CN117043937A - 半导体装置以及半导体装置的制造方法 - Google Patents

半导体装置以及半导体装置的制造方法 Download PDF

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Abstract

提供低成本且散热性优异的半导体装置。半导体装置具有散热器、半导体元件、金属块、端子以及封装材料。半导体元件包含表面电极。半导体元件安装于散热器的上表面。金属块包含接合面和散热面。接合面与半导体元件的表面电极接合。散热面经由绝缘部件与散热器的上表面连接。金属块以跨过半导体元件的至少1个边的上方的方式设置。端子呈板形状。端子的第1端与金属块接合。端子的第2端位于与第1端相反侧，形成为能够与外部电路连接。封装材料将散热器、半导体元件、金属块和端子的第1端封装。端子的第2端从封装材料露出。

Description

半导体装置以及半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。
背景技术
在半导体元件进行通断动作时，由半导体元件的内部电阻产生热量。该热量经由散热器(heat spreader)等向冷却器释放。例如，专利文献1所记载的半导体装置经由与半导体元件的表面接合的作为金属体的散热块、和与该散热块接合的上侧散热片，形成从半导体元件向冷却体的散热路径。
专利文献1：日本特开2003-258166号公报
发明内容
在半导体元件的表面侧形成的散热路径优选由容易传热且热容量大的部件构成。另一方面，从加工性以及成本的观点来看，与半导体元件的表面电极连接的端子优选为薄板。即，高散热性和低生产成本难以兼顾。
本发明为了解决上述的课题，而提供一种低成本且散热性优异的半导体装置。
本发明涉及的半导体装置具有散热器、半导体元件、金属块、端子以及封装材料。半导体元件包含表面电极。半导体元件安装于散热器的上表面。金属块包含接合面和至少1个散热面。接合面与半导体元件的表面电极接合。至少1个散热面经由绝缘部件与散热器的上表面连接。金属块以跨过半导体元件的至少1个边的上方的方式从接合面延伸至该至少1个散热面。端子包含第1端和第2端。第1端与金属块接合。第2端位于与第1端相反侧，形成为能够与外部电路连接。封装材料将散热器、半导体元件、金属块和端子的第1端封装。端子的第2端从封装材料露出。
发明的效果
根据本发明，提供一种低成本且散热性优异的半导体装置。
本发明的目标、特征、方案以及优点根据以下的详细说明和附图而变得更加清楚。
附图说明
图1是表示实施方式1中的半导体装置的结构的俯视图。
图2是表示实施方式1中的半导体装置的结构的剖视图。
图3是表示实施方式1中的半导体元件的结构的俯视图。
图4是表示实施方式1中的半导体装置的制造方法的流程图。
图5是表示实施方式2中的半导体装置的结构的俯视图。
图6是表示实施方式2中的半导体装置的结构的剖视图。
图7是表示实施方式3中的半导体装置的结构的俯视图。
图8是表示实施方式3中的半导体装置的结构的剖视图。
图9是表示实施方式4中的半导体装置的结构的俯视图。
图10是表示实施方式4中的半导体装置的结构的剖视图。
图11是表示实施方式5中的半导体装置的结构的俯视图。
图12是表示实施方式5中的半导体装置的结构的剖视图。
图13是表示实施方式6中的半导体装置的结构的俯视图。
图14是表示实施方式6中的半导体装置的结构的剖视图。
图15是表示实施方式7中的半导体装置的结构的俯视图。
图16是表示实施方式7中的半导体装置的结构的剖视图。
具体实施方式
<实施方式1>
图1是表示实施方式1中的半导体装置101的结构的俯视图。图2是表示该半导体装置101的结构的剖视图。图2示出了在图1中示出的A-A'处的剖面。
半导体装置101包含散热器1、半导体元件2、金属块3、第1主端子4A、第2主端子4B、信号端子5、金属导线6、绝缘部件7、封装材料8、绝缘板9。图1示出了对覆盖半导体元件2等的上方的封装材料8进行透视的状态。在如下所示的俯视图中也相同。图2示出了将半导体装置101经由散热脂12安装至冷却器11的状态。另外，在图2的剖视图中，为了便于说明而省略了散热器1以及封装材料8的阴影线。在以下的剖视图中也相同。
散热器1例如由金属形成。散热器1经由接合材料15将半导体元件2保持在其上表面。接合材料15例如是焊料。
半导体元件2安装于散热器1的上表面。半导体元件2例如由Si等半导体、或由SiC、GaN、氧化镓等所谓的宽带隙半导体形成。半导体元件2是功率半导体元件、用于对该功率半导体元件进行控制的控制IC(Integrated Circuit)等。半导体元件2例如是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor)、肖特基势垒二极管等。另外，半导体元件2也可以是在1个半导体基板内形成有IGBT以及续流二极管的RC-IGBT(Reverse-Conducting IGBT)。
实施方式1中的半导体元件2是IGBT。图3是示出该半导体元件2的结构的俯视图。半导体元件2为芯片状态，具有矩形的俯视形状。半导体元件2在其表面包含表面电极2A、控制电极2B以及终端区域2C。在终端区域2C的内侧设置有排列了多个IGBT单元的单元区域(未图示)。表面电极2A是作为IGBT的发射极起作用的电极焊盘。控制电极2B包含栅极焊盘、发射极感测焊盘、温度感测焊盘等。栅极焊盘作为IGBT的栅极起作用。控制电极2B经由金属导线6与信号端子5连接，所以也称为信号用导线焊盘。终端区域2C设置于单元区域的周围、即芯片的外周部。终端区域2C包含作为用于半导体元件2的耐压维持的构造的保护环。半导体元件2在其背面包含背面电极(未图示)。背面电极作为IGBT的集电极起作用。背面电极经由接合材料15接合于散热器1的上表面。在此，背面电极与在散热器1的上表面设置的管芯焊盘区域(未图示)接合。
金属块3包含接合面3A和散热面3B。接合面3A以及散热面3B位于金属块3的下表面。接合面3A经由接合材料16与半导体元件2的表面电极2A接合。接合材料16例如是焊料。散热面3B经由绝缘部件7与散热器1的上表面连接。更详细而言，散热面3B与绝缘部件7的上表面接触，绝缘部件7的下表面与散热器1的上表面接触。金属块3从接合面3A与半导体元件2的表面电极2A的接合部越过半导体元件2的1个边(在图1中右侧的边)向半导体元件2的外侧延伸，向下方弯曲。即，实施方式1中的金属块3具有L字型的剖面形状，以跨过半导体元件2的1个边的上方的方式设置。
金属块3由热传导率高的材料形成，并且优选热容量较大。金属块3优选例如由铜或包含铜的合金形成。铜或包含铜的合金与焊料的接合性好。由铜或包含铜的合金形成的金属块3的组装性优异。金属块3优选由线膨胀系数大于或等于7ppm/℃且小于或等于12ppm/℃的材料形成。金属块3的厚度优选例如为2mm左右。
金属块3在接合面3A包含贯通孔3C。贯通孔3C将金属块3的上表面与下表面之间贯通。贯通孔3C设置于接合面3A的大致中央。换言之，在俯视观察时，贯通孔3C设置于接合面3A与半导体元件2的表面电极2A的接合部的大致中央。
绝缘部件7相对于在发射极以及集电极之间施加的电压，确保所需的绝缘耐压。绝缘部件7的厚度优选较薄，以使得热量高效地从金属块3向散热器1传递。即，绝缘部件7在确保绝缘耐压的范围内尽量薄为好。
第1主端子4A呈板形状。第1主端子4A包含一端和位于与该一端相反侧的另一端。第1主端子4A的一端经由接合材料17与金属块3的上表面接合。接合材料17例如是焊料。第1主端子4A的另一端被引出至封装材料8的外部。第1主端子4A的另一端形成为能够与外部电路连接。第1主端子4A是经由金属块3与半导体元件2的表面电极2A连接的发射极。第1主端子4A在一端与另一端之间具有弯曲部。
第2主端子4B呈板形状。第2主端子4B包含一端和位于与该一端相反侧的另一端。第2主端子4B的一端经由接合材料(在图14中示出的接合材料18)与散热器1的上表面接合。接合材料18例如是焊料。第2主端子4B的另一端被引出至封装材料8的外部。第2主端子4B的另一端形成为能够与外部电路连接。第2主端子4B是经由散热器1与半导体元件2的背面电极连接的集电极。第2主端子4B在一端与另一端之间具有弯曲部。
信号端子5呈板形状。信号端子5包含一端和位于与该一端相反侧的另一端。信号端子5的一端经由金属导线6与控制电极2B接合。金属导线6例如是铝导线。信号端子5的另一端被引出至封装材料8的外部。信号端子5的另一端形成为能够与外部电路连接。信号端子5在一端与另一端之间具有弯曲部。
第1主端子4A、第2主端子4B以及信号端子5优选例如由铜或包含铜的合金形成。第1主端子4A、第2主端子4B以及信号端子5比金属块3薄。第1主端子4A、第2主端子4B以及信号端子5的厚度优选例如为小于或等于1mm。第1主端子4A、第2主端子4B以及信号端子5比金属块3薄，所以在半导体装置101的制造工序中容易进行切断或弯曲加工。
绝缘板9安装于散热器1的下表面。绝缘板9具有将绝缘层9A与铜箔9B一体化的结构。绝缘层9A的厚度是0.2mm左右。铜箔9B的厚度是0.1mm左右。
封装材料8将散热器1、半导体元件2、金属块3、第1主端子4A的一端、第2主端子4B的一端、金属导线6、信号端子5的一端以及绝缘板9的上表面侧封装。绝缘板9的铜箔9B的下表面、第1主端子4A的另一端、第2主端子4B的另一端以及信号端子5的另一端从封装材料8露出。封装材料8例如是模塑树脂。在电力控制用的IGBT的情况下，在发射极与集电极之间施加高电压。IGBT的耐压由模塑树脂以及终端区域2C的保护环确保。
冷却器11经由散热脂12安装于半导体装置101。散热脂12填充于在绝缘板9的铜箔9B与冷却器11之间可能产生的微小空间。由于散热脂12，在绝缘板9与冷却器11之间热量变得容易传递。冷却器11将由半导体元件2产生的热量向外部释放。
接下来，对实施方式1中的半导体装置101的制造方法进行说明。图4是示出半导体装置101的制造方法的流程图。
在步骤S1中，将半导体元件2经由接合材料15安装至散热器1的上表面。
在步骤S2中，将金属块3相对于半导体元件2以及散热器1而载置于规定的位置。此时，金属块3的接合面3A的位置位于半导体元件2的表面电极2A的上方。更详细而言，在俯视观察时，金属块3的贯通孔3C的位置位于半导体元件2的表面电极2A的中央附近。金属块3的散热面3B的位置位于在散热器1的上表面设置的绝缘部件7的上方。绝缘部件7可以预先设置于散热器1的上表面的规定的位置，也可以在该步骤S2中插入至金属块3与散热器1之间。同样地，将第1主端子4A、第2主端子4B以及信号端子5被一体化的引线框架相对于金属块3以及散热器1而载置于规定的位置。在各部件的定位中使用夹具。在通过夹具将金属块3与半导体元件2的位置关系临时固定时，在金属块3的接合面3A与半导体元件2的表面电极2A之间形成间隙。
在定位了各部件后，将散热器1、半导体元件2、金属块3以及引线框架各自的接合部位通过接合材料进行接合。即，将金属块3通过接合材料16与半导体元件2接合，第1主端子4A通过接合材料17与金属块3接合，第2主端子4B通过接合材料18与散热器1接合。在金属块3与半导体元件2的接合工序中，从贯通孔3C供给熔融的接合材料16。接合材料16在接合面3A与表面电极2A的间隙中扩展。接合材料16例如是焊料。由此，将金属块3以跨过半导体元件2的1个边的上方的方式固定。
在步骤S3中，将金属导线6与信号端子5、控制电极2B超声波接合。该工序是所谓的导线键合工序。
在步骤S4中，将散热器1、半导体元件2、金属块3、第1主端子4A的一端、第2主端子4B的一端、金属导线6、信号端子5的一端以及绝缘板9的上表面侧设置于模塑模具的型腔。将树脂颗粒设置于罐中。将熔融的树脂通过柱塞从罐中挤出至加热后的模具。树脂经过流道从模具的注入用浇口流入至型腔。然后，树脂固化，将散热器1、半导体元件2、金属块3、第1主端子4A的一端、第2主端子4B的一端、金属导线6、信号端子5的一端以及绝缘板9的上表面侧封装。该树脂对应于封装材料8。
在步骤S5中，将在注入用浇口部分处固化后的不需要的树脂切掉，形成封装件。进一步地，将引线框架的结合部切断，使第1主端子4A、第2主端子4B以及信号端子5彼此分离。对第1主端子4A、第2主端子4B以及信号端子5分别实施弯曲为规定的形状的加工。由此，半导体装置101完成。
接下来，对实施方式1中的半导体装置101的动作进行说明。第1主端子4A的另一端以及第2主端子4B的另一端分别与母线(未图示)连接。
在从信号端子5经由栅极焊盘对IGBT的栅极与发射极之间施加了电压的情况下，IGBT被驱动。即，电流从集电极侧的母线依次流过第2主端子4B、散热器1、半导体元件2、金属块3、第1主端子4A、发射极侧的母线。此时，因半导体元件2的内部电阻而产生热量。实施方式1中的半导体装置101将该热量不仅从半导体元件2的背面经由散热器1、绝缘板9以及散热脂12向冷却器11释放，还从半导体元件2的表面经由金属块3、绝缘部件7、散热器1、绝缘板9以及散热脂12向冷却器11释放。
金属块3具有传递热量的功能以及储存热量的功能，因此优选由具有高导热率的材料形成，另外，优选金属块3的热容量大。因此，优选金属块3厚。另一方面，第1主端子4A在半导体装置101的制造工序中被实施切断或弯曲加工，因此优选比金属块3薄。在金属块3和第1主端子4A是一体的部件的情况下，该一体的部件具有厚的部分和薄的部分。即，该部件具有特殊且复杂的形状，因此生产成本上升。另一方面，在半导体装置不具有金属块3的情况下，由半导体元件2产生的热量虽然也经由呈薄板形状的第1主端子4A释放，但不能期待充分的散热效果。
实施方式1中的金属块3和第1主端子4A是彼此独立的部件。半导体装置101为了增大热容量而具有比第1主端子4A厚的金属块3，为了改善加工性而具有比金属块3薄的第1主端子4A。因而，实现了高散热性以及低生产成本的兼顾。
电动汽车、混合动力车等电动车具有逆变器电路。驱动3相电动机的逆变器电路具有将6个半导体装置101组合起来的结构。逆变器电路通过PWM(Pulse Width Modulation)控制而对3相电动机的转速等进行控制。有时电动车驶上路缘石等，电动机临时被锁定。此时，大电流流过半导体元件2。虽然大电流流动的时间是小于或等于1秒的程度的短时间，但由半导体元件2产生的热量大。
对于实施方式1中的半导体装置101，该热量不仅从半导体元件2的背面经由散热器1、绝缘板9以及散热脂12向冷却器11释放，还从半导体元件2的表面经由金属块3、绝缘部件7、散热器1、绝缘板9以及散热脂12向冷却器11释放。因此，实现了高散热性。
总而言之，实施方式1中的半导体装置101具有散热器1、半导体元件2、金属块3、第1主端子4A以及封装材料8。半导体元件2包含表面电极2A。半导体元件2安装于散热器1的上表面。金属块3包含接合面3A和至少1个散热面3B。接合面3A与半导体元件2的表面电极2A接合。至少1个散热面3B经由绝缘部件7与散热器1的上表面连接。金属块3以跨过半导体元件2的至少1个边的上方的方式从接合面3A延伸到至少1个散热面3B。第1主端子4A包含第1端和第2端。第1端与金属块3接合。第2端位于与第1端相反侧，形成为能够与外部电路连接。封装材料8将散热器1、半导体元件2、金属块3和第1主端子4A的第1端封装。第1主端子4A的第2端从封装材料8露出。
这样的半导体装置101兼顾了高散热性和低生产成本。半导体装置101被用于对电动汽车或电车等的电动机进行控制的逆变器电路、或再生用的转换器电路。
另外，实施方式1中的金属块3在接合面3A包含贯通孔3C。在金属块3由铜或包含铜的合金形成、半导体元件2由Si形成的情况下，金属块3的线膨胀系数与半导体元件2的线膨胀系数之差大。在金属块3与半导体元件2的接合应用了回流工序的情况下，与温度变化相伴的应力大。无论接合材料16是板状的焊料以及膏状的焊料中的哪一种，焊料的厚度在回流工序的前后都会变化。在实施方式1中，从金属块3的贯通孔3C供给熔融的焊料。因此，接合材料16的厚度与间隙的宽度一致，被控制为恒定值。因此，实现了具有高可靠性的半导体装置101。
进一步，通过由线膨胀系数大于或等于7ppm/℃且小于或等于12ppm/℃的材料形成金属块3，从而在接合工序等的加热时对芯片的应力变小。因此，半导体装置101的可靠性提高。
在由热传导率高的SiC形成半导体元件2的情况下，散热性提高，因此能够减小半导体元件2的尺寸。
<实施方式2>
对实施方式2中的半导体装置以及半导体装置的制造方法进行说明。在实施方式2中，对于与实施方式1相同的结构要素标注相同的参照标号，省略其详细说明。
图5是示出实施方式2中的半导体装置102的结构的俯视图。图6是示出该半导体装置102的结构的剖视图。图6示出了在图5中示出的B-B'处的剖面。
金属块3包含多个散热面3B。多个散热面3B位于金属块3的下表面。在此，金属块3包含第1散热面31B和第2散热面32B。第1散热面31B以及第2散热面32B分别经由绝缘部件7与散热器1的上表面连接。金属块3的接合面3A位于第1散热面31B与第2散热面32B之间。
金属块3从接合面3A与半导体元件2的表面电极2A的接合部越过半导体元件2的第1边(在图5中上侧的边)向半导体元件2的外侧延伸，向下方弯曲。该向下方弯曲的部分的下表面是第1散热面31B。另外，金属块3从该接合部越过半导体元件2的与第1边相对的第2边(在图5中下侧的边)向半导体元件2的外侧延伸，向下方弯曲。该弯曲的部分的下表面是第2散热面32B。实施方式2中的金属块3具有U字型的剖面形状，以跨过半导体元件2的2个边的上方的方式设置。
绝缘部件7是形成于散热器1的上表面的绝缘树脂膜。绝缘树脂膜形成于除与半导体元件2的背面电极接合的管芯焊盘区域和与第2主端子4B接合的端子接合区域(未图示)之外的区域。
实施方式2中的半导体装置102的制造方法与实施方式1中的制造方法相同。但是，在步骤S1中，准备在除管芯焊盘区域以及端子接合区域之外的区域预先涂覆有绝缘树脂膜的散热器1。将半导体元件2安装至该散热器1的管芯焊盘区域。此时，管芯焊盘区域由绝缘树脂膜包围，因此焊料不会流出至管芯焊盘区域的周边。在步骤S2中，将金属块3的接合面3A与半导体元件2的表面电极2A接合，并且将第1散热面31B以及第2散热面32B经由绝缘树脂膜与散热器1连接。
对于这样的半导体装置102，金属块3具有多个散热面3B，所以散热性提高。例如，IGBT的芯片温度分布平均化。
金属块3的散热面3B经由薄的绝缘树脂膜靠近散热器1的上表面，因此得到良好的散热性。进一步，绝缘树脂膜的厚度具有高均匀性，因此在各散热面3B实现了均匀的散热性。不需要像实施方式1那样插入绝缘部件7，因此生产性提高。
在实施方式2中，示出了金属块3向半导体元件2的2个边的外侧延伸的半导体装置102的例子。金属块3也可以向半导体元件2的3个边的外侧延伸。通过设置3个散热面3B，从而散热性进一步提高。
<实施方式3>
对实施方式3中的半导体装置以及半导体装置的制造方法进行说明。在实施方式3中，对于与实施方式1或2相同的结构要素标注相同的参照标号，省略其详细说明。
图7是示出实施方式3中的半导体装置103的结构的俯视图。图8是示出该半导体装置103的结构的剖视图。图8示出了在图7中示出的C-C'处的剖面。
金属块3包含凹部3D。凹部3D设置于金属块3的下表面。凹部3D相对于接合面3A而从金属块3的下表面向上表面的方向凹陷。
相比于接合面3A与半导体元件2的表面电极2A接合的接合部，凹部3D设置于外侧。实施方式3中的凹部3D是在半导体元件2的终端区域2C的上方、即保护环的上方设置的槽。槽的延伸方向与保护环的延伸方向对应。
半导体装置103的制造方法与实施方式1中的制造方法相同。步骤S4中，在将树脂注入至模具内时，金属块3的槽使保护环的上方处的树脂的流动性提高。因此，抑制了气泡的产生，绝缘性提高。这样的半导体装置103防止了保护环的耐压降低。
<实施方式4>
对实施方式4中的半导体装置以及半导体装置的制造方法进行说明。在实施方式4中，对于与实施方式1至3中任意者相同的结构要素标注相同的参照标号，省略其详细说明。
图9是示出实施方式4中的半导体装置104的结构的俯视图。图10是示出该半导体装置104的结构的剖视图。图10示出了在图9中示出的D-D'处的剖面。
与实施方式3相同地，金属块3包含设置于保护环的上方的槽作为凹部3D。实施方式4中的金属块3包含将该槽的底部与金属块3的上表面之间贯通的孔3E。
半导体装置104的制造方法与实施方式1中的制造方法相同。在步骤S4中，在将树脂注入至模具内时，气泡容易从孔3E逸出。这样的半导体装置104防止了保护环的耐压降低。
<实施方式5>
对实施方式5中的半导体装置以及半导体装置的制造方法进行说明。在实施方式5中，对于与实施方式1至4的中任意者相同的结构要素标注相同的参照标号，省略其详细说明。
图11是示出实施方式5中的半导体装置105的结构的俯视图。图12是示出该半导体装置105的结构的剖视图。图12示出了在图11中示出的E-E'处的剖面。
散热器1的上表面与金属块3的散热面3B之间的绝缘部件7是封装材料8。即，绝缘部件7由模塑树脂形成。为了使从金属块3向散热器1的散热性提高，散热面3B与散热器1之间的模塑树脂在确保所需的绝缘耐压的范围内尽量薄为好。
半导体装置105的制造方法与实施方式1中的制造方法相同。但是，在步骤S2中，在散热器1的上表面与金属块3的散热面3B之间形成有间隙的状态下将金属块3等接合。即，在步骤S2结束后，在散热器1的上表面与金属块3的散热面3B之间不存在绝缘部件7。在步骤S4中，使树脂流入至金属块3的散热面3B与散热器1的上表面的间隙而形成绝缘部件7。
注入至金属块3的散热面3B与散热器1的上表面之间的间隙的模塑树脂实现了金属块3与散热器1之间的绝缘功能、以及从金属块3向散热器1的散热功能的兼顾。变得不需要实施方式1所示的绝缘部件7以及实施方式2所示的绝缘树脂膜，因此实现了低成本化。
<实施方式6>
对实施方式6中的半导体装置以及半导体装置的制造方法进行说明。在实施方式6中，对于与实施方式1至5中的任意者相同的结构要素标注相同的参照标号，省略其详细说明。
图13是示出实施方式6中的半导体装置106的结构的俯视图。图14是示出该半导体装置106的结构的剖视图。图14示出了在图13中示出的F-F'处的剖面。半导体装置106的制造方法与实施方式1中的制造方法相同。在步骤S5中，从2个注入用浇口8A注入树脂。图13以及图14示出了将在该注入用浇口8A内固化后的树脂切掉前的状态的半导体装置106。
金属块3在散热面3B的端部具有斜面3F。
在半导体装置106的制造方法的步骤S4中，用于注入树脂的注入用浇口8A沿金属块3的散热面3B与散热器1的上表面之间的间隙的横向设置。该注入用浇口8A的高度与散热器1的上表面的高度大致一致。树脂经由该注入用浇口8A填充至模具的型腔。
为了将热量从金属块3的散热面3B向散热器1高效地传递，优选散热面3B与散热器1的上表面之间的间隙窄。然而，因为树脂具有粘性，所以难以填充至窄的空间。在间隙过窄的情况下，树脂没有填充至该间隙，IGBT的集电极与发射极短接。在实施方式6中，注入用浇口8A设置于与散热器1的上表面大体相同的高度。从注入用浇口8A注入的树脂沿散热器1的上表面流动，进一步被引导至金属块3的斜面3F，高效地填充至该间隙。其结果，实现了兼顾绝缘性的确保和散热性的提高的半导体装置106。即使在金属块3具有曲面以替代斜面3F的情况下，也取得同样的效果。
<实施方式7>
对实施方式7中的半导体装置以及半导体装置的制造方法进行说明。在实施方式7中，对于与实施方式1至6中的任意者相同的结构要素标注相同的参照标号，省略其详细说明。
图15是示出实施方式7中的半导体装置107的结构的俯视图。图16是示出该半导体装置107的结构的剖视图。图16示出了在图15中示出的G-G'处的剖面。图15与实施方式6相同地示出了将在注入用浇口8A内固化后的树脂切掉前的状态的半导体装置107。
金属块3在散热面3B包含多个细槽3G。这些筋状的细槽3G的延伸方向是从注入用浇口8A朝向金属块3的散热面3B与散热器1的上表面之间的间隙的方向。换言之，在细槽3G延伸的前端设置有注入用浇口8A。从注入用浇口8A注入的树脂顺着筋状的细槽3G而填充，因此填充性进一步提高。
本发明能够将各实施方式自由组合，或将各实施方式适当地变形、省略。
标号的说明
1散热器、2半导体元件、2A表面电极、2B控制电极、2C终端区域、3金属块、3A接合面、3B散热面、3C贯通孔、3D凹部、3E孔、3F斜面、3G细槽、4A第1主端子、4B第2主端子、5信号端子、6金属导线、7绝缘部件、8封装材料、8A注入用浇口、9绝缘板、9A绝缘层、9B铜箔、11冷却器、12散热脂、15接合材料、16接合材料、17接合材料、31B第1散热面、32B第2散热面、101～107半导体装置。

Claims (16)

1.一种半导体装置，其具有：
散热器；
半导体元件，其包含表面电极，所述半导体元件安装于所述散热器的上表面；
金属块，其包含接合面和至少1个散热面，该接合面与所述半导体元件的所述表面电极接合，该至少1个散热面经由绝缘部件与所述散热器的所述上表面连接，该金属块以跨过所述半导体元件的至少1个边的上方的方式从所述接合面延伸至所述至少1个散热面；
端子，其包含第1端和第2端，该第1端与所述金属块接合，该第2端位于与所述第1端相反侧，形成为能够与外部电路连接；以及
封装材料，其将所述散热器、所述半导体元件、所述金属块和所述端子的所述第1端封装，
所述端子的所述第2端从所述封装材料露出。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述金属块在所述接合面包含贯通孔。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，
所述绝缘部件是设置于所述散热器的所述上表面的绝缘树脂膜。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，
所述至少1个散热面为多个散热面，
所述接合面位于所述多个散热面之间，与所述表面电极接合，
所述金属块以跨过所述半导体元件的多个边的上方的方式从所述接合面延伸至所述多个散热面。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，
所述金属块在比将所述接合面与所述表面电极接合的接合部靠外侧处包含凹部，
所述凹部相对于所述接合面而从所述金属块的下表面向所述上表面的方向凹陷。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，
所述金属块包含将所述凹部的底部与所述金属块的所述上表面之间贯通的孔。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其中，
所述金属块由线膨胀系数大于或等于7ppm/℃且小于或等于12ppm/℃的材料形成。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其中，
所述半导体元件由SiC形成。
9.一种半导体装置，其具有：
散热器；
半导体元件，其包含表面电极，所述半导体元件安装于所述散热器的上表面；
金属块，其包含接合面和至少1个散热面，该接合面与所述半导体元件的所述表面电极接合，该至少1个散热面经由绝缘部件与所述散热器的所述上表面连接，该金属块以跨过所述半导体元件的至少1个边的上方的方式从所述接合面延伸至所述至少1个散热面；以及
封装材料，其将所述散热器、所述半导体元件和所述金属块封装，
所述绝缘部件为所述封装材料。
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，
所述金属块在所述散热面包含多个细槽，
所述多个细槽的延伸方向为同一个方向。
11.根据权利要求9或10所述的半导体装置，其中，
所述金属块在所述散热面的端部具有斜面或曲面。
12.根据权利要求9至11中任一项所述的半导体装置，其中，
所述金属块由线膨胀系数大于或等于7ppm/℃且小于或等于12ppm/℃的材料形成。
13.根据权利要求9至12中任一项所述的半导体装置，其中，
所述半导体元件由SiC形成。
14.一种半导体装置的制造方法，其具有以下工序：
在散热器的上表面安装半导体元件；以及
以跨过所述半导体元件的至少1个边的上方的方式固定金属块，
固定所述金属块的工序包含以下工序：
将所述金属块的接合面与所述半导体元件的表面电极接合；以及
将所述金属块的散热面经由绝缘部件与所述散热器的所述上表面连接，
将所述金属块的所述散热面进行连接的工序包含以下工序：
将用于封装所述散热器、所述半导体元件和所述金属块的封装材料作为所述绝缘部件注入至所述金属块的所述散热面与所述散热器的所述上表面之间的间隙，
所述封装材料是经由注入用浇口而注入的，该注入用浇口沿所述金属块的所述散热面与所述散热器的所述上表面之间的所述间隙的横向设置。
15.根据权利要求14所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述注入用浇口的高度与所述散热器的所述上表面的高度一致。
16.根据权利要求14或15所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述金属块在所述散热面包含多个细槽，
所述多个细槽的延伸方向是从所述注入用浇口朝向所述间隙的方向。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000058746A (ja) 1998-08-10 2000-02-25 Toyota Motor Corp モジュール内冷却装置
JP3627738B2 (ja) 2001-12-27 2005-03-09 株式会社デンソー 半導体装置
JP4138689B2 (ja) * 2004-03-30 2008-08-27 株式会社東芝 インターフェイスモジュール付ｌｓｉパッケージ及びｌｓｉパッケージ
JP4531087B2 (ja) * 2007-11-19 2010-08-25 三菱電機株式会社 電力用半導体装置
JP5253455B2 (ja) * 2010-06-01 2013-07-31 三菱電機株式会社 パワー半導体装置
JP5930980B2 (ja) * 2013-02-06 2016-06-08 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
DE112016006331B4 (de) * 2016-01-29 2021-07-22 Mitsubishi Electric Corporation Halbleitervorrichtung
WO2018047485A1 (ja) * 2016-09-06 2018-03-15 ローム株式会社 パワーモジュールおよびインバータ装置

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