CN116925114A - 一种含硼有机化合物及其制备的有机电致发光器件 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种含硼有机化合物及其制备的有机电致发光器件，属于半导体技术领域。本发明有机化合物的结构如通式(1)或通式(2)所示，本发明的化合物具有窄半峰宽、高荧光量子产率，可用作有机电致发光器件的发光层绿光掺杂材料，从而提升器件的发光色纯度和效率，并显著提升器件寿命。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种含硼有机化合物及其制备的有机电致发光器件。
背景技术
传统荧光掺杂材料受限于早期的技术，只能利用电激发形成的25％单线态激子发光，器件的内量子效率较低(最高为25％)，外量子效率普遍低于5％，与磷光器件的效率还有很大差距。磷光材料由于重原子中心强的自旋-轨道耦合增强了系间窜越，可以有效利用电激发形成的单线态激子和三线态激子发光，使器件的内量子效率达100％。但多数磷光材料价格昂贵，材料稳定性较差，色纯度较差，器件效率滚落严重等问题限制了其在OLED的应用。
随着5G时代的到来，对显色标准提出了更高的要求，发光材料除了高效、稳定，也需要更窄的半峰宽以提升器件发光色纯度。荧光掺杂材料可通过分子工程，实现高荧光量子、窄半峰宽，蓝色荧光掺杂材料已获得阶段性突破，硼类材料半峰宽可降低至30nm以下；而人眼更为敏感的绿光区域，研究主要集中在磷光掺杂材料，但其发光峰形难以通过简单方法缩窄，因此为满足更高的显色标准，研究窄半峰宽的高效绿色荧光掺杂材料具有重要意义。
另外，TADF敏化荧光技术(TSF)将TADF材料与荧光掺杂材料相结合，利用TADF材料作为激子敏化媒介，将电激发形成的三线态激子转变为单线态激子，通过单线态激子长程能量传递将能量传递给荧光掺杂材料，同样可以达到100％的器件内量子效率，该技术能弥补荧光掺杂材料激子利用率不足的缺点，有效发挥荧光掺杂材料高荧光量子产率、高器件稳定性、高色纯度及价廉的特点，在OLEDs应用上具有广阔前景。
具有共振结构的硼类化合物更容易实现窄半峰宽发光，该类材料应用于TADF敏化荧光技术中，可以实现高效率、窄半峰宽发射的器件制备。如CN107507921A和CN110492006A中，公开了以最低单线态和最低三线态能级差小于等于0.2eV的TADF材料为主体，含硼类材料为掺杂的发光层组合技术；CN110492005A和CN110492009A中公开以激基复合物为主体，含硼类材料为掺杂的发光层组合方案；均能实现与磷光媲美的效率、相对较窄的半峰宽。因此，开发基于窄半峰宽硼类发光材料的TADF敏化荧光技术，在面向BT.2020显示指标上，具有独特的优势及强劲的潜力。
发明内容
针对现有技术存在的上述问题，本发明申请提供了一种含硼有机化合物及其制备的有机电致发光器件。本发明的化合物通过在硼氮稠环上结合五元环框架，降低环框架中的张力，从而提高材料的稳定性以及器件的稳定性，使得化合物具有窄半峰宽、高荧光量子产率，可用作有机电致发光器件的发光层绿光掺杂材料，从而提升器件的发光色纯度和寿命。
本发明的技术方案如下：一种含硼有机化合物，所述含硼有机化合物的结构如通式(1)或通式(2)所示：
通式(1)、通式(2)中，Z表示为C-R1，R1每次出现相同或不同的表示为氢原子、氘原子、氚原子、卤素原子、取代或未取代的C1～C10烷基、取代或未取代的C3～C10环烷基、取代或未取代的C1～C10烷氧基、取代或未取代的C1～C10芳氧基、取代或未取代的芳胺基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C2～C30杂芳基中的一种；
M1、M2表示为取代或未取代的的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30杂芳基中的一种；
X、Y1分别独立地表示为N(R2)、C(R3)(R4)、Si(R5)(R6)、O或S；
R2表示为取代或未取代的C1～C10烷基、取代或未取代的C3～C10环烷基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C2～C30杂芳基中的一种；
R3、R4、R5、R6分别独立地表示为氢原子、氘原子、氚原子、卤素原子、取代或未取代的C1～C10烷基、取代或未取代的C3～C10环烷基、取代或未取代的C1～C10烷氧基、取代或未取代的C1～C10芳氧基、取代或未取代的芳胺基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C2～C30杂芳基中的一种；
Ar表示为取代或未取代的的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30杂芳基中的一种；Ar还可以与相邻的R1键结成五元环或者六元环；
用于取代基团的取代基任选自氘原子、氚原子、卤素原子、C1～C10的烷基、C3～C10的环烷基、C6～C30芳基、C2～C30杂芳基中的一种或多种。
优选地，所述含硼有机化合物的结构如通式(1-1)或通式(2-1)所示：
通式(1-1)、通式(2-1)中，Z表示为C-R1，R1每次出现相同或不同的表示为氢原子、氘原子、氚原子、卤素原子、取代或未取代的C1～C10烷基、取代或未取代的C3～C10环烷基、取代或未取代的C1～C10烷氧基、取代或未取代的C1～C10芳氧基、取代或未取代的芳胺基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C2～C30杂芳基中的一种；
M1表示为取代或未取代的的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30杂芳基中的一种；
X、Y1分别独立地表示为N(R2)、C(R3)(R4)、Si(R5)(R6)、O或S；
R2表示为取代或未取代的C1～C10烷基、取代或未取代的C3～C10环烷基、、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C2～C30杂芳基中的一种；
R3、R4、R5、R6分别独立地表示为氢原子、氘原子、氚原子、卤素原子、取代或未取代的C1～C10烷基、取代或未取代的C3～C10环烷基、取代或未取代的C1～C10烷氧基、取代或未取代的C1～C10芳氧基、取代或未取代的芳胺基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C2～C30杂芳基中的一种；
Ar表示为取代或未取代的的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30杂芳基中的一种；
用于取代基团的取代基任选自氘原子、氚原子、卤素原子、C1～C10的烷基、C3～C10的环烷基、C6～C30芳基、C2～C30杂芳基中的一种或多种。
优选地，所述有机化合物的结构如通式(3)-通式(12)中任一种所示：
通式(3)-通式(12)中，Z、Ar、Y1的含义同上文中的限定；R5、R6的含义同上文中的限定。优选地，所述有机化合物的结构如通式(13)-通式(24)中任一种所示：
通式(13)-通式(24)中，Z、Ar、Y1的含义同上文中的限定；
Y2表示为N(R2)、C(R3)(R4)、Si(R5)(R6)、O或S；R2、R3、R4、R5、R6的含义同上文中的限定。
优选地，所述有机化合物的结构如通式(1-2)-通式(2-2)中任一种所示：
通式(1-2)和通式(2-2)中，Z表示为C-R1，R1每次出现相同或不同的表示为氢原子、氘原子、氚原子、卤素原子、取代或未取代的C1～C10烷基、取代或未取代的C3～C10环烷基、取代或未取代的C1～C10烷氧基、取代或未取代的C1～C10芳氧基、取代或未取代的芳胺基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C2～C30杂芳基中的一种；
X、Y1分别独立地表示为N(R2)、C(R3)(R4)、Si(R5)(R6)、O或S；R2表示为取代或未取代的C1～C10烷基、取代或未取代的C3～C10环烷基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C2～C30杂芳基中的一种；
R3、R4、R5、R6分别独立地表示为氢原子、氘原子、氚原子、取代或未取代的C1～C10烷基、取代或未取代的C3～C10环烷基、取代或未取代的C1～C10烷氧基、取代或未取代的C1～C10芳氧基、取代或未取代的芳胺基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C2～C30杂芳基中的一种；
Ar表示为取代或未取代的的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30杂芳基中的一种；
Ra、Rb分别独立地表示为氢原子、氘原子、氚原子、卤素原子、取代或未取代的C1～C10烷基、取代或未取代的C3～C10环烷基、取代或未取代的C1～C10烷氧基、取代或未取代的C1～C10芳氧基、取代或未取代的芳胺基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C2～C30杂芳基中的一种；
用于取代基团的取代基任选自氘原子、氚原子、卤素原子、C1～C10的烷基、C3～C10的环烷基、C6～C30芳基、C2～C30杂芳基中的一种或多种。
进一步优选，所述R1、Ra、Rb每次出现相同或不同的表示为氢原子、氘原子、氚原子、卤素原子、金刚烷基、甲基、氘代甲基、氚代甲基、三氟甲基、乙基、氘代乙基、氚代乙基、异丙基、氘代异丙基、氚代异丙基、叔丁基、氘代叔丁基、氚代叔丁基、环戊基、氘代环戊基、氚代环戊基、甲基取代的环戊基、环己基、苯基、氘代苯基、氚代苯基、二联苯基、氘代二联苯基、氚代二联苯基、三联苯基、氘代三联苯基、氚代三联苯基、二苯醚基、甲基取代的二苯醚基、萘基、蒽基、菲基、吡啶基、苯基取代的吡啶基、喹啉基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、N-苯基咔唑基、9,9-二甲基芴基、螺芴基、甲基取代的苯基、乙基取代的苯基、异丙基取代的苯基、叔丁基取代的苯基、甲基取代的二联苯基、乙基取代的二联苯基、异丙基取代的二联苯基、叔丁基取代的二联苯基、氘代甲基取代的苯基、氘代乙基取代的苯基、氘代异丙基取代的苯基、氘代叔丁基取代的苯基、氘代甲基取代的二联苯基、氘代乙基取代的二联苯基、氘代异丙基取代的二联苯基、氘代叔丁基取代的二联苯基、苯基取代的氨基、叔丁基苯取代的氨基、叔丁基取代的二苯并呋喃基、苯基取代的叔丁基、氧杂蒽酮基、苯基取代的三嗪基、苯基取代的硼烷基、甲氧基、叔丁氧基中的一种；
所述R2、R3、R4、R5、R6表示为苯基、氘代苯基、氚代苯基、二联苯基、氘代二联苯基、氚代二联苯基、三联苯基、氘代三联苯基、氚代三联苯基、萘基、蒽基、菲基、吡啶基、苯基取代的吡啶基、喹啉基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、N-苯基咔唑基、9,9-二甲基芴基、螺芴基、甲基取代的苯基、乙基取代的苯基、异丙基取代的苯基、叔丁基取代的苯基、甲基取代的二联苯基、乙基取代的二联苯基、异丙基取代的二联苯基、叔丁基取代的二联苯基、氘代甲基取代的苯基、氘代乙基取代的苯基、氘代异丙基取代的苯基、氘代叔丁基取代的苯基、氘代甲基取代的二联苯基、氘代乙基取代的二联苯基、氘代异丙基取代的二联苯基、氘代叔丁基取代的二联苯基、苯基取代的氨基、叔丁基苯取代的氨基、叔丁基取代的二苯并呋喃基、苯基取代的叔丁基、氧杂蒽酮基、苯基取代的三嗪基中的一种；
用于取代基团的取代基任选自氘原子、氚原子、氟原子、氰基、金刚烷基、甲基、氘代甲基、氚代甲基、三氟甲基、乙基、氘代乙基、氚代乙基、异丙基、氘代异丙基、氚代异丙基、叔丁基、氘代叔丁基、氚代叔丁基、环戊基、氘代环戊基、氚代环戊基、甲基取代的环戊基、环己基、苯基、氘代苯基、氚代苯基、二联苯基、氘代二联苯基、氚代二联苯基、三联苯基、氘代三联苯基、氚代三联苯基、二苯醚基、甲基取代的二苯醚基、萘基、蒽基、菲基、吡啶基、苯基取代的吡啶基、喹啉基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、N-苯基咔唑基、9,9-二甲基芴基、螺芴基、甲基取代的苯基、乙基取代的苯基、异丙基取代的苯基、叔丁基取代的苯基、甲基取代的二联苯基、乙基取代的二联苯基、异丙基取代的二联苯基、叔丁基取代的二联苯基、氘代甲基取代的苯基、氘代乙基取代的苯基、氘代异丙基取代的苯基、氘代叔丁基取代的苯基、氘代甲基取代的二联苯基、氘代乙基取代的二联苯基、氘代异丙基取代的二联苯基、氘代叔丁基取代的二联苯基、苯基取代的氨基、叔丁基苯取代的氨基、叔丁基取代的二苯并呋喃基、苯基取代的叔丁基、氧杂蒽酮基、苯基取代的三嗪基、苯基取代的硼烷基、甲氧基、叔丁氧基中的一种或多种。
进一步优选，所述R2、R3、R4、R5、R6表示为甲基、氘代甲基、氚代甲基、三氟甲基、乙基、氘代乙基、氚代乙基、异丙基、氘代异丙基、氚代异丙基、叔丁基、氘代叔丁基、氚代叔丁基、环戊基、氘代环戊基、氚代环戊基、甲基取代的环戊基、环己基、苯基、氘代苯基、氚代苯基、二联苯基、氘代二联苯基、氚代二联苯基、三联苯基、氘代三联苯基、氚代三联苯基、萘基、蒽基、菲基、吡啶基、苯基取代的吡啶基、喹啉基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、N-苯基咔唑基、9,9-二甲基芴基、螺芴基、甲基取代的苯基、乙基取代的苯基、异丙基取代的苯基、叔丁基取代的苯基、甲基取代的二联苯基、乙基取代的二联苯基、异丙基取代的二联苯基、叔丁基取代的二联苯基、氘代甲基取代的苯基、氘代乙基取代的苯基、氘代异丙基取代的苯基、氘代叔丁基取代的苯基、氘代甲基取代的二联苯基、氘代乙基取代的二联苯基、氘代异丙基取代的二联苯基、氘代叔丁基取代的二联苯基、苯基取代的氨基、叔丁基苯取代的氨基、叔丁基取代的二苯并呋喃基、苯基取代的叔丁基、氧杂蒽酮基、苯基取代的三嗪基中的一种。
进一步优选地，所述Ar、R2表示为如下所示结构中的任一种：
所述R1、Ra、Rb分别表示为如下所示结构中的任一种：氢原子、氘原子、甲基、乙基、异丙基、叔丁基、
优选地，所述的含硼有机化合物的具体结构为以下结构中的任一种：
/>
/>
/>
/>
/>
/>
/>
一种有机电致发光器件，包括阴极和阳极，以及它们之间的有机发光功能层，所述有机发光功能层包括发光层，所述发光层含有所述的含硼有机化合物。
优选方案，所述发光层包含主体材料和掺杂材料，所述掺杂材料含有所述的含硼有机化合物。
优选方案，所述发光层包含第一主体材料、第二主体材料和掺杂材料，所述第一主体材料和第二主体材料中至少有一个为TADF材料，所述掺杂材料为所述的含硼有机化合物。
优选方案，所述发光层包含主体材料、激子敏化材料和掺杂材料，所述激子敏化材料为含金属元素的配合物，所述掺杂材料含有所述的含硼有机化合物。
本发明有益的技术效果在于：
(1)本发明化合物应用于OLED器件，可以作为发光层材料的掺杂材料，在电场作用下可以发绿色荧光，可以应用于OLED照明或者OLED显示领域；
(2)本发明化合物作为掺杂材料具有较高的荧光量子效率，材料的荧光量子效率接近100％；
(3)本发明化合物特定的环结构，具有降低环张力并提升材料和器件稳定性的有益效果；
(4)本发明化合物作为掺杂材料，引入TADF敏化剂作为第二主体，能够有效提升器件效率；
(5)本发明化合物的光谱FWHM较窄，能够有效提升器件色域，提升器件的发光效率；
(6)本发明化合物的蒸镀分解温度较高，能够抑制材料的蒸镀分解，有效提高器件寿命。
附图说明
图1为本发明所列举的材料应用于OLED器件的结构示意图；
其中，1为透明基板层，2为阳极层，3为空穴注入层，4为空穴传输层，5为电子阻挡层，6为发光层，7为空穴阻挡，8为电子传输层，9为电子注入层，10为阴极层。
图2为化合物180在甲苯溶液中(1×10-5M)中的光致发光光谱图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。
以下实施例旨在更好地解释本发明，但本发明的范围不限于此。
本发明合成实施例中涉及到的原料均可从市场购得或者通过本领域常规的制备方法制得；
实施例1化合物36的合成：
通氮气保护下，将10mmol原料A-1、10mmolNaH、10mL无水DMF加入到三口瓶中，室温搅拌0.5小时，接着加入10mmol原料B-1，室温条件下反应2小时。反应结束后加入30ml去离子水，过滤白色沉淀，沉淀用二氯甲烷溶解，无水硫酸钠干燥过滤后浓缩，采用柱层析分离得到中间体a-1。LC-MS：测定值：389.20([M+H]+)，理论值：388.19。
通氮气保护下，将10mmol中间体a-1、11mmol原料C-1、15mmol叔丁醇钠、0.5mmol醋酸钯、1.5mmol三叔丁基膦和40mL无水甲苯加入到三口瓶中，回流反应30小时。反应结束后减压并浓缩有机层，然后经硅胶柱层析纯化，得到中间体b-1。LC-MS：测定值：653.10([M+H]+)，理论值：652.13。
通氮气保护下，将10mmol中间体b-1、12mmol原料D-1、15mmol叔丁醇钠、0.5mmol醋酸钯、1.5mmol三叔丁基膦和50mL无水甲苯加入到三口瓶中，回流反应5小时。反应结束后减压并浓缩有机层，然后经硅胶柱层析纯化，得到中间体c-1。LC-MS：测定值：910.36([M+H]+)，理论值：909.39。
在密封耐压管中，通氮气保护下，加入10mmol中间体c-1、5ml邻二氯苯。在0℃条件下加入12mmol正丁基锂的正己烷溶液，加热体系至60℃并反应3小时，接着在0℃条件下加入15mmol三溴化硼，转移至室温条件下继续反应5小时，接着将体系在0℃条件下加入20mmolN,N-二异丙基乙胺，加热至200℃并反应10小时。反应结束后减压并浓缩有机层，然后经硅胶柱层析纯化，得到化合物36。1H NMR(400MHz,氘代氯仿)δ8.21-8.09(m,1H),8.06-7.97(m,1H),7.93-7.89(m,1H),7.85-7.78(m,1H),7.60-7.51(m,5H),7.44-7.27(m,13H),7.23-7.18(m,2H),7.11(d,1H),7.09-7.05(m,2H),1.38(d,27H)。
实施例2化合物37的合成：
通氮气保护下，将10mmol中间体b-1、12mmol原料D-2、15mmol叔丁醇钠、0.5mmol醋酸钯、1.5mmol三叔丁基膦和50mL无水甲苯加入到三口瓶中，回流反应11小时。反应结束后减压并浓缩有机层，然后经硅胶柱层析纯化，得到中间体c-2。LC-MS：测定值：854.37([M+H]+)，理论值：853.33。
在密封耐压管中，通氮气保护下，加入10mmol中间体c-2、5ml邻二氯苯。在0℃条件下加入12mmol正丁基锂的正己烷溶液，加热体系至60℃并反应3小时，接着在0℃条件下加入15mmol三溴化硼，转移至室温条件下继续反应5小时，接着将体系在0℃条件下加入20mmolN,N-二异丙基乙胺，加热至200℃并反应18小时。反应结束后减压并浓缩有机层，然后经硅胶柱层析纯化，得到化合物37。1H NMR(400MHz,氘代氯仿)δ8.23-8.05(m,1H),8.01-7.87(m,1H),7.70-7.51(m,7H),7.48-7.43(m,6H),7.39-7.35(m,5H),7.30-7.22(m,5H),7.14-7.08(m,3H),1.28(d,18H)。
实施例3化合物72的合成：
通氮气保护下，将10mmol中间体a-1、11mmol原料C-3、15mmol叔丁醇钠、0.5mmol醋酸钯、1.5mmol三叔丁基膦和40mL无水甲苯加入到三口瓶中，回流反应17小时。反应结束后减压并浓缩有机层，然后经硅胶柱层析纯化，得到中间体b-3。LC-MS：测定值：577.12([M+H]+)，理论值：576.10。
通氮气保护下，将10mmol中间体b-3、11mmol原料D-1、15mmol叔丁醇钠、0.5mmol醋酸钯、1.5mmol三叔丁基膦和40mL无水甲苯加入到三口瓶中，回流反应20小时。反应结束后减压并浓缩有机层，然后经硅胶柱层析纯化，得到中间体c-3。LC-MS：测定值：834.35([M+H]+)，理论值：833.36。
在密封耐压管中，通氮气保护下，加入10mmol中间体c-3、5ml邻二氯苯。在0℃条件下加入12mmol正丁基锂的正己烷溶液，加热体系至60℃并反应2小时，接着在0℃条件下加入15mmol三溴化硼，转移至室温条件下继续反应2小时，接着将体系在0℃条件下加入20mmolN,N-二异丙基乙胺，加热至200℃并反应18小时。反应结束后减压并浓缩有机层，然后经硅胶柱层析纯化，得到中间体d-3。LC-MS：测定值：808.42([M+H]+)，理论值：807.38。
向单口瓶中依次加入中间体d-3(10.0mmol)、联硼酸频那醇酯(15mmol)、[Ir(COD)(OCH3)]2(0.06mmol)、50mL四氢呋喃，室温反应12小时，并通过氮气保护，随后过滤反应，浓缩有机相，通过硅胶柱分离化合物，得到中间体e-3。该反应具有相对良好的选择性(参考DOI:10.31635/ccschem.021.202101033)，B对位上硼酸酯具有更高的活性与选择性。LC-MS：测定值：934.45([M+H]+)，理论值：933.47；1H NMR(400MHz,氘代氯仿)δ8.19-8.13(m,1H),8.05-7.93(m,1H),7.86(m,1H),7.77-7.73(m,2H),7.62-7.55(m,2H),7.50-7.39(m,11H),7.37-7.26(m,2H),7.15-7.09(m,2H),1.35(d,27H),1.30(s,12H)。
向两口瓶中依次加入中间体e-3(10.0mmol)、原料E-3(10.0mmol)、Pd(PPh3)4催化剂0.1mmol、50mL四氢呋喃：水＝10:1混合溶液、碳酸钾(20mmol)，随后氮气保护，在80℃下搅拌10小时，冷却后分液并收集有机相，无水硫酸钠干燥并过滤并浓缩有机相，通过硅胶柱分离化合物，得到化合物72。1H NMR(400MHz,氘代氯仿)δ8.39-8.32(m,4H),8.11(dd,2H),8.01-7.90(m,1H),7.83-7.79(m,1H),7.75(dd,1H),7.69-7.53(m,2H),7.50-7.19(m,18H),7.15-7.11(m,3H),1.35-1.31(m,27H)。
实施例4化合物100的合成：
通氮气保护下，将10mmol原料C-4、10mmol中间体a-1、15mmol叔丁醇钾、0.5mmolPd2(dba)3、1.5mmol三叔丁基膦和20mL无水甲苯加入到三口瓶中，回流反应21小时。反应结束后减压并浓缩有机层，然后经硅胶柱层析纯化，得到中间体b-4。LC-MS：测定值：633.20([M+H]+)，理论值：632.16。
通氮气保护下，将10mmol中间体b-4、10mmol原料F-4、15mmol叔丁醇钾、0.5mmolPd2(dba)3、1.5mmol三叔丁基膦和20mL无水甲苯加入到三口瓶中，回流反应22小时。反应结束后减压并浓缩有机层，然后经硅胶柱层析纯化，得到中间体c-4。LC-MS：测定值：834.47([M+H]+)，理论值：833.45。
通氮气保护下，将10mmol中间体c-4、10mmol原料B-4、15mmol叔丁醇钾、0.5mmolPd2(dba)3、1.5mmol三叔丁基膦和20mL无水甲苯加入到三口瓶中，回流反应22小时。反应结束后减压并浓缩有机层，然后经硅胶柱层析纯化，得到中间体d-4。LC-MS：测定值：1022.55([M+H]+)，理论值：1021.51。
在密封耐压管中，通氮气保护下，加入10mmol中间体d-4、5ml邻二氯苯。在0℃条件下加入12mmol叔丁基锂的正己烷溶液，加热体系至60℃并反应6小时，接着在0℃条件下加入15mmol三溴化硼，转移至室温条件下继续反应5小时，接着将体系在0℃条件下加入20mmolN,N-二异丙基乙胺，加热至200℃并反应12小时。反应结束后减压并浓缩有机层，然后经硅胶柱层析纯化，得到化合物100。1H NMR(400MHz,氘代氯仿)δ8.25-8.10(m,1H),8.02-7.93(m,1H),7.85(d,1H),7.72(m,1H),7.70-7.66(m,1H),7.62-7.53(m,1H),7.45-7.13(m,17H),7.10(s,2H),1.41(m,36H),1.37(s,9H)。
实施例5化合物107的合成：
通氮气保护下，将10mmol中间体b-4、10mmol原料B-5、15mmol叔丁醇钾、0.5mmolPd2(dba)3、1.5mmol三叔丁基膦和20mL无水甲苯加入到三口瓶中，回流反应11小时。反应结束后减压并浓缩有机层，然后经硅胶柱层析纯化，得到中间体d-5。LC-MS：测定值：1006.61([M+H]+)，理论值：1005.54。
在密封耐压管中，通氮气保护下，加入10mmol中间体d-5、5ml邻二氯苯。在0℃条件下加入12mmol叔丁基锂的正己烷溶液，加热体系至60℃并反应6小时，接着在0℃条件下加入15mmol三溴化硼，转移至室温条件下继续反应3小时，接着将体系在0℃条件下加入20mmolN,N-二异丙基乙胺，加热至200℃并反应12小时。反应结束后减压并浓缩有机层，然后经硅胶柱层析纯化，得到化合物107。1H NMR(400MHz,氘代氯仿)1H NMRδ8.29-8.18(m,1H),8.10-7.82(m,1H),7.70-7.65(m,3H),7.61-7.50(m,6H),7.47-7.42(m,4H),7.37-7.23(m,8H),7.18(m,2H),1.30-1.25(m,45H)。
实施例6化合物115的合成：
通氮气保护下，将10mmol原料A-1、10mmolNaH、10mL无水DMF加入到三口瓶中，室温搅拌0.5小时，接着加入10mmol原料B-6，室温条件下反应4小时。反应结束后加入30ml去离子水，过滤白色沉淀，沉淀用二氯甲烷溶解，无水硫酸钠干燥过滤后浓缩，采用柱层析分离得到中间体a-6。LC-MS：测定值：375.19([M+H]+)，理论值：374.18。
通氮气保护下，将10mmol中间体a-6、10mmol原料C-6、15mmol叔丁醇钾、0.5mmolPd2(dba)3、1.5mmol三叔丁基膦和20mL无水甲苯加入到三口瓶中，回流反应15小时。反应结束后减压并浓缩有机层，然后经硅胶柱层析纯化，得到中间体b-6。LC-MS：测定值：842.27([M+H]+)，理论值：841.28。
通氮气保护下，将10mmol中间体b-6、10mmol原料F-4、15mmol叔丁醇钾、0.5mmolPd2(dba)3、1.5mmol三叔丁基膦和20mL无水甲苯加入到三口瓶中，回流反应36小时。反应结束后减压并浓缩有机层，然后经硅胶柱层析纯化，得到中间体c-6。LC-MS：测定值：1043.60([M+H]+)，理论值：1042.57。
通氮气保护下，将10mmol中间体c-6、10mmol原料B-4、15mmol叔丁醇钾、0.5mmolPd2(dba)3、1.5mmol三叔丁基膦和20mL无水甲苯加入到三口瓶中，回流反应10小时。反应结束后减压并浓缩有机层，然后经硅胶柱层析纯化，得到中间体d-6。LC-MS：测定值：1231.55([M+H]+)，理论值：1230.63。
在密封耐压管中，通氮气保护下，加入10mmol中间体d-6、5ml邻二氯苯。在0℃条件下加入12mmol叔丁基锂的正己烷溶液，加热体系至60℃并反应6小时，接着在0℃条件下加入15mmol三溴化硼，转移至室温条件下继续反应3小时，接着将体系在0℃条件下加入20mmolN,N-二异丙基乙胺，加热至200℃并反应10小时。反应结束后减压并浓缩有机层，然后经硅胶柱层析纯化，得到化合物115。
实施例7化合物129的合成：
通氮气保护下，将10mmol原料A-1、10mmolNaH、10mL无水DMF加入到三口瓶中，室温搅拌0.5小时，接着加入10mmol原料B-7，室温条件下反应4小时。反应结束后加入30ml去离子水，过滤白色沉淀，沉淀用二氯甲烷溶解，无水硫酸钠干燥过滤后浓缩，采用柱层析分离得到中间体a-7。LC-MS：测定值：459.33([M+H]+)，理论值：458.27。
通氮气保护下，将10mmol中间体a-7、10mmol原料C-4、15mmol叔丁醇钾、0.5mmolPd2(dba)3、1.5mmol三叔丁基膦和20mL无水甲苯加入到三口瓶中，回流反应12小时。反应结束后减压并浓缩有机层，然后经硅胶柱层析纯化，得到中间体b-7。LC-MS：测定值：703.22([M+H]+)，理论值：702.24。
通氮气保护下，将10mmol中间体b-7、10mmol原料F-4、15mmol叔丁醇钾、0.5mmolPd2(dba)3、1.5mmol三叔丁基膦和20mL无水甲苯加入到三口瓶中，回流反应17小时。反应结束后减压并浓缩有机层，然后经硅胶柱层析纯化，得到中间体c-7。LC-MS：测定值：904.54([M+H]+)，理论值：903.53。
通氮气保护下，将10mmol中间体c-7、10mmol原料B-4、15mmol叔丁醇钾、0.5mmolPd2(dba)3、1.5mmol三叔丁基膦和20mL无水甲苯加入到三口瓶中，回流反应12小时。反应结束后减压并浓缩有机层，然后经硅胶柱层析纯化，得到中间体d-7。LC-MS：测定值：1092.63([M+H]+)，理论值：1091.59。
在密封耐压管中，通氮气保护下，加入10mmol中间体d-7、5ml邻二氯苯。在0℃条件下加入12mmol叔丁基锂的正己烷溶液，加热体系至60℃并反应9小时，接着在0℃条件下加入15mmol三溴化硼，转移至室温条件下继续反应3小时，接着将体系在0℃条件下加入20mmolN,N-二异丙基乙胺，加热至200℃并反应16小时。反应结束后减压并浓缩有机层，然后经硅胶柱层析纯化，得到化合物129。
实施例8化合物176的合成：
通氮气保护下，将10mmol原料A-1、10mmolNaH、10mL无水DMF加入到三口瓶中，室温搅拌0.5小时，接着加入10mmol原料B-8，室温条件下反应10小时。反应结束后加入30ml去离子水，过滤白色沉淀，沉淀用二氯甲烷溶解，无水硫酸钠干燥过滤后浓缩，采用柱层析分离得到中间体a-8。LC-MS：测定值：338.20([M+H]+)，理论值：337.16。
通氮气保护下，将10mmol中间体a-8、10mmol原料C-4、15mmol叔丁醇钾、0.5mmolPd2(dba)3、1.5mmol三叔丁基膦和20mL无水甲苯加入到三口瓶中，回流反应11小时。反应结束后减压并浓缩有机层，然后经硅胶柱层析纯化，得到中间体b-8。LC-MS：测定值：582.21([M+H]+)，理论值：581.13。
通氮气保护下，将10mmol中间体b-8、10mmol原料F-4、15mmol叔丁醇钾、0.5mmolPd2(dba)3、1.5mmol三叔丁基膦和20mL无水甲苯加入到三口瓶中，回流反应16小时。反应结束后减压并浓缩有机层，然后经硅胶柱层析纯化，得到中间体c-8。LC-MS：测定值：783.45([M+H]+)，理论值：782.42。
通氮气保护下，将10mmol中间体c-8、10mmol原料B-4、15mmol叔丁醇钾、0.5mmolPd2(dba)3、1.5mmol三叔丁基膦和20mL无水甲苯加入到三口瓶中，回流反应22小时。反应结束后减压并浓缩有机层，然后经硅胶柱层析纯化，得到中间体d-8。LC-MS：测定值：971.55([M+H]+)，理论值：970.48。
在密封耐压管中，通氮气保护下，加入10mmol中间体d-8、5ml邻二氯苯。在0℃条件下加入12mmol叔丁基锂的正己烷溶液，加热体系至60℃并反应3小时，接着在0℃条件下加入15mmol三溴化硼，转移至室温条件下继续反应4小时，接着将体系在0℃条件下加入20mmolN,N-二异丙基乙胺，加热至200℃并反应20小时。反应结束后减压并浓缩有机层，然后经硅胶柱层析纯化，得到化合物176。
实施例9化合物180的合成：
通氮气保护下，将10mmol原料A-2、11mmol原料C-3、15mmol叔丁醇钠、0.5mmol醋酸钯、1.5mmol三叔丁基膦和40mL无水甲苯加入到三口瓶中，回流反应13小时。反应结束后减压并浓缩有机层，然后经硅胶柱层析纯化，得到中间体b-9。LC-MS：测定值：521.15([M+H]+)，理论值：520.03。
通氮气保护下，将10mmol中间体b-9、11mmol原料D-1、15mmol叔丁醇钠、0.5mmol醋酸钯、1.5mmol三叔丁基膦和40mL无水甲苯加入到三口瓶中，回流反应18小时。反应结束后减压并浓缩有机层，然后经硅胶柱层析纯化，得到中间体c-9。LC-MS：测定值：778.31([M+H]+)，理论值：777.29。
在密封耐压管中，通氮气保护下，加入10mmol中间体c-9、5ml邻二氯苯。在0℃条件下加入12mmol正丁基锂的正己烷溶液，加热体系至60℃并反应2小时，接着在0℃条件下加入15mmol三溴化硼，转移至室温条件下继续反应2小时，接着将体系在0℃条件下加入20mmolN,N-二异丙基乙胺，加热至200℃并反应20小时。反应结束后减压并浓缩有机层，然后经硅胶柱层析纯化，得到化合物180。化合物180在甲苯溶液中(1×10-5M)的峰值为513nm，半峰宽为24nm，见图2。
原料B-4的制备：
500ml两口烧瓶中，加入原料M-1(30.80mmol)，碘化亚铜(1.54mmol,)，二乙三胺(3.08mmol,)，碘化钠(60.16mmol)，无水乙腈300ml，加热回流18h，冷却后使用乙酸乙酯萃取使用饱和食盐水洗去乙腈，有机相使用无水硫酸钠干燥，旋干溶剂后使用甲醇打浆，固体使用二氯甲烷-甲醇重结晶得原料B-4。
原料B-5的制备方法和原料B-4的制备方法相同，不同之处在于以为原料。
各实施例得到的化合物的结构表征如表1所示
表1
本发明化合物在发光器件中使用，可以作为发光层掺杂材料使用。对本发明上述实施例制备的化合物进行物化性质的测试，检测结果如表2所示：
表2
注：PLQY(荧光量子产率)和FWHM(半峰宽)在薄膜状态下由Horiba的Fluorolog-3系列荧光光谱仪测试得到。
由上表数据可知，本发明化合物作为掺杂材料具有较高的荧光量子效率，材料的荧光量子效率接近100％；同时，材料的光谱FWHM较窄，能够有效提升器件色域，提升器件的发光效率；
以下通过器件实施例1-9和器件比较例1-5详细说明本发明合成的OLED材料在器件中的应用效果。本发明器件实施例2-9以及器件比较例1-5与器件实施例1相比器件的制作工艺完全相同，并且所采用了相同的基板材料和电极材料，电极材料的膜厚也保持一致，所不同的是对器件中的发光层材料做了更换。各器件实施例的层结构和测试结果分别如表3-1和表4所示：
器件实施例1
如图1所示，透明基板层1为透明PI膜，对ITO阳极层2(膜厚为150nm)进行洗涤，即依次进行清洗剂(SemicleanM-L20)洗涤、纯水洗涤、干燥，再进行紫外线-臭氧洗涤以清除透明ITO表面的有机残留物。在进行了上述洗涤之后的ITO阳极层2上，利用真空蒸镀装置，蒸镀膜厚为10nm的HT-1和HI-1作为空穴注入层3，HT-1和HI-1的质量比为97:3。接着蒸镀60nm厚度的HT-1作为空穴传输层4。随后蒸镀30nm厚度的EB-1作为电子阻挡层5。上述电子阻挡材料蒸镀结束后，制作OLED发光器件的发光层6，使用GH-1和GH-2作为主体材料，化合物36作为掺杂材料，GH-1、GH-2和化合物36质量比为69:30:1，发光层膜厚为30nm。在上述发光层6之后，继续真空蒸镀HB-1，膜厚为5nm，此层为空穴阻挡层7。在上述空穴阻挡层7之后，继续真空蒸镀ET-1和Liq，ET-1和Liq质量比为1:1，膜厚为30nm，此层为电子传输层8。在电子传输层8上，通过真空蒸镀装置，制作膜厚为1nm的LiF层，此层为电子注入层9。在电子注入层9上，通过真空蒸镀装置，制作膜厚为80nm的Mg：Ag电极层，Mg、Ag质量比为1:9，此层为阴极层10使用。
以下通过器件实施例10-18和器件比较例6-10详细说明本发明合成的OLED材料在器件中的应用效果。本发明器件实施例11-18以及器件比较例6-10与器件实施例10相比器件的制作工艺完全相同，并且所采用了相同的基板材料和电极材料，电极材料的膜厚也保持一致，所不同的是对器件中的发光层材料做了更换。各器件实施例的层结构和测试结果分别如表3-2和表4所示：
器件实施例10
透明基板层1为透明PI膜，对ITO阳极层2(膜厚为150nm)进行洗涤，即依次进行清洗剂(SemicleanM-L20)洗涤、纯水洗涤、干燥，再进行紫外线-臭氧洗涤以清除透明ITO表面的有机残留物。在进行了上述洗涤之后的ITO阳极层2上，利用真空蒸镀装置，蒸镀膜厚为10nm的HT-1和HI-1作为空穴注入层3，HT-1和HI-1的质量比为97:3。接着蒸镀60nm厚度的HT-1作为空穴传输层4。随后蒸镀30nm厚度的EB-1作为电子阻挡层5。上述电子阻挡材料蒸镀结束后，制作OLED发光器件的发光层6，使用GH-1和GH-2作为主体材料，GD-1作为第一掺杂材料，化合物36作为第二掺杂材料，GH-1、GH-2、GD-1和化合物36质量比为66:30:3:1，发光层膜厚为30nm。在上述发光层6之后，继续真空蒸镀HB-1，膜厚为5nm，此层为空穴阻挡层7。在上述空穴阻挡层7之后，继续真空蒸镀ET-1和Liq，ET-1和Liq质量比为1:1，膜厚为30nm，此层为电子传输层8。在电子传输层8上，通过真空蒸镀装置，制作膜厚为1nm的LiF层，此层为电子注入层9。在电子注入层9上，通过真空蒸镀装置，制作膜厚为80nm的Mg：Ag电极层，Mg、Ag质量比为1:9，此层为阴极层10使用。
相关材料的分子结构式如下所示：
如上所述地完成OLED发光器件后，用公知的驱动电路将阳极和阴极连接起来，测量器件的电流效率、外量子效率和器件的寿命。用同样的方法制备的器件实施例和比较例如表3-1和表3-2所示；所得器件的电流效率、外量子效率和寿命的测试结果如表4所示。
表3-1
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表3-2
表4
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注：电压、电流效率、发光峰使用IVL(电流-电压-亮度)测试系统(苏州弗士达科学仪器有限公司)；寿命测试系统为日本系统技研公司EAS-62C型OLED器件寿命测试仪；LT95指的是器件亮度衰减到95％所用时间；所有数据均在10mA/cm2下测试。
由表4的器件数据结果可以看出，与器件比较例1-10相比，本发明的有机发光器件的电流效率和器件寿命均相对于已知材料的OLED器件获得较大的提升；在使用激子敏化材料作为第一掺杂时，器件效率较单掺杂时有明显提升。
另外，本发明化合物采用五元环结构可以显著降低框架环张力，对比比较例ref-1、ref-2、ref-3、ref-4、ref-5所示结构，本发明化合物具有更高的材料稳定性和器件寿命。并且，相比比较例ref-1、ref-2、ref-3、ref-4、ref-5结构，器件的效率也更优。综上，以上仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种含硼有机化合物，其特征在于，所述含硼有机化合物的结构如通式(1)或通式(2)所示：
通式(1)、通式(2)中，Z表示为C-R1，R1每次出现相同或不同的表示为氢原子、氘原子、氚原子、卤素原子、取代或未取代的C1～C10烷基、取代或未取代的C3～C10环烷基、取代或未取代的C1～C10烷氧基、取代或未取代的C1～C10芳氧基、取代或未取代的芳胺基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C2～C30杂芳基中的一种；
M1、M2表示为取代或未取代的的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30杂芳基中的一种；
X、Y1分别独立地表示为N(R2)、C(R3)(R4)、Si(R5)(R6)、O或S；
R2表示为取代或未取代的C1～C10烷基、取代或未取代的C3～C10环烷基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C2～C30杂芳基中的一种；
R3、R4、R5、R6分别独立地表示为氢原子、氘原子、氚原子、卤素原子、取代或未取代的C1～C10烷基、取代或未取代的C3～C10环烷基、取代或未取代的C1～C10烷氧基、取代或未取代的C1～C10芳氧基、取代或未取代的芳胺基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C2～C30杂芳基中的一种；
Ar表示为取代或未取代的的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30杂芳基中的一种；Ar还可以与相邻的R1键结成五元环或者六元环；
用于取代基团的取代基任选自氘原子、氚原子、卤素原子、C1～C10的烷基、C3～C10的环烷基、C6～C30芳基、C2～C30杂芳基中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述的含硼有机化合物，其特征在于，所述有机化合物的结构如通式(3)-通式(12)中任一种所示：
通式(3)-通式(12)中，Z、Ar、Y1的含义同权利要求1中的限定；
R5、R6的含义同权利要求1中的限定。
3.根据权利要求1所述的含硼有机化合物，其特征在于，所述有机化合物的结构如通式(13)-通式(24)中任一种所示：
通式(13)-通式(24)中，Z、Ar、Y1的含义同权利要求1中的限定；
Y2表示为N(R2)、C(R3)(R4)、Si(R5)(R6)、O或S；
R2、R3、R4、R5、R6的含义同权利要求1中的限定。
4.根据权利要求1所述的含硼有机化合物，其特征在于，所述有机化合物的结构如通式(1-2)-通式(2-2)中任一种所示：
通式(1-2)、通式(2-2)中，Z表示为C-R1，R1每次出现相同或不同的表示为氢原子、氘原子、氚原子、卤素原子、取代或未取代的C1～C10烷基、取代或未取代的C3～C10环烷基、取代或未取代的C1～C10烷氧基、取代或未取代的C1～C10芳氧基、取代或未取代的芳胺基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C2～C30杂芳基中的一种；
X、Y1分别独立地表示为N(R2)、C(R3)(R4)、Si(R5)(R6)、O或S；
R2表示为取代或未取代的C1～C10烷基、取代或未取代的C3～C10环烷基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C2～C30杂芳基中的一种；
R3、R4、R5、R6分别独立地表示为氢原子、氘原子、氚原子、取代或未取代的C1～C10烷基、取代或未取代的C3～C10环烷基、取代或未取代的C1～C10烷氧基、取代或未取代的C1～C10芳氧基、取代或未取代的芳胺基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C2～C30杂芳基中的一种；
Ar表示为取代或未取代的的C6～C30的芳基、取代或未取代的C2～C30杂芳基中的一种；
Ra、Rb分别独立地表示为氢原子、氘原子、氚原子、卤素原子、取代或未取代的C1～C10烷基、取代或未取代的C3～C10环烷基、取代或未取代的C1～C10烷氧基、取代或未取代的C1～C10芳氧基、取代或未取代的芳胺基、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C2～C30杂芳基中的一种；
用于取代基团的取代基任选自氘原子、氚原子、卤素原子、C1～C10的烷基、C3～C10的环烷基、C6～C30芳基、C2～C30杂芳基中的一种或多种。
5.根据权利要求1-4任一项所述的含硼有机化合物，其特征在于，所述R1、Ra、Rb每次出现相同或不同的表示为氢原子、氘原子、氚原子、卤素原子、金刚烷基、甲基、氘代甲基、氚代甲基、三氟甲基、乙基、氘代乙基、氚代乙基、异丙基、氘代异丙基、氚代异丙基、叔丁基、氘代叔丁基、氚代叔丁基、环戊基、氘代环戊基、氚代环戊基、甲基取代的环戊基、环己基、苯基、氘代苯基、氚代苯基、二联苯基、氘代二联苯基、氚代二联苯基、三联苯基、氘代三联苯基、氚代三联苯基、二苯醚基、甲基取代的二苯醚基、萘基、蒽基、菲基、吡啶基、苯基取代的吡啶基、喹啉基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、N-苯基咔唑基、9,9-二甲基芴基、螺芴基、甲基取代的苯基、乙基取代的苯基、异丙基取代的苯基、叔丁基取代的苯基、甲基取代的二联苯基、乙基取代的二联苯基、异丙基取代的二联苯基、叔丁基取代的二联苯基、氘代甲基取代的苯基、氘代乙基取代的苯基、氘代异丙基取代的苯基、氘代叔丁基取代的苯基、氘代甲基取代的二联苯基、氘代乙基取代的二联苯基、氘代异丙基取代的二联苯基、氘代叔丁基取代的二联苯基、苯基取代的氨基、叔丁基苯取代的氨基、叔丁基取代的二苯并呋喃基、苯基取代的叔丁基、氧杂蒽酮基、苯基取代的三嗪基、苯基取代的硼烷基、甲氧基、叔丁氧基中的一种；
所述R2、R3、R4、R5、R6表示为苯基、氘代苯基、氚代苯基、二联苯基、氘代二联苯基、氚代二联苯基、三联苯基、氘代三联苯基、氚代三联苯基、萘基、蒽基、菲基、吡啶基、苯基取代的吡啶基、喹啉基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、N-苯基咔唑基、9,9-二甲基芴基、螺芴基、甲基取代的苯基、乙基取代的苯基、异丙基取代的苯基、叔丁基取代的苯基、甲基取代的二联苯基、乙基取代的二联苯基、异丙基取代的二联苯基、叔丁基取代的二联苯基、氘代甲基取代的苯基、氘代乙基取代的苯基、氘代异丙基取代的苯基、氘代叔丁基取代的苯基、氘代甲基取代的二联苯基、氘代乙基取代的二联苯基、氘代异丙基取代的二联苯基、氘代叔丁基取代的二联苯基、苯基取代的氨基、叔丁基苯取代的氨基、叔丁基取代的二苯并呋喃基、苯基取代的叔丁基、氧杂蒽酮基、苯基取代的三嗪基中的一种；
用于取代基团的取代基任选自氘原子、氚原子、氟原子、氰基、金刚烷基、甲基、氘代甲基、氚代甲基、三氟甲基、乙基、氘代乙基、氚代乙基、异丙基、氘代异丙基、氚代异丙基、叔丁基、氘代叔丁基、氚代叔丁基、环戊基、氘代环戊基、氚代环戊基、甲基取代的环戊基、环己基、苯基、氘代苯基、氚代苯基、二联苯基、氘代二联苯基、氚代二联苯基、三联苯基、氘代三联苯基、氚代三联苯基、二苯醚基、甲基取代的二苯醚基、萘基、蒽基、菲基、吡啶基、苯基取代的吡啶基、喹啉基、呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、N-苯基咔唑基、9,9-二甲基芴基、螺芴基、甲基取代的苯基、乙基取代的苯基、异丙基取代的苯基、叔丁基取代的苯基、甲基取代的二联苯基、乙基取代的二联苯基、异丙基取代的二联苯基、叔丁基取代的二联苯基、氘代甲基取代的苯基、氘代乙基取代的苯基、氘代异丙基取代的苯基、氘代叔丁基取代的苯基、氘代甲基取代的二联苯基、氘代乙基取代的二联苯基、氘代异丙基取代的二联苯基、氘代叔丁基取代的二联苯基、苯基取代的氨基、叔丁基苯取代的氨基、叔丁基取代的二苯并呋喃基、苯基取代的叔丁基、氧杂蒽酮基、苯基取代的三嗪基、苯基取代的硼烷基、甲氧基、叔丁氧基中的一种或多种。
6.根据权利要求1所述的含硼有机化合物，其特征在于，所述有机化合物的具体结构为以下结构中的任一种：
/>
/>
/>
/>
/>
7.一种有机电致发光器件，包括阴极和阳极，以及它们之间的有机发光功能层，所述有机发光功能层包括发光层，其特征在于，所述发光层含有权利要求1-6任一项所述的含硼有机化合物。
8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件，所述发光层包含主体材料和掺杂材料，其特征在于，所述掺杂材料含有权利要求1-6任一项所述的含硼有机化合物。
9.根据权利要求7所述的有机电致发光器件，所述发光层包含第一主体材料、第二主体材料和掺杂材料，其特征在于，所述第一主体材料和第二主体材料中至少有一个为TADF材料，所述掺杂材料为权利要求1-6任一项所述的含硼有机化合物。
10.根据权利要求7所述的有机电致发光器件，所述发光层包含主体材料、激子敏化材料和掺杂材料，其特征在于，所述激子敏化材料为含金属元素的配合物，所述掺杂材料含有权利要求1-6任一项所述的含硼有机化合物。
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