CN116891385A - 一种高含量yb4掺杂c/c复合材料的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及C/C复合材料领域,具体涉及一种高含量YB4掺杂C/C复合材料的制备方法,(1)将YCl36H2O‑C6H12O6溶于去离子水、H3BO3溶于丙三醇‑酒精混合溶液或二甲基甲酰胺,分别得到Y‑C源、B源液相先驱体;(2)将C/C复合材料先后浸渍于B源、Y‑C源液相先驱体中并进行低温热处理,循环3次后进行中温热处理,循环中温热处理3次后再予以高温处理,制得C/C‑YB4复合材料。本发明通过碳热、硼热还原法,将YB4均匀引入炭纤维坯体内部,实现C/C复合材料基体内部YB4含量的突破,YB4含量可达到33.52%,而且均匀固结在基体中,从而提高了C/C基复合材料的抗氧化、耐烧蚀性能,同时,C/C‑YB4复合材料可作为基体材料,继续填充SiC或其它超高温陶瓷,获得具有强耐烧蚀性能的炭/陶复合材料。

Description

一种高含量YB4掺杂C/C复合材料的制备方法
技术领域
本发明涉及C/C复合材料技术领域,具体涉及一种高含量YB4掺杂C/C复合材料的制备方法。
背景技术
C/C复合材料是理想的高温材料,其具有低密度、高比强度、耐烧蚀以及优异的力学性能和高温稳定性,以此该材料在航空航天领域具有极高的应用价值。受限于炭材料的易氧化特性,即在温度高于400℃发生氧化,高于600℃剧烈氧化,其在有氧环境下的服役能力极差,严重制约了C/C复合材料的工程化应用。有效引入超高温陶瓷(UHTCs),制备C/C-UHTCs复合材料,如C/C-SiC-ZrC、C/C-HfC能有效提高C/C复合材料的高温性能。钇基碳化物、硼化物陶瓷在高温有氧环境下生成的氧化物(Y2O3)能抑制Zr、Hf基氧化物的相变过程,从而进一步强化C/C-UHTCs复合材料的抗氧化、耐烧蚀能力,因此其与C/C复合材料的结合得到广泛关注。
受限于硼化钇(YB4/YB6)极高的熔点(高于2300℃)和难以溶于任何无机或有机溶剂的特性,其应用多集中于以包埋法、等离子烧结法、喷涂法等制备C/C复合材料的涂层结构,且相应的制备工艺已日趋成熟。然而,由于稀土系硼化物与炭材料间巨大的热膨胀差异,所制备的涂层结构在大梯度温度变化时易氧化后剥蚀或脱落,因此构件在强烧蚀或循环烧蚀环境下的稳定性有限。以基体改性技术将(YB4/YB6)引入C/C复合材料内部的较为成熟工艺包括喷洒工艺,喷洒工艺即在炭纤维编织阶段将(YB4/YB6)粉末逐层喷洒后编织,构建无纬布层-网胎层-粉末层重复结构,该方法的成本相对较低,但粉末引入量低且分布均匀性差,大幅度限制了(YB4/YB6)基体改性的应用。
发明内容
(一)针对现有技术的不足,本发明提供了一种高含量YB4掺杂C/C复合材料的制备方法,克服了现有技术的不足,有效的解决了上述背景中提及的问题。
(二)为实现以上目的,本发明通过以下技术方案予以实现:一种高含量YB4掺杂C/C复合材料的制备方法,包括以下步骤,
(1)制备硼源液相先驱体和钇-碳源液相先驱体;
(2)将C/C预制体先后浸渍于硼源、钇-碳源液相先驱体中并进行低温热处理,循环3次后进行中温热处理,循环中温热处理3次后再予以高温热处理,制得C/C-YB4复合材料。
优选的,步骤(1)中,所述硼源液相先驱体由H3BO3(硼酸)-丙三醇-酒精按体积比1:(3-5):(3-8)组成;所述钇-碳源液相先驱体是将YCl36H2O(氯化钇六水合物)-C6H12O6(葡萄糖)按质量比2:1溶于去离子水中制得。
优选的,步骤(2)中,所述低温热处理温度为800-1000℃,中温热处理温度为1400-1600℃,高温热处理温度为1700-1900℃。
优选的,所述C/C-YB4复合材料的具体工艺如下,
A1:将炭纤维坯体悬挂于化学气相沉积炉内,以化学气相沉积工艺在炭纤维坯体内部引入热解炭,得到多孔结构的C/C预制体;A2:将C/C预制体浸渍于硼源液相先驱体中,置于烘干箱中烘干后并在高温炉中保温处理,工艺循环3次,得到含硼C/C预制体;A3:将含硼C/C预制体浸渍于钇-碳源液相先驱体中,置于烘干箱中烘干后并在高温炉中保温处理,工艺循环3次,得到钇-炭-硼改性C/C预制体坯体;A4:将钇-碳-硼改性C/C预制体坯体进行中温热处理后先浸渍于硼源液相先驱体中,烘干后再浸渍于钇源液相先驱体中,烘干后进行中温热处理,工艺循环3次后进行高温热处理,即得C/C-YB4复合材料。
优选的,步骤A1中,所述化学气相沉积工艺为:碳源气体和载气分别为丙烯、氮气,丙烯和氮气的流量比为4:3,沉积压力≤10kPa,沉积温度为800-1000℃。
优选的,步骤A2中,所述硼源液相先驱体中H3BO3-丙三醇-酒精的体积比为1:3:4;控制烘干温度分别为80、110℃各烘干2h,后提高至150℃烘干3-8h;保温温度为600-700℃。
优选的,步骤A3中,控制烘干温度分别为80、110℃各烘干2h,后提高至100-200℃烘干3-8h;保温温度为800-1000℃。
优选的,步骤A4中,热处理工艺如下:升温至350℃、700℃各保温30-60min,再提高至1200-1900℃并保温1-3h,期间控制升温速率为2-3℃/min。
本发明还提供了C/C-YB4复合材料的另一种制备方法,具体如下,
B1:将炭纤维坯体悬挂于化学气相沉积炉内,以化学气相沉积工艺在炭纤维坯体内部引入热解炭,得到多孔结构的C/C预制体;B2:将C/C预制体浸渍于硼源液相先驱体中,置于烘干箱中烘干后并在高温炉中保温处理,工艺循环2次,得到含硼C/C预制体;B3:将含硼C/C预制体浸渍于钇-碳源液相先驱体中,置于烘干箱中烘干后并在高温炉中保温处理,工艺循环2次,得到钇-碳-硼改性C/C预制体坯体;B4:将钇-碳-硼改性C/C预制体坯体进行中温热处理后先浸渍于硼源液相先驱体中,烘干后再浸渍于钇-碳源液相先驱体中,烘干后进行中温热处理,工艺循环2次后进行高温热处理,即得C/C-YB4复合材料。
优选的,步骤B2中,所述硼源液相先驱体由H3BO3-C3H7NO(二甲基甲酰胺)按质量比为1:(2-5)组成;控制烘干温度为100-200℃烘干3-8h;保温温度为500-800℃;步骤B3中,所述钇-碳源液相先驱体由YCl3-PF(酚醛树脂)-C3H7NO按质量比为4:1:(5-8)组成;控制烘干温度为150-350℃烘干3-8h;保温温度为800-1200℃。
(三)本发明提供了一种高含量YB4掺杂C/C复合材料的制备方法,具备以下有益效果:
1、本发明以YCl3·6H2O、H3BO3、C6H12O6作为先驱体通过碳热、硼热还原法,将YB4引入炭纤维坯体内部,实现在C/C复合材料基体内部YB4含量的突破,YB4含量可达到33.52%,而且均匀固结在基体中,从而提高了C/C基复合材料的抗氧化、耐烧蚀性能,该方法还具有低成本、操作简单、安全可靠的特点。
2、本发明在烘干箱烘干过程中,采用80、110℃各烘干2h,后提高至150℃烘干5h,在去离子水、乙醇蒸发以及H3BO3分解时,可减少坯体内硼源和碳源的损耗。
3、本发明在C/C预制体坯体热处理过程中,经3次1400℃热处理后,随后升温至1800℃并保温,目的是防止先驱体中间产物过多,先驱体裂解时陶瓷产物体积膨胀过大而破坏预制体的结构。
4、本发明另外提供的C/C-YB4复合材料,采用了C3H7NO代替C3H8O3和H2O作为溶剂分散H3BO3和YCl3,解决了H3BO3-C3H7NO溶液粘度难以调整的问题,并进一步提高硼源、钇-碳源的浸渍效率,缩短了复合材料的制备周期,然而所用钇源为无水YCl3,该先驱体成本明显高于YCl3·6H2O。
附图说明
图1为本发明实施例1中C/C-YB4复合材料的XRD谱图;
图2为本发明实施例1中C/C-YB4预制体复合材料的微观形貌图和面扫分析结果:其中(a)为C/C-YB4经1800℃处理后的微观截面形貌图;(b)为陶瓷相在纤维束间分布形貌图;(c)为基体内陶瓷形貌图;(d-f)分别为陶瓷相的Y、C、O元素分布图。
图3为本发明实施例3提供的C/C-YB4-HfC复合材料的XRD谱:其中X为通过编织工艺引入YB4改性C/C-HfC复合材料对比样;Y通过本发明工艺制备的C/C-YB4-HfC复合材料。
图4为本发明实施例3中C/C-YB4-HfC复合材料的微观形貌图和面扫分析结果:其中(a)为C/C-YB4-HfC复合材料的微观形貌图;(b)为局部放大图的微观形貌;(c)为放大的陶瓷结构形貌图;(d-f)分别为陶瓷相的Hf、Y、C元素分布图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。
实施例1
一种C/C-YB4复合材料的制备方法,具体如下,
A1:将0.45g/cm3的针刺炭纤维坯体悬挂于化学气相沉积炉内,以化学气相沉积工艺在炭纤维坯体内部引入热解炭,得到密度为0.58g/cm3的多孔结构C/C预制体。其中,化学气相沉积工艺为,碳源气体和载气分别为丙烯、氮气,丙烯和氮气的流量比为4:3,沉积压力为2kPa,沉积温度为1000℃。
A2:将C/C预制体浸渍于硼源液相先驱体中,置于烘干箱中烘干后并在高温炉中保温处理,工艺循环3次,得到含硼C/C预制体。其中,硼源液相先驱体中H3BO3-丙三醇-酒精的体积比为1:3:4;控制烘干温度分别为80、110℃各烘干2h,后提高至150℃烘干5h;保温温度为700℃。
A3:将含硼C/C预制体浸渍于钇-碳源液相先驱体中,置于烘干箱中烘干后并在高温炉中保温处理,工艺循环3次,得到钇-炭-硼改性C/C预制体坯体。其中,YCl3·6H2O-C6H12O6-H2O,且YCl3·6H2O-C6H12O6-H2O的质量比为1:2:6;控制烘干温度分别为80、110℃各烘干2h,后提高至150℃烘干5h;保温温度为800℃。
A4:将钇-碳-硼改性C/C预制体坯体进行中温热处理后先浸渍于硼源液相先驱体中,烘干后进行低温热处理,再浸渍于钇源液相先驱体中,烘干后进行热处理,引入硼、钇源工艺各循环3次,其中,热处理工艺如下:升温至350℃保温40min,再进行700℃低温热处理(硼源)、进行1000℃热处理(钇源),保温时长1h。
A5:将热处理后钇-碳-硼改性C/C预制体坯体进行中温热处理后循环A4工艺流程,经3次中温热处理后,进行高温热处理,即得密度为1.25g/cm3的C/C-YB4复合材料。其中,热处理工艺如下:升温至1400℃进行中温热处理并保温1h,升温至1800℃进行高温热处理并保温2h,期间控制升温速率为2℃/min。
图1为实施例1制得的C/C-YB4复合材料的物相分析。图1为C/C-YB4复合材料的XRD谱,谱图显示各峰型窄且尖锐,表明基体内的陶瓷相晶体结构完整,即碳热、硼热反应完全进行。同时可见,YB4为主要峰,同时伴随少量的YB6、YB2C2和YC2相,且YB4远高于其他相,表明钇基前驱体基本完成了向YB4的转化,其中YB2C2和YC2可通过进一步提高硼源引入量,减少或消除二者在基体内的含量。
图2为实施例1制得的C/C-YB4复合材料的截面形貌和陶瓷相应的面扫分析图。图2a显示,生成的陶瓷相主要分布在C/C坯体的网胎层,所制备的C/C-YB4复合材料内部仍有大量未填充孔隙。放大纤维束区域(区域A),如图2b可见,纤维束间仍存在部分纳米陶瓷颗粒。对区域B的陶瓷进行放大,图2c显示陶瓷相发生团聚,合并成近烧结结构的整体的块状陶瓷,对其进行能谱分析可知(图2d、e),该陶瓷块由大量的YB4和少量YC2构成,该陶瓷块结构有效消除了陶瓷颗粒间孔隙,可为后续其他陶瓷的增密提供大量浸渍通道,从而提升后续制备复合材料的致密度。同时图2f中极低的氧含量验证了基体内碳热、硼热反应完全进行。
实施例2
另一种C/C-YB4复合材料的制备方法,具体如下,
B1:将0.45g/cm3的针刺炭纤维坯体悬挂于化学气相沉积炉内,以化学气相沉积工艺在炭纤维坯体内部引入热解炭,得到密度为0.61g/cm3的多孔结构C/C预制体。其中,化学气相沉积工艺为,碳源气体和载气分别为丙烯、氮气,丙烯和氮气的流量比为4:3,沉积压力位3kPa,沉积温度为850℃。
B2:将C/C预制体浸渍于硼源液相先驱体中,置于烘干箱中烘干后并在高温炉中保温处理,工艺循环2次,得到含硼C/C预制体。其中,硼源液相先驱体为H3BO3-C3H7NO,且H3BO3和C3H7NO的质量比为1:3;控制烘干温度为150℃烘干5h;保温温度为600℃。
B3:将含硼C/C预制体浸渍于钇-碳源液相先驱体中,置于烘干箱中烘干后并在高温炉中保温处理,工艺循环2次,得到钇-炭-硼改性C/C预制体坯体。其中,钇-碳源液相先驱体为YCl3-PF-C3H7NO,且YCl3-PF-C3H7NO的质量比为4:1:8;控制烘干温度为200℃烘干5h;保温温度为1000℃。
B4:将钇-碳-硼改性C/C预制体坯体热处理后先浸渍于硼源液相先驱体中,烘干后再浸渍于钇-碳源液相先驱体中,烘干后进行中温热处理,循环B2、B3流程并进行中温热处理,后进行高温热处理,即得密度为1.32g/cm3的C/C-YB4复合材料。其中,热处理工艺如下:升温至350℃、700℃各保温60min,再提高至1400℃中温热处理保温1h,循环B2、B3流程并进行2次1400℃热处理后,随后升温至1800℃并保温2h,期间控制升温速率为2℃/min。
在实施例1中,在A2的步骤中,需要将C/C预制体坯体再经3次浸渍、裂解处理,这样处理可提高基体内硼源含量,利于复合材料后续硼热反应的进行。但需合理选择C3H8O3(丙三醇)与C2H5OH(酒精)的比例,以调整溶溶剂的粘度,粘度过高硼源难以进入,过低硼源进入含量过少而影响后续硼热反应。
本实施例中直接将H3BO3直接分散于二甲基甲酰胺,提高单次浸渍过程中硼源的引入量,从而降低浸渍周期,提高YB4的引入量,且YCl3-PF-C3H7NO先驱体提升碳源引入了,且裂解时生成的Cl-O气体大幅度降低。然而所用钇源为无水YCl3,其价格明显高于YCl3·6H2O-C6H12O6-H2O先驱体。
实施例3
一种C/C-YB4-HfC复合材料的制备方法,具体如下,
(1)将HfCl46H2O-C6H12O6溶于去离子水,得到HfC液相先驱体;其中,HfCl46H2O和C6H12O6的质量比为5:1;HfCl46H2O-C6H12O6和去离子水的1:2。
(2)将C/C-YB4复合材料浸渍于HfC液相先驱体中并进行1400℃热处理,循环3次后进行1800℃高热处理,再予以保温处理1h,制得C/C-YB4-HfC复合材料。
本实施例中,采用实施例1中的C/C-YB4复合材料。
图3为实施例4制得的C/C-YB4-HfC复合材料(样品Y)的XRD谱,并同时对比了以编制方法引入YB4陶瓷,再以相同引入工艺HfC改性C/C复合材料的XRD谱。由图可见,以HfC改性编制工艺制备的C/C-YB4复合材料时(样品X),复合材料基体组成为HfC、HfB2和C,其中HfB2的生成为基体内YB4和HfC、HfO2发生了B-C、B-O交换。同时可见,样品X的谱中未见钇基陶瓷的衍射峰,表明相比铪基陶瓷和炭组分,基体内YB4的相对含量偏低;而以本发明方法制备的C/C-YB4-HfC复合材料的XRD谱中,基体内除以上三相外,出现了YB4和Y2C3的衍射峰,其中Y2C3的出现证明了基体内的B-C、B-O交换过程,同时表明以本发明制备复合材料能有效提高基体内YB4的含量。
图4为实施例4制得的C/C-YB4-HfC复合材料的截面形貌扫描和陶瓷相应的面扫分析图。由图4a可见,铪基陶瓷有效填充了实施例1中C/C-YB4预制体的孔洞,所制备复合材料具有高致密度。图4b为陶瓷相的放大图,根据衬度差异可知,基体陶瓷可分为两种主要陶瓷相,对其进行面扫分析如图4d-f所示,白色和灰色相为铪基陶瓷(HfC、HfB2)和钇基陶瓷(YB4、Y2C3)。由于在陶瓷引入阶段,复合材料基体内出现B-C、B-O交换,铪基陶瓷逐渐向YB4陶瓷块渗入,并发生粘连现象,如图4c的放大图所示。该结构能有效提升复合材料的致密度。
本发明的实施例公布的是较佳的实施例,但并不局限于此,本领域的普通技术人员,极易根据上述实施例,领会本发明的精神,并做出不同的引申和变化,但只要不脱离本发明的精神,都在本发明的保护范围内。

Claims (10)

1.一种高含量YB4掺杂C/C复合材料的制备方法,其特征在于,该制备方法包括以下步骤,
(1)制备硼源液相先驱体和钇-碳源液相先驱体;
(2)将C/C预制体先后浸渍于硼源、钇-碳源液相先驱体中并进行低温热处理,循环3次后进行中温热处理,循环中温热处理3次后再予以高温热处理,制得C/C-YB4复合材料。
2.如权利要求1所述的一种高含量YB4掺杂C/C复合材料的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述硼源液相先驱体由H3BO3-丙三醇-酒精按体积比1:(3-5):(3-8)组成;所述钇-碳源液相先驱体是将YCl36H2O-C6H12O6按质量比2:1溶于去离子水中制得。
3.如权利要求1所述的一种高含量YB4掺杂C/C复合材料的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,所述低温热处理温度为800-1000℃,中温热处理温度为1400-1600℃,高温热处理温度为1700-1900℃。
4.如权利要求1所述的一种高含量YB4掺杂C/C复合材料的制备方法,其特征在于,所述C/C-YB4复合材料的具体工艺如下,
A1:将炭纤维坯体悬挂于化学气相沉积炉内,以化学气相沉积工艺在炭纤维坯体内部引入热解炭,得到多孔结构的C/C预制体;
A2:将C/C预制体浸渍于硼源液相先驱体中,置于烘干箱中烘干后并在高温炉中保温处理,工艺循环3次,得到含硼C/C预制体;
A3:将含硼C/C预制体浸渍于钇-碳源液相先驱体中,置于烘干箱中烘干后并在高温炉中保温处理,工艺循环3次,得到钇-炭-硼改性C/C预制体坯体;
A4:将钇-碳-硼改性C/C预制体坯体进行中温热处理后先浸渍于硼源液相先驱体中,烘干后再浸渍于钇源液相先驱体中,烘干后进行中温热处理,工艺循环3次后进行高温热处理,即得C/C-YB4复合材料。
5.如权利要求4所述的一种高含量YB4掺杂C/C复合材料的制备方法,其特征在于,步骤A1中,所述化学气相沉积工艺为:碳源气体和载气分别为丙烯、氮气,丙烯和氮气的流量比为4:3,沉积压力≤10kPa,沉积温度为800-1000℃。
6.如权利要求4所述的一种高含量YB4掺杂C/C复合材料的制备方法,其特征在于,步骤A2中,所述硼源液相先驱体中H3BO3-丙三醇-酒精的体积比为1:3:4;控制烘干温度分别为80、110℃各烘干2h,后提高至150℃烘干3-8h;保温温度为600-700℃。
7.如权利要求4所述的一种高含量YB4掺杂C/C复合材料的制备方法,其特征在于,步骤A3中,控制烘干温度分别为80、110℃各烘干2h,后提高至100-200℃烘干3-8h;保温温度为800-1000℃。
8.如权利要求4所述的一种高含量YB4掺杂C/C复合材料的制备方法,其特征在于,步骤A4中,热处理工艺如下:升温至350℃、700℃各保温30-60min,再提高至1200-1900℃并保温1-3h,期间控制升温速率为2-3℃/min。
9.如权利要求1所述的一种高含量YB4掺杂C/C复合材料的制备方法,其特征在于,所述C/C-YB4复合材料的具体工艺如下,
B1:将炭纤维坯体悬挂于化学气相沉积炉内,以化学气相沉积工艺在炭纤维坯体内部引入热解炭,得到多孔结构的C/C预制体;
B2:将C/C预制体浸渍于硼源液相先驱体中,置于烘干箱中烘干后并在高温炉中保温处理,工艺循环2次,得到含硼C/C预制体;
B3:将含硼C/C预制体浸渍于钇-碳源液相先驱体中,置于烘干箱中烘干后并在高温炉中保温处理,工艺循环2次,得到钇-碳-硼改性C/C预制体坯体;
B4:将钇-碳-硼改性C/C预制体坯体进行中温热处理后先浸渍于硼源液相先驱体中,烘干后再浸渍于钇-碳源液相先驱体中,烘干后进行中温热处理,工艺循环2次后进行高温热处理,即得C/C-YB4复合材料。
10.如权利要求9所述的一种高含量YB4掺杂C/C复合材料的制备方法,其特征在于,步骤B2中,所述硼源液相先驱体由H3BO3-C3H7NO按质量比为1:(2-5)组成;控制烘干温度为100-200℃烘干3-8h;保温温度为500-800℃;
步骤B3中,所述钇-碳源液相先驱体由YCl3-PF-C3H7NO按质量比为4:1:(5-8)组成;控制烘干温度为150-350℃烘干3-8h;保温温度为800-1200℃。
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