CN116825463A - 软磁性成形体、磁芯及电子部件 - Google Patents

软磁性成形体、磁芯及电子部件 Download PDF

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Abstract

本发明的技术问题在于,提供一种能够提高直流叠加特性的软磁性成形体、磁芯及电子部件。软磁性成形体(12)具有:含有元素M的软磁性粒子(21)、和存在于软磁性粒子(21)的相互之间并覆盖软磁性粒子(21)的外周的粒间区域(31)。在软磁性成形体(12)的截面,软磁性粒子(21)的中心处的元素M的比例相对于构成软磁性成形体(12)的软磁性组合物中的元素M的比例在10%以上且70%以内的范围内。在软磁性成形体(12)的截面,存在于软磁性粒子(21)的周围的粒间区域(31)的各周长的平均在5μm以上且15.5μm以下的范围内。

Description

软磁性成形体、磁芯及电子部件
技术领域
本发明涉及例如将软磁性粒子加压成形后进行热处理而获得的软磁性成形体、和具有该软磁性成形体的磁芯及电子部件。
背景技术
金属磁性体与铁氧体相比,具有能够获得高的饱和磁通密度的优点。作为这样的金属磁性体,已知有Fe-Si-Al系合金、Fe-Si-Cr系合金等。
例如在专利文献1中,开发了将在软磁性合金粒子之间的区域的相对于铬或铝等元素的硅的质量比率的最大值设定在特定的范围的软磁性组合物,有效地降低了芯损耗(coil loss)。
近年来,在这种含有铬或铝等元素的软磁性成形体中,提高直流叠加特性成为课题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2020-038923号公报
发明内容
发明所要解决的问题
本发明是鉴于这样的实际情况而完成的,其目的在于,提供一种能够提高直流叠加特性的软磁性成形体、磁芯及电子部件。
用于解决问题的技术方案
为了实现上述目的,本发明的软磁性成形体,
具有:含有元素M的软磁性粒子、和存在于所述软磁性粒子的相互之间并覆盖所述软磁性粒子的外周的粒间区域,
在所述软磁性成形体的截面,所述软磁性粒子的中心处的所述元素M的比例相对于构成所述软磁性成形体的软磁性组合物中的所述元素M的比例在10%以上且70%以内的范围内,
在所述软磁性成形体的截面,存在于所述软磁性粒子的周围的所述粒间区域的各周长的平均在5μm以上且15.5μm以下的范围内。
本发明人等对软磁性成形体的直流叠加特性的提高进行了深入研究,结果发现,软磁性粒子的中心处的元素M的比例在特定的范围内,软磁性粒子的粒间区域的周长在特定的范围内至关重要,并完成了本发明。
优选的是,所述元素M含有至少一个以上相比于Fe及Si离子化倾向更大的元素。
优选的是,所述粒间区域中含有的所述元素M的比例高于所述软磁性粒子的中心处的所述元素M的比例。
优选的是,所述粒间区域中含有的Si的比例高于所述软磁性粒子的中心处的Si的比例。
本发明的磁芯具有上述任一项所述的软磁性成形体。
本发明的电子部件具有上述任一项所述的软磁性成形体。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式的由软磁性成形体构成的磁芯的概略立体图。
图2A是图1所示的磁芯的局部截面的放大图。
图2B是本发明的实施例的磁芯的局部截面的显微镜摄影图像。
图2C是本发明的比较例的磁芯的局部截面的显微镜摄影图像。
图3A是表示图2A所示的软磁性粒子的内切圆和外切圆的概略图。
图3B是放大图2C所示的显微镜照片且写入软磁性粒子的内切圆和外切圆的摄影图像。
图4是放大图2C所示的显微镜照片且在邻接的10个软磁性粒子写入外切圆的摄影图像。
图5是放大图2B所示的显微镜照片的一部分且表示粒子的粒内区域和粒间区域的测定部位的摄影图像。
附图标记说明
10…磁芯
21…软磁性合金粒子(软磁性粒子)
31…粒间区域
具体实施方式
以下,参照附图,对本发明的实施方式进行说明。
如图1所示,本实施方式的磁芯10具有以环形形状成形的软磁性成形体12。作为磁芯(magnetic coil)10的形状,没有特别限定,但除了环形型以外,还可以例示FT型、ET型、EI型、UU型、EE型、EER型、UI型、鼓型、罐(pot)型、圆筒形、棱柱形等。在该磁芯10的一部分,通过卷绕单一或多个绕线(wire)等而用作线圈装置等的电子部件等。
如图2A所示,本实施方式的磁芯10的软磁性成形体12具有多个软磁性合金粒子(软磁性粒子)21。在本实施方式中,将从相邻的一软磁性合金粒子21到另一软磁性合金粒子21的区域称为软磁性合金粒子的粒间区域31,并将粒子21的中心附近的区域称为粒内区域。此外,粒子21的中心定义为后述的粒子的内切圆的中心。
在本实施方式中,软磁性合金粒子21含有元素M和铁(Fe)。没有特别限定,本实施方式的软磁性合金粒子21除此以外也可以含有硅(Si)、碳(C)或锌(Zn)。
元素M的离子化倾向比硅(Si)强(大)。另外,元素M具有在软磁性合金粒子21的表面形成氧化覆膜的倾向。作为元素M,例如可列举铬(Cr)、铝(Al)、镁(Mg)、钛(Ti)、锆(Zr)、锰(Mn)、锌(Zn),但从向铁合金粒子形成均匀的氧化覆膜的观点来看,优选铬(Cr)或铝(Al)。另外,作为元素M,不限于一种,也可以使用多种元素。
构成本实施方式的软磁性成形体12的软磁性合金组合物(含有图2A所示的粒子21和粒间区域31双方/以下相同),例如在元素M为铬(Cr)的情况下,含有以Cr换算为1~9质量%的铬(Cr)、含有以Si换算为0~9质量%的硅(Si),剩余部分由铁(Fe)构成。另外,构成本实施方式的软磁性成形体12的软磁性合金组合物,例如在元素M为铝(Al)的情况下,含有以Al换算为1~9质量%的铝(Al)、含有以Si换算为0~14质量%的硅(Si),剩余部分由铁(Fe)构成。
软磁性合金组合物中的铬(Cr)的含量,优选地,以Cr换算为1~9质量%,更优选地,以Cr换算为3~7质量%。
本实施方式的软磁性合金组合物中的铝(Al)的含量,优选地,以Al换算为1~9质量%,更优选地,以Al换算为3~7质量%。
本实施方式的软磁性合金组合物中的硅(Si)的含量,优选地,以Si换算为0~9质量%,更优选地,为2~8.5质量%。
在本实施方式的软磁性合金组合物中,剩余部分也可以实质上仅由铁(Fe)构成。本实施方式的软磁性体组合物除了上述的构成成分以外,还可以含有碳(C)及锌(Zn)等成分。
在本实施方式的软磁性体组合物中,碳(C)的含量优选为小于0.05质量%,更优选为0.01~0.04质量%。在本实施方式的软磁性体组合物中,锌(Zn)的含量优选为0.004~0.2质量%,更优选为0.01~0.2质量%。此外,在本实施方式的软磁性体组合物中,除了上述成分以外,还可以含有不可避免的杂质。
本实施方式的粒间区域31构成为存在于软磁性合金粒子21的相互之间并覆盖软磁性合金粒子21的外周。在本实施方式中,非晶相也可以存在于粒间区域31。由此,能够实现低的芯损耗。在粒间区域31,也可以存在作为非晶相的Si-M氧化物或Si-M复合氧化物。
此外,Si-M氧化物是主要由硅(Si)、元素M及氧(O)构成的氧化物。在Si-M氧化物中,也可以为,硅(Si)、元素M及氧(O)以外的元素,相对于硅(Si)、元素M及氧(O)的合计质量100质量%,含有合计小于0.1质量%。
另外,Si-M复合氧化物含有硅(Si)、元素M及氧(O),并且还含有这3种成分(Si、M及O)以外的元素。作为Si-M氧化物或Si-M复合氧化中所含的3种成分(Si、元素M及O)以外的元素,可列举钒(V)、镍(Ni)或铜(Cu)。
在本实施方式中,在粒间区域31,也可以含有:硅(Si),其不源自软磁性合金粒子21中含有的元素。作为不源自软磁性合金粒子21中含有的元素的硅(Si),没有特别限定,例如可以认为是源自用作结合材料的硅树脂中含有的硅(Si)。
在本实施方式中,图2A(实际的显微镜照片如图5所示)所示的粒间区域31的规定位置O2中所含的元素M的比例(质量%)M2,高于与该粒间区域31相接的软磁性合金粒子21的中心O1处的元素M的比例(质量%)M1。例如,比例的比率M2/M1优选为20以上。
另外,在本实施方式中,软磁性合金粒子21的中心O1处的元素M的比例(质量%)M1,相对于构成软磁性成形体12的软磁性组合物中的元素M的比例(质量%)M0,为10%以上且70%以内,优选为10%以上且50%以内,更优选为10%以上且45%以内的范围内。
而且,粒间区域31的规定位置O2处所含的Si的比例S2,相比于软磁性合金粒子21的中心O1处的Si的比例S1也可以高也可以低,但优选为高。例如,比例的比率S2/S1优选为0.1以上,更优选为3以上。
粒间区域31的规定位置O2只要是粒间区域31的内部,则可以是任意的位置,例如,选择距相邻的两个或三个软磁性合金粒子21等距离的位置等作为测定位置。另外,软磁性合金粒子21的中心O1也可以是与测定的粒间区域31邻接的任意软磁性合金粒子21的中心O1。
中心,例如如图3A(图3B)所示,与成为测定对象的软磁性合金粒子21的截面形状匹配,描绘假想的内切圆C1和外切圆C2,将内切圆C1的中心作为软磁性合金粒子21的中心O1。内切圆C1定义为与表示粒子21的外缘的线接触的内切圆内的具有最大直径D1的圆,外切圆C2定义为与表示粒子21的外缘的线接触的外切圆内的具有最小直径D2的圆。
此外,如图2A(图5)所示,对于软磁性合金粒子21的中心位置O1的组成、和粒间区域31的规定位置O2的组成,例如可以使用附属于FE-SEM的分辨率足够高的EDS装置,通过进行EDS分析来测定。另外,构成软磁性成形体12的软磁性组合物中的元素M的比例(质量%)例如可以如下求出,与构成软磁性成形体12的原料组成中的元素M的比例(质量%)一致。
例如,构成软磁性成形体12的软磁性组合物中的元素M的比例(质量%),可以通过将软磁性成形体12的试样的至少10质量%的破碎品利用堀场制作所制造的Ultima Expert等分析装置以等离子体发光分析法进行分析而得到。
如图2A所示,在本实施方式中,在软磁性成形体12的截面,存在于软磁性粒子21周围的粒间区域31的各周长的平均为5μm以上且15.5μm以下,优选为5μm以上且15μm以下,更优选为5μm以上且12μm以下的范围内。计算粒间区域31的各周长的平均可以如下述那样进行。
首先,通过使用电场发射型扫描电子显微镜(FE-SEM)观察软磁性成形体12的截面,判别软磁性合金粒子21和软磁性合金粒子21之间的区域31。具体而言,通过FE-SEM拍摄软磁性成形体12的截面,例如如图2B或图2C所示,获得反射电子像。
将在该反射电子像中存在于软磁性合金粒子21的相互之间且具有与软磁性合金粒子21不同的对比度的区域设为软磁性合金粒子21之间的粒间区域31。是否具有的不同对比度的判断也可以通过目视进行,也可以通过进行图像处理的软件等判断。在图2B或图2C中,能够将观察为粒子状的亮度高的区域判断为软磁性合金粒子21,并且能够将亮度低的暗的区域判断为粒间区域31。
接着,例如如图4所示,在使用FE-SEM获得的软磁性成形体12的截面的观察范围内,选择截面中的相互邻接的10个软磁性合金粒子21。使用FE-SEM获得的软磁性成形体12的截面的观察范围设为,观察到至少10个以上,优选30个以上的软磁性合金粒子21的范围。
在观察范围内,对于相互邻接的10个软磁性合金粒子21,可以计算各个粒子21的周长,并将它们的平均值定义为粒间区域31的周长的平均。各个粒子21的周长,如图3A所示,可以对选择的各粒子21的截面,描绘假想的内切圆C1和外切圆C2,将内切圆C1的周长(π×D1)和外切圆C2的周长(π×D2)的平均(π×(D1+D2)/2)测定为各粒子21的周长。各个软磁性合金粒子21被周长的平均值在规定范围内的粒间区域31包覆。
在本实施方式中,仅由两个粒子21夹持的二颗粒晶界的粒间区域31的宽度,优选为薄至1μm以下的程度,优选为0.01~0.3μm。粒间区域31的宽度,可以作为在使用FE-SEM获得的软磁性成形体12的观察范围内的截面中,判断为仅由两个粒子21夹持的二颗粒晶界的粒间区域31的部分的宽度的最大值而求出。为二颗粒晶界的各切线间的宽度,有意地倾斜横切的宽度不符合。在本实施方式中,关于由三个粒子31包围的3重点的粒间区域31,不进入粒间区域31的宽度的定义。
也可以在本实施方式的软磁性成形体12的表面形成包覆层。作为包覆层的材质,没有特别限制,例如可以例示玻璃组合物、SiO2、B2O3、ZrO2或树脂等。此外,包覆层可以由多种材质构成,也可以具有由多个层构成的层叠结构。包覆层例如可以形成于软磁性成形体12的表面的至少一部分。
接着,对本实施方式的软磁性成形体12的制造方法的一例进行说明。
本实施方式的软磁性成形体12可以通过对含有软磁性合金粉末和结合材料(粘合剂树脂)的加压成形体进行热处理来制作。以下,对本实施方式的芯的优选制造方法进行详述。
在本实施方式的制造方法中,首先,混合软磁性合金粉末和结合材料,得到混合物。接着,使混合物干燥,形成造粒粉。接着,将混合物或造粒粉成形为要制作的软磁性成形体12的形状,获得预成形体。然后,通过对获得的预成形体进行热处理,获得软磁性成形体。
作为软磁性合金粉末,可以使用含有以Cr换算为1~9质量%的铬(Cr)、含有以Si换算为0~9质量%的硅(Si),剩余部分由铁(Fe)构成的合金粉末。软磁性合金粉末的形状没有特别限制,但从直到高磁场区域都维持电感的观点来说,优选为球状或椭圆体状。其中,从进一步增大芯的强度的观点来说,优选为椭圆体状。另外,软磁性合金粉末的平均粒径优选为1~8μm,更优选为2~5μm。
软磁性合金粉末可以通过与公知的软磁性合金粉末的制备方法同样的方法获得。这时,可以利用气体雾化(gas atomize)法、水雾化法、旋转圆盘法等来制备。其中,为了容易制作具有期望的磁特性的软磁性合金粉末,优选为水雾化法。
作为结合材料,可以使用环氧树脂、硅树脂、酚醛树脂、水玻璃等,优选使用硅树脂。通过使用硅树脂作为结合材料,在软磁性合金粒子21的粒间区域31有效地含有不源自软磁性合金粒子21所含有的元素的硅(Si)。其结果,在软磁性合金粒子21之间的区域31容易形成非晶相。结合材料的添加量根据所需的芯的特性而不同,优选地,相对于软磁性合金粉末100质量%,可以添加0.2~10质量%。
另外,在上述混合物或造粒粉中,在不妨碍本发明的效果的范围内,根据需要也可以添加有机溶剂。作为有机溶剂,只要是能够溶解结合材料的溶剂即可,没有特别限定,例如,可列举甲苯、异丙醇、丙酮、甲乙酮、氯仿、乙酸乙酯等各种溶剂。另外,在上述混合物或造粒粉中,根据需要也可以添加各种添加剂、润滑剂、增塑剂、触变剂等。
作为获得混合物的方法,没有特别限定,可以通过目前公知的方法混合软磁性合金粉末、结合材料以及有机溶剂而获得。此外,根据需要也可以添加各种添加材料。在混合时,例如可以使用加压捏合机、磨碎机(attritor)、振动磨机、球磨机、V型混合机等混合机、流动造粒机、滚动造粒机等造粒机。另外,作为混合处理的温度及时间,优选为室温下1~30分钟的程度。
作为获得造粒粉的方法,没有特别限定,可以通过公知的方法将混合物干燥而获得。作为干燥处理的温度及时间,优选为室温~200℃的程度,1~60分钟。根据需要,可以在造粒粉中添加润滑剂。优选地,在造粒粉中添加了润滑剂之后,混合1~60分钟。
作为获得预成形体的方法,没有特别限定,优选通过公知的方法,使用具有期望的形状的模腔(cavity)的成形模具,在该模腔内填充混合物或造粒粉,在规定的成形温度及规定的成形压力下将该混合物压缩成形。
压缩成形的成形条件没有特别限定,根据软磁性合金粉末的形状及尺寸、磁芯的形状、尺寸及密度等适当地决定即可。例如,通常,最大压力为100~1000MPa的程度,优选设为400~800MPa的程度,保持为最大压力的时间设为0.5秒~1分钟的程度。成形温度没有特别限定,通常优选室温~200℃程度。
接着,对成形后获得的成形体进行热处理而获得软磁性成形体(热处理工序)。热处理工序的保持温度没有特别限定,通常优选600~900℃的程度。热处理工序的升温速度没有特别限定,优选地,在加热开始后短时间内使成形体达到保持温度。具体而言,优选将炉内的预成形体附近的实际温度以5~50℃/分钟的范围内的速度进行加热。
作为热处理工序的上述的加热法,没有特别限定,例如在1平方米的面积中堆积一层预成形体500g,优选地,以速度为8℃/分钟以上的速度升温至最高保持温度。
热处理工序的气氛没有特别限定,优选在含氧气氛下进行。在此,含氧气氛没有特别限定,可列举大气气氛(通常,含有20.95%的氧)、或与氩、氮等不活泼气体的混合气氛等。此外,也可以在氩、氮等不活泼气体下进行。
接着,对于获得的软磁性成形体,根据需要在其表面形成由玻璃组合物、粘合剂树脂等构成的热处理前的包覆层。这样获得的软磁性成形体12可以用作磁芯10。
在本实施方式中,图2A所示的软磁性合金粒子21的中心O1处的元素M的比例在特定的范围内,软磁性合金粒子21的粒间区域31的周长在特定的范围内。在本实施方式的软磁性成形体12,能够提高直流叠加特性。另外,也能够实现碎裂(chipping)率的降低,能够降低制造时的不良率,并且提高使用时的耐冲击性。而且,在本实施方式的软磁性成形体12,耐电压、绝缘电阻及弯曲强度也提高。
本实施方式的软磁性成形体的用途没有特别限定,例如,作为磁芯等而利用,可以优选用作电感器、变压器、扼流圈、开关电源、DC-DC转换器、噪声滤波器、电抗器(reactor)等各种电子部件的一部分。
此外,本发明不限于上述的实施方式,能够进行多种改变。
例如,在上述的实施方式中,通过将混合物或造粒粉进行压粉成形来制造由软磁性成形体构成的磁芯,但也可以通过将上述混合物成形为片状来制造软磁性成形体,并将它们层叠来制造磁芯。另外,除了干式成形以外,也可以通过湿式成形、挤出成形等获得热处理前的预成形体。
在上述的实施方式中,为了在软磁性体组合物的晶界形成含有硅(Si)的层,使用硅树脂作为结合材料,但也可以代替硅树脂,使用硅胶(silica gel)或二氧化硅等含有硅(Si)的成分作为添加剂。
[实施例]
以下,对本发明的实施例进行详细地说明,但本发明不限于这些实施例。
实施例1
[软磁性合金粉末的制备]
准备铁(Fe)单质、铬(Cr)单质及硅(Si)单质的锭、块(chunk)、或丸粒(粒子)。接着,将它们混合成4质量%的铬(Cr)、5质量%的硅(Si)及剩余部分为铁(Fe)的组成,并容纳在配置于水雾化装置内的坩埚中。接着,在不活泼气氛中,使用设置在坩埚外部的工作线圈,通过高频感应将坩埚加热至1600℃以上,将坩埚中的锭、块或丸粒熔融、混合而获得熔液。
接着,将坩埚内的熔液从设置于坩埚的喷嘴喷出,同时,使高压(50MPa)水流冲击喷出的熔液使其骤冷,从而制作由Fe-Si-Cr系粒子构成的软磁性合金粉末(平均粒径;4μm)。
[软磁性成形体的制作]
对获得的软磁性合金粉末100质量%,添加4质量%的硅树脂(东丽道康宁(株)制:SR2414LV),将它们用加压捏合机在室温下混合30分钟。接着,将混合物在空气中以150℃干燥20分钟。在干燥后的软磁性合金粉末中,添加硬脂酸锌(日东化成制:硬脂酸锌)作为润滑剂,用V型混合机混合10分钟。硬脂酸锌的添加量相对于软磁性合金粉末100质量%为0.5质量%。
接着,将获得的混合物成形为外径18mm×内径10mm×厚5mm的环形试样,制作预成形体。此外,成形压为600MPa。
在1平方米的面积中堆积一层预成形体500g,以速度为8℃/分钟以上的速度升温至最高保持温度,在保持温度700~800℃下,在大气中保持60分钟,获得软磁性成形体12。对于该环形形状的软磁性成形体12的试样,通过上述的方法进行组成分析,在进行软磁性成形体12的组成分析时,能够确认与原料粉末的组成一致。以Fe、Cr、O以及Si的合计作为100质量%,构成软磁性成形体12的软磁性合金组合物中的作为元素M的Cr的比例M0为4质量%。
另外,将环形形状的软磁性成形体12的试样的一部分切断,对其截面,通过电场发射型扫描电子显微镜(FE-SEM)进行观察,如图2A所示,进行“软磁性合金粒子21”和“软磁性合金粒子之间的粒间区域31”的判别。
接着,对截面照片内的邻接的10个软磁性合金粒子21的中心O1,使用EDS装置分别进行EDS分析,将Fe、Cr、O以及Si的合计作为100质量%,分别求出作为元素M的Cr的质量%,并求取它们的平均。将其平均值作为软磁性合金粒子21的中心O1处的元素M(Cr)的比例(质量%)M1。将元素M的比例(质量%)M1除以上述的组合物中的元素M(Cr)的比例M0而得的值(M1/M0)的百分比示于表1。
另外,在截面照片内的邻接的10个软磁性合金粒子21的中心O1、和包围各粒子21的粒间区域31的随机的10点的规定位置O2,进行Fe、Cr、O以及Si的组成分析。将结果示于表2。
另外,对于环形形状的软磁性成形体12的试样,进行以下的测定。
<直流叠加特性:Idc10A>
在环形形状的软磁性成形体12的试样上卷绕20匝铜线绕线,使用LCR仪表(HEWLETT PACKARD公司制4284A)测定施加10A的直流电流时的磁导率μ1。作为测定条件,测定频率为1MHz、测定温度为25℃。根据获得的测定值求取100×μ1/μ0(%),相当于Hdc4.9A/m。此外,μ0是施加直流电流之前的磁导率。将结果示于表1。
<碎裂率>
用以下方法求取碎裂(chipping)率。对3个试样,测定试验前的合计重量(W1)。接着,将3个试样放入内部具有挡板的直径约10cm的罐(磨耗试验机(ラトラ試験機ratratester))中。然后,在转速100rpm,旋转时间10分钟的条件下使3个试样在罐内滚动。之后,测定3个试样的试验结束后的重量(W2)。求出3个试样在试验前后的重量的减少率,将其设为碎裂率。即,通过下式(1)计算碎裂率(%)。
碎裂率(%)=100×(W1-W2)/W1···式(1)
比较例1
为了使周长和M1/M0变成表1所示的值,使用由Fe-Si-Cr系粒子构成的软磁性合金粉末的平均粒径小的原料粉末,作为热处理条件,除使升温速度变成2℃/分钟以外,与实施例1同样地制作环形形状的软磁性成形体12的试样,进行同样的测定。将结果示于表1中。
实施例2、5及比较例2~6
为了使周长和M1/M0变成表1所示的值,除使用由Fe-Si-Cr系粒子构成的软磁性合金粉末的平均粒径逐渐增大的原料粉末以外,与实施例1同样地制作环形形状的软磁性成形体12的试样,并进行同样的测定。将结果示于表1中。此外,将实施例5的FE-SEM图像示于图2B及图5中,将比较例3的FE-SEM图像示于图2C、图3B及图4中。
实施例3
除使用Al代替Cr作为元素M以外,与实施例2同样地制作环形形状的软磁性成形体12的试样,并进行同样的测定。将结果示于表1中。
实施例4
除了使用环氧硅树脂代替硅树脂以外,与实施例2同样地制作环形形状的软磁性成形体12的试样,并进行同样的测定。将结果示于表1及表2中。
[各种评价]
如表1所示,能够确认,在周长及M1/M0为规定的范围内的各实施例的试样中,直流叠加特性优异,而且碎裂率低。另外,在实施例中,能够确认,弯曲强度、耐电压及绝缘电阻也良好。
即,能够确认,实施例的软磁性成形体优选用于例如磁芯或使用了磁芯的电子部件等。此外,Idc10A优选为90以上,进一步依次优选为91以上、92以上、93以上、95以上。另外,碎裂率优选为0.20以下,更优选为0.19以下。
表1
表2

Claims (6)

1.一种软磁性成形体,其中,
具有:含有元素M的软磁性粒子、和存在于所述软磁性粒子的相互之间并覆盖所述软磁性粒子的外周的粒间区域,
在所述软磁性成形体的截面,所述软磁性粒子的中心处的所述元素M的比例相对于构成所述软磁性成形体的软磁性组合物中的所述元素M的比例在10%以上且70%以内的范围内,
在所述软磁性成形体的截面,存在于所述软磁性粒子的周围的所述粒间区域的各周长的平均在5μm以上且15.5μm以下的范围内。
2.根据权利要求1所述的软磁性成形体,其中,
所述元素M含有至少一个以上相比于Fe及Si离子化倾向更大的元素。
3.根据权利要求1或2所述的软磁性成形体,其中,
所述粒间区域中含有的所述元素M的比例高于所述软磁性粒子的中心处的所述元素M的比例。
4.根据权利要求1或2所述的软磁性成形体,其中,
所述粒间区域中含有的Si的比例高于所述软磁性粒子的中心处的Si的比例。
5.一种磁芯,其具有权利要求1或2所述的软磁性成形体。
6.一种电子部件,其具有权利要求1或2所述的软磁性成形体。
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