CN116964673A - 伺服图案记录方法、伺服图案记录装置、带状磁记录介质的制造方法、带状磁记录介质和伺服写入磁头 - Google Patents
伺服图案记录方法、伺服图案记录装置、带状磁记录介质的制造方法、带状磁记录介质和伺服写入磁头 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116964673A CN116964673A CN202280018627.2A CN202280018627A CN116964673A CN 116964673 A CN116964673 A CN 116964673A CN 202280018627 A CN202280018627 A CN 202280018627A CN 116964673 A CN116964673 A CN 116964673A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- servo
- identification information
- servo band
- band identification
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 63
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 148
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 112
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 95
- 239000002585 base Substances 0.000 description 56
- 239000000463 material Substances 0.000 description 47
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 36
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 34
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 31
- 229910000704 hexaferrum Inorganic materials 0.000 description 29
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 24
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 18
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 14
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N iron oxide Inorganic materials [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 13
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 101000700835 Homo sapiens Suppressor of SWI4 1 homolog Proteins 0.000 description 12
- 102100029338 Suppressor of SWI4 1 homolog Human genes 0.000 description 12
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 12
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 11
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 11
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 10
- 238000003705 background correction Methods 0.000 description 10
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 10
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 10
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 10
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 10
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 10
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 10
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 10
- XVCUGNWRDDNCRD-UHFFFAOYSA-M lithium;1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-heptadecafluorooctane-1-sulfonate Chemical compound [Li+].[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F XVCUGNWRDDNCRD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 9
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 8
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 8
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 8
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 6
- JZQOJFLIJNRDHK-CMDGGOBGSA-N alpha-irone Chemical compound CC1CC=C(C)C(\C=C\C(C)=O)C1(C)C JZQOJFLIJNRDHK-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 6
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 6
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 6
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 description 6
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 6
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 5
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 5
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 5
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 101000805921 Strongylocentrotus purpuratus Upstream stimulatory factor Proteins 0.000 description 4
- 101000671634 Xenopus borealis Upstream stimulatory factor 1 Proteins 0.000 description 4
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 4
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 4
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 3
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- AJCDFVKYMIUXCR-UHFFFAOYSA-N oxobarium;oxo(oxoferriooxy)iron Chemical compound [Ba]=O.O=[Fe]O[Fe]=O.O=[Fe]O[Fe]=O.O=[Fe]O[Fe]=O.O=[Fe]O[Fe]=O.O=[Fe]O[Fe]=O.O=[Fe]O[Fe]=O AJCDFVKYMIUXCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 3
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000005057 Hexamethylene diisocyanate Substances 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N alstonine Natural products C1=CC2=C3C=CC=CC3=NC2=C2N1C[C@H]1[C@H](C)OC=C(C(=O)OC)[C@H]1C2 WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N 0.000 description 2
- 229940024548 aluminum oxide Drugs 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 239000013556 antirust agent Substances 0.000 description 2
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 2
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 2
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- XSMJZKTTXZAXHD-UHFFFAOYSA-N ethene;2-methylprop-2-enoic acid Chemical group C=C.CC(=C)C(O)=O XSMJZKTTXZAXHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001038 ethylene copolymer Polymers 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 150000002483 hydrogen compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920001123 polycyclohexylenedimethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008093 supporting effect Effects 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- 229910000873 Beta-alumina solid electrolyte Inorganic materials 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001747 Cellulose diacetate Polymers 0.000 description 1
- DQEFEBPAPFSJLV-UHFFFAOYSA-N Cellulose propionate Chemical compound CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 DQEFEBPAPFSJLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PMVSDNDAUGGCCE-TYYBGVCCSA-L Ferrous fumarate Chemical compound [Fe+2].[O-]C(=O)\C=C\C([O-])=O PMVSDNDAUGGCCE-TYYBGVCCSA-L 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001289 Manganese-zinc ferrite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002796 Si–Al Inorganic materials 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002433 Vinyl chloride-vinyl acetate copolymer Polymers 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N [(2s,3r,4s,5r,6r)-2-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-trinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-3-yl]oxy-3,5-dinitrooxy-6-(nitrooxymethyl)oxan-4-yl] nitrate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O1)O[N+]([O-])=O)CO[N+](=O)[O-])[C@@H]1[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O[C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N 0.000 description 1
- JIYIUPFAJUGHNL-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[Mn++].[Mn++].[Mn++].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Zn++].[Zn++] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[O--].[Mn++].[Mn++].[Mn++].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Zn++].[Zn++] JIYIUPFAJUGHNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003180 amino resin Polymers 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- 229920006217 cellulose acetate butyrate Polymers 0.000 description 1
- 229920006218 cellulose propionate Polymers 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010485 coping Effects 0.000 description 1
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005347 demagnetization Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001410 inorganic ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004780 naphthols Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 150000004053 quinones Chemical class 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 1
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B20/00—Signal processing not specific to the method of recording or reproducing; Circuits therefor
- G11B20/10—Digital recording or reproducing
- G11B20/12—Formatting, e.g. arrangement of data block or words on the record carriers
- G11B20/1201—Formatting, e.g. arrangement of data block or words on the record carriers on tapes
- G11B20/1202—Formatting, e.g. arrangement of data block or words on the record carriers on tapes with longitudinal tracks only
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/58—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head for the purpose of maintaining alignment of the head relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following
- G11B5/584—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head for the purpose of maintaining alignment of the head relative to the record carrier during transducing operation, e.g. to compensate for surface irregularities of the latter or for track following for track following on tapes
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B21/00—Head arrangements not specific to the method of recording or reproducing
- G11B21/02—Driving or moving of heads
- G11B21/10—Track finding or aligning by moving the head ; Provisions for maintaining alignment of the head relative to the track during transducing operation, i.e. track following
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/008—Recording on, or reproducing or erasing from, magnetic tapes, sheets, e.g. cards, or wires
- G11B5/00813—Recording on, or reproducing or erasing from, magnetic tapes, sheets, e.g. cards, or wires magnetic tapes
- G11B5/00817—Recording on, or reproducing or erasing from, magnetic tapes, sheets, e.g. cards, or wires magnetic tapes on longitudinal tracks only, e.g. for serpentine format recording
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B20/00—Signal processing not specific to the method of recording or reproducing; Circuits therefor
- G11B20/10—Digital recording or reproducing
- G11B20/12—Formatting, e.g. arrangement of data block or words on the record carriers
- G11B20/1201—Formatting, e.g. arrangement of data block or words on the record carriers on tapes
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B20/00—Signal processing not specific to the method of recording or reproducing; Circuits therefor
- G11B20/10—Digital recording or reproducing
- G11B20/12—Formatting, e.g. arrangement of data block or words on the record carriers
- G11B2020/1264—Formatting, e.g. arrangement of data block or words on the record carriers wherein the formatting concerns a specific kind of data
- G11B2020/1265—Control data, system data or management information, i.e. data used to access or process user data
- G11B2020/1281—Servo information
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Signal Processing For Digital Recording And Reproducing (AREA)
Abstract
一种伺服带记录方法，包括：确定第一伺服带组和第二伺服带组，第一伺服带组包括用于记录嵌入了具有多个比特的第一伺服带识别信息的伺服图案的三个或更多个伺服带，第二伺服带组包括记录其中嵌入了具有多个比特的第二伺服带识别信息的伺服图案的三个或更多个伺服带，第二伺服带识别信息不同于第一伺服带识别信息；和将第一和第二伺服带识别信息分别记录在第一和第二伺服带组上，使得作为由第一伺服读取磁头读取的一个伺服带中的一组伺服带识别信息和相位的第一组和作为由第二伺服读取磁头读取的另一个伺服带中的一组伺服带识别信息和相位的第二组的组合不重复。
Description
技术领域
本技术涉及一种用于在磁性层中写入伺服图案的伺服图案记录方法、伺服图案记录装置、包括记录有伺服图案的磁性层的带状磁记录介质、其制造方法以及伺服写入磁头。
背景技术
近年来，磁记录介质已广泛用于备份电子数据等。作为一种磁记录介质，例如，盒式磁带具有大容量并且可以长时间保存，并且因此，盒式磁带作为大数据等的存储介质引起了越来越多的关注。
例如，根据LTO(线性磁带开放)标准，在磁带的磁性层中提供有平行于磁带纵向的多个数据带，并且数据被记录在多个数据带内的多个记录磁道上。此外，在磁带中设置有平行于磁带纵向的多个伺服带，并且每个数据带设置在磁性层中，以夹在多个伺服带之间。具有预定形状的伺服图案被记录在每个伺服带中，该伺服图案执行记录/再现磁头相对于每个记录磁道的定位(跟踪)控制，磁带信息和用于指示数据带的伺服带识别信息被嵌入在伺服图案中。
在LTO标准所采用的基于时间的伺服型驱动系统中，使用的伺服技术通过使用非并行伺服图案和时间变量或距离变量来识别磁头位置。非平行伺服图案通常包括在磁带的纵向上排列的两个不同的方位角倾斜部(azimuthal slope)。这种类型的驱动系统通过读取伺服图案产生位置误差信号(PES)，并相对于记录磁道适当地定位驱动磁头。
由于当前的线性蜿蜒磁带系统中需要增加记录密度，因此提高数据带的密度是一个重要的问题。
例如，在LTO中，当盒式磁带容量具有超过30TB的记录密度时，在带状磁记录介质中，带状磁记录介质的磁带长度和宽度由于温度和湿度环境等的变化而变化，并且由于蠕变现象，形状在长时间内变形。由于这个原因，难以容易地增加带状磁记录介质的数据带密度。
为了减小带状磁记录介质的形状变形，可以想到数据带的宽度应该变窄。缩小数据带的宽度意味着增加数据带的数量。增加数据带的数量意味着增加数据带之间的伺服带的数量。
为了能够识别正在行进的是多个数据带中的哪一个数据带，用于指示伺服带的位置信息被写入与数据带交替设置的伺服带中。专利文献1公开了一种在多个伺服带中在不同的时间位置(即，不同的相位)写入相同的伺服图案的方法。同时，专利文献2公开了一种在多个伺服带中在不偏移时间位置的情况下(即，在相同相位中)写入不同伺服图案的方法。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利申请特表第2011-523487号公报
专利文献2：日本专利第6648855号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
在时间上使写入位置移位的方法(专利文献1)中，为了识别正在行进的是哪个数据带，在时间方向上(伺服带数/2)需要(伺服带数-1)图案的伺服信号。为此，在将位置信息写入10个或更多个伺服带的情况下，需要花费时间来可靠地识别正在行进的是哪个数据带。
同时，在伺服信号中写入伺服带识别信息的方法(专利文献2)中，为各个伺服带独立地写入伺服信号。在缠绕线圈方面，在物理上难以在1/2英寸内(带状磁记录介质的宽度大小)排列10个或更多个独立的写入磁头。
考虑到上述情况，本发明的一个目的是提供一种能够容易地应对数据带的增加的伺服图案记录方法、伺服图案记录装置、带状磁记录介质的制造方法、带状磁记录介质和伺服写入磁头。
解决问题的手段
根据本公开内容的实施方式的伺服图案记录方法是一种沿带状磁记录介质的纵向记录伺服图案的伺服图案记录方法，该方法包括：
确定第一伺服带组和第二伺服带组，所述第一伺服带组包括用于记录第一伺服图案的三个或更多个第一伺服带，所述第一伺服图案中嵌入有具有多个比特的第一伺服带识别信息，所述第二伺服带组包括用于记录第二伺服图案的三个或更多个第二伺服带，所述第二伺服图案中嵌入有具有多个比特的第二伺服带识别信息，所述第二伺服带识别信息不同于所述第一伺服带识别信息；以及
将第一伺服带识别信息记录在第一伺服带组上并将第二伺服带识别信息记录在第二伺服带组上，使得在彼此相邻的两个伺服带中，第一组和第二组的组合不重复，第一组是由第一伺服读取磁头读取的一个伺服带中的一组伺服带识别信息及其所述纵向的相位，第二组是由第二伺服读磁头读取的另一个伺服带中的一组伺服带识别信息及其所述纵向的相位。
第一伺服带组可包括三个或更多个连续的第一伺服带，第二伺服带组可包括三个或更多个连续的第二伺服带。
伺服图案记录方法可进一步包括确定第三伺服带组，所述第三伺服带组包括用于记录第三伺服图案的三个或更多个第三伺服带，所述第三伺服图案中嵌入有具有多个比特的第三伺服带识别信息，第三伺服带识别信息不同于所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息。
第三伺服带组可包括三个或更多连续的第三伺服带。
伺服图案记录方法可进一步包括确定第四伺服带组，所述第四伺服带组包括用于记录第四伺服图案的三个或更多个第四伺服带，所述第四伺服图案中嵌入有具有多个比特的第四伺服带识别信息，第四伺服带识别信息不同于所述第一伺服带识别信息、所述第二伺服带识别信息和所述第三伺服带识别信息。
第四伺服带组可包括三个或更多连续的第四伺服带。
根据本公开内容的实施方式的伺服图案记录装置是一种沿着带状磁记录介质的纵向记录伺服图案的伺服图案记录装置，包括：
伺服写入磁头，包括
第一磁头块，所述第一磁头块包括对应于三个或更多个连续的第一伺服带而布置的三个或更多个第一磁隙，所述三个或更多个第一磁隙被布置成使得所述三个或更多个第一磁隙中所包括的两个相邻的第一磁隙的所述纵向的相位的组合均不同，以及
第二磁头块，所述第二磁头块包括对应于三个或更多个连续的第二伺服带而布置的三个或更多个第二磁隙，所述三个或更多个第二磁隙被布置成使得所述三个或更多个第二磁隙中所包括的两个相邻的第二磁隙的所述纵向的相位的组合均不同；以及
驱动单元，所述驱动单元在同一时刻将第一记录信号输出到所述第一磁头块并将第二记录信号输出到所述第二磁头块，第一记录信号用于记录具有多个比特的第一伺服带识别信息，第二记录信号用于记录具有多个比特的第二伺服带识别信息，第二伺服带识别信息不同于所述第一伺服带识别信息。
所述伺服写入磁头可进一步包括第三磁头块，所述第三磁头块包括对应于三个或更多个连续的第三伺服带而布置的三个或更多个第三磁隙，所述三个或更多个第三磁隙被布置成使得所述三个或更多个第三磁隙中所包括的两个相邻的第三磁隙的所述纵向的相位的组合均不同，并且
驱动单元可以在同一时刻将第三记录信号输出到所述第三磁头块，第三记录信号用于记录具有多个比特的第三伺服带识别信息，第三伺服带识别信息不同于所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息。
所述伺服写入磁头可进一步包括不与所述第一磁头块相邻的另一个第一磁头块，所述另一个第一磁头块可以包括对应于一个或两个或更多个连续的第一伺服带而布置的一个或两个或更多个第一磁隙，并且所述第一磁头块、所述第二磁头块、所述第三磁头块和所述另一个第一磁头块中的两个相邻磁头块的组合可以均不同，并且
驱动单元可以在同一时刻将所述第一记录信号输出到所述另一个第一磁头块。
所述第一磁隙能够将含有两个或更多个不同类型的方位角倾斜部并将所述第一伺服带识别信息进行编码的多个伺服帧记录在所述多个伺服带上，以作为所述第一伺服带识别信息，
所述第二磁隙能够将含有两个或更多个不同类型的方位角倾斜部并将所述第二伺服带识别信息进行编码的多个伺服帧记录在所述多个伺服带上，以作为所述第二伺服带识别信息，并且
驱动单元可以根据第一伺服带识别信息和第二伺服带识别信息之间的差异在互不相同的脉冲上升时刻输出所述第一记录信号和所述第二记录信号。
所述第一磁隙能够将含有两个或更多个不同类型的方位角倾斜部并将所述第一伺服带识别信息进行编码的多个伺服帧记录在所述多个伺服带上，以作为所述第一伺服带识别信息，
所述第二磁隙能够将含有两个或更多个不同类型的方位角倾斜部并将所述第二伺服带识别信息进行编码的多个伺服帧记录在所述多个伺服带上，以作为所述第二伺服带识别信息，
所述第三磁隙能够将含有两个或更多个不同类型的方位角倾斜部并将所述第三伺服带识别信息进行编码的多个伺服帧记录在所述多个伺服带上，以作为所述第三伺服带识别信息，并且
驱动单元可以根据第一伺服带识别信息、第二伺服带识别信息和第三伺服带识别信息之间的差异在互不相同的脉冲上升时刻输出所述第一记录信号、所述第二记录信号和所述第三记录信号。
所述第一磁头块可以是其中形成有所述三个或更多个第一磁隙的一个磁头块，并且
所述第二磁头块可以是其中形成有所述三个或更多个第二磁隙的一个磁头块。
根据本公开内容的实施方式的带状磁记录介质的制造方法是一种制造包括磁性层的带状磁记录介质的方法，所述磁性层包括在纵向上延伸的六个或更多个伺服带，所述方法包括：
确定第一伺服带组和第二伺服带组，所述第一伺服带组包括用于记录第一伺服图案的三个或更多个第一伺服带，所述第一伺服图案中嵌入有具有多个比特的第一伺服带识别信息，所述第二伺服带组包括用于记录第二伺服图案的三个或更多个第二伺服带，所述第二伺服图案中嵌入有具有多个比特的第二伺服带识别信息，所述第二伺服带识别信息不同于所述第一伺服带识别信息；以及
将第一伺服带识别信息记录在第一伺服带组上并将第二伺服带识别信息记录在第二伺服带组上，使得在彼此相邻的两个伺服带中，第一组和第二组的组合不重复，第一组是由第一伺服读取磁头读取的一个伺服带中的一组伺服带识别信息及其所述纵向的相位，第二组是由第二伺服读磁头读取的另一个伺服带中的一组伺服带识别信息及其所述纵向的相位。
根据本公开内容的实施方式的带状磁记录介质是一种带状磁记录介质，包括：
磁性层，所述磁性层包括在纵向上延伸的多个伺服带，
所述磁性层包括：
第一伺服带组，所述第一伺服带组包括记录有第一伺服图案的三个或更多个第一伺服带，在所述第一伺服图案中嵌入有具有多个比特的第一伺服带识别信息，以及
第二伺服带组，所述第二伺服带组包括记录有第二伺服图案的三个或更多个第二伺服带，在所述第二伺服图案中嵌入有具有多个比特的第二伺服带识别信息，所述第二伺服带识别信息不同于所述第一伺服带识别信息，
在彼此相邻的两个伺服带中，第一组和第二组的组合均不同，第一组是由第一伺服读取磁头读取的一个伺服带中的一组伺服带识别信息及其所述纵向的相位，第二组是由第二伺服读取磁头读取的另一个伺服带中的一组伺服带识别信息及其所述纵向的相位。
磁性层可进一步包括：第三伺服带组，所述第三伺服带组包括记录有第三伺服图案的三个或更多个第三伺服带，所述第三伺服图案中嵌入有具有多个比特的第三伺服带识别信息，第三伺服带识别信息不同于所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息。
磁性层可进一步包括：，所述第四伺服带组包括记录有第四伺服图案的三个或更多个第四伺服带，第四伺服图案中嵌入有具有多个比特的第四伺服带识别信息，第四伺服带识别信息不同于所述第一伺服带识别信息、所述第二伺服带识别信息和所述第三伺服带识别信息。
所述第一伺服带识别信息可包括具有两个或更多个不同类型的方位角倾斜部并对第一伺服带识别信息进行编码的多个伺服帧，
所述第二伺服带识别信息可包括具有两个或更多个不同类型的方位角倾斜部并对所述第二伺服带识别信息进行编码的多个伺服帧，并且
当将对第一伺服带识别信息进行编码的多个伺服帧和对第二伺服带识别信息进行编码的伺服帧进行相互比较时至少一个方位角倾斜部中的布置间隔的一部分可以互不相同。
所述第一伺服带识别信息可包括具有两个或更多个不同类型的方位角倾斜部并对第一伺服带识别信息进行编码的多个伺服帧，
所述第二伺服带识别信息可包括具有两个或更多个不同类型的方位角倾斜部并对所述第二伺服带识别信息进行编码的多个伺服帧，
所述第三伺服带识别信息可包括具有两个或更多个不同类型的方位角倾斜部并对所述第三伺服带识别信息进行编码的多个伺服帧，并且
当将对编码第一伺服带识别信息的多个伺服帧、编码第二伺服带识别信息的伺服帧和编码第三伺服带识别信息的多个伺服帧进行相互比较时，至少一个方位角倾斜部中的布置间隔的一部分可以互不相同。
所述带状磁记录介质可进一步包括：
基材；
设置在所述基材的一个主表面和所述磁性层之间的基底层；以及
设置在所述基材的另一主表面上的背层。
根据本发明的实施方式的伺服写入磁头是用于沿带状磁记录介质的纵向记录伺服图案的伺服写入磁头，包括：
第一磁头块，所述第一磁头块包括对应于三个或更多个连续的第一伺服带而布置的三个或更多个第一磁隙，所述三个或更多个第一磁隙被布置成使得所述三个或更多个第一磁隙中所包括的两个相邻第一磁隙的所述纵向的相位的组合均不同；以及
第二磁头块，所述第二磁头块包括对应于三个或更多个连续的第二伺服带而布置的三个或更多个第二磁隙，所述三个或更多个第二磁隙被布置成使得所述三个或更多个第二磁隙中所包括的两个相邻的第二磁隙的所述纵向的相位的组合均不同，
在同一时刻将用于记录具有多个比特的第一伺服带识别信息的第一记录信号输出到所述第一磁头块并将用于记录具有多个比特的第二伺服带识别信息的第二记录信号输出到所述第二磁头块，第二伺服带识别信息不同于所述第一伺服带识别信息。
附图说明
图1是示出根据本技术的实施方式的伺服图案记录装置的前视图。
图2是示出伺服图案记录装置的一部分的局部放大图。
图3是示出形成伺服图案的一部分的伺服带识别信息的磁带的俯视图。
图4的部分(A)是示出嵌入在伺服图案中的LPOS字的数据结构的示意图，图4的部分(B)是描述制造商字的示意图。
图5的部分(A)是示出伺服图案的布置示例的示意图，图5的部分(B)是示出其再现波形的示意图。
图6是示出13ch(信道)伺服带的分配和相位的示例的示意图。
图7是示出第一伺服带识别信息和第二伺服带识别信息的配置示例的示意图。
图8是示出第一伺服带识别信息和第二伺服带识别信息的再现波形的示意图。
图9是示出17ch伺服带的分配和相位的示例的示意图。
图10A是示出根据另一示例的13ch伺服带的分配和相位的示例的示意图。
图10B是示出根据另一示例的13ch伺服带的分配和相位的示例的示意图。
图10C是示出根据另一示例的13ch伺服带的分配和相位的示例的示意图。
图11是示意性地示出伺服图案记录装置中的伺服写入磁头的结构的透视图。
图12是示出驱动伺服写入磁头的驱动单元的结构的方框图。
图13是示出输入到伺服写入磁头的第一脉冲信号和第二脉冲信号的部分波形的示意图。
图14是描述根据本技术的实施方式的伺服图案记录方法的流程图。
图15是从磁带侧面观察时伺服写入磁头的透视图。
图16是图15所示的伺服写入磁头沿XZ平面的剖视图。
图17是从侧面观察时伺服写入磁头的上部的示意性局部放大图。
图18是记录/再现装置中的伺服读取磁头的说明图。
具体实施方式
图1是示出根据本技术的实施方式的伺服图案记录装置100的前视图。图2是示出伺服图案记录装置100的一部分的局部放大图。图3是显示其上记录有伺服图案6的磁带1的俯视图。
[磁带的结构]
首先，将参考图2描述磁带1的结构。磁带1是带状磁记录介质，并且包括长的基材(基部)41、设置在基材41的一个主表面(第一主表面)上的基底层42、设置在基底层42上的磁性层43、以及设置在基材41的另一个主表面(第二主表面)上的背层44。注意，基底层42和背层44是根据需要设置的并且是可以省略的。磁带1可以是垂直记录型的磁记录介质，或者可以是纵向记录型的磁记录介质。
磁带1呈长带状，并且在记录和再现期间使其在纵向上行进。注意，磁性层43的表面是使记录/再现装置(未示出)中所包括的磁头在其上行进的表面。磁带1有利地用于包括环型磁头作为记录磁头的记录/再现装置中。磁带1有利地用于被配置成能够以1500nm以下或1000nm以下的数据磁道宽度记录数据的记录/再现装置中。
(基材)
基材41是支撑基底层42和磁性层43的非磁性支撑体。基材41呈长膜状。基材41的平均厚度的上限值优选地为4.2μm以下，更优选地为3.8μm以下，并且还更优选地为3.4μm以下。当基材41的平均厚度的上限值为4.2μm以下时，能够使单个数据盒式磁带的记录容量大于普通磁带的记录容量。基材41的平均厚度的下限值优选为3μm以上，更优选为3.2μm以上。当基材41的平均厚度的下限值为3μm以上时，可以抑制基材41的强度降低。
按以下方式获得基材41的平均厚度。首先，制备宽度为1/2英寸的磁带1并将其裁剪成250mm的长度以制备样品。随后，用诸如MEK(甲基乙基酮)和稀盐酸溶剂去除样品中除基材41之外的层(即，基底层42、磁性层43和背层44)。接下来，使用由三丰株式会社(Mitutoyo Corporation)制造的激光全息照相(LGH-110C)作为测量装置来测量样品(基材41)在五个或更多个位置处的厚度，并且对测量值进行简单平均(算术平均)以计算基材41的平均厚度。注意，测量位置是从样品中随机选择的。
基材41包含聚酯。当基材41包含聚酯时，可以降低基材41在纵向上的杨氏模量。因此，在记录/再现装置行进期间，可以通过调节磁带1在纵向上的张力来保持磁带1的宽度恒定或基本恒定。
聚酯包括例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚萘二甲酸丁二醇酯(PBN)、聚对苯二甲酸亚环己基二亚甲基酯(PCT)、聚对羟基苯甲酸乙二醇酯(PEB)或聚双苯氧基羧酸乙二醇酯中的至少一种。在基材41包含两种或更多种类型的聚酯的情况下，两种或更多种类型的聚酯可以混合、可以共聚或可以堆叠。聚酯的末端或侧链中的至少一个可以被改性。
按以下方式确认基材41包含聚酯的事实。首先，按照与基材41的平均厚度的测量方法同样的方式去除样品中除基材41以外的层。接着，使用红外吸收光谱(IR)获取样品(基材41)的IR光谱。基于该IR光谱，可以确认基材41包含聚酯的事实。
除了聚酯之外，基材41还可以包含例如聚酰胺、聚醚醚酮、聚酰亚胺或聚酰胺酰亚胺中的至少一种，或者还可以包含聚酰胺、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚烯烃、纤维素衍生物、乙烯基树脂或另一种聚合物树脂中的至少一种。聚酰胺可以是芳族聚酰胺(芳族聚酰胺)。聚酰亚胺可以是芳族聚酰亚胺。聚酰胺酰亚胺可以是芳族聚酰胺酰亚胺。
在基材41含有除聚酯以外的聚合物树脂的情况下，基材41优选含有聚酯作为主要成分。这里，主要成分是指基材41中所包含的聚合树脂中具有最高含量(质量比)的成分。在基材41包含除聚酯以外的聚合树脂的情况下，聚酯和聚酯以外的聚合树脂可以混合或共聚。
基材41可以在纵向和宽度方向上被双轴拉伸。包含在基材41中的聚合树脂优选地在相对于基材41的宽度方向倾斜的方向上被取向。
(磁性层)
磁性层43是用于记录具有磁化图案的信号的记录层。磁性层43可以是垂直记录型的记录层，或者可以是纵向记录型的记录层。磁性层43包含例如磁性粉末、粘合剂和润滑剂。根据需要，磁性层43还可以包含抗静电剂、研磨剂、固化剂、防锈剂、非磁性增强颗粒等中的至少一种添加剂。磁性层43不一定需要包括磁性材料涂膜，并且可以包括磁性溅射膜或沉积膜。
磁性层43表面的算术平均粗糙度Ra为2.0nm以下，优选1.8nm以下，更优选1.6nm以下。当算术平均粗糙度Ra为2.0nm以下时，由于可以抑制因间距损失所引起的输出降低，因此可以实现优异的电磁转换特性。磁性层43表面的算术平均粗糙度Ra的下限值优选为1.0nm以上，更优选为1.2nm以上。当磁性层43的表面的算术平均粗糙度Ra的下限值为1.0nm以上时，可以抑制因摩擦增加引起的行进特性的劣化。
按以下方式获得算术平均粗糙度Ra。首先，通过原子力显微镜(AFM)观察磁性层43的表面，以获得40μm×40μm的AFM图像。使用由数字仪器(Digital Instruments)制造的Nano Scope IIIA D3100作为AFM，使用由硅单晶形成的悬臂作为悬臂(注释1)，并且通过以200-400Hz作为敲击频率进行调谐来执行测量。接下来，将AFM图像分成512×512(＝262,144)个测量点，在每个测量点处测量高度Z(i)(i：测量点数，i＝1至262,144)，并且对各个测量点处的高度Z(i)进行简单平均(算术平均)以获得平均高度(平均平面)Zave(＝(Z(1)+Z(2)+...+Z(262,144))/262,144)。随后，获得每个测量点处与平均中心线的偏差Z”(i)(＝Z(i)-Zave)以计算算术平均粗糙度Ra[nm](＝(Z”(1)+Z”(2)+...+Z”(262,144))/262,144)。此时，作为图像处理，通过XY中的二阶展平(second-order Flatten)和三阶平面拟合(third-order Planefit)进行滤波，将已经过滤波的数据用作数据。
(注1)普通型SPM探针NCH，由NanoWorld制造的POINTPROBE
L(悬臂长度)＝125μm
磁性层43的平均厚度tm的上限值为80nm以下，优选70nm以下，更优选50nm以下。当磁性层43的平均厚度tm的上限值为80nm以下时，在将环型磁头用作记录磁头的情况下，可以减小退磁场的影响，因此，可以实现更优异的电磁转换特性。
磁性层43的平均厚度tm的下限值优选为35nm以上。当磁性层43的平均厚度tm的下限值为35nm以上时，在将MR型磁头用作再现磁头的情况下可以确保输出，因此可以实现更优异的电磁转换特性。
按以下方式获得磁性层43的平均厚度tm。首先，通过FIB方法等方式处理待测量的磁带1以获得切片。在使用FIB方法的情况下，作为观察下文所述截面的TEM图像的预处理，形成碳层和钨层作为保护膜。通过气相沉积法在磁带1的磁性层43侧和背层44侧的每个表面上形成碳层，并且通过气相沉积法或溅射法在磁性层43侧的表面上进一步形成钨层。在磁带1的长度方向(纵向)上执行切片。也就是说，切片形成平行于磁带1的纵向和厚度方向两者的横截面。
在以下条件下通过透射电子显微镜(TEM)观察所获得的切片样品的上述横截面，以获得TEM图像。注意，可以根据装置的类型适当地调整放大倍数及加速电压。
装置：TEM(Hitachi,Ltd.制造的H9000NAR)
加速电压：300kV
放大倍数：100,000倍
接下来，使用所获得的TEM图像在磁带1的纵向上的至少十个或更多个位置处测量磁性层43的厚度。通过对所获得的测量值进行简单平均(算术平均)而获得的平均值被用作磁性层43的平均厚度tm[nm]。注意，进行上述测量的位置是从测试件中随机选择的。
(磁性粉末)
磁性粉末包括多个磁性颗粒。磁性颗粒例如是包括六方铁氧体的颗粒(下文中称为“六方铁氧体颗粒”)、包括ε-氧化铁(ε-氧化铁)的颗粒(下文中称为“ε-氧化铁颗粒”)或包括含钴尖晶石铁氧体的颗粒(下文中称为“钴铁氧体颗粒”)。磁性粉末优选地在磁带1的厚度方向(垂直方向)上被结晶取向。
(六方铁氧体颗粒)
每个六方铁氧体颗粒具有诸如六角板形的板状。在本说明书中，六角板形包括大致六角板形。六方铁氧体优选含有Ba、Sr、Pb或Ca中的至少一种，更优选含有Ba或Sr中的至少一种。六方铁氧体具体可以是例如钡铁氧体或锶铁氧体。钡铁氧体除了Ba之外还可以包含Sr、Pb或Ca中的至少一种。锶铁氧体除了Sr之外还可以包含Ba、Pb或Ca中的至少一种。
更具体地，六方铁氧体具有由通式MFe12O19表示的平均组分。然而，M例如是Ba、Sr、Pb或Ca中的至少一种金属，优选是Ba或Sr中的至少一种金属。M可以是Ba和选自Sr、Pb和Ca中的一种或多种金属的组合。此外，M可以是Sr和选自Ba、Pb和Ca的一种或多种金属的组合。在上述通式中，部分Fe可以被另一种金属元素取代。
在磁性粉末包括六方铁氧体颗粒粉末的情况下，磁性粉末的平均粒度优选为30nm以下，更优选为12nm以上且25nm以下，还更优选为12nm以上且22nm以下，特别优选为12nm以上且19nm以下，最优选为12nm以上且16nm以下。当磁性粉末的平均颗粒尺寸为30nm以下时，在具有高记录密度的磁带1中可以获得更优异的电磁转换特性(例如SNR)。同时，当磁性粉末的平均粒度为12nm以上时，磁性粉末的分散性进一步提高，并且可以获得更优异的电磁转换特性(例如SNR)。
磁性粉末的平均纵横比优选为1.0以上且3.0以下，更优选1.3以上且2.8以下，并且还更有利地1.6以上且2.7以下。当磁性粉末的平均纵横比在1.0以上至2.5以下的范围内时，可以抑制磁性粉末的凝聚。此外，可以抑制在形成磁性层43的过程中使磁性粉末垂直取向时施加到磁性粉末的电阻。因此，可以改善磁性粉末的垂直取向性能。
在磁性粉末包括六方铁氧体颗粒粉末的情况下，按照以下方式获得磁性粉末的平均粒度和平均纵横比。首先，通过FIB方法等方式处理待测量的磁带1以获得切片。在使用FIB法的情况下，作为观察下文所述截面的TEM图像的预处理，形成碳层和钨层作为保护膜。通过气相沉积法在磁带1的磁性层43侧和背层44侧的每个表面上形成碳层，并且通过气相沉积法或溅射法在磁性层43侧的表面上进一步形成钨层。在磁带1的长度方向(纵向)上执行切片。也就是说，切片形成平行于磁带1的纵向和厚度方向两者的横截面。
使用透射电子显微镜(Hitachi High-Technologies Corporation制造的H-9500)来在加速电压：200kV和总放大倍数：500,000倍下观察所获得的切片样品的上述横截面，使得相对于磁性层43的厚度方向包括整个磁性层43，以拍摄TEM照片。接着，从所拍摄的TEM照片中选择在观察面方向上具有侧面并且可清楚地检查其厚度的50个颗粒。测量可以清楚地检查其厚度的所选50个颗粒中的每一个的最大板厚度DA。以这种方式获得的最大板厚度DA被简单平均(算术平均)以获得平均最大板厚度DAave。随后，测量每个磁性粉末的板直径DB。为了测量颗粒的板直径DB，从拍摄的TEM照片中选择可清楚地检查其板直径的50个颗粒。测量所选择的50个颗粒中的每一个的板直径DB。以这种方式获得的板直径DB被简单平均(算术平均)以获得平均板直径DBave。平均板直径DBave是平均粒度。然后，基于平均最大板厚度DAave和平均板直径DBave获得颗粒的平均纵横比(DBave/DAave)。
在磁性粉末包括六方铁氧体颗粒粉末的情况下，磁性粉末的平均颗粒体积优选为3400nm3以下，更优选400nm3以上且2600nm3以下，还更优选400nm3以上且1700nm3以下，特别优选400nm3以上且1200nm3以下，最优选400nm3以上且1000nm3以下。当磁性粉末的平均颗粒体积为3400nm3以下时，可以获得与磁性粉末的平均颗粒尺寸为25nm以下的情况类似的效果。同时，当磁性粉末的平均颗粒体积为500nm3以上时，可以获得与磁性粉末的平均颗粒尺寸为12nm以上的情况类似的效果。
按以下方式获得磁性粉末的平均颗粒体积。首先，如上文所述，参照关于计算磁性粉末平均粒度的方法，获得平均长轴长度DAave和平均板直径DBave。接着，根据下式获得磁性粉末的平均体积V。
[数学式1]
(ε-氧化铁颗粒)
ε-氧化铁颗粒是硬磁性颗粒，即使是微小颗粒，也能够获得高矫顽力。ε-氧化铁颗粒各自具有球状或立方体状。在本说明书中，球状包括大致球状。此外，立方体状包括大致立方体状。因为ε-氧化铁颗粒具有如上所述的形状，所以与将具有六角板形的钡铁氧体颗粒用作磁性颗粒的情况相比，在将ε-氧化铁颗粒用作磁性颗粒的情况下，可以减小颗粒在磁带1的厚度方向上的接触面积，并且抑制颗粒的凝聚。因此，可以增强磁性粉末的分散性并获得更优异的电磁转换特性(例如SNR)。
每个ε-氧化铁颗粒具有芯-壳结构。具体地，ε-氧化铁颗粒包括芯部和围绕芯部设置的具有两层结构的壳部。具有双层结构的壳部包括设置在芯部上的第一壳部和设置在第一壳部上的第二壳部。
芯部含有ε-氧化铁。包含在芯部中的ε-氧化铁优选是具有ε-Fe2O3晶体作为主相的氧化铁，更优选是由单相ε-Fe2O3形成的氧化铁。
第一壳部覆盖芯部的至少一部分外周。具体地，第一壳部可以部分地覆盖芯部的外周，或者可以完全覆盖芯部的外周。从使芯部和第一壳部之间的交换耦合充分并改善磁性能的观点来看，有利的是第一壳部覆盖芯部的整个表面。
第一壳部是所谓的软磁性层，并且包括软磁材料，例如α-Fe、Ni-Fe合金和Fe-Si-Al合金。α-Fe可以通过还原包含在芯部中的ε-氧化铁来获得。
第二壳部是作为抗氧化层的氧化膜。第二壳部含有α-氧化铁、氧化铝或氧化硅。α-氧化铁含有例如Fe3O4、Fe2O3或FeO中的至少一种氧化铁。在第一壳部包含α-Fe(软磁材料)的情况下，可以通过氧化包含在第一壳部中的α-Fe来获得α-氧化铁。
由于ε-氧化铁颗粒包括如上所述的第一壳部，因此可以将整个ε-氧化铁颗粒(芯-壳颗粒)的矫顽力Hc调节到适于记录的矫顽力Hc，同时将芯部单独的矫顽力Hc保持为大值以实现热稳定性。此外，由于ε-氧化铁颗粒包括如上所述的第二壳部，因此可以抑制由于在生产磁带1的过程中和该过程之前ε-氧化铁颗粒暴露于空气并且颗粒表面生锈而导致的ε-氧化铁颗粒性能的劣化。因此，可以抑制磁带1的特性劣化。
e-氧化铁颗粒可以包括具有单层结构的壳部。在这种情况下，壳部具有与第一壳部类似的结构。然而，从抑制ε-氧化铁颗粒性能劣化的观点来看，ε-氧化铁颗粒包括如上所述的具有两层结构的壳部是有利的。
ε-氧化铁颗粒可以包括添加剂而不是上述的芯-壳结构，或者可以包括添加剂并同时具有芯-壳结构。在这种情况下，ε-氧化铁颗粒的部分Fe被添加剂取代。同样地，对于包括添加剂的ε-氧化铁颗粒，可以将整个ε-氧化铁颗粒的矫顽磁力Hc调节到适于记录的矫顽磁力Hc，因此，可以提高记录的容易度。添加剂是除铁之外的金属元素，优选三价金属元素，更优选Al、Ga或In中的至少一种，并且更优选Al或Ga中的至少一种。
具体地，包括添加剂的ε-氧化铁是ε-Fe2-xMxO3晶体(其中M是除铁以外的金属元素，优选三价金属元素，更优选Al、Ga或In中的至少一种，还更优选Al或Ga中的至少一种，x例如是0<x<1)。
磁性粉末的平均粒度(平均最大粒度)为例如22nm以下。磁性粉末的平均粒度(平均最大粒度)优选为20nm以下，更优选为8nm以上且20nm以下，还更优选为10nm以上且18nm以下，特别优选为10nm以上且16nm以下，最优选为10nm以上且14nm以下。在磁带1中，尺寸为1/2记录波长的区域是实际磁化区域。为此，通过将磁性粉末的平均粒度设置为最短记录波长的一半以下，可以实现更优异的电磁转换特性(例如SNR)。因此，在磁性粉末的平均颗粒尺寸为22nm以下的情况下，可以在具有高记录密度的磁带1(例如，被配置为能够以44nm以下的最短记录波长记录信号的磁带1)中实现更优异的电磁转换特性(例如SNR)。同时，当磁性粉末的平均粒度为8nm以上时，磁性粉末的分散性进一步提高，并且可以获得更优异的电磁转换特性(例如SNR)。
磁性粉末的平均纵横比优选为1.0以上且3.0以下，更优选为1.0以上且2.5以下，还更优选为1.0以上且2.1以下，特别优选为1.0以上且1.8以下。当磁性粉末的平均纵横比在1.0以上至3.0以下的范围内时，可以抑制磁性粉末的凝聚。此外，可以抑制在形成磁性层43的过程中使磁性粉末垂直取向时施加到磁性粉末的电阻。因此，可以改善磁性粉末的垂直取向性能。
在磁性粉末包括ε-氧化铁颗粒粉末的情况下，按以下方式获得磁性粉末的平均粒度和平均纵横比。首先，通过FIB(聚焦离子束)方法等方式处理待测量的磁带1以获得切片。在使用FIB法的情况下，作为观察下文所述截面的TEM图像的预处理，形成碳层和钨层作为保护层。通过气相沉积法在磁带1的磁性层43侧和背层44侧的每个表面上形成碳层，并且通过气相沉积法或溅射法在磁性层43侧的表面上进一步形成钨层。在磁带1的长度方向(纵向)上执行切片。也就是说，切片形成平行于磁带1的纵向和厚度方向两者的横截面。
使用透射电子显微镜(Hitachi High-Technologies Corporation制造的H-9500)在加速电压：200kV和总放大倍数：500,000倍下来观察所获得的切片样品的上述横截面，使得相对于磁性层43的厚度方向包括整个磁性层43，以拍摄TEM照片。接着，从拍摄的TEM照片中选择可以清楚地检查其形状的50个粒子，并且测量每个粒子的长轴长度DL和短轴长度DS。这里，长轴长度DL是指以任何角度绘制的接触每个颗粒的轮廓的两条平行线之间的距离中的最大距离(所谓的最大费雷特直径)。同时，短轴长度DS是指在与颗粒的长轴(DL)正交的方向上的颗粒长度中的最大长度。随后，对测量的50个颗粒的长轴长度DL进行简单平均(算术平均)以获得平均长轴长度DLave。以这种方式获得的平均长轴长度DLave用作磁性粉末的平均粒度。此外，对测量的50个颗粒的短轴长度DS进行简单平均(算术平均)以获得平均短轴长度DSave。然后，基于平均长轴长度DLave和平均短轴长度DSave获得颗粒的平均纵横比(DLave/DSave)。
磁性粉末的平均颗粒体积优选为5600nm3以下，更优选为250nm3以上且4200nm3以下，还更优选为600nm3以上且3000nm3以下，特别优选为600nm3以上且2200nm3以下，最优选为600nm3以上且1500nm3以下。由于磁带1的噪声通常与颗粒数量的平方根成反比(即，与颗粒体积的平方根成正比)，因此可以通过使颗粒体积更小来实现更优异的电磁转换特性(例如SNR)。因此，当磁性粉末的平均颗粒体积为5600nm3以下时，与磁性粉末的平均颗粒尺寸为22nm以下的情况一样，可以获得更优异的电磁转换特性(例如SNR)。同时，当磁性粉末的颗粒体积为250nm3以上时，可以获得与磁性粉末的平均颗粒尺寸为8nm以上的情况类似的效果。
在ε-氧化铁颗粒各自具有球状的情况下，按照以下方式获得磁性粉末的平均颗粒体积。首先，按照与上述计算磁性粉末平均粒度的方法类似的方式获得平均长轴长度DLave。接着，根据下式获得磁性粉末的平均体积V。
V＝(π/6)×DLave 3
在ε-氧化铁颗粒各自具有立方体状的情况下，可以按以下方式获得磁性粉末的平均体积。通过FIB(聚焦离子束)方法等方式处理磁带1以获得切片。在使用FIB法的情况下，作为观察下文所述截面的TEM图像的预处理，形成碳膜和钨薄膜作为保护膜。通过气相沉积法在磁带1的磁性层43侧和背层44侧的每个表面上形成碳膜，并且通过气相沉积法或溅射法在磁性层43侧的表面上进一步形成钨薄膜。在磁带1的长度方向(纵向)上执行切片。也就是说，切片形成平行于磁带1的纵向和厚度方向两者的横截面。
使用透射电子显微镜(Hitachi High-Technologies Corporation制造的H-9500)在加速电压：200kV和总放大倍数：500,000倍下来观察所获得的切片样品的横截面，使得相对于磁性层43的厚度方向包括整个磁性层43，以拍摄TEM照片。注意，也可以根据装置的类型适当地调整放大倍数及加速电压。接下来，从拍摄的TEM照片中选择50个具有清晰形状的颗粒，并且测量每个颗粒的边长DC。随后，对50个颗粒的测量长度DC进行简单平均(算术平均)以获得平均边长DCave。接着，利用平均边长DCave基于下式获得磁性粉末的平均体积Vave(颗粒体积)。
Vave＝DCave 3
(钴铁氧体颗粒)
有利的是，钴铁氧体颗粒各自具有单轴晶体各向异性。由于钴铁氧体颗粒具有单轴晶体各向异性，因此可以使磁性粉末在磁带1的厚度方向(垂直方向)上优先被结晶取向。钴铁氧体颗粒例如具有立方体状。在本说明书中，立方体状包括大致立方体状。含钴尖晶石铁氧体除了钴之外还可以包含Ni、Mn、Al、Cu或Zn中的至少一种。
含钴尖晶石铁氧体具有例如由下式表示的平均组成。
CoxMyFe2Oz
(其中M是例如Ni、Mn、Al、Cu或Zn中的至少一种金属，x是在0.4≤x≤1.0范围内的值，y是在0≤y≤0.3范围内的值。但是，x和y满足关系式(x+y)≤1.0。z是在3≤z≤4范围内的值。部分Fe可以被其他金属元素代替。)
在磁性粉末包括钴铁氧体颗粒的粉末的情况下，磁性粉末的平均粒度为22nm以下。磁性粉末的平均粒度(平均最大粒度)优选为20nm以下，更优选为8nm以上且20nm以下，还更优选为10nm以上且18nm以下，特别优选为10nm以上且16nm以下，最优选为10nm以上且14nm以下。当磁性粉末的平均颗粒尺寸为22nm以下时，可以在具有高记录密度的磁带1中实现更优异的电磁转换特性(例如SNR)。同时，当磁性粉末的平均粒度为8nm以上时，磁性粉末的分散性进一步改善，并且可以实现更优异的电磁转换特性(例如SNR)。计算磁性粉末平均粒度的方法类似于在磁性粉末包括ε-氧化铁颗粒的情况下计算磁性粉末平均粒度的方法。
磁性粉末的平均纵横比优选为1.0以上且3.0以下，更优选为1.0以上且2.5以下，还更优选为1.0以上且2.1以下，特别优选为1.0以上且1.8以下。当磁性粉末的平均纵横比在1.0以上至3.0以下的范围内时，可以抑制磁性粉末的凝聚。此外，可以抑制在形成磁性层43的过程中使磁性粉末垂直取向时施加到磁性粉末的电阻。因此，可以改善磁性粉末的垂直取向性能。计算磁性粉末的平均纵横比的方法类似于在磁性粉末包括ε-氧化铁颗粒的情况下计算磁性粉末的平均纵横比的方法。
磁性粉末的平均颗粒体积优选为5600nm3以下，更优选为250nm3以上且4200nm3以下，还更优选为600nm3以上且3000nm3以下，特别优选为600nm3以上且2200nm3以下，最优选为600nm3以上且1500nm3以下。当磁性粉末的平均颗粒体积为5600nm3以下时，可以获得与磁性粉末的平均颗粒尺寸为25nm以下的情况类似的效果。同时，当磁性粉末的平均颗粒体积为500nm3以上时，可以获得与磁性粉末的平均颗粒尺寸为8nm以上的情况类似的效果。计算磁性粉末平均颗粒体积的方法类似于ε-氧化铁颗粒具有立方体状的情况下计算平均颗粒体积的方法。
(粘合剂)
粘合剂的示例包括热塑性树脂、热固性树脂和反应性树脂。热塑性树脂的示例包括氯乙烯、乙酸乙烯酯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、氯乙烯-偏二氯乙烯共聚物、氯乙烯-丙烯腈共聚物、丙烯酸酯-丙烯腈共聚物、丙烯酸酯-氯乙烯-偏二氯乙烯共聚物、丙烯酸酯-丙烯腈共聚物、丙烯酸酯-偏二氯乙烯共聚物、甲基丙烯酸酯-偏二氯乙烯共聚物、甲基丙烯酸酯-氯乙烯共聚物、甲基丙烯酸酯-乙烯共聚物、聚氟乙烯、偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、丙烯腈-丁二烯共聚物、聚酰胺树脂、聚乙烯醇缩丁醛、纤维素衍生物(乙酸丁酸纤维素、二乙酸纤维素、二乙酸纤维素)、丙烯酸酯-丙烯腈共聚物、丙烯酸酯-丙烯腈共聚物、丙烯酸酯-丙烯腈共聚物、丙烯酸酯-偏二氯乙烯共聚物、丙烯酸酯-丙烯腈共聚物、丙烯酸酯-丙烯腈共聚物、丙烯酸酯-丙烯腈共聚物、甲基丙烯酸酯-乙烯共聚物、聚氟乙烯、三乙酸纤维素、丙酸纤维素、硝化纤维素)、苯乙烯丁二烯共聚物、聚氨酯树脂、聚酯树脂、氨基树脂和合成橡胶。
热固性树脂的示例包括酚醛树脂、环氧树脂、聚氨酯可固化树脂、脲树脂、蜜胺树脂、醇酸树脂、有机硅树脂、聚胺树脂和脲醛树脂。
为了改善磁性粉末的分散性，可以将-SO3M、-OSO3M、-COOM、P＝O(OM)2(其中M表示氢原子或碱金属如锂、钾和钠)、具有由-NR1R2、-NR1R2R3+X-表示的端基的侧链胺、由>NR1R2+X-表示的主链胺(其中R1、R2和R3各自表示氢原子或烃基，X-表示卤素离子如氟、氯、溴和碘、无机离子或有机离子)、和极性官能团如-OH、-SH、-CN以及环氧基团引入所有上述粘合剂中。引入粘合剂中的极性官能团的量优选为10-1～10-8mol/g，更优选为10-2～10-6mol/g。
(润滑剂)
润滑剂含有例如脂肪酸或脂肪酸酯中的至少一种，并且有利地同时含有脂肪酸和脂肪酸酯。在磁性层43中包含润滑剂，特别是在磁性层43中包含脂肪酸和脂肪酸酯两者，有助于提高磁带1的行进稳定性。更具体地，当磁性层43包含润滑剂并且具有孔隙时，可以实现有利的行进稳定性。可以想到，因为利用上述润滑剂可以将磁带1在磁性层43一侧的表面的动摩擦系数调节到适合于磁带1行进的值，所以可以改善行进稳定性。
脂肪酸有利地可以是由下文所述的通式(1)或(2)表示的化合物。例如，可以包含由下文所述的通式(1)表示的化合物和由通式(2)表示的化合物中的一种作为脂肪酸，或者可以包含它们两者。
此外，脂肪酸酯有利地可以是由下文所述的通式(3)或(4)表示的化合物。例如，可以包含由下文所述的通式(3)表示的化合物和由通式(4)表示的化合物中的一种作为脂肪酸酯，或者可以包含它们两者。
当润滑剂含有由通式(1)表示的化合物和由通式(2)表示的化合物中的一种或两种以及由通式(3)表示的化合物和由通式(4)表示的化合物中的一种或两种时，可以抑制因磁带1的重复记录或再现而引起的动摩擦系数的增加。
CH3(CH2)kCOOH (1)
(然而，在通式(1)中，k是选自14以上且22以下的范围的整数，并且更优选地是选自14以上且18以下的范围的整数。)
CH3(CH2)nCH＝CH(CH2)mCOOH (2)
(然而，在通式(2)中，n和m的总和是选自12以上且20以下的范围的整数，并且更优选地是选自14以上且18以下的范围的整数。)
CH3(CH2)pCOO(CH2)qCH3 (3)
(然而，在通式(3)中，p是选自14以上且22以下的范围，并且更优选地14以上且18以下的范围的整数，并且q是选自2以上且5以下的范围，并且更优选地2以上且4以下的范围的整数。)
CH3(CH2)rCOO-(CH2)sCH(CH3)2 (4)
(然而，在通式(4)中，r是选自14以上且22以下的范围的整数，s是选自1以上且3以下的范围的整数。)
(抗静电剂)
抗静电剂的示例包括炭黑、天然表面活性剂、非离子表面活性剂和阳离子表面活性剂。
(磨料)
研磨剂的示例包括α-转化率为90％以上的α-氧化铝、β-氧化铝和γ-氧化铝、碳化硅、氧化铬、氧化铈、α-氧化铁、刚玉、氮化硅、碳化钛、氧化钛、二氧化硅、氧化锡、氧化镁、氧化钨、氧化锆、氮化硼、氧化锌、碳酸钙、硫酸钙、硫酸钡、二硫化钼、通过使磁性氧化铁原料脱水并对其进行退火处理而获得的针状α-氧化铁，以及根据需要用铝和/或二氧化硅对其进行表面处理而获得的针状α-氧化铁。
(固化剂)
固化剂的示例包括多异氰酸酯。多异氰酸酯的示例包括芳族多异氰酸酯(例如甲苯二异氰酸酯(TDI)和活性氢化合物的加合物)和脂族多异氰酸酯(例如六亚甲基二异氰酸酯(HMDI)和活性氢化合物的加合物)。多异氰酸酯的重均分子量理想地在100至3000的范围内。
(防锈剂)
防锈剂的示例包括酚、萘酚、醌、含有氮原子的杂环化合物、含有氧原子的杂环化合物和含有硫原子的杂环化合物。
(非磁性增强颗粒)
非磁性增强颗粒的示例包括氧化铝(α、β或γ氧化铝)、氧化铬、氧化硅、金刚石、石榴石、金刚砂、氮化硼、钛的碳化物、碳化硅、碳化钛和氧化钛(金红石或锐钛矿氧化钛)。
(基底层)
基底层42用于减少基材41表面上的凹部和突起，并调节磁性层43表面上的凹部和突起。基底层42是包含非磁性粉末、粘合剂和润滑剂的非磁性层。基底层42将润滑剂施加到磁性层43的表面。根据需要，基底层42还可以包含抗静电剂、固化剂、防锈剂等中的至少一种添加剂。
基底层42的平均厚度优选为0.3μm以上且2.0μm以下，更优选0.5μm以上且1.4μm微米以下。注意，按照与获得磁性层43的平均厚度类似的方式获得基底层42的平均厚度。但是，根据基底层42的厚度适当地调整TEM图像的放大倍数。当基底层42的平均厚度为2.0μm以下时，由于外力引起的磁带1的拉伸性进一步增加，因此，变得更容易通过张力调节来调节磁带1的宽度。
(非磁性粉末)
非磁性粉末包括例如无机颗粒粉末或有机颗粒粉末中的至少一种。此外，非磁性粉末可以包括碳粉，例如炭黑。注意，可以单独使用一种类型的非磁性粉末，或者可以组合使用两种或更多种类型的非磁性粉末。无机粒子例如包含金属、金属氧化物、金属碳酸盐、金属硫酸盐、金属氮化物、金属碳化物、金属硫化物等。非磁性粉末的形状的示例包括但不限于各种形状，例如针状、球状、立方体状和板状。
(粘合剂和润滑剂)
粘合剂和润滑剂类似于上述磁性层43的粘合剂和润滑剂。
(添加剂)
抗静电剂、固化剂和防锈剂类似于上述磁性层43的抗静电剂、固化剂和防锈剂。
(背层)
背层44包含粘合剂和非磁性粉末。根据需要，背层44还可以包含润滑剂、固化剂、抗静电剂等中的至少一种添加剂。粘合剂和非磁性粉末类似于上述基底层42的粘合剂和非磁性粉末。
非磁性粉末的平均粒度优选为10nm以上且150nm以下，更优选为15nm以上且110nm以下。按照与上述获得磁性粉末的平均粒度类似的方式获得非磁性粉末的平均粒度。非磁性粉末可以包括具有两种或更多种粒度分布的非磁性粉末。
背层44的平均厚度的上限值优选为0.6μm以下。当背层44的平均厚度的上限值为0.6μm以下时，即使在磁带1的平均厚度为5.6μm以下的情况中，基底层42和基材41也可以保持较厚，因此，可以保持磁带1在记录/再现装置中的行进稳定性。背层44的平均厚度的下限值没有特别限制，但是例如为0.2μm以上。
按以下方式获得背层44的平均厚度tb。首先，测量磁带1的平均厚度tT。平均厚度tT的测量方法如下面的“磁带的平均厚度”中所述。随后，用溶剂如MEK(甲基乙基酮)和稀盐酸除去样品的背层44。接下来，使用由Mitutoyo Corporation制造的激光全息照相(LGH-110C)在5个或更多个位置处测量样品的厚度，并且将测量值进行简单平均(算术平均)以计算平均值tB[μm]。之后，根据下式获得背层44的平均厚度tb[μm]。注意，测量位置是从样品中随机选择的。
tb[μm]＝tT[μm]-tB[μm]
背层44具有设置有许多突出部分的表面。多个突出部分用于在磁带1被卷绕成卷状的状态下在磁性层43的表面中形成多个孔部。例如，多个孔部由从背层44的表面突出的多个非磁性颗粒形成。
(磁带的平均厚度)
磁带1的平均厚度(平均总厚度)tT的上限值为5.6μm以下，优选为5.0μm以下，更优选为4.6μm以下，还更优选为4.4μm以下。当磁带1的平均厚度tT为5.6μm以下时，可以使单个数据盒式磁带的记录容量大于普通磁带的记录容量。磁带1的平均厚度tT的下限值没有特别限制，但是例如是3.5μm以上。
按以下方式获得磁带1的平均厚度tT。首先，制备宽度为1/2英寸的磁带1并将其裁剪成250mm的长度以制备样品。接下来，使用由Mitutoyo Corporation制造的激光全息照相(LGH-110C)作为测量装置来测量样品在五个或更多个位置处的厚度，并且对测量值进行简单平均(算术平均)以计算平均值tT[μm]。注意，测量位置是从样品中随机选择的。
(矫顽力Hc)
磁性层43在磁带1的纵向上的矫顽力Hc2的上限值优选地为2000Oe以下，更优选地为1900Oe以下，并且还更优选地为1800Oe以下。当磁性层43在纵向上的矫顽力Hc2为2000Oe以下时，即使在高记录密度的情况下也可以提供足够的电磁转换特性。
在磁带1的纵向上测量的磁性层43的矫顽磁力Hc2的下限值优选为1000Oe以上。当在纵向上测量的磁性层43的矫顽力Hc2为1000Oe以上时，可以抑制因来自记录磁头的漏磁通量引起的退磁。
按以下方式获得上述矫顽力Hc2。首先，用双面胶带叠加三个磁带1，然后用的打孔器打孔以制备测量样品。此时，用任意的非磁性墨水进行标记，从而可以识别磁带1的纵向(行进方向)。然后，使用振动样本磁力计(VSM)来测量与磁带1的纵向(行进方向)对应的测量样本(整个磁带1)的磁滞曲线(M-H loop)。接着，使用丙酮、乙醇等擦除涂覆膜(基底层42、磁性层43、背层44等)，仅留下基材41。然后，用双面胶带叠加三个如此获得的基材41，然后用/>的打孔器打孔，以制备用于背景校正的样品(下文中，简称为“校正样品”)。之后，使用VSM测量与基材41的垂直方向(磁带1的垂直方向)相对应的校正样本(基材41)的磁滞曲线。
在测量样品(整个磁带1)的磁滞曲线和校正样品(基材41)的磁滞曲线的测量中，使用由Toei Industry Co.,Ltd.制造的高灵敏度振动样品磁力计“VSM-P7-15”。测量条件是：测量模式：全回路；最大磁场:15kOe；磁场步长：40位；锁定放大器的时间常数：0.3秒；等待时间：1秒；MH平均数：20。
在获得测量样本(整个磁带1)的磁滞曲线和校正样本(基材41)的磁滞曲线之后，从测量样本(整个磁带1)的磁滞曲线中减去校正样本(基材41)的磁滞曲线以执行背景校正，从而获得背景校正之后的磁滞曲线。使用附于“VSM-P7-15”的测量/分析程序进行该背景校正的计算。基于背景校正之后获得的磁滞曲线获得矫顽力Hc2。注意，使用附于“VSM-P7-15”的测量/分析程序进行该计算。注意，在25℃下进行上述磁滞曲线的测定。此外，不进行在磁带1的纵向上测量磁滞曲线时的“退磁场校正”。
(矩形比)
磁性层43在磁带1的垂直方向(厚度方向)上的矩形比S1优选地为65％以上，更优选地为70％以上，还更优选地为75％以上，特别优选地为80％以上，并且最优选地为85％以上。当矩形比S1为65％以上时，磁性粉末的垂直取向特性足够高，因此，可以实现更优异的电磁转换特性(例如SNR)。
按以下方式获得垂直方向上的矩形比S1。首先，用双面胶带叠加三个磁带1，然后用的打孔器打孔以制备测量样品。此时，用任意的非磁性墨水进行标记，从而可以识别磁带1的纵向(行进方向)。然后，使用VSM测量与磁带1的垂直方向(厚度方向)相对应的测量样本(整个磁带1)的磁滞曲线。接着，使用丙酮、乙醇等擦除涂覆膜(基底层42、磁性层43、背层44等)，仅留下基材41。然后，用双面胶带叠加三个如此获得的基材41，然后用的打孔器打孔，以制备用于背景校正的样品(下文中，简称为“校正样品”)。之后，使用VSM测量与基材41的垂直方向(磁带1的垂直方向)相对应的校正样本(基材41)的磁滞曲线。
在测量样品(整个磁带1)的磁滞曲线和校正样品(基材41)的磁滞曲线的测量中，使用由Toei Industry Co.,Ltd.制造的高灵敏度振动样品磁力计“VSM-P7-15”。测量条件是：测量模式：全回路；最大磁场:15kOe；磁场步长：40位；锁定放大器的时间常数：0.3秒；等待时间：1秒；MH平均数：20。
在获得测量样本(整个磁带1)的磁滞曲线和校正样本(基材41)的磁滞曲线之后，从测量样本(整个磁带1)的磁滞曲线中减去校正样本(基材41)的磁滞曲线以执行背景校正，从而获得背景校正之后的磁滞曲线。使用附于“VSM-P7-15”的测量/分析程序进行背景校正的计算。
在背景校正之后所获得的磁滞曲线的饱和磁化强度Ms(emu)和剩余磁化强度Mr(emu)被代入以下公式来计算矩形比S1(％)。注意，在25℃下进行上述磁滞曲线的测量。此外，不执行在磁带1的垂直方向上测量磁滞曲线时的“退磁场校正”。注意，使用附于“VSM-P7-15”的测量/分析程序进行该计算。
矩形比S1(％)＝(Mr/MS)×100
磁性层43在磁带1的纵向(行进方向)上的矩形比S2优选为35％以下，更优选为30％以下，还更优选为25％以下，特别优选为20％以下，最优选为15％以下。当矩形比S2为35％以下时，磁性粉末的垂直取向特性足够高，因此，可以实现更优异的电磁转换特性(例如SNR)。
除了测量磁带1和基材41的纵向(行进方向)上的磁滞曲线之外，按照类似于获得矩形比S1的方式获得纵向上的矩形比S2。
(背面的表面粗糙度Rb)
背面的表面粗糙度Rb(背层44的表面粗糙度)优选为Rb≤6.0[nm]。当背面的表面粗糙度Rb在上述范围内时，可以实现更优异的电磁转换特性。
[伺服图案记录装置的结构]
随后，将描述伺服图案记录装置的结构。
如图3所示，磁性层43包括多个(在本实施方式中为12个)数据带d(数据带d0至d11)和多个(在本实施方式中为13个)伺服带s(伺服带s0至s12)，这些伺服带s布置在宽度方向(Y轴方向)上夹住数据带d的位置处。数据带d包括在纵向上伸长的多个记录轨道5，并且为每个记录轨道5记录数据。伺服带s包括伺服图案6，伺服图案6是由伺服图案记录装置100记录的预定图案。例如，记录各种类型的数据(诸如电子数据)的记录装置(未示出)的记录磁头通过读取记录在磁性层4中的伺服图案6来识别记录轨道5的位置。
参照图1和图2，从磁带1的传送方向的上游侧开始，伺服图案记录装置100依次包括馈送辊11、预处理单元12、伺服写入磁头13、再现磁头单元14和卷绕辊15。注意，如下所述，伺服图案记录装置100包括驱动伺服写入磁头13的驱动单元20和控制器30。控制器30包括集成地控制伺服图案记录装置100的各个单元的控制单元、存储控制单元的处理所需的各种程序和各种类型的数据的记录单元、显示数据的显示单元、输入数据的输入单元等。
馈送辊11能够可旋转地支撑具有卷状的磁带1(在记录伺服图案6之前)。馈送辊11随着驱动源(例如马达)的驱动而旋转，并随着旋转将磁带1向下游侧馈送。
卷绕辊15能够可旋转地支撑具有卷状的磁带1(在记录伺服图案6之后)。卷绕辊15随着驱动源如(例如马达)的驱动与馈送辊11同步地旋转，并随着旋转卷绕记录有伺服图案6的磁带1。馈送辊11和卷绕辊15能够使磁带1在传送路径上以恒定速度移动。
例如，伺服写入磁头13设置在磁带1的上侧(磁性层43侧)。注意，伺服写入磁头13可以设置在磁带1的下侧(基材41侧)。伺服写入磁头13根据方波脉冲信号在预定时刻产生磁场，并将磁场施加到磁带1的磁性层43(在预处理之后)的一部分。
结果，伺服写入磁头13在第一方向上磁化磁性层43的一部分，以在磁性层43中记录伺服图案6(磁化方向参见图2中的黑色箭头)。当磁性层43经过伺服写入磁头13的下侧时，伺服写入磁头13能够在13个伺服带s0到s12的每一个中记录伺服图案6。
作为伺服图案6的磁化方向的第一方向包括垂直于磁性层43上表面的垂直分量。也就是说，在本实施方式中，磁性层43包括被垂直取向或未取向的磁性粉末，因此，记录在磁性层43中的伺服图案6包括垂直磁化分量。
例如，在伺服写入磁头13上游侧，预处理单元12设置在磁带1的下侧(基材41侧)。预处理单元12可以设置在磁带1的上侧(磁性层43侧)。预处理单元12包括可围绕作为中心旋转轴的Y轴方向(带1的宽度方向)旋转的永磁体12a。永磁体12a的形状例如是柱状或多边形柱状，但不限于此。
在伺服写入磁头13记录伺服图案6之前，永磁体12a通过DC磁场向整个磁性层43施加磁场，以使整个磁性层43退磁。结果，永磁体12a能够在与伺服图案6的磁化方向相反的第二方向上(参见图2中的白色箭头)预先磁化磁性层43。通过这种方式使两个磁化方向彼此相反，可以使通过读取伺服图案6所获得的伺服信号的再现波形在垂直方向(±)上对称。
在伺服写入磁头13的下游侧，再现磁头单元14设置在磁带1的上侧(磁性层43侧)。再现磁头单元14从由预处理单元12预处理的磁带1的磁性层43读取伺服图案6，伺服图案6由伺服写入磁头13记录在磁带1上。在显示单元的屏幕上显示由再现磁头单元14读取的伺服图案6的再现波形。典型地，当磁性层43经过再现磁头单元14的下侧时，再现磁头单元14检测从伺服带s的表面产生的磁通量。此时检测到的磁通量是作为伺服信号的伺服图案6的再现波形。
[伺服图案]
伺服图案6具有例如符合“ECMA-319标准”的数据结构。图4的部分(A)是示出嵌入在伺服图案6中的LPOS字的数据结构的示意图，图4的部分(B)是描述制造商字的示意图。
如图4的部分(A)所示，在磁带纵向上连续排列的多个LPOS(纵向位置)字LW被嵌入在伺服图案6中。每个LPOS字LW包括36比特数据，该36比特数据包括表示磁头的8比特同步标记Sy、六个4比特LPOS值Ls(总共24比特，每个LPOS值Ls表示磁带纵向上的位置(地址))和4比特制造商数据Tx。
制造商数据Tx在磁带1上形成制造商字TW。如图4的部分(B)所示，制造商字TW具有97条制造商数据Tx的长度，并且可以通过连续读取97个LPOS字LW来获得。制造商字TW配置如下。
制造商字TW：D，A0，A1，A0，A1，…，A0，A1
“D”是第一制造商数据Tx，表示它是制造商字TW的头部的符号，并且由预定表转换的4比特数据(通常为“0001”)被写入其中。
第二和随后的96条制造商数据Tx包括交替布置的“A0”和“A1”，并且两个相邻的“A0”和“A1”形成一组符号对。在每个符号对“A0”和“A1”中写入除“D”之外的任意13个基本符号(通常为0、1、2、3、4、5、6、7、8、9、A、B和C)之一。13个基本符号中的每一个同样包括由上述预定表转换的4位数据。然后，根据13个基本符号中特定的两个基本符号(对应于上述符号对)的组合确定一个符号(在下文中，也称为LPOS记录值)。
LPOS记录值包括8位数据。形成符号对的两个基本符号可以是相同符号的组合(例如，0和0)，或者可以是不同符号的组合(例如，0和1)。
用于识别伺服带等的伺服带识别信息等，以及由LPOS记录值表示的制造商信息和诸如磁带的制造日期和序列号的管理信息通常嵌入如上所述配置的96条制造商数据Tx中。
图5的部分(A)是示出伺服图案6的布置示例的示意性平面图，图5的部分(B)是示出再现波形的图。
在基于定时的伺服型的磁头跟踪伺服中，伺服图案包括具有两个或更多个不同形状的多个方位角倾斜部图案。伺服写入磁头的位置是基于读取两个不同形状的倾斜图案之间的时间间隔和读取两个相同形状的倾斜图案之间的时间间隔来识别的。根据如此识别的伺服写入磁头的位置来控制磁头(再现磁头或记录磁头)在磁带宽度方向上的位置。
如图5的部分(A)所示，伺服图案6形成伺服帧SF，每个伺服帧SF包括第一伺服子帧SSF1和第二伺服子帧SSF2。伺服帧SF沿着磁带的纵向以预定间隔连续布置。每个伺服帧SF对一个比特“1”或“0”进行编码。也就是说，一个伺服帧SF对应于一个比特。
第一伺服子帧SSF1包括A突发(burst)6a和B突发6b。A突发6a包括相对于磁带纵向在第一方向上倾斜的五个线性图案，并且B突发6b包括相对于磁带纵向在与第一方向相反的第二方向上倾斜的五个线性图案。
同时，第二伺服子帧SSF2包括C突发6c和D突发6d。C突发6c包括在上述第一方向上倾斜的四个线性图案，并且D突发6d包括在第二方向上倾斜的四个线性图案。
可以根据磁带的类型、规格等任意设置伺服帧SF和每个伺服子帧SSF1和SSF2的长度、使各个突发6a至6d倾斜的倾斜部分的布置间隔等。
伺服图案6的再现波形典型地呈现如图5的部分(B)所示的突发波形，并且信号S6a、信号S6b、信号S6c和信号S6d分别对应于A突发6a、B突发6b、C突发6c和D突发6d。
在基于定时的伺服型的磁头跟踪伺服中，通过读取与一个数据带相邻的两个伺服带上的伺服图案6来产生位置误差信号(PES)，并且相对于数据带中的记录磁道对记录/再现磁头进行适当地定位。通常，从以预定速度行进的磁带中读取伺服图案6，计算具有相同形状的倾斜图案阵列的A突发6a和C突发6c之间的距离(时间间隔)AC与具有不同形状的倾斜图案阵列的A突发6a和B突发6b之间的距离(时间间隔)AB之间的比率(或C突发6c和A突发6a之间的距离CA与C突发6c和D突发6d之间的距离CD的比率)，并使磁头在磁带宽度方向上移动，使得所计算的值等于为每个记录磁道确定的设定值。
[数据带的说明]
伺服带识别信息被写入每个伺服带s(s0到s12)中。伺服带识别信息和相位的组合对于每个数据带而言是不同的。这里，如图3所示，从磁带1的一个边缘部分(图中的上边缘)向另一个边缘部分(图中的下边缘)依次用s0、s1、...、和s12表示各个伺服带s。
相同的伺服带识别信息(第一伺服带识别信息)被写入伺服带s0到s12中的伺服带s0、s1和s2中。记录在伺服带s0和s2中的伺服图案6的端部(记录/再现装置的驱动磁头单元的伺服写入磁头的写入开始位置或伺服读取磁头的读取开始位置，下文中同样适用)与平行于磁带宽度方向(Y轴方向)的虚拟线P1对准。同时，记录在位于伺服带s0和伺服带s2之间的伺服带s1中的伺服图案6的端部被设置在虚拟线P2上，虚拟线P2在磁带纵向上相对于虚拟线P1偏移预定距离。注意，在以下描述中，对应于虚拟线P1的位置也被称为第一相位，并且对应于虚拟线P2的位置也被称为第二相位。
相同的伺服带识别信息(第二伺服带识别信息)被写入伺服带s0到s12中的伺服带s3、s4和s5中。记录在伺服带s3和s5中的伺服图案6的端部与平行于磁带宽度方向(Y轴方向)的虚拟线P1(第一相位)对准。同时，记录在位于伺服带s3和伺服带s5之间的伺服带s4中的伺服图案6的端部被设置在虚拟线P2(第二相位)上，虚拟线P2在磁带纵向上相对于虚拟线P1偏移预定距离。
相同的伺服带识别信息(第三伺服带识别信息)被写入伺服带s0到s12中的伺服带s6、s7和s8中。记录在伺服带s6和s8中的伺服图案6的端部与平行于磁带宽度方向(Y轴方向)的虚拟线P1(第一相位)对准。同时，记录在位于伺服带s6和伺服带s8之间的伺服带s7中的伺服图案6的端部被设置在虚拟线P2(第二相位)上，虚拟线P2在磁带纵向上相对于虚拟线P1偏移预定距离。
相同的伺服带识别信息(第四伺服带识别信息)被写入伺服带s0到s12中的伺服带s9、s10和s11中。记录在伺服带s9和s11中的伺服图案10的端部与平行于磁带宽度方向(Y轴方向)的虚拟线P1(第一相位)对准。同时，记录在位于伺服带s9和伺服带s11之间的伺服带s10中的伺服图案6的端部被设置在虚拟线P2(第二相位)上，虚拟线P2在磁带纵向上相对于虚拟线P1偏移预定距离。
伺服带识别信息(第一伺服带识别信息)被写入伺服带s0到s12中的伺服带s12中。记录在伺服带s12中的伺服图案10的端部与平行于磁带宽度方向(Y轴方向)的虚拟线P1(第一相位)对准。
将参考图18描述记录/再现装置的驱动磁头单元。如图18所示，驱动磁头单元36包括用于在磁带1的数据带(记录磁道5)中记录/再现数据信号的多个数据读/写磁头133，以及用于读取记录在伺服带中的伺服图案6的两个伺服读取磁头132a和132b。当驱动磁头单元36记录/再现数据信号时，两个伺服读取磁头132a和132b中的一个伺服读取磁头132a被配置为位于两个相邻伺服带s中的一个伺服带s(sa)上，并读取该伺服带s(sa)上的伺服图案6。此外，两个伺服读取磁头132a和132b中的另一个伺服读取磁头132b被配置为位于两个相邻伺服带s中的另一个伺服带s(sb)上，并读取该伺服带s(sb)上的伺服图案6。
当确定数据带时，参考由附接到记录/再现装置的驱动磁头单元36的两个伺服读取磁头132a和132b所读取的两个伺服带中的伺服带识别信息和磁带纵向的相位的组合。这里，由一个伺服读取磁头132a读取的一个伺服带中的一组伺服带识别信息及其相位(第一组)与由另一个伺服读取磁头132b读取的另一个伺服带中的一组伺服带识别信息及其相位(第二组)之间的组合在所有伺服带上都是不同的，并且是与各个数据带相关联的唯一组合。因此，可以通过参考两个相邻伺服带的成组的伺服带识别信息和相位是何种组合来确定数据带。
与数据带d11相邻的两个伺服带s0和s1的伺服带识别信息和相位的组合是(第一伺服带识别信息和第一相位)和(第一伺服带识别信息和第二相位)。
与数据带d9相邻的两个伺服带s1和s2的伺服带识别信息和相位的组合是(第一伺服带识别信息和第二相位)和(第一伺服带识别信息和第一相位)。
与数据带d7相邻的两个伺服带s2和s3的伺服带识别信息和相位的组合是(第一伺服带识别信息和第一相位)和(第二伺服带识别信息和第一相位)。
与数据带d5相邻的两个伺服带s3和s4的伺服带识别信息和相位的组合是(第二伺服带识别信息和第一相位)和(第二伺服带识别信息和第二相位)。
与数据带d3相邻的两个伺服带s4和s5的伺服带识别信息和相位的组合是(第二伺服带识别信息和第二相位)和(第二伺服带识别信息和第一相位)。
与数据带d1相邻的两个伺服带s5和s6的伺服带识别信息和相位的组合是(第二伺服带识别信息和第一相位)和(第三伺服带识别信息和第一相位)。
与数据带d0相邻的两个伺服带s6和s7的伺服带识别信息和相位的组合是(第三伺服带识别信息和第一相位)和(第三伺服带识别信息和第二相位)。
与数据带d2相邻的两个伺服带s7和s8的伺服带识别信息和相位的组合是(第三伺服带识别信息和第二相位)和(第三伺服带识别信息和第一相位)。
与数据带d4相邻的两个伺服带s8和s9的伺服带识别信息和相位的组合是(第三伺服带识别信息和第一相位)和(第四伺服带识别信息和第一相位)。
与数据带d6相邻的两个伺服带s9和s10的伺服带识别信息和相位的组合是(第四伺服带识别信息和第一相位)和(第四伺服带识别信息和第二相位)。
与数据带d8相邻的两个伺服带s10和s11的伺服带识别信息和相位的组合是(第四伺服带识别信息和第二相位)和(第四伺服带识别信息和第一相位)。
与数据带d10相邻的两个伺服带s11和s12的伺服带识别信息和相位的组合是(第四伺服带识别信息和第一相位)和(第一伺服带识别信息和第一相位)。
如上所述，根据本实施方式，在其中记录有相同的伺服带识别信息的三个或更多个(在本例中为三个)连续伺服带s中，记录在彼此相邻的两个伺服带s中的伺服带识别信息的纵向的相位的组合都是不同的。例如，在其中记录有第一伺服带识别信息的三个连续的s0、s1和s2中，彼此相邻的两个伺服带(s0、s1)和(s1、s2)的相位的组合(第一相位、第二相位)和(第二相位、第一相位)都是不同的。
此外，在其中记录有不同伺服带识别信息的彼此相邻的两个伺服带之间，伺服带识别信息的组合都是不同的。例如，两个伺服带s2和s3的伺服带识别信息的组合是(第一伺服带识别信息和第二伺服带识别信息)。两个伺服带s5和s5的伺服带识别信息的组合是(第二伺服带识别信息和第三伺服带识别信息)。两个伺服带s8和s9的伺服带识别信息的组合是(第三伺服带识别信息和第四伺服带识别信息)。两个伺服带s11和s12的伺服带识别信息的组合是(第四伺服带识别信息和第一伺服带识别信息)。伺服带识别信息的组合都是不同的。
如上所述，根据本实施方式，在其中记录有相同的伺服带识别信息的三个或更多个(在本例中为三个)连续伺服带s中，记录在彼此相邻的两个伺服带s中的伺服带识别信息的纵向的相位的组合都是不同的。此外，在其中记录有不同的伺服带识别信息的彼此相邻的两个伺服带之间，伺服带识别信息的组合是不同的。结果，记录在彼此相邻的两个伺服带s中的伺服带识别信息和相位的组合都是不同的。结果，通过使从与一个数据带d相邻的两个伺服带s中获得的伺服带识别信息和相位的组合不同于从与另一个数据带相邻的两个伺服带中获得的伺服带识别信息，可以确定单独的数据带。
此外，在本实施方式中，使用四种类型的伺服带来确定要被记录和再现的数据带d0到d11。如上所述，伺服带识别信息被嵌入在伺服带中。伺服带识别信息是多个比特的信息，并且被嵌入在制造商字TW中的第二和后续96条制造商数据Tx中的预定位置。伺服带识别信息通常具有四个比特，但也可以具有八个比特(符号对“A0”和“A1”的组合)或除了四个比特和八个比特之外的多个比特。下面将描述伺服带识别信息具有四个比特的情况作为例子。
[伺服带识别信息]
在本实施方式中，上述四种类型的伺服带包括记录第一伺服带识别信息的第一伺服带、记录第二伺服带识别信息的第二伺服带、记录第三伺服带识别信息的第三伺服带和记录第四伺服带识别信息的第四伺服带。第一伺服带识别信息是4比特信息(例如，“1001”)。第二伺服带识别信息是不同于第一伺服带识别信息的4比特信息(例如，“0111”)。第三伺服带识别信息是不同于第一和第二伺服带识别信息的4比特信息(例如，“0110”)。第四伺服带识别信息是不同于第一、第二和第三伺服带识别信息的4比特信息(例如“0101”)。
基于再现的伺服图案6的波形来识别形成第一至第四伺服带识别信息的代码“0”和“1”的组合。也就是说，再现的伺服图形6的波形对应于代码“0”和“1”的调制波，并且例如通过解调再现的波形并组合四个比特来读取第一到第四伺服带识别信息。在第一至第四伺服带识别信息中，下面将参考图7和图8描述第一和第二伺服带识别信息作为示例。
图7的部分(A)和(B)各自是示出其中嵌入有第一伺服带识别信息的伺服图案(下文中，也称为第一伺服图案61)和其中嵌入有第二伺服带识别信息的伺服图案(下文中，也称为第二伺服图案62)的配置示例的示意图。如图所示，第一伺服图案61和第二伺服图案62都包括两种类型的伺服帧SF的组合，这两种类型的伺服帧SF包括表示一个代码(例如，“1”)的伺服帧SF1和表示另一个代码(例如，“0”)的伺服帧SF0。伺服帧SF1和SF0的共同之处在于包括第一伺服子帧SSF1和第二伺服子帧SSF2的伺服帧SF是一个连续单元，但是第一伺服子帧SSF1(A突发6a和B突发6b)互不相同。
如图7的部分(A)所示，在表示代码“1”的伺服帧SF1中，当形成A突发6a和B突发6b中的每一个突发的五个倾斜图案从图左侧开始依次被定义为第一倾斜部分、第二倾斜部分、第三倾斜部分、第四倾斜部分和第五倾斜部分时，第二和第四倾斜部分分别被布置在朝向第一和第五倾斜部分偏移的位置处。同时，如图7的部分(B)所示，在代表代码“0”的伺服帧SF0中，形成A突发6a和B突发6b的一些倾斜图案的布置间隔与伺服帧SF1的那些布置间隔不同。在所示的示例中，对于形成A突发6a和B突发6b中的每一个突发的五个倾斜图案，第二倾斜部分和第四倾斜部分两者都布置在朝向第三倾斜部分偏移的位置处。因此，对于伺服帧SF0中的A突发6a和B突发6b，第二倾斜部分和第三倾斜部分之间的间隔以及第三倾斜部分和第四倾斜部分之间的间隔最短，并且第一倾斜部分和第二倾斜部分之间的间隔以及第四倾斜部分和第五倾斜部分之间的间隔最长。
图8的部分(A)和(B)分别示出了第一伺服图案61和第二伺服图案62的再现波形SP1和SP2。每个伺服帧SF1和SF0的再现波形包括在对应于每个突发6a到6d的倾斜部分的位置处具有峰值的突发信号。如上所述，在伺服帧SF0中，由于A突发6a和B突发6b的结构不同于伺服帧SF1的A突发6a和B突发6b的结构，所以突发信号S6a和S6b的峰值位置对应于不同倾斜部分的间隔而偏移。因此，可以通过检测峰值位置偏移的位置、偏移量和偏移方向来读取写入到伺服帧SF中的信息。这里，例如，图8的部分(A)中所示的伺服帧SF1表示一个比特“1”，而图8的部分(B)中所示的伺服帧SF0表示一个比特“0”。例如，可以通过任意地组合两个伺服帧SF1和SF0的四个比特来配置第一和第二伺服带识别信息。
在上面的描述中，使A突发和B突发6b的第二和第四倾斜部分的记录位置不同。然而，本发明不限于此，并且仅需要使A突发6a、B突发6b、C突发6c或D突发6d中的至少一个不同就可以了。使记录位置不同的倾斜部分也不限于第二和第四倾斜部分。也就是说，如果形成伺服帧SF的两个或更多个不同类型的方位角倾斜部中的方位角倾斜部的至少一部分的布置间隔不同，则可以识别比特。例如，在伺服帧SF1和伺服帧SF0之间只需要四个比特的比特序列不同。
形成伺服帧SF1和SF0的方位角倾斜部的角度和布置间隔不做特别限制，而是可以根据磁带宽度、伺服带的数量等任意设置。例如，距离AB和AC可以分别为30μm以上且100μm以下，每个方位角倾斜部相对于磁带宽度方向的倾斜角可以为6°以上且25°以下，并且每个方位角倾斜部在磁带宽度方向上的长度可以为30μm以上且192μm以下。
根据本实施方式的磁带1包括其中记录有第一伺服带识别信息的三个第一伺服带A(第一伺服带组SB1)、其中记录有第二伺服带识别信息的三个第二伺服带B(第二伺服带组SB2)、其中记录有第三伺服带识别信息的三个第三伺服带C(第三伺服带组SB3)、其中记录有第四伺服带识别信息的三个第四伺服带D(第四伺服带组SB4)、和其中记录第一伺服带识别信息的另外一个第一伺服带A(参见图6)。在图3所示的示例中，伺服带s0、s1和s2对应于第一伺服带A，伺服带s3、s4和s5对应于第二伺服带B，伺服带s6、s7和s8对应于第三伺服带C，伺服带s9、s10和s11对应于第四伺服带D，并且伺服带s12对应于另外一个第一伺服带A。
图6是示出在图3所示的具有13ch(通道，伺服带的数目)伺服带的磁带1中的伺服带A、B、C和D的分配以及第一和第二相位P1和P2示意图。如图所示，彼此相邻的伺服带A、B、C、D与相位P1和P2的组合分别对应于下文所述的数据带d11、d9、d7、d5、d3、d1、d0、d2、d4、d6、d8和d10。如下所述，彼此相邻的伺服带A、B、C和D以及相位P1和P2的组合都是不同的。也就是说，如上所述，在彼此相邻的两个伺服带中，一个伺服带中的一组伺服带识别信息和相位(第一组)以及另一个伺服带中的一组伺服带识别信息和相位(第二组)的组合被设置为不重复。
第一组(A，P1)，第二组(A，P2)＝d11
第一组(A，P2)，第二组(A，P1)＝d9
第一组(A，P1)，第二组(B，P1)＝d7
第一组(B，P1)，第二组(B，P2)＝d5
第一组(B，P2)，第二组(B，P1)＝d3
第一组(B，P1)，第二组(C，P1)＝d1
第一组(C，P1)，第二组(C，P2)＝d0
第一组(C，P2)，第二组(C，P1)＝d2
第一组(C，P1)，第二组(D，P1)＝d4
第一组(D，P1)，第二组(D，P2)＝d6
第一组(D，P2)，第二组(D，P1)＝d8
第一组(D，P1)，第二组(A，P1)＝d10
图9是根据一个示例在磁带1具有17ch伺服带的情况下的示意图，其类似于图6。
在17ch的情况下，除了第一到第四伺服带A、B、C和D之外，还有三个第五伺服带E(第五伺服带组SB5)和两个第六伺服带F(第六伺服带组SB6)，其中记录有不同于第一到第四伺服带A、B、C和D的伺服带识别信息。在第五伺服带E中，包括不同于第一到第四伺服带识别信息的4比特信息(例如“0100”)的第五伺服图案被记录为第五伺服带识别信息。在第六伺服带F中，包括不同于第一到第五伺服带识别信息的4比特信息的第六伺服图案被记录为第六伺服带识别信息。通过使伺服帧SF1和伺服帧SF0的组合不同于第一到第四伺服带识别信息的组合，可以任意设置第五和第六伺服带识别信息。另外，在磁带1具有17ch伺服带的情况下，如下所述，彼此相邻的伺服带A、B、C、D、E和F以及相位P1和P2的组合都不同。
第一组(A，P1)，第二组(A，P2)＝d15
第一组(A，P2)，第二组(A，P1)＝d13
第一组(A，P1)，第二组(B，P1)＝d11
第一组(B，P1)，第二组(B，P2)＝d9
第一组(B，P2)，第二组(B，P1)＝d7
第一组(B，P1)，第二组(C，P1)＝d5
第一组(C，P1)，第二组(C，P2)＝d3
第一组(C，P2)，第二组(C，P1)＝d1
第一组(C，P1)，第二组(D，P1)＝d0
第一组(D，P1)，第二组(D，P2)＝d2
第一组(D，P2)，第二组(D，P1)＝d4
第一组(D，P1)，第二组(E，P1)＝d6
第一组(E，P1)，第二组(E，P2)＝d8
第一组(E，P2)，第二组(E，P1)＝d10
第一组(E，P1)，第二组(F，P1)＝d12
第一组(F，P1)，第二组(F，P1)＝d14
图10A是根据另一示例在磁带1具有13ch伺服带的情况下的示意图，其类似于图6。
与图6相同，本实施方式具有如13ch。与图6的不同之处在于，记录相同的伺服带识别信息的伺服带不是连续三个而是连续四个。例如，记录相同的第一伺服带识别信息的是连续的四个第一伺服带A。结果，即使同样是13ch，第四伺服带D不是必要的，而第一到第三伺服带A、B和C就足够了。同样在这种情况下，如下所示，彼此相邻的伺服带A、B和C以及相位P1和P2的组合都不同。
第一组(A，P2)，第二组(A，P1)＝d11
第一组(A，P1)，第二组(A，P1)＝d9
第一组(A，P1)，第二组(A，P2)＝d7
第一组(A，P2)，第二组(B，P2)＝d5
第一组(B，P2)，第二组(B，P1)＝d3
第一组(B，P1)，第二组(B，P1)＝d1
第一组(B，P1)，第二组(B，P2)＝d0
第一组(B，P2)，第二组(C，P2)＝d2
第一组(C，P2)，第二组(C，P1)＝d4
第一组(C，P1)，第二组(C，P1)＝d6
第一组(C，P1)，第二组(C，P2)＝d8
第一组(C，P2)，第二组(A，P2)＝d10
图10B是根据另一示例在磁带1具有13ch伺服带的情况下的示意图，其类似于图6。
与图10A相同，本实施方式具有13ch。同图10A，记录相同的伺服带识别信息的伺服带不是连续三个而是连续四个。与图10A的不同之处在于存在三种类型的相位P1、P2和P3。同样在这种情况下，如下所示，彼此相邻的伺服带A、B和C与相位P1、P2和P3的组合都不同。
第一组(A，P2)，第二组(A，P1)＝d11
第一组(A，P1)，第二组(A，P1)＝d9
第一组(A，P1)，第二组(A，P3)＝d7
第一组(A，P3)，第二组(B，P2)＝d5
第一组(B，P2)，第二组(B，P1)＝d3
第一组(B，P1)，第二组(B，P1)＝d1
第一组(B，P1)，第二组(B，P3)＝d0
第一组(B，P3)，第二组(C，P2)＝d2
第一组(C，P2)，第二组(C，P1)＝d4
第一组(C，P1)，第二组(C，P1)＝d6
第一组(C，P1)，第二组(C，P3)＝d8
第一组(C，P3)，第二组(A，P2)＝d10
图10C是根据另一示例在磁带1具有13ch伺服带的情况下的示意图，其类似于图6。
与图6相同，本示例具有13ch。同图6，记录有相同伺服带识别信息的伺服带是连续三个。与图6的不同之处在于存在三种类型的相位P1、P2和P3。相位P3被设置在相对于相位P2在磁带纵向上朝向与相位P1相对的一侧偏移预定量的位置处。同样在这种情况下，如下所示，彼此相邻的伺服带A、B、C和D与相位P1、P2和P3的组合都不同。
第一组(A，P1)，第二组(A，P3)＝d11
第一组(A，P3)，第二组(A，P2)＝d9
第一组(A，P2)，第二组(B，P1)＝d7
第一组(B，P1)，第二组(B，P3)＝d5
第一组(B，P3)，第二组(B，P2)＝d3
第一组(B，P2)，第二组(C，P1)＝d1
第一组(C，P1)，第二组(C，P3)＝d0
第一组(C，P3)，第二组(C，P2)＝d2
第一组(C，P2)，第二组(D，P1)＝d4
第一组(D，P1)，第二组(D，P3)＝d6
第一组(D，P3)，第二组(D，P2)＝d8
第一组(D，P2)，第二组(A，P2)＝d10
第一至第六伺服带A至F的分配示例不限于图9、图10A、图10B和图10C所示的示例。例如，在13ch的情况下，伺服带不同于图10A和图10B中从上往下的AAAABBBBCCCCA，而可以是AAAABBBBCCCCB。
从图6、图9、图10A、图10B和图10的例子中可以清楚地看出，根据本实施方式，足够数量的伺服带识别信息小于伺服带数量的一半((伺服带数量/2)-1)。伺服带识别信息的数量例如在13ch的情况下是3(图10A和图10B)或4(图6和图10C)，例如在17ch的情况下是6(图9)。
如上所述，根据本实施方式的磁带1包括记录有第一伺服带识别信息的至少三个或更多个连续的第一伺服带A和记录有第二伺服带识别信息的三个或更多个连续的第二伺服带B。在三个或更多个连续的第一伺服带A中所包括的两个相邻的第一伺服带A中记录的第一伺服带识别信息的纵向的相位P的组合都是不同的。在三个或更多个连续的第二伺服带B中所包括的两个相邻的第二伺服带B中记录的第二伺服带识别信息的纵向的相位P的组合都是不同的。结果，彼此相邻的伺服带s和相位P的组合都是不同的。结果，根据本实施方式的磁带1被配置为可以基于夹住数据带d的一对伺服带s的伺服带识别信息和相位P的组合中的差异来确定数据带d。结果，可以抑制因数据带数量的增加而导致的伺服带识别信息的增加，并且可以容易地应对数据带数量的增加。此外，由于不需要向各个伺服带添加唯一的伺服带识别信息，所以可以抑制多种类型的伺服带识别信息的增加，并且可以容易地执行将伺服带识别信息分配给每个伺服带。
[伺服图案记录装置的细节]
接下来，将描述伺服图案记录装置100的细节。
如图1所示，伺服图案记录装置100包括驱动伺服写入磁头13的驱动单元20。图11是示意性地示出伺服写入磁头13的结构的透视图，并且图12是示出驱动单元20的结构的框图。
如图11所示，伺服写入磁头13包括多个磁头块h0至h4，用于在磁带1的每个伺服带s0到s12中记录伺服图案6(图3和图6)。磁头块h0至h4通过粘合剂层hs彼此粘合。
第一磁头块h0包括三个第一磁隙g1，这三个磁隙对应于磁带1的三个连续的第一伺服带s0、s1和s2(图6中的A)而被布置，并用于在第一伺服带s0、s1和s2中记录第一伺服图案。三个第一磁隙g1被布置成使得三个第一磁隙g1中所包括的两个相邻的第一磁隙g1的纵向(X方向)上的相位P1和P2的组合都不同。
第二磁头块h1包括三个第二磁隙g2，这三个磁隙对应于磁带1的三个连续的第二伺服带s3、s4和s5(图6中的B)而被布置，并用于在第二伺服带s3、s4和s5中记录第二伺服图案。三个第二磁隙g2被布置成使得三个第二磁隙g2中所包括的两个相邻的第二磁隙g2的纵向(X方向)上的相位P1和P2的组合都不同。
第三磁头块h2包括三个第三磁隙g3，这三个磁隙对应于磁带1的三个连续的第三伺服带s6、s7和s8(图6中的C)而被布置，并用于在第三伺服带s6、s7和s8中记录第三伺服图案。三个第三磁隙g3被布置成使得三个第三磁隙g3中所包括的两个相邻的第三磁隙g3的纵向(X方向)上的相位P1和P2的组合都不同。
第四磁头块h3包括三个第四磁隙g4，这三个磁隙对应于磁带1的三个连续的第四伺服带s9、s10和s11(图6中的D)布置，并用于在第四伺服带s9、s10和s11中记录第四伺服图案。三个第四磁隙g4被布置成使得三个第四磁隙g4中所包括的两个相邻的第四磁隙g4的纵向(X方向)上的相位P1和P2的组合都不同。
另一个第一磁头块h4包括一个第一磁隙g1，其对应于磁带1的另一个第一伺服带s12(图6中的A)而被布置，并用于在第一伺服带s12中记录第一伺服图案。
磁隙g包括在彼此相反的方向上倾斜的一对直线部分(“/”和“\”)。一个线性部分“/”记录A突发6a和C突发6c，并且另一个线性部分“\”记录B突发6b和D突发6d。磁头块h0至h4的磁隙g被布置成在平行于伺服写入磁头13的纵向的轴线P1和P2上对准。磁头块h0至h4彼此磁性分离，并被配置成能够在同一时刻在两个或多个伺服带中记录不同类型的伺服图案。
驱动单元20包括：转换器21，其基于来自控制器30(参见图1)的输出将伺服信息转换为脉冲信息；信号生成单元22，其基于转换器21的输出产生脉冲信号；以及放大器23，其放大所产生的脉冲信号。信号生成单元22和放大器23分别包括对应于各个磁头块h0至h4设置的信号生成单元22和放大器23，并且被配置为能够向各个磁头块h0至h4输出唯一的脉冲信号。
控制器30包括存储器，该存储器存储与记录第一伺服带识别信息的第一伺服带的位置(在该示例中为s0、s1、s2)、记录第二伺服带识别信息的第二伺服带的位置(在该示例中为s3、s4、s5)、记录第三伺服带识别信息的第三伺服带的位置(在该示例中为s6、s7、s8)、记录第四伺服带识别信息的第四伺服带的位置(在该示例中为s9、s10、s11)、记录第一伺服带识别信息的另一个第一伺服带的位置(在该示例中为s12)相关的数据。控制器30根据存储在存储器中的数据控制驱动单元20。
转换器21分别将与记录在各个伺服带s0到s12中的伺服带识别信息相对应的信息输出到与磁头块h0至h4相对应的信号生成单元22。在本实施方式中，转换器21将用于记录包括第一伺服带识别信息的第一伺服图案61(图7的部分(A))的第一脉冲信号PS1(第一记录信号)输出到对应于第一伺服带s0、s1、s2和s12的第一磁头块h0和h4。转换器21将用于记录包括第二伺服带识别信息的第二伺服图形62(图7的图形(b))的第二脉冲信号PS2(第二记录信号)输出到对应于第二伺服带s3、s4和s5的第二磁头块h1。转换器21将用于记录包括第三伺服带识别信息的第三伺服图案(图3)的第三脉冲信号(第三记录信号)输出到对应于第三伺服带s6，s7和s8的第三磁头块h2。转换器21将用于记录包括第四伺服带识别信息的第四伺服图案(图3)的第四脉冲信号(第四记录信号)输出到对应于第四伺服带s9、s10和s11的第四磁头块h3。下面，作为示例，将参考图13的部分(A)和(B)描述第一脉冲信号至第四脉冲信号中的第一脉冲信号和第二脉冲信号。
图13的部分(A)和(B)分别示意性地示出了在第一脉冲信号PS1和第二脉冲信号PS2中的第一伺服子帧SSF1的记录信号波形。如图所示，第一脉冲信号PS1和第二脉冲信号PS2各自包括第一脉冲组SPF1和第二脉冲组SPF2，第一脉冲组SPF1包括五个脉冲组，第二脉冲组SPF2包括四个脉冲组。第一脉冲组SPF1是用于记录A突发6a的各个倾斜部分的信号，第二脉冲组SPF2是用于记录B突发6b的各个倾斜部分的信号。
如图所示，第一脉冲组SPF1中的第二和第四脉冲上升时刻在第一脉冲信号PS1和第二脉冲信号PS2之间是不同的。脉冲信号PS2的第二脉冲上升时刻晚于脉冲信号PS1的第二脉冲上升时刻，并且脉冲信号PS2的第四脉冲上升时刻早于脉冲信号PS1的第四脉冲上升时刻。结果，形成了如图7的部分(A)和(B)所示的其中A突发6a的倾斜部分的一部分的布置间隔互不相同的第一伺服子帧SSF1。当将对第一伺服带识别信息至第四伺服带识别信息进行编码的多个伺服帧相互比较时，两个或更多个不同类型的方位角倾斜部中的至少一个的布置间隔的一部分互不相同。
此外，第一脉冲信号PS1和第二脉冲信号PS2在同一时刻分别被发送到磁头块h0和h4以及磁头块h1。结果，在各个磁头块h0、h1和h4中，第一伺服图案61(第一伺服带识别信息)和第二伺服图案62(第二伺服带识别信息)在同一时刻分别被记录在第一伺服带s0、s1、s2和s12以及第二伺服带s3、s4和s5中。
虽然已经在上文中作为示例描述了第一和第二脉冲信号，但是这些描述同样适用于第三和第四脉冲信号。也就是说，第三脉冲信号的部分脉冲的上升时刻不同于第一、第二和第四脉冲信号的脉冲上升时刻。第四脉冲信号的部分脉冲的上升时刻不同于第一、第二和第三脉冲信号的脉冲上升时刻。第一到第四脉冲信号在同一时刻被发送到各个磁头块h0至h4。结果，在各个磁头块h0至h4中，第一到第四伺服图案(伺服带识别信息)在同一时刻被记录在第一到第四伺服带s0到s12中。
如图11所示，在第一磁头块h0中，三个第一磁隙g1被布置成使得三个第一磁隙g1中所包括的两个相邻第一磁隙g1的纵向(X方向)上的相位P1和P2的组合都不同。在第二磁头块h1中，三个第二磁隙g2被布置成使得三个第二磁隙g2中所包括的两个相邻的第二磁隙g2的纵向(X方向)上的相位P1和P2的组合都不同。在第三磁头块h2中，三个第三磁隙g3被布置成使得三个第三磁隙g3中所包括的两个相邻的第三磁隙g3的纵向(X方向)上的相位P1和P2的组合都不同。在第四磁头块h3中，三个第四磁隙g4被布置成使得三个第四磁隙g4中所包括的两个相邻第四磁隙g4的纵向(X方向)上的相位P1和P2的组合都不同。
为此，在第一至第四脉冲信号在同一时刻被发送到缠绕在各个磁头块h0至h4周围的线圈的情况下，磁头块h0至h4在同一时刻被感应磁场磁化。当关注第一磁头块h0时，在同一时刻从磁化的磁头块h0中形成的三个第一磁隙g1产生漏磁场。由于纵向(X方向)上的相位P1和P2在三个第一磁隙g1之间是不同的，所以第一伺服图案61(第一伺服带识别信息)在同一时刻以不同相位P1和P2被记录在伺服带s0、s1和s2中。这同样适用于其它磁头块h1至h4。也就是说，在同一时刻从磁化的磁头块h0至h4中形成的磁隙g1至g4产生漏磁场。由于纵向(X方向)上的相位P1和P2在13个磁隙g1至g4之间是不同的，所以第一到第四伺服图案(第一到第四伺服带识别信息)在同一时刻以不同相位P1和P2被记录在伺服带s0到S12中。
图14是描述上述伺服图案记录方法的流程图。
首先，准备伺服写入磁头13(ST100)。伺服写入磁头13包括多个磁头块h0至h4。磁头块h0至h4中的每一个包括三个或更多个磁隙g。三个或更多个磁隙g被布置成使得三个或更多个磁隙g中所包括的两个相邻磁隙g的纵向(X方向)上的相位P1和P2的组合都不同。
确定与伺服带的数量(ch的数量)和磁头块h的数量相对应的伺服图案(ST101)。在本实施方式中，由于使用包括五个磁头块h0至h4的伺服写入磁头13在具有13ch伺服带s0到s12的磁带1中记录伺服图案，所以确定具有不同伺服带识别信息的四种类型的伺服图案(第一到第四伺服图案)。确定的伺服图案经由例如控制器30中所包括的输入单元输入并存储在上述存储器中。
随后，确定记录有第一至第四伺服带识别信息的三个或更多个连续的第一至第四伺服带A至D(ST102)。在该实施方式中，如上所述，伺服带s0、s1、s2和s12被确定为第一伺服带A，伺服带s3、s4和s5被确定为第二伺服带B，伺服带s6、s7和s8被确定为第三伺服带C，并且伺服带s9、s10和s11被确定为第四伺服带D。例如经由在控制器30中输入单元输入伺服带A至D的每一个的确定信息。
随后，当驱动单元20在同一时刻将第一至第四脉冲信号输入到伺服写入磁头13时，包括第一至第四伺服带识别信息的第一至第四伺服图案被记录在第一至第四伺服带A至D中(ST103)。如上所述，由于纵向(X方向)上的相位P1和P2在各个磁头块h0至h4中所包括的13个磁隙g1至g4之间是不同的，所以第一到第四伺服图案(第一到第四伺服带识别信息)在同一时刻被以不同相位P1和P2被记录在伺服带s0到s12中。结果，制备成图3所示的磁带1。
[伺服写入磁头]
接下来，将描述伺服写入磁头13的具体结构。图15是当从磁带1的侧面观察时，伺服写入磁头13的透视图。图16是沿XZ平面截取的图15所示的伺服写入磁头13的截面图。图17是从侧面观察时，伺服写入磁头13的上部的示意性局部放大图。
在伺服写入磁头13中，长度方向(Y轴方向)对应于磁带1的宽度方向，宽度方向(X轴方向)对应于磁带1的长度方向和磁带1的行进方向。另外，在伺服写入磁头13中，高度方向(Z轴方向)对应于磁带1的厚度方向。
如这些图所示，伺服写入磁头13包括磁头块20、屏蔽壳50和多个线圈60。
屏蔽壳50屏蔽由线圈60产生的磁场，使得伺服写入磁头13中所包括的线圈60所产生的磁场不会不利地影响其它外部部件。此外，屏蔽壳50屏蔽外部产生的磁场，使得其他外部部件产生的磁场不会不利地影响线圈60。
在屏蔽壳50的上部设置有开口51，用于从屏蔽壳50中露出磁头块20。此外，在屏蔽壳50的下部，设置有用于将连接到线圈60的引线61拉出到屏蔽壳50外部的开口。
在磁头块20的上部，在宽度方向(X轴方向)的中心附近，沿着长度方向(Y轴方向)设置面向磁带1的面对部21。面对部21的表面是平坦表面。在本说明书中，面对部21的表面被称为记录表面22。记录表面22面对行进的磁带1并且通过设置在记录表面22中的磁隙g将伺服图案6记录在磁带1上。
磁头块20包括作为磁头块20的核心的核心部40、作为形成磁隙g的基座的基部45、以及形成面对部21的表面的薄膜部46(特别参见图16和图17)。薄膜部46是金属磁性膜。注意，上述记录表面22实际上对应于薄膜部46的表面。
在核心部40上部的宽度方向(x轴方向)上的中心附近，形成沿着长度方向(y轴方向)垂直穿透核心部40的开口49。基部45设置在开口49中，以便填充核心部40上部中所形成的开口49。
考虑到在磁头块20的生产过程中所进行的各种类型的粘合以及为了实现薄膜部46的磁性而执行的热处理，使用具有高熔点的硬质非磁性材料(各种玻璃材料、各种陶瓷材料)作为基部45的材料。
薄膜部46设置在面对部21的整个区域上。薄膜部46由例如铁基微晶、镍铁合金或具有类似的高饱和磁通密度的其他软磁合金形成。此外，薄膜部46的厚度为若干μm。
在薄膜部46中对应于磁隙g的位置处设置其形状对应于磁隙g的开口27。开口27设置在薄膜部46中，以便垂直地穿透薄膜部46。非磁性材料嵌入开口27中，非磁性材料的上表面具有与薄膜部46的表面(记录表面22)相同的高度，并且非磁性材料的下表面连接基部45的上表面。嵌入薄膜部46中的非磁性材料形成磁隙g。
当核心部40被线圈60激励时，嵌入薄膜部46中的非磁性材料(磁隙g)防止磁通量穿过薄膜部46，因此，在磁隙g的位置处产生漏磁场。该漏磁场使得可以在伺服带s上写入伺服图案6。
核心部40包括多个磁头块h0至h4。多个磁头块h0至h4由磁性材料形成。例如，可以使用诸如单晶铁氧体和多晶铁氧体之类的铁氧体材料或者诸如铁硅铝合金之类的软磁合金材料作为磁性材料。铁氧体材料的示例包括锰锌铁氧体。
各个引线61以线圈状缠绕在五个磁头块h0至h4下方，并且针对每个磁头块h0至h4形成各个线圈60。
可以将各个脉冲信号提供给五个线圈60，并且可以单独激励五个磁头块h0至h4。结果，5个磁头块h0至h4能够在不同时刻在伺服带s上写入伺服图案6。
[结论]
如上所述，根据本实施方式，记录在各个伺服带s0到s12中的伺服图案6与相位P1和P2的组合都是不同的。结果，根据本实施方式的磁带1被配置为可以基于夹住数据带d的一对伺服带s的伺服带识别信息和相位p的组合中的差异来确定数据带d。结果，可以抑制由于数据带数量的增加而导致的伺服带识别信息的增加，并且可以容易地应对数据带数量的增加。此外，由于不需要向各个伺服带添加唯一的伺服带识别信息，所以可以抑制多种类型的伺服带识别信息的增加，并且可以容易地执行将伺服带识别信息分配给每个伺服带。为此，可以完全克服因数据带数量的增加而导致的伺服带数量的增加。此外，在13ch的情况下，由于两种类型的相位就足够了，所以可以在最小化PES的相位差的影响的同时以高精度检测每个伺服带s0到S12上的伺服图案6。
此外，由于通过增加伺服带的数量可以使单个数据带的宽度变窄，所以抑制了由于温度和湿度环境等的变化而引起的磁带1的变形。结果，可以长时间可靠地读取或写入数据。
此外，根据本实施方式，通过使伺服子帧SSF1中的倾斜部分的布置间隔的一部分不同，可以形成多种类型的伺服帧SF1和SF0，因此可以适当地获取对应于每个伺服带的伺服带识别信息，而不会干扰跟踪控制。
此外，根据本实施方式，由于伺服带识别信息的类型的数量可以小于伺服带数量的一半，因此可以简化记录的信息，从而减少用于写入和读取与伺服带相关的信息的存储量。
此外，为了实现高记录密度，使用具有高磁性的小磁性颗粒，但是需要向记录磁头施加大电流，以便使用这种磁性粉末在磁性层中记录伺服信号。为了能够施加大电流，必须使用粗线圈导线并增加匝数，因此重要的是尽可能多地减少伺服带中的线圈数量，以使得可以施加大电流。在该实施方式中，由于一个线圈被用于在同一时刻在三个或更多个连续伺服带中记录不同相位的伺服带，所以可以减少线圈的数量。
具体地，通过使磁头块的数量为每1/2英寸(磁带状磁记录介质的宽度的长度)最多六个，并且使一个线圈能够通过每个磁头块写入三个或更多个磁道，可以实现能够写入10个或更多个伺服带的伺服写入磁头。
通过在伺服信号中以信号的形式写入伺服带识别信息和在纵向上移动记录位置以改变相位这两种方法，可以创建能够在同一时刻写入10个或更多个伺服带的伺服写入磁头。可以可靠地确定甚至10个或更多个数据带的位置。
随着在现有的线性蜿蜒磁带系统中增加记录密度的需要，改善轨道密度已经成为重要问题。例如，在LTO中，在盒式磁带容量具有超过30TB的记录密度的情况下，根据该实施方式可以实现以下规格。
线性记录密度：580kfci以上
轨道密度：25ktpi以上
磁带总厚度：5.1μm以下
比特体积：3600000立方nm以下
[修改示例]
尽管上面已经描述了本发明的实施方式和修改示例，但是本发明不仅限于上述实施方式，并且不言而喻的是，可以在不脱离本发明的实质的情况下进行各种修改。
例如，形成伺服图案6的伺服帧SF的方位角倾斜部(方位角)可以是例如11°以上且36°以下，优选11°以上且26°以下。此外，尽管方位角倾斜部具有两种类型“/”和“\”，但是在伺服图案中可进一步包括具有与上述两种类型不同的倾斜角的方位角倾斜部。
在上述实施方式中，尽管已经以符合LTO标准的磁带为例说明了带状磁记录介质，但是本技术也可以类似地应用于其他标准的磁带。
在上述实施方式中，每个磁头块h0至h4通常是形成有三个磁隙g的一个磁头块。或者，可以通过粘合分别形成有三个磁隙g的每一个的三个分开的磁头块(未示出)而形成每个磁头块h0至h4。在这种情况下，粘合的三个分开的磁头块缠绕有公共线圈，并且三个分开的磁头块被来自线圈的感应磁场同时磁化。
此外，可以通过粘合两个分开的磁头块(未示出)来产生形成有四个磁隙g的一个磁头块，每个磁头块包括两个磁隙g。在这种情况下，粘合的两个分开的磁头块可以单独地缠绕线圈，并且四个分开的磁头块可以被来自线圈的感应磁场在不同时刻磁化。结果，例如，在13ch的情况下，伺服带不同于图10A和图10B中从上往下的AAAABBBBCCCCA，而可以是AAAABBBBAACCB、AAAABBBBCCBBA等。
本发明可具有以下配置。
(1)一种沿带状磁记录介质的纵向记录伺服图案的方法，包括：
确定第一伺服带组和第二伺服带组，所述第一伺服带组由用于记录第一伺服图案的三个或更多个第一伺服带组成，所述第一伺服图案中嵌入了具有多个比特的第一伺服带识别信息，所述第二伺服带组由用于记录第二伺服图案的三个或更多个第二伺服带组成，所述第二伺服图案中嵌入了具有多个比特的第二伺服带识别信息，所述第二伺服带识别信息不同于所述第一伺服带识别信息；以及
将所述第一伺服带识别信息记录在所述第一伺服带组上，将所述第二伺服带识别信息记录在所述第二伺服带组上，使得在相邻的两个伺服带中，第一组和第二组的组合不重复，所述第一组是由第一伺服读取磁头读取的一个伺服带中的一组伺服带识别信息及其所述纵向的相位，所述第二组是由第二伺服读磁头读取的另一个伺服带中的一组伺服带识别信息及其所述纵向的相位。
(2)根据上述(1)所述的伺服图案的记录方法，其中
所述第一伺服带组由三个或更多个连续的第一伺服带组成，并且
所述第二伺服带组由三个或更多个连续的第二伺服带组成。
(3)根据上述(1)或(2)所述的伺服图案的记录方法，还包括
确定第三伺服带组，所述第三伺服带组由用于记录第三伺服图案的三个或更多个第三伺服带组成，所述第三伺服图案中嵌入了具有多个比特的第三伺服带识别信息，所述第三伺服带识别信息不同于所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息。
(4)根据上述(3)所述的伺服图案记录方法，其中
所述第三伺服带组由三个或更多个连续的第三伺服带组成。
(5)根据上述(3)或(4)所述的伺服图案记录方法，还包括
确定第四伺服带组，所述第四伺服带组由用于记录第四伺服图案的三个或更多个第四伺服带组成，所述第四伺服图案中嵌入了具有多个比特的第四伺服带识别信息，所述第四伺服带识别信息不同于所述第一伺服带识别信息、所述第二伺服带识别信息和所述第三伺服带识别信息。
(6)根据上述(5)所述的伺服图案记录方法，其中
所述第四伺服带组由三个或更多个连续的第四伺服带组成。
(7)一种沿带状磁记录介质的纵向记录伺服图案的装置，包括：
伺服写入磁头，所述伺服写入磁头具有：
第一磁头块，所述第一磁头块具有对应于三个或更多个连续的第一伺服带而布置的三个或更多个第一磁隙，所述三个或更多个第一磁隙被布置成使得所述三个或更多个第一磁隙中所包括的两个相邻的第一磁隙的所述纵向的相位的组合均不同，以及
第二磁头块，所述第二磁头块具有对应于三个或更多个连续的第二伺服带而布置的三个或更多个第二磁隙，所述三个或更多个第二磁隙被布置成使得所述三个或更多个第二磁隙中所包括的两个相邻的第二磁隙的所述纵向的相位的组合均不同；以及
驱动单元，所述驱动单元在同一时刻将第一记录信号输出到所述第一磁头块并将第二记录信号输出到所述第二磁头块，所述第一记录信号用于记录具有多个比特的第一伺服带识别信息，所述第二记录信号用于记录具有多个比特的第二伺服带识别信息，所述第二伺服带识别信息不同于所述第一伺服带识别信息。
(8)根据上述(7)所述的伺服图案记录装置，其中
所述伺服写入磁头还具有第三磁头块，所述第三磁头块具有对应于三个或更多个连续的第三伺服带而布置的三个或更多个第三磁隙，所述三个或更多个第三磁隙被布置成使得所述三个或更多个第三磁隙中所包括的两个相邻的第三磁隙的所述纵向的相位的组合均不同，并且
驱动单元在所述同一时刻将第三记录信号输出到所述第三磁头块，所述第三记录信号用于记录具有多个比特的第三伺服带识别信息，所述第三伺服带识别信息不同于所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息。
(9)根据上述(8)所述的伺服图案记录装置，其中
所述伺服写入磁头还具有不与所述第一磁头块相邻的另一第一磁头块，所述另一第一磁头块具有对应于一个或两个或更多个连续的第一伺服带而布置的一个或两个或更多个所述第一磁隙，并且所述第一磁头块、所述第二磁头块、所述第三磁头块和所述另一第一磁头块中的两个相邻磁头块的组合都不同，并且
驱动单元在所述同一时刻将所述第一记录信号输出到所述另一第一磁头块。
(10)根据上述(7)所述的伺服图案记录装置，其中
所述第一磁隙能够将含有两个或更多个不同类型的方位角倾斜部并对所述第一伺服带识别信息进行编码的多个伺服帧记录在所述多个伺服带上，以作为所述第一伺服带识别信息，
所述第二磁隙能够将含有两个或更多个不同类型的方位角倾斜部并对所述第二伺服带识别信息编码的多个伺服帧记录在所述多个伺服带上，以作为所述第二伺服带识别信息，并且
所述驱动单元根据所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息之间的差异在互不相同的脉冲上升时刻输出所述第一记录信号和所述第二记录信号。
(11)根据上述(8)所述的伺服图案记录装置，其中
所述第一磁隙能够将含有两个或更多个不同类型的方位角倾斜部并对所述第一伺服带识别信息进行编码的多个伺服帧记录在所述多个伺服带上，以作为所述第一伺服带识别信息，
所述第二磁隙能够将含有两个或更多个不同类型的方位角倾斜部并对所述第二伺服带识别信息进行编码的多个伺服帧记录在所述多个伺服带上，以作为所述第二伺服带识别信息，
所述第三磁隙能够将含有两个或更多个不同类型的方位角倾斜部并对所述第三伺服带识别信息进行编码的多个伺服帧记录在所述多个伺服带上，以作为所述第三伺服带识别信息，并且
所述驱动单元根据所述第一伺服带识别信息、所述第二伺服带识别信息和所述第三伺服带识别信息之间的差异，在互不相同的脉冲上升时刻输出所述第一记录信号、所述第二记录信号和所述第三记录信号。
(12)根据上述(7)所述的伺服图案记录装置，其中
所述第一磁头块是形成有所述三个或更多个第一磁隙的一个磁头块，并且
所述第二磁头块是形成有三个或更多个第二磁隙的一个磁头块。
(13)根据上述(7)所述的伺服图案记录装置，其中
所述第一磁头块是通过粘合各自形成有所述三个或更多个第一磁隙的每一个的三个或更多个第一分割磁头块而获得的，并且
所述第二磁头块是通过粘合各自形成有所述三个或更多个第二磁隙的每一个的三个或更多个第二分割磁头块而获得的。
(14)一种制造具有磁性层的带状磁记录介质的方法，所述磁性层具有在纵向上延伸的六个或更多个伺服带，所述方法包括：
确定第一伺服带组和第二伺服带组，所述第一伺服带组包括用于记录第一伺服图案的三个或更多个第一伺服带，所述第一伺服图案中嵌入有具有多个比特的第一伺服带识别信息，所述第二伺服带组包括用于记录第二伺服图案的三个或更多个第二伺服带，所述第二伺服图案中嵌入有具有多个比特的第二伺服带识别信息，所述第二伺服带识别信息不同于所述第一伺服带识别信息；以及
将所述第一伺服带识别信息记录在所述第一伺服带组上，将所述第二伺服带识别信息记录在所述第二伺服带组上，使得在彼此相邻的两个伺服带中，第一组和第二组的组合不重复，所述第一组是由第一伺服读取磁头读取的一个伺服带中的一组伺服带识别信息及其所述纵向的相位，所述第二组是由第二伺服读磁头读取的另一个伺服带中的一组伺服带识别信息及其所述纵向的相位。
(15)一种带状磁记录介质，具有：
磁性层，所述磁性层具有在纵向上延伸的多个伺服带，
所述磁性层具有：
第一伺服带组，所述第一伺服带组包括记录有第一伺服图案的三个或更多个第一伺服带，所述第一伺服图案嵌入有具有多个比特的第一伺服带识别信息，以及
第二伺服带组，所述第二伺服带组包括记录有第二伺服图案的三个或更多个第二伺服带，所述第二伺服图案嵌入有具有多个比特的第二伺服带识别信息，所述第二伺服带识别信息不同于所述第一伺服带识别信息，其中
在彼此相邻的两个伺服带中，第一组和第二组的组合均不同，所述第一组是由第一伺服读取磁头读取的一个伺服带中的一组伺服带识别信息及其所述纵向的相位，所述第二组是由第二伺服读取磁头读取的另一个伺服带中的一组伺服带识别信息及其所述纵向的相位。
(16)根据上述(15)所述的带状磁记录介质，其中
所述第一伺服带组由三个或更多个连续的第一伺服带组成，并且
所述第二伺服带组由三个或更多个连续的第二伺服带组成。
(17)根据上述(15)或(16)所述的带状磁记录介质，其中
磁性层还具有：第三伺服带组，所述第三伺服带组包括记录有第三伺服图案的三个或更多个第三伺服带，所述第三伺服图案嵌入有具有多个比特的第三伺服带识别信息，所述第三伺服带识别信息不同于所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息。
(18)根据上述(17)所述的带状磁记录介质，其中
所述第三伺服带组由三个或更多连续的第三伺服带组成。
(19)根据上述(17)或(18)所述的带状磁记录介质，其中
所述磁性层还具有：第四伺服带组，所述第四伺服带组包括记录有第四伺服图案的三个或更多个第四伺服带，所述第四伺服图案嵌入有具有多个比特的第四伺服带识别信息，所述第四伺服带识别信息不同于所述第一伺服带识别信息、所述第二伺服带识别信息和所述第三伺服带识别信息。
(20)根据上述(19)所述的带状磁记录介质，其中
所述第四伺服带组由三个或更多连续的第四伺服带组成。
(21)根据上述(15)至(20)任一者所述的带状磁记录介质，其中
所述第一伺服带识别信息具有含有两个或更多个不同类型的方位角倾斜部并对所述第一伺服带识别信息进行编码的多个伺服帧，
所述第二伺服带识别信息具有含有两个或更多个不同类型的方位角倾斜部并对所述第二伺服带识别信息进行编码的的多个伺服帧，并且
当将对所述第一伺服带识别信息进行编码的多个伺服帧和对所述第二伺服带识别信息进行编码的伺服帧相互比较时，至少一个方位角倾斜部的布置间隔的一部分互不相同。
(22)根据上述(17)所述的带状磁记录介质，其中
所述第一伺服带识别信息具有含有两个或更多个不同类型的方位角倾斜部并对所述第一伺服带识别信息进行编码的多个伺服帧，
所述第二伺服带识别信息具有含有两个或更多个不同类型的方位角倾斜部并对所述第二伺服带识别信息进行编码的多个伺服帧，
所述第三伺服带识别信息具有含有两个或更多个不同类型的方位角倾斜部并对所述第三伺服带识别信息进行编码的多个伺服帧，并且
当将对所述第一伺服带识别信息进行编码的多个伺服帧、对所述第二伺服带识别信息进行编码的伺服帧和对所述第三伺服带识别信息进行编码的多个伺服帧相互比较时，至少一个方位角倾斜部的布置间隔的一部分互不相同。
(23)根据上述(15)至(22)任一者所述的带状磁记录介质，还包括基材；
设置在所述基材的一个主表面和所述磁性层之间的基底层；以及
设置在所述基材的另一主表面上的背层。
(24)一种用于沿带状磁记录介质的纵向记录伺服图案的伺服写入磁头，包括：
第一磁头块，所述第一磁头块包括对应于三个或更多个连续的第一伺服带而布置的三个或更多个第一磁隙，所述三个或更多个第一磁隙被布置成使得所述三个或更多个第一磁隙中所包括的两个相邻的第一磁隙的所述纵向的相位的组合均不同；以及
第二磁头块，所述第二磁头块包括对应于三个或更多个连续的第二伺服带而布置的三个或更多个第二磁隙，所述三个或更多个第二磁隙被布置成使得所述三个或更多个第二磁隙中所包括的两个相邻的第二磁隙的所述纵向的相位的组合均不同，其中
在同一时刻将第一记录信号输出到所述第一磁头块并将第二记录信号输出到所述第二磁头块，所述第一记录信号用于记录具有多个比特的第一伺服带识别信息，所述第二记录信号用于记录具有多个比特的第二伺服带识别信息，所述第二伺服带识别信息不同于所述第一伺服带识别信息。
附图标记列表
1 磁带
4 磁性层
6 伺服图案
13 伺服写入磁头
20 驱动单元
30 控制器
61 第一伺服图案
62 第二伺服图案
100 伺服图案记录装置
d0至d11 数据频段
s0至s12 伺服带
SF、SF1、SF0 伺服帧
Claims (24)
1.一种沿带状磁记录介质的纵向记录伺服图案的方法，包括：
确定第一伺服带组和第二伺服带组，所述第一伺服带组由用于记录第一伺服图案的三个或更多个第一伺服带组成，所述第一伺服图案中嵌入了具有多个比特的第一伺服带识别信息，所述第二伺服带组由用于记录第二伺服图案的三个或更多个第二伺服带组成，所述第二伺服图案中嵌入了具有多个比特的第二伺服带识别信息，所述第二伺服带识别信息不同于所述第一伺服带识别信息；以及
将所述第一伺服带识别信息记录在所述第一伺服带组上，将所述第二伺服带识别信息记录在所述第二伺服带组上，使得在相邻的两个伺服带中，第一组和第二组的组合不重复，所述第一组是由第一伺服读取磁头读取的一个伺服带中的一组伺服带识别信息及其所述纵向的相位，所述第二组是由第二伺服读磁头读取的另一个伺服带中的一组伺服带识别信息及其所述纵向的相位。
2.根据权利要求1所述的伺服图案的记录方法，其中
所述第一伺服带组由三个或更多个连续的第一伺服带组成，并且
所述第二伺服带组由三个或更多个连续的第二伺服带组成。
3.如权利要求1所述的伺服图案的记录方法，还包括
确定第三伺服带组，所述第三伺服带组由用于记录第三伺服图案的三个或更多个第三伺服带组成，所述第三伺服图案中嵌入了具有多个比特的第三伺服带识别信息，所述第三伺服带识别信息不同于所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息。
4.如权利要求3所述的伺服图案的记录方法，其中
所述第三伺服带组由三个或更多个连续的第三伺服带组成。
5.如权利要求3所述的伺服图案记录方法，还包括
确定第四伺服带组，所述第四伺服带组由用于记录第四伺服图案的三个或更多个第四伺服带组成，所述第四伺服图案中嵌入了具有多个比特的第四伺服带识别信息，所述第四伺服带识别信息不同于所述第一伺服带识别信息、所述第二伺服带识别信息和所述第三伺服带识别信息。
6.如权利要求5所述的伺服图案的记录方法，其中
所述第四伺服带组由三个或更多个连续的第四伺服带组成。
7.一种沿带状磁记录介质的纵向记录伺服图案的装置，包括：
伺服写入磁头，所述伺服写入磁头具有：
第一磁头块，所述第一磁头块具有对应于三个或更多个连续的第一伺服带而布置的三个或更多个第一磁隙，所述三个或更多个第一磁隙被布置成使得所述三个或更多个第一磁隙中所包括的两个相邻的第一磁隙的所述纵向的相位的组合均不同，以及
第二磁头块，所述第二磁头块具有对应于三个或更多个连续的第二伺服带而布置的三个或更多个第二磁隙，所述三个或更多个第二磁隙被布置成使得所述三个或更多个第二磁隙中所包括的两个相邻的第二磁隙的所述纵向的相位的组合均不同；以及
驱动单元，所述驱动单元在同一时刻将第一记录信号输出到所述第一磁头块并将第二记录信号输出到所述第二磁头块，所述第一记录信号用于记录具有多个比特的第一伺服带识别信息，所述第二记录信号用于记录具有多个比特的第二伺服带识别信息，所述第二伺服带识别信息不同于所述第一伺服带识别信息。
8.如权利要求7所述的伺服图案记录装置，其中
所述伺服写入磁头还具有第三磁头块，所述第三磁头块具有对应于三个或更多个连续的第三伺服带而布置的三个或更多个第三磁隙，所述三个或更多个第三磁隙被布置成使得所述三个或更多个第三磁隙中所包括的两个相邻的第三磁隙的所述纵向的相位的组合均不同，并且
驱动单元在所述同一时刻将第三记录信号输出到所述第三磁头块，所述第三记录信号用于记录具有多个比特的第三伺服带识别信息，所述第三伺服带识别信息不同于所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息。
9.如权利要求8所述的伺服图案记录装置，其中
所述伺服写入磁头还具有不与所述第一磁头块相邻的另一第一磁头块，所述另一第一磁头块具有对应于一个或两个或更多个连续的第一伺服带而布置的一个或两个或更多个所述第一磁隙，并且所述第一磁头块、所述第二磁头块、所述第三磁头块和所述另一第一磁头块中的两个相邻磁头块的组合都不同，并且
驱动单元在所述同一时刻将所述第一记录信号输出到所述另一第一磁头块。
10.根据权利要求7所述的伺服图案记录装置，其中
所述第一磁隙能够将含有两个或更多个不同类型的方位角倾斜部并对所述第一伺服带识别信息进行编码的多个伺服帧记录在所述多个伺服带上，以作为所述第一伺服带识别信息，
所述第二磁隙能够将含有两个或更多个不同类型的方位角倾斜部并对所述第二伺服带识别信息编码的多个伺服帧记录在所述多个伺服带上，以作为所述第二伺服带识别信息，并且
所述驱动单元根据所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息之间的差异在互不相同的脉冲上升时刻输出所述第一记录信号和所述第二记录信号。
11.根据权利要求8所述的伺服图案记录装置，其中
所述第一磁隙能够将含有两个或更多个不同类型的方位角倾斜部并对所述第一伺服带识别信息进行编码的多个伺服帧记录在所述多个伺服带上，以作为所述第一伺服带识别信息，
所述第二磁隙能够将含有两个或更多个不同类型的方位角倾斜部并对所述第二伺服带识别信息进行编码的多个伺服帧记录在所述多个伺服带上，以作为所述第二伺服带识别信息，
所述第三磁隙能够将含有两个或更多个不同类型的方位角倾斜部并对所述第三伺服带识别信息进行编码的多个伺服帧记录在所述多个伺服带上，以作为所述第三伺服带识别信息，并且
所述驱动单元根据所述第一伺服带识别信息、所述第二伺服带识别信息和所述第三伺服带识别信息之间的差异，在互不相同的脉冲上升时刻输出所述第一记录信号、所述第二记录信号和所述第三记录信号。
12.如权利要求7所述的伺服图案记录装置，其中
所述第一磁头块是形成有所述三个或更多个第一磁隙的一个磁头块，并且
所述第二磁头块是形成有三个或更多个第二磁隙的一个磁头块。
13.根据权利要求7所述的伺服图案记录装置，其中
所述第一磁头块是通过粘合各自形成有所述三个或更多个第一磁隙的每一个的三个或更多个第一分割磁头块而获得的，并且
所述第二磁头块是通过粘合各自形成有所述三个或更多个第二磁隙的每一个的三个或更多个第二分割磁头块而获得的。
14.一种制造具有磁性层的带状磁记录介质的方法，所述磁性层具有在纵向上延伸的六个或更多个伺服带，所述方法包括：
确定第一伺服带组和第二伺服带组，所述第一伺服带组包括用于记录第一伺服图案的三个或更多个第一伺服带，所述第一伺服图案中嵌入有具有多个比特的第一伺服带识别信息，所述第二伺服带组包括用于记录第二伺服图案的三个或更多个第二伺服带，所述第二伺服图案中嵌入有具有多个比特的第二伺服带识别信息，所述第二伺服带识别信息不同于所述第一伺服带识别信息；以及
将所述第一伺服带识别信息记录在所述第一伺服带组上，将所述第二伺服带识别信息记录在所述第二伺服带组上，使得在彼此相邻的两个伺服带中，第一组和第二组的组合不重复，所述第一组是由第一伺服读取磁头读取的一个伺服带中的一组伺服带识别信息及其所述纵向的相位，所述第二组是由第二伺服读磁头读取的另一个伺服带中的一组伺服带识别信息及其所述纵向的相位。
15.一种带状磁记录介质，具有：
磁性层，所述磁性层具有在纵向上延伸的多个伺服带，
所述磁性层具有：
第一伺服带组，所述第一伺服带组包括记录有第一伺服图案的三个或更多个第一伺服带，所述第一伺服图案嵌入有具有多个比特的第一伺服带识别信息，以及
第二伺服带组，所述第二伺服带组包括记录有第二伺服图案的三个或更多个第二伺服带，所述第二伺服图案嵌入有具有多个比特的第二伺服带识别信息，所述第二伺服带识别信息不同于所述第一伺服带识别信息，其中
在彼此相邻的两个伺服带中，第一组和第二组的组合均不同，所述第一组是由第一伺服读取磁头读取的一个伺服带中的一组伺服带识别信息及其所述纵向的相位，所述第二组是由第二伺服读取磁头读取的另一个伺服带中的一组伺服带识别信息及其所述纵向的相位。
16.如权利要求15所述的带状磁记录介质，其中
所述第一伺服带组由三个或更多个连续的第一伺服带组成，并且
所述第二伺服带组由三个或更多个连续的第二伺服带组成。
17.如权利要求15所述的带状磁记录介质，其中
磁性层还具有：第三伺服带组，所述第三伺服带组包括记录有第三伺服图案的三个或更多个第三伺服带，所述第三伺服图案嵌入有具有多个比特的第三伺服带识别信息，所述第三伺服带识别信息不同于所述第一伺服带识别信息和所述第二伺服带识别信息。
18.如权利要求17所述的带状磁记录介质，其中
所述第三伺服带组由三个或更多连续的第三伺服带组成。
19.如权利要求17所述的带状磁记录介质，其中
所述磁性层还具有：第四伺服带组，所述第四伺服带组包括记录有第四伺服图案的三个或更多个第四伺服带，所述第四伺服图案嵌入有具有多个比特的第四伺服带识别信息，所述第四伺服带识别信息不同于所述第一伺服带识别信息、所述第二伺服带识别信息和所述第三伺服带识别信息。
20.如权利要求19所述的带状磁记录介质，其中
所述第四伺服带组由三个或更多连续的第四伺服带组成。
21.如权利要求15所述的带状磁记录介质，其中
所述第一伺服带识别信息具有含有两个或更多个不同类型的方位角倾斜部并对所述第一伺服带识别信息进行编码的多个伺服帧，
所述第二伺服带识别信息具有含有两个或更多个不同类型的方位角倾斜部并对所述第二伺服带识别信息进行编码的的多个伺服帧，并且
当将对所述第一伺服带识别信息进行编码的多个伺服帧和对所述第二伺服带识别信息进行编码的伺服帧相互比较时，至少一个方位角倾斜部的布置间隔的一部分互不相同。
22.如权利要求17所述的带状磁记录介质，其中
所述第一伺服带识别信息具有含有两个或更多个不同类型的方位角倾斜部并对所述第一伺服带识别信息进行编码的多个伺服帧，
所述第二伺服带识别信息具有含有两个或更多个不同类型的方位角倾斜部并对所述第二伺服带识别信息进行编码的多个伺服帧，
所述第三伺服带识别信息具有含有两个或更多个不同类型的方位角倾斜部并对所述第三伺服带识别信息进行编码的多个伺服帧，并且
当将对所述第一伺服带识别信息进行编码的多个伺服帧、对所述第二伺服带识别信息进行编码的伺服帧和对所述第三伺服带识别信息进行编码的多个伺服帧相互比较时，至少一个方位角倾斜部的布置间隔的一部分互不相同。
23.如权利要求15所述的带状磁记录介质，还包括
基材；
设置在所述基材的一个主表面和所述磁性层之间的基底层；以及
设置在所述基材的另一主表面上的背层。
24.一种用于沿带状磁记录介质的纵向记录伺服图案的伺服写入磁头，包括：
第一磁头块，所述第一磁头块包括对应于三个或更多个连续的第一伺服带而布置的三个或更多个第一磁隙，所述三个或更多个第一磁隙被布置成使得所述三个或更多个第一磁隙中所包括的两个相邻的第一磁隙的所述纵向的相位的组合均不同；以及
第二磁头块，所述第二磁头块包括对应于三个或更多个连续的第二伺服带而布置的三个或更多个第二磁隙，所述三个或更多个第二磁隙被布置成使得所述三个或更多个第二磁隙中所包括的两个相邻的第二磁隙的所述纵向的相位的组合均不同，其中
在同一时刻将第一记录信号输出到所述第一磁头块并将第二记录信号输出到所述第二磁头块，所述第一记录信号用于记录具有多个比特的第一伺服带识别信息，所述第二记录信号用于记录具有多个比特的第二伺服带识别信息，所述第二伺服带识别信息不同于所述第一伺服带识别信息。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021-039338 | 2021-03-11 | ||
| JP2021039338A JP7444115B2 (ja) | 2021-03-11 | 2021-03-11 | サーボパターン記録方法、サーボパターン記録装置、テープ状磁気記録媒体の製造方法、テープ状磁気記録媒体及びサーボライトヘッド |
| PCT/JP2022/008219 WO2022190928A1 (ja) | 2021-03-11 | 2022-02-28 | サーボパターン記録方法、サーボパターン記録装置、テープ状磁気記録媒体の製造方法、テープ状磁気記録媒体及びサーボライトヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116964673A true CN116964673A (zh) | 2023-10-27 |
Family
ID=83226810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202280018627.2A Pending CN116964673A (zh) | 2021-03-11 | 2022-02-28 | 伺服图案记录方法、伺服图案记录装置、带状磁记录介质的制造方法、带状磁记录介质和伺服写入磁头 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240153535A1 (zh) |
| EP (1) | EP4307300A4 (zh) |
| JP (1) | JP7444115B2 (zh) |
| CN (1) | CN116964673A (zh) |
| WO (1) | WO2022190928A1 (zh) |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2617653B2 (ja) | 1992-08-06 | 1997-06-04 | 三菱重工業株式会社 | チップ荷役装置 |
| US6674604B1 (en) * | 1999-06-30 | 2004-01-06 | Seagate Technology Llc | AC unlatch using grey code detection with zone partitioning |
| US6934115B1 (en) * | 2002-04-25 | 2005-08-23 | Storage Technology Corporation | Band identification using a single C-core servo write head for timing based servo patterns |
| US6912104B2 (en) * | 2002-04-30 | 2005-06-28 | Storage Technology Corporation | Timing based servo pattern incorporating band encoding |
| US7139151B2 (en) | 2003-03-03 | 2006-11-21 | Imation Corp. | Band identification in time-based servopositioning formats |
| EP1528540A1 (en) * | 2003-10-29 | 2005-05-04 | Storage Technology Corporation | Timing based servo pattern incorporating band encoding |
| US7038871B2 (en) * | 2003-11-10 | 2006-05-02 | Imation Corp. | Multi-band servo patterns with inherent track ID |
| US7095583B2 (en) * | 2004-06-02 | 2006-08-22 | Imation Corp. | Dual mode servo pattern |
| US7538969B2 (en) * | 2006-08-23 | 2009-05-26 | Imation Corp. | Servo pattern with encoded data |
| US7864487B2 (en) | 2008-05-09 | 2011-01-04 | International Business Machines Corporation | Head design for writing servo patterns on magnetic tape |
| GB2518678A (en) * | 2013-09-30 | 2015-04-01 | Ibm | Reading from a tape storage medium |
| US10923143B2 (en) | 2018-05-10 | 2021-02-16 | Quantum Lto Holdings, Llc | Magnetic tape device capable of determining the vertical position of magnetic head based on pattern combinations comprising servo band identifiers |
| WO2020090124A1 (ja) * | 2018-10-29 | 2020-05-07 | ソニー株式会社 | サーボパターン記録方法、サーボパターン記録装置、テープ状磁気記録媒体の製造方法及びテープ状磁気記録媒体 |
-
2021
- 2021-03-11 JP JP2021039338A patent/JP7444115B2/ja active Active
-
2022
- 2022-02-28 CN CN202280018627.2A patent/CN116964673A/zh active Pending
- 2022-02-28 US US18/281,144 patent/US20240153535A1/en active Pending
- 2022-02-28 WO PCT/JP2022/008219 patent/WO2022190928A1/ja active Application Filing
- 2022-02-28 EP EP22766887.8A patent/EP4307300A4/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2022190928A1 (ja) | 2022-09-15 |
| EP4307300A1 (en) | 2024-01-17 |
| JP7444115B2 (ja) | 2024-03-06 |
| US20240153535A1 (en) | 2024-05-09 |
| EP4307300A4 (en) | 2024-08-21 |
| JP2022139099A (ja) | 2022-09-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7380214B2 (ja) | テープ状磁気記録媒体 | |
| WO2021033334A1 (ja) | 磁気記録媒体、カートリッジおよび記録再生装置 | |
| JP6747570B1 (ja) | 磁気記録媒体、カートリッジおよび記録再生装置 | |
| JP7528947B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| WO2023037585A1 (ja) | サーボパターン記録装置、サーボパターン記録方法、磁気テープの製造方法、磁気テープ | |
| WO2021065019A1 (ja) | 磁気記録媒体、磁気記録再生装置および磁気記録媒体カートリッジ | |
| JP6996649B2 (ja) | 磁気記録媒体、カートリッジおよび記録再生装置 | |
| JP7444115B2 (ja) | サーボパターン記録方法、サーボパターン記録装置、テープ状磁気記録媒体の製造方法、テープ状磁気記録媒体及びサーボライトヘッド | |
| US20240161775A1 (en) | Servo pattern recording method, servo pattern recording apparatus, method of producing magnetic tape, magnetic tape, and tape cartridge | |
| WO2022211049A1 (ja) | 磁気ヘッド、サーボパターン記録装置、テープドライブ装置、磁気テープの製造方法および記録方法 | |
| WO2021095720A1 (ja) | サーボライタおよびカートリッジ | |
| WO2024070719A1 (ja) | 磁気記録媒体およびカートリッジ | |
| JP6743991B1 (ja) | カートリッジおよび記録再生装置 | |
| WO2023153024A1 (ja) | サーボ記録装置、サーボライトヘッド、磁気テープの製造方法及び磁気テープ | |
| WO2024090286A1 (ja) | 磁気記録カートリッジ | |
| JP6743960B1 (ja) | 磁気記録媒体、カートリッジおよび記録再生装置 | |
| WO2024090258A1 (ja) | 磁気記録カートリッジ | |
| WO2024070554A1 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| WO2024075416A1 (ja) | 磁気テープおよびテープカートリッジ | |
| WO2022211065A1 (ja) | 磁気記録媒体およびカートリッジ | |
| JP2024084954A (ja) | 磁気テープ、磁気テープカートリッジおよび磁気テープ装置 | |
| JP2024042267A (ja) | 磁気テープ、磁気テープカートリッジおよび磁気テープ装置 | |
| CN118661222A (zh) | 伺服记录设备、伺服写头、磁带的制作方法和磁带 | |
| JP2024084955A (ja) | 磁気テープ、磁気テープカートリッジおよび磁気テープ装置 | |
| JP2006294078A (ja) | 磁気テープおよびその記録再生方法、ならびに磁気テープカートリッジ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |