CN116783999A - 连接载体，光电子设备和用于制造连接载体的方法 - Google Patents

Abstract

提出一种连接载体(1)，其具有至少一个接触带(2)，所述接触带与用于电接触半导体器件(9)的接触面(4)导电地连接，其中接触带(2)至少局部地具有网格结构(3)。此外，提出一种用于制造具有接触带(2)的连接载体(1)的方法。

Description

连接载体，光电子设备和用于制造连接载体的方法

技术领域

本申请涉及一种连接载体、一种光电子设备和一种用于制造连接载体的方法。

本申请要求德国专利申请10 2021 200 044.4的优先权，其公开内容通过参引结合于此。

背景技术

对于不同的应用，在透明元件、如玻璃板中或在其后方或在其上的光源是期望的，例如以示出静态的或运动的图像。然而已证实的是，各个光源通过铜印制导线的传统的电接触被观察者察觉为是干扰性的，尤其在关断状态下也如此。对于铜替选地，也可以应用透明导电氧化物。借此虽然可以满足透明标准，然而由于与铜相比明显更小的电导率，不能容易地同时满足对分辨率的高的要求。

发明内容

本发明目的是，提出一种可靠类型的电接触，所述电接触不会被人眼察觉为是干扰性的。

所述目的包括但不限于通过根据独立权利要求的连接载体、光电子设备和用于制造连接载体的方法来实现。其他设计方案和适宜方案是从属权利要求的主题。

提出一种具有至少一个接触带的连接载体。典型地，连接载体具有多个这种接触带。

例如，接触带设置在连接载体的基板上。

基板例如包含玻璃或塑料。基板可以是机械柔性的或刚性的。例如，基板本身，即在没有接触带的情况下，在可见光谱范围内具有至少90％的透射率。

接触带例如是金属的。例如，接触带包含铜或其他具有高的电导率的金属。

根据连接载体的至少一个实施方式，接触带与用于电接触半导体器件的接触面导电地连接。接触面是以下面，在所述面上可建立对例如光电子半导体器件的电接触。

例如，连接载体为了从外部电接触具有连接区域，所述连接区域具有多个连接面。例如，每个接触面直接地或间接地经由接触带与连接面导电地连接。

根据连接载体的至少一个实施方式，接触带至少局部地具有网格结构。因此，接触带本身是结构化的。在网格结构之内例如存在开口，在所述开口中基板不具有接触带。例如，至少一些开口在连接载体的俯视图中完全地由接触带的材料环绕。例如，网格结构通过网格带形成，所述网格带局部地交叉并且相对于彼此倾斜地或垂直地伸展。

在连接载体的至少一个实施方式中，连接载体具有至少一个接触带，所述接触带与用于电接触半导体器件的接触面导电地连接，其中接触带至少局部地具有网格结构，所述网格结构具有多个网格带。

借助于网格结构，与传统的印制导线相比可以扩宽接触带的宽度，即其垂直于纵向延伸轴线的横向扩展，其中接触带对于人眼是不可察觉的或至少可察觉性显著降低。例如，连接载体在接触带的区域中的透射率为至少70％或至少80％或至少85％。因此，可以将接触带分布到较大的面上，由此可实现面的均匀的总印象。

根据连接载体的至少一个实施方式，网格结构通过网格带形成，其中网格带具有在2μm和20μm之间、其中包含边界值的宽度。例如，宽度在5μm和15μm之间、其中包含边界值。在网格带的高度相同的情况下，宽度越大，网格结构的各个网格带的载流能力就越大。然而，在宽度过大的情况下，网格带可能由人眼察觉。

根据连接载体的至少一个实施方式，网格带具有在1μm和8μm之间、其中包含边界值的高度。在网格带的宽度相同的情况下，网格带的高度越大，各个网格带的载流能力就越大。例如，高度在2μm和4μm之间、其中包含边界值。然而，高度越大，网格带由于应力从基板剥离的风险也就越高。

例如，对于网格带，纵横比、即高度与宽度的比值在0.2和1.5之间、其中包含边界值。在面占用相同的情况下，纵横比越高，网格带的载流能力就可以越高。然而，随着纵横比增加，例如网格带由于应力与基板剥离的风险也会提高。

根据连接载体的至少一个实施方式，网格结构至少局部地通过彼此平行地伸展的第一网格带和彼此平行地伸展的第二网格带形成，其中第一网格带和第二网格带相对于彼此倾斜地或垂直地伸展。例如，第一网格带和第二网格带彼此间成在30°和90°之间、其中包含边界值的角度。

在相邻的第一网格带和/或相邻的第二网格带之间的中心间距例如为至少10μm或至少20μm和/或最高2mm或最高1mm，例如在50μm和800μm之间，其中包含边界值。

根据连接载体的至少一个实施方式，在网格结构的外围区域中并且在远离网格结构的中心的方向上，在相邻的第一网格带之间和/或在相邻的第二网格带之间的中心间距(d1)逐渐地提高和/或这些网格带的宽度(w1)逐渐地减小。在此，网格结构的外围区域在远离网格结构的中心的方向上显示出网格带的越来越小的密度和/或越来越细的网格带。例如，外围区域可以在以下间距起始，所述间距对应于从网格结构的中心至网格结构的最外部的第一网格带和/或第二网格带的长度的50％。由此，可以有利地显著地减少可能产生的灰雾和可由人眼察觉的在具有网格结构的区域和不具有网格结构的区域之间的清晰的棱边。尤其，由此在具有网格结构的透明的然而略微灰色的区域和不具有网格结构的区域之间的过渡部可以连续地过渡，使得人眼不会察觉到清晰边缘的对比度。由此，网格结构显得更加透明而不像是在连接载体1上的异物。

根据连接载体的至少一个实施方式，接触带的纵向延伸轴线至少局部地倾斜于第一网格带和倾斜于第二网格带伸展。接触带本身的纵向延伸轴线可以局部弯曲地或弯折地伸展。例如，与第一网格带和与第二网格带的角度分别为至少20％或至少30°。

根据连接载体的至少一个实施方式，接触面是面状的导电区域。在该上下文中，面状例如表示，在连接载体的俯视图中，接触面沿两个相对于彼此垂直地伸展的方向的最大扩展大于各个网格带的宽度，例如是其至少1.5倍或至少3倍。例如，接触面沿两个相对于彼此垂直地伸展的方向具有在3μm和150μm之间、其中包含边界值，或在20μm和100μm之间、其中包含边界值，优选在30μm和60μm之间、其中包含边界值的纵向扩展。纵向扩展也可以有利地选择为，使得所述纵向扩展至少与在相邻的第一网格带和/或相邻的第二网格带之间的中心间距同样大。

根据连接载体的至少一个实施方式，接触面与网格结构的至少两个网格带重叠。接触面例如可以具有突出部，所述突出部远离接触面地延伸。突出部优选地具有比在环境中的网格带更大的宽度。由此，可以提高电接触的可靠性。例如，突出部的长度至少与在第一网格带之间的间距和/或在第二网格带之间的间距同样大。接触面到网格结构上的电连结的可靠性因此可以提高。

根据连接载体的至少一个实施方式，接触面不与网格结构的相邻的第一网格带和/或相邻的第二网格带重叠。例如，接触面可以在网格结构之外设置在连接载体上。突出部优选在接触面和网格结构之间延伸。突出部在此将接触面与网格结构连接。优选地，突出部与网格结构重叠或至少连接于网格结构。对此替选地或附加地，突出部可以具有附加的分支部，所述附加的分支部远离突出部延伸并且在此与网格结构重叠或至少连接于所述网格结构。有利地，半导体器件由此也可以设置在网格结构之外，其中可以保证借助于突出部的可靠的电接触。

根据连接载体的至少一个实施方式，突出部具有在5μm和50μm之间、其中包含边界值的宽度。优选地，宽度在10μm和25μm之间、其中包含边界值。优选地，突出部的宽度与第一和/或第二网格带的宽度相比大至少20％。突出部与连接载体的可靠的机械附着例如可以通过15μm的宽度保证。在高度相同的情况下，宽度越大，突出部的载流能力就越大。然而，在宽度过大的情况下，突出部可以由人眼觉察。

根据连接载体的至少一个实施方式，网格结构沿着接触带在接触带之内形成至少两条分开的电流路径。分开的电流路径在该上下文中尤其表示，电流路径可以分别单独地形成沿着接触带的导电连接，即使另一条电流路径中断。优选地，这在沿着接触带的纵向延伸轴线的每个部位上适用。因此，分开的电流路径利用在相同的接触带之内的网格结构的不同子区域并且导电地彼此连接。由此可以对于电流输入实现冗余。网格带在制造期间的例如由于小的颗粒引起的损坏会造成整个接触带失效的风险由此被消除或至少减少。

根据连接载体的至少一个实施方式，接触带至少局部地具有减少反射的覆层。尤其，网格结构具有减少反射的覆层。减少反射的覆层尤其设为用于，减少在接触带上的镜面反射。例如，接触带通过减少反射的覆层涂黑或至少变暗。接触带通过人眼的可察觉性因此可进一步降低。

例如，减少反射的覆层包含钯或钼或氮化铜。

根据连接载体的至少一个实施方式，接触带在与另外的接触带的假想的交叉点上划分为两个子区域，其中子区域经由导电桥彼此连接，所述导电桥与另外的接触带电绝缘。在连接载体的俯视图中，导电桥与另外的接触带重叠，然而例如通过绝缘体与另外的接触带电绝缘。这种导电桥例如可以通过增材法制造，例如通过打印法、喷射法、用于制造平面接触部的方法或通过转移法、例如激光诱导转移法(laser induced forward transfer，LIFT)。

借助于这种导电桥可以利用仅一个用于网格结构的平面实现交叉的电接触部，如其在具有多个导体平面的传统的电路板中可制造的那样。

根据连接载体的至少一个实施方式，至少一个接触带提供半导体器件的电接触和/或至少一个接触带提供电容式触摸传感器功能。提供电容式触摸传感器功能的至少一个接触带在此可以用于控制半导体器件。在此，一个或多个接触带可以形成用于电容式触摸传感器功能的电极。连接载体在此有利地具有多个并排设置的电极。

尤其，网格结构的至少一个接触带或至少一个子区域可以提供以下面，所述面可以用于电容式触摸传感器功能。例如，网格结构的至少一个接触带或子区域可以提供以下面，所述面用作为按钮或传感器面，以便在此电切换半导体器件和/或其他与按钮或传感器面连接的功能。尤其，按钮或传感器面可以构成用于，将半导体器件接通或关断或调节半导体器件的强度。对此替选地或附加地，按钮或传感器面可以构成用于，切换与按钮或传感器面连接的功能。尤其，这种功能可以是接通和关断发动机或执行器或传感器。有利地，这种按钮或传感器面可以在汽车的窗玻璃上或在内部空间中使用，以便在此切换指示器、显示面、发动机、执行器或传感器。

根据连接载体的至少一个实施方式，按钮或传感器面设置在基板上，如玻璃板或塑料膜。尤其，基板透明地或部分透明地构成。

根据连接载体的至少一个实施方式，至少一个接触带设置在连接载体的第一侧上和/或设置在连接载体的背离第一侧的第二侧上。在此，网格结构可以结构化为多个接触带。接触带还可以由至少一个连接面电连接。例如，一个接触带在此可以形成电极或多个接触带能够以复合件的形式形成共同的电极。连接载体有利地具有多个并排设置的电极，所述电极可以用于电容式触摸传感器功能。

例如，提供电容式触摸传感器功能的接触带可以在四个连接面的四个端子处电接触。例如，四个连接面可以将接触带连接于网格结构的一个面的四个角或四个边。有利地，由此可以提供表面电容式触摸传感器功能(Surface Capacitive Touch)。

对此替选地或附加地，网格结构可以结构化为多个任意成形的接触带，所述接触带提供电容式触摸传感器功能。在此，第一接触带或接触带的复合件可以形成第一电极，并且第二接触带或接触带的复合件可以形成第二电极。替选地，连接载体可以具有多于两个电极。电极在此可以彼此邻接地设置在连接载体的一侧上并且在此通过在网格结构中的中间空间彼此电绝缘。如果电极由接触带的复合件形成，则接触带有利地是矩形的并且彼此邻接地平行地定向。在此，每个接触带与相邻的接触带通过中间空间电绝缘。例如，在此，每个接触带在两个连接面的两个端子处电接触。有利地，连接面的端子彼此尽可能远离地设置在接触带的纵向延伸轴线上。

对此替选地或附加地，网格结构可以结构化为多个接触带并且设置在连接载体的两个背离的侧上。例如，电容式触摸传感器功能能够通过以下方式提供，即多个平行设置的接触带设置在连接载体的第一侧上并且多个平行设置的接触带设置在连接载体的背离第一侧的第二侧上。在此，在第一侧上的接触带和在背离第一侧的第二侧上的接触带可以彼此垂直地设置在连接载体上。尤其，在连接载体的第一侧上的接触带和在连接载体的背离第一侧的第二侧上的接触带直接上下相叠地设置。在此，提供电容式触摸传感器功能的每个接触带由至少两个连接面电接触。有利地，多个接触带在此能够以复合件的形式形成共同的电极。尤其，第一电极可以设置在连接载体的第一侧上，而第二电极可以设置在背离第一侧的第二侧上。例如，连接载体可以具有多个不同极性的电极。在此，电极可以与接地电连接。例如，连接载体可以具有多个第一和第二电极。替选地，连接载体也可以具有第三电极或也具有另外的电极。有利地，由此可以提供投射电容式触摸传感器功能(ProjectiveCapacitive Touch或也称为PCAP)。

此外，提出一种具有前述的连接载体的光电子设备。光电子设备还具有至少一个光电子半导体器件，其中光电子半导体器件与至少两个接触面导电地连接。

例如，光电子设备具有连接区域，例如在光电子设备的如下边缘处具有连接区域，在所述边缘处可从外部电接触光电子设备。例如，每个接触面直接地或至少间接地经由接触带与连接区域的至少一个连接面导电地连接。

光电子半导体器件例如是冷光二极管，例如发光二极管，或传感器。

典型地，光电子设备具有多个光电子半导体器件，例如至少100个光电子半导体器件或至少1000个光电子半导体器件。附加地，可以设有另外的器件，例如无源电子器件，如电阻、传感器或电容器，或设有有源电子器件，如集成电路。光电子半导体器件可以单个地或成组地经由连接区域的连接面从外部电接触。例如，至少一些光电子半导体器件借助于接触带彼此串联电连接或并联电连接。

根据光电子设备的至少一个实施方式，光电子半导体器件的电端子设置在朝向连接载体的侧上。例如，连接载体的接触面与所属的光电子半导体器件重叠。例如，光电子半导体器件构成为倒装芯片器件，其中需要用于电接触的电端子设置在朝向连接载体的侧上。

电端子与所属的连接面的电接触例如可以经由连接层、例如导电的粘接层或焊料层进行。

光电子半导体器件也可以具有多于两个电端子，例如用于电操控彼此分离的有源区域。例如，有源区域可以产生在彼此不同的谱范围内的辐射。

根据光电子设备的至少一个实施方式，光电子半导体器件的至少一个电端子设置在背离连接载体的侧上并且经由接触导体与接触面导电地连接。光电子半导体器件的所有电端子也可以分别经由接触导体与相关联的接触面导电地连接。这种接触导体可以经由增材法施加，例如通过打印法、喷射法、用于制造平面接触部的方法或通过转移法，例如激光诱导转移法。

在此情况下，在光电子半导体器件已经固定在连接载体上之后，在制造光电子设备时才进行光电子半导体器件的电接触。光电子半导体器件的这种电接触在制造光电子设备期间也可以用于，在制造光电子设备期间，例如在测试步骤之后，替换不能工作的光电子半导体器件。

此外，提出一种用于制造具有接触带的连接载体的方法。所述方法特别适合于制造在上文中描述的连接载体。因此，结合连接载体提出的特征也可以用于方法并且反之亦然。

根据方法的至少一个实施方式，提供基板并且构成至少局部地具有网格结构的接触带。

根据方法的至少一个实施方式，在构成接触带之前，在基板上构成连续的网格结构并且将网格结构在构成接触带时结构化为接触带。因此，首先提供的网格结构还不具有对于接触带的具体设计方案特定的形状。

根据所述方法的至少一个实施方式，将网格结构和接触带在共同的方法步骤中构成。在此情况下，网格结构可以已经专门地匹配于要制造的接触带的具体走向。

根据方法的至少一个实施方式，构成接触面，所述接触面分别与接触带导电地连接。

接触面的构成可以在将网格结构结构化为接触带之前或之后进行。例如，可以将接触面借助于光刻结构化方法以结构化的形式施加。

为了制造在上文中描述的光电子设备，可以用光电子半导体器件装配这样制造的连接载体。

附图说明

从下面结合附图对实施例的描述中得出其他设计方案和适宜方案。

附图示出：

图1A示出连接载体的一个实施例的示意俯视图；

图1B示出图1A的局部的放大图；

图1C示出图1A的连接载体的局部的放大图的示意剖视图；

图2、3和4分别示出连接载体的实施例的示意俯视图；

图5A和5B分别示出连接载体的实施例的示意俯视图；

图6和7分别示出光电子设备的实施例的俯视图；

图8A、8B、8C和8D根据分别示意地在俯视图中示出的中间步骤示出用于制造连接载体的方法的实施例；

图9A示出连接载体的一个实施例的示意俯视图；

图9B示出连接载体的一个实施例的示意俯视图；

图10A和10B分别示出连接载体的实施例的示意俯视图；以及

图11A至11C分别示出连接载体的实施例的示意剖视图；

相同的、相同类型或起相同作用的元件在附图中设有相同的附图标记。

附图分别是示意图从而不一定是符合比例的。更确切地说，为了更好的视图和/或为了更好的理解可以夸大地示出个别元件和尤其层厚度。

具体实施方式

在图1A中示出的实施例具有连接载体1，所述连接载体具有接触带2，其中接触带2分别与用于电接触半导体器件的接触面4导电地连接。接触带2分别局部地具有网格结构3。接触带2设置在连接载体1的基板10上。

例如，接触带2分别将至少一个接触面4与连接载体1的连接区域8的连接面81连接。

连接区域8例如位于连接载体1的边缘区域上并且用于从外部电接触连接载体。在示出的实施例中，网格结构3通过第一网格带31和第二网格带32形成，其中第一网格带31分别彼此平行地伸展并且第二网格带32分别彼此平行地伸展。第一网格带31和第二网格带32相对于彼此倾斜地或垂直地伸展，在示出的实施例中相对于彼此垂直地伸展。然而也可以使用其他角度。在网格带31、32之间形成开口30，在所述开口中基板10不具有用于接触带的材料。

连接载体1仅为了简化的视图具有仅两个接触带2，所述接触带分别具有接触面4，其中接触面4构成用于电接触半导体器件，例如光电子半导体器件。典型地，连接载体1具有多个这种接触带2，其中接触带2例如设为用于电接触100个或更多个半导体器件。

接触带2通过中间空间5彼此电绝缘。与呈连续的实心的印制导线的形式的传统地制造的接触带相比，在连接载体1的俯视图中，接触带2可以垂直于其纵向延伸轴线20具有相对大的横向扩展，而接触带2不可以由人眼察觉。经由接触带2的电接触因此可以在相对大的面上分布，使得对于人眼得出均匀的总印象。

尤其，中间空间5也可以窄地构成为，使得所述中间空间不可被察觉。

接触带2的纵向延伸轴线20至少局部地倾斜于第一网格带31和倾斜于第二网格带32伸展，例如关于所述网格带31、32分别成45°的角度。例如，网格带31、32具有在2μm和20μm之间、其中包含边界值的，例如在5μm和15μm之间、其中包含边界值的宽度w1。

垂直于连接载体1的主延伸平面，网格带例如具有在1μm和8μm之间、其中包含边界值的，例如在2μm和4μm之间、其中包含边界值的高度h1。网格带的纵横比例如在0.2和1.5之间，其中包含边界值。

在相邻的第一网格带31之间的和/或在相邻的第二网格带32之间的中心间距d1例如在50μm和800μm之间、其中包含边界值。

接触面4分别是面状的导电区域，所述区域沿着两个彼此垂直伸展的方向具有最大扩展，所述最大伸展分别大于单个网格带的宽度w1。

此外，连接区域8中的连接面81也可以通过面状的导电区域形成。这可以简化连接载体1的可外部电接触性。

对于基板10例如适合的是例如呈盘或板的形式的机械刚性的基板或例如呈薄膜的形式的机械柔性的基板。基板10是电绝缘的。例如，基板10在可见光谱范围内是透明的。例如，基板10包含玻璃或塑料，例如聚乙烯、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚丙烯酸酯。

接触带2例如金属地构成。例如，接触带2包含铜或其他具有高的电导率的金属。为了避免或至少减少镜面反射，接触带2可以具有减少反射的覆层25。这在图1C的剖视图中示意地示出。例如，基于铜的接触带可以通过钼或钯或氮化铜涂黑，尤其在具有网格带31、32的网格结构3的区域中。

在图2和3中示出的实施例基本上对应于结合图1A至1C所描述的实施例。与其不同，接触面4具有突出部41。沿着一个方向，突出部41的最大扩展大于网格带31、32之间的中心间距d1。借助这种突出部41可以提升接触面4与接触带2的网格结构3电接触的可靠性，因为在接触面4和网格结构3之间在多个部位处构成导电接触。

在图2中示出的实施例中，突出部41在接触面4的侧面上延伸远离接触面4。突出部41在接触面4的如下侧面上构成，所述侧面背离另外的接触带2的最近的接触面4。

在图3中示出的实施例中，突出部41在接触面4的两个相对置的侧面上延伸超出接触面4。

不言而喻，突出部41的形状或数量可以在大的范围内变化。当接触面4的至少沿着一个方向的大小小于或等于网格带31、32的中心间距d1时，这种突出部是尤其适宜的。

在图4中示出的实施例基本上对应于结合图1A至1C所描述的实施例。与其不同，接触带2在与另外的接触带2的假想的交叉点29上划分为两个子区域21。子区域21经由导电桥6彼此连接。在连接载体1的俯视图中，桥6与另外的接触带2重叠，与所述另外的接触带然而借助于绝缘体65电绝缘。通过这种借助于增材生产来施加的桥，可以在仅一个平面中实现具有网格结构3的交叉的接触带2。

图5A和5B图解说明在接触带2之内的电流。

在图5A中示出极端情况，接触带2窄至，使得沿着接触带2的纵向延伸轴线20分别得出仅一条连续的电流路径27，这通过示出的锯齿曲线图解说明。这虽然原则上是可行的，然而当网格结构3沿着所述电流路径27具有损坏时，带来失效的风险。优选地，接触带2，如在图5B中所示出的，分别构成为，使得沿着接触带2借助于网格结构3在相应的接触带2之内形成至少两条分开的电流路径27。在电流路径27中的一条电流路径中断时，仍存在经由另一条电流路径27的导电连接。优选地，沿着接触带2的纵向延伸轴线20从接触面4到相关联的连接面81在每个部位上存在这种冗余。

在图6中示出光电子设备100的一个实施例，其中连接载体1如结合图1A至1C所描述的那样构成。

光电子设备100具有光电子半导体器件9，其中光电子半导体器件9与至少两个接触面4导电地连接。在示出的实施例中，光电子半导体器件9在朝向连接载体1的侧上具有电端子91。例如，光电子半导体器件9是倒装芯片几何形式的发光二极管。在光电子设备100的俯视图中，光电子半导体器件9与连接载体1的相关联的接触面4重叠。光电子设备100可以具有多个光电子半导体器件，例如发光二极管或探测器，并且必要时可以具有与连接载体1的相关联的接触面4导电地连接的另外的电子组件。

这种光电子设备100例如可以施加在玻璃板上或嵌入两个玻璃板之间。玻璃板例如可以设为用于建筑物或机动车。同样可考虑在透明的或部分透明的塑料载体后方安置，以便透视所述塑料载体。

光电子设备的在图7中示出的实施例基本上对应于结合图6所描述的光电子设备100。与其不同，光电子半导体器件9在背离连接载体1的侧上具有电端子91。电端子91分别经由接触导体7与接触面4导电地连接。在此情况下，接触面4也可以通过接触带2的网格结构3形成。在制造光电子设备100时，在光电子半导体器件9固定在连接载体1上之后，可以通过增材法施加接触导体7。

不言而喻，在结合图6和7所描述的几何结构的半导体器件和相关联类型的电接触部也可以在光电子设备100之内彼此组合。

用于制造连接载体的方法的实施例在图8A至8D中示意地图解说明。如在图8A中所示出的，提供基板10。在基板10上构成网格结构3(图8B)。网格结构3可以均匀地在基板10的大部分之上或也越过整个基板10延伸。用于网格结构3的材料例如可以通过溅镀或蒸镀并且如果需要附加地通过电镀增强而施加到基板10上。

随后构成接触带2，所述接触带至少局部地具有网格结构3。为此，可以将网格结构3局部地移除，使得在接触带2之间构成中间空间5。这例如能够通过激光剥离或通过化学材料去除进行。

如在图8D中所示出的，在基板10上构成接触面4。接触面4分别与所属的接触带2的网格结构重叠。不言而喻，接触面4也可以在接触带2中进行结构化之前构成。在该实施例中，在接触带2中进行结构化之前，首先尽可能与接触带2的要制造的形状无关地构成网格结构3。与其不同，网格结构3对于接触带2已经能够以结构化的形式构成。在此情况下，网格结构3也可以专门地匹配于要制造的接触带的形状。

在图9A中示出的实施例示出具有网格结构3的连接载体1。连接载体1在网格结构3上具有半导体器件9(在图9A中未示出)。网格结构3具有外围区域33。在网格结构3的外围区域33中并且在远离网格结构3的中心的方向上，在相邻的第一网格带31之间的中心间距(d1)和在相邻的第二网格带32之间的中心间距(d1)是恒定的，其中网格带31和32的宽度(w1)逐渐地减小。在此，在远离网格结构3的中心的方向上，外围区域33显示出连续变细的网格带31和32。

在图9B中示出的实施例基本上对应于在图9A中示出的实施例。与其不同地，在外围区域33中并且在远离网格结构3的中心的方向上，在相邻的第一网格带31之间的中心间距(d1)和在相邻的第二网格带32之间的中心间距(d1)逐渐地提高。在此，网格结构3的外围区域33在远离网格结构3的中心的方向上显示出网格带31和32的渐渐变小的密度和连续变细的网格带31和32。图9B中的连接载体1在网格结构3上具有半导体器件9(在图9B中未示出)。

替选地，网格带31和32的宽度(w1)可以是恒定的，其中在外围区域33中和在远离网格结构3的中心的方向上，在相邻的第一网格带31之间的中心间距(d1)和在相邻的第二网格带32之间的中心间距(d1)逐渐地提高。

如在这两个图9A和9B中所示出的，具有网格结构3的区域经过外围区域33有利地连续地过渡到不具有网格结构的区域中。由此，不会由人眼察觉到强的对比度，并且网格结构显得更加透明而不像是在连接载体1上的异物。

在图10A中示出的实施例具有连接载体1，所述连接载体具有网格结构3。网格结构3在此借助于中间空间5结构化为多个接触带2。半导体器件9借助于两个接触带2电接触。此外，三个接触面2分别形成第一电极22、第二电极23和第三电极24，其可以用于电容式触摸传感器功能。连接载体1具有用于相应的接触面2的连接面81(在图10A中未示出)。

提供半导体器件9的电接触的接触带2和第一电极22、第二电极23和第三电极23设置在连接载体1的或基板10的相同的表面上。第一电极22在此通过圆形的面形成。提供半导体器件9的电接触的第二接触面2此外围绕第一电极22设置。在此，第一电极22和这两个提供半导体器件9的电接触的接触面2通过中间空间5彼此电分离。提供半导体器件9的电接触的接触面2分别通过网格结构3的一个环形面和两个馈入面形成。由此，形成连续的接触面2。这两个馈入面在此直线地并且彼此平行地伸展到环形面上。

围绕第一电极22和提供半导体器件9的电接触的两个接触面2，设置有两个另外的接触面2，其中一个接触面2形成第二电极23并且一个接触面2形成第三电极24。在此，第二电极23和第三电极24一起形成围绕第一电极22和提供半导体器件9的电接触的两个接触面2的四边形。第二电极23和第三电极24在此在与馈入面相对置的侧上与提供半导体器件的电接触的两个接触面2通过中间空间5彼此电绝缘。将第二电极23与第三电极24分离的中间空间5在此直线地并且垂直地在提供半导体器件9的电接触的接触面2的两个环形面上伸展。并排设置的第一电极22、第二电极23和第三电极24在此可以有利地用于电容式触摸传感器功能。例如，在图10A中示出的实施例可以构成为按钮或传感器面。

在图10B中示出的实施例基本上对应于结合图10A所描述的实施例。与其不同，连接载体1具有两个接触面2，所述接触面形成第一电极22和第二电极23。在此，第一电极22圆形地构成。此外，第二电极23围绕第一电极22和提供半导体器件9的电接触的两个接触面2设置。第二电极23在此形成四边形的面，所述面由第一电极22和提供半导体器件9的电接触的两个接触面2中断。

为了简化的视图，图10B中的连接载体1的接触面2没有示出连接面81、突出部41或接触面4。

第一电极22和并排设置的第二电极23可以有利地用于电容式触摸传感器功能。例如，在图10B中示出的实施例可以构成为按钮或传感器面。

在图11A中示出的实施例具有连接载体1，所述连接载体具有网格结构3。网格结构3在此结构化为多个平行设置的接触带2。在每个并排设置的接触带2之间置入中间空间5，所述中间空间将相邻的接触带2彼此电绝缘。尤其，两个接触带2提供半导体器件9的电接触。半导体器件9在此设置在提供电接触的两个接触带2上。为了简化的视图，图11A中的提供半导体器件9的电接触的两个接触带2不具有接触面4。

除了提供半导体器件9的电接触的两个接触带2以外，另外的接触带2设置在连接载体1上。在此，至少一个另外的接触带2在连接载体1上形成电导线。在图11A中示出的实施例，除了提供半导体器件9的电接触的两个接触带2以外，还具有多个平行设置的接触带2，所述接触带以复合件的形式形成第一电极22和第二电极23。提供半导体器件9的电接触的两个接触带2在此设置在第一电极和第二电极23之间。第一电极22和第二电极23在此可以有利地用于电容式触摸传感器功能。

为了简化的视图，图11A示出不具有连接面81的接触带2。在此，提供半导体器件9的电接触的接触带2，如在图1A中所示出的，具有刚好一个连接面81。提供电容式触摸传感器功能的接触带2在此可以具有至少两个连接面81。尤其，每个提供电容式触摸传感器功能的接触带2具有刚好两个连接面81。在此，接触带2的第一连接面81在第一端子91处接触并且接触带2的第二连接面81在第二端子91处接触，其中第一和第二端子91在接触带2的纵向延伸轴线20上彼此尽可能远离地设置。

对此替选地或附加地，提供电容式触摸传感器功能的接触带2可以在四个连接面81的四个端子91上电接触。例如，四个连接面81可以将接触带2连接于四个角或四个边。

在图11B中示出的实施例基本上对应于结合图11A所描述的实施例。与其不同，连接载体1在连接载体1的第一侧上具有第一网格结构3并且在连接载体1的第二侧上具有第二网格结构3。第一和第二网格结构3在此结构化为多个平行定向的接触带2。在连接载体1的第一侧上的接触带2关于在连接载体1的第二侧上的接触带2垂直地定向。连接载体1的第一侧与连接载体1的第二侧相对置。尤其，在此多个平行设置的接触带2在第一侧上形成第一电极22和另外的第一电极22。第一电极22和另外的第一电极22设置在连接载体1的相同侧上和相同平面中。此外，提供半导体器件9的电接触的接触带2在第一电极22和另外的第一电极22之间设置在连接载体1上。在连接载体1的第二侧上的接触带2在此以复合件的形式形成第二电极23。第二电极23的接触带2在此垂直于两个第一电极22的接触带2定向。在图11B中示出的实施例如在图11A中那样仅示出在连接载体1的第一侧上的半导体器件9。替选地，第二侧也可以具有半导体器件9。

在图11C中示出的实施例基本上对应于结合图11B所描述的实施例。与其不同，连接载体1在其第二侧上具有两个接触带2，所述接触带电接触另一半导体器件9。尤其，连接载体1或基板10在此在连接载体1的两个相对置的侧上具有半导体器件9。

提供电容式触摸传感器功能的接触带2在连接载体1的第一侧上关于在连接载体1的第二侧上的接触带2垂直地定向。尤其，在此在第一侧上的多个平行设置的接触带2形成第一电极22和另外的第一电极22。在第二侧上的多个平行设置的接触带2形成第二电极23和另外的第二电极23。第一电极22和另外的第一电极22在此设置在连接载体1上的相同侧上和相同平面中。第二电极23和另外的第二电极23在第二侧上设置在连接载体1的相同平面中。在此，在第一侧上提供半导体器件9的电接触的接触带2设置在第一电极22和另外的第一电极22之间。同样地，在第二侧上提供半导体器件9的电接触的接触带2设置在第二电极23和另外的第二电极23之间。两个第一电极22的接触带2在此垂直于两个第二电极23的接触带并且直接在两个第二电极23的接触带2之上设置。

本发明不受根据实施例的描述限制。更确切地说，本发明包括任意新特征以及特征的任意组合，这尤其包含权利要求中的特征的任意组合，即使所述特征或所述组合本身并未详尽地在权利要求或实施例中给出也如此。

附图标记列表

1 连接载体

10 基板

100 光电子设备

2 接触带

20 纵向延伸轴线

21 子区域

22 第一电极

23 第二电极

24 第三电极

25 减少反射的覆层

27 电流路径

29 假想的交叉点

3 网格结构

30 开口

31 第一网格带

32 第二网格带

33 外围区域

4 接触面

41 突出部

5 中间空间

6 桥

65 绝缘体

7 接触导体

8 连接区域

81 连接面

9 半导体器件

91 端子

d1 中心间距

w1 宽度

h1 高度

Claims (23)

1.一种连接载体(1)，所述连接载体具有至少一个接触带(2)，所述接触带与用于电接触半导体器件(9)的接触面(4)导电地连接，其中所述接触带(2)至少局部地具有网格结构(3)，所述网格结构具有多个网格带(31、32)。

2.根据权利要求1所述的连接载体，

其中所述网格带(31、32)具有在2μm和20μm之间、其中包含边界值的宽度(w1)。

3.根据权利要求1或2所述的连接载体，

其中所述网格带(31、32)具有在1μm和8μm之间、其中包含边界值的高度(h1)。

4.根据上述权利要求中任一项所述的连接载体，

其中所述网格结构(3)至少局部地通过彼此平行伸展的第一网格带(31)和彼此平行伸展的第二网格带(32)形成，其中所述第一网格带(31)和所述第二网格带(32)相对于彼此倾斜地或垂直地伸展。

5.根据权利要求4所述的连接载体，

其中所述接触带(2)的纵向延伸轴线(20)至少局部地倾斜于所述第一网格带(31)并且倾斜于所述第二网格带(32)伸展。

6.根据上述权利要求中任一项所述的连接载体，

其中在所述网格结构(3)的外围区域(33)中并且在远离所述网格结构(3)的中心的方向上，在相邻的第一网格带(31)之间和/或在相邻的第二网格带(32)之间的中心间距(d1)逐渐地提高和/或所述网格带(31、32)的宽度(w1)逐渐地减小。

7.根据上述权利要求中任一项所述的连接载体，

其中所述接触面(4)是面状的能导电的区域。

8.根据上述权利要求中任一项所述的连接载体，

其中所述接触面(4)与所述网格结构(3)的至少两个网格带(31、32)重叠。

9.根据上述权利要求中任一项所述的连接载体，

其中所述接触面(4)具有突出部(41)，所述突出部远离所述接触面(4)延伸。

10.根据权利要求9所述的连接载体，

其中所述突出部(41)的长度至少与所述第一网格带(31)之间的间距和/或所述第二网格带(32)之间的间距同样大。

11.根据上述权利要求中任一项所述的连接载体，

其中所述网格结构(3)沿着所述接触带(2)在所述接触带(2)之内形成至少两条分开的电流路径(27)。

12.根据上述权利要求中任一项所述的连接载体，

其中所述接触带(2)至少局部地具有减少反射的覆层(25)，所述减少反射的覆层尤其包含钯或钼或氮化铜。

13.根据上述权利要求中任一项所述的连接载体，

其中所述接触带(2)在与另外的接触带(2)的假想的交叉点(29)处划分为两个子区域(21)，其中所述子区域(21)经由导电桥(6)彼此连接，所述导电桥与所述另外的接触带(2)电绝缘。

14.根据上述权利要求中任一项所述的连接载体，

其中至少一个接触带(2)提供所述半导体器件(9)的电接触和/或其中至少一个接触带(2)提供电容式触摸传感器功能，其中提供电容式触摸传感器功能的至少一个接触带(2)用于控制所述半导体器件(9)。

15.根据权利要求13所述的连接载体，

其中至少一个接触带(2)设置在所述连接载体的第一侧和/或背离所述第一侧的第二侧上。

16.一种光电子设备(100)，所述光电子设备具有根据上述权利要求中任一项所述的连接载体(1)并且具有光电子半导体器件(9)，其中所述光电子半导体器件(9)借助至少两个接触面(4)导电地连接。

17.根据权利要求15所述的光电子设备，

其中所述光电子半导体器件(9)的电端子(91)设置在朝向所述连接载体(1)的侧上。

18.根据权利要求15所述的光电子设备，

其中所述光电子半导体器件(9)的至少一个电端子(91)设置在背离所述连接载体(1)的侧上，经由接触导体(7)与所述接触面(4)导电地连接。

19.一种用于制造具有接触带(2)的连接载体(1)的方法，所述方法具有以下步骤：

a)提供基板(10)；以及

b)在所述基板(10)上构成接触带(2)，所述接触带至少局部地具有网格结构(3)。

20.根据权利要求18所述的方法，

其中在步骤b)之前在所述基板(10)上设置有连续的网格结构(3)，并且将所述网格结构(3)在步骤b)中结构化为所述接触带(2)。

21.根据权利要求18所述的方法，

其中在共同的方法步骤中构成所述网格结构(3)和所述接触带(2)。

22.根据权利要求18至20中任一项所述的方法，

其中构成接触面(4)，所述接触面分别与接触带(2)导电地连接。

23.根据权利要求18至21中任一项所述的方法，

借助所述方法制造根据权利要求1至10中任一项所述的连接载体(1)。