CN116947576A - 一种多面体低聚硅倍半氧烷包覆二硝酰胺铵的简易制备方法 - Google Patents

一种多面体低聚硅倍半氧烷包覆二硝酰胺铵的简易制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种多面体低聚硅倍半氧烷(POSS)包覆二硝酰胺铵(ADN)的制备方法。本发明将POSS溶解于二氯甲烷等溶剂中形成溶液,ADN固体颗粒分散于溶液中,通过简单的溶剂蒸发法,即可得到形貌均一的POSS薄膜保护的二硝酰胺铵晶体颗粒,无需进一步复杂的后处理工序。POSS包覆的ADN颗粒吸湿性显著降低。

Description

一种多面体低聚硅倍半氧烷包覆二硝酰胺铵的简易制备方法
技术领域
本发明涉及一种二硝酰胺铵晶体的包覆方法,属于含能材料制备领域。
背景技术
二硝酰胺铵(ADN)具有能量高、不含卤素等特点,是一种绿色、环保的高能氧化剂,是传统氧化剂高氯酸铵的理想替代物。然而,ADN固体颗粒存在易吸湿团聚、感度高等不足,在将其用于制造复合固体推进剂中时,ADN表面吸附的水可与常见异氰酸酯固化剂反应,生成CO2气体,在推进剂基体中形成气孔,导致推进剂力学和燃速特性发生改变。其次,ADN吸附的水还导致推进剂药浆的工艺发生恶化,药浆粘度大,流动性差。这些不足制约了其在复合推进剂中的实际应用。
ADN的球形化并不能从根本上解决其吸湿性问题。因此,对ADN表面包覆成为改善其吸湿性能的焦点之一。目前用于ADN包覆的物质主要有以下几大类:一是高分子预聚物粘合剂体系,例如端羟基聚丁二烯及相应固化剂等;二是传统的高分子聚合物体系,例如聚丙烯酸酯,聚甲基丙烯酸酯等;三是含氟聚合物体系,例如全氟聚醚、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯等;四是新型碳材料系列,例如石墨烯,碳纳米管等。五是表面活性剂、硅烷偶联剂等。
上述包覆材料采用的包覆方法主要包括交联固化包覆、原子层沉积、静电喷雾、皮克林乳液法、流化床技术等,方法较为复杂。专利CN 103880569 A公开了一种ADN表面改性包覆方法,其方法是将ADN加热至完全融化,在分散介质和表面改性包覆剂共同存在的条件下,降温析出固体颗粒,过滤得到表面改性包覆的ADN颗粒,使用的表面改性包覆剂其中一类为有机氟类偶联剂。该方法要求加热至ADN熔点92℃,体系所需温度较高,存在较大安全隐患。专利CN103668113A公开了一种ADN球形化颗粒形貌的维持方法,即通过原子层沉积技术对ADN表面包覆一层氧化铝包覆膜,从而能够在潮湿环境下保持其形貌特征。但该方法操作复杂,反应条件苛刻,需要先将体系内通入惰性气体再抽真空,腔内压力控制在133~500Pa范围内。综上看出,目前公开报道的ADN包覆方法均存在操作过程繁琐,安全隐患高等不足。
发明内容
为了有效安全地实现对ADN颗粒表面包覆,有效降低其吸湿性能,本发明实现了一种实验条件温和且操作简单的ADN表面包覆方法。
本发明采用了一类新型有效的用于ADN防吸湿的包覆材料,即多面体低聚硅倍半氧烷(POSS)。
本发明一种POSS包覆ADN晶体颗粒的制备方法,是以ADN晶粒为芯材,以POSS为包覆材料,将POSS溶解在ADN的非溶剂中,然后使其充分混合后,通过旋蒸法除去溶剂,最后获得POSS包覆ADN晶体产物。本发明的目的在于提供了一种简单有效的ADN晶体颗粒包覆技术。
技术方案
1.一种POSS包覆ADN颗粒的制备方法,其步骤包括:
步骤一,将POSS溶解在溶剂中,形成含有POSS的溶液。
步骤二,将适量的ADN晶体颗粒加入步骤一含有POSS的溶液中,将此混合物置于加热装置中,在溶剂回流温度下,搅拌0.5~3小时。
步骤三,采用旋转蒸发仪除去步骤二混合物中的溶剂。
步骤四,将步骤三中得到的固体粉末置于真空干燥箱中干燥2小时,即可得到POSS包覆的ADN颗粒。
2.POSS包覆ADN制备方法步骤一中所述的POSS包括各种不同类型的POSS及其衍生物,具体为:七异丁基不完全缩聚多面体低聚硅倍半氧烷锂盐(Li-ibu-T7-POSS),单氨丙基七苯基硅倍半氧烷(aminopropyl-ph-T8-POSS),七苯基不完全缩聚多面体低聚硅倍半氧烷锂盐(Li-ph-T7-POSS),七苯基不完全缩聚多面体低聚硅倍半氧烷三硅醇(ph-T7-POSS),七苯基不完全缩聚多面体低聚硅倍半氧烷钠盐(Na-ph-T7-POSS),七异丁基不完全缩聚多面体低聚硅倍半氧烷三硅醇(ibu-T7-POSS),直链梯形聚苯基硅倍半氧烷(L-PPSQ),八硝基苯基硅倍半氧烷(ONPS),八(二硝基苯基)硅倍半氧烷(ODNPS),笼形八苯基硅倍半氧烷(OPS),及其两种或多种的混合物。
3.POSS包覆ADN制备方法步骤一中,所述的溶剂仅能溶解所选取的POSS但不溶解ADN,具体为:二氯甲烷、三氯甲烷或其混合物。
4.制备方法步骤一中所述的POSS溶液浓度为0.0005~0.1g/mL。
5.制备方法步骤二中,添加的ADN晶体颗粒质量为POSS质量的5~1000倍;所述的ADN晶体颗粒形貌为球形、准球形、片状、针状中的一种或其混合物。
6.制备方法步骤二中所述的回流温度为所选溶剂的沸点,具体为二氯甲烷、三氯甲烷或其混合物的沸点。
有益效果
本发明利用溶剂蒸发法制备了POSS包覆的ADN颗粒,工艺简单,成本低廉,无需复杂的后处理工艺即可得到包覆形貌完整的ADN颗粒。其显著优点包括:(1)工艺操作简单,温度低,能耗低,成本低廉,有望实现批量制备;(2)产品品质高,得到的包覆后的ADN形貌完好均一,产率高;(3)POSS包覆的ADN颗粒吸湿性显著降低;(4)在潮湿环境中,包覆膜对吸湿后的ADN起到结构支撑作用,使其不至于溶化呈液态的ADN溶液。
附图说明
六种POSS(Li-ibu-T7-POSS,aminopropyl-ph-T8-POSS,Li-ph-T7-POSS,ph-T7-POSS,Na-ph-T7-POSS,ibu-T7-POSS)包覆球形ADN后的产品依次被命名为ADN1,ADN2,ADN3,ADN4,ADN5,ADN6。图1中(a~f)分别表示POSS包覆ADN后形成的完整包覆层形貌图。
具体实施方式
下面通过实施例对本发明进行具体描述。有必要指出的是以下实施例只用于对本发明进行进一步说明,不能理解为对本发明保护范围的限制。凡是在本申请技术方案基础上做的等同变化均落入本发明的保护范围。
实施例1
本实施例给出了一种Li-ibu-T7-POSS包覆球形ADN的方法,该方法具体包括以下步骤:
步骤一,将0.05g Li-ibu-T7-POSS溶解在30mL二氯甲烷溶剂中,得到溶液。
步骤二,向步骤一的溶液中加入1g的球形ADN晶体,将ADN颗粒与POSS溶液混合物置于加热装置中,在二氯甲烷的回流温度下,加热搅拌1小时。
步骤三,采用旋转蒸发仪除去步骤二混合物中的溶剂。
步骤四,将步骤三中得到的固体粉末置于真空干燥箱中干燥2小时,得到Li-ibu-T7-POSS包覆的球形ADN粉末,产率约为95%。在温度20℃,相对湿度70%条件下,与未包覆的ADN(吸湿率为38.5%)相比,吸湿率降低23.2%。
实施例2
本实施例给出了一种aminopropyl-ph-T8-POSS包覆球形ADN的方法:
步骤一,将0.05g aminopropyl-ph-T8-POSS溶解在50mL二氯甲烷溶剂中,得到溶液。
步骤二,向步骤一的溶液中加入1g的球形ADN晶体,将ADN颗粒与POSS溶液混合物置于加热装置中,在二氯甲烷回流温度下,加热搅拌2小时。
步骤三,采用旋转蒸发仪除去步骤二混合物中的溶剂。
步骤四,将步骤三中得到的固体粉末置于真空干燥箱中干燥2小时,得到aminopropyl-ph-T8-POSS包覆的球形ADN粉末,产率约为90%。在温度20℃,相对湿度70%条件下,与未包覆的ADN(吸湿率为38.5%)相比,吸湿率降低21.5%。
实施例3
本实施例给出了一种Li-ph-T7-POSS包覆球形ADN的方法:
步骤一,将0.05g Li-ph-T7-POSS溶解在100mL三氯甲烷溶剂中,得到溶液。
步骤二,向步骤一的溶液中加入1g的球形ADN晶体,将ADN颗粒与POSS溶液混合物置于加热装置中,在三氯甲烷回流温度下,加热搅拌3小时。
步骤三,采用旋转蒸发仪除去步骤二混合物中的溶剂。
步骤四,将步骤三中得到的固体粉末置于真空干燥箱中干燥2小时,得到Li-ph-T7-POSS包覆的球形ADN粉末,产率约为93%。在温度20℃,相对湿度70%条件下,与未包覆的ADN(吸湿率为38.5%)相比,吸湿率降低10.8%。
实施例4
本实施例给出了一种ph-T7-POSS包覆球形ADN的方法:
步骤一,将0.05g ph-T7-POSS溶解在40mL二氯甲烷溶剂中,得到溶液。
步骤二,向步骤一的溶液中加入1g的球形ADN晶体,将ADN颗粒与POSS溶液混合物置于加热装置中,在二氯甲烷回流温度下,加热搅拌1.5小时。
步骤三,采用旋转蒸发仪除去步骤二混合物中的溶剂。
步骤四,将步骤三中得到的固体粉末置于真空干燥箱中干燥2小时,得到ph-T7-POSS包覆的球形ADN粉末,产率约为91%。在温度20℃,相对湿度70%条件下,与未包覆的ADN(吸湿率为38.5%)相比,吸湿率降低21.7%。
实施例5
本实施例给出了一种Na-ph-T7-POSS包覆球形ADN的方法:
步骤一,将0.05g Na-ph-T7-POSS溶解在20mL二氯甲烷溶剂中,得到溶液。
步骤二,向步骤一的溶液中加入1g的球形ADN晶体,将ADN颗粒与POSS溶液混合物置于加热装置中,在二氯甲烷回流温度下,加热搅拌2.5小时。
步骤三,采用旋转蒸发仪除去步骤二混合物中的溶剂。
步骤四,将步骤三中得到的固体粉末置于真空干燥箱中干燥2小时,得到Na-ph-T7-POSS包覆的球形ADN粉末,产率约为94%。在温度20℃,相对湿度70%条件下,与未包覆的ADN(吸湿率为38.5%)相比,吸湿率降低20.3%。
实施例6
本实施例给出了一种ibu-T7-POSS包覆球形ADN的方法:
步骤一,将0.05g ibu-T7-POSS溶解在30mL二氯甲烷溶剂中,得到溶液。
步骤二,向步骤一的溶液中加入1g的球形ADN晶体,将ADN颗粒与POSS溶液混合物置于加热装置中,在二氯甲烷回流温度下,加热搅拌3小时。
步骤三,采用旋转蒸发仪除去步骤二混合物中的溶剂。
步骤四,将步骤三中得到的固体粉末置于真空干燥箱中干燥2小时,得到ibu-T7-POSS包覆的球形ADN粉末,产率约为93%。在温度20℃,相对湿度70%条件下,与未包覆的ADN(吸湿率为38.5%)相比,吸湿率降低29.1%。

Claims (6)

1.一种多面体低聚硅倍半氧烷(POSS)包覆二硝酰胺铵(ADN)的制备方法,其步骤包括:
步骤一,将POSS溶解在溶剂中形成含有POSS的溶液。
步骤二,将ADN晶体颗粒加入步骤一含有POSS的溶液中,将此混合物置于加热装置中,在溶剂回流温度下,加热搅拌0.5~3小时。
步骤三,采用旋转蒸发仪除去步骤二混合物中的溶剂。
步骤四,将步骤三中得到的固体颗粒置于真空干燥箱中干燥2小时,得到POSS包覆的ADN颗粒。
2.权利要求1步骤一中所述的POSS包括各种不同类型的POSS及其衍生物,具体为:七异丁基不完全缩聚多面体低聚硅倍半氧烷锂盐(Li-ibu-T7-POSS),单氨丙基七苯基硅倍半氧烷(aminopropyl-ph-T8-POSS),七苯基不完全缩聚多面体低聚硅倍半氧烷锂盐(Li-ph-T7-POSS),七苯基不完全缩聚多面体低聚硅倍半氧烷三硅醇(ph-T7-POSS),七苯基不完全缩聚多面体低聚硅倍半氧烷钠盐(Na-ph-T7-POSS),七异丁基不完全缩聚多面体低聚硅倍半氧烷三硅醇(ibu-T7-POSS),直链梯形聚苯基硅倍半氧烷(L-PPSQ),八硝基苯基硅倍半氧烷(ONPS),八(二硝基苯基)硅倍半氧烷(ODNPS),笼形八苯基硅倍半氧烷(OPS),及其两种或多种的混合物。
3.权利要求1步骤一中所述的溶剂仅能溶解所选取的POSS但不能溶解ADN,具体为:二氯甲烷、三氯甲烷或其混合物。
4.权利要求1步骤一中所述的POSS溶液浓度为0.0005~0.1g/mL。
5.权利要求1步骤二中,添加的ADN晶体质量为POSS质量的5~1000倍;所述的ADN晶体颗粒形貌为球形、准球形、片状、针状中的一种或其混合物。
6.权利要求1步骤二中所述的回流温度为所用溶剂的沸点,具体为二氯甲烷、三氯甲烷或其混合物的沸点。
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