍提升生产率。
因此,该发明的一实施方式为提供一种基板处理装置、基板处理系统以及基板处理方法,能够减轻对于制品用的基板的搬运的影响,并能在处理单元内进行使用了虚拟基板的处理。
用于解决课题的手段
本发明的一实施方式提供一种基板处理装置,其中,包含:载体保持部,其保持收容基板或者虚拟基板的载体;处理单元,其处理基板且执行使用虚拟基板的处理;虚拟基板收容部,其收容虚拟基板;基板载置部,其载置基板;第一搬运单元,其能够访问所述处理单元、所述虚拟基板收容部和所述基板载置部,在所述处理单元与所述基板载置部之间搬运基板,并在所述处理单元、所述虚拟基板收容部和所述基板载置部之间搬运虚拟基板;第二搬运单元,能够访问所述载体保持部和所述基板载置部,并在所述载体保持部与所述基板载置部之间搬运基板;存储部,其存储被收容至所述虚拟基板收容部的虚拟基板的使用历史信息;使用期限通知部,其基于存储于所述存储部的所述使用历史信息通知被收容至所述虚拟基板收容部的虚拟基板的使用期限信息;行程制作部,其制作所述第一搬运单元和所述第二搬运单元所进行的基板或者虚拟基板的搬运行程,并制作用于将被通知了所述使用期限信息的虚拟基板从所述虚拟基板收容部搬运至所述载体保持部并进行回收的搬运行程;搬运控制部,其按照由所述行程制作部制作的所述搬运行程来控制所述第一搬运单元和所述第二搬运单元所进行的基板或者虚拟基板的搬运。
根据这种结构,由于在基板处理装置内具备虚拟基板收容部,因此在产生在处理单元中使用虚拟基板的需要时,能够以第二搬运单元不参与的方式在虚拟基板收容部与处理单元之间搬运虚拟基板。因此,由于能减轻第二搬运单元的搬运负担,从而能够减轻对于制品用的基板的搬运的影响,并能够进行使用了虚拟基板的处理。此外,与专利文献1的情况不同,载体保持部也不会被收容虚拟基板的虚拟载体长时间地占有。由此,由于能够对在收容了制品用的基板的载体的搬入中产生待机时间的情况进行抑制,因此有助于提升生产率。
而且,在本实施方式中,在存储部存储有被收容至虚拟基板收容部的虚拟基板的使用历史信息,基于该虚拟基板的使用历史信息通知虚拟基板的使用期限信息。而且,制作搬运行程(回收搬运行程),该搬运行程用于将已通知了该使用期限信息的虚拟基板从虚拟基板收容部搬运至载体保持部并进行回收。基于该搬运行程控制第一搬运单元以及第二搬运单元,由此将已通知了使用期限信息的虚拟基板从虚拟基板收容部搬运至载体保持部。这样,当虚拟基板迎来使用期限时,能够使该虚拟基板自动地排出。
使用期限信息的通知可以通知虚拟基板变得无法使用的情况,也可以通知预测虚拟基板即将变得无法使用的情况。使用期限信息的通知也可以采用请求更换虚拟基板的虚拟基板更换请求的形式。虚拟基板更换请求也可以包含请求回收使用完毕的虚拟基板的虚拟基板回收请求。虚拟基板回收请求也可以是指定使用完毕的虚拟基板的回收时期的虚拟基板回收预约。此外,虚拟基板更换请求也可以包含请求供给未使用的虚拟基板的虚拟基板供给请求。虚拟基板供给请求也可以是指定未使用的虚拟基板的供给时期的虚拟基板供给预约。
在本发明的一实施方式中,所述存储部将虚拟基板的使用次数、使用时间和消耗状态中的至少一个信息存储为所述使用历史信息。
在本发明的一实施方式中,所述存储部存储所述使用历史信息和与所述使用历史信息对应的使用期限阈值信息。
在本发明的一实施方式中,所述虚拟基板收容部收容多片虚拟基板,所述存储部针对各虚拟基板存储所述使用历史信息和所述使用期限阈值信息。通过这种结构,能够针对多片虚拟基板分别进行使用期限的管理。
在本发明的一实施方式中,具备多个所述处理单元,预先确定多片所述虚拟基板与多个所述处理单元的对应关系,所述存储部存储表示所述对应关系的信息。
在一个具体例中,多片虚拟基板与多个处理单元一对一地关联起来。由此,由于不会有虚拟基板被多个处理单元共享的情况,因此能够避免经由虚拟基板导致多个处理单元相互彼此影响的情况。例如,即使一个处理单元内的处理环境被污染,也能够避免该污染经由虚拟基板被带入其他的处理单元。
在本发明的一实施方式中,所述使用期限通知部对所述使用历史信息与所述使用期限阈值信息进行比较,并基于其比较结果通知虚拟基板的使用期限信息。通过这种构成,对使用历史信息与使用期限阈值信息进行比较,由此能够适当地通知虚拟基板的使用期限信息。
在本发明的一实施方式中,所述基板处理装置还包含:报告单元,其基于存储于所述存储部的使用历史信息来对用户报告被收容至所述虚拟基板收容部的虚拟基板的使用期限信息。通过这种结构,能够向使用者适当地报告虚拟基板的使用期限信息并唤起用户的注意。
本发明的一实施方式提供一种基板处理系统,包含:基板处理装置,其具有如上述那样的特征;载体搬运单元,其将用于收容使用完毕的虚拟基板的回收用虚拟载体搬入所述载体保持部;主计算机,其从所述使用期限通知部接收所述使用期限信息的通知,计划通过所述载体搬运单元将回收用虚拟载体搬入所述载体保持部的回收用虚拟载体搬运,并基于所述计划通过所述载体搬运单元使回收用虚拟载体搬入至所述载体保持部,且对所述基板处理装置指示虚拟基板的回收搬运。
根据该结构,从基板处理装置对主计算机通知使用期限信息。于是,主计算机计划载体搬运单元的动作并按照该计划控制载体搬运单元,由此使用于回收使用完毕的虚拟基板的回收用虚拟载体搬入基板处理装置的载体保持部。因此,能够基于从基板处理装置向主计算机通知的使用期限信息,在适当的时期将回收用虚拟载体供给至基板处理装置。即,由于能自动且适时地进行回收用虚拟载体的供给,因此能够缩短基板处理装置的停机时间从而提升生产率。
此外,由于主计算机对基板处理装置指示虚拟基板的回收搬运,因此基板处理装置能够适时地计划且执行虚拟基板的回收搬运,即能够适时地计划且执行将使用完毕的虚拟基板从虚拟基板收容部向回收用虚拟载体搬运。即,能够使回收用虚拟载体的搬入以及在基板处理装置内的虚拟基板的回收搬运的开始的定时一致。由此,由于能够缩短回收用虚拟载体占有载体保持部的时间,因此为了用于收容制品基板的载体,能够迅速地让出载体保持部。由此,由于能够高效地将未处理的制品基板投入基板处理装置,并且能够高效地回收处理完毕的制品基板,因此能够实现提升生产率。
此外,在本说明书中,定时的“一致”并不一定是指在时间性的一致,而是指在从生产率的观点而言所容许的预定时间内产生对应的事件。
在本发明的一实施方式中,所述主计算机从所述基板处理装置获得与虚拟基板向所述回收用虚拟载体的回收相关的信息,并计划通过所述载体搬运单元从收容了使用完毕的虚拟基板的回收用虚拟载体的所述载体保持部的搬出,且基于所述计划通过所述载体搬运单元从所述载体保持部搬出回收用虚拟载体。
根据该结构,从基板处理装置将与虚拟基板向所述回收用虚拟载体的回收相关的信息赋予至主计算机,由此主计算机计划载体搬运单元所进行的回收用虚拟载体的搬出,并按照该计划来控制载体搬运单元。因此,能够自动且适时地从基板处理装置的载体保持部搬出回收用虚拟载体。具体而言,能够以与虚拟基板向回收用虚拟载体的搬入结束一致的定时,从载体保持部搬出回收用虚拟载体。由此,由于能够缩短用于回收虚拟基板的回收用虚拟载体占有载体保持部的时间,因此为了用于收容制品基板的载体,能够迅速地让出载体保持部。由此,由于能够高效地将未处理的制品基板投入基板处理装置且能高效地回收处理完毕的制品基板,因此能谋求提升生产率。
在本发明的一实施方式中,所述行程制作部还制作用于从所述载体保持部将能够使用的虚拟基板搬运至所述虚拟基板收容部的搬运行程,所述载体搬运单元以将收容了能够使用的虚拟基板的供给用虚拟载体搬入所述载体保持部的方式进行动作,所述主计算机计划通过所述载体搬运单元将供给用虚拟载体搬入所述载体保持部的供给用虚拟载体搬运,并基于该计划通过所述载体搬运单元将供给用虚拟载体搬入所述载体保持部,且对所述基板处理装置指示能够使用的虚拟基板的供给搬运。
根据该结构,主计算机制作通过载体搬运单元将收容了能够使用的虚拟基板的供给用虚拟载体搬入基板处理装置的载体保持部的计划,并按照所述计划来控制载体搬运单元的动作。由此,供给用虚拟载体自动且适时地被供给至基板处理装置。在基板处理装置中,制作将虚拟基板从供给用虚拟载体搬运至虚拟基板收容部的搬运行程(供给搬运行程),并按照所述搬运行程搬运虚拟基板。具体而言,通过第一搬运单元以及/或者第二搬运单元将能够使用的虚拟基板从供给用虚拟载体搬运至虚拟基板收容部。这样,由于能将虚拟基板自动且适时地供给至基板处理装置,因此能够缩短因为能够使用的虚拟基板的不足所导致的基板处理装置的停机时间。由此,能够有助于生产率的提升。
此外,由于主计算机对基板处理装置指示虚拟基板的供给搬运,因此基板处理装置能够适时地计划且执行虚拟基板的供给搬运,即能够适时地计划且执行从能够使用的虚拟基板的供给用虚拟基板载体向虚拟基板收容部的搬运。因此,能够与供给用虚拟载体的搬入的定时一致地开始基板处理装置内的虚拟基板的供给搬运。由此,由于能够缩短供给用虚拟载体占有载体保持部的时间,因此为了用于收容制品基板的载体,能够迅速地让出载体保持部。由此,由于能够高效地将未处理的制品基板投入基板处理装置且能够高效地回收处理完毕的制品基板,因此能够实现提升生产率。
在本发明的一实施方式中,所述主计算机从所述基板处理装置获得与虚拟基板从所述供给用虚拟载体的搬出相关的信息,并计划通过所述载体搬运单元将供给用虚拟载体从所述载体保持部的搬出,且基于该计划通过所述载体搬运单元从所述载体保持部搬出供给用虚拟载体。
根据该结构,从基板处理装置将与虚拟基板从供给用虚拟载体的搬出相关的信息赋予至主计算机,由此,主计算机计划供给用虚拟载体的搬出,并按照该计划使载体搬运单元进行动作。由此,能够以与虚拟基板从供给用虚拟载体的搬出结束一致的定时,从载体保持部搬出供给用虚拟载体。于是,能够自动且适时地从基板处理装置的载体保持部搬出供给用虚拟载体。因此,由于能够缩短用于供给虚拟基板的供给用虚拟载体占有载体保持部的时间,因此为了用于收容制品基板的载体的保持,能够迅速地让出载体保持部。由此,由于能够高效地将未处理的制品基板投入基板处理装置且能够高效地回收处理完毕的制品基板,因此能够实现提升生产率。
在本发明的一实施方式中,所述载体搬运单元在所述载体保持部与不同于所述载体保持部的虚拟载体放置处之间搬运回收用虚拟载体或者供给用虚拟载体。
本发明的一实施方式提供一种基板处理方法,包含:通过第一搬运单元在处理单元与基板载置部之间搬运基板的工序;在所述处理单元中处理由所述第一搬运单元搬运的基板的工序;通过所述第一搬运单元在所述处理单元与虚拟基板收容部之间搬运虚拟基板的工序;在所述处理单元中执行使用了由所述第一搬运单元搬运的虚拟基板的虚拟处理的工序;通过第二搬运单元在被载体保持部保持的载体与所述基板载置部之间搬运基板的工序;记录被收容至所述虚拟基板收容部的虚拟基板的使用历史信息的工序;基于所述使用历史信息来判断所述虚拟基板的使用期限的工序;回收搬运工序,用于基于所述使用期限的判断将已经到达使用期限的虚拟基板从所述虚拟基板收容部搬运至所述载体保持部并进行回收;回收用虚拟载体搬入工序,基于所述使用期限的判断,通过载体搬运单元将用于收容使用完毕的虚拟基板的回收用虚拟载体搬入至所述载体保持部。
在本发明的一实施方式中,所述基板处理方法还包含:以与所述回收搬运工序中的虚拟基板向所述回收用虚拟载体的搬入结束一致的定时,通过所述载体搬运单元将所述回收用虚拟载体从所述载体保持部搬出的工序。
在本发明的一实施方式中,所述基板处理方法还包含:供给用虚拟载体搬入工序,基于所述使用期限的判断,通过所述载体搬运单元将收容了能够使用的虚拟基板的供给用虚拟基板搬入至所述载体保持部;供给搬运工序,基于所述使用期限的判断,将能够使用的虚拟基板从所述载体保持部搬运至所述虚拟基板收容部。
在本发明的一实施方式中,所述基板处理方法还包含:以与所述供给搬运工序中的虚拟基板从所述供给用虚拟载体的搬出结束一致的定时,通过所述载体搬运单元将所述供给用虚拟载体从所述载体保持部搬出的工序。
在本发明的一实施方式中,具备多个所述处理单元,所述虚拟基板收容部收容预先确定了与多个所述处理单元之间的对应关系的多片虚拟基板。
参照附加的附图并通过以下叙述的实施方式的说明,更明确了本发明中的上述目的或其他的目的、特征、以及效果。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式的基板处理装置的内部结构的示意性的俯视图。
图2是从图1的Ⅱ-Ⅱ线观看到的示意性的纵剖视图。
图3是从图1的Ⅲ-Ⅲ线观看的示意性的横剖视图。
图4是从图1的Ⅳ方向观看并表示处理模块的内部结构的示意性的立视图。
图5是用于说明基板载置部的结构例的图。
图6是用于说明虚拟基板收容部的结构例的图。
图7是用于说明处理单元的结构例的示意性的剖视图。
图8是用于说明与基板处理装置的控制相关的结构的框图。
图9是用于说明与虚拟处理有关的控制器的动作的流程图。
图10A和图10B是用于说明与基板处理装置内的虚拟基板的更换相关的处理的流程图。
图11是用于说明虚拟基板更换的具体性的动作的一例的时序图。
图12是表示本发明的其他实施方式的基板处理装置的内部结构的示意性的纵剖视图。
图13是表示本发明的另一实施方式的基板处理装置的内部结构的示意性的纵剖视图。
图14是表示本发明的另一实施方式的基板处理装置的内部结构的示意性的俯视图。
具体实施方式
图1是表示本发明的一实施方式的基板处理装置的内部结构的示意性的俯视图。图2是从图1的Ⅱ-Ⅱ线观看到的示意性的纵剖视图。图3是从图1的Ⅲ-Ⅲ线观看到的示意性的横剖视图。图4是从图1的Ⅳ方向观看并表示一部分的内部结构的示意性的立视图。
基板处理装置1包含分度模块2以及处理模块3,处理模块3邻接于分度模块2的横方向(第一水平方向X)。
分度模块2包含多个(在本实施方式中为四个)载体保持部25(装载端口)以及分度机器人26。以下,为了方便说明,针对第一水平方向X,有时将载体保持部25侧定义为前方且将其相反侧定义为后方来进行说明。
多个载体保持部25沿着与第一水平方向X正交的第二水平方向Y排列。各载体保持部25构成为能够接受收容并保持由工厂内所具备的载体搬运机构300(载体搬运单元的一例)自动搬运的载体C。各载体保持部25构成为能够保持一个载体C。载体C为基板收容器,收容处理对象的基板W(以下也称为制品基板W)。载体C的一例为FOUP(Front OpeningUnified Pod,前开式晶圆传送盒)。载体C构成为能以层叠状态保持多片(例如25片)基板W。更具体而言,载体C构成为在被载体保持部25保持时,能够以水平姿势沿着上下方向Z在层叠状态下保持多片基板W。载体保持部25是对基板收容器即载体C进行保持的收容器保持部的一例。基板W例如为半导体晶圆。
分度机器人26为第二搬运单元的一例。分度机器人26构成为能够访问分别被多个载体保持部25保持的载体C,将基板W搬入/搬出,并在载体保持部25与处理模块3之间搬运基板W。在本实施方式中,分度机器人26为具备了多关节臂27的多关节臂机器人。具体而言,分度机器人26包含:多关节臂27,其连结了多个臂28;一个以上的手部29,其与多关节臂27的前端结合;以及基台部30,其支撑多关节臂27并使多关节臂27进行上下动作。用于构成多关节臂27的多个臂28以及手部29能够绕着被设定于各个基端部的垂直的摆动轴线摆动,虽然未图示但具备用于摆动各个臂28以及手部29的个别的致动器(典型而言为电动马达)。
处理模块3包含于在上下方向Z上层叠的多个处理模块层BL、BU。在本实施方式中,处理模块3包含第一层(下层)的处理模块层(以下称为“第一处理模块层BL”)以及层叠在其上方的第二层(上层)的处理模块层(以下称为“第二处理模块层BU”)。以下,在区别第一处理模块层BL的结构要素与第二处理模块层BU的结构要素时,针对第一处理模块层BL的结构要素使用在末尾具有英文字「L」的参照附图标记,针对第二处理模块层BU的结构要素使用在末尾具有英文字「U」的参照附图标记。附图中的参照附图标记也相同。
第一处理模块层BL以及第二处理模块层BU的俯视中的内部结构实质性相同。因此,在图1中,请留意会通过将参照附图标记的末尾的英文字“U”置换成英文字“L”来表示第一处理模块层BL的结构(俯视中的配置)。
第一处理模块层BL包含多个(在本实施方式中为12个)处理单元11L-13L、21L-23L、31L-33L、41L-43L(以下总称第一处理模块层BL的处理单元时称为“处理单元11L-43L”),它们构成第一处理单元组。第一处理模块层BL还包含基板载置部6L、虚拟基板收容部7L以及主搬运机器人8L。多个处理单元11L-43L对基板W进行处理。在本实施方式中,各处理单元11L-43L为用于逐片地处理基板W的叶片型处理单元。基板载置部6L是用于暂时保持在分度机器人26与第一处理模块层BL之间被传递的基板W的单元。虚拟基板收容部7L是用于在基板处理装置1的内部预先保持能够在处理单元11L-43L中使用的虚拟基板DW的单元,且提供虚拟基板DW的待机场所。主搬运机器人8L构成为能够访问基板载置部6L、处理单元11L-43L、以及虚拟基板收容部7L。主搬运机器人8L是在基板载置部6L与处理单元11L-43L之间搬运基板W且在虚拟基板收容部7L与处理单元11L至43L之间搬运虚拟基板DW的第一搬运单元的一例。
所谓虚拟基板DW是具有与基板W同样的形状(例如圆形)以及大小的基板。虚拟基板DW与从载体C所供给的制品用的基板W不同,并不会被利用于实际的制品的制造。为了执行用于整顿处理单元11L至43L内的环境的预处理(准备处理)和用于洗净处理单元11L-43L内部的单元洗净处理等,虚拟基板DW被导入处理单元11L-43L来使用。以下,将这样使用虚拟基板DW的处理称为“虚拟处理”。上面所说明的预处理以及单元洗净处理是用于维护处理单元11L-43L的维护处理,虚拟处理包含这种维护处理。
多个处理单元11L-43L沿着搬运空间52L被配置在与搬运空间52L的两侧且面向搬运空间52L,搬运空间52L提供通过主搬运机器人8L搬运基板W的搬运路径51L。俯视观看时,搬运空间52L在第二水平方向Y上具有固定的宽度,并沿着第一水平方向X朝从分度模块2离开的方向直线性地延伸。搬运空间52L在上下方向Z具有与第一处理模块层BL的高度大致同等的高度。俯视观看时,在搬运空间52L的一侧,从接近分度模块2的一侧沿着搬运路径51L依次排列有第一液体供给部91、第一处理单元堆栈部S1L、第一排气部101、第二液体供给部92、第二处理单元堆栈部S2L以及第二排气部102。在搬运空间52L的另一侧,从接近分度模块2的一侧沿着搬运路径51L依次排列有第三排气部103、第三处理单元堆栈部S3L、第三液体供给部93、第四排气部104、第四处理单元堆栈部S4L以及第四液体供给部94。它们以划分大致立方体形状的搬运空间52L的方式进行排列。
第一处理单元堆栈部S1L至第四处理单元堆栈部S4L分别包含在上下方向Z上层叠的多层(在本实施方式为三层)处理单元11L-13L、21L-23L、31L-33L、41L-43L。第三处理单元堆栈部S3L夹着搬运空间52L并与第一处理单元堆栈部S1L相对。第四处理单元堆栈部S4L夹着搬运空间52L并与第二处理单元堆栈部S2L相对。因此,构成第三处理单元堆栈部S3L的多个处理单元31L-33L夹着搬运空间52L并与构成第一处理单元堆栈部S1L的多层处理单元11L-13L相对。同样地,构成第四处理单元堆栈部S4L的多层处理单元41L-43L夹着搬运空间52L并与构成第二处理单元堆栈部S2L的多层处理单元21L-23L相对。在本实施方式中,第一处理模块层BL包含12个处理单元11L-13L、21L-23L、31L-33L、41L-43L,它们各三个分开地配置于四个处理单元堆栈部S1L-S4L。
搬运空间52L被中间隔壁16从上方划分并被下隔壁15从下方划分,中间隔壁16被配置在与各个处理单元堆栈部S1L-S4L的最上层的处理单元13L、23L、33L、43L的上表面一致的位置,下隔壁15被配置在与最下层的处理单元11L、21、31L、41L的下表面一致的位置。全部的处理单元11L至43L具有基板搬入/搬出口37,基板搬入/搬出口37在面向搬运空间52L的位置呈开口。主搬运机器人8L通过搬运空间52L搬运基板W以及虚拟基板DW,经由基板搬入/搬出口37对各处理单元11L-43L进行基板W以及虚拟基板DW的搬入/搬出。
基板载置部6L被配置于分度机器人26与主搬运机器人8L之间。更具体而言,俯视观看时,基板载置部6L被配置于搬运空间52L内的分度机器人26侧的端部。在本实施方式中,基板载置部6L位于第一液体供给部91与第三排气部103之间。基板载置部6L在上下方向Z上被配置于中间隔壁16与下隔壁15之间的高度。在本实施方式中,基板载置部6L被配置于从中间隔壁16至上隔壁17为止的高度范围中的中间高度附近。基板载置部6L的上下方向位置需要是分度机器人26能够访问的高度范围内且为主搬运机器人8L能够访问的高度范围内。
基板载置部6L包含:未处理基板载置部61,其载置未处理的基板W;以及已处理基板载置部62,其载置处理完毕的基板W。未处理基板载置部61以及已处理基板载置部62在上下方向Z上层叠。优选为未处理基板载置部61被配置于已处理基板载置部62上。
如图5中放大的结构例所示,未处理基板载置部61以及已处理基板载置部62包含:箱63、64,其沿着第一水平方向X且在分度机器人26侧以及主搬运机器人8L侧双方呈开放;以及基板保持架65、66,其被配置于箱63、64的内部。基板保持架65、66具有在上下方向Z上排列的多个(例如10个)基板支撑构件67、68。各基板支撑构件67、68构成为从下方支撑一片基板W的下表面周缘部并以水平姿势保持该基板W。由此,未处理基板载置部61以及已处理基板载置部62分别能够在这些基板保持架65、66以在上下方向Z上隔着间隔并以水平姿势层叠多片(例如10片)基板W的状态来保持多片基板W。
如图2所示,以贯通分度模块2的后隔壁2a以及处理模块3的前隔壁3a的方式,即以贯通分度模块2与处理模块3邻接的隔壁的方式形成有与基板载置部6L对应的窗4L。分度机器人26能够经由窗4L访问基板载置部6L从而对基板载置部6L进行基板W的搬入/搬出。
虚拟基板收容部7L被设置在与基板载置部6L不同的高度,在本实施方式中在搬运空间52L内配置于基板载置部6L的下方。虚拟基板收容部7L被设置为在俯视观看时与基板载置部6L彼此重叠。更具体而言,在基板W被基板载置部6L保持且虚拟基板DW被虚拟基板收容部7L保持时,以俯视观看时基板W与虚拟基板DW彼此重叠的方式配置有虚拟基板收容部7L。基板W与虚拟基板DW在俯视下的彼此重叠可以是局部性的彼此重叠,也可以是整体性的彼此重叠,即虚拟基板DW也可以与基板W的大致整体重叠。
虚拟基板收容部7L被配置在下隔壁15与中间隔壁16之间,主搬运机器人8L被配置在能够访问的高度范围内。分度模块2的后隔壁2a以及处理模块3的前隔壁3a即分度模块2与处理模块3邻接的隔壁位于虚拟基板收容部7L的前方即分度模块2侧。在这些隔壁未设置有与虚拟基板收容部7L对应的窗。因此,在本实施方式中,分度机器人26无法访问虚拟基板收容部7L。
如图6中放大的结构例所示,虚拟基板收容部7L具备虚拟基板保持架71。虚拟基板保持架71的结构也可以与基板载置部6L的基板保持架65、66的结构实质性地相同。然而,虚拟基板保持架71能够保持的虚拟基板DW的片数无须与基板保持架65、66能够保持的基板片数相等。具体而言,虚拟基板保持架71具有排列于上下方向的多个(例如12个)虚拟基板支撑构件72。各虚拟基板支撑构件72构成为从下方支撑一片虚拟基板DW的下表面周缘部并以水平姿势保持该虚拟基板DW。虚拟基板收容部7L能够在虚拟基板保持架71在上下方向Z上隔着间隔并以水平姿势层叠多片(例如12片)虚拟基板DW的状态下保持多片虚拟基板DW。即,虚拟基板收容部7L具有多层(在本实施方式中为与第一处理模块层BL所具备的处理单元的数量相同数量)插槽(以下称为“虚拟基板插槽DL1-DL12”),多层插槽以水平姿势收容各一片虚拟基板DW的方式在上下方向上层叠。也可以具备虚拟基板传感器(未图示),虚拟基板传感器用于检测各虚拟基板插槽DL1-DL12中有无虚拟基板DW。在本实施方式中,虚拟基板收容部7L与基板载置部6L不同,也可以不具备围绕所收容的虚拟基板DW的箱。当然,也可以具备这种箱。
如图2所示,主搬运机器人8L被配置在搬运空间52L内。主搬运机器人8L包含:手部81,其以水平姿势保持一片基板;以及手部驱动机构82,其驱动手部81。也可以具备多个(例如两个)手部81。手部驱动机构82能够使手部81在第一水平方向X、第二水平方向Y以及上下方向Z移动,且使手部81绕着铅直旋转轴线回转。手部驱动机构82包含两个支柱83、垂直移动部84、水平移动部85、旋转部86以及进退部87。进退部87与手部81结合。在设置有多个手部81的情况下,优选为设置有与多个手部81对应的多个进退部87。
两个支柱83沿着第一水平方向X隔着间隔配置并分别被固定于搬运空间52L的侧壁。两个支柱83沿着上下方向Z延伸,且具有作为用于导引垂直移动部84的垂直移动的导轨的功能。垂直移动部84具有遍及两个支柱83在第一水平方向X上延伸且两端部与两个支柱83结合的导轨的形态。垂直移动部84构成为一边被两个支柱83导引一边相对于支柱83在上下方向上移动。水平移动部85构成为被支撑于垂直移动部84上,一边被垂直移动部84导引一边相对于垂直移动部84在第一水平方向X上移动。旋转部86被支撑于水平移动部85。旋转部86构成为在水平移动部85上绕着铅直的旋转轴线旋转。在旋转部86结合有进退部87。进退部87相对于旋转轴线在水平方向上进退,由此使手部81在水平方向上进退。
通过该结构,主搬运机器人8L能够使手部81访问基板载置部6L,并在主搬运机器人8L与基板载置部6L之间进行基板W的传递。主搬运机器人8L能够进一步使手部81访问第一处理模块层BL内的任意的处理单元11L-43L,并能够在主搬运机器人8L与处理单元11L-43L之间进行基板W或者虚拟基板DW的传递。此外,主搬运机器人8L能够使手部81访问虚拟基板收容部7L,并在主搬运机器人8L与虚拟基板收容部7L之间进行虚拟基板DW的传递。而且,主搬运机器人8L能够在第一处理模块层BL内在基板载置部6L、处理单元11L-43L以及虚拟基板收容部7L之间搬运被手部81保持的基板W或者虚拟基板DW。
由于第二处理模块层BU的结构与第一处理模块层BL的结构大致相同,因此以下尽可能地省略重复的说明,并主要说明不同的结构。附上与第一处理模块层BL的情况相同名称的要素的结构实质性地相同。
第二处理模块层BU包含多个(在本实施方式中为12个)处理单元11U-13U、21U-23U、31U-33U、41U-43U(以下总称第二处理模块层BU的处理单元时称为“处理单元11U-43U”),多个处理单元11U-13U、21U-23U、31U-33U、41U-43U构成第二处理单元组。第二处理模块层BU还包含基板载置部6U、虚拟基板收容部7U以及主搬运机器人8U。第一液体供给部91至第四液体供给部94和第一排气部101至第四排气部104遍及第一处理模块层BL以及第二处理模块层BU并沿着上下方向Z配置。
第二处理模块层BU内的多个处理单元11U-43U的配置与第一处理模块层BL内的多个处理单元11L-43L的配置实质性地相等。第二处理模块层BU具备第一处理单元堆栈部S1U-第四处理单元堆栈部S4U,第一处理单元堆栈部S1U-第四处理单元堆栈部S4U分别具备在上下方向Z上层叠的多层(在本实施方式中为三层)处理单元11U-13U、21U-23U、31U-33U、41U-43U。
第二处理模块层BU的第一处理单元堆栈部S1U至第四处理单元堆栈部S4U以俯视观看时分别与第一处理模块层BL的第一处理单元堆栈部S1L至第四处理单元堆栈部S4L重叠的方式配置。而且,第一处理模块层BL以及第二处理模块层BU各自的第一处理单元堆栈部S1L、S1U在上下方向Z上层叠从而形成第一塔T1,该第一塔T1层叠有多层(在本实施方式中为6层)处理单元11L、12L、13L、11U、12U、13U。同样地,第一处理模块层BL以及第二处理模块层BU各自的第二处理单元堆栈部S2L、S2U在上下方向Z上层叠从而形成第二塔T2,该第二塔T2层叠有多层(在本实施方式中为6层)处理单元21L、22L、23L、21U、22U、23U。而且,第一处理模块层BL以及第二处理模块层BU各者的第三处理单元堆栈部S3L、S3U于上下方向Z层叠从而形成第三塔T3,第三塔T3层叠有多层(在本实施方式中为6层)处理单元31L、32L、33L、31U、32U、33U。而且同样地,第一处理模块层BL以及第二处理模块层BU各自的第四处理单元堆栈部S4L、S4U在上下方向Z上层叠从而形成第四塔T4,该第四塔T4层叠有多层(在本实施方式中为6层)处理单元41L、42L、43L、41U、42U、43U。
被划分于第二处理模块层BU内且提供搬运路径51U的搬运空间52U与第一处理模块层BL的搬运空间52L重叠。第二处理模块层BU内的搬运空间52U被中间隔壁16从下方划分且被上隔壁17从上方划分。上隔壁17被配置在与第一塔T1至第四塔T4的最上层的处理单元13U、23U、33U、43U的上表面一致的高度。
俯视中的基板载置部6U的配置与第一处理模块层BL的情况相同。即,基板载置部6U被配置在分度机器人26与主搬运机器人8U之间并配置在搬运空间52U内的分度机器人26的侧的端部。第二处理模块层BU的基板载置部6U被配置为以俯视观看时与第一处理模块层BL的基板载置部6L重叠。基板载置部6U在上下方向Z上配置在中间隔壁16与上隔壁17之间的高度。在本实施方式中,基板载置部6U被配置在比从中间隔壁16至上隔壁17为止的高度范围的中间高度更下方处。更具体而言,基板载置部6U被配置在能够被分度机器人26访问的高度范围内最高的位置。基板载置部6U的上下方向位置必须为分度机器人26所能够访问的高度范围内且是通过主搬运机器人8U能够访问的高度范围内。与第一处理模块层BL的情况同样地,基板载置部6U包含:未处理基板载置部61,其载置未处理的基板W;以及已处理基板载置部62,其载置处理完毕的基板W。未处理基板载置部61以及已处理基板载置部62的结构与第一处理模块层BL的基板载置部6L的情况相同(参照图5)。
以贯通分度模块2的后隔壁2a以及处理模块3的前隔壁3a的方式,即贯通分度模块2与处理模块3邻接的隔壁的方式,形成有与基板载置部6U对应的窗4U。分度区机器人26能够经由窗4U访问基板载置部6U从而对基板载置部6U进行基板W的搬入/搬出。
虚拟基板收容部7U被设置在与基板载置部6U不同的高度,在本实施方式中在搬运空间52U内被配置在基板载置部6U的上方。虚拟基板收容部7U被设置为以俯视观看时与基板载置部6U彼此重叠。更具体而言,在基板W被基板载置部6U保持且虚拟基板DW被虚拟基板收容部7U保持时,以俯视观看时基板W与虚拟基板DW彼此重叠的方式配置有虚拟基板收容部7U。基板W与虚拟基板DW的俯视的彼此重叠可为局部性的彼此重叠,也可以为整体性的彼此重叠,即虚拟基板DW也可以与基板W的大致整体重叠。虚拟基板收容部7U被配置在上隔壁17与中间隔壁16之间的高度,主搬运机器人8U被配置在能够访问的高度范围内。分度模块2的后隔壁2a以及处理模块3的前隔壁3a即分度模块2与处理模块3邻接的隔壁位于虚拟基板收容部7U的前方即分度模块2侧。在这些隔壁2a、3a未设置有与虚拟基板收容部7U对应的窗。因此,分度机器人26无法访问虚拟基板收容部7U。
虚拟基板收容部7U的结构也可以与第一处理模块层BL的虚拟基板收容部7L的结构实质性地相同(参照图6)。虚拟基板收容部7U具有多层(在本实施方式中为与第二处理模块层BU所具备的处理单元的数量相同数量)插槽(以下称为“虚拟基板插槽DU1-DU12”),多层插槽以水平姿势收容各一片虚拟基板DW的方式在上下方向上层叠。也可以具备虚拟基板传感器,该虚拟基板传感器用于检测各虚拟基板插槽DU1-DU12中有无虚拟基板DW。
主搬运机器人8U被配置在搬运空间52U内。主搬运机器人8U包含:手部81,其以水平姿势保持一片基板;以及手部驱动机构82,其驱动手部81。手部驱动机构82包含两个支柱83、垂直移动部84、水平移动部85、旋转部86以及进退部87。这些结构与第一处理模块层BL的主搬运机器人8L相同。主搬运机器人8U构成为能够访问基板载置部6U、处理单元11U-43U以及虚拟基板收容部7U。主搬运机器人8U是在基板载置部6U与处理单元11U-43U之间搬运基板W且在虚拟基板收容部7U与处理单元11U-43U之间搬运虚拟基板DW的第一搬运单元的一例。
第一处理模块层BL与第二处理模块层BU被中间隔壁16划分,无法越过中间隔壁16搬运制品基板W或者虚拟基板DW。换言之,第一处理模块层BL的主搬运机器人8L构成为无法访问第二处理模块层BU的处理单元11U-43U、虚拟基板收容部7U以及基板载置部6U中的任一个。同样地,第二处理模块层BU的主搬运机器人8U构成为无法访问第一处理模块层BL的处理单元11L-43L、虚拟基板收容部7L以及基板载置部6L中的任一个。
液体供给部91-94划分液体配管空间,该液体配管空间收容用于供给在处理单元11L-43L、11U-43U所使用的处理液的配管群。各液体供给部91-94所划分的液体配管空间在上下方向Z上贯通第一处理模块层BL以及第二处理模块层BU。在各液体供给部91-94收容有处理液配管56,该处理液配管56对俯视观看时在相同位置沿上下方向Z六层地层叠而形成塔T1-T4的六个处理单元11L、12L、13L、11U、12U、13U、21L、22L、23L、21U、22U、23U、31L、32L、33L、31U、32U、33U、41L、42L、43L、41U、42U、43U供给处理液。也可以在液体供给部91-94还一并收容有处理液关联设备,该处理液关联设备是设置于配管中途的阀群、流量计、用于暂时储留处理液的筒槽、用于输送液体的泵等。
排气部101-104划分排气配管空间,该排气配管空间收容用于将处理单元内部的氛围排气的配管群。各排气部101-104所划分的排气配管空间在上下方向Z上贯通第一处理模块层BL以及第二处理模块层BU。在各排气部101-104收容有排气配管76,该排气配管76用于将来自在俯视观看时在相同位置沿上下方向Z六层地层叠而形成塔T1-T4的六个处理单元11L、12L、13L、11U、12U、13U、21L、22L、23L、21U、22U、23U、31L、32L、33L、31U、32U、33U、41L、42L、43L、41U、42U、43的排气导引至基板处理装置1的外部的排气设备。也可以在排气部101-104还一并收容有切换机构77,该切换机构77根据处理单元内的处理的种类(更具体而言为处理液的种类)来切换排气配管76。虽然省略图示,然而第一排气部101包含驱动切换机构77的致动器群。
载体搬运机构300(参照图1)以下述方式进行动作:将收容了未处理的制品基板W的载体C搬入载体保持部25,并将收容了处理完毕的制品基板W的载体C从载体保持部25搬出。此外,载体搬运机构300以下述方式进行动作:将收容了未使用的虚拟基板DW的供给用虚拟载体DC搬入载体保持部25,并将未使用的虚拟基板DW从该供给用虚拟载体DC移出后,将该虚拟载体DC从载体保持部25搬出。而且,载体搬运机构300以下述方式进行动作:将用于回收使用完毕的虚拟基板DW的回收用虚拟载体DC搬入载体保持部25,并在使用完毕的虚拟基板DW被收容至该回收用虚拟载体DC后,将该回收用虚拟载体DC从载体保持部25搬出。虚拟载体DC也可以具有与制品基板W用的载体C实质性相同的结构。
典型而言,载体搬运机构300包含天花板行进无人搬运工具(OHT:Overhead HoistTransport,悬吊式输送装置)。载体搬运机构300在载体放置处350与载体保持部25(装载端口)之间搬运载体C。此外,载体搬运机构300在虚拟载体放置处351与载体保持部25之间搬运虚拟载体DC。
载体搬运机构300被主计算机150控制,搬运载体C以及虚拟载体DC。主计算机150能够经由通信线170而与基板处理装置1的控制器110通信。
控制器110控制分度机器人26以及主搬运机器人8L、8U进行基板W以及虚拟基板DW的搬运。此外,控制器110控制处理单元11L-43L、11U-43U的各部来执行处理单元11L-43L、11U-43U中的基板处理以及使用了虚拟基板DW的虚拟处理。
图7用于说明处理单元11L-43L、11U-43U(以下在总称时称为“处理单元11L-43U”)的结构例的示意性的剖视图。处理单元11L-43U包含:单元隔壁36,其形成处理室35(腔室);处理罩39,其被配置在单元隔壁36内;自转夹具40,其被配置在处理罩39内;以及喷嘴55,其对被自转夹具40保持的基板W或者虚拟基板DW供给处理液。
单元隔壁36包含:侧壁36a,例如制作俯视观看时大致矩形;顶壁36b,划分上方;以及底壁36c,划分下方。侧壁36a的一面具有:基板搬入/搬出口37,面向搬运空间52U并沿着第一水平方向X以及上下方向Z延伸,用于搬入以及搬出基板W以及虚拟基板DW。基板搬入/搬出口37也可以具有于第一水平方向X延伸的插槽形状。配置有用于将基板搬入/搬出口37开闭的挡门(shutter)38。基板W以及虚拟基板DW从形成于单元隔壁36的基板搬入/搬出口37被搬入并被传递至自转夹具40。
自转夹具40包含:自转基座45,其以水平姿势保持一片基板W或者虚拟基板DW;以及自转马达46,其使自转基座45绕着铅直的旋转轴线旋转。自转夹具40也可以是将基板W或者虚拟基板DW的下表面吸附并保持于自转基座45的上表面的真空型的夹具。此外,自转基座45也可以构成机械型的夹具,该机械型的夹具具有与基板W或者虚拟基板DW对应的圆形的平面形状,并具备在周缘部的周方向隔着间隔设置的三个以上的保持销,并通过这些保持销来握持基板W或者虚拟基板DW。
处理单元11L-43U包含:一个以上的喷嘴55,其对被自转夹具40保持的基板W或者虚拟基板DW供给处理液。在本实施方式中,具备多个喷嘴55。多个喷嘴55也可以包含:多个药液喷嘴,其用于分别喷出多种类的药液。
从喷嘴55对被自转夹具40保持且旋转中的基板W或者虚拟基板DW的表面供给处理液。喷嘴55与通过液体供给部91-94而配置的处理液配管56结合。处理液配管56通过液体供给部91-94绕回且连接至处理液供给源54。在处理液配管56的中途夹设有将处理液配管56的流路开闭的阀59。此外,在处理液配管56的中途夹设有用于将处理液朝向喷嘴55输送的泵60。阀59以及泵60被配置于液体供给部91-94。处理液供给源54供给蚀刻液等药液或者纯水(去离子水)等清洗液。也可以根据处理液的种类设置有多个处理液配管56以及对应的多个喷嘴55。多个喷嘴55的一部分或者全部也可以具有在基板W或者虚拟基板DW的上方沿着基板W或者虚拟基板DW的上表面移动的移动喷嘴的形态。移动喷嘴也可以具有下述构造(参照图1):通过配置于自转夹具40侧方的摆动轴58支撑水平的喷嘴臂57的基端部,使摆动轴58绕着铅直轴线转动。多个喷嘴55的一部分或者全部也可以是相对于自转夹具40的相对位置不变的固定喷嘴。
单元隔壁36内的氛围经由贯通单元隔壁36的排气连接管75而被排气。排气连接管75连接至被配置在排气部101-104的排气配管76。排气连接管75也可以经由切换机构77连接至多个排气配管76。切换机构77以下述方式进行动作:例如根据从多个喷嘴55喷出的处理液的种类(例如药液的种类),将来自排气连接管75的排气导引至与该处理液的种类预先关联起来的排气配管76。
图8用于说明与基板处理装置1的控制有关的结构的框图。基板处理装置1具备控制器110。控制器110也可以是包含处理器111(CPU)以及存储器112(存储部)的计算机。处理器111执行被储存于存储器112的程序120。由此,控制器110具有作为行程制作部的功能以及作为搬运控制部的功能,该行程制作部制作用于通过分度机器人26以及主搬运机器人8L、8U搬运基板W或者虚拟基板DW的搬运行程,该搬运控制部基于行程制作部所制作的搬运行程来控制基板W以及虚拟基板DW的搬运。而且,控制器110具有作为基板处理控制部的功能,该基板处理控制部实现通过处理单元11L-43U处理基板W的基板处理动作。控制器110还具有作为虚拟处理控制部的功能,该虚拟处理控制部实现在处理单元11L-43U中执行使用了虚拟基板DW的虚拟处理的虚拟处理动作。为了这些基板搬运动作、基板处理动作以及虚拟处理动作,控制器110控制基板处理装置1所具备的各种控制对象。控制对象包含分度机器人26、主搬运机器人8L、8U以及处理单元11L-43U等所具备的驱动部。而且,控制器110的控制对象包含:致动器群,其包含被配置在液体供给部91-94的阀95以及泵60,且被配置在排气部101104,。
在存储器112储存有各种数据130。资料130包含:制品制程131,其用于处理制品用的基板W;以及虚拟处理制程132,其用于使用了虚拟基板DW的虚拟处理。制品制程131为规定基板W的搬运动作以及针对基板W的处理内容的数据。虚拟处理制程132为用于规定虚拟基板DW的搬运动作以及使用了虚拟基板DW的处理内容的数据。控制器110在处理基板W时,按照制品制程131控制控制对象,在执行虚拟处理时,按照虚拟处理制程132控制控制对象。
制品制程131也可以通过来自被可通信地连接至控制器110的主计算机150的数据通信而被赋予并被储存于存储器112。虚拟处理制程132也可以同样地通过来自主计算机150的数据通信而被赋予并被储存于存储器112。此外,这些制品制程131、虚拟处理制程132也可以使操作者使用连接至控制器110的用户界面140来输入或者编辑。虚拟处理制程132也可以根据制品制程131的内容由控制器110自动地生成。制品制程131以及虚拟处理制程132均无须为一个种类,且多个制品制程131或者多个虚拟处理制程132也可以储存于存储器112。用户接口140例如包含输入设备以及显示设备。用户接口140是对使用者进行各种注意唤起的报告单元的一例。例如,用户界面140在虚拟基板DW到达使用期限而需要更换时,显示注意唤起消息等从而对用户进行报告。
例如,虚拟处理制程132包含:预处理制程,其规定针对虚拟基板DW实施与制品用的基板W同样的处理的预处理。预处理制程也可以是下述制程:在制品制程131中,将搬入处理单元11L-43U的基板从制品用的基板W置换成虚拟基板DW。这种预处理制程也可以控制器110基于制品制程131自动地生成。例如,在进行对基板W供给高温的处理液的处理的情况下,通过执行预处理,能将高温的处理液导引至喷嘴55,且能够通过高温的处理液加热处理液配管56以及处理单元11L-43U的内部。由此,能够在经过适当的温度管理的环境对制品用的基板W供给适当的温度的处理液。这样,预处理是为了适当地处理制品用的基板W而用于整顿处理单元11L-43U的处理环境的准备处理的一例。
此外,虚拟处理制程132包含:单元洗净制程,其使自转夹具40保持虚拟基板DW,并洗净处理单元11L至43U的内部。按照单元洗净制程所进行的单元洗净处理使自转夹具40保持虚拟基板DW并使虚拟基板DW旋转,在此状态下将洗净液(药液或者纯水)供给至虚拟基板DW。由此,在虚拟基板DW上接受离心力的洗净液飞散至自转夹具40的周围,从而洗净处理罩39的内部。由于根据需要使处理罩39上下动作,从而洗净液相对于处理罩39的内壁面的射入位置会上下地变化,因此能够高效地洗净处理罩39的内壁面。此外,也可以通过处理罩39的上下动作或者自转夹具40的上下动作将虚拟基板DW配置在比处理罩39的上端更上方处,对处理罩39的外部的处理室35的内部供给洗净液,从而洗净处理室35的内部。
储存于存储器112的数据130还包含:虚拟基板表133,其将多个处理单元11L-43U与虚拟基板收容部7L、7U的虚拟基板插槽DL1-DL12、DU1-DU12关联起来。在多个虚拟基板插槽DL1-DL12、DU1-DU12分别附有唯一的虚拟基板插槽编号(虚拟基板插槽识别信息)。而且,对各处理单元11L-43U关联一个虚拟基板插槽编号。虚拟基板表133将第一处理模块层BL的多个(在本实施方式中为12个)处理单元11L-43U与该第一处理模块层BL的虚拟基板收容部7L的多个(在本实施方式中为12个)虚拟基板插槽编号一对一地关联起来。此外,虚拟基板表133将第二处理模块层BU的多个(在本实施方式中为12个)处理单元11L-43U与该第二处理模块层BU的虚拟基板收容部7U的多个(在本实施方式中为12个)虚拟基板插槽编号一对一地关联起来。因此,虚拟基板表133将基板处理装置1所具备的多个(在本实施方式中为24个)处理单元11L-43U与虚拟基板收容部7L、7U的多个(在本实施方式中为24个)插槽编号一对一地关联起来。
储存于存储器112的数据130还包含虚拟基板历史数据134。虚拟基板历史数据134包含表示虚拟基板DW的使用历史的数据(使用历史信息),该虚拟基板DW被收容至分别与虚拟基板收容部7L、7U的多个虚拟基板插槽编号对应的虚拟基板插槽DL1-DL12、DU1-DU12。优选为使用历史包含虚拟基板DW被使用于处理单元11L-43U中的处理的使用次数(累积次数)、虚拟基板DW被使用于处理单元11L-43U中的处理的使用时间(累积时间)、以及虚拟基板DW在处理单元11L-43U所接受的处理内容的历史中的至少一个。处理内容的历史可以是表示虚拟基板DW的消耗状态的信息。使用次数以及使用时间也可以是表示虚拟基板DW的消耗状态的信息。作为用于表示虚拟基板DW的消耗状态的信息的其他例子,能够例举有虚拟基板DW的厚度。虚拟基板DW的厚度可以根据使用历史信息来运算,也可以例如将虚拟基板厚度传感器配置于虚拟基板收容部7L、7U来进行检测。
储存于存储器112的数据130包含:阈值数据136(使用期限阈值信息),其应与虚拟基板历史数据134(特别是使用历史信息)比较。阈值数据136可以包含应与使用次数比较的使用次数阈值,也可以包含应与使用时间比较的使用时间阈值。此外,阈值资料136也可以包含应与虚拟基板DW的消耗状态比较的消耗状态阈值。例如,可以基于虚拟基板DW的使用历史信息来运算虚拟基板DW的消耗状态信息,并比较该消耗状态信息与消耗状态阈值来判断虚拟基板DW的使用期限。虚拟基板DW的消耗状态信息也可以是虚拟基板DW的厚度。
储存于存储器112的数据130还包含:单元使用历史数据135,其表示各处理单元11L-43U的单元使用历史。优选为单元使用历史数据135包含各处理单元11L-43U的基板处理片数以及不使用持续时间,该不使用持续时间表示各处理单元11L-43U不被使用于基板处理的连续时间。由于处理单元11L-43U的内部的环境会因为反复进行基板处理而缓缓地恶化,因此优选为对无须维护就能够连续地进行处理的基板片数设定适当的上限。此外,当未处理基板W的时间变长时,处理单元11L-43U的内部的环境会缓缓地恶化。具体而言,有时附着于处理罩39的内壁等的药液干燥并结晶化,从而成为微粒的原因。此外,在使用温度比室温还高的高温的处理液的情况下,当因为不使用状态持续而导致处理液的流通被长时间地阻断时,处理液配管56或者喷嘴55的温度会降低。因此,会有下述情况:在下一次喷出处理液时,处理液的热量被处理液配管56或者喷嘴55夺取,从而刚喷出的处理液的温度变得不适当。因此,优选为也针对不使用持续时间设定适当的上限。将单元使用历史数据135(基板处理片数、不使用持续时间等)与对应的设定值进行比较,由此能判断是否需要对处理单元11L至43U进行维护。
图9用于说明与虚拟处理有关的控制器110的动作的流程图。控制器110针对多个处理单元11L-43U分别并行地或者依次地执行图9的处理。
控制器110判断是否在对象的处理单元11L-43U中执行制品用的基板W的处理(步骤A1)。当在处理单元11L-43U中结束基板W的处理且该处理完毕的基板W从处理单元11L-43U被搬出时(步骤A1:否),控制器110参照该处理单元11L-43U的单元使用历史数据135来判断基板处理片数是否已经到达设定值(步骤A2)。在基板处理片数为设定值以上时(步骤A2:是),控制器110判断为单元洗净执行条件(维护执行条件的一例)已经充足,为了洗净处理单元11L-43U的内部而按照单元洗净制程执行单元洗净处理(维护处理的一例)(步骤A3)。此外,控制器110将该处理单元的基板处理片数重置成初始值(例如为零)并更新单元使用历史数据135(步骤A4)。
单元洗净处理为虚拟处理的一例,并包含搬运行程制作步骤A30、虚拟基板搬入步骤A31、虚拟处理步骤A32以及虚拟基板收容步骤A33。搬运行程制作步骤A30为制作用于虚拟处理的搬运计划(搬运行程)的步骤。虚拟基板搬入步骤A31是按照所制作的搬运行程来控制主搬运机器人8L、8U的步骤。由此,主搬运机器人8L、8U从对应的虚拟基板插槽DL1-DL12、DU1-DU12搬出虚拟基板DW,向处理单元11L-43U搬运并搬入该处理单元。虚拟处理步骤A32为在该处理单元中执行使用了虚拟基板DW的处理的步骤,这里是该处理单元的内部的洗净处理。虚拟基板收容步骤A33是在处理单元内部的洗净之后,按照搬运行程,从该处理单元搬出虚拟基板DW并搬运至原本的虚拟基板插槽DL1-DL12、DU1-DU12来进行收容。控制器110参照虚拟基板表133来确定与该处理单元11L-43U对应的虚拟基板插槽DL1-DL12、DU1-DU12,并制作用于虚拟基板搬入步骤A31以及虚拟基板收容步骤A33的搬运行程。
当结束单元洗净处理时,控制器110判断是否需要用于整顿处理单元11L-43U的处理环境(处理条件)的预处理(步骤A5、A6)。具体而言,控制器110调查是否从主计算机150被赋予制品基板的处理请求(处理预约)(步骤A5)。当被赋予制品基板的处理请求时(步骤A5:是),控制器110判断该处理单元11L-43U的不使用持续时间是否已经到达设定值(步骤A6)。在不使用持续时间为设定值以上的情况(步骤A6:是),即在处理单元11L-43U超过预定的长时间未被使用于制品用的基板W的情况下,控制器110判断为需要预处理,即判断为预处理执行条件(维护执行条件的一例)已经充足。
当判断为需要预处理时,控制器110按照预处理制程执行预处理(预处理步骤A7)。具体而言,控制器110参照虚拟基板表133来确定与该处理单元11L-43U对应的虚拟基板插槽DL1-DL12、DU1-DU12,由此制作用于预处理的搬运行程(搬运行程制作步骤A70)。而且,控制器110按照所制作的搬运行程来控制主搬运机器人8L、8U从被确定的虚拟基板插槽搬出虚拟基板DW,并将该虚拟基板DW搬运至该处理单元11L-43U(虚拟基板搬入步骤A71)。在该搬运之后,主计算机150在该处理单元11L-43U中对虚拟基板DW执行与针对制品用的基板W的处理同样的处理(虚拟处理步骤A72)。当该处理结束时,主计算机150按照搬运行程来控制主搬运机器人8L、8U,从该处理单元11L-43U取出虚拟基板DW并搬运至原本的虚拟基板插槽,使该虚拟基板DW收容至该虚拟基板插槽(虚拟基板收容步骤A73)。这样,当执行预处理时,控制器110将不使用持续时间重置成初始值(例如为零)并更新单元使用历史数据135(步骤A8)。
如上所述,在已被赋予制品基板W的处理请求(处理预约)的时间点,控制器110执行预处理。预处理包含虚拟基板DW的搬运(虚拟基板搬入步骤A71)以及使用该虚拟基板DW的虚拟处理(虚拟处理步骤A72)。因此,与基板搬入动作(制品基板搬入步骤A20)并行地执行预处理(虚拟基板搬入步骤A71以及/或者虚拟处理步骤A72)或者在此之前执行预处理,所述基板搬入动作(制品基板搬入步骤A20)是将收容了制品基板W的载体C保持于载体保持部25,且分度机器人26从该载体C取出处理对象的基板W并向基板载置部6L、6U搬运。此时,分度机器人26不参与虚拟基板DW的搬运。因此,不会妨碍分度机器人26对于制品基板W的搬运,能够在处理模块3的内部搬运虚拟基板DW并执行预处理。
此外,虽然为了方便说明而在图9示出了分度机器人26所进行的制品基板搬入步骤A20,然而并非表示与预处理步骤A7之间的前后关系为图示那样。如上所述,可以在预处理步骤A7之前或者与预处理步骤A7并行地进行(开始)制品基板搬入步骤A20,另外也可以在预处理步骤A7之后进行(开始)制品基板搬入步骤A20。
预处理制程规定了预处理,该预处理针对虚拟基板DW进行应该对制品用的基板W进行的处理。因此,通过对虚拟基板DW执行预处理,将会消耗虚拟基板DW。具体而言,通过对虚拟基板DW进行使用了具有蚀刻作用的药液的预处理,虚拟基板DW的表面被蚀刻从而虚拟基板DW的厚度减少。因此,当执行预处理制程时,控制器110更新与该处理单元11L-43U关联起来的虚拟基板插槽DL1-DL12、DU1-DU12的虚拟基板历史数据134(步骤A9)。例如,在虚拟基板历史数据134包含使用次数数据的情况下,将使用次数数据递增。
当结束预处理时,控制器110执行按照制品制程的控制(步骤A12)。具体而言,控制器110制作用于制品基板处理的搬运行程(搬运行程制作步骤A120),并按照该搬运行程来控制分度机器人26以及主搬运机器人8L、8U。由此,分度机器人26从载体C取出制品基板W并载置于基板载置部6L、6U。接着,主搬运机器人8L、8U从基板载置部6L、6U取出基板W并搬运至处理单元11L-43U(基板搬入步骤A121)。接着,在处理单元11L-43U中对基板W执行使用了处理液(药液、清洗液等)的处理(处理步骤A122)。结束后,按照搬运行程,主搬运机器人8L、8U取出处理完毕的基板W并搬运至基板载置部6L、6U,分度机器人26将该处理完毕的基板W收容至载体C(基板收容步骤A123)。在存在未处理的基板W的情况下(多片基板W的连续处理的情况中)(步骤A13:是),反复进行同样的动作。在此期间,当该处理单元的基板处理片数到达设定值时(步骤A14:是),返回步骤A3并执行单元洗净处理。在不是连续处理的情况下(步骤A13:否),返回并反复进行步骤A1开始的处理。
若没有来自主计算机150的处理请求(处理预约)(步骤A5:否),则控制器110判断待机状态的持续时间即不使用持续时间是否已经到达设定值(步骤A15)。若不使用持续时间未到达设定值,则成为待机状态。当不使用持续时间到达设定值时(步骤A15:是),控制器110执行预先设定的维护处理(步骤A16)。维护处理也可以为单元洗净处理。与步骤A3的情况同样地,该单元洗净处理可以是使用了虚拟基板DW的处理(虚拟处理的一种),也可以是未使用虚拟基板DW的处理。此外,维护处理也可以是与预处理类似的处理。此外,维护处理也可以是其他的处理。维护处理主要是用于将处理单元11L-43U的处理室35内的环境保持在适合制品用的基板W的处理的状态的处理,也可以是基板处理装置1的用户预先设定的处理。将使用虚拟基板DW的虚拟处理作为维护处理来进行的情况中,维护处理包含:搬运行程制作步骤A160,制作维护处理用的搬运计划(搬运行程);步骤A161,按照该搬运计划,从对应的虚拟基板插槽取出虚拟基板DW并搬入该处理单元;步骤A162,在处理单元内进行使用了虚拟基板DW的虚拟处理;以及步骤A163,在步骤A162的处理后,按照搬运行程,将虚拟基板DW收容至对应的虚拟基板插槽。
在没有来自主计算机150的处理请求(处理预约)的时间点,控制器110无法自动地计划与制品制程131同样的预处理。因此,优选为即使随时执行维护处理(步骤A16),当有来自主计算机150的处理请求(处理预约)时,执行与该制品处理对应的预处理(预处理步骤A7)。
虚拟基板DW被预先导入至基板处理装置1的内部并被收容至虚拟基板收容部7L、7U。具体而言,例如通过工厂内所具备的载体搬运机构300(参照图1)将收容了虚拟基板DW的供给用虚拟载体DC传递至载体保持部25。分度机器人26从供给用虚拟载体DC取出虚拟基板DW并搬运至基板载置部6L、6U。第一处理模块层BL的主搬运机器人8L将虚拟基板DW从基板载置部6L搬运至虚拟基板收容部7L来进行收容。第二处理模块层BU的主搬运机器人8U将虚拟基板DW从基板载置部6U搬运至虚拟基板收容部7U来进行收容。控制器110制作用于导入虚拟基板DW的搬运行程(供给搬运行程),并按照该搬运行程来控制分度机器人26以及主搬运器人8L、8U,由此实现上面所说明的搬运动作。
当新的虚拟基板DW被导入并被收容至虚拟基板收容部7L、7U时,控制器110将与被收容有新的虚拟基板DW的虚拟基板插槽对应的虚拟基板历史数据134重置成初始值。
在更换基板处理装置1内的虚拟基板DW时,通过主搬运机器人8L、8U以及分度机器人26将虚拟基板DW从虚拟基板收容部7L、7U搬运至被载体保持部25保持的回收用虚拟载体DC。具体而言,在更换对象的虚拟基板DW被收容至第一处理模块层BL的虚拟基板收容部7L时,主搬运机器人8L将该虚拟基板DW从虚拟基板收容部7L搬运至基板载置部6L。在更换对象的虚拟基板DW被收容至第二处理模块层BU的虚拟基板收容部7U时,主搬运机器人8U将该虚拟基板DW从虚拟基板收容部7U搬运至基板载置部6U。分度机器人26将被载置于基板载置部6L、6U的虚拟基板DW搬运并收容至被载体保持部25保持的回收用虚拟载体DC。在多片虚拟基板DW为更换对象时,反复进行同样的动作。控制器110制作用于虚拟基板DW的更换(排出)的搬运行程(回收搬运行程),并按照该搬运行程来控制分度机器人26以及主搬运机器人8L、8U,由此实现上面所说明的搬运动作。
图10A以及图10B用于说明与基板处理装置内的虚拟基板的更换相关的处理的流程图。图10A显示基板处理装置1的控制器110的处理例,图10B显示主计算机150的处理例。
基板处理装置1的控制器110计划虚拟处理(例如使用了虚拟基板DW的处理单元的洗净。虚拟洗净)(步骤S1),并更新存储器112内的虚拟基板历史数据134(步骤S2)。控制器110还对虚拟基板历史数据134与阈值资料136进行比较,并判断虚拟基板DW是否已经到达使用期限(步骤S3)。
如上所述,虚拟基板历史资料134针对虚拟基板收容部7L、7U中的每一个的插槽即针对每个虚拟基板DW而进行制作,表示各个虚拟基板DW的使用历史。在本实施方式中,多个处理单元与多个虚拟基板收容部7L、7U的多个插槽一对一地关联起来,因此各个虚拟基板DW仅被使用于一个处理单元的虚拟处理。因此,当控制器110计划虚拟处理时(步骤S1),更新虚拟基板历史数据134(步骤S2),并基于更新后的虚拟基板历史资料134来判断虚拟基板DW是否已经到达使用期限(步骤S3)。例如,虚拟基板历史数据134也可以包含虚拟基板DW的使用次数数据。当控制器110计划某个处理单元的虚拟处理时(步骤S1),将与该处理单元关联起来的虚拟基板DW的使用次数数据予以递增并更新(步骤S2)。接着,控制器110当使用次数数据到达至预先制定的使用次数阈值(阈值数据136的一例)时,判断为该虚拟基板DW已经到达使用期限(步骤S3:是)。
当虚拟基板DW到达使用期限时(步骤S3:是),控制器110计划虚拟基板DW的更换(步骤S4)。而且,控制器110在用户接口140显示虚拟基板DW已经到达使用期限,并对使用者进行注意唤起用的报告(步骤S5)。只要虚拟基板DW未到达使用期限(步骤S3:否),则可以省略虚拟基板更换的计划(步骤S4)以及用于注意唤起的报告(步骤S5)。
控制器110按照虚拟处理的计划来控制虚拟基板DW的搬运以及处理单元的处理(步骤S6)。具体而言,控制器110控制主搬运机器人8L、8U将虚拟基板DW从虚拟基板收容部7L、7U搬运至该处理单元,并控制处理单元执行使用了该虚拟基板DW的处理(例如腔室洗净处理)。
控制器110在需要更换虚拟基板DW时(步骤S7:是),即在计划了虚拟基板DW的更换时(步骤S4),对主计算机150发送虚拟基板更换请求(步骤S8;作为控制器110的使用期限通知部的功能)。在没有虚拟基板更换的计划时(步骤S7:否),不发送虚拟基板更换请求。
在存在虚拟基板更换请求时(步骤S11:是),主计算机150判断是否开始虚拟基板DW的更换(步骤S12)。例如,在存在希望比虚拟基板DW的更换优先的制品基板W的处理时,该判断为否定,保留虚拟基板更换请求。只要判断为应开始虚拟基板DW的更换(步骤S12:是),则主计算机150控制载体搬运机构300将回收用虚拟载体DC以及供给用虚拟载体DC从虚拟载体放置处351搬运至基板处理装置1的载体保持部25。
更具体而言,主计算机150判断虚拟载体放置处351是否存在有回收用虚拟载体DC(步骤S13),若不存在则进行用于回收用虚拟载体DC的准备的处理(步骤S14)。该处理也可以为用于促使使用者准备回收用虚拟载体DC的警报处理(表示需要回收用虚拟载体DC的通知)。在这种处理后,主计算机150计划载体搬运机构300的回收用虚拟载体DC的搬运,且对载体搬运机构300指令该计划的执行(步骤S15)。若在虚拟载体放置处351存在有回收用虚拟载体DC(步骤S13:是),则省略步骤S14的处理。此外,主计算机150判断虚拟载体放置处351是否存在有供给用虚拟载体DC(步骤S16),若不存在则进行用于供给用虚拟载体DC的准备的处理(步骤S17)。该处理也可以为用于促使使用者准备供给用虚拟载体DC的警报处理(需要供给用虚拟载体DC的要旨的通知)。在该处理后,主计算机150计划载体搬运机构300的供给用虚拟载体DC的搬运,且对载体搬运机构300指示该计划的执行(步骤S18)。若虚拟载体放置处351存在供给用虚拟载体DC(步骤S16:是),则省略步骤S17的处理。
基板处理装置1的控制器110所进行的虚拟基板更换的计划(步骤S4)包含回收搬运行程的制作,该回收搬运行程在载体保持部25保持有回收用虚拟载体DC时将已到达使用期限的虚拟基板DW从虚拟基板收容部7L、7U搬运至该回收用虚拟基板载体DC。控制器110按照回收搬运行程来控制主搬运机器人8L、8U以及分度机器人26。由此,主搬运机器人8L、8U将已到达使用期限的虚拟基板DW从虚拟基板收容部7L、7U搬运至基板载置部6L、6U,分度机器人将该虚拟基板DW从基板载置部6L、6U搬运至回收用虚拟载体DC。
基板处理装置1的控制器110所进行的虚拟基板更换的计划(步骤S4)包含供给搬运行程的制作,该供给搬运行程在载体保持部25保持有供给用虚拟载体DC时将未使用的虚拟基板DW从该供给用虚拟基板载体DC搬运至虚拟基板收容部7L、7U。控制器110按照供给搬运行程来控制分度机器人26以及主搬运机器人8L、8U。由此,分度运机器人将未使用的虚拟基板DW从供给用虚拟载体DC搬运至基板载置部6L、6U,主搬运机器人8L、8U将该虚拟基板DW从基板载置部6L、6U搬运至虚拟基板收容部7L、7U。
使用完毕的虚拟基板DW的回收动作以及未使用的虚拟基板DW的供给动作可以在时间上分开执行,这些动作的一部分或者全部也可以在时间上彼此重叠执行。
图11用于说明具体性的动作的一例的定时图。
首先,在图11中以格子模样的模块所表示的虚拟处理动作如下所述。与应进行虚拟处理的处理单元对应的虚拟基板DW被主搬运机器人8L、8U从虚拟基板收容部7L、7U取出并被搬入对象的处理单元。当在处理单元中结束使用了虚拟基板DW的处理(虚拟处理)时,该虚拟基板DW被主搬运机器人8L、8U取出并被收容至虚拟基板收容部7L、7U。
在虚拟基板DW因为虚拟处理而到达使用期限的情况下,基板处理装置1的控制器110计划该虚拟处理,例如在从虚拟基板收容部7L、7U排出该虚拟基板DW时对主计算机150发送虚拟基板更换请求(使用期限信息)(时刻t1)。以此作为契机,进行图11中以横条纹的模块所表示的虚拟基板回收动作。该虚拟基板DW由于被使用于再一次的虚拟处理从而到达使用期限。即,经过在时刻t1以后所进行的虚拟处理而到达使用期限。
已接收虚拟基板更换请求的主计算机150在基板处理装置1中正在进行虚拟处理的期间,计划并执行回收用虚拟载体DC的搬运。即,当在时刻t1接受虚拟基板更换请求时,主计算机150在期间T1执行用于准备回收用虚拟载体DC的处理(参照图10B的步骤S14),在回收用虚拟载体DC被放置于虚拟载体放置处351后的时刻t2,对载体搬运机构300指示搬运回收用虚拟载体DC。由此,在从时刻t2起的期间T2,载体搬运机构300将回收用虚拟载体DC从虚拟载体放置处351搬运至基板处理装置1的载体保持部25。即,载体搬运机构300从虚拟载体放置处351取出回收用虚拟载体DC并搬运至基板处理装置1,并将回收用虚拟载体DC搬入多个载体保持部25中的一个载体保持部LP1。当回收用虚拟载体DC被搬入至载体保持部25时,主计算机150在时刻t3对基板处理装置1的控制器110指令虚拟基板DW的回收搬运。
优选为在上述期间T2的期间结束虚拟处理动作。换言之,优选为主计算机150以正在基板处理装置1内进行虚拟处理动作的期间,将回收用虚拟载体DC搬运至载体保持部LP1的方式计划载体搬运机构300所为的回收用虚拟载体DC的搬运。而且,优选为与虚拟处理动作的结束(更换对象的虚拟基板DW向虚拟基板收容部7L、7U的收容)大致同步地结束回收用虚拟载体DC向载体保持部25的搬入。
被指令虚拟基板DW的回收搬运的控制器110制作回收搬运行程,并按照该回收搬运行程执行虚拟基板DW的搬运,该回收搬运行程用于在将被使用于虚拟处理且到达使用期限的虚拟基板DW收容至虚拟基板收容部7L、7U后,将使用完毕的虚拟基板DW从虚拟基板收容部7L、7U搬运至回收用虚拟载体DC。具体而言,使用完毕的虚拟基板DW被收容至虚拟基板收容部7L、7U后,主搬运机器人8L、8U将使用完毕的虚拟基板DW从虚拟基板收容部7L、7U取出并载置于基板载置部6L、6U。该使用完毕的虚拟基板DW被分度机器人26取出并被搬入至被保持在载体保持部LP1的回收用虚拟载体DC。控制器110当使用完毕的虚拟基板DW被收容至回收用虚拟载体DC时,在时刻t5对主计算机150通知回收用虚拟载体DC为能够搬出的状态。接受该通知,主计算机150对载体搬运机构300指示搬运回收用虚拟载体DC。由此,载体搬运机构300从载体保持部25搬出回收用虚拟载体DC并搬运至虚拟载体放置处351。
如此,进行使用完毕的虚拟基板DW的回收,另一方面执行虚拟基板供给动作,该虚拟基板供给动作用于供给与该使用完毕的虚拟基板DW置换的未使用的虚拟基板DW。在图11中以附上斜线形式的模块显示虚拟基板供给动作。
主计算机150计划并执行向基板处理装置1供给未使用的虚拟基板DW。具体而言,主计算机150制作用于将收容了未使用的虚拟基板DW的供给用虚拟载体DC从虚拟载体放置处351搬运至基板处理装置1的载体保持部25的计划,并按照该计划在时刻t4对载体搬运机构300指示搬运供给用虚拟载体DC。由此,载体搬运机构300将供给用虚拟载体DC从虚拟载体放置处351搬运至基板处理装置1,并搬入多个载体保持部25中的一个载体保持部LP2。当供给用虚拟载体DC被搬入载体保持部LP2时,主计算机150在时刻t6对基板处理装置1的控制器110指令虚拟基板DW的供给搬运。
虽然在图11中示出了回收用虚拟载体DC与供给用虚拟载体DC被保持于不同的载体保持部LP1、LP2的例子,然而也可以设为:作为在回收用虚拟载体DC的搬出后搬入供给用虚拟载体DC的计划,将供给用虚拟载体DC搬入至已搬出回收用虚拟载体DC的载体保持部LP1。
已接受虚拟基板DW的供给搬运指令的基板处理装置1的控制器110制作将未使用的虚拟基板DW从供给用虚拟载体DC搬运至虚拟基板收容部7L、7U的供给搬运行程,并按照该供给搬运行程来控制分度机器人26以及主搬运机器人8L、8U。因此,分度机器人26将未使用的虚拟基板DW从供给用虚拟载体DC取出并搬入至基板载置部6L、6U。之后,主搬运机器人8L、8U将未使用的虚拟基板DW从基板载置部6L、6U搬运至虚拟基板收容部7L、7U。
在已从供给用虚拟载体DC搬出未使用的虚拟基板DW后的时刻t7,基板处理装置1的控制器110对主计算机150通知供给用虚拟载体DC为能够搬出的状态。主计算机150接受该通知并对载体搬运机构300指示搬运供给用虚拟载体DC(时刻t8)。由此,载体搬运机构300从基板处理装置1的载体保持部25搬出供给用虚拟载体DC并搬入虚拟载体放置处351。
这样,通过基板处理装置1的控制器110与主计算机150之间的通信,针对基板处理装置1的载体保持部25,回收用虚拟载体DC以及供给用虚拟载体DC被载体搬运机构300适时地搬入和搬出。由此,能够自动且无迟滞地进行虚拟基板DW的更换。此外,由于能够缩短虚拟载体DC占有载体保持部25的时间,因此为了保持收容制品基板W的载体C而能够使用载体保持部25的时间会变长。由此,能够提升生产率。
虚拟基板DW的更换也可以逐片地进行,也可以汇总多片虚拟基板DW的更换来进行。在该情况下,多片使用完毕的虚拟基板DW被搬入一个回收用虚拟载体DC。此外,收容了多片未使用的虚拟基板DW的供给用虚拟载体DC被搬入载体保持部25,多片虚拟基板DW从该供给用虚拟载体DC被导入虚拟基板收容部7L、7U。
如上所述,基于本实施方式,与分度模块2的横方向邻接的处理模块3构成为在上下方向Z上层叠有多个处理模块层BL、BU。而且,在各处理模块层BL、BU具备收容虚拟基板DW的虚拟基板收容部7L、7U。由于能够在处理模块层BL、BU的内部收容虚拟基板DW,因此在处理单元11L至43U中产生使用虚拟基板DW的需要时,能够以分度机器人26不参与的方式在虚拟基板收容部7L、7U与处理单元11L至43U之间搬运虚拟基板DW。
因此,由于能够减轻分度机器人26的搬运负担,因此能够一边减轻对于制品用的基板W的影响,一边进行使用了虚拟基板DW的处理。尤其是,在分别具有多个处理单元11L-43L、11U-43U的多个处理模块层BL、BU与载体保持部25之间搬运基板W的分度机器人26的搬运负担非常大。因此,通过减轻分度机器人26的搬运负担,制品用的基板W的搬运效率变好,相应地能够提升生产率。由于各第一处理模块层BL、BU的主搬运机器人8L、8U负责该处理模块层BL、BU内的基板W的搬运,因此与分度机器人26相比搬运负担小。因此,从生产效率的观点而言,主搬运机器人8L、8U负责在处理模块层BL、BU的内部搬运虚拟基板DW并不会成为大问题。
此外,由于虚拟基板收容部7L、7U位于处理模块层BL、BU内,因此虚拟基板收容部7L、7U与处理单元11L-43U之间的虚拟基板DW的搬运无须经由分度机器人26与处理模块层BL、BU之间的用于基板传递的基板载置部6L、6U就能够进行。因此,由于能够减少虚拟基板DW的搬运与制品用的基板的搬运之间的干扰,因此制品用的基板的搬运效率变好,相应地能够提升生产率。
而且,与专利文献1的情况不同,载体保持部25也不会被收容虚拟基板DW的虚拟载体DC长时间地占有。由此,由于能够抑制在收容了制品用的基板W的载体C的搬入中产生待机时间,因此能够有助于提升生产率。
此外,在本实施方式中,在各处理模块层BL、BU中,多个处理单元11L-43L、11U-43U沿着被主搬运器人8L、8U搬运基板W的搬运路径51L、51U排列于搬运路径51L、51U的两侧,且在上下方向Z上层叠地排列。因此,能够以高效地进行主搬运机器人8L、8U所为的基板搬运的方式来设计处理模块层BL、BU内的多个处理单元11L-43U的配置。由此,能够有助于提升生产率。
此外,在本实施方式中,基板载置部6L、6U以及虚拟基板收容部7L、7U皆被配置于分度机器人26与主搬运机器人8L、8U之间。由此,能够高效地进行经由基板载置部6L、6U所进行的分度机器人26与主搬运机器人8L、8U之间的基板W的搬运。而且,能够将虚拟基板收容部7L、7U配置于不会与分度机器人26所为的基板W的搬运以及主搬运机器人8L、8U所进行的基板W的搬运干扰的位置。因此,能够不对制品的基板W的搬运造成影响地将虚拟基板DW保持于处理模块层BL、BU内。
更具体而言,在本实施方式中,虚拟基板收容部7L、7U与基板载置部6L、6U彼此错开高度立体性地配置。由此,能够有效地利用第一处理模块层BL、第二处理模块层BU内的空间,并能够将虚拟基板收容部7L、7U适当地配置于处理模块层BL、BU内。其结果是,实现不会妨碍制品用的基板W的搬运的虚拟基板收容部7L、7U的配置。
而且,在本实施方式中,虚拟基板收容部7L、7U被配置为以俯视观看时与基板载置部6L、6U重叠。由此,利用基板载置部6L、6U的上方或者下方的空间来配置虚拟基板收容部7L、7U。由此,实现不会妨碍制品用的基板W的搬运的虚拟基板收容部7L、7U的配置,且能有效地利用处理模块层BL、BU内的空间来配置虚拟基板收容部7L、7U。如上所述,虚拟基板收容部7L、7U在俯视观看时与基板载置部6L、6U彼此重叠的配置具体而言也可以是被收容至虚拟基板收容部7L、7U的虚拟基板DW的一部分或者全部与被基板载置部6L、6U保持的基板彼此重叠的配置。
更具体而言,在本实施方式中,在第一处理模块层BL(下层的处理模块层)上层叠有第二处理模块层BU(上层的处理模块层)。而且,在第一处理模块层BL中,虚拟基板收容部7L位于基板载置部6L的下方。另一方面,在第二处理模块层BU中,虚拟基板收容部7U位于基板载置部6U的下方。由此,能够减少第一处理模块层BL的基板载置部6L与第二处理模块层BU的基板载置部6U之间的高低差。由此,由于能够缩短分度机器人26所进行的上下方向Z的基板搬运行程,因此能够减轻分度机器人26的搬运负担。因此,能够提高制品用的基板W的搬运效率从而有助于提升生产率。
此外,在本实施方式中,各处理模块层BL、BU的虚拟基板收容部7L、7U包含与该处理模块层BL、BU所含有的多个处理单元11L-43L、11U-43U相同数量的多个虚拟基板插槽DL1-DL12、DU1-DU12。而且,各虚拟基板插槽DL1-DL12、DU1-DU12构成为保持一片虚拟基板DW。由此,能够在各处理模块层BL、BU内预先保持与处理单元11L-43L、11U-43U相同数量的多个虚拟基板DW。因此,如果产生将虚拟基板DW搬入处理单元11L-43L、11U-43U中的任一个的需要,则能够通过主搬运机器人8L、8U迅速地将虚拟基板DW搬入该处理单元并进行虚拟处理。由于分度机器人26不参与虚拟基板DW的搬入,因此能够抑制或者防止对制品用的基板W的搬运造成影响。
而且,在本实施方式中,各处理模块层BL、BU的多个处理单元11L-43L、11U-43U与该处理模块层的多个虚拟基板插槽DL1-DL12、DU1-DU12一对一地对应。而且,主搬运机器人8L、8U在彼此对应的虚拟基板插槽DL1-DL12、DU1-DU12与处理单元11L-43L、11U-43U之间搬运虚拟基板DW。通过该结构,被虚拟基板插槽保持的虚拟基板DW能够作为用于对应的处理单元的专用的虚拟基板。由此,容易管理虚拟基板DW的使用历史。
此外,在本实施方式中,控制器110当虚拟处理条件(单元洗净执行条件、预处理执行条件、维护执行条件)充足时控制主搬运机器人8L、8U,从虚拟基板收容部7L、7U向处理单元11L-43L、11U-43U搬运虚拟基板DW,并在该处理单元中执行虚拟处理。这样,由于能够通过处理模块层BL、BU内的虚拟基板DW的搬运开始虚拟处理,因此能够一边抑制或者防止对制品用的基板W的搬运造成影响一边迅速地开始虚拟处理。
此外,基于本实施方式,控制器110控制基板处理装置1的各部,由此执行下述工序。即,在各处理模块层BL、BU内执行主搬运机器人8L、8U将被收容至该处理模块层内的虚拟基板收容部7L、7U的虚拟基板DW搬入该处理模块层内的多个处理单元11L-43L、11U-43U中的任一者的虚拟基板搬入工序(步骤A31、A71、A161)。接着,执行在该处理单元内进行使用了被搬入的虚拟基板DW的虚拟处理的虚拟处理工序(步骤A32、A72、A162)。而且,在虚拟处理后,执行主搬运机器人8L、8U从处理单元取出虚拟基板DW并搬运至虚拟基板收容部7L、7U的工序(步骤A33、A73、A163)。此外,执行将被载置于该处理模块层BL、BU的基板载置部6L、6U的基板W搬入该处理模块层BL、BU的多个处理单元11L-43L、11U-43U中的任一个的工序(步骤A121)。接着,执行在该处理单元内处理被搬入的基板W的工序(步骤A122)。由此,能够一边减轻分度机器人26的搬运负担,一边在各处理模块层BL、BU的处理单元11L-43L、11U-43U中进行使用了虚拟基板DW的处理。由此,能提升生产效率。
通过控制器110的控制,也可以与基板搬入工序(步骤A20)并行地执行所述虚拟基板搬入工序(步骤A71)或者在基板搬入工序(步骤A20)之前执行所述虚拟基板搬入工序(步骤A71),该基板搬入工序(步骤A20)是分度机器人26从被载体保持部25保持的载体C取出基板W并搬入任一个处理模块层BL、BU的基板载置部6L、6U。由此,能够通过分度机器人26将制品用的基板W搬入处理模块层BL、BU,另一方面能够在各处理模块层BL、BU内将虚拟基板DW搬入处理单元11L-43L、11U-43U。由于分度机器人26也可以不参与虚拟基板DW的搬入,因此无须等待分度机器人26所进行的基板W的搬运或者与分度机器人26所进行的基板W的搬运并行地,在处理模块层BL、BU内进行虚拟基板DW的搬运。因此,能够减轻分度机器人26的负担,从而能够在处理模块层BL、BU内迅速地将虚拟基板DW搬运至处理单元。
而且,也可以通过控制器110的控制与基板搬入工序(步骤A20)并行地执行所述虚拟处理工序(步骤A72)或者在基板搬入工序(步骤A20)之前执行所述虚拟处理工序(步骤A72),该基板搬入工序(步骤A20)通过分度机器人26将制品用的基板W搬入基板载置部6L、6U。由此,能够减轻分度机器人26的负担,从而能够在处理模块层BL、BU内迅速地开始虚拟处理。例如,当从主计算机150接受基板处理的请求时,能够与此响应地在适当的时期开始虚拟基板DW的搬运以及紧接着的虚拟处理。由此,由于能够在适当的时期整顿处理单元11L-43L、11U-43U内的环境,因此当收容了制品用的基板W的载体C被搬入载体保持部25时,能够迅速地开始基板W的处理。由此,有助于提升生产率。
此外,在本实施方式中,在控制器110的存储器112存储有被收容至虚拟基板收容部7L、7U的虚拟基板DW的使用历史信息(虚拟基板历史数据134),并基于该虚拟基板DW的使用历史信息(虚拟基板历史数据134)将虚拟基板更换请求发送至主计算机150(使用期限信息的通知)。而且,制作回收搬运行程,该回收搬运行程用于将更换对象的虚拟基板DW从虚拟基板收容部7L、7U搬运至载体保持部25来进行回收。基于该回收搬运行程来控制主搬运机器人8L、8U以及分度机器人26,由此将更换对象的虚拟基板DW从虚拟基板收容部7L、7U搬运至载体保持部25并回收至回收用虚拟载体DC。这样,当虚拟基板DW迎来使用期限时,能够自动地排出该虚拟基板DW。
在本实施方式中,虚拟基板更换请求为使用期限信息的通知的一例,该虚拟基板更换请求对虚拟基板DW变得无法使用的情况或者预测到虚拟基板DW即将变得无法使用的情况进行通知。在本实施方式中,虚拟基板更换请求为虚拟基板回收请求,该虚拟基板回收请求对使用完毕的虚拟基板DW的回收进行请求。更正确地来说,虚拟基板更换请求也可以为虚拟基板回收预约,该虚拟基板回收预约由于在最后的虚拟处理结束后要求回收使用完毕的虚拟基板DW,因此指定使用完毕的虚拟基板DW的回收时期。此外,在本实施方式中,虚拟基板更换请求也可以为请求供给未使用的虚拟基板DW的虚拟基板供给请求。而且,在本实施方式中,虚拟基板供给请求由于在最后的虚拟处理结束后要求供给应该与使用完毕的虚拟基板DW置换的未使用的虚拟基板DW,因此虚拟基板供给请求也可以为指定未使用的虚拟基板DW的供给时期的虚拟基板供给预约。
此外,也能够以虚拟基板DW因为执行两次以上的预定次数的虚拟处理而到达使用限度的方式来制定阈值数据136,以取代通过剩余一次的虚拟处理来判断使用期限的方式。由此,由于能够预见余量地对主计算机150请求(预约)更换虚拟基板DW,因此能够适当地执行使用完毕的虚拟基板DW的回收计划以及未使用的虚拟基板DW的供给计划,从而能够适时地回收以及供给虚拟基板DW。
此外,在本实施方式中,多片虚拟基板DW与多个处理单元一对一地关联起来。由此,由于不会有虚拟基板DW被多个处理单元共享的情况,因此能够避免经由虚拟基板DW导致多个处理单元相互彼此影响。例如,即使一个处理单元内的处理环境被污染,也能够避免该污染经由虚拟基板DW被带入至其他的处理单元。
此外,在本实施方式中,已接受来自基板处理装置1的虚拟基板更换请求的主计算机150计划载体搬运机构300的动作并按照该计划来控制载体搬运机构300,由此能够使用于回收使用完毕的虚拟基板DW的回收用的虚拟基板DW搬入至基板处理装置1的载体保持部25。因此,能够基于从基板处理装置1向主计算机150的虚拟基板更换请求(使用期限信息的通知),在适当的时期将回收用虚拟载体DC供给至基板处理装置1。即,由于能够自动且适时地进行回收用虚拟载体DC的供给,因此能够缩短基板处理装置1的停机时间从而提升生产率。
此外,由于主计算机150对基板处理装置1指令虚拟基板DW的回收搬运,因此基板处理装置1能够适时地计划且执行虚拟基板DW的回收搬运,即能够适时地计划且执行将使用完毕的虚拟基板DW从虚拟基板收容部7L、7U向回收用虚拟载体DC搬运。即,能够使回收用虚拟载体DC的搬入以及在基板处理装置1内的虚拟基板DW的回收搬运的开始的定时一致。而且,从基板处理装置1对主计算机150通知虚拟基板DW向回收用虚拟载体DC的回收结束,由此主计算机150计划载体搬运机构300所进行的回收用虚拟载体DC的搬出,并按照该计划来控制载体搬运机构300。因此,能够自动且适时地从基板处理装置1的载体保持部25搬出回收用虚拟载体DC。具体而言,能够以与虚拟基板DW向回收用虚拟载体DC的搬入结束一致的定时,从载体保持部25搬出回收用虚拟载体DC。这样,由于能够缩短回收用虚拟载体DC占有载体保持部25的时间,因此为了用于收容制品基板W的载体C,能够迅速地让出载体保持部25。由此,由于能够高效地将未处理的制品基板W投入基板处理装置1,并且能够高效地回收处理完毕的制品基板W,因此能够谋求提升生产率。
此外,定时的“一致”并不一定是指时间性的一致,而是指在从生产率的观点而言所容许的预定时间内产生对应的事件。该情况的预定时间例如为一分钟左右。在以下的说明中也相同。
而且,主计算机150制作用于通过载体搬运单元300将收容了能够使用的虚拟基板DW的供给用虚拟载体DC搬运至基板处理装置1的载体保持部25的计划,并且按照该计划来控制载体搬运机构300的动作。由此,供给用虚拟载体DC自动且适时地被供给至基板处理装置1。在基板处理装置1中,制作将虚拟基板DW从供给用虚拟载体DC搬运至虚拟基板收容部7L、7U的供给搬运行程,并按照该供给搬运行程搬运虚拟基板DW。这样,由于能够将虚拟基板DW自动且适时地供给至基板处理装置1,因此能够缩短例如因为能够使用的虚拟基板DW的不足所导致的基板处理装置1的停机时间。由此,能够有助于产生性的提升。
此外,由于主计算机150对基板处理装置1指令虚拟基板DW的供给搬运,因此基板处理装置1能够适时地计划且执行虚拟基板DW的供给搬运,即能够适时地计划且执行从能够使用的虚拟基板DW的供给用虚拟基板载体DC向虚拟基板收容部7L、7U的搬运。因此,能够与供给用虚拟载体DC的搬入使定时一致,开始基板处理装置1内的虚拟基板DW的供给搬运。而且,从基板处理装置1对主计算机150通知虚拟基板DW从供给用虚拟基板载体DC搬出结束,由此主计算机150计划供给用虚拟基板DC的搬出并按照该计划使载体搬运机构300进行动作。由此,能够以与虚拟基板DW从供给用虚拟载体DC的搬出结束一致的定时,从载体保持部25搬出供给用虚拟载体DC。这样,能够自动且适时地从基板处理装置1的载体保持部25搬出供给用虚拟载体DC。这样,由于能够缩短供给用虚拟载体DC占有载体保持部25的时间,因此为了用于收容制品基板W的载体C的保持,能够迅速地让出载体保持部25。由此,由于能够高效地将未处理的制品基板W投入基板处理装置1且能够高效地回收处理完毕的制品基板W,因此能够谋求提升生产率。
图12用于说明本发明的第二实施方式的基板处理装置的结构的示意性的纵剖视图,且显示相当于图2的纵剖面的纵剖面中的结构。当与上述第一实施方式比较时,在本实施方式中移除用于区分第一处理模块层BL与第二处理模块层BU的中间隔壁16。而且,导引主搬运机器人8L、8U的上下动作的支柱83遍及第一处理模块层BL以及第二处理模块层BU并上下地延伸。由此,主搬运机器人8L、8U构成为能够以比第一实施方式的情况大的行程进行上下动作。当然,控制器110以使主搬运机器人8L、8U不会彼此干扰的方式控制主搬运机器人8L、8U的动作。
此外,在本实施方式中,第一实施方式中的两个基板载置部6U、6L被置换成一个基板载置部6。基板载置部6在第一处理模块层BL与第二处理模块层BU被共享。即,第一处理模块层BL的主搬运机器人8L能够访问基板载置部6,并在基板载置部6与第一处理模块层BL的处理单元11L-43L之间搬运制品基板W。此外,主搬运机器人8L在基板载置部6、处理单元11L-43L以及虚拟基板收容部7L之间搬运虚拟基板DW。同样地,第二处理模块层BU的主搬运机器人8U能够访问基板载置部6,并在基板载置部6与第二处理模块层BU的处理单元11U-43U之间搬运制品基板W。此外,主搬运机器人8U在基板载置部6、处理单元11U-43U以及虚拟基板收容部7U之间搬运虚拟基板DW。
基板载置部6具备未处理基板载置部61以及已处理基板载置部62。然而,由于基板载置部6在第一处理模块层BL以及第二处理模块层BU被共享,因此优选为未处理基板载置部61以及已处理基板载置部62分别具备基板保持架65、66,基板保持架65、66具有比第一实施方式的情况还多的插槽。优选为基板载置部6所具备的基板保持架65、66的至少一个(即一部分或者全部)的插槽配置成能够被双方的主搬运机器人8L、8U访问。更详细而言,优选为未处理基板载置部61的基板保持架65(参照图5)的至少一个(即一部分或者全部)插槽被设为能够被双方的主搬运机器人8L、8U访问的配置。同样地,优选为已处理基板载置部62的基板保持架66(参照图5)的至少一个(即一部分或者全部)的插槽被设为能够被双方的主搬运机器人8L、8U访问的配置。
优选为基板载置部6被设为能够被分度机器人26访问的配置。更详细而言,优选为分度机器人26构成为:能够访问基板载置部6的基板保持架65、66的全部的插槽,且能够将制品基板W或者虚拟基板DW搬入至这些插槽或者从这些插槽搬出。
图13用于说明本发明的第三实施方式的基板处理装置的结构的纵剖视图,并显示相当于图2的纵剖面的纵剖面中的结构。在第一实施方式中,在分度模块2以及处理模块3的邻接的后隔壁2a以及前隔壁3a形成有与基板载置部6L、6U对应的窗4L、4U,且未形成有与虚拟基板收容部7L、7U对应的窗。相对于此,在本实施方式中,在后隔壁2a以及前隔壁3a追加有与虚拟基板收容部7L、7U对应的窗5L、5U。
通过设置这种追加的窗5L、5U,在将虚拟基板DW导入处理模块层BL、BU时,分度机器人26能够直接访问虚拟基板收容部7L、7U并搬入虚拟基板DW。而且,在从处理模块层BL、BU搬出使用完毕的虚拟基板DW时,分度机器人26能够直接访问虚拟基板收容部7L、7U并搬出虚拟基板DW。在这种虚拟基板DW的搬入以及搬出时,主搬运机器人8L、8U皆无须参与。因此,能够减轻主搬运机器人8L、8U的搬运负担从而实现提升生产率。
图14显示本发明的第四实施方式的基板处理装置的内部结构的示意性的俯视图。在第一实施方式中,多个处理单元11L-43U被区分成第一处理单元组与第二处理单元组,且在该第一处理单元组与该第二处理单元组之间设置有水平的中间隔壁16,该第一处理单元组被配备于下层的第一处理模块层BL,第二处理单元组被配备于上层的第二处理模块层BU。相对于此,在本实施方式中,未设置有用于将处理模块3内的空间上下地区分的中间隔壁16,取而代之的是具备用于将处理模块3内的空间在水平方向上区分的中央隔壁18。
从载体保持部25侧观看第一水平方向X的俯视观看时,中央隔壁18将处理模块3内的空间左右地区分。中央隔壁18是在处理模块3的第二水平方向Y(左右方向)的中央附近沿着第一水平方向X以及上下方向Z延伸的平板状的隔壁。中央隔壁18形成:第一处理模块部B1,其被配置于中央隔壁18一侧;以及第二处理模块部B2,配置于中央隔壁18的另一侧。即,第一处理模块部B1以及第二处理模块部B2被配置于彼此的侧方。处理模块3所具备的多个处理单元11L至43U被区分为:第一处理单元组G1,其包含于第一处理模块部B1;以及第二处理单元组G2,其包含于第二处理模块部B2。由于多个处理单元11L-43U的配置与第一实施方式类似,因此在图14中对多个处理单元11L-43U赋予与图1相同的参照附图标记。第一处理单元组G1由构成第一塔T1以及第二塔T2的多个处理单元11L、12L、13L、11U、12U、13U、21L、22L、23L、21U、22U、23U所构成。第二处理单元组G2由构成第三塔T3以及第四塔T4的多个处理单元31L、32L、33L、31U、32U、33U、41L、42L、43L、41U、42U、43U所构成。
与第一处理单元组G1对应地,在中央隔壁18的一侧设置有第一主搬运机器人8A。第一主搬运机器人8A在被中央隔壁18与第一处理单元组G1之间划分的第一搬运空间53A内进行动作,由此制品基板W以及虚拟基板DW通过第一搬运空间53A被搬运。同样地,与第二处理单元组G2对应地,在中央隔壁18的另一侧设置有第二主搬运机器人8B。第二主搬运机器人8B在被中央隔壁18与第二处理单元组G2之间划分的第二搬运空间53B内进行动作,由此制品基板W以及虚拟基板DW通过第二搬运空间53B被搬运。由于第一主搬运机器人8A以及第二主搬运机器人8B的结构与图12所示的第二实施方式的情况大致相同,因此在对应结构部分附加相同的参照附图标记并省略说明。然而,在本实施方式中,导引上下方向移动的支柱83被固定于中央隔壁18。
而且,与第一处理单元组G1对应地,在第一搬运空间53A的与分度模块2邻接的端部设置有第一基板载置部6A。而且,以在俯视观看时与第一基板载置部6A一部分或者全部重叠的方式在第一基板载置部6A的上方以及/或者下方配置有第一虚拟基板收容部7A。同样地,与第二处理单元组G2对应地,在第二搬运空间53B的与分度模块2邻接的端部设置有第二基板载置部6B。而且,以俯视观看时与第二基板载置部6B一部分或者全部重叠的方式在第二基板载置部6B的上方以及/或者下方配置有第二虚拟基板收容部7B。
第一主搬运机器人8A能够访问构成第一处理单元组G1的多个处理单元、第一基板载置部6A、以及第一虚拟基板收容部7A。由此,第一主搬运机器人8A在构成第一处理单元组G1的多个处理单元与第一基板载置部6A之间搬运制品基板W。此外,第一主搬运机器人8A在构成第一处理单元组G1的多个处理单元、第一基板载置部6A、以及第一虚拟基板收容部7A之间搬运虚拟基板DW。在本实施方式中,第一主搬运机器人8A无法访问第二处理单元组G2、第二基板载置部6B以及第二虚拟基板收容部7B中的任一个。
同样地,第二主搬运机器人8B能够访问构成第二处理单元组G2的多个处理单元、第二基板载置部6B、以及第二虚拟基板收容部7B。由此,第二主搬运机器人8B在构成第二处理单元组G2的多个处理单元与第二基板载置部6B之间搬运制品基板W。此外,第二主搬运机器人8B在构成第二处理单元组G2的多个处理单元、第二基板载置部6B以及第二虚拟基板收容部7B之间搬运虚拟基板DW。在本实施方式中,第二主搬运机器人8B无法访问第一处理单元组G1、第一基板载置部6A以及第一虚拟基板收容部7A中的任一个。
分度机器人26能够访问被载体保持部25保持的载体C、虚拟载体DC、第一基板载置部6A以及第二基板载置部6B,并在它们之间搬运制品基板W以及虚拟基板DW。在本实施方式中,分度机器人26无法访问第一虚拟基板收容部7A以及第二虚拟基板收容部7B中的任一个。当然,分度机器人26无法访问第一处理单元组G1以及第二处理单元组G2中的任一个。
也可以将第四实施方式仿照上面所说明的第二实施方式(参照图12)进行变化,设置有分度机器人26、第一主搬运机器人8A以及第二主搬运机器人8B能够共通地访问的基板载置部,以取代第一基板载置部6A以及第二基板载置部6B。例如,能够在中央隔壁18的分度模块2侧的端部设置切口,并配置被第一处理单元组G1以及第二处理单元组G2共享的基板载置部。
此外,也可以将第四实施方式仿照上述的第三实施方式(参照图13)进行变化,构成为分度机器人26能够访问第一虚拟基板收容部7A以及第二虚拟基板收容部7B。由此,能够以第一主搬运机器人8A以及第二主搬运机器人8B不参与的方式,通过分度机器人26,能够进行针对第一虚拟基板收容部7A与第二虚拟基板收容部7B的虚拟基板DW的搬入/搬出。
以上,虽然已说明本发明的四个实施方式,然而本发明也可以进一步以其他的形态来实施。例如,虽然在上述第一实施方式等中显示层叠两层的处理模块层BL、BU所构成的处理模块3的结构,然而也可以层叠三层以上的处理模块层来构成处理模块。此外,虽然在上述第一实施方式等中显示具有三层地层叠有各处理模块层BL、BU的处理单元配置的例子,然而各处理模块层所含有的处理单元可以为二层地层叠,也可以为四层以上地层叠,还可以一层地配置有全部的处理单元。而且,虽然在上述第一实施方式等中显示在搬运路径51L、51U的两侧配置有处理单元11L-43U的例子,然而也可以在搬运路径51L、51U的一侧配置有处理单元。此外,虽然在上述第一实施方式等中沿着搬运路径51L、51U在搬运路径51L、51U的一侧配置有两个处理单元,然而也可以配置有一个处理单元或者也可以配置有三个以上的处理单元。
而且,在上述第一实施方式等中,在各处理模块层BL、BU的虚拟基板收容部7L、7U设置有与处理单元11L-43L、11U-43U相同数量的虚拟基板插槽DL1-DL12、DU1-DU12,这些虚拟基板插槽DL1-DL12、DU1-DU12与处理单元11L-43L、11U-43U一对一地对应。然而,例如,也可以将各处理模块层BL、BU中的虚拟基板插槽的数量设定成比处理单元的数量少,并将一个虚拟基板插槽与多个处理单元关联起来。
此外,在上述实施方式中,虽然显示多个处理单元被区分成多个处理单元组的构成的基板处理装置的例子,然而也可以将本发明应用于通过一个主搬运机器人对多个处理单元搬运基板W或者虚拟基板DW的结构的基板处理装置。而且,处理单元的数量也可以为一个。
虽然已经详细地说明本发明的实施方式,然而这些实施方式仅为用于明了本发明的技术内容的具体例,本发明不应被解释成限定于这些具体例,本发明仅被添加的权利要求书所限定。
附图标记说明
C 载体
DC 虚拟载体
W制品基板(基板)
DW 虚拟基板
1 基板处理装置
2 分度模块
25 载体保持部
26 分度机器人
3 处理模块
BL 第一处理模块层
11L-13L处理单元
21L-23L处理单元
31L-33L处理单元
41L-43L处理单元
6L 基板载置部
7L 虚拟基板收容部
DL1-DL12 虚拟基板插槽
8L 主搬运机器人
51L 搬运路径
52L 搬运空间
BU 第二处理模块层
11U-13U处理单元
21U-23U处理单元
31U-33U处理单元
41U-43U处理单元
6U基板载置部
7U虚拟基板收容部
DU1-DU12 虚拟基板插槽
8U 主搬运机器人
51U 搬运路径
52U 搬运空间
B1 第一处理模块部
B2 第二处理模块部
G1第一处理单元组
G2 第二处理单元组
8A:第一主搬运机器人
8B:第二主搬运机器人
6 基板载置部
6A第一基板载置部
6B 第二基板载置部
7A第一虚拟基板收容部
7B 第二虚拟基板收容部
110 控制器
150 主计算机
300 载体搬运机构
351 虚拟载体放置处。
Claims (17)
1.一种基板处理装置,其特征在于,包含:
载体保持部,其保持收容基板或者虚拟基板的载体;
处理单元,其处理基板且执行使用虚拟基板的处理;
虚拟基板收容部,其收容虚拟基板;
基板载置部,其载置基板;
第一搬运单元,其能够访问所述处理单元、所述虚拟基板收容部和所述基板载置部,在所述处理单元与所述基板载置部之间搬运基板,并在所述处理单元、所述虚拟基板收容部和所述基板载置部之间搬运虚拟基板;
第二搬运单元,其能够访问所述载体保持部和所述基板载置部,并在所述载体保持部和所述基板载置部之间搬运基板;
存储部,其存储被收容至所述虚拟基板收容部的虚拟基板的使用历史信息;
使用期限通知部,其基于存储于所述存储部的使用历史信息通知被收容至所述虚拟基板收容部的虚拟基板的使用期限信息;
行程制作部,其制作所述第一搬运单元和所述第二搬运单元所进行的基板或者虚拟基板的搬运行程,并制作用于将被通知了所述使用期限信息的虚拟基板从所述虚拟基板收容部搬运至所述载体保持部并进行回收的搬运行程;
搬运控制部,其按照由所述行程制作部制作的搬运行程来控制由所述第一搬运单元和所述第二搬运单元所进行的基板或者虚拟基板的搬运。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述存储部将虚拟基板的使用次数、使用时间和消耗状态中的至少一个信息存储为所述使用历史信息。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述存储部存储所述使用历史信息和与所述使用历史信息对应的使用期限阈值信息。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
所述虚拟基板收容部收容多片虚拟基板,所述存储部针对各虚拟基板存储所述使用历史信息和所述使用期限阈值信息。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板处理装置具备多个所述处理单元,预先确定多片所述虚拟基板与多个所述处理单元的对应关系,所述存储部存储表示所述对应关系的信息。
6.根据权利要求3至5中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述使用期限通知部对所述使用历史信息与所述使用期限阈值信息进行比较,并基于其比较结果通知虚拟基板的使用期限信息。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板处理装置还包含:报告单元,其基于存储于所述存储部的使用历史信息来对用户报告被收容至所述虚拟基板收容部的虚拟基板的使用期限信息。
8.一种基板处理系统,其特征在于,包含:
权利要求1至7中任一项所述的基板处理装置;
载体搬运单元,其将用于收容使用完毕的虚拟基板的回收用虚拟载体搬入所述载体保持部;
主计算机,其从所述使用期限通知部接收所述使用期限信息的通知,计划通过所述载体搬运单元将回收用虚拟载体搬入所述载体保持部的回收用虚拟载体搬运,并基于该计划通过所述载体搬运单元使回收用虚拟载体搬入所述载体保持部,且对所述基板处理装置指令虚拟基板的回收搬运。
9.根据权利要求8所述的基板处理系统,其特征在于,
所述主计算机从所述基板处理装置获得与虚拟基板向所述回收用虚拟载体的回收相关的信息,并计划通过所述载体搬运单元从收容了使用完毕的虚拟基板的回收用虚拟载体的所述载体保持部的搬出,且基于该计划通过所述载体搬运单元从所述载体保持部搬出回收用虚拟载体。
10.根据权利要求8或9所述的基板处理系统,其特征在于,
所述行程制作部还制作用于从所述载体保持部将能够使用的虚拟基板搬运至所述虚拟基板收容部的搬运行程,
所述载体搬运单元以将收容了能够使用的虚拟基板的供给用虚拟载体搬入所述载体保持部的方式进行动作,
所述主计算机计划通过所述载体搬运单元将供给用虚拟载体搬入所述载体保持部的供给用虚拟载体搬运,并基于该计划通过所述载体搬运单元将供给用虚拟载体搬入所述载体保持部,且对所述基板处理装置指示能够使用的虚拟基板的供给搬运。
11.根据权利要求10所述的基板处理系统,其特征在于,
所述主计算机从所述基板处理装置获得与虚拟基板从所述供给用虚拟载体的搬出相关的信息,并计划通过所述载体搬运单元将供给用虚拟载体从所述载体保持部的搬出,且基于该计划通过所述载体搬运单元从所述载体保持部搬出供给用虚拟载体。
12.根据权利要求8至11中任一项所述的基板处理系统,其特征在于,
所述载体搬运单元在所述载体保持部与不同于所述载体保持部的虚拟载体放置处之间搬运回收用虚拟载体或者供给用虚拟载体。
13.一种基板处理方法,其特征在于,包含:
通过第一搬运单元在处理单元与基板载置部之间搬运基板的工序;
在所述处理单元中处理由所述第一搬运单元搬运的基板的工序;
通过所述第一搬运单元在所述处理单元与虚拟基板收容部之间搬运虚拟基板的工序;
在所述处理单元中执行使用了由所述第一搬运单元搬运的虚拟基板的虚拟处理的工序;
通过第二搬运单元在被载体保持部保持的载体与所述基板载置部之间搬运基板的工序;
记录被收容至所述虚拟基板收容部的虚拟基板的使用历史信息的工序;
基于所述使用历史信息来判断所述虚拟基板的使用期限的工序;
回收搬运工序,用于基于所述使用期限的判断将已经到达使用期限的虚拟基板从所述虚拟基板收容部搬运至所述载体保持部并进行回收;
回收用虚拟载体搬入工序,基于所述使用期限的判断,通过载体搬运单元将用于收容使用完毕的虚拟基板的回收用虚拟载体搬入至所述载体保持部。
14.根据权利要求13所述的基板处理方法,其特征在于,
所述基板处理方法还包含:以与所述回收搬运工序中的虚拟基板向所述回收用虚拟载体的搬入结束一致的定时,通过所述载体搬运单元将所述回收用虚拟载体从所述载体保持部搬出的工序。
15.根据权利要求13或14所述的基板处理方法,其特征在于,
所述基板处理方法还包含:
供给用虚拟载体搬入工序,基于所述使用期限的判断,通过所述载体搬运单元将收容了能够使用的虚拟基板的供给用虚拟基板搬入至所述载体保持部;
供给搬运工序,基于所述使用期限的判断,将能够使用的虚拟基板从所述载体保持部搬运至所述虚拟基板收容部。
16.根据权利要求15所述的基板处理方法,其特征在于,
所述基板处理方法还包含:以与所述供给搬运工序中的虚拟基板从所述供给用虚拟载体的搬出结束一致的定时,通过所述载体搬运单元将所述供给用虚拟载体从所述载体保持部搬出的工序。
17.根据权利要求13至16中任一项所述的基板处理方法,其特征在于,
具备多个所述处理单元,
所述虚拟基板收容部收容预先确定了与多个所述处理单元的对应关系的多片虚拟基板。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021049169A JP2022147778A (ja) | 2021-03-23 | 2021-03-23 | 基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法 |
JP2021-049169 | 2021-03-23 | ||
PCT/JP2022/005467 WO2022201953A1 (ja) | 2021-03-23 | 2022-02-10 | 基板処理装置、基板処理システムおよび基板処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117083701A true CN117083701A (zh) | 2023-11-17 |
Family
ID=83395567
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202280022131.2A Pending CN117083701A (zh) | 2021-03-23 | 2022-02-10 | 基板处理装置、基板处理系统以及基板处理方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2022147778A (zh) |
KR (1) | KR20230119200A (zh) |
CN (1) | CN117083701A (zh) |
TW (2) | TWI829526B (zh) |
WO (1) | WO2022201953A1 (zh) |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004304116A (ja) * | 2003-04-01 | 2004-10-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2010123733A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及びその処理方法、並びに記憶媒体 |
JP5463066B2 (ja) * | 2009-04-30 | 2014-04-09 | 東京エレクトロン株式会社 | ロット処理開始判定方法及び制御装置 |
JP5293719B2 (ja) * | 2010-10-01 | 2013-09-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置のデータ取得方法及びセンサ用基板 |
JP2012109333A (ja) * | 2010-11-16 | 2012-06-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2014116545A (ja) * | 2012-12-12 | 2014-06-26 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
KR102202331B1 (ko) * | 2014-10-03 | 2021-01-13 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 처리 장치 및 처리 방법 |
JP6512445B2 (ja) | 2015-08-18 | 2019-05-15 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6948916B2 (ja) * | 2017-11-06 | 2021-10-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び通知方法 |
JP7181081B2 (ja) * | 2018-12-28 | 2022-11-30 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板搬送方法 |
JP2020155467A (ja) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、および、基板処理方法 |
-
2021
- 2021-03-23 JP JP2021049169A patent/JP2022147778A/ja active Pending
-
2022
- 2022-02-10 WO PCT/JP2022/005467 patent/WO2022201953A1/ja active Application Filing
- 2022-02-10 CN CN202280022131.2A patent/CN117083701A/zh active Pending
- 2022-02-10 KR KR1020237024000A patent/KR20230119200A/ko unknown
- 2022-03-21 TW TW112104343A patent/TWI829526B/zh active
- 2022-03-21 TW TW111110268A patent/TWI796175B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2022147778A (ja) | 2022-10-06 |
TW202324584A (zh) | 2023-06-16 |
TWI796175B (zh) | 2023-03-11 |
TW202240749A (zh) | 2022-10-16 |
KR20230119200A (ko) | 2023-08-16 |
WO2022201953A1 (ja) | 2022-09-29 |
TWI829526B (zh) | 2024-01-11 |
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---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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