WO2022148594A1 - Anschlussträger, optoelektronische vorrichtung und verfahren zum herstellen eines anschlussträgers - Google Patents

Anschlussträger, optoelektronische vorrichtung und verfahren zum herstellen eines anschlussträgers Download PDF

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WO2022148594A1
WO2022148594A1 PCT/EP2021/084864 EP2021084864W WO2022148594A1 WO 2022148594 A1 WO2022148594 A1 WO 2022148594A1 EP 2021084864 W EP2021084864 W EP 2021084864W WO 2022148594 A1 WO2022148594 A1 WO 2022148594A1
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contact
connection carrier
tracks
network
network structure
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PCT/EP2021/084864
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Sebastian Wittmann
Michael Brandl
Andreas DOBNER
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Ams-Osram International Gmbh
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    • H05K2201/10007Types of components
    • H05K2201/10121Optical component, e.g. opto-electronic component

Definitions

  • connection carrier an optoelectronic device and a method for producing a connection carrier.
  • Light sources in or behind or on transparent elements are required for various applications, for example to display static or moving images.
  • conventional electrical contacting of the individual light sources by means of copper conductor tracks is perceived as annoying by the viewer, especially when the light is switched off.
  • transparent conductive oxides can also be used. Although this allows transparency criteria to be met, due to the significantly lower electrical conductivity compared to copper, high resolution requirements cannot easily be met at the same time.
  • connection carrier an optoelectronic device and a method for producing a connection carrier according to the independent patent claims. Further configurations and expediencies are the subject matter of the dependent patent claims.
  • connection carrier with at least one contact track is specified.
  • the connection carrier typically has a large number of such contact tracks.
  • the contact track is arranged on a substrate of the connection carrier.
  • the substrate contains, for example, a glass or a plastic.
  • the substrate can be mechanically flexible or rigid.
  • the substrate itself, ie without the contact track, has a transmission of at least 90% in the visible spectral range.
  • the contact track is metallic, for example.
  • the contact track contains copper or another metal with a high electrical conductivity.
  • the contact track is electrically conductively connected to a contact area for electrical contacting of a semiconductor component.
  • the contact surface is a surface on which the electrical contact to the optoelectronic semiconductor component, for example, can be produced.
  • connection carrier has a connection area with an external electrical contact Plurality of pads.
  • each contact area is electrically conductively connected directly or indirectly via a contact track to a connection area.
  • the contact track has a mesh structure at least in places.
  • the contact track is therefore structured in itself.
  • the network structure there are, for example, openings in which the substrate is free of the contact track.
  • the openings are completely surrounded by material of the contact track.
  • the network structure is formed by network tracks that intersect in places and run obliquely or perpendicularly to one another.
  • connection carrier has at least one contact track which is electrically conductively connected to a contact area for electrical contacting of a semiconductor component, the contact track having a network structure with a plurality of network tracks at least in places.
  • the width of the contact track By means of the network structure, the width of the contact track, so its transverse extent perpendicular to a
  • the contact track is imperceptible to the human eye or at least the perceptibility is significantly reduced.
  • transmission of the connection carrier in the area of the contact track is at least 70% or at least 80% or at least 85%. So there can be a distribution of the contact track take place on a larger area, whereby a homogeneous overall impression of the area can be achieved.
  • the network structure is formed by network tracks, the network tracks having a width of between 2 gm and 20 gm inclusive.
  • a width is between 5 gm and 15 gm inclusive. The greater the width, the greater the current-carrying capacity of an individual network track of the network structure for the same height of the network track. However, if the width is too great, the webs could be perceived by the human eye.
  • the network tracks have a height of between 1 gm and 8 gm inclusive.
  • the greater the height of the network tracks the greater the current-carrying capacity of an individual network track with the same width of the network track.
  • the height is between 2 gm and 4 gm inclusive.
  • the greater the height the greater the risk that the mesh webs will become detached from the substrate due to tension.
  • an aspect ratio ie a height-to-width ratio
  • the network structure is formed at least in places by first network tracks running parallel to one another and second network tracks running parallel to one another, the first network tracks and the second network tracks running obliquely or perpendicularly to one another.
  • the first mesh panels and the second mesh panels are at an angle of between 30° inclusive and 90° inclusive with respect to one another.
  • a center distance between adjacent first mesh panels and/or adjacent second mesh panels is, for example, at least 10 gm or at least 20 gm and/or at most 2 mm or at most 1 mm, for example between 50 ⁇ m and 800 ⁇ m inclusive.
  • connection carrier in a peripheral region of the network structure and in the direction away from the center of the network structure, a center distance (dl) between adjacent first network tracks and/or between adjacent second network tracks is gradually increased and/or the width (wl) of the network tracks is gradually reduced.
  • the peripheral area of the network structure shows a progressively lower density of the network paths and/or progressively finer network paths in the direction away from the center of the network structure.
  • the peripheral region may begin at a distance equal to 50% of the length from the center of the mesh structure to the outermost first and/or second mesh panels of the mesh structure.
  • a longitudinal extension axis of the contact track runs at least in places at an angle to the first network tracks and at an angle to the second network tracks.
  • the axis of longitudinal extent of the contact track itself can be curved or kinked in places.
  • an angle to the first mesh panels and to the second mesh panels is at least 20% or at least 30°.
  • the contact surface is a flat, electrically conductive area.
  • flat means, for example, that a maximum extension of the contact surface in a plan view of the connection carrier in two mutually perpendicular directions is greater than the width of the individual network tracks, for example by a factor of at least 1.5 or by a factor of at least 3.
  • the contact surface in two mutually perpendicular directions has a length of between 3 and 150 gm inclusive, or between 20 and 100 gm inclusive, preferably between 30 and 60 gm.
  • the linear expansion can advantageously also be selected in such a way that it is at least as large as a center distance between adjacent first mesh panels and/or adjacent second mesh panels.
  • the contact surface overlaps with at least two network tracks of the network structure.
  • the contact surface can have, for example, an extension that extends away from the contact surface.
  • the extension preferably has a greater width than the mesh panels in the area.
  • the reliability of the electrical contact can be increased.
  • a length of the extension is at least as great as a distance between the first network panels and/or a distance between the second network panels. The reliability of the electrical connection of the contact surface to the network structure can be increased in this way.
  • the contact surface does not overlap with the adjacent first network tracks and/or with the adjacent second network tracks of the network structure.
  • the contact area can be arranged outside of the network structure on the connection carrier.
  • the extension preferably extends between the contact surface and the mesh structure.
  • the extension connects the contact surface with the network structure.
  • the extension preferably overlaps the network structure or at least connects to the network structure.
  • the extension can have additional branches which extend away from the extension and thereby overlap with the network structure or at least connect to it. In this way, semiconductor components can advantageously also be arranged outside of the network structure, it being possible to ensure reliable electrical contacting by means of the extension.
  • the extension has a width of between 5 gm and 50 gm inclusive.
  • the width is preferably between 10 gm and 25 gm inclusive.
  • the width of the extension is preferably at least 20% greater than a width of the first and/or the second mesh panels. Reliable mechanical adhesion of the extension to the connection carrier can be ensured, for example, by a width of 15 ⁇ m. The greater the width, the greater the current-carrying capacity of an extension at the same height. However, if the width is too large, the extension could be perceived by the human eye.
  • the network structure forms at least two separate current paths within the contact track along the contact track.
  • separate current paths means in particular that the current paths can each individually form an electrically conductive connection along the contact track, even if another current path is interrupted. This preferably applies at every point along the longitudinal axis of the contact track.
  • the separate current paths therefore use different partial areas of the network structure within the same contact track and are electrically conductively connected to one another. As a result, redundancy can be achieved for the power supply. This eliminates or at least reduces the risk that a defect in a network track, for example caused by small particles during production, can lead to failure of the entire contact track.
  • the contact track has a reflection-reducing coating at least in places.
  • the network structure has the reflection-reducing coating.
  • the anti-reflection coating is intended in particular to reduce specular reflection at the contact track.
  • the contact track is blackened or at least darkened by the reflection-reducing coating. The perceptibility of the contact track by the human eye can be further reduced in this way.
  • the anti-reflective coating contains palladium or molybdenum or copper nitride.
  • the contact track is divided into two sub-areas at an imaginary crossing point with a further contact track, the sub-areas being connected to one another via an electrically conductive bridge which is electrically insulated from the further contact track.
  • the electrically conductive bridge overlaps with the further contact track, but is electrically insulated from the further contact track, for example by an insulator.
  • Such an electrically conductive bridge can be produced, for example, by an additive method, for example by a printing method, a jetting method, a method for producing a planar contact or by a transfer method, such as a laser-induced transfer method (laser induced forward transfer, LIFT).
  • connection carrier provides electrical contacting of the semiconductor component and/or at least one contact track provides a capacitive tactile sensor function.
  • the at least one contact track which provides the capacitive tactile sensor function, can be used to control the semiconductor component.
  • One or more contact tracks can form an electrode used for the capacitive tactile sensor function.
  • the connection carrier advantageously has a plurality of juxtaposed electrodes.
  • At least one contact track or at least a partial area of the network structure can provide a surface that can be used for a capacitive tactile sensor function.
  • the at least one contact track or the partial area of the network structure can provide a surface that functions as a button or sensor surface in order to electrically switch the semiconductor component and/or other functions associated with the button or the sensor surface.
  • a button or a sensor area can be designed to switch the semiconductor device on or off or to control the intensity of the semiconductor device.
  • the button or sensor area can be configured to switch the functions associated with the button or sensor area.
  • such functions can be switching a motor or an actuator or a sensor on and off.
  • buttons or Sensor surfaces are used on window panes or in the interior of a car in order to switch indicators, display surfaces, motors, actuators or sensors.
  • the button or the sensor area is arranged on a substrate, such as a glass pane or a plastic film.
  • a substrate such as a glass pane or a plastic film.
  • the substrate is transparent or partially transparent.
  • connection carrier In accordance with at least one embodiment of the connection carrier, at least one contact track is arranged on a first side and/or on a second side of the connection carrier which is remote from the first side.
  • the network structure can be structured in several contact tracks.
  • the contact track can be electrically connected by at least one connection surface.
  • a contact track can form an electrode or a plurality of contact tracks in combination can form a common electrode.
  • the connection carrier advantageously has a number of secondary electrodes which can be used for a capacitive tactile sensor function.
  • a contact track that provides a capacitive tactile sensor function can be electrically contact-connected to four connections of four connection surfaces.
  • the four pads can connect a contact track to four corners or four sides of a surface of the mesh structure.
  • a surface-capacitive tactile sensor function (surface capacitive touch) can thereby be provided.
  • the network structure can be structured in a plurality of contact tracks of any shape, which provide a capacitive tactile sensor function.
  • a first contact track or a combination of contact tracks can form a first electrode and a second contact track or a combination of contact tracks can form a second electrode.
  • the connection carrier can have more than two electrodes.
  • the electrodes can be arranged adjacent to one another on one side of the connection carrier and are electrically insulated from one another by an intermediate space in the network structure.
  • the electrode is formed by an assembly of contact tracks, the contact tracks are advantageously aligned rectangular and parallel to one another.
  • each contact track is electrically insulated from an adjacent contact track by a gap.
  • each contact track is electrically contact-connected to two connections of two connection surfaces. The connections of the connection surfaces are advantageously arranged as far away from one another as possible on a longitudinal extension axis of the contact track.
  • the network structure can be structured in a plurality of contact tracks and can be arranged on two sides facing away from the connection carrier.
  • the capacitive tactile sensor function can be provided in that a plurality of contact tracks arranged in parallel are arranged on a first side of the connection carrier and a plurality of contact tracks arranged in parallel are arranged on a second side of the connection carrier remote from the first side.
  • the contact tracks on the first side and the contact tracks on the side facing away from the first second side can be arranged perpendicular to each other on the connection carrier.
  • the contact tracks on the first side and the contact tracks on a second side of the connection carrier, facing away from the first side are arranged directly one above the other.
  • each contact track that provides the capacitive tactile sensor function is electrically contacted by at least two connection surfaces.
  • a plurality of contact tracks can advantageously form a common electrode in combination.
  • a first electrode can be arranged on a first side of the connection carrier and a second electrode can be arranged on a second side facing away from the first side.
  • the connection carrier can have a plurality of electrodes with different polarities.
  • an electrode can be electrically connected to a ground.
  • the connection carrier can have a plurality of first and second electrodes.
  • the connection carrier can also have a third electrode or other electrodes.
  • a projected-capacitive tactile sensor function Projective Capacitive Touch or also called PCAP
  • an optoelectronic device with a connection carrier described above is specified.
  • the optoelectronic device also has at least one optoelectronic semiconductor component, the optoelectronic semiconductor component being electrically conductively connected to at least two contact areas.
  • the optoelectronic device has a connection area, for example on an edge of the optoelectronic device, to which the optoelectronic device can be electrically contacted externally.
  • each Contact surface electrically conductively connected directly or at least indirectly via a contact track to at least one connection surface of the connection area.
  • the optoelectronic semiconductor component is, for example, a luminescent diode, such as a light-emitting diode, or a sensor.
  • the optoelectronic device typically has a multiplicity of optoelectronic semiconductor components, for example at least 100 optoelectronic semiconductor components or at least 1000 optoelectronic semiconductor components. Additional components can also be provided, for example passive electronic components such as resistors, sensors or capacitors or active electronic components such as integrated circuits.
  • the optoelectronic semiconductor components can be electrically contacted externally individually or in groups via a connection surface of the connection region. For example, at least some of the optoelectronic semiconductor components are electrically connected to one another in series or electrically in parallel with one another by means of the contact tracks.
  • electrical connections of the optoelectronic semiconductor component are arranged on a side facing the connection carrier.
  • the contact areas of the connection carrier overlap with the associated optoelectronic semiconductor component.
  • the optoelectronic semiconductor component is designed as a flip-chip component in which the electrical contact required for the electrical Connections are arranged on the side facing the connection carrier.
  • connection surfaces can take place, for example, via a connecting layer, such as an electrically conductive adhesive layer or a solder layer.
  • the optoelectronic semiconductor component can also have more than two electrical connections, for example for the electrical activation of active regions that are separate from one another.
  • the active regions can generate radiation in mutually different spectral ranges.
  • At least one electrical connection of the optoelectronic semiconductor component is arranged on a side facing away from the connection carrier and is electrically conductively connected to the contact surface via a contact conductor. It is also possible for all electrical connections of the optoelectronic semiconductor component to be electrically conductively connected to the assigned contact surface in each case via a contact conductor.
  • a contact conductor can be applied using an additive method, for example using a printing method, a jetting method, a method for producing a planar contact or using a transfer method, such as a laser-induced transfer method.
  • the electrical contacting of the optoelectronic semiconductor component during the production of the optoelectronic device can also only take place after the optoelectronic semiconductor component is already on attached to the connection board.
  • Such electrical contacting of the optoelectronic semiconductor components can also be used during the production of the optoelectronic device in order to replace non-functional optoelectronic semiconductor components during the production of the optoelectronic device, for example after a test step.
  • connection carrier with contact tracks is specified.
  • the method is particularly suitable for producing a connection carrier as described above. Characteristics specified in connection with the connection carrier can therefore also be used for the method and vice versa.
  • a substrate is provided and contact tracks, which have a network structure at least in places, are formed.
  • a continuous network structure is formed on the substrate before the contact tracks are formed, and the network structure is structured into the contact tracks when the contact tracks are formed.
  • the network structure initially provided therefore does not yet have a specific form for the concrete design of the contact tracks.
  • the network structure and the contact tracks are formed in a common method step.
  • the network structure can already be specifically adapted to the specific course of the contact tracks to be produced.
  • contact surfaces are formed which are each electrically conductively connected to a contact track.
  • the formation of the contact areas can take place before or after the structuring of the network structure into the contact tracks.
  • the contact areas can be applied in a structured form by means of a lithographic structuring method.
  • connection carrier produced in this way can be equipped with optoelectronic semiconductor components.
  • FIG. 1A shows an exemplary embodiment of a connection carrier in a schematic plan view
  • FIG. 1B shows an enlarged view of a detail from FIG. 1A
  • FIG. 1C shows an enlarged representation of a section of the connection carrier from FIG. 1A in a schematic sectional view
  • FIGS. 2, 3 and 4 each show an exemplary embodiment of a connection carrier in a schematic plan view
  • FIGS. 5A and 5B each show an exemplary embodiment of a connection carrier in a schematic plan view
  • FIGS. 6 and 7 each show an exemplary embodiment of an optoelectronic device in plan view
  • FIGS. 8A, 8B, 8C and 8D show an exemplary embodiment of a method for producing a connection carrier on the basis of intermediate steps each shown schematically in a plan view;
  • FIG. 9A shows an exemplary embodiment of a connection carrier in a schematic plan view
  • FIG. 9B shows an exemplary embodiment of a connection carrier in a schematic plan view
  • FIGS. 10A and 10B each show an exemplary embodiment of a connection carrier in a schematic plan view
  • FIGS. 11A to 11C each show an exemplary embodiment of a connection carrier in a schematic sectional view.
  • FIG. 1A has a connection carrier 1 with contact tracks 2, the contact tracks 2 each being electrically conductively connected to a contact area 4 for electrical contacting of a semiconductor component.
  • the contact tracks 2 each have a network structure 3 in places.
  • the contact tracks 2 are arranged on a substrate 10 of the connection carrier 1 .
  • the contact tracks 2 each connect at least one contact surface 4 to a connection surface 81 of a connection area 8 of the connection carrier 1.
  • connection area 8 is located, for example, on an edge area of the connection carrier 1 and is used for external electrical contacting of the connection carrier.
  • the network structure 3 is formed by first network tracks 31 and second network tracks 32, with the first network tracks 31 each running parallel to one another and the second network tracks 32 each running parallel to one another.
  • the first network webs 31 and the second network webs 32 run obliquely or perpendicularly to one another, perpendicularly in the exemplary embodiment shown.
  • Openings 30 are formed between the network tracks 31, 32, in which the substrate 10 is free of material for the contact track.
  • connection carrier 1 only has two contact tracks 2, each with a contact surface 4, for the sake of simplicity, the contact surfaces 4 for the electrical contacting of a semiconductor component, for example an optoelectronic semiconductor component are trained.
  • the connection carrier 1 typically has a multiplicity of such contact tracks 2, the contact tracks 2 being provided, for example, for the electrical contacting of 100 or more semiconductor components.
  • the contact tracks 2 are electrically insulated from one another by a space 5 .
  • the contact tracks 2 can have a comparatively large transverse extent perpendicular to their longitudinal axis 20 in a plan view of the connection carrier 1, without the contact tracks 2 being visible to the human eye.
  • the electrical contacting via the contact tracks 2 can therefore be distributed over a comparatively large area, resulting in a homogeneous overall impression for the human eye.
  • the intermediate spaces 5 can also be made so narrow that they are imperceptible.
  • the longitudinal axis 20 of the contact track 2 runs at least in places obliquely to the first network tracks 31 and obliquely to the second network tracks 32, for example at an angle of 45° to these network tracks 31, 32.
  • the network tracks 31, 32 have a width wl between and including 2 gm and 20 gm inclusive, for example between 5 pm and 15 pm inclusive.
  • the network paths Perpendicular to a main plane of extent of the connection carrier 1, the network paths have, for example, a Height hl between 1 mpi and 8 mpi inclusive, for example between 2 mpi and 4 mpi inclusive.
  • An aspect ratio of the network tracks is, for example, between 0.2 and 0.2 inclusive
  • a center-to-center distance dl between adjacent first network tracks 31 and/or between adjacent second network tracks 32 is, for example, between 50 mpi and 800 mpi inclusive.
  • the contact surfaces 4 are each flat electrically conductive areas with a maximum extension along two mutually perpendicular directions, which is greater than the width wl of an individual network track.
  • connection areas 81 in the connection area 8 can also be formed by flat electrically conductive areas. This can make it easier for the connection carrier 1 to make external electrical contact.
  • a mechanically rigid substrate for example in the form of a disc or plate, or a mechanically flexible substrate, for example in the form of a foil, is suitable for the substrate 10 .
  • the substrate 10 is electrically insulating.
  • the substrate 10 is transparent in the visible spectral range.
  • the substrate 10 contains a glass or a plastic such as polyethylene, polyimide, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate or polyacrylic.
  • the contact tracks 2 are made of metal, for example.
  • the contact tracks 2 contain copper or another metal with high electrical conductivity.
  • the contact track 2 can have a reflection-reducing coating 25 . This is shown schematically in the sectional view of FIG.
  • copper-based contact tracks can be blackened with molybdenum or palladium or copper nitride, particularly in the area of network structure 3 with network tracks 31, 32.
  • the exemplary embodiments illustrated in FIGS. 2 and 3 essentially correspond to the exemplary embodiment described in connection with FIGS. 1A to IC.
  • the contact surface 4 has an extension 41 .
  • a maximum extension of the extension 41 is greater than the center distance dl between the network tracks 31, 32.
  • the reliability of the electrical contacting of the contact surface 4 with the network structure 3 of the contact track 2 can be increased, since an electrically conductive There is contact between the contact surface 4 and the network structure 3 in several places.
  • the extension 41 extends away from the contact surface 4 on a side surface of the contact surface 4 .
  • the extension 41 is formed on a side surface of the contact surface 4 that faces away from the closest contact surface 4 of a further contact track 2 .
  • the extension 41 extends beyond the contact surface 4 on two opposite side surfaces of the contact surface 4 .
  • extensions 41 can be varied within wide limits. Such an extension is particularly expedient if the size of the contact surface 4 is less than or equal to the center-to-center distance d1 of the network tracks 31, 32, at least along one direction.
  • FIG. 4 essentially corresponds to the exemplary embodiment described in connection with FIGS. 1A to IC.
  • a contact track 2 has a subdivision into two partial areas 21 at an imaginary crossing point 29 with a further contact track 2 .
  • the partial areas 21 are connected to one another via an electrically conductive bridge 6 .
  • the bridge 6 overlaps with the further contact track 2, but is electrically insulated from it by means of an insulator 65.
  • Figures 5A and 5B illustrate the current flow within the contact tracks 2.
  • FIG. 5A shows the extreme case that the contact tracks 2 are so narrow that there is only one continuous current path 27 along the longitudinal axis 20 of the contact tracks 2, which is illustrated by the zigzag curve shown. This is though possible in principle, but involves the risk of a failure if the network structure 3 has a defect along this current path 27 .
  • the contact tracks 2, as shown in FIG. 5B are each designed such that at least two separate current paths 27 are formed within the respective contact track 2 along the contact tracks 2 by means of the network structure 3. If one of the current paths 27 is interrupted, there is still an electrically conductive connection via the other current path 27.
  • Such a redundancy preferably exists at every point along the axis of longitudinal extension 20 of the contact track 2 from the contact surface 4 to the associated connection surface 81.
  • FIG. 6 shows an exemplary embodiment of an optoelectronic device 100, the connection carrier 1 being designed as described in connection with FIGS. 1A to IC.
  • the optoelectronic device 100 has an optoelectronic semiconductor component 9, the optoelectronic semiconductor component 9 being electrically conductively connected to at least two contact areas 4.
  • the optoelectronic semiconductor component 9 has electrical connections 91 on a side facing the connection carrier 1 .
  • the optoelectronic semiconductor component 9 is a light-emitting diode in flip-chip geometry. In a plan view of the optoelectronic device 100, the optoelectronic semiconductor component 9 overlaps with the associated contact areas 4 of the connection carrier 1.
  • the optoelectronic device 100 can have a multiplicity of optoelectronic semiconductor components, for example light-emitting diodes or detectors and possibly others have electronic components that are electrically conductively connected to associated contact surfaces 4 of the connection carrier 1 .
  • Such an optoelectronic device 100 can, for example, be applied to a pane of glass or embedded between two panes of glass.
  • the pane of glass can be provided for a building or a motor vehicle, for example.
  • a placement behind a transparent or semi-transparent plastic carrier is also conceivable in order to illuminate it.
  • the exemplary embodiment of an optoelectronic device illustrated in FIG. 7 essentially corresponds to the optoelectronic device 100 described in connection with FIG.
  • the electrical connections 91 are each electrically conductively connected to the contact surfaces 4 via a contact conductor 7 .
  • the contact surface 4 can also be formed by the network structure 3 of the contact track 2 .
  • the contact conductors 7 can be applied by an additive method after the optoelectronic semiconductor components 9 have been attached to the connection carrier 1.
  • FIGS. 8A to 8D An exemplary embodiment of a method for producing a connection carrier is illustrated schematically in FIGS. 8A to 8D.
  • a substrate 10 is provided.
  • a mesh structure 3 is formed on the substrate 10 (FIG. 8B).
  • the network structure 3 can extend uniformly over a large part of the substrate 10 or also over the entire substrate 10 .
  • the material for the network structure 3 can be applied to the substrate 10, for example, by sputtering or vapor deposition and, if necessary, additionally by galvanic reinforcement.
  • contact tracks 2 are formed, which have the network structure 3 at least in places.
  • the network structure 3 can be removed in places, so that there are 2 gaps 5 between the contact tracks. This can be done, for example, by laser ablation or by chemical material removal.
  • FIG. 8D contact pads 4 are formed on the substrate 10.
  • FIG. 9A shows a connection carrier 1 with a network structure 3.
  • the connection carrier 1 has semiconductor components 9 on the network structure 3 (not shown in FIG. 9A).
  • the network structure 3 has a peripheral area 33 .
  • the center-to-center distance (dl) between adjacent first mesh panels 31 and the center-to-center distance (dl) between adjacent second mesh panels 32 is constant, with the width (wl) of the mesh panels 31 and 32 is gradually decreased.
  • the peripheral area 33 shows continuously thinner mesh panels 31 and 32 in the direction away from the center of the mesh structure 3.
  • the exemplary embodiment shown in FIG. 9B essentially corresponds to the exemplary embodiment shown in FIG. 9A.
  • the pitch (dl) between adjacent first mesh sheets 31 and the pitch (dl) between adjacent second mesh sheets 32 are gradually increased.
  • the peripheral region 33 of the network structure 3 shows a progressively lower density of the network tracks 31 and 32 and progressively thinner network tracks 31 and 32 in the direction away from the center of the network structure 3.
  • the connection carrier 1 in Figure 9B has on the network structure 3 semiconductor components 9 (not shown in Figure 9B).
  • the width (wl) of the mesh panels 31 and 32 can be constant, with in the peripheral region 33 and in the direction away from the center of the mesh structure 3, the center-to-center distance (dl) between adjacent first mesh panels 31 and the center-to-center distance (dl) between adjacent second webs 32 are gradually increased.
  • the area with the network structure 3 advantageously changes continuously via the peripheral area 33 into the area without a network structure.
  • no hard contrast can be perceived by the human eye and the network structure appears more transparent and less like a foreign body on the connection board 1.
  • the exemplary embodiment illustrated in FIG. 10A has a connection carrier 1 with a network structure 3 .
  • the network structure 3 is structured into a plurality of contact tracks 2 by means of intermediate spaces 5 .
  • the semiconductor components 9 are electrically contacted by means of two contact tracks 2 .
  • three contact surfaces 2 each form a first 22, a second 23 and a third 24 electrode, which can be used for a capacitive tactile sensor function.
  • the connection carrier 1 has connection surfaces 81 for the respective contact surfaces 2 (not shown in FIG. 10A).
  • the contact tracks 2, which provide the electrical contacting of the semiconductor components 9, and the first 22, second 23 and third 23 electrode are arranged on the same surface of the connection carrier 1 and the substrate 10, respectively.
  • the first electrode 22 is formed by a circular area.
  • the two contact areas 2 that provide the electrical contacting of the semiconductor components 9 are also arranged around the first electrode 22 .
  • the first electrode 22 and the two contact areas 2, which provide the electrical contacting of the semiconductor component 9, are formed by gaps 5 electrically separated from each other.
  • the contact surfaces 2, which provide the electrical contacting of the semiconductor components 9, are each formed by an annular surface and two conducting surfaces of the network structure 3. As a result, a continuous contact surface 2 is formed.
  • the two leading surfaces run straight and parallel to each other towards the ring-shaped surface.
  • Two further contact areas 2 are arranged around the first electrode 22 and the two contact areas 2 which provide the electrical contacting of the semiconductor components 9 , one contact area 2 forming a second electrode 23 and one contact area 2 forming a third electrode 24 .
  • the second electrode 23 and the third electrode 24 together form a square around the first electrode 22 and the two contact areas 2 which provide the electrical contacting of the semiconductor components 9 .
  • the second 23 and third electrode 24 are electrically insulated from one another by an intermediate space 5 on the side opposite the conductive surfaces of the two contact surfaces 2, which provides the electrical contacting of the semiconductor component.
  • the intermediate space 5, which separates the second electrode 23 from the third electrode 24, runs straight and perpendicular to the two ring-shaped surfaces of the contact surfaces 2, which provide the electrical contacting of the semiconductor components 9.
  • the secondary first electrode 22, the second electrode 23 and the third electrode 24 can advantageously be used for a capacitive tactile sensor function.
  • the embodiment shown in FIG. 10A could be in the form of a button or a sensor surface.
  • the exemplary embodiment illustrated in FIG. 10B essentially corresponds to the exemplary embodiment described in connection with FIG. 10A.
  • the connection carrier 1 has two contact surfaces 2 which form a first electrode 22 and a second electrode 23 .
  • the first electrode 22 has a circular shape.
  • the second electrode 23 is arranged around the first electrode 22 and the two contact pads 2 which provide the electrical contacting of the semiconductor components 9 .
  • the second electrode 23 forms a square area which is interrupted by the first electrode 22 and the two contact areas 2 which provide the electrical contacting of the semiconductor components 9 .
  • connection surfaces 2 of the connection carrier 1 in Figure 10B shows no connection surfaces 81, extensions 41 or contact surfaces 4.
  • the first electrode 22 and the secondary second electrode 23 can advantageously be used for a capacitive tactile sensor function.
  • the embodiment shown in FIG. 10B could be in the form of a button or a sensor surface.
  • the exemplary embodiment illustrated in FIG. 11A has a connection carrier 1 with a network structure 3 .
  • the network structure 3 is structured into a plurality of contact tracks 2 arranged in parallel. Between each subordinate contact track 2 there is a gap 5 which electrically insulates the adjacent contact tracks 2 from one another.
  • two contact tracks 2 provide electrical contacting of the semiconductor component 9 .
  • the semiconductor component 9 is arranged on the two contact tracks 2 which provide the electrical contacting.
  • Both point to a simplified representation Contact tracks 2 in FIG. 11A, which provide the electrical contacting of the semiconductor component 9, have no contact surfaces 4.
  • connection carrier 1 In addition to the two contact tracks 2, which provide the electrical contacting of the semiconductor component 9, further contact tracks 2 are arranged on the connection carrier 1. At least one further contact track 2 forms an electrical line on the connection carrier 1.
  • the exemplary embodiment illustrated in FIG Electrode 22 and a second electrode 23 form.
  • the two contact tracks 2 that provide the electrical contacting of the semiconductor component 9 are arranged between the first electrode and the second electrode 23 .
  • the first electrode 22 and the second electrode 23 can advantageously be used for a capacitive tactile sensor function.
  • FIG. 11A shows the contact tracks 2 without connection areas 81.
  • the contact track 2, which provides the electrical contacting of the semiconductor component 9 has exactly one connection area 81, as shown in FIG. 1A.
  • the contact tracks 2, which provide a capacitive tactile sensor function can have at least two connection surfaces 81 in this case.
  • each contact track 2 that provides a capacitive tactile sensor function has exactly two connection areas 81 .
  • a first connection surface 81 of the contact track 2 makes contact with a first connection 91 and a second connection surface 81 of the contact track 2 makes contact with a second connection 91, the first and second connection 91 being arranged as far away from one another as possible on a longitudinal axis 20 of the contact track 2.
  • contact track 2, which provides a capacitive tactile sensor function can be electrically contact-connected to four connections 91 of four connection surfaces 81.
  • the four pads 81 can connect a contact track 2 to four corners or four sides.
  • connection carrier 1 has a first network structure 3 on a first side and a second network structure 3 on a second side of the connection carrier 1 .
  • the first and second network structure 3 are structured into a plurality of contact tracks 2 aligned in parallel.
  • the contact tracks 2 on the first side are aligned perpendicularly to the contact tracks 2 on the second side of the connection carrier 1.
  • the first side of the connection carrier 1 lies opposite the second side of the connection carrier 1.
  • a plurality of contact tracks 2 arranged in parallel form one on the first side first electrode 22 and a further first electrode 22.
  • the first electrode 22 and the further first electrode 22 are arranged on the connection carrier 1 on the same side and in the same plane.
  • the contact tracks 2 the electrical contact of the
  • connection carrier 1 Provide semiconductor component 9, arranged between the first electrode 22 and the further first electrode 22 on the connection carrier 1.
  • the contact tracks 2 on the second side of the connection carrier 1 form a second electrode 23 in the composite.
  • the contact tracks 2 of the second electrode 23 are aligned perpendicularly to the contact tracks 2 to the two first electrodes 22 .
  • FIG. 11A the exemplary embodiment illustrated in FIG. 11B only shows semiconductor components 9 on a first side of the connection carrier 1.
  • the second side can also have semiconductor components 9.
  • the exemplary embodiment illustrated in FIG. 11C essentially corresponds to the exemplary embodiment described in connection with FIG. 11B.
  • the connection carrier 1 has two contact tracks 2 on its second side, which make electrical contact with a further semiconductor component 9 .
  • the connection carrier 1 or the substrate 10 has semiconductor components 9 on the two opposite sides of the connection carrier 1 .
  • the contact tracks 2, which provide a capacitive tactile sensor function, are aligned perpendicularly on the first side of the connection carrier 1 to the contact tracks 2 on the second side of the connection carrier 1.
  • a plurality of contact tracks 2 arranged in parallel on the first side form a first electrode 22 and a further first electrode 22.
  • Several contact tracks 2 arranged in parallel on the second side form a second electrode 23 and a further second electrode 23.
  • the first electrode 22 and the further first electrode 22 are on the same side and in the same plane arranged on the connection carrier 1.
  • the second electrode 23 and the further second electrode 23 are arranged on a second side in the same plane of the connection carrier 1 .
  • the contact tracks 2 which provide electrical contacting of the semiconductor component 9 on the first side, are arranged between the first electrode 22 and the further first electrode 22 .
  • the contact tracks 2 which provide electrical contacting of the semiconductor component 9 on the second side, are arranged between the second electrode 23 and the further second electrode 23 .
  • the contact tracks 2 of the two first electrodes 22 are perpendicular to and directly above arranged on the contact tracks 2 of the two second electrodes 23 .
  • the invention is not limited by the description based on the exemplary embodiments. Rather, the invention includes every new feature and every combination of features, which in particular includes every combination of features in the patent claims, even if this feature or this combination itself is not explicitly stated in the patent claims or the exemplary embodiments.

Abstract

Es wird ein Anschlussträger (1) mit zumindest einer Kontaktbahn (2), die mit einer Kontaktfläche (4) für eine elektrische Kontaktierung eines Halbleiterbauelements (9) elektrisch leitend verbunden ist, angegeben, wobei die Kontaktbahn (2) zumindest stellenweise eine Netzstruktur (3) aufweist. Weiterhin wird ein Verfahren zum Herstellen eines Anschlussträgers (1) mit Kontaktbahnen (2) angegeben.

Description

Beschreibung
ANSCHLUSSTRÄGER, OPTOELEKTRONISCHE VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES ANSCHLUSSTRÄGERS
Die vorliegende Anmeldung betrifft einen Anschlussträger, eine optoelektronische Vorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen eines Anschlussträgers.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102021 200 044.4, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Für verschiedene Anwendungen sind Lichtquellen in beziehungsweise hinter oder auf transparenten Elementen wie Glasscheiben gewünscht, beispielsweise zur Darstellung von statischen oder bewegten Bildern. Es hat sich jedoch gezeigt, dass eine konventionelle elektrische Kontaktierung der einzelnen Lichtquellen durch Kupferleiterbahnen vom Betrachter als störend wahrgenommen wird, insbesondere auch im ausgeschalteten Zustand. Alternativ zu Kupfer können auch transparente leitfähige Oxide Anwendung finden. Damit können zwar Transparenzkriterien erfüllt werden, aufgrund der im Vergleich zu Kupfer deutlich geringeren elektrischen Leitfähigkeit können jedoch hohe Anforderungen an die Auflösung nicht ohne weiteres gleichzeitig erfüllt werden.
Eine Aufgabe ist es, eine zuverlässige Art der elektrischen Kontaktierung anzugeben, die vom menschlichen Auge nicht als störend wahrgenommen wird. Diese Aufgabe wird unter anderem durch einen Anschlussträger, eine optoelektronische Vorrichtung und ein Verfahren zum Herstellen eines Anschlussträgers gemäß den unabhängigen Patentansprüchen gelöst. Weitere Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeiten sind Gegenstand der abhängigen Patentansprüche .
Es wird ein Anschlussträger mit zumindest einer Kontaktbahn angegeben. Typischerweise weist der Anschlussträger eine Vielzahl solcher Kontaktbahnen auf.
Beispielsweise ist die Kontaktbahn auf einem Substrat des Anschlussträgers angeordnet.
Das Substrat enthält beispielsweise ein Glas oder einen Kunststoff. Das Substrat kann mechanisch flexibel oder starr sein. Beispielsweise weist das Substrat selbst, also ohne die Kontaktbahn, im sichtbaren Spektralbereich eine Transmission von mindestens 90% auf.
Die Kontaktbahn ist beispielsweise metallisch. Zum Beispiel enthält die Kontaktbahn Kupfer oder ein anderes Metall mit einer hohen elektrischen Leitfähigkeit.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Anschlussträgers ist die Kontaktbahn mit einer Kontaktfläche für eine elektrische Kontaktierung eines Halbleiterbauelements elektrisch leitend verbunden. Die Kontaktfläche ist eine Fläche, an der die elektrische Kontaktierung zu dem beispielsweise optoelektronischen Halbleiterbauelement herstellbar ist.
Zum Beispiel weist der Anschlussträger für eine externe elektrische Kontaktierung einen Anschlussbereich mit einer Mehrzahl von Anschlussflächen auf. Zum Beispiel ist jede Kontaktfläche direkt oder indirekt über eine Kontaktbahn mit einer Anschlussfläche elektrisch leitend verbunden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Anschlussträgers weist die Kontaktbahn zumindest stellenweise eine Netzstruktur auf. Die Kontaktbahn ist also in sich strukturiert. Innerhalb der Netzstruktur befinden sich beispielsweise Öffnungen, in denen das Substrat frei von der Kontaktbahn ist. Zum Beispiel sind zumindest einige der Öffnungen in einer Draufsicht auf den Anschlussträger vollständig von Material der Kontaktbahn umschlossen. Beispielsweise ist die Netzstruktur durch Netzbahnen gebildet, die sich stellenweise überkreuzen und schräg oder senkrecht zueinander verlaufen.
In mindestens einer Ausführungsform des Anschlussträgers weist der Anschlussträger zumindest eine Kontaktbahn, die mit einer Kontaktfläche für eine elektrische Kontaktierung eines Halbleiterbauelements elektrische leitend verbunden ist, auf, wobei die Kontaktbahn zumindest stellenweise eine Netzstruktur mit einer Mehrzahl von Netzbahnen aufweist.
Mittels der Netzstruktur kann die Breite der Kontaktbahn, also ihre Querausdehnung senkrecht zu einer
Längserstreckungsachse im Vergleich zu einer konventionellen Leiterbahn verbreitert werden, wobei die Kontaktbahn für das menschliche Auge nicht wahrnehmbar ist oder zumindest die Wahrnehmbarkeit signifikant reduziert wird. Beispielsweise beträgt eine Transmission des Anschlussträgers im Bereich der Kontaktbahn mindestens 70% oder mindestens 80% oder mindestens 85%. Es kann also eine Verteilung der Kontaktbahn auf eine größere Fläche erfolgen, wodurch ein homogener Gesamteindruck der Fläche erzielbar ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Anschlussträgers ist die Netzstruktur durch Netzbahnen gebildet, wobei die Netzbahnen eine Breite zwischen einschließlich 2 gm und einschließlich 20 gm aufweisen. Beispielsweise beträgt eine Breite zwischen einschließlich 5 gm und einschließlich 15 gm. Je größer die Breite ist, desto größer ist die Stromtragfähigkeit einer einzelnen Netzbahn der Netzstruktur bei gleicher Höhe der Netzbahn. Bei einer zu großen Breite könnten die Netzbahnen jedoch von dem menschlichen Auge wahrgenommen werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Anschlussträgers weisen die Netzbahnen eine Höhe zwischen einschließlich 1 gm und einschließlich 8 gm auf. Je größer die Höhe der Netzbahnen ist, desto größer ist die Stromtragfähigkeit einer einzelnen Netzbahn bei gleicher Breite der Netzbahn. Beispielsweise beträgt die Höhe zwischen einschließlich 2 gm und einschließlich 4 gm. Je größer die Höhe ist, desto höher ist jedoch auch die Gefahr, dass sich die Netzbahnen aufgrund von Verspannungen von dem Substrat ablösen.
Beispielsweise beträgt für die Netzbahnen ein Aspektverhältnis, also ein Höhe zu Breite Verhältnis, zwischen einschließlich 0,2 und einschließlich 1,5. Je höher das Aspektverhältnis ist, desto höher kann die Stromtragfähigkeit der Netzbahnen bei gleicher Flächenbelegung. Allerdings kann sich mit zunehmendem Aspektverhältnis auch die Gefahr einer Ablösung der Netzbahnen vom Substrat erhöhen, beispielsweise aufgrund von Verspannungen . Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Anschlussträgers ist die Netzstruktur zumindest stellenweise durch parallel zueinander verlaufende erste Netzbahnen und parallel zueinander verlaufende zweite Netzbahnen gebildet, wobei die ersten Netzbahnen und die zweiten Netzbahnen schräg oder senkrecht zueinander verlaufen. Beispielsweise befinden sich die ersten Netzbahnen und die zweiten Netzbahnen in einem Winkel von zwischen einschließlich 30° und einschließlich 90° zueinander.
Ein Mittenabstand zwischen benachbarten ersten Netzbahnen und/oder benachbarten zweiten Netzbahnen beträgt beispielsweise mindestens 10 gm oder mindestens 20 gm und/oder höchstens 2 mm oder höchstens 1 mm, zum Beispiel zwischen einschließlich 50 pm und einschließlich 800 pm.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Anschlussträgers ist in einem peripheren Bereich der Netzstruktur und in Richtung weg vom Zentrum der Netzstruktur ein Mittenabstand (dl) zwischen benachbarten ersten Netzbahnen und/oder zwischen benachbarten zweiten Netzbahnen graduell erhört und/oder die Breite (wl) von den Netzbahnen ist graduell verringert. Dabei zeigt der periphere Bereich der Netzstruktur eine fortlaufend geringere Dichte von den Netzbahnen und/oder fortlaufend feinere Netzbahnen in Richtung weg von der Mitte der Netzstruktur. Beispielsweise kann der periphere Bereich in einem Abstand beginnen, der 50% der Länge vom Zentrum der Netzstruktur zur äußersten ersten und/oder zweiten Netzbahnen der Netzstruktur entspricht. Dadurch kann vorteilhafterweise ein möglicherweise auftretende Grauschleier und durch das menschliche Auge wahrnehmbare harte Kante zwischen den Bereich mit und den Bereich ohne der Netzstruktur signifikant reduziert werden. Insbesondere kann dadurch der Übergang zwischen dem transparenten aber leicht gräuliche Bereich mit der Netzstruktur und der Bereich ohne der Netzstruktur kontinuierlich übergehen, sodass kein harte abgeschnittenen Kontrast durch das menschliche Auge wahrnehmbar ist. Dadurch erscheint die Netzstruktur transparenter und wirkt weniger wie ein Fremdkörper auf dem Anschlussträger.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Anschlussträgers verläuft eine Längserstreckungsachse der Kontaktbahn zumindest stellenweise schräg zu den ersten Netzbahnen und schräg zu den zweiten Netzbahnen. Die Längserstreckungsachse der Kontaktbahn selbst kann stellenweise gekrümmt oder geknickt verlaufen. Beispielsweise beträgt ein Winkel zu den ersten Netzbahnen und zu den zweiten Netzbahnen jeweils mindestens 20% oder mindestens 30°.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Anschlussträgers ist die Kontaktfläche ein flächiger elektrisch leitfähiger Bereich. Flächig bedeutet in diesem Zusammenhang beispielsweise, dass eine maximale Ausdehnung der Kontaktfläche in Draufsicht auf den Anschlussträger in zwei zueinander senkrecht verlaufenden Richtungen größer ist als die Breite der einzelnen Netzbahnen, beispielsweise um mindestens einen Faktor 1,5 oder um mindestens einen Faktor 3. Beispielsweise weist die Kontaktfläche in zwei zueinander senkrecht verlaufenden Richtungen eine Längenausdehnung zwischen einschließlich 3 und 150 gm, oder zwischen einschließlich 20 und 100 gm, bevorzugt zwischen 30 und 60 gm auf. Die Längenausdehnung kann vorteilerweise auch so gewählt werden, dass sie zumindest so groß ist wie ein Mittenabstand zwischen benachbarten ersten Netzbahnen und/oder benachbarten zweiten Netzbahnen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Anschlussträgers überlappt die Kontaktfläche mit mindestens zwei Netzbahnen der Netzstruktur. Die Kontaktfläche kann beispielsweise einen Fortsatz aufweisen, der sich von der Kontaktfläche weg erstreckt. Der Fortsatz weist vorzugsweise eine größere Breite auf als die Netzbahnen in der Umgebung. Dadurch kann die Zuverlässigkeit der elektrischen Kontaktierung erhöht werden. Beispielsweise ist eine Länge des Fortsatzes mindestens so groß wie ein Abstand zwischen den ersten Netzbahnen und/oder ein Abstand zwischen den zweiten Netzbahnen. Die Zuverlässigkeit der elektrischen Anbindung der Kontaktfläche an die Netzstruktur kann so erhöht werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Anschlussträgers überlappt die Kontaktfläche nicht mit den benachbarten ersten Netzbahnen und/oder mit den benachbarten zweiten Netzbahnen der Netzstruktur. Beispielsweise kann die Kontaktfläche außerhalb der Netzstruktur auf dem Anschlussträger angeordnet sein. Der Fortsatz erstreckt sich vorzugsweise zwischen der Kontaktfläche und der Netzstruktur. Der Fortsatz verbindet dabei die Kontaktfläche mit der Netzstruktur. Vorzugsweise überlappt der Fortsatz mit der Netzstruktur oder schließt zumindest an der Netzstruktur an. Alternativ oder zusätzlich dazu kann der Fortsatz zusätzliche Abzweigungen aufweisen, die sich von dem Fortsatz weg erstreckt und dabei mit der Netzstruktur überlappt oder zumindest an diese anschließt. Vorteilerweise können Halbleiterbauelemente dadurch auch außerhalb der Netzstruktur angeordnet werden, wobei eine zuverlässige elektrische Kontaktierung mittels des Fortsatzes gewährleistet werden kann. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Anschlussträgers weist der Fortsatz eine Breite zwischen einschließlich 5 gm und einschließlich 50 gm auf. Bevorzugt beträgt die Breite zwischen einschließlich 10 gm und einschließlich 25 gm. Bevorzugt ist die Breite des Fortsatzes mindestens 20% größer als eine Breite der ersten und/oder der zweiten Netzbahnen. Eine zuverlässige mechanische Haftung des Fortsatzes zum Anschlussträger kann beispielsweise durch eine Breite von 15 gm gewährleistet werden. Je größer die Breite ist, desto größer ist die Stromtragfähigkeit eines Fortsatzes bei gleicher Höhe. Bei einer zu großen Breite könnte der Fortsatz jedoch von dem menschlichen Auge wahrgenommen werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Anschlussträgers bildet die Netzstruktur entlang der Kontaktbahn zumindest zwei gesonderte Strompfade innerhalb der Kontaktbahn. Gesonderte Strompfade bedeutet in diesem Zusammenhang insbesondere, dass die Strompfade jeweils einzeln eine elektrisch leitende Verbindung entlang der Kontaktbahn bilden können, auch wenn ein anderer Strompfad unterbrochen ist. Vorzugsweise gilt dies an jeder Stelle entlang der Längserstreckungsachse der Kontaktbahn. Die gesonderten Strompfade nutzen also unterschiedliche Teilbereiche der Netzstruktur innerhalb derselben Kontaktbahn und sind elektrisch leitend miteinander verbunden. Dadurch kann für die Stromzuführung eine Redundanz erzielt werden. Die Gefahr, dass ein Defekt einer Netzbahn, beispielsweise bedingt durch kleine Partikel während der Herstellung zum Versagen der gesamten Kontaktbahn führen kann, ist dadurch eliminiert oder zumindest vermindert. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Anschlussträgers weist die Kontaktbahn zumindest stellenweise eine reflexionsmindernde Beschichtung auf. Insbesondere weist die Netzstruktur die reflexionsmindernde Beschichtung auf. Die reflexionsmindernde Beschichtung ist insbesondere dafür vorgesehen, eine spekulare Reflexion an der Kontaktbahn zu vermindern. Beispielsweise ist die Kontaktbahn durch die reflexionsmindernde Beschichtung geschwärzt oder zumindest abgedunkelt. Die Wahrnehmbarkeit der Kontaktbahn durch das menschliche Auge ist so weitergehend reduzierbar.
Beispielsweise enthält die reflexionsmindernde Beschichtung Palladium oder Molybdän oder Kupfernitrid.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Anschlussträgers ist die Kontaktbahn an einem gedachten Kreuzungspunkt mit einer weiteren Kontaktbahn in zwei Teilbereiche unterteilt, wobei die Teilbereiche über eine elektrisch leitfähige Brücke, die von der weiteren Kontaktbahn elektrisch isoliert ist, miteinander verbunden sind. In einer Draufsicht auf den Anschlussträger überlappt die elektrisch leitfähige Brücke mit der weiteren Kontaktbahn, ist jedoch beispielsweise durch einen Isolator von der weiteren Kontaktbahn elektrisch isoliert. Eine solche elektrisch leitfähige Brücke kann beispielsweise durch ein additives Verfahren hergestellt werden, zum Beispiel durch ein Druckverfahren, ein Jetting- Verfahren, ein Verfahren zur Herstellung einer planaren Kontaktierung oder durch ein Transferverfahren, etwa ein laserinduziertes Transferverfahren (laser induced forward transfer, LIFT).
Mittels solcher elektrisch leitfähiger Brücken können sich kreuzende elektrische Kontaktierungen, wie sie bei einer konventionellen Leiterplatte mit mehreren Leiterebenen herstellbar sind, unter Verwendung von nur einer Ebene für die Netzstruktur erzielt werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Anschlussträgers stellt zumindest eine Kontaktbahn eine elektrische Kontaktierung des Halbleiterbauelements bereit und/oder zumindest eine Kontaktbahn stellt eine kapazitive taktile Sensor-Funktion bereit. Die zumindest eine Kontaktbahn, die die kapazitive taktile Sensor-Funktion bereitstellt, kann dabei für die Steuerung des Halbleiterbauelements eingesetzt werden. Dabei kann eine oder mehrere Kontaktbahnen eine für die kapazitive taktile Sensor-funktion genutzte Elektrode bilden. Der Anschlussträger weist dabei vorteilhaft mehrere nebengeordnete Elektroden auf.
Insbesondere kann zumindest eine Kontaktbahn oder zumindest ein Teilbereich der Netzstruktur eine Fläche bereitstellen, die für eine kapazitive taktile Sensor-funktion eingesetzt werden kann. Beispielsweise kann die zumindest eine Kontaktbahn oder der Teilbereich der Netzstruktur eine Fläche bereitstellen, die als Knopf oder Sensorfläche fungiert, um dabei das Halbleiterbauelement und/oder andere mit dem Knopf oder der Sensorfläche verbundenen Funktionen elektrisch zu schalten. Insbesondere kann ein Knopf oder eine Sensorfläche dafür ausgebildet sein, um das Halbleiterbauelement ein- oder auszuschalten oder die Intensität des Halbleiterbauelements zu regeln. Alternativ oder zusätzlich dazu kann der Knopf oder die Sensorfläche dafür ausgebildet sein, um die mit dem Knopf oder der Sensorfläche verbundenen Funktionen zu schalten. Insbesondere können solche Funktionen die Ein- und Ausschaltung eines Motors oder eines Aktuators oder eines Sensors sein. Vorteilhafterweise können solche Knöpfe oder Sensorflachen auf Fensterscheiben oder im Innenraum eines Autos eingesetzt werden, um dabei Indikatoren, Anzeigefläche, Motoren, Aktuatoren oder Sensoren zu schalten.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Anschlussträgers ist der Knopf oder die Sensorfläche auf einem Substrat, wie eine Glasscheibe oder eine Plastikfolie, angeordnet. Insbesondere ist das Substrat transparent oder teiltransparent ausgebildet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Anschlussträgers ist zumindest eine Kontaktbahn auf einer ersten Seite und/oder auf einer der ersten Seite abgewandten zweiten Seite des Anschlussträgers angeordnet. Dabei kann die Netzstruktur in mehreren Kontaktbahnen strukturiert sein. Die Kontaktbahn kann ferner von zumindest einer Anschlussfläche elektrisch verbunden sein. Beispielsweise kann dabei eine Kontaktbahn eine Elektrode bilden oder mehrere Kontaktbahnen in Verbund können eine gemeinsame Elektrode bilden. Der Anschlussträger weist vorteilhaft mehrere nebengeordnete Elektroden auf, die für eine kapazitive taktile Sensor-Funktion genutzt werden können.
Beispielsweise kann eine Kontaktbahn, die eine kapazitive taktile Sensor-Funktion bereitstellt, an vier Anschlüsse von vier Anschlussflächen elektrisch kontaktiert sein. Beispielsweise können die vier Anschlussflächen eine Kontaktbahn an vier Ecken oder vier Seiten einer Fläche der Netzstruktur anschließen. Vorteilhafterweise kann dadurch eine Oberflächen-kapazitive taktile Sensor-funktion (Surface Capacitive Touch) bereitgestellt werden. Alternativ oder zusätzlich dazu kann die Netzstruktur in mehreren beliebig geformten Kontaktbahnen strukturiert sein, die eine kapazitive taktile Sensor-Funktion bereitstellen. Dabei kann eine erste Kontaktbahn oder ein Verbund von Kontaktbahnen eine erste Elektrode bilden und eine zweite Kontaktbahn oder ein Verbund von Kontaktbahnen kann eine zweite Elektrode bilden. Alternativ kann der Anschlussträger mehr als zwei Elektroden aufweisen. Die Elektroden können dabei angrenzend an einander auf einer Seite des Anschlussträgers angeordnet sein und sind dabei durch einen Zwischenraum in der Netzstruktur von einander elektrisch isoliert. Ist die Elektrode von einem Verbund von Kontaktbahnen gebildet, sind die Kontaktbahnen vorteilhafterweise rechteckig und parallel angrenzend an einander ausgerichtet. Dabei ist jede Kontaktbahn von einer benachbarten Kontaktbahn durch einen Zwischenraum elektrisch isoliert. Beispielsweise ist dabei jede Kontaktbahn an zwei Anschlüssen von zwei Anschlussflächen elektrisch kontaktiert. Vorteilhafterweise sind die Anschlüsse der Anschlussflächen möglichst weit weg angeordnet voneinander auf einer Längserstreckungsachse der Kontaktbahn.
Alternativ oder zusätzlich dazu kann die Netzstruktur in mehreren Kontaktbahnen strukturiert sein und auf zwei abgewandten Seiten von dem Anschlussträger angeordnet sein. Beispielsweise kann die kapazitive taktile Sensor-Funktion dadurch bereitgestellt werden, dass mehrere parallel angeordnete Kontaktbahnen auf einer ersten Seite des Anschlussträgers angeordnet sind und mehrere parallel angeordneten Kontaktbahnen auf einer der ersten Seite abgewandten zweiten Seite des Anschlussträgers angeordnet sind. Dabei können die Kontaktbahnen auf der ersten Seite und die Kontaktbahnen auf der der ersten Seite abgewandten zweiten Seite senkrecht zu einander auf dem Anschlussträger angeordnet sein. Insbesondere sind die Kontaktbahnen auf der ersten Seite und die Kontaktbahnen auf einer der ersten Seite abgewandte zweiten Seite des Anschlussträgers direkt übereinander angeordnet. Dabei ist jede Kontaktbahn, die die kapazitive taktile Sensor-Funktion bereitstellt, von mindestens zwei Anschlussflächen elektrisch kontaktiert. Vorteilhafterweise können dabei mehrere Kontaktbahnen in Verbund eine gemeinsame Elektrode bilden. Insbesondere kann eine erste Elektrode auf einer ersten Seite des Anschlussträger angeordnet sein und eine zweite Elektrode kann auf einer der ersten Seite abgewandten zweiten Seite angeordnet sein. Beispielsweise kann der Anschlussträger mehrere unterschiedlich gepolten Elektroden aufweisen. Dabei kann eine Elektrode mit einer Masse elektrisch verbunden sein. Beispielsweise kann der Anschlussträger mehrere erste und zweite Elektroden aufweisen. Alternativ kann der Anschlussträger auch eine dritte Elektrode oder auch weitere Elektroden aufweisen. Vorteilhafterweise kann dadurch ein Projiziert-Kapazitive taktile Sensor-funktion (Projective Capacitive Touch oder auch PCAP genannt) bereitgestellt werden.
Weiterhin wird eine optoelektronische Vorrichtung mit einem vorstehend beschriebenen Anschlussträger angegeben. Die optoelektronische Vorrichtung weist ferner zumindest ein optoelektronisches Halbleiterbauelement auf, wobei das optoelektronische Halbleiterbauelement mit zumindest zwei Kontaktflächen elektrisch leitend verbunden ist.
Beispielsweise weist die optoelektronische Vorrichtung einen Anschlussbereich, etwa an einem Rand der optoelektronischen Vorrichtung, auf, an dem die optoelektronische Vorrichtung extern elektrisch kontaktierbar ist. Zum Beispiel ist jede Kontaktfläche unmittelbar oder zumindest mittelbar über eine Kontaktbahn mit mindestens einer Anschlussfläche des Anschlussbereichs elektrisch leitend verbunden.
Das optoelektronische Halbleiterbauelement ist beispielsweise eine Lumineszenzdiode, etwa eine Leuchtdiode, oder ein Sensor.
Typischerweise weist die optoelektronische Vorrichtung eine Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen auf, beispielsweise mindestens 100 optoelektronische Halbleiterbauelemente oder mindestens 1000 optoelektronische Halbleiterbauelemente. Zusätzlich können weitere Bauelemente vorgesehen sein, beispielsweise passive elektronische Bauelemente wie Widerstände, Sensoren oder Kondensatoren oder aktive elektronische Bauelemente wie integrierte Schaltkreise. Die optoelektronischen Halbleiterbauelemente können einzeln oder in Gruppen über eine Anschlussfläche des Anschlussbereichs extern elektrisch kontaktierbar sein. Beispielsweise sind zumindest einige der optoelektronischen Halbleiterbauelemente mittels der Kontaktbahnen elektrisch in Serie oder elektrisch parallel zueinander verschaltet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der optoelektronischen Vorrichtung sind elektrische Anschlüsse des optoelektronischen Halbleiterbauelements auf einer dem Anschlussträger zugewandten Seite angeordnet. Beispielsweise überlappen die Kontaktflächen des Anschlussträgers mit dem zugehörigen optoelektronischen Halbleiterbauelement. Beispielsweise ist das optoelektronische Halbleiterbauelement als ein Flipchip-Bauelement ausgebildet, bei dem die für die elektrische Kontaktierung erforderlichen elektrischen Anschlüsse auf der dem Anschlussträger zugewandten Seite angeordnet sind.
Die elektrische Kontaktierung der elektrischen Anschlüsse mit den zugehörigen Anschlussflächen kann beispielsweise über eine Verbindungsschicht, etwa eine elektrisch leitfähige Klebeschicht oder eine Lotschicht erfolgen.
Das optoelektronische Halbleiterbauelement kann auch mehr als zwei elektrische Anschlüsse aufweisen, beispielsweise für die elektrische Ansteuerung voneinander getrennter aktive Bereiche. Zum Beispiel können die aktiven Bereiche Strahlung in voneinander verschiedenen Spektralbereichen erzeugen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform der optoelektronischen Vorrichtung ist zumindest ein elektrischer Anschluss des optoelektronischen Halbleiterbauelements auf einer dem Anschlussträger abgewandten Seite angeordnet und über einen Kontaktleiter mit der Kontaktfläche elektrisch leitend verbunden. Es können auch alle elektrischen Anschlüsse des optoelektronischen Halbleiterbauelements jeweils über einen Kontaktleiter mit der zugeordneten Kontaktfläche elektrisch leitend verbunden sein. Ein solcher Kontaktleiter kann über ein additives Verfahren aufgebracht werden, beispielsweise durch ein Druckverfahren, ein Jetting-Verfahren, ein Verfahren zur Herstellung einer planaren Kontaktierung oder durch ein Transferverfahren, etwa ein laserinduziertes Transferverfahren .
In diesem Fall kann die elektrische Kontaktierung des optoelektronischen Halbleiterbauelements bei der Herstellung der optoelektronischen Vorrichtung auch erst erfolgen, nachdem das optoelektronische Halbleiterbauelement bereits an dem Anschlussträger befestigt ist. Eine derartige elektrische Kontaktierung der optoelektronischen Halbleiterbauelemente kann während der Herstellung der optoelektronischen Vorrichtung auch genutzt werden, um nicht funktionsfähige optoelektronische Halbleiterbauelemente während der Herstellung der optoelektronischen Vorrichtung, beispielsweise nach einem Testschritt, zu ersetzen.
Weiterhin wird ein Verfahren zum Herstellen eines Anschlussträgers mit Kontaktbahnen angegeben. Das Verfahren ist für die Herstellung eines vorstehend beschriebenen Anschlussträgers besonders geeignet. In Zusammenhang mit dem Anschlussträger angegebene Merkmale können daher auch für das Verfahren herangezogen werden und umgekehrt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird ein Substrat bereitgestellt und Kontaktbahnen, die zumindest stellenweise eine Netzstruktur aufweisen, werden ausgebildet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist vor dem Ausbilden der Kontaktbahnen eine durchgängige Netzstruktur auf dem Substrat ausgebildet und die Netzstruktur wird beim Ausbilden der Kontaktbahnen in die Kontaktbahnen strukturiert. Die zunächst bereitgestellte Netzstruktur hat also noch keine für die konkrete Ausgestaltung der Kontaktbahnen spezifische Form.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden die Netzstruktur und die Kontaktbahnen in eine gemeinsamen Verfahrensschritt ausgebildet. In diesem Fall kann die Netzstruktur bereits spezifisch an den konkreten Verlauf der herzustellenden Kontaktbahnen angepasst sein. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden Kontaktflächen ausgebildet, die jeweils mit einer Kontaktbahn elektrisch leitend verbunden sind.
Das Ausbilden der Kontaktflächen kann vor oder nach dem Strukturieren der Netzstruktur in die Kontaktbahnen erfolgen. Beispielsweise können die Kontaktflächen mittels eines lithographischen Strukturierungsverfahrens in strukturierter Form aufgebracht werden.
Zur Herstellung einer vorstehend beschriebenen optoelektronischen Vorrichtung kann der so hergestellte Anschlussträger mit optoelektronischen Halbleiterbauelementen bestückt werden.
Weitere Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeiten ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele in Verbindung mit den Figuren.
Es zeigen:
Figur 1A ein Ausführungsbeispiel für einen Anschlussträger in einer schematischen Draufsicht;
Figur 1B eine vergrößerte Darstellung eines Ausschnitts der Figur 1A;
Figur IC eine vergrößerte Darstellung eines Ausschnitts des Anschlussträgers der Figur 1A in schematischer Schnittansicht; die Figuren 2, 3 und 4 jeweils ein Ausführungsbeispiel für einen Anschlussträger in schematischer Draufsicht; die Figuren 5A und 5B jeweils ein Ausführungsbeispiel für einen Anschlussträger in schematischer Draufsicht; die Figuren 6 und 7 jeweils ein Ausführungsbeispiel für eine optoelektronische Vorrichtung in Draufsicht; die Figuren 8A, 8B, 8C und 8D ein Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zur Herstellung eines Anschlussträgers anhand von jeweils schematisch in Draufsicht dargestellten Zwischenschritten;
Figur 9A ein Ausführungsbeispiel für einen Anschlussträger in einer schematischen Draufsicht;
Figur 9B ein Ausführungsbeispiel für einen Anschlussträger in einer schematischen Draufsicht; die Figuren 10A und 10B jeweils ein Ausführungsbeispiel für einen Anschlussträger in schematischer Draufsicht; und die Figuren 11A bis 11C jeweils ein Ausführungsbeispiel für einen Anschlussträger in schematischer Schnittansicht.
Gleiche, gleichartige oder gleichwirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
Die Figuren sind jeweils schematische Darstellungen und daher nicht unbedingt maßstabsgetreu. Vielmehr können einzelne Elemente und insbesondere Schichtdicken zur verbesserten Darstellung und/oder zum verbesserten Verständnis übertrieben groß dargestellt sein. Das in Figur 1A dargestellte Ausführungsbeispiel weist einen Anschlussträger 1 mit Kontaktbahnen 2 auf, wobei die Kontaktbahnen 2 jeweils mit einer Kontaktfläche 4 für eine elektrische Kontaktierung eines Halbleiterbauelements elektrisch leitend verbunden ist. Die Kontaktbahnen 2 weisen jeweils stellenweise eine Netzstruktur 3 auf. Die Kontaktbahnen 2 sind auf einem Substrat 10 des Anschlussträgers 1 angeordnet.
Beispielsweise verbinden die Kontaktbahnen 2 jeweils mindestens eine Kontaktfläche 4 mit einer Anschlussfläche 81 eines Anschlussbereichs 8 des Anschlussträgers 1.
Der Anschlussbereich 8 befindet sich beispielsweise an einem Randbereich des Anschlussträgers 1 und dient der externen elektrischen Kontaktierung des Anschlussträgers. Die Netzstruktur 3 ist in dem gezeigten Ausführungsbeispiel durch erste Netzbahnen 31 und zweite Netzbahnen 32 gebildet, wobei die ersten Netzbahnen 31 jeweils parallel zueinander verlaufen und die zweiten Netzbahnen 32 jeweils parallel zueinander verlaufen. Die ersten Netzbahnen 31 und die zweiten Netzbahnen 32 verlaufen schräg oder senkrecht zueinander, in dem gezeigten Ausführungsbeispiel senkrecht.
Es kann jedoch auch ein anderer Winkel Anwendung finden. Zwischen den Netzbahnen 31, 32 sind Öffnungen 30 gebildet, in denen das Substrat 10 frei von Material für die Kontaktbahn ist.
Der Anschlussträger 1 weist lediglich zur vereinfachten Darstellung nur zwei Kontaktbahnen 2 mit jeweils einer Kontaktfläche 4 auf, wobei die Kontaktflächen 4 für die elektrische Kontaktierung eines Halbleiterbauelements, beispielsweise eines optoelektronischen Halbleiterbauelements ausgebildet sind. Typischerweise weist der Anschlussträger 1 eine Vielzahl solcher Kontaktbahnen 2 auf, wobei die Kontaktbahnen 2 beispielsweise für die elektrische Kontaktierung von 100 oder mehr Halbleiterbauelementen vorgesehen sind.
Die Kontaktbahnen 2 sind durch einen Zwischenraum 5 elektrisch voneinander isoliert. Im Vergleich zu einer konventionell hergestellten Kontaktbahn in Form einer durchgängigen massiven Leiterbahn können die Kontaktbahnen 2 senkrecht zu ihrer Längserstreckungsachse 20 eine vergleichsweise große Querausdehnung in Draufsicht auf den Anschlussträger 1 aufweisen, ohne dass die Kontaktbahnen 2 vom menschlichen Auge wahrgenommen werden können. Die elektrische Kontaktierung über die Kontaktbahnen 2 kann also über eine vergleichsweise große Fläche verteilt werden, so dass sich für das menschliche Auge ein homogener Gesamteindruck ergibt.
Insbesondere können auch die Zwischenräume 5 so schmal ausgebildet werden, dass diese nicht wahrnehmbar sind.
Die Längserstreckungsachse 20 der Kontaktbahn 2 verläuft zumindest stellenweise schräg zu den ersten Netzbahnen 31 und schräg zu den zweiten Netzbahnen 32, beispielsweise in einem Winkel von jeweils 45° zu diesen Netzbahnen 31, 32. Beispielsweise weisen die Netzbahnen 31, 32 eine Breite wl zwischen einschließlich 2 gm und einschließlich 20 gm, zum Beispiel zwischen einschließlich 5 pm und einschließlich 15 pm, auf.
Senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene des Anschlussträgers 1 weisen die Netzbahnen beispielsweise eine Höhe hl zwischen einschließlich 1 mpiund einschließlich 8 mpi, zum Beispiel zwischen einschließlich 2 mpiund einschließlich 4 mpi auf. Ein Aspektverhältnis der Netzbahnen beträgt beispielsweise zwischen einschließlich 0,2 und einschließlich
1,5.
Ein Mittenabstand dl zwischen benachbarten ersten Netzbahnen 31 und/oder zwischen benachbarten zweiten Netzbahnen 32 beträgt beispielsweise zwischen einschließlich 50 mpiund einschließlich 800 mpi.
Die Kontaktflächen 4 sind jeweils flächige elektrisch leitfähige Bereiche mit einer maximalen Ausdehnung entlang zwei zueinander senkrecht verlaufender Richtungen, die jeweils größer ist als die Breite wl einer einzelnen Netzbahn .
Weiterhin können auch die Anschlussflächen 81 im Anschlussbereich 8 durch flächige elektrisch leitfähige Bereiche gebildet sein. Dies kann die externe elektrische Kontaktierbarkeit des Anschlussträgers 1 erleichtern.
Für das Substrat 10 eignet sich beispielsweise ein mechanisch starres Substrat, etwa in Form einer Scheibe oder Platte oder ein mechanisch flexibles Substrat, beispielsweise in Form einer Folie. Das Substrat 10 ist elektrisch isolierend. Beispielsweise ist das Substrat 10 im sichtbaren Spektralbereich transparent. Beispielsweise enthält das Substrat 10 ein Glas oder einen Kunststoff etwa Polyethylen, Polyimid, Polyethylentherephtalat, Polyethylennaphtalat oder Polyacryl . Die Kontaktbahnen 2 sind beispielsweise metallisch ausgebildet. Zum Beispiel enthalten die Kontaktbahnen 2 Kupfer oder ein anderes Metall mit hoher elektrischer Leitfähigkeit. Zur Vermeidung oder zumindest Reduzierung von spekularer Reflexion kann die Kontaktbahn 2 eine reflexionsmindernde Beschichtung 25 aufweisen. Dies ist in der Schnittansicht der Figur IC schematisch dargestellt. Beispielsweise können kupferbasierte Kontaktbahnen durch Molybdän oder Palladium oder Kupfernitrid geschwärzt werden, insbesondere im Bereich der Netzstruktur 3 mit den Netzbahnen 31, 32.
Die in den Figuren 2 und 3 dargestellten Ausführungsbeispiele entsprechen im Wesentlichen dem in Zusammenhang mit den Figuren 1A bis IC beschriebenen Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu weist die Kontaktfläche 4 einen Fortsatz 41 auf. Entlang einer Richtung ist eine maximale Ausdehnung des Fortsatzes 41 größer als der Mittenabstand dl zwischen den Netzbahnen 31, 32. Mit einem solchen Fortsatz 41 kann die Zuverlässigkeit der elektrischen Kontaktierung der Kontaktfläche 4 mit der Netzstruktur 3 der Kontaktbahn 2 gesteigert werden, da ein elektrisch leitender Kontakt zwischen der Kontaktfläche 4 und der Netzstruktur 3 an mehreren Stellen besteht.
Bei dem in Figur 2 dargestellten Ausführungsbeispiel erstreckt sich der Fortsatz 41 an einer Seitenfläche der Kontaktfläche 4 von der Kontaktfläche 4 weg. Der Fortsatz 41 ist an einer Seitenfläche der Kontaktfläche 4 ausgebildet, die von der nächstgelegenen Kontaktfläche 4 einer weiteren Kontaktbahn 2 abgewandt ist. Bei dem in Figur 3 dargestellten Ausführungsbeispiel erstreckt sich der Fortsatz 41 an zwei gegenüberliegenden Seitenflächen der Kontaktfläche 4 über die Kontaktfläche 4 hinaus.
Selbstverständlich kann die Form oder die Anzahl der Fortsätze 41 in weiten Grenzen variiert werden. Ein solcher Fortsatz ist insbesondere zweckmäßig, wenn die Größe der Kontaktfläche 4 zumindest entlang einer Richtung kleiner oder gleich dem Mittenabstand dl der Netzbahnen 31, 32 ist.
Das in Figur 4 dargestellte Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem in Zusammenhang mit den Figuren 1A bis IC beschriebenen Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu weist eine Kontaktbahn 2 an einem gedachten Kreuzungspunkt 29 mit einer weiteren Kontaktbahn 2 eine Unterteilung in zwei Teilbereiche 21 auf. Die Teilbereiche 21 sind über eine elektrisch leitende Brücke 6 miteinander verbunden. In Draufsicht auf den Anschlussträger 1 überlappt die Brücke 6 mit der weiteren Kontaktbahn 2, ist von dieser jedoch mittels eines Isolators 65 elektrisch isoliert. Durch solche mittels additiver Fertigung aufgebrachter Brücken können sich kreuzende Kontaktbahnen 2 mit einer Netzstruktur 3 in nur einer Ebene realisiert werden.
Die Figuren 5A und 5B veranschaulichen den Stromfluss innerhalb der Kontaktbahnen 2.
In Figur 5A ist der Extremfall gezeigt, dass die Kontaktbahnen 2 so schmal sind, dass sich entlang der Längserstreckungsachse 20 der Kontaktbahnen 2 jeweils nur ein durchgängiger Strompfad 27 ergibt, was durch die dargestellte Zickzackkurve veranschaulicht ist. Dies ist zwar grundsätzlich möglich, birgt jedoch die Gefahr eines Ausfalls, wenn die Netzstruktur 3 entlang dieses Strompfads 27 einen Defekt aufweist. Vorzugsweise sind die Kontaktbahnen 2, wie in Figur 5B dargestellt, jeweils so ausgebildet, dass entlang der Kontaktbahnen 2 mittels der Netzstruktur 3 zumindest zwei gesonderte Strompfade 27 innerhalb der jeweiligen Kontaktbahn 2 gebildet sind. Bei einer Unterbrechung eines der Strompfade 27 besteht noch eine elektrisch leitende Verbindung über den anderen Strompfad 27. Vorzugsweise besteht eine solche Redundanz an jeder Stelle entlang der Längserstreckungsachse 20 der Kontaktbahn 2 von der Kontaktfläche 4 zur zugeordneten Anschlussfläche 81.
In Figur 6 ist ein Ausführungsbeispiel für eine optoelektronische Vorrichtung 100 gezeigt, wobei der Anschlussträger 1 wie in Zusammenhang mit den Figuren 1A bis IC beschrieben ausgebildet ist.
Die optoelektronische Vorrichtung 100 weist ein optoelektronisches Halbleiterbauelement 9 auf, wobei das optoelektronische Halbleiterbauelement 9 mit zumindest zwei Kontaktflächen 4 elektrisch leitend verbunden ist. In dem gezeigten Ausführungsbeispiel weist das optoelektronische Halbleiterbauelement 9 elektrische Anschlüsse 91 auf einer dem Anschlussträger 1 zugewandten Seite auf. Beispielsweise ist das optoelektronische Halbleiterbauelement 9 eine Leuchtdiode in Flip Chip-Geometrie. In Draufsicht auf die optoelektronische Vorrichtung 100 überlappt das optoelektronische Halbleiterbauelement 9 mit den zugeordneten Kontaktflächen 4 des Anschlussträgers 1. Die optoelektronische Vorrichtung 100 kann eine Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen, beispielsweise Leuchtdioden oder Detektoren und gegebenenfalls weitere elektronische Komponenten aufweisen, die mit zugeordneten Kontaktflächen 4 des Anschlussträgers 1 elektrisch leitend verbunden sind.
Eine solche optoelektronische Vorrichtung 100 kann beispielsweise auf eine Glasscheibe aufgebracht oder zwischen zwei Glasscheiben eingebettet werden. Die Glasscheibe kann beispielsweise für ein Gebäude oder ein Kraftfahrzeug vorgesehen sein. Ebenso ist eine Platzierung hinter einem transparenten oder teiltransparenten Kunststoffträger denkbar, um diesen zu durchleuchten.
Das in Figur 7 dargestellte Ausführungsbeispiel einer optoelektronischen Vorrichtung entspricht im Wesentlichen der in Zusammenhang mit Figur 6 beschriebenen optoelektronischen Vorrichtung 100. Im Unterschied hierzu weist das optoelektronische Halbleiterbauelement 9 elektrische Anschlüsse 91 auf einer dem Anschlussträger 1 abgewandten Seite auf. Die elektrischen Anschlüsse 91 sind jeweils über einen Kontaktleiter 7 mit den Kontaktflächen 4 elektrisch leitend verbunden. In diesem Fall kann die Kontaktfläche 4 auch durch die Netzstruktur 3 der Kontaktbahn 2 gebildet sein. Bei der Herstellung der optoelektronischen Vorrichtung 100 können die Kontaktleiter 7 durch ein additives Verfahren aufgebracht werden, nachdem die optoelektronischen Halbleiterbauelemente 9 an dem Anschlussträger 1 befestigt sind.
Selbstverständlich sind Halbleiterbauelemente in den in Zusammenhang mit den Figuren 6 und 7 beschriebenen Geometrien und die zugeordnete Art der elektrischen Kontaktierung auch innerhalb einer optoelektronischen Vorrichtung 100 miteinander kombinierbar. Ein Ausführungsbeispiel für ein Verfahren zum Herstellen eines Anschlussträgers ist in den Figuren 8A bis 8D schematisch veranschaulicht. Wie in Figur 8A dargestellt, wird ein Substrat 10 bereitgestellt. Auf dem Substrat 10 wird eine Netzstruktur 3 ausgebildet (Figur 8B). Die Netzstruktur 3 kann sich gleichmäßig über einen Großteil des Substrats 10 oder auch über das gesamte Substrat 10 hinweg erstrecken. Das Material für die Netzstruktur 3 kann beispielsweise durch Sputtern oder Aufdampfen und falls nötig zusätzlich durch galvanisches Verstärken auf das Substrat 10 aufgebracht werden.
Nachfolgend werden Kontaktbahnen 2 ausgebildet, die zumindest stellenweise die Netzstruktur 3 aufweisen. Hierfür kann die Netzstruktur 3 stellenweise entfernt werden, sodass zwischen den Kontaktbahnen 2 Zwischenräume 5 bestehen. Dies kann beispielsweise durch Laserablation oder durch einen chemischen Materialabtrag erfolgen.
Wie in Figur 8D dargestellt, werden Kontaktflächen 4 auf dem Substrat 10 ausgebildet. Die Kontaktflächen 4 überlappen jeweils mit der Netzstruktur der zugehörigen Kontaktbahn 2. Selbstverständlich können die Kontaktflächen 4 auch ausgebildet werden, bevor die Strukturierung in Kontaktbahnen 2 erfolgt. Bei diesem Ausführungsbeispiel wird die Netzstruktur 3 zunächst weitgehend unabhängig von der herzustellenden Form der Kontaktbahnen 2 ausgebildet, bevor eine Strukturierung in Kontaktbahnen 2 erfolgt. Davon abweichend kann die Netzstruktur 3 bereits in strukturierter Form für die Kontaktbahnen 2 ausgebildet werden. In diesem Fall kann die Netzstruktur 3 auch spezifisch an die Form der herzustellenden Kontaktbahnen angepasst werden. Das in Figur 9A dargestellte Ausführungsbeispiel zeigt ein Anschlussträger 1 mit einer Netzstruktur 3. Der Anschlussträger 1 weist auf der Netzstruktur 3 Halbleiterbauelemente 9 auf (in Figur 9A nicht dargestellt). Die Netzstruktur 3 weist einen peripheren Bereich 33 auf. In dem peripheren Bereich 33 der Netzstruktur 3 und in Richtung weg vom Zentrum der Netzstruktur 3 ist der Mittenabstand (dl) zwischen benachbarten ersten Netzbahnen 31 und der Mittenabstand (dl) zwischen benachbarten zweiten Netzbahnen 32 konstant, wobei die Breite (wl) von den Netzbahnen 31 und 32 graduell verringert wird. Dabei zeigt der periphere Bereich 33 fortlaufend dünnere Netzbahnen 31 und 32 in Richtung weg von der Mitte der Netzstruktur 3.
Das in Figur 9B dargestellte Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem in Figur 9A gezeigten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu ist, in dem peripheren Bereich 33 und in Richtung weg vom Zentrum der Netzstruktur 3, der Mittenabstand (dl) zwischen benachbarten ersten Netzbahnen 31 und der Mittenabstand (dl) zwischen benachbarten zweiten Netzbahnen 32 graduell erhört. Dabei zeigt der peripheren Bereich 33 der Netzstruktur 3 eine verlaufend geringere Dichte von den Netzbahnen 31 und 32 und fortlaufend dünnere Netzbahnen 31 und 32 in Richtung weg von der Mitte der Netzstruktur 3. Der Anschlussträger 1 in Figur 9B weist auf der Netzstruktur 3 Halbleiterbauelemente 9 auf (in Figur 9B nicht dargestellt).
Alternativ kann die Breite (wl) von den Netzbahnen 31 und 32 konstant sein, wobei in dem peripheren Bereich 33 und in Richtung weg vom Zentrum der Netzstruktur 3, der Mittenabstand (dl) zwischen benachbarten ersten Netzbahnen 31 und der Mittenabstand (dl) zwischen benachbarten zweiten Netzbahnen 32 graduell erhört werden.
Wie in den beiden Figuren 9A und 9B dargestellt, geht der Bereich mit der Netzstruktur 3 über den peripheren Bereich 33 in den Bereich ohne Netzstruktur vorteilhafterweise kontinuierlich über. Dadurch ist kein harter Kontrast durch das menschliche Auge wahrnehmbar und die Netzstruktur wirkt transparenter und weniger wie ein Fremdkörper auf dem Anschlussträger 1.
Das in Figur 10A dargestellte Ausführungsbeispiel weist einen Anschlussträger 1 mit einer Netzstruktur 3 auf. Die Netzstruktur 3 ist dabei mittels Zwischenräumen 5 in mehrere Kontaktbahnen 2 strukturiert. Die Halbleiterbauelemente 9 sind mittels zwei Kontaktbahnen 2 elektrisch kontaktiert. Ferner bilden drei Kontaktflächen 2 jeweils eine erste 22, eine zweite 23 und eine dritte 24 Elektrode, die für eine kapazitive taktile Sensor-Funktion genutzt werden kann. Der Anschlussträger 1 weist Anschlussflächen 81 für die jeweiligen Kontaktflächen 2 auf (in Figur 10A nicht dargestellt) .
Die Kontaktbahnen 2, die die elektrische Kontaktierung der Halbleiterbauelemente 9 bereitstellen, und die erste 22, zweite 23 und dritte 23 Elektrode sind auf derselben Oberfläche des Anschlussträgers 1 bzw. des Substrats 10 angeordnet. Die erste Elektrode 22 ist dabei durch eine kreisförmige Fläche gebildet. Die zwei Kontaktflächen 2, die die elektrische Kontaktierung der Halbleiterbauelemente 9 bereitstellen, sind ferner um die erste Elektrode 22 angeordnet. Dabei ist die erste Elektrode 22 und die beiden Kontaktflächen 2, die die elektrische Kontaktierung des Halbleiterbauelements 9 bereitstellen, durch Zwischenräumen 5 elektrisch voneinander getrennt. Die Kontaktflächen 2, die die elektrische Kontaktierung der Halbleiterbauelemente 9 bereitstellen, sind jeweils durch eine ringförmige Fläche und zwei zuleitenden Flächen der Netzstruktur 3 gebildet. Dadurch ist eine durchlaufende Kontaktfläche 2 gebildet. Die beide zuleitenden Flächen verlaufen dabei gerade und parallel zu einander auf die ringförmige Fläche hinzu.
Um die erste Elektrode 22 und den beiden Kontaktaktflächen 2 herum, die die elektrische Kontaktierung der Halbleiterbauelemente 9 bereitstellen, sind zwei weitere Kontaktflächen 2 angeordnet, wobei eine Kontaktfläche 2 eine zweite Elektrode 23 und eine Kontaktfläche 2 eine dritte Elektrode 24 bildet. Dabei bildet die zweite Elektrode 23 und die dritte Elektrode 24 zusammen ein Viereck um die erste Elektrode 22 und den beiden Kontaktflächen 2, die die elektrische Kontaktierung der Halbleiterbauelemente 9 bereitstellen . Die zweite 23 und dritte Elektrode 24 sind dabei an der den zuleitenden Flächen gegenüberliegenden Seite von den beiden Kontaktflächen 2, die die elektrische Kontaktierung des Halbleiterbauelements bereitstellt, voneinander durch einem Zwischenraum 5 elektrisch isoliert. Der Zwischenraum 5, der die zweite Elektrode 23 von der dritte Elektrode 24 trennt, verläuft dabei gerade und senkrecht auf den beiden ringförmigen Flächen von den Kontaktflächen 2, die die elektrische Kontaktierung der Halbleiterbauelemente 9 bereitstellen. Die nebengeordnete erste Elektrode 22, die zweite Elektrode 23 und die dritte Elektrode 24 können dabei vorteilhaft für eine kapazitive taktile Sensor-Funktion genutzt werden. Beispielsweise könnte das in Figur 10A dargestellte Ausführungsbeispiel als ein Knopf oder eine Sensorfläche ausgebildet sein. Das in Figur 10B dargestellte Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem in Zusammenhang mit der Figur 10A beschriebene Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu weist der Anschlussträger 1 zwei Kontaktflächen 2 auf, die eine erste Elektrode 22 und eine zweite Elektrode 23 bilden. Dabei ist die erste Elektrode 22 kreisförmig ausgebildet. Ferner ist die zweite Elektrode 23 um die erste Elektrode 22 und den beiden Kontaktaktflächen 2 angeordnet, die die elektrische Kontaktierung der Halbleiterbauelemente 9 bereitstellen. Die zweite Elektrode 23 bildet dabei eine viereckige Fläche, die von der ersten Elektrode 22 und den beiden Kontaktflächen 2, die die elektrische Kontaktierung der Halbleiterbauelemente 9 bereitstellen, unterbrochen ist.
Zur vereinfachten Darstellung zeigt die Kontaktflächen 2 des Anschlussträgers 1 in Figur 10B keine Anschlussflächen 81, Fortsätze 41 oder Kontaktflächen 4.
Die erste Elektrode 22 und die nebengeordnete zweite Elektrode 23 kann vorteilhaft für eine kapazitive taktile Sensor-Funktion genutzt werden. Beispielsweise könnte das in Figur 10B dargestellte Ausführungsbeispiel als ein Knopf oder eine Sensorfläche ausgebildet sein.
Das in Figur 11A dargestellte Ausführungsbeispiel weist einen Anschlussträger 1 mit einer Netzstruktur 3 auf. Die Netzstruktur 3 ist dabei in mehrere parallel angeordneten Kontaktbahnen 2 strukturiert. Zwischen jede nebengeordnete Kontaktbahn 2 ist ein Zwischenraum 5 eingeordnet, der die benachbarten Kontaktbahnen 2 voneinander elektrisch isoliert. Insbesondere stellen zwei Kontaktbahnen 2 eine elektrische Kontaktierung des Halbleiterbauelements 9 bereit. Das Halbleiterbauelement 9 ist dabei auf den zwei Kontaktbahnen 2, die die elektrische Kontaktierung bereitstellen, angeordnet. Zur vereinfachten Darstellung weisen die beide Kontaktbahnen 2 in Figur 11A, die die elektrische Kontaktierung des Halbleiterbauelements 9 bereitstellen, keine Kontaktflächen 4 auf.
Neben den beiden Kontaktbahnen 2, die die elektrische Kontaktierung des Halbleiterbauelements 9 bereitstellen, sind weitere Kontaktbahnen 2 auf dem Anschlussträger 1 angeordnet. Dabei bildet zumindest eine weitere Kontaktbahn 2 eine elektrische Leitung auf dem Anschlussträger 1. Das in Figur 11A dargestellte Ausführungsbeispiel weist ferner neben den beiden Kontaktbahnen 2, die die elektrische Kontaktierung des Halbleiterbauelements 9 bereitstellen, mehrere parallel angeordnete Kontaktbahnen 2 auf, die im Verbund eine erste Elektrode 22 und eine zweite Elektrode 23 bilden. Die beiden Kontaktbahnen 2, die die elektrische Kontaktierung des Halbleiterbauelements 9 bereitstellen, sind dabei zwischen der ersten Elektrode und zweite Elektrode 23 angeordnet. Die erste Elektrode 22 und die zweite Elektrode 23 können dabei vorteilhaft für eine kapazitive taktile Sensor-Funktion genutzt werden.
Zur vereinfachten Darstellung zeigt Figur 11A die Kontaktbahnen 2 ohne Anschlussflächen 81. Dabei weist die Kontaktbahn 2, die die elektrische Kontaktierung des Halbleiterbauelements 9 bereitstellen, wie in Figur 1A dargestellt genau eine Anschlussfläche 81 auf.
Die Kontaktbahnen 2, die eine kapazitive taktile Sensor- Funktion bereitstellen, können dabei zumindest zwei Anschlussflächen 81 aufweisen. Insbesondere weist jede Kontaktbahn 2, die eine kapazitive taktile Sensor-Funktion bereitstellt, genau zwei Anschlussflächen 81 auf. Dabei kontaktiert eine erste Anschlussfläche 81 der Kontaktbahn 2 an einen ersten Anschluss 91 und eine zweite Anschlussfläche 81 der Kontaktbahn 2 an einen zweiten Anschluss 91, wobei der erste und zweite Anschluss 91 möglichst weit weg voneinander auf einer Längserstreckungsachse 20 der Kontaktbahn 2 angeordnet sind. Alternativ oder zusätzlich dazu kann die Kontaktbahn 2, die eine kapazitive taktile Sensor-Funktion bereitstellt, an vier Anschlüsse 91 von vier Anschlussflächen 81 elektrisch kontaktiert sein. Beispielsweise können die vier Anschlussflächen 81 eine Kontaktbahn 2 an vier Ecken oder vier Seiten anschließen.
Das in Figur 11B dargestellte Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem in Zusammenhang mit dem Figur 11A beschriebene Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu weist der Anschlussträger 1 eine erste Netzstruktur 3 auf einer ersten Seite und eine zweite Netzstruktur 3 auf einer zweiten Seite des Anschlussträgers 1 auf. Die erste und zweite Netzstruktur 3 sind dabei in mehrere parallel ausgerichtete Kontaktbahnen 2 strukturiert. Die Kontaktbahnen 2 auf der ersten Seite sind senkrecht ausgerichtet zu den Kontaktbahnen 2 auf der zweiten Seite des Anschlussträgers 1. Die erste Seite des Anschlussträges 1 liegt gegenüber der zweiten Seite des Anschlussträgers 1. Insbesondere bilden dabei mehrere parallel angeordneten Kontaktbahnen 2 auf die erste Seite eine erste Elektrode 22 und eine weitere erste Elektrode 22. Die erste Elektrode 22 und die weitere erste Elektrode 22 sind auf der gleichen Seite und in der gleiche Ebene auf der Anschlussträgers 1 angeordnet. Ferner sind die Kontaktbahnen 2, die die elektrische Kontaktierung des
Halbleiterbauelements 9 bereitstellen, zwischen die erste Elektrode 22 und die weitere erste Elektrode 22 auf der Anschlussträger 1 angeordnet. Die Kontaktbahnen 2 auf der zweiten Seite des Anschlussträgers 1 bilden dabei im Verbund eine zweite Elektrode 23. Die Kontaktbahnen 2 der zweite Elektrode 23 sind dabei senkrecht zu den Kontaktbahnen 2 zu den beiden ersten Elektroden 22 ausgerichtet. Das in Figur 11B dargestellte Ausführungsbeispiel zeigt wie im Figur 11A nur Halbleiterbauelemente 9 auf einer ersten Seite des Anschlussträgers 1. Alternative kann auch die zweite Seite Halbleiterbauelemente 9 aufweisen. Das in Figur 11C dargestellte Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem in Zusammenhang mit dem Figur 11B beschriebene Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu weist der Anschlussträger 1 auf seiner zweiten Seite zwei Kontaktbahnen 2 auf, die ein weiteres Halbleiterbauelement 9 elektrisch kontaktieren. Insbesondere weist der Anschlussträger 1 bzw. das Substrat 10 dabei auf den zwei gegenüberliegenden Seiten des Anschlussträgers 1 Halbleiterbauelemente 9 auf.
Die Kontaktbahnen 2, die eine kapazitive taktile Sensor- Funktion bereitstellen, sind auf der ersten Seite des Anschlussträgers 1 senkrecht ausgerichtet zu den Kontaktbahnen 2 auf der zweiten Seite des Anschlussträgers 1. Insbesondere bilden dabei mehrere parallel angeordnete Kontaktbahnen 2 auf der ersten Seite eine erste Elektrode 22 und eine weitere erste Elektrode 22. Mehrere parallel angeordnete Kontaktbahnen 2 auf der zweiten Seite bilden eine zweite Elektrode 23 und eine weitere zweite Elektrode 23. Die erste Elektrode 22 und die weitere erste Elektrode 22 sind dabei auf der gleichen Seite und in der gleichen Ebene auf des Anschlussträgers 1 angeordnet. Die zweite Elektrode 23 und die weitere zweite Elektrode 23 sind auf einer zweiten Seite in der gleichen Ebene des Anschlussträgers 1 angeordnet. Dabei sind die Kontaktbahnen 2, die eine elektrische Kontaktierung des Halbleiterbauelements 9 auf die erste Seite bereitstellen, zwischen der erste Elektrode 22 und der weiteren erste Elektrode 22 angeordnet. Ebenso sind die Kontaktbahnen 2, die eine elektrische Kontaktierung des Halbleiterbauelements 9 auf der zweiten Seite bereitstellen, zwischen der zweiten Elektrode 23 und der weitere zweiten Elektrode 23 angeordnet. Die Kontaktbahnen 2 der beiden ersten Elektroden 22 sind dabei senkrecht zu und direkt über den Kontaktbahnen 2 der beiden zweiten Elektroden 23 angeordnet .
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder den Ausführungsbeispielen angegeben ist.
Bezugszeichenliste
1 Anschlussträger
10 Substrat
100 optoelektronische Vorrichtung
2 Kontaktbahn
20 Längserstreckungsachse
21 Teilbereich
22 erste Elektrode
23 zweite Elektrode
24 dritte Elektrode
25 reflexionsmindernde Beschichtung
27 Strompfad
29 gedachter Kreuzungspunkt
3 Netzstruktur
30 Öffnung
31 erste Netzbahnen
32 zweite Netzbahnen
33 peripheren Bereich
4 Kontaktfläche
41 Fortsatz
5 Zwischenraum
6 Brücke
65 Isolator
7 Kontaktleiter
8 Anschlussbereich
81 Anschlussfläche
9 Halbleiterbauelement
91 Anschluss dl Mittenabstand wl Breite hl Höhe

Claims

Patentansprüche
1. Anschlussträger (1) mit zumindest einer Kontaktbahn (2), die mit einer Kontaktfläche (4) für eine elektrische Kontaktierung eines Halbleiterbauelements (9) elektrisch leitend verbunden ist, wobei die Kontaktbahn (2) zumindest stellenweise eine Netzstruktur (3) mit einer Mehrzahl von Netzbahnen (31, 32) aufweist.
2. Anschlussträger nach Anspruch 1, wobei die Netzbahnen (31, 32) eine Breite (wl) zwischen einschließlich 2 gm und einschließlich 20 gm aufweisen.
3. Anschlussträger nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Netzbahnen (31, 32) eine Höhe (hl) zwischen einschließlich 1 pm und einschließlich 8 pm aufweisen.
4. Anschlussträger nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Netzstruktur (3) zumindest stellenweise durch parallel zueinander verlaufende erste Netzbahnen (31) und parallel zueinander verlaufende zweite Netzbahnen (32) gebildet ist, wobei die ersten Netzbahnen (31) und die zweiten Netzbahnen (32) schräg oder senkrecht zueinander verlaufen.
5. Anschlussträger nach Anspruch 4, wobei eine Längserstreckungsachse (20) der Kontaktbahn (2) zumindest stellenweise schräg zu den ersten Netzbahnen (31) und schräg zu den zweiten Netzbahnen verläuft (32).
6. Anschlussträger nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei in einem peripheren Bereich (33) der Netzstruktur (3) und in Richtung weg vom Zentrum der Netzstruktur (3) ein Mittenabstand (dl) zwischen benachbarten ersten Netzbahnen (31) und/oder zwischen benachbarten zweiten Netzbahnen (32) graduell erhört ist und/oder die Breite (wl) von den Netzbahnen (31,32) graduell verringert ist.
7. Anschlussträger nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Kontaktfläche (4) ein flächiger elektrisch leitfähiger Bereich ist.
8. Anschlussträger nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Kontaktfläche (4) mit mindestens zwei Netzbahnen (31, 32) der Netzstruktur (3) überlappt.
9. Anschlussträger nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Kontaktfläche (4) einen Fortsatz (41) aufweist, der sich von der Kontaktfläche (4) weg erstreckt.
10. Anschlussträger nach Anspruch 9, wobei eine Länge des Fortsatzes (41) mindestens so groß wie ein Abstand zwischen den ersten Netzbahnen (31) und/oder ein Abstand zwischen den zweiten Netzbahnen (32) ist.
11. Anschlussträger nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Netzstruktur (3) entlang der Kontaktbahn (2) zumindest zwei gesonderte Strompfade (27) innerhalb der Kontaktbahn (2) bildet.
12. Anschlussträger nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Kontaktbahn (2) zumindest stellenweise eine reflexionsmindernde Beschichtung (25) aufweist, die insbesondere Palladium oder Molybdän oder Kupfernitrid enthält .
10. Anschlussträger nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei die Kontaktbahn (2) an einem gedachten Kreuzungspunkt (29) mit einer weiteren Kontaktbahn (2) in zwei Teilbereiche (21) unterteilt ist, wobei die Teilbereiche (21) über eine elektrisch leitfähige Brücke (6), die von der weiteren Kontaktbahn (2) elektrisch isoliert ist, miteinander verbunden sind.
13. Anschlussträger nach einem der vorherigen Ansprüche, wobei zumindest eine Kontaktbahn (2) eine elektrische Kontaktierung des Halbleiterbauelements (9) bereitstellt und/oder wobei zumindest eine Kontaktbahn (2) eine kapazitive taktile Sensor-Funktion bereitstellt, wobei die zumindest eine Kontaktbahn (2), die die kapazitive taktile Sensor- Funktion bereitstellt, für die Steuerung des Halbleiterbauelements (9) eingesetzt ist.
14. Anschlussträger nach Anspruch 13, wobei zumindest eine Kontaktbahn (2) auf einer ersten Seite und/oder auf einer der ersten Seite abgewandten zweiten Seite des Anschlussträgers angeordnet ist.
15. Optoelektronische Vorrichtung (100) mit einem Anschlussträger (1) nach einem der vorherigen Ansprüche und mit einem optoelektronischen Halbleiterbauelement (9), wobei das optoelektronische Halbleiterbauelement (9) mit zumindest zwei Kontaktflächen (4) elektrisch leitend verbunden ist.
16. Optoelektronische Vorrichtung nach Anspruch 15, wobei elektrische Anschlüsse (91) des optoelektronischen Halbleiterbauelements (9) auf einer dem Anschlussträger (1) zugewandten Seite angeordnet sind.
17. Optoelektronische Vorrichtung nach Anspruch 15, wobei zumindest ein elektrischer Anschluss (91) des optoelektronischen Halbleiterbauelements (9) auf einer dem Anschlussträger (1) abgewandten Seite angeordnet über einen Kontaktleiter (7) mit den Kontaktflächen (4) elektrisch leitend verbunden ist.
18. Verfahren zum Herstellen eines Anschlussträgers (1) mit Kontaktbahnen (2) mit den Schritten: a) Bereitstellen eines Substrats (10); und b) Ausbilden von Kontaktbahnen (2), die zumindest stellenweise eine Netzstruktur (3) aufweisen, auf dem Substrat (10).
19. Verfahren nach Anspruch 18, wobei vor Schritt b) eine durchgängige Netzstruktur (3) auf dem Substrat (10) angeordnet ist und die Netzstruktur (3) in Schritt b) in die Kontaktbahnen (2) strukturiert wird.
20. Verfahren nach Anspruch 18, wobei die Netzstruktur (3) und die Kontaktbahnen (2) in einem gemeinsamen Verfahrensschritt ausgebildet werden.
21. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 20, wobei Kontaktflächen (4) ausgebildet werden, die jeweils mit einer Kontaktbahn (2) elektrisch leitend verbunden sind.
22. Verfahren nach einem der Ansprüche 18 bis 21, mit dem ein Anschlussträger (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 10 hergestellt wird.
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