CN116918489A - 显示基板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种显示基板以及显示装置。该显示基板包括衬底基板以及位于该衬底基板上的多个子像素。每个子像素包括像素电路和与像素电路电连接的像素电极，每个像素电路包括驱动子电路。像素电极包括电极主体部和从该电极主体部延伸出的第一电极延伸部。该显示基板包括第一类子像素，该第一类子像素中的每个子像素的电极主体部与该子像素的驱动子电路的控制电极或直接电连接该控制电极的电极部不交叠，且该像素电极的第一电极延伸部与该控制电极或该电极部至少部分交叠，该第一类子像素至少包括配置为发出不同颜色的光的两个子像素。该显示基板可以有效提高显示质量。
Description
本公开实施例涉及一种显示基板及显示装置。
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示器具有主动发光、对比度高、响应速度快、轻薄等诸多优点，成为主要的新一代显示器之一。随着高分辨率产品的快速发展，对显示器的显示基板的结构设计，例如像素和信号线的排布等都提出了更高的要求。
发明内容
本公开至少一实施例提供一种显示基板，包括衬底基板以及成阵列分布于所述衬底基板上的多个子像素。所述多个子像素每个包括像素电路，所述像素电路用于驱动所述多个子像素每个对应的发光元件，所述多个子像素排列为沿第一方向的多个像素行和沿第二方向的多个像素列，所述第一方向和所述第二方向不同；所述每个像素电路包括驱动子电路，所述驱动子电路包括控制电极，所述驱动子电路配置为根据所述控制电极上的电压控制用于驱动所述对应的发光元件的驱动电流；所述多个子像素每个还包括像素电极，所述每个子像素的像素电极与所述像素电路彼此电连接；对于所述每个子像素，所述像素电极包括电极主体部和从所述电极主体部延伸出的第一电极延伸部，所述电极主体部用于驱动所述子像素对应的发光元件的有机功能层发光，所述第一电极延伸部通过第一过孔与所述子像素的像素电路电连接；所述多个子像素包括第一类子像素，对于所述第一类子像素中的每个子像素，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述每个子像素的像素电极的电极主体部与所述每个子像素的像素电路的驱动子电路的控制电极或直接电连接所述控制电极的电极部不交叠，且所述每个子像素的像素电极的第一电极延伸部与所述每个子像素的像素电路的驱动子电路的控制电极或所述电极部至少部分交叠；所述第一类子像素至少包括配置为发出不同颜色的光的两个子像素。
在一些示例中，所述第一类子像素包括配置为发出不同颜色光的三个子像素，所述三个子像素分别配置为发出绿光、红光和蓝光。
在一些示例中，配置为发出同种颜色光的子像素至少具有两种不同形状的像素电极。
在一些示例中，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一类子像素中的每个子像素的像素电极的电极主体部与所述每个子像素的像素电路的驱动子电路的控制电极不交叠，且所述每个子像素的像素电极的第一电极延伸部与所述每个子像素的像素电路的驱动子电路的控制电极的至少部分交叠。
在一些示例中，所述第一类子像素中的每个子像素中的第一过孔在所述衬底基板上的正投影在所述第二方向上位于所述每个子像素的像素电极的电极主体部在所述衬底基板上的正投影与所述每个子像素的像素电路的驱动子电路的控制电极在所述衬底基板上的正投影 之间。
在一些示例中，对于所述第一类子像素中的至少一个子像素，所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影将所述至少一个子像素在所述衬底基板上的正投影划分为沿所述第二方向排列的第一投影部分和第二投影部分；所述第一投影部分与所述每个子像素的像素电路的驱动子电路的控制电极或直接电连接所述控制电极的电极部在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠；在所述第二方向上，所述第二投影部分的尺寸与所述第一投影部分的尺寸的比值为0.7-1.5。
在一些示例中，所述多个子像素还包括第二类子像素，对于所述第二类子像素中的每个子像素，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述每个子像素的像素电极的电极主体部与所述每个子像素的像素电路的驱动子电路的控制电极至少部分交叠。
在一些示例中，在所述第一方向上相邻的两个子像素中的其中一个属于所述第一类子像素，另一个属于所述第二类子像素。
在一些示例中，所述多个子像素的像素电极的电极主体部排列为沿所述第一方向的多个像素电极行以及沿所述第二方向的多个像素电极列；所述多个像素电极行包括相邻的第一像素电极行和第二像素电极行，所述第一像素电极行中的电极主体部所属的子像素属于所述第一类子像素，所述第二像素电极行中的电极主体部所属的子像素属于所述第二类子像素。
在一些示例中，在所述第二方向上，所述第一像素电极行中的多个电极主体部的每个所属的子像素的第一过孔位于所述每个像素电极主体部靠近所述第二像素电极行的一侧，所述第二像素电极行中的多个电极主体部的每个所属的子像素的第一过孔位于所述每个像素电极主体部靠近所述第一像素电极行的一侧。
在一些示例中，所述多个子像素包括在所述第一方向上相邻的第一子像素、第二子像素和第三子像素；所述第三子像素与所述第二子像素分别位于所述第一子像素的两侧，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素构成第一像素组，所述第一像素组配置为发出全彩光；所述第一子像素为所述第一类子像素中的一个。
在一些示例中，在垂直于所述衬底基板的方向上，一个所述第三子像素的像素电极与一个所述第一子像素及所述第三子像素的像素电路的驱动子电路的控制电极分别至少部分交叠。
在一些示例中，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的像素电极的电极主体部分布为第一三角形。
在一些示例中，在所述第一方向上，所述第一子像素的像素电极的第一电极延伸部位于所述第二子像素的像素电极的电极主体部和所述第三子像素的像素电极的电极主体部之间。
在一些示例中，所述第二子像素的像素电极还包括从所述电极主体部延伸出的第二电极延伸部；在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第二子像素的第二电极延伸部与第四子像素的驱动子电路的控制电极至少部分重叠，所述第四子像素与所述第一子像素分别位于所述第二子像素沿所述第一方向上的两侧。
在一些示例中，所述像素电路还包括补偿子电路，所述补偿子电路包括第一控制电极和第二控制电极，所述第一控制电极和所述第二控制电极配置为接收扫描信号；所述补偿子电路与所述驱动子电路连接，并配置为响应于所述扫描信号对所述驱动子电路进行阈值补偿。
在一些示例中，所述第一子像素的像素电极还包括从所述电极主体部延伸的第二电极延伸部；在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一子像素的第二电极延伸部与第五子像素的补偿子电路的第一控制电极和第二控制电极分别至少部分交叠，所述第五子像素与所述第一子像素在所述第二方向上相邻。
在一些示例中，所述第二子像素的像素电极还包括从所述电极主体部延伸的第三电极延伸部；在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第二子像素的第三电极延伸部与所述第二子像素的像素电极的补偿子电路的第一控制电极和第二控制电极分别至少部分交叠。
在一些示例中，所述像素电路还包括第一复位子电路，所述第一复位子电路包括第一控制电极和第二控制电极，所述第一复位子电路的第一控制电极和第二控制电极配置为接收第一复位控制电压，所述第一复位子电路与所述发光元件的像素电极连接，并配置为响应于所述第一复位控制电压对所述发光元件的像素电极进行复位。
在一些示例中，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一子像素的像素电极与所述第一子像素的第一复位子电路的第一控制电极和第二控制电极分别至少部分交叠。
在一些示例中，所述第一子像素的像素电极还包括从所述电极主体部延伸出的第三电极延伸部；在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一子像素的像素电极的第三电极延伸部与所述第二子像素的第一复位子电路的第一控制电极和第二控制电极的至少之一至少部分交叠。
在一些示例中，所述多个子像素还包括在所述第一方向上相邻的第六子像素、第七子像素和第八子像素，所述第六子像素、所述第七子像素和所述第八子像素构成第二像素组，所述第二像素组配置为发出全彩光；所述第六子像素、所述第七子像素和所述第八子像素的像素电极的电极主体部分布为第二三角形，所述第二三角形与所述第一三角形互为倒置。
在一些示例中，所述第一像素组和所述第二像素组中颜色相同的子像素的像素电极的电极主体部在所述第二方向上不交叠。
在一些示例中，所述第一像素组和所述第二像素组中的子像素的像素电极在所述第二方向彼此交叠。
本公开至少一实施例还提供一种显示装置，包括以上任一实施例提供的显示基板。
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。
图1为一种显示基板的示意图；
图2为本公开至少一实施例提供的显示基板的示意图之一；
图3A为本公开至少一实施例提供的显示基板的示意图之二；
图3B为本公开至少一实施例提供的显示基板中的像素电路图之一；
图3C为本公开至少一实施例提供的显示基板中的像素电路图之二；
图3D为本公开至少一实施例提供的像素电路的时序信号图；
图4A为本公开至少一实施例提供的显示基板的示意图之三；
图4B为图4A沿剖面线I-I’的剖视图；
图4C为图4B沿剖面线II-II’的剖视图；
图5为本公开至少一实施例提供的显示基板的示意图之四；
图6A为本公开至少一实施例提供的显示基板的示意图之五；
图6B为本公开至少一实施例提供的显示基板的示意图之六；
图7A为本公开至少一实施例提供的显示基板的示意图之七；
图7B为本公开至少一实施例提供的显示基板的示意图之八；
图8A为本公开至少一实施例提供的显示基板的示意图之九；
图8B为本公开至少一实施例提供的显示基板的示意图之十；
图8C为本公开至少一实施例提供的显示基板的示意图之十一；
图9为本公开至少一实施例提供的显示面板的示意图；以及
图10为本公开至少一实施例提供的显示装置的示意图。
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
目前提高AMOLED寿命的方法可以有两种，一是材料升级，提高发光材料的发光效率；二是提高像素开口率。提高像素开口率需要优化像素排布方式，例如，Delta RGB排布，即 RGB呈三角排布，是现有排布方式中开口率最高的一种排布，Delta像素排布的特点是，每一个像素单元中的三个RGB子像素的像素电极(也即发光元件的电极，例如可以是阴极或者阳极)呈三角排布，相邻像素单元中的发相同颜色光的子像素的像素电极垂直旋转180°。
图1示出了一种Delta像素排布的示意图，如图1所示，在每个像素单元中，三种颜色的子像素(RGB)呈三角分布；在行方向上相邻的像素单元中，发相同颜色的子像素的像素电极相对于行方向垂直旋转180°，从而导致子像素的像素电极相对于像素电路的位置不一致。例如，每个子像素的像素电路是重复排列的，因此各子像素的像素电路中相同的电路节点的位置是相同的，图1中用圆点示意性地示出了每个子像素的像素电路中与驱动子电路的控制端连接的第一节点N1。
发明人发现，像素电极位置的变化导致各子像素存在寄生电容的不均一。例如，如图1所示，在奇数列子像素中像素电极是覆盖该第一节点N1的，也即该像素电极与该第一节点之间存在寄生电容；而在偶数列子像素中像素电极与该第一节点N1在垂直于衬底基板的方向上并不交叠，从而该像素电极与该第一节点之间不存在寄生电容。根据像素电路的工作原理，该驱动子像素的控制端(也即N1节点)的电位直接影响驱动电流的大小，从而影响子像素的发光亮度。因此，上述寄生电容的分布不均导致子像素的发光亮度的波动，最终导致显示画面的不均一。
本公开至少一实施例提供一种显示基板，包括衬底基板以及成阵列分布于所述衬底基板上的多个子像素。所述多个子像素每个包括像素电路，所述像素电路用于驱动所述多个子像素每个对应的发光元件，所述多个子像素排列为沿第一方向的多个像素行和沿第二方向的多个像素列，所述第一方向和所述第二方向不同；所述每个像素电路包括驱动子电路，所述驱动子电路包括控制电极，所述驱动子电路配置为根据所述控制电极上的电压控制用于驱动所述对应的发光元件的驱动电流；所述多个子像素每个还包括像素电极，所述每个子像素的像素电极与所述像素电路彼此电连接；对于所述每个子像素，所述像素电极包括电极主体部和从所述电极主体部延伸出的第一电极延伸部，所述电极主体部用于驱动所述子像素对应的发光元件的有机功能层发光，所述第一电极延伸部通过第一过孔与所述子像素的像素电路电连接；所述多个子像素包括第一类子像素，对于所述第一类子像素中的每个子像素，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述每个子像素的像素电极的电极主体部与所述每个子像素的像素电路的驱动子电路的控制电极或直接电连接所述控制电极的电极部不交叠，且所述每个子像素的像素电极的第一电极延伸部与所述每个子像素的像素电路的驱动子电路的控制电极或所述电极部至少部分交叠，所述第一类子像素至少包括配置为发出不同颜色的光的两个子像素。
例如，所述电极部与所述控制电极的电连接方式可以包括搭接、邻接、或通过过孔连接等连接方式。
本公开至少一实施例提供的显示基板通过设置该第一类子像素的像素电极的延伸部与该驱动子电路的控制电极或者与该控制电极电连接的电极部(也即第一节点N1)交叠，并 且将不同颜色的至少两个子像素设置为该第一类子像素，从而可以降低或者消除各子像素的寄生电容的差异，从而提高显示均一性。
图2为本公开至少一实施例提供的显示基板的平面示意图，显示基板中的多个子像素在衬底基板上排列为沿第一方向D1的多个像素行和沿第二方向D2的多个像素列，第一方向D1与第二方向D2交叉，例如正交。为了清楚起见，图2中仅示出了该显示基板的像素排布并示出了2行9列子像素。与图1所示的像素排布相比，图2所示的像素排布中，奇数列子像素和偶数列子像素的像素电极均覆盖该第一节点N1，也即所有的子像素的像素电极与该第一节点之间均存在寄生电容；其中，偶数列子像素中像素电极通过其第一电极延伸部覆盖该第一节点N1。
该多个子像素包括第一类子像素，对于该第一类子像素中的每个子像素，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述每个子像素的像素电极的电极主体部与所述每个子像素的像素电路的驱动子电路的控制电极或电连接所述控制电极的电极部不交叠，且所述每个子像素的像素电极的第一电极延伸部与所述每个子像素的像素电路的驱动子电路的控制电极或所述电极部至少部分交叠。如图2所示，该偶数列子像素为该第一类子像素。
该多个子像素还包括第二类子像素，对于所述第二类子像素中的每个子像素，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述每个子像素的像素电极的电极主体部与所述每个子像素的像素电路的驱动子电路的控制电极至少部分交叠。如图2所示，该奇数列子像素为该第二类子像素；换言之，多个像素列交替为第一类子像素列和第二类子像素列。例如，在所述第一方向上相邻的两个子像素中的其中一个属于所述第一类子像素，另一个属于所述第二类子像素。
例如，第一类子像素至少包括配置为发出不同颜色的光的两个子像素，例如，如图2所示，该第一类子像素包括配置为发出不同颜色光的三个子像素(RGB子像素)，该三个子像素分别配置为发出三种基本颜色(RGB)的光。
例如，每种颜色的子像素至少具有两种不同形状的像素电极。如图2所示，红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素各具有两种形状的像素电极。例如，对于发同种颜色光的子像素，该两种形状的像素电极在第一方向的最大尺寸不同，在第二方向上的最大尺寸也不同。
例如，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一类子像素中的每个子像素的像素电极的电极主体部与所述每个子像素的像素电路的驱动子电路的控制电极不交叠，且所述每个子像素的像素电极的第一电极延伸部与所述每个子像素的像素电路的驱动子电路的控制电极至少部分交叠。
图2中还用小六边形示意性地示出了每个像素中连接第一电极延伸部与像素电路的第一过孔V1。如图2所示，该第一类子像素中的每个子像素(也即偶数列中的每个子像素)中的第一过孔V1在衬底基板上的正投影在第二方向D2上位于每个子像素的像素电极的电极主体部在衬底基板上的正投影与该每个子像素的像素电路的驱动子电路的控制电极(N1节点)在衬底基板上的正投影之间。
例如，如图2所示，对于所述第一类子像素中的至少一子像素，该第一过孔V1在衬底 基板上的正投影将该每个子像素在衬底基板上的正投影划分为沿第二方向D2排列的第一投影部分K1和第二投影部分K2，该第一投影部分和第二投影部分分别位于该第一过孔V1的正投影在第二方向D2上的相对两侧。该第一投影部分K1与该子像素的像素电路的驱动子电路的控制电极或直接电连接所述控制电极的电极部在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠，也即该第一投影部分K1为该第一电极延伸部在衬底基板上的正投影的一部分。在所述第二方向上，所述第二投影部分的尺寸与所述第一投影部分的尺寸大致相同。例如，所述第二投影部分的尺寸与所述第一投影部分的尺寸的比值为0.7-1.5，例如该比值为1。
例如，如图2所示，所述多个子像素的像素电极的电极主体部排列为沿所述第一方向的多个像素电极行以及沿所述第二方向的多个像素电极列；所述多个像素电极行包括相邻的第一像素电极行和第二像素电极行，所述第一像素电极行中的像素电极所属的子像素属于所述第一类子像素，所述第二像素电极行中的像素电极所属的子像素属于所述第二类子像素。
例如，在所述第二方向上，所述第一像素电极行中的多个电极主体部的每个所属的子像素的第一过孔V1位于所述每个像素电极主体部靠近所述第二像素电极行的一侧，所述第二像素电极行中的多个电极主体部的每个所属的子像素的第一过孔位于所述每个像素电极主体部靠近所述第一像素电极行的一侧。例如，如图2所示，该第一像素电极行所对应的第一过孔V1与第二像素电极行所对应的第一过孔V2，也即每行子像素中的第一过孔基本排列在一条直线上，该直线沿第一方向D1延伸。
图3A为本公开另一些实施例提供的显示基板的示意图，如图3A所示，该显示基板20包括显示区110和显示区110外的非显示区103。例如，非显示区103位于显示区110的外围区域。该显示基板20包括位于显示区110中的多个子像素100。例如，该多个子像素成阵列排布，例如沿第一方向D1和第二方向D2排列多个像素行和多个像素列。该第一方向D1和第二方向D2不同，例如二者正交。例如，该像素行和像素列并不一定严格地沿直线延伸，也可以沿着曲线(例如折线)延伸，该曲线总体上分别沿着第一方向D1或第二方向D2延伸。
每个子像素包括驱动发光元件发光的像素电路，多个像素电路沿第一方向D1和第二方向D2排列为阵列。例如，子像素按照传统的RGB的方式构成像素单元以实现全彩显示，本公开对子像素的排列方式及其实现全彩显示的方式不作限制。
例如，如图3A所示，该显示基板20还包括位于显示区110中的沿第一方向D1延伸的导线(例如栅线11)和沿第二方向D2延伸的多条导线(例如数据线12)，该多条横向导线和多条纵向导线彼此交叉，在显示区110中定义出多个像素区，每个像素区中对应设置一个子像素100。图3A中只是示意出了栅线11、数据线12以及子像100在显示基板中的大致的位置关系，具体可以根据实际需要进行设计。
该像素电路例如为2T1C(即两个晶体管和一个电容)像素电路、4T2C、5T1C、7T1C等nTmC(n、m为正整数)像素电路。并且不同的实施例中，该像素电路还可以进一步包括补偿子电路，该补偿子电路包括内部补偿子电路或外部补偿子电路，补偿子电路可以包括 晶体管、电容等。例如，根据需要，该像素电路还可以进一步包括复位电路、发光控制子电路、检测电路等。例如，该显示基板还可以包括位于非显示区中的栅极驱动电路13和数据驱动电路14。该栅极驱动电路13通过栅线11与像素电路连接以提供各种扫描信号，该数据驱动电路14通过数据线12与像素电路连接以提供数据信号。图1A中示出的栅极驱动电路13和数据驱动电路14，栅线11和数据线12在显示基板中的位置关系只是示例，实际的排布位置可以根据需要进行设计。
例如，显示基板20还可以包括控制电路(未示出)。例如，该控制电路配置为控制数据驱动电路14施加该数据信号，以及控制栅极驱动电路施加该扫描信号。该控制电路的一个示例为时序控制电路(T-con)。控制电路可以为各种形式，例如包括处理器和存储器，存储器包括可执行代码，处理器运行该可执行代码以执行上述检测方法。
例如，处理器可以是中央处理单元(CPU)或者具有数据处理能力和/或指令执行能力的其它形式的处理装置，例如可以包括微处理器、可编程逻辑控制器(PLC)等。
例如，存储装置可以包括一个或多个计算机程序产品，所述计算机程序产品可以包括各种形式的计算机可读存储介质，例如易失性存储器和/或非易失性存储器。易失性存储器例如可以包括随机存取存储器(RAM)和/或高速缓冲存储器(cache)等。非易失性存储器例如可以包括只读存储器(ROM)、硬盘、闪存等。在计算机可读存储介质上可以存储一个或多个计算机程序指令，处理器可以运行该程序指令期望的功能。在计算机可读存储介质中还可以存储各种应用程序和各种数据。
该像素电路可以包括驱动子电路、数据写入子电路、补偿子电路和存储子电路，根据需要还可以包括发光控制子电路、复位电路等。图3B示出了一种像素电路的示意图。
如图3B所示，该像素电路包括驱动子电路122、数据写入子电路126和补偿子电路128。
例如，该驱动子电路122包括控制端(也即控制电极)122a、第一端122b和第二端122c，且配置为与发光元件120连接并且配置为根据该控制电极上的电压控制用于驱动发光元件120的驱动电流。驱动子电路122的控制端122a和第一节点N1连接，驱动子电路122的第一端122b和第二节点N2连接，驱动子电路122的第二端122c和第三节点N3连接。
例如，数据写入子电路126与驱动子电路122连接并配置为响应于第一扫描信号将数据信号写入驱动子电路122的第一端122b。例如，如图3B所示，该数据电路126包括控制端126a、第一端126b和第二端126c，该控制端126a配置为接收第一扫描信号Ga1，第一端126b配置为接收数据信号Vd，第二端126c与驱动子电路122的第一端122b(也即第二节点N2)连接。该数据写入子电路126配置为响应于该第一扫描信号Ga1将该数据信号Vd写入驱动子电路122的第一端122b。例如，数据写入子电路126的第一端126b与数据线12连接以接收该数据信号Vd，控制端126a与作为扫描线的栅线11连接以接收该第一扫描信号Ga1。例如，在数据写入及补偿阶段，数据写入子电路126可以响应于第一扫描信号Ga1而开启，从而可以将数据信号写入驱动子电路122的第一端122b(第二节点N2)，并将数据信号存储，以在例如发光阶段时可以根据该数据信号生成驱动发光元件120发光的驱动电流。
例如，补偿子电路128与驱动子电路122连接并配置为响应于第二扫描信号对驱动子电路122进行补偿，该第二扫描信号可以与第一扫描信号相同或者不同。例如，如图3B所示，该补偿子电路128包括控制端128a、第一端128b和第二端128c，补偿子电路128的控制端128a配置为接收第二扫描信号Ga2，补偿子电路128的第一端128b和第二端128c分别与驱动子电路122的第二端122c和控制端122a电连接，补偿子电路128配置为响应于该第二扫描信号Ga2对该驱动子电路122进行阈值补偿。
例如，该像素电路还包括存储子电路127、第一发光控制子电路123、第二发光控制子电路124及第一复位子电路125和第二复位子电路129。
例如，第一扫描信号Ga1可以与第二扫描信号Ga2相同。例如第一扫描信号Ga1可以与第二扫描信号Ga2连接到相同的信号输出端。例如，第一扫描信号Ga1可以与第二扫描信号Ga2通过相同的扫描线传输。
在另一些示例中，第一扫描信号Ga1也可以与第二扫描信号Ga2不同。例如，第一扫描信号Ga1可以与第二扫描信号Ga2连接到不同的信号输出端。例如，第一扫描信号Ga1可以与第二扫描信号Ga2分别通过不同的扫描线传输。
存储子电路127包括第一端(也称第一存储电极)127a和第二端(也称第二存储电极)127b，该存储子电路的第一端127a配置为接收第一电源电压VDD，存储子电路的第二端127b与驱动子电路的控制端122a电连接。例如，在数据写入及补偿阶段，补偿子电路128可以响应于该第二扫描信号Ga2而开启，从而可以将数据写入子电路126写入的数据信号存储在该存储子电路127中；同时，补偿子电路128可以将驱动子电路122的控制端122a和第二端122c电连接，从而可以使驱动子电路122的阈值电压的相关信息也相应地存储在该存储子电路中，从而例如在发光阶段可以利用存储的数据信号以及阈值电压对驱动子电路122进行控制，使得驱动子电路122的输出得到补偿。
例如，存储子电路127与驱动子电路122的控制端122a及第一电压端VDD电连接，配置为存储数据写入子电路126写入的数据信号。例如，在数据写入和补偿阶段，补偿子电路128可以响应于该第二扫描信号Ga2而开启，从而可以将数据写入子电路126写入的数据信号存储在该存储子电路127中。例如，同时在数据写入和补偿阶段，补偿子电路128可以将驱动子电路122的控制端122a和第二端122c电连接，从而可以使驱动子电路122的阈值电压的相关信息也相应地存储在该存储子电路中，从而例如在发光阶段可以利用存储的数据信号以及阈值电压对驱动子电路122进行控制，使得驱动子电路122的输出得到补偿。
例如，第一发光控制子电路123与驱动子电路122的第一端122b(第二节点N2)以及第一电压端VDD连接，且配置为响应于第一发光控制信号EM1将第一电压端VDD的第一电源电压施加至驱动子电路122的第一端122b。例如，如图1B所示，第一发光控制子电路123和第一发光控制端EM1、第一电压端VDD以及第二节点N2连接。
例如，第二发光控制子电路124和第二发光控制端EM2、发光元件120的第一端134以及驱动子电路122的第二端122c连接，且配置为响应于第二发光控制信号使得驱动电流 可被施加至发光元件122。
例如，在发光阶段，第二发光控制子电路123响应于第二发光控制端EM2提供的第二发光控制信号EM2而开启，从而驱动子电路122可以通过第二发光控制子电路123与发光元件120电连接，从而驱动发光元件120在驱动电流控制下发光；而在非发光阶段，第二发光控制子电路123响应于第二发光控制信号EM2而截止，从而避免有电流流过发光元件120而使其发光，可以提高相应的显示装置的对比度。
又例如，在初始化阶段，第二发光控制子电路124也可以响应于第二发光控制信号而开启，从而可以结合复位电路以对驱动子电路122以及发光元件120进行复位操作。
例如，第二发光控制信号EM2可以与第一发光控制信号EM1相同，例如第二发光控制信号EM2可以与第一发光控制信号EM连接到相同的信号输出端，例如，第二发光控制信号EM2可以与第一发光控制信号EM通过相同的发光控制线传输。
在另一些示例中，第二发光控制信号EM2可以与第一发光控制信号EM1不同。例如，第二发光控制信号EM2可以与第一发光控制信号EM1分别连接到不同的信号输出端。例如，第二发光控制信号EM2可以与第一发光控制信号EM1分别通过不同的发光控制线传输。
例如，第一复位子电路125与第一复位电压端Vinit1以及驱动子电路122的控制端122a(第一节点N1)连接，且配置为响应于第一复位控制信号Rst1将第一复位电压Vinit1施加至驱动子电路122的控制端122a。
例如，第二复位子电路129与第二复位电压端Vinit2以及发光元件122的第一端122b(第四节点N4)连接，且配置为响应于第二复位控制信号Rst2将第二复位电压Vinit2施加至发光元件120的第一端134。例如，该第一复位电压Vinit1与该第二复位电压Vinit2可以是相同的电压信号或者不同的电压信号。例如，该第一复位电压端Vinit1和第二复位电压端Vinit2连接到同一个复位电压源端(例如位于非显示区)以接收相同的复位电压。
例如，第一复位子电路125和第二复位子电路129可以分别响应于第一复位控制信号Rst1和第二复位控制信号Rst2而开启，从而可以将分别将第二复位电压Vinit2施加至第一节点N1以及将第一复位电压Vinit1施加至发光元件120的第一端134，从而可以对驱动子电路122、补偿子电路128以及发光元件120进行复位操作，消除之前的发光阶段的影响。
例如，每行子像素的第二复位控制信号Rst2可以与该行子像素的第一扫描信号Ga1为相同的信号，二者可以通过同一栅线11传输。例如，每行子像素的第一复位控制信号Rst1可以与上一行子像素的第一扫描信号Ga1，二者可以通过同一栅线11传输。
例如，发光元件120包括第一端(也称作第一电极或像素电极)134和第二端(也称作第二电极)135，发光元件120的第一端134与第四节点连接，发光元件120的第二端135配置为与第二电压端VSS连接。例如，在一个示例中，如图3B所示，驱动子电路122的第二端122c可以通过第二发光控制子电路124连接至第四节点N4。本公开的实施例包括但不限于此情形。
需要注意的是，在本公开实施例的说明中，第一节点N1、第二节点N2、第三节点N3 和第四节点N4并非一定表示实际存在的部件，而是表示电路图中相关电路连接的汇合点。
需要说明的是，在本公开的实施例的描述中，符号Vd既可以表示数据信号端又可以表示数据信号的电平，同样地，符号Ga1、Ga2既可以表示第一扫描信号、第二扫描信号，也可以表示第一扫描信号端和第二扫描信号端，Rst1、Rst2既可以表示复位控制端又可以表示复位控制信号，符号Vinit1、Vinit2既可以表示第一复位电压端和第二复位电压端又可以表示第一复位电压和第二复位电压，符号VDD既可以表示第一电压端又可以表示第一电源电压，符号VSS既可以表示第二电压端又可以表示第二电源电压。以下各实施例与此相同，不再赘述。
图3C为图3B所示的像素电路的一种具体实现示例的电路图。如图3C所示，该像素电路包括：第一至第七晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7以及存储电容Cst。
例如，如图3C所示，驱动子电路122可以实现为第一晶体管T1(也即驱动晶体管)。第一晶体管T1的栅极作为驱动子电路122的控制端122a，和第一节点N1连接；第一晶体管T1的第一极作为驱动子电路122的第一端122b，和第二节点N2连接；第一晶体管T1的第二极作为驱动子电路122的第二端122c，和第三节点N3连接。
例如，如图3C所示，数据写入子电路126可以实现为第二晶体管T2。第二晶体管T2的栅极和第一扫描线(第一扫描信号端Ga1)连接以接收第一扫描信号，第二晶体管T2的第一极和数据线(数据信号端Vd)连接以接收数据信号，第二晶体管T2的第二极和驱动子电路122的第一端122b(第二节点N2)连接。
例如，如图3C所示，补偿子电路128可以实现为第三晶体管T3(也即补偿晶体管)。第三晶体管T3的栅极、第一极和第二极分别作为该补偿子电路的控制端128a、第一端128b和第二端128c。第三晶体管T3的栅极配置为和第二扫描线(第二扫描信号端Ga2)连接以接收第二扫描信号，第三晶体管T3的第一极和驱动子电路122的第二端122c(第三节点N3)连接，第三晶体管T3的第二极和驱动子电路122的控制端122a(第一节点N1)连接。
例如，如图3C所示，存储子电路127可以实现为存储电容Cst，该存储电容Cst包括第一电容电极Ca和第二电容电极Cb，该第一电容电极Ca和第一电压端VDD连接，该第二电容电极Cb和驱动子电路122的控制端122a连接。
例如，如图3C所示，第一发光控制子电路123可以实现为第四晶体管T4。第四晶体管T4的栅极和第一发光控制线(第一发光控制端EM1)连接以接收第一发光控制信号，第四晶体管T4的第一极和第一电压端VDD连接以接收第一电源电压，第四晶体管T4的第二极和驱动子电路122的第一端122b(第二节点N2)连接。
例如，发光元件120具体实现为发光二极管(LED)，例如可以是有机发光二极管(OLED)、量子点发光二极管(QLED)或者无机发光二极管，例如可以是微型发光二极管(Micro LED)或者微型OLED。例如，发光元件120可以为顶发射结构、底发射结构或双面发射结。该发光元件120可以发红光、绿光、蓝光或白光等。本公开的实施例对发光元件的具体结构不作限制。
例如，该发光元件120包括第一电极134、第二电极135以及夹设于第一电极134和第二电极135之间的有机功能层，该有机功能层包括发光层，根据需要，该有机功能层还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层等。
例如，发光元件120的第一电极134(也称像素电极，例如为阳极)和第四节点N4连接配置为通过第二发光控制子电路124连接到驱动子电路122的第二端122c，发光元件120的第二电极135(例如为阴极)配置为和第二电压端VSS连接以接收第二电源电压VSS，从驱动子电路122的第二端122c流入发光元件120的电路决定发光元件的亮度。例如第二电压端可以接地，即VSS可以为0V。例如，第二电压电源电压VSS可以为负电压。
例如，第二发光控制子电路124可以实现为第五晶体管T5。第五晶体管T5的栅极和第二发光控制线(第二发光控制端EM2)连接以接收第二发光控制信号，第五晶体管T5的第一极和驱动子电路122的第二端122c(第三节点N3)连接，第五晶体管T5的第二极和发光元件120的第一端134(第四节点N4)连接。
例如，第一复位子电路125可以实现为第六晶体管T6，第二复位子电路实现为第七晶体管T7。第六晶体管T6的栅极配置为和第一复位控制端Rst1连接以接收第一复位控制信号Rst1，第六晶体管T6的第一极和第一复位电压端Vinit1连接以接收第一复位电压Vinit1，第六晶体管T6的第二极配置为和第一节点N1连接。第七晶体管T7的栅极配置为和第二复位控制端Rst2连接以接收第二复位控制信号Rst2，第七晶体管T7的第一极和第二复位电压端Vinit2连接以接收第二复位电压Vinit2，第七晶体管T7的第二极配置为和第四节点N4连接。
需要说明的是，本公开的实施例中采用的晶体管均可以为薄膜晶体管或场效应晶体管或其他特性相同的开关器件，本公开的实施例中均以薄膜晶体管为例进行说明。这里采用的晶体管的源极、漏极在结构上可以是对称的，所以其源极、漏极在结构上可以是没有区别的。在本公开的实施例中，为了区分晶体管除栅极之外的两极，直接描述了其中一极为第一极，另一极为第二极。
此外，按照晶体管的特性区分可以将晶体管分为N型和P型晶体管。当晶体管为P型晶体管时，开启电压为低电平电压(例如，0V、-5V、-10V或其他合适的电压)，关闭电压为高电平电压(例如，5V、10V或其他合适的电压)；当晶体管为N型晶体管时，开启电压为高电平电压(例如，5V、10V或其他合适的电压)，关闭电压为低电平电压(例如，0V、-5V、-10V或其他合适的电压)。例如，如图1B所示，该第一至第七晶体管T1-T7均为P型晶体管，例如为低温多晶硅薄膜晶体管。然而本公开实施例对晶体管的类型不作限制，当晶体管的类型发生改变时，相应地调整电路中的连接关系即可。
以下结合图3D所示的信号时序图，对图3C所示的像素电路的工作原理进行说明。如图3D所示，每一帧图像的显示过程包括三个阶段，分别为初始化阶段1、数据写入及补偿阶段2和发光阶段3。
如图3D所示，在本实施例中，第一扫描信号Ga1和第二扫描信号Ga2采用同一信号， 第一发光控制信号EM1和第二发光控制信号EM2采用同一信号；且第二复位控制信号Rst2和第一扫描信号Ga1/第二扫描信号Ga2的波形相同，也即第二复位控制信号Rst2、第一扫描信号Ga1/第二扫描信号Ga2可以采用同一信号；本行子像素的第一复位信号Rst1与上一行子像素的第一扫描信号Ga1/第二扫描信号Ga2的波形相同，也即采用同一信号。然而，这并不作为对本公开的限制，在其它实施例中，可以采用不同的信号分别作为第一扫描信号Ga1、第二扫描信号Ga2、第一复位控制信号Rst1、第二复位控制信号Rst2，采用不同的信号分别作为第一发光控制信号EM1和第二发光控制信号EM2。
在初始化阶段1，输入第一复位控制信号Rst1以开启第六晶体管T6，将第一复位电压Vinit1施加至第一晶体管T1的栅极，从而对该第一节点N1复位。
在数据写入及补偿阶段2，输入第一扫描信号Ga1、第二扫描信号Ga2以及数据信号Vd，第二晶体管T2和第三晶体管T3开启，数据信号Vd由第二晶体管T2写入第二节点N2，并经过第一晶体管T1和第三晶体管T3对第一节点N1充电，直至第一节点N1的电位变化至Vd+Vth时第一晶体管T1截止，其中Vth为第一晶体管T1的阈值电压。该第一节点N1的电位存储于存储电容Cst中得以保持，也就是说将带有数据信号和阈值电压Vth的电压信息存储在了存储电容Cst中，以用于后续在发光阶段时，提供灰度显示数据和对第一晶体管T1自身的阈值电压进行补偿。
在数据写入及补偿阶段2，还可以输入第二复位控制信号Rst2以开启第七晶体管T7，将第二复位电压Vinit2施加至第四节点N4，从而对该第四节点N4复位。例如，对该第四节点N4的复位也可以在初始化阶段1进行，例如，第一复位控制信号Rst1和第二复位控制信号Rst2可以相同。本公开实施例对此不作限制。
在发光阶段3，输入第一发光控制信号EM1和第二发光控制信号EM2以开启第四晶体管T4、第五晶体管T5和第一晶体管T1，第五晶体管T5将驱动电流施加至OLED以使其发光。流经OLED的驱动电流I的值可以根据下述公式得出：
I＝K(VGS-Vth)2＝K[(Vdata+Vth-VDD)-Vth]
2＝K(Vdata-VDD)
2，其中，K为第一晶体管的导电系数。
在上述公式中，Vth表示第一晶体管T1的阈值电压，VGS表示第一晶体管T1的栅极和源极(这里为第一极)之间的电压，K为与第一晶体管T1本身相关的一常数值。从上述I的计算公式可以看出，流经OLED的驱动电流I不再与第一晶体管T1的阈值电压Vth有关，由此可以实现对该像素电路的补偿，解决了驱动晶体管(在本公开的实施例中为第一晶体管T1)由于工艺制程及长时间的操作造成阈值电压漂移的问题，消除其对驱动电流I的影响，从而可以改善采用其的显示装置的显示效果。
由此可知，在发光阶段，该第一晶体管T1的栅极(也即第一节点N1)的电位直接影响驱动电流I的大小，因此，该第一节点N1处的寄生电容将影响驱动电流的大小。第一节点N1与像素电极(也即第四节点N4)之间的寄生电容会导致第一节点N1的电位偏大，从而导致驱动电流降低。
例如，参考图1，对于奇数列子像素，由于第一节点N1与像素电极(也即第四节点N4)之间存在寄生电容，驱动电流降低，像素亮度降低，而偶数列的驱动电流不受影响，最终导致画面显示不均。
以下以图3C所示像素电路为例、并结合图4A-4C、图5、图6A-图6B、图7A-7B、图8A-8B对本公开至少一实施例提供的显示基板的结构进行示例性说明。然而，本公开的发明构思并不限于这种具体的像素结构。
图4A为本公开又一些实施例提供的显示基板20的示意图,图4B为图4A沿剖面线I-I’的剖视图，图4C为图4A沿剖面线II-II’的剖视图。需要说明的是，为了清楚起见，图4B和图4C分别省略了一些在剖面线处不存在直接电连接关系的结构；图4C省略了第二导电层202和第三导电层203中的图案；图7B和图8B中分别示出了剖面线I-I’、II-II’的位置。
例如，图4A所示的显示基板与图2所示显示基板中的像素排布方式一致，区别仅在于像素电极的形状不同。
如图4A所示，该显示基板20包括衬底基板101，多个子像素100位于该衬底基板101上。多个子像素100的像素电路布置为像素电路阵列，例如，该像素电路阵列的行方向为第一方向D1，列方向为第二方向D2。在一些实施例中，各子像素的像素电路可以具有完全相同的结构，即像素电路在行和列方向重复排列。
为了方便说明，图4A中示例性地示出了两行六列子像素。例如，如图4A所示，子像素的像素电路的排列规则与其上方的像素电极(134a、134b、134c等)的排列规则并不相同，为了方便说明，这里子像素的排列的描述参照像素电路的排列规则，子像素的相对位置关系的描述参照该子像素的像素电路的相对位置，例如，相邻的子像素是指像素电路相邻的子像素。以下各实施例与此相同，不再赘述。
例如，该多个子像素包括第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3。该第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3配置为发出不同颜色的光，例如分别配置为发出绿光、红光、蓝光。例如，该第一子像素、第二子像素和第三子像素在第一方向上相邻。图4A中示出了该第一子像素的像素电极134a、第二子像素的像素电极134b以及第三子像素的像素电极134c。
结合图4A-4C可知，半导体层102、第一绝缘层301、第一导电层201、第二绝缘层302、第二导电层202、第三绝缘层303、第三导电层203、第四绝缘层304、第四导电层204依次设置于衬底基板101上，从而形成如图4A所示的显示基板的结构。
图5对应于图4A示意出了半导体层102和第一导电层201，图6A示出了第二导电层202的图案，图6B在图5的基础上示出了该第二导电层202；图7A示出了第三导电层203，图7B在图6B的基础上示出了该第三导电层203；图8A示出了第四导电层204，图8B示出了半导体层102、第一导电层201和第四导电层204。
为了方便说明，在以下的描述中用Tng、Tns、Tnd、Tna分别表示第n晶体管Tn的栅极、第一极、第二极和沟道区，其中n为1-7。
需要说明的是，本公开中所称的“同层设置”是指两种(或两种以上)结构通过同一道沉积工艺形成并通过同一道构图工艺得以图案化而形成，而并不一定位于同一水平面；它们的材料可以相同或不同。本公开中的“一体的结构”是指两种(或两种以上)结构通过同一道沉积工艺形成并通过同一道构图工艺得以图案化而形成的彼此连接的结构，它们的材料可以相同或不同。
例如，如图5所示，该第一导电层201包括每个晶体管的栅极以及一些扫描线和控制线。图5中用虚线框示意性地示出了第一子像素P1的像素电路所在的区域，并示出了该第一子像素P1中第一到第七晶体管T1-T7的栅极、第一极、第二极以及沟道区。
该半导体层102包括第一到第七晶体管T1-T7的有源层T1a-T7a。如图5所示，该第一到第七晶体管T1-T7的有源层T1a-T7a彼此连接为一体的结构。例如，每一列子像素中的半导体层20为彼此连接的一体的结构，相邻两列子像素中的半导体层彼此间隔。
例如，如图5所示，该第一导电层201包括第一到第七晶体管T1-T7的栅极T1g-T7g。例如，该显示基板20采用自对准工艺，利用第一导电层201作为掩膜对该半导体层102进行导体化处理(例如掺杂处理)，使得该半导体层102未被该第一导电层201覆盖的部分被导体化，从而各晶体管的有源层位于沟道区两侧的部分被导体化而形成分别该晶体管的第一极和第二极。
例如，如图5所示，第三晶体管T3和第六晶体管T6分别采用双栅结构，包括第一栅极和第二栅极，这样可以提高晶体管的栅控能力，降低漏电流。由于第三晶体管T3和第六晶体管T6都是与第一晶体管T1(也即驱动晶体管)的栅极(也即第一节点N1)直接连接的晶体管，因此，该第三晶体管T3和第六晶体管T6的稳定性直接影响着第一晶体管T1的栅极(N1节点)电压的稳定性。采用双栅结构提高第三晶体管T3和第六晶体管T6的栅控能力，有助于降低晶体管的漏电流从而有助于保持N1节点的电压，从而在补偿阶段，第一晶体管T1的阈值电压有助于得到充分补偿，进而提高发光阶段显示基板的显示均一性。
如图5所示，该第三晶体管T3包括第一栅极T3g1和第二栅极T3g2以及分别对应与该第一栅极g1和第二栅极T3g2的第一沟道区和第二沟道区，该第一沟道区和第二沟道区分别被第一栅极T3g1和第二栅极T3g2遮挡而未在图中示出。例如，该第一栅极T3g1位于控制该第三晶体管T3的扫描线220的主体部上，该第二栅极T3g2为从该扫描线220的主体部沿第二方向D2突出的突出部。该第三晶体管T3还包括位于该第一栅极T3g1和第二栅极T3g2的导电区T3c，该导电区T3c由该第一栅极T3g1和第二栅极T3g2之间被暴露的半导体层经导体化形成。该导电区T3c与该第三晶体管T3的第一极T3s被该第三晶体管T3的第一沟道区间隔，该导电区T3c与该第三晶体管T3的第二极T3d被该第三晶体管T3的第二沟道区间隔，该导电区T3c与该第三晶体管T3的第一沟道区、第二沟道区为一体的结构，例如均包括多晶硅材料。类似地，第六晶体管T6也包括位于第一栅极T6g1和第二栅极T2g之间的导电区T6c。
例如，该第一导电层201还包括彼此绝缘的多条扫描线210、多条复位控制线220和多 条发光控制线230。这些信号线均可以作为图3A所示的栅线11的示例。
扫描线210与对应一行子像素中的第二晶体管T2的栅极T2g电连接(或为一体的结构)以提供第一扫描信号Ga1，复位控制线220与对应一行子像素中的第六晶体管T6的栅极T6g电连接以提供第一复位控制信号Rst1，发光控制线230与对应一行子像素中的第四晶体管T4的栅极T4g电连接以提供第一发光控制信号EM1。
例如，如图4所示，该扫描线210还与第三晶体管T3的栅极电连接以提供第二扫描信号Ga2，即第一扫描信号Ga1和第二扫描信号Ga2可以为同一信号；该发光控制线230还与第五晶体管T5的栅极T5g电连接以提供第二发光控制信号EM2，也即该第一发光控制信号EM1和第二发光控制信号EM2为同一信号。
例如，例如该第一栅极T3g1沿第一方向D1延伸，为扫描线210的一部分。该第二栅极T3g2沿第二方向D2延伸，为扫描线210沿第二方向D2延伸的延伸部。
例如，如图5所示，本行像素电路的第七晶体管T7的栅极与下一行像素电路(即按照扫描线的扫描顺序，在本行扫描线之后顺序开启的扫描线所在的像素电路行)所对应的复位控制线220电连接以接收第二复位控制信号Rst2。
例如，如图6A所示，该第二导电层202包括第一电容电极Ca。该第一电容电极Ca在垂直于衬底基板101的方向上与第一晶体管T1的栅极T1g交叠从而形成存储电容Cst，也即该第一晶体管T1的栅极T1g充当该存储电容Cst的第二电容电极Cb。例如，该第一电容电极Ca包括开口222，该开口222暴露出该第一晶体管T1的栅极T1g的至少部分，以便于该栅极T1g与其它结构电连接。例如，位于同一像素行的子像素的第一电容电极Ca彼此连接为一体的结构。
例如，该第二导电层202还可以包括沿第一方向D1延伸的多条复位电压线240，该多条复位电压线240与多行子像素一一对应连接。该复位电压线240与对应一行子像素中的第六晶体管T6的第一极电连接以提供第一复位电压Vinit1。
例如，如图6B所示，本行子像素中的第七晶体管T7的第一极与下一行子像素所对应的复位电压线240电连接以接收第二复位电压Vinit2。后文将结合图7B对此进行详细描述。
例如，如图6A-6B所示，该第二导电层202还可以包括屏蔽电极221。例如，该屏蔽电极221与第二晶体管T2的第一极T2s在垂直于衬底基板101的方向上交叠从而可以保护该第二晶体管T2的第一极T2s中的信号不受其它信号的干扰。由于该第二晶体管T2的第一极T2s配置为接收数据信号Vd，而该数据信号Vd决定了该子像素的显示灰阶，因此该屏蔽电极221提高了数据信号的稳定性，从而提高了显示性能。
例如，结合参考图6B和图5B，该屏蔽电极221还与第六晶体管T6的第二极T6d在垂直于衬底基板101的方向上至少部分交叠，以提高该第二极T6d上信号的稳定性，从而提高第六晶体管T6的稳定性，进一步稳定了第一晶体管T1的栅极电压。
例如，结合参照图6B与图5B，该屏蔽电极221还延伸至相邻的子像素并与相邻的子像素中的第三晶体管T3的导电区T3c在垂直于衬底基板101的方向上至少部分交叠，以提高 该导电区T3c中信号的稳定性，从而提高第三晶体管T3的稳定性，进一步稳定了第一晶体管T1的栅极电压。
例如，该屏蔽电极221和与之正对(交叠)的第二晶体管T2的第一极T2s及第六晶体管T6的第二极T6d形成稳定电容。该屏蔽电极221配置为加载固定电压，由于电容两端的压差不能突变，因此提高了第二晶体管T2的第一极T2s、第三晶体管T3的导电区T3c及第六晶体管T6的第二极T6d上电压的稳定性。例如，该屏蔽电极221与第三导电层203中的电源线250电连接以加载第一电源电压VDD。
例如，如图6A-6B所示，该屏蔽电极221为L或V形，包括延伸方向不同的第一分支221a和第二分支221b。该第一分支221a与第六晶体管T6的第二极T6d在垂直于衬底基板101的方向上至少部分交叠；该第二分支221b分别与第二晶体管T2的第一极T2s以及相邻的子像素中的第三晶体管T3的导电区T3c在垂直于衬底基板101的方向上至少部分交叠从而对该导电区T3形成遮挡以提高晶体管的稳定性。例如，该第一分支221a沿第二方向D2延伸，该第二分支221b沿第一方向D1延伸。
例如，如图7A-7B所示，该第三导电层203包括沿第二方向D2延伸的多条电源线250，该多条电源线250与第一电压端VDD连接以传输第一电源电压VDD。例如，该多条电源线250与多列子像素一一对应电连接以提供第一电源电压VDD。该电源线250通过过孔342与所对应的一列子像素中的第一电容电极Ca电连接，通过过孔343与第四晶体管T4的第一极T4s电连接。例如，该电源线250还通过过孔341与屏蔽电极221电连接，从而使得屏蔽电极221具有固定电位，提高了该屏蔽电极的屏蔽能力。例如，该过孔342和过孔341均贯穿第三绝缘层303，该过孔343贯穿第一绝缘层301、第二绝缘层302和第三绝缘层303。
例如，该第三导电层203还包括沿第二方向D2延伸的多条数据线12。例如，该多条数据线12与多列子像素一一对应电连接以提供数据信号Vd。例如，该数据线12与所对应的一列子像素中的第二晶体管T2的第一极T2s通过过孔346电连接以提供该数据信号。例如，该过孔346贯穿第一绝缘层301、第二绝缘层302和第三绝缘层303。
例如，结合图4A-4B、图7A-7B所示，该第三导电层203还包括连接电极231，该连接电极231的一端通过第一电容电极Ca中的开口222以及绝缘层中的过孔344与该第一晶体管T1的栅极T1g，即第二电容电极Cb电连接，另一端通过过孔345与该第三晶体管T3的第二极T3d电连接，从而将该第二电容电极Cb与该第三晶体管T3的第二极T3d电连接。例如，该过孔344贯穿第二绝缘层302和第三绝缘层303。例如，该过孔345贯穿第一绝缘层301、第二绝缘层302和第三绝缘层303。
例如，结合图4A-4B、图7A-7B所示，该第三导电层203还包括连接电极232，该连接电极233通过过孔349与第五晶体管T5的第二极T5d电连接，并用于将该第五晶体管T5的第二极T5d通过过孔350与发光元件的像素电极134电连接。例如，该过孔349贯穿第一绝缘层301、第二绝缘层302和第三绝缘层303。
例如，如图7A-7B所示，该第三导电层203还包括连接电极233，该连接电极233的一 端通过过孔348与复位电压线240电连接，另一端通过过孔347与第六晶体管T6的第一极T6s电连接，使得该第六晶体管T6的第一极T6s可以从该复位电压线240接收第一复位电压Vinit1。例如，该过孔348贯穿第三绝缘层303。例如该过孔347贯穿第一绝缘层301、第二绝缘层302和第三绝缘层303。
例如，如图7B所示，上一行子像素中的第七晶体管T7的第一极与本行子像素中的第六晶体管T6的第一极电连接，并与本行子像素所对应的复位电压线240(也即图7B中最上方的那条复位电压线240)电连接以接收第二复位电压Vinit2，本行子像素中的第七晶体管T7的第一极与下一行子像素中的第六晶体管T6的第一极电连接，并与下一行子像素所对应的复位电压线240(也即图7B中间的那条复位电压线240)电连接以接收第二复位电压Vinit2。
为了便于说明本公开实施例中发光元件的像素电极与各晶体管的栅极、沟道区的相对位置关系，图8B示出了半导体层102、第一导电层201和第四导电层204。
结合图4A-4C和图8A-8B所示，第四导电层204包括发光元件的第一电极，也即像素电极134，例如包括第一子像素100a的像素电极134a、第二子像素100b的像素电极134b、第三子像素100c的像素电极134c。各子像素的像素电极134通过过孔350与该子像素中的连接电极232电连接，从而通过该连接电极233与第五晶体管T5的第二极T5d电连接。该过孔350例如贯穿第四绝缘层304。
例如，参考图4A-4C，该显示基板20还可以包括位于发光元件的像素电极上的像素界定层305。像素界定层305中形成开口暴露出像素电极134的至少部分从而界定显示基板各个子像素的开口区(即有效发光区)600。发光元件120的有机功能层136至少形成于该开口内，第二电极135形成于有机功能层136上从而形成该发光元件120。例如，该第二电极135为公共电极，整面布置于该显示基板20中。例如像素电极134为发光元件的阳极，第二电极135为发光元件的阴极。图8B中用多边形示意性地示出了该第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3的开口区600，然而这并不作为对本公开的限制。
参考图4A-4B和图8A-8B，每个像素电极134包括电极主体部140和从该电极主体部140延伸出的第一电极延伸部142，该电极主体部140用于与该发光元件的有机功能层接触，第一电极延伸部142用于通过过孔350(本公开第一过孔的一个示例)与连接电极232电连接；该电极主体部与140与该过孔350在垂直于衬底基板的方向不交叠，从而避免过孔350影响与电极主体部140的平坦度，该电极主体部140用于驱动该发光元件的有机功能层发光，例如与该发光元件的有机功能层直接接触，该电极主体部140的不平坦不仅影响发光材料的发光效率，还会引起色偏。例如，该电极主体部140为该像素电极134被像素界定层中的开口区(例如后文中的开口区600)暴露的部分。图8B中用矩形块示意性地示出了过孔350与像素电极134的相对位置。例如，该第一电极延伸部141从该电极主体部140沿第二方向D2延伸出来。
例如，本公开实施例中像素电极的电极主体部可以是指该像素电极与对应的有机功能层 136在垂直于衬底基板的方向上重合的部分，或者为该像素电极与对应的开口区600在垂直于衬底基板的方向上重合的部分，或者为该像素电极所具有的最大面积的规则形状的区域。
结合参考图4A-4B以及图5和图8A-8B，例如，每行子像素中的六个子像素可以划分为两个像素组，即第一像素组和第二像素组；每个像素组包括三个子像素，该三个子像素配置为发出三种基本颜色(RGB)的光，例如，每个像素组配置为发全彩光。
如图8A-8B所示，在每个像素组中，三个子像素沿第一方向D1并列排布，也即三个子像素的像素电路位于同一行；三个子像素的像素电极的电极主体部排列为三角形，这种排布方式可以有效提高显示基板的开口率。在第一方向D1上相邻的两个像素组中三个子像素的像素电极的电极主体部所分布的三角形互为倒置。
结合参考图4A-4B以及图5和图8A-8B，第一子像素P1、第二子像素P2及第三子像素P3构成第一像素组，第一子像素P1、第二子像素P2及第三子像素P3沿第一方向D1排布，第二子像素P2和第三子像素P3位于第一子像素P1的两侧。第二像素组包括第六子像素P6、第七子像素P7以及第八子像素P8，该第六子像素P6与第一子像素P1配置为发相同颜色的光，例如绿光；该第七子像素P7与该第二子像素P2配置为发相同颜色的光，例如红光；该第八子像素P8与第三子像素P3配置为发相同颜色的光，例如蓝光。
如图8B所示，该第一像素组和第二像素组中颜色相同的子像素的像素电极的电极主体部140在第二方向上不交叠。
例如，该第一像素组和该第二像素组中的子像素的像素电极在所述第二方向彼此交叠。每行子像素的像素电极在第二方向D2上均彼此交叠。
第二子像素P2的像素电极134b和第三子像素P3的像素电极134c在第一方向D1上并列排布，第一子像素P1的像素电极134a的第一电极延伸部141位于该第二子像素P2的像素电极134b和第三子像素P3的像素电极134c之间。由于第二子像素P2的像素电极134b和第三子像素P3的像素电极134c之间的空间有限，第一子像素P1的像素电极的电极主体部140移动至下方错开布置，导致该第一子像素P1的像素电极的电极主体部140与该第一子像素P1的驱动子电路的控制电极(也即第一晶体管T1的栅极T1g)在垂直于衬底基板的方向上不交叠。
结合图5和图8B所示，该第二子像素P2的像素电极134b的电极主体部140与该第二子像素P2的驱动子电路的控制电极(也即第一晶体管T1的栅极T1g)在垂直于衬底基板的方向上至少部分交叠。该第三子像素P3的像素电极134c的电极主体部140与该第三子像素P3的驱动子电路的控制电极(也即第一晶体管T1的栅极T1g)在垂直于衬底基板的方向上至少部分交叠。
该第一子像素P1的像素电极134a的电极主体部140与该第一子像素P1的驱动子电路的控制电极(也即第一晶体管T1的栅极T1g)在垂直于衬底基板的方向上不交叠，该第一子像素P1的像素电极134a的第一电极延伸部141与该第一子像素P1的驱动子电路的控制电极(也即第一晶体管T1的栅极T1g)在垂直于衬底基板的方向上至少部分交叠，也即该 第一子像素为该第一类子像素中的一个。
通过设置该第一子像素P1的像素电极134a的第一电极延伸部141与其第一晶体管T1的栅极T1g交叠，从而使得第一节点N1与第四节点N4之间的寄生电容在各子像素中均匀分布，从而提高了显示的均一性。
例如，结合参考图5和图8B，在第一方向D1上任意相邻的两个子像素中的其中一个子像素的电极主体部和其驱动子电路的控制电极在垂直于衬底基板的方向上交叠，也即属于第二类子像素；另一个子像素的电极主体部和其驱动子电路的控制电极在垂直于所述衬底基板的方向上不交叠，而是通过设置电极延伸部来与驱动子电路的控制电极交叠，也即属于第一类子像素。这种设置在提高显示基板开口率的同时还提高了寄生电容分布的均一性，从而提高了显示的均一性。
如图8B所示，该第一子像素中的过孔350在衬底基板上的正投影在第二方向D2上位于该第一子像素的像素电极134a的电极主体部140在衬底基板上的正投影与该第一子像素的像素电路的驱动子电路的控制电极T1g在衬底基板上的正投影之间。
如图8B所示，第一像素组与第二像素组中发相同颜色的光的子像素的电极主体部不位于同一行。例如，第二像素组中与第一子像素发相同颜色光的子像素(即第六子像素P6)的电极主体部与该子像素的驱动子电路的控制电极(也即第一晶体管T1的栅极T1g)在垂直于衬底基板的方向上至少部分交叠。
发明人发现，由于第三晶体管T3和第六晶体管T6都是与第一晶体管T1(也即驱动晶体管)的栅极(也即第一节点N1)直接连接的晶体管，因此，该第三晶体管T3和第六晶体管T6的稳定性直接影响着第一晶体管T1的栅极(N1节点)电压的稳定性。由于第三晶体管和第六晶体管的沟道区的材料均包括半导体材料，在光照下容易发生阈值漂移、漏电等不稳定现象，虽然该沟道区已经被各自的栅极进行遮挡，但由于例如栅极的材料的遮光性不强或者厚度较低等原因，遮光效果有待提高，本公开至少一实施例还通过对像素电极进行设计以对各子像素的第三晶体管和第六晶体管的沟道区进行遮挡，提高该沟道区的遮光效果，从而提高晶体管的稳定性、提高显示质量。
参考图4B、图5和图8A-8B，该第一子像素P1的像素电极134a还包括从电极主体部140延伸出的第二电极延伸部142，该第二电极延伸部142与第五子像素P5的像素电路的补偿子电路的第一控制电极(也即第三晶体管的第一栅极T3g1)和第二控制电极(也即第三晶体管的第二栅极T3g2)分别至少部分交叠，该第五子像素P5与该第一子像素P1在第二方向D2上相邻。如图8所示，该第五子像素P5与该第一子像素P1位于同一列且位于该第一子像素P1的下方。例如，该第二电极延伸部142从该电极主体部140沿第二方向D2延伸出来。
由于沟道区位于栅极的正下方，通过设置该第二电极延伸部142与该第三晶体管的第一栅极和第二栅极至少部分交叠，使得该第二电极延伸部142与该第三晶体管的第一沟道区T3a1和第二沟道区T3a1交叠，从而对该第一沟道区T3a1和第二沟道区T3a1进行遮挡。例 如，晶体管的栅极可以理解为栅线与对应的沟道区在垂直于衬底基板的方向上重合的部分。
例如，参考图4B、图5和图8B，该第二电极延伸部142在衬底基板上的正投影覆盖该第三晶体管的第一栅极T3g1和第二栅极T3g2在衬底基板上的正投影，也即覆盖该第三晶体管的第一沟道区T3a1和第二沟道区T3a1在衬底基板上的正投影。这样可以完全遮挡住该第一沟道区T3a1和第二沟道区T3a1，实现较好的遮光效果。
例如，参考图4C、图5和图8B，该第一子像素的像素电极134a与该第一子像素的复位子电路的第一控制电极和第二控制电极(也即第六晶体管T6的第一栅极T6g1和第二栅极T6g2)分别至少部分交叠。
例如，该第一子像素的像素电极134a在衬底基板上的正投影覆盖该第六晶体管的第一栅极T6g1和第二栅极T6g2在衬底基板上的正投影，也即覆盖该第三晶体管的第一沟道区T6a1和第二沟道区T6a1在衬底基板上的正投影。这样可以完全遮挡住该第一沟道区T6a1和第二沟道区T6a1，实现较好的遮光效果。
例如，参考图4C、图5和图8B，该第一子像素的像素电极134a还包括从电极主体部140延伸出的第三电极延伸部143，该第三电极延伸部143与该第二子像素的复位子电路的第一控制电极和第二控制电极(也即第六晶体管T6的第一栅极T6g1和第二栅极T6g2)的至少之一或者二者均至少部分交叠。例如，该第三电极延伸部143从该电极主体部140沿第一方向D1延伸出来。
例如，该第一子像素的像素电极134a在衬底基板上的正投影覆盖该第二子像素中的第六晶体管的第一栅极T6g1和第二栅极T6g2在衬底基板上的正投影，也即覆盖该第六晶体管的第一沟道区T6a1和第二沟道区T6a1在衬底基板上的正投影。这样可以完全遮挡住该第一沟道区T6a1和第二沟道区T6a1，实现较好的遮光效果。
例如，参考图4B、图5和图8B，该第一子像素的像素电路的补偿子电路的第一控制电极(也即第三晶体管的第一栅极T3g1)和第二控制电极(也即第三晶体管的第二栅极T3g2)分别至少部分交叠由该第一子像素正上方的子像素(也即第九子像素)的像素电极遮挡。
例如，如图8B所示，该第二子像素的像素电极134b还包括从该第电极主体部140延伸出的第二电极延伸部142，该第二电极延伸部142与第四子像素P4的驱动子电路的控制电极至少部分交叠。该第四子像素P4与该第二子像素P2在第一方向D1上相邻，且该第四子像素与该第一子像素分别位于该第二子像素的两侧。
如图8B所示，该第二子像素的像素电极134b在像素电路中的相对位置可以参考第十子像素P10的像素电极的相对位置。该第十子像素P10位于第八子像素P8远离第六子像素P6的一侧，该第十子像素P10的像素电极的电极延伸部与该第八子像素P8的驱动子电路的控制电极在垂直于衬底基板的方向上至少部分交叠。
如图8B所示，由于第八子像素P8的像素电极与该第八子像素的驱动子电路的控制电极的交叠面积有限，通过设置第十子像素P10的像素电极与该第八子像素的驱动晶体管的栅极T1g交叠，可以提高第一节点N1上的寄生电容从而提高寄生电容分布的均一性。
在另一些示例中，第八子像素P8的第一电极延伸部141也可以有较大的面积，从而与该第八子像素P8的驱动子电路的控制电极有较大的交叠面积。例如，如图8C所示，第八子像素P8的第一电极延伸部141延伸较长，并与该第八子像素P8的驱动子电路的控制电极的上半部分发生交叠。虽然相邻的第十子像素P10的像素电极仍与该第八子像素P8的驱动子电路的控制电极存在交叠，但是交叠面积较小，该第八子像素P8自身的像素电极与驱动子电路的控制电极形成的寄生电容占主导作用；由于相同颜色的第三子像素P3也是通过自身的像素电极形成寄生电容，这种设置提高了相同颜色子像素之间的均一性。
例如，参考图5和图8B，该第二子像素的像素电极134b还包括从电极主体部140延伸出的第三电极延伸部143，该第三电极延伸部143与该第二子像素的补偿子电路的第一控制电极(也即第三晶体管的第一栅极T3g1)和第二控制电极(也即第三晶体管的第二栅极T3g2)分别至少部分交叠。
例如，该第三电极延伸部143在衬底基板上的正投影覆盖该第二子像素中的第三晶体管的第一栅极T3g1和第二栅极T3g2在衬底基板上的正投影，也即覆盖该第三晶体管的第一沟道区T3a1和第二沟道区T3a1在衬底基板上的正投影。这样可以完全遮挡住该第一沟道区T3a1和第二沟道区T3a1，实现较好的遮光效果。
例如，如图8B所示，该第三子像素的像素电极134c还与第一子像素的驱动子电路的控制电极(也即第一晶体管T1的栅极T1g)在垂直于衬底基板的方向上至少部分交叠。
由于第二子像素P2的像素电极134b和第三子像素P3的像素电极134c之间的空间有限，导致第一子像素P1的像素电极134c的第一电极延伸部141的面积有限，从而该第一电极延伸部134与第一晶体管T1的栅极T1g在垂直于衬底基板的方向上交叠的区域有限，而第一节点N1上得不到足够的寄生电容。通过设置第三子像素的像素电极与该第一子像素的驱动晶体管的栅极T1g交叠，可以提高第一节点N1上的寄生电容从而提高寄生电容分布的均一性。
例如，如图8B所示，该第三子像素的像素电极134c还包括从其电极主体部140延伸出的第二电极延伸部142，该第二电极延伸部与该第三子像素的像素电路的补偿子电路的第一控制电极(也即第三晶体管的第一栅极T3g1)和第二控制电极(也即第三晶体管的第二栅极T3g2)分别至少部分交叠。
例如，参考图5和图8B，该第二电极延伸部142在衬底基板上的正投影覆盖该第三晶体管的第一栅极T3g1和第二栅极T3g2在衬底基板上的正投影，也即覆盖该第三晶体管的第一沟道区T3a1和第二沟道区T3a1在衬底基板上的正投影。这样可以完全遮挡住该第一沟道区T3a1和第二沟道区T3a1，实现较好的遮光效果。
如图8A-8B所示，该多个子像素的像素电极134的电极主体部140排列为沿第一方向D1的多个像素电极行和沿第二方向D2的多个像素电极列，其中，奇数行的分布情形相同，偶数行的分布情形相同，奇数行与偶数行的电极主体部彼此错开，也即奇数行中的电极主体部在第一方向上位于偶数行的相邻两个电极主体部之间，偶数行中的电极主体部在第一方向 上位于奇数行的相邻的两个电极主体部之间。位于同一列的电极主体部所属的子像素发相同颜色的光。
例如，如图8A-8B所示，多个像素电极行包括相邻的第一像素电极行和第二像素电极行，所述第一像素电极行中的电极主体部所属的子像素属于所述第一类子像素，所述第二像素电极行中的电极主体部所属的子像素属于所述第二类子像素。
例如，如图8A-8B所示，在所述第二方向上，所述第一像素电极行中的多个电极主体部的每个所属的子像素的过孔350位于该每个像素电极主体部靠近所述第二像素电极行的一侧，所述第二像素电极行中的多个电极主体部的每个所属的子像素的过孔350位于所述每个像素电极主体部靠近所述第一像素电极行的一侧。例如，如图8A-8B所示，该第一像素电极行所对应的过孔350与第二像素电极行所对应的过孔350，也即每行子像素中的过孔350基本排列在一条直线上，该直线沿第一方向D1延伸。例如，该行子像素中的过孔350在衬底基板上的正投影与该行子像素所对应连接的发光控制线350在衬底基板上的正投影至少部分交叠。
如图8A-8B所示，对于任意相邻两行电极主体部，其中一行(例如如图8中第二子像素P2的电极主体部所在行)中每个电极主体部所属的像素电极均与该电极主体部所属的子像素以及与该子像素在第一方向上相邻的子像素(例如如图8中该子像素左侧的子像素)的驱动子电路的控制电极在垂直于衬底基板的方向上分别至少部分交叠；另一行(例如如图8A-8B中第一子像素P1的电极主体部所在行)中每个电极主体部所属的像素电极均与该电极主体部所属的子像素以及与该子像素在第一方向上两列的子像素(例如如图8中位于该子像素左侧的子像素)的第一复位子电路的第一控制电极和第二控制电极在垂直于衬底基板的方向上分别至少部分交叠；换言之，任意相邻两行电极主体部中的一行电极主体部所属的子像素属于所述第一类子像素，另一行中的电极主体部所属的子像素属于所述第二类子像素。
例如，衬底基板101可以为刚性基板，例如玻璃基板、硅基板等，也可以由具有优良的耐热性和耐久性的柔性材料形成，例如聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯酸酯、多芳基化合物、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚乙二醇对苯二甲酸酯(PET)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚砜(PSF)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、三醋酸纤维素(TAC)、环烯烃聚合物(COP)和环烯烃共聚物(COC)等。
例如，该半导体层102的材料包括但不限于硅基材料(非晶硅a-Si，多晶硅p-Si等)、金属氧化物半导体(IGZO，ZnO，AZO，IZTO等)以及有机物材料(六噻吩，聚噻吩等)。
例如，该第一到第四导电层的材料可以包括金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镁(Mg)、钨(W)以及以上金属组合而成的合金材料；或者导电金属氧化物材料，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化锌铝(AZO)等。
例如，该发光元件120为顶发射结构，第一电极(即像素电极)134具有反射性而第二电极135具有透射性或半透射性。例如，第一电极134为阳极，第二电极135为阴极。例如，第一电极134为ITO/Ag/ITO叠层结构,透明导电材料ITO为高功函数的材料，与发光材料 直接接触可以提高空穴注入率；金属材料Ag有助于提高第一电极的反射率。例如；第二电极135为低功函数的材料以充当阴极，例如为半透射的金属或金属合金材料，例如为Ag/Mg合金材料。
例如，第一绝缘层301、第二绝缘层302、第三绝缘层303例如为无机绝缘层，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等硅的氧化物、硅的氮化物或硅的氮氧化物，或者氧化铝、氮化钛等包括金属氮氧化物绝缘材料。例如，第四绝缘层304和像素界定层305分别为有机绝缘材料，例如为聚酰亚胺(PI)、丙烯酸酯、环氧树脂、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等有机绝缘材料。例如，第四绝缘层304为平坦化层；例如第四绝缘层304的材料为光刻胶材料。
本公开至少一实施例还提供一种显示面板，包括以上任一显示基板20。例如，该显示面板为OLED显示面板，相应地其包括的显示基板20为OLED显示基板。该显示基板20可以包括发光元件，也可以不包括发光元件，也即该发光元件可以在显示基板20完成后在面板厂形成。在该显示基板20本身不包括发光元件的情形下，本公开实施例提供的显示面板除了包括显示基板20之外，还进一步包括发光元件。
如图9所示，例如，该显示面板30还包括设置于显示基板20上的封装层801和盖板802，该封装层801配置为对显示基板20上的发光元件进行密封以防止外界的湿气和氧向该发光元件及驱动子电路的渗透而造成对器件的损坏。例如，封装层801包括有机薄膜或者包括无机薄膜、有机薄膜、无机薄膜交替层叠的结构。例如，该封装层801与显示基板20之间还可以设置吸水层(未示出)，配置为吸收发光元件在前期制作工艺中残余的水汽或者溶胶。盖板802例如为玻璃盖板或柔性盖板。例如，盖板802和封装层801可以为一体的结构。
本公开的至少一实施例还提供一种显示装置40，如图10所示，该显示装置40包括上述任一显示基板20或显示面板30，本实施例中的显示装置可以为：显示器、OLED面板、OLED电视、电子纸、手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
以上所述仅是本发明的示范性实施方式，而非用于限制本发明的保护范围，本发明的保护范围由所附的权利要求确定。
Claims (25)
- 一种显示基板，包括：衬底基板；多个子像素，成阵列分布于所述衬底基板上；其中，所述多个子像素每个包括像素电路，所述像素电路用于驱动所述多个子像素每个对应的发光元件，所述多个子像素排列为沿第一方向的多个像素行和沿第二方向的多个像素列，所述第一方向和所述第二方向不同；所述每个像素电路包括驱动子电路，所述驱动子电路包括控制电极，所述驱动子电路配置为根据所述控制电极上的电压控制用于驱动所述对应的发光元件的驱动电流；所述多个子像素每个还包括像素电极，所述每个子像素的像素电极与所述像素电路彼此电连接；对于所述每个子像素，所述像素电极包括电极主体部和从所述电极主体部延伸出的第一电极延伸部，所述电极主体部用于驱动所述子像素对应的发光元件的有机功能层发光，所述第一电极延伸部通过第一过孔与所述子像素的像素电路电连接；所述多个子像素包括第一类子像素，对于所述第一类子像素中的每个子像素，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述每个子像素的像素电极的电极主体部与所述每个子像素的像素电路的驱动子电路的控制电极或直接电连接所述控制电极的电极部不交叠，且所述每个子像素的像素电极的第一电极延伸部与所述每个子像素的像素电路的驱动子电路的控制电极或所述电极部至少部分交叠；所述第一类子像素至少包括配置为发出不同颜色的光的两个子像素。
- 如权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一类子像素包括配置为发出不同颜色光的三个子像素，所述三个子像素分别配置为发出绿光、红光和蓝光。
- 如权利要求1或2所述的显示基板，其中，配置为发出同种颜色光的子像素至少具有两种不同形状的像素电极。
- 如权利要求1-3任一所述的显示基板，其中，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一类子像素中的每个子像素的像素电极的电极主体部与所述每个子像素的像素电路的驱动子电路的控制电极不交叠，且所述每个子像素的像素电极的第一电极延伸部与所述每个子像素的像素电路的驱动子电路的控制电极的至少部分交叠。
- 如权利要求1-4任一所述的显示基板，其中，所述第一类子像素中的每个子像素中的第一过孔在所述衬底基板上的正投影在所述第二方向上位于所述每个子像素的像素电极的电极主体部在所述衬底基板上的正投影与所述每个子像素的像素电路的驱动子电路的控制电极在所述衬底基板上的正投影之间。
- 如权利要求5所述的显示基板，对于所述第一类子像素中的至少一个子像素，所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影将所述至少一个子像素在所述衬底基板上的正投影划分为沿所述第二方向排列的第一投影部分和第二投影部分；所述第一投影部分与所述每个子像素的像素电路的驱动子电路的控制电极或直接电连接所述控制电极的电极部在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠；在所述第二方向上，所述第二投影部分的尺寸与所述第一投影部分的尺寸的比值为0.7-1.5。
- 如权利要求1-6任一所述的显示基板，其中，所述多个子像素还包括第二类子像素，对于所述第二类子像素中的每个子像素，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述每个子像素的像素电极的电极主体部与所述每个子像素的像素电路的驱动子电路的控制电极至少部分交叠。
- 如权利要求6所述的显示基板，其中，在所述第一方向上相邻的两个子像素中的其中一个属于所述第一类子像素，另一个属于所述第二类子像素。
- 如权利要求7或8所述的显示基板，其中，所述多个子像素的像素电极的电极主体部排列为沿所述第一方向的多个像素电极行以及沿所述第二方向的多个像素电极列；所述多个像素电极行包括相邻的第一像素电极行和第二像素电极行，所述第一像素电极行中的电极主体部所属的子像素属于所述第一类子像素，所述第二像素电极行中的电极主体部所属的子像素属于所述第二类子像素。
- 如权利要求9所述的显示基板，其中，在所述第二方向上，所述第一像素电极行中的多个电极主体部的每个所属的子像素的第一过孔位于所述每个像素电极主体部靠近所述第二像素电极行的一侧，所述第二像素电极行中的多个电极主体部的每个所属的子像素的第一过孔位于所述每个像素电极主体部靠近所述第一像素电极行的一侧。
- 如权利要求1-10任一所述的显示基板，其中，所述多个子像素包括在所述第一方向上相邻的第一子像素、第二子像素和第三子像素；所述第三子像素与所述第二子像素分别位于所述第一子像素的两侧，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素构成第一像素组，所述第一像素组配置为发出全彩光；所述第一子像素为所述第一类子像素中的一个。
- 如权利要求11所述的显示基板，其中，在垂直于所述衬底基板的方向上，一个所述第三子像素的像素电极与一个所述第一子像素及所述第三子像素的像素电路的驱动子电路的控制电极分别至少部分交叠。
- 如权利要求11或12所述的显示基板，其中，所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的像素电极的电极主体部分布为第一三角形。
- 如权利要求11-13任一所述的显示基板，其中，在所述第一方向上，所述第一子像素的像素电极的第一电极延伸部位于所述第二子像素的像素电极的电极主体部和所述第三子像素的像素电极的电极主体部之间。
- 如权利要求11-14任一所述的显示基板，其中，所述第二子像素的像素电极还包括从所述电极主体部延伸出的第二电极延伸部；在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第二子像素的第二电极延伸部与第四子像素的驱 动子电路的控制电极至少部分重叠，所述第四子像素与所述第一子像素分别位于所述第二子像素沿所述第一方向上的两侧。
- 如权利要求11-15任一所述的显示基板，其中，所述像素电路还包括补偿子电路，所述补偿子电路包括第一控制电极和第二控制电极，所述第一控制电极和所述第二控制电极配置为接收扫描信号；所述补偿子电路与所述驱动子电路连接，并配置为响应于所述扫描信号对所述驱动子电路进行阈值补偿。
- 如权利要求16所述的显示基板，其中，所述第一子像素的像素电极还包括从所述电极主体部延伸的第二电极延伸部；在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一子像素的第二电极延伸部与第五子像素的补偿子电路的第一控制电极和第二控制电极分别至少部分交叠，所述第五子像素与所述第一子像素在所述第二方向上相邻。
- 如权利要求16或17所述的显示基板，其中，所述第二子像素的像素电极还包括从所述电极主体部延伸的第三电极延伸部；在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第二子像素的第三电极延伸部与所述第二子像素的像素电极的补偿子电路的第一控制电极和第二控制电极分别至少部分交叠。
- 如权利要求11-18任一所述的显示基板，其中，所述像素电路还包括第一复位子电路，所述第一复位子电路包括第一控制电极和第二控制电极，所述第一复位子电路的第一控制电极和第二控制电极配置为接收第一复位控制电压，所述第一复位子电路与所述发光元件的像素电极连接，并配置为响应于所述第一复位控制电压对所述发光元件的像素电极进行复位。
- 如权利要求19所述的显示基板，其中，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一子像素的像素电极与所述第一子像素的第一复位子电路的第一控制电极和第二控制电极分别至少部分交叠。
- 如权利要求19或20所述的显示基板，其中，所述第一子像素的像素电极还包括从所述电极主体部延伸出的第三电极延伸部；在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一子像素的像素电极的第三电极延伸部与所述第二子像素的第一复位子电路的第一控制电极和第二控制电极的至少之一至少部分交叠。
- 如权利要求11-21任一所述的显示基板，其中，所述多个子像素还包括在所述第一方向上相邻的第六子像素、第七子像素和第八子像素，所述第六子像素、所述第七子像素和所述第八子像素构成第二像素组，所述第二像素组配置为发出全彩光；所述第六子像素、所述第七子像素和所述第八子像素的像素电极的电极主体部分布为第二三角形，所述第二三角形与所述第一三角形互为倒置。
- 如权利要求22所述的显示基板，其中，所述第一像素组和所述第二像素组中颜色相同的子像素的像素电极的电极主体部在所述第二方向上不交叠。
- 如权利要求22或23所述的显示基板，其中，所述第一像素组和所述第二像素组中的子像素的像素电极在所述第二方向彼此交叠。
- 一种显示装置，包括如权利要求1-24任一所述的显示基板。
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