CN116714121A - 晶圆上料方法、晶圆加工方法及晶圆加工设备 - Google Patents

Abstract

本发明揭示了晶圆上料方法、晶圆加工方法及晶圆加工设备，其中晶圆上料方法通过检测装置来确定待加工晶圆的晶圆主体是否贴偏，并在确定待加工晶圆的晶圆主体贴偏时，根据晶圆主体的圆心偏差来调节待加工晶圆在预对准机构上的位置以及调节工作台的位置，从而使晶圆主体与工作台处于同心状态，这样能够有效避免晶圆主体贴偏时，通过对中机构调整容易对晶圆主体造成伤害以及无法保证晶圆主体与工作台处于同心状态的问题，同时，这种方法能够有效地省去通过对中机构调整的过程，简化了作业流程，效率更高，并且可以省去对中机构，有利于简化结构。

Description

晶圆上料方法、晶圆加工方法及晶圆加工设备

技术领域

本发明涉及半导体器件加工领域，尤其是晶圆上料方法、晶圆加工方法及晶圆加工设备。

背景技术

在太鼓晶圆环切加工时，可以采用授权公告号为CN114582713B的中国发明专利所揭示的结构和方法，所述发明专利中是通过供料机构供料，并通过移料机构将待加工晶圆移动到预对准机构上的固定位置，然后再通过移料机构将预对准机构上的晶圆吸附并下移到处于标准接料位置的工作台上，后续通过对中机构来将待加工晶圆调整到与工作台同心的位置。

这种方法对于晶圆主体和晶圆外框同心的标准晶圆来说是可行的。

但是，在实际加工时，太鼓晶圆的晶圆主体在膜上存在贴偏的情况或膜贴在晶圆外框上存在贴偏的情况，此时，晶圆主体与晶圆外框将不再保持同心状态，如果按照上述方法进行上料，在通过对中机构进行工作台上的太鼓晶圆调整时，存在使晶圆主体损坏的风险，并且很难保证对中机构将晶圆主体调整到与工作台同心的状态；同时，这种加工方法需要通过对中机构来调整待加工晶圆在工作台上的位置，增加了作业流程且设备结构也更复杂。

发明内容

本发明的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题，提供一种晶圆上料方法、晶圆加工方法及晶圆加工设备。

本发明的目的通过以下技术方案来实现：

晶圆上料方法，在通过移料机构将待加工晶圆从供料机构的料盒移动到预对准机构上时，根据检测装置的信号确定所述待加工晶圆的晶圆主体是否贴偏，在确定待加工晶圆的晶圆主体贴偏时，确定所述晶圆主体的圆心偏差，根据所述晶圆主体的圆心偏差确定所述待加工晶圆在预对准机构上应移动到第一位置和确定所述工作台应移动到的第二位置，定义所述待加工晶圆在所述预对准机构上的移动方向为第一水平方向，定义所述工作台的移动方向为第二水平方向，所述第一水平方向垂直于第二水平方向；

通过所述移料机构将所述待加工晶圆沿第一水平方向移动到所述第一位置，使所述工作台沿第二水平方向移动到所述第二位置以使所述晶圆主体与所述工作台同心；

通过所述移料机构将处于第一位置的待加工晶圆吸附，使所述预对准机构的两个支撑杆移动到所述待加工晶圆的两侧外，所述移料机构将其吸附的待加工晶圆直线下移并放置于处于第二位置的工作台上。

优选的，所述检测装置是设置在所述料盒的出料口外侧且向下测距的一排等间距分布的测距传感器或一测高光幕，一排所述测距传感器沿第二水平方向排布；所述测高光幕沿第二水平方向延伸。

优选的，在确定晶圆主体未贴偏时，所述移料机构将所述待加工晶圆移动到其在预对准机构上应移动到的基准位置以及使所述工作台移动到标准接料位置，在标准接料位置时，所述工作台的台面中心到所述预对准机构的两个支撑杆的距离相同；在基准位置时，所述待加工晶圆的晶圆外框与所述工作台同心。

优选的，所述晶圆主体的圆心偏差包括所述晶圆主体的圆心在第一水平方向上的第一距离偏差和所述晶圆主体的圆心在第二水平方向上的第二距离偏差。

优选的，所述第一距离偏差按照如下过程确定：

获取第一弦心距，所述第一弦心距是根据第一宽度和晶圆主体的半径确定，所述第一宽度是标准晶圆以第一速度匀速移动经过所述检测装置时，检测装置在T时测得的标准晶圆的晶圆主体的宽度；

使待加工晶圆以第一速度匀速移动经过所述检测装置，确定所述检测装置在T时测得的待加工晶圆的晶圆主体的第二宽度；根据所述第二宽度和晶圆主体的半径确定第二弦心距；

根据所述第一弦心距和第二弦心距确定所述晶圆主体的圆心在第一水平方向上的第一距离偏差。

优选的，所述第一位置是根据标准晶圆在预对准机构上应移动到的基准位置与所述晶圆主体的圆心在第一水平方向上的第一距离偏差来确定，处于基准位置的标准晶圆与处于标准接料位置的所述工作台处于共轴状态，所述标准接料位置满足，所述工作台的台面中心到所述预对准机构的两个支撑杆的距离相同；

所述第二位置是根据工作台应移动到的标准接料位置与所述晶圆主体的圆心在第二水平方向上的第二距离偏差来确定。

优选的，通过比较检测装置开始检测到待加工晶圆和标准晶圆的晶圆主体的时间来确定待加工晶圆的晶圆主体在第一水平方向的偏移方向；

通过比较检测装置检测到所述待加工晶圆和标准晶圆的晶圆主体的检测点的位置来确定待加工晶圆的晶圆主体在第二水平方向的偏移方向；

并根据确定的待加工晶圆的晶圆主体在第一水平方向的偏移方向确定所述第一位置和根据确定的待加工晶圆的晶圆主体在第二水平方向的偏移方向确定所述第二位置。

晶圆加工方法，包括如上任一所述的晶圆上料方法。

优选的，在待加工晶圆固定在工作台上后，使所述工作台移动到加工机构处进行加工。

晶圆加工设备，包括供料机构、预对准机构、移料机构、工作台及控制装置，所述供料机构的料盒的出料口外侧设置有用于确定进入到预对准机构上的待加工晶圆的晶圆主体是否贴偏以及在确定所述晶圆主体贴偏时，确定所述晶圆主体的圆心偏差的检测装置，所述检测装置连接控制装置。

本发明技术方案的优点主要体现在：

本发明的方法通过检测装置来确定待加工晶圆的晶圆主体是否贴偏，并在确定待加工晶圆的晶圆主体贴偏时，根据晶圆主体的圆心偏差来调节待加工晶圆在预对准机构上的位置以及调节工作台的位置，从而使晶圆主体与工作台处于同心状态，这样能够有效避免晶圆主体贴偏时，通过对中机构调整容易对晶圆主体造成伤害以及无法保证晶圆主体与工作台处于同心状态的问题，同时，这种方法能够有效地省去通过对中机构调整的过程，简化了作业流程，效率更高，并且可以省去对中机构，有利于简化结构。

本发明通过测高光幕或一排等间距分布的测距传感器来进行晶圆主体是否贴偏的检测，结构简单，易于实现，同时，没有复杂的数据处理和计算过程，数据处理效率高。

本发明通过第一弦心距和第二弦心距来确定第一距离偏差，这种方法受设备因素影响更小，准确性更高，且计算简单，易于实现。

附图说明

图1是标准晶圆上料时的过程及结构示意图；

图2是本发明中通过检测装置对标准晶圆进行检测的示意图；

图3是本发明中通过检测装置对晶圆主体贴偏的待加工晶圆进行检测的示意图；

图4是本发明中标准晶圆的俯视图；

图5是本发明中待加工晶圆的晶圆主体贴偏的俯视图；

图6是晶圆主体贴偏的待加工晶圆上料至第一位置和工作台移动至第二位置的俯视图；

图7是本发明确定第一距离偏差的过程所对应的原理示意图。

具体实施方式

本发明的目的、优点和特点，将通过下面优选实施例的非限制性说明进行图示和解释。这些实施例仅是应用本发明技术方案的典型范例，凡采取等同替换或者等效变换而形成的技术方案，均落在本发明要求保护的范围之内。

在方案的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

下面结合附图对本发明揭示的晶圆上料方法进行阐述，所述晶圆上料方法基于一晶圆加工设备,如附图1所示，所述晶圆加工设备至少包括供料机构（图中未示出）、预对准机构300、移料机构（图中未示出）、工作台700及控制装置（图中未示出），所述供料机构、预对准机构300、移料机构、工作台700的具体结构可以采用背景技术中所记载的现有专利所揭示的结构，此处不作赘述，所述晶圆加工设备还可以包括现有专利所揭示的其他结构，此处不作赘述。

本发明中，定义所述待加工晶圆101在所述预对准机构300上的移动方向为第一水平方向X，定义所述工作台700的移动方向为第二水平方向Y，所述第一水平方向X垂直于第二水平方向Y。

如附图1-附图3所示，区别于现有技术，本发明在所述供料机构的料盒的出料口外侧设置检测装置500，所述检测装置500可以是设置在所述料盒的出料口外侧且向下测距的一排等间距分布的测距传感器或一测高光幕，一排所述测距传感器沿第二水平方向Y排布到所述料盒的两侧，所述测高光幕沿第二水平方向Y延伸到所述料盒的两侧。

所述检测装置500位于所述预对准机构300的上方。当所述检测装置500是一排等间距分布的测距传感器时，每个测距传感器即为一个检测点，所述测距传感器的数量及相邻测距传感器之间的间距可以根据要实现的检测精度来设计，此处不作限定。所述测高光幕的具体结构为已知技术，其包括一排等间距分布的检测点，同样的，所述测高光幕的检测点的数量和相邻检测点的间距可以根据要实现的检测精度来设计，此处不作限定。

如附图2、附图3所示，待加工晶圆101和标准晶圆100的晶圆主体102的顶面高于晶圆外框103的顶面，所以所述检测装置的不同检测点能够检测到待加工晶圆的不同位置，即根据不同检测点测得的高度可以确定每个检测点检测到的是晶圆主体还是晶圆外框。

所述检测装置500连接控制装置，控制装置根据所述检测装置500的信号来确定待加工晶圆101的晶圆主体102是否贴偏。如附图2、附图4所示，待加工晶圆101的晶圆主体102可能是未贴偏的（晶圆主体与晶圆外框是共轴的）；或者，待加工晶圆101的晶圆主体102可能仅在第一水平方向X上贴偏；或者，如附图3所示，待加工晶圆101的晶圆主体102仅在第二水平方向Y上贴偏；或者，如附图5所示，待加工晶圆101的晶圆主体102在第一水平方向X和第二水平方向Y上均贴偏。

如附图2、附图4所示，当待加工晶圆101是标准晶圆100时，待加工晶圆101经过所述检测装置500时，测得的晶圆主体102与晶圆外框103在第二水平方向Y上的第一距离L1和第二距离L2相等；同时，晶圆主体102与晶圆外框103在第一水平方向X上的第三距离L3和第四距离L4相等。

如附图5所示，当确定所述第一距离L1和第二距离L2不同时，则可以确定待加工晶圆的晶圆主体102在第二水平方向Y上贴偏；在确定第一距离L1时，可以根据检测到晶圆主体102的左端点的检测点和检测到晶圆外框103的内圆的左端点的检测点之间的距离来确定；在确定第二距离L2时，可以根据检测到晶圆主体102的右端点的检测点和检测到晶圆外框103的内圆的右端点的检测点之间的距离来确定。当然，在其他实施例中，也可以确定同一时间点，检测装置500检测到标准晶圆100和待加工晶圆101的晶圆主体102的检测点的位置是否相同来确定晶圆主体是否贴偏，当同一时间点，检测装置500检测到标准晶圆100和待加工晶圆101的晶圆主体102的检测点的位置相同时，则待加工晶圆101的晶圆主体102在第二水平方向Y上未贴偏；反之，则待加工晶圆101的晶圆主体102在第二水平方向Y上贴偏。

如附图5所示，当确定所述第三距离L3和第四距离L4不同时，则可以确定待加工晶圆的晶圆主体102在第一水平方向X上贴偏；在确定所述第三距离L3时，可以通过计算待加工晶圆101在检测装置500检测到晶圆主体102的前端点和晶圆外框103的内圆的前端点的时间差期间的移动距离来确定；在确定所述第四距离L4，可以通过计算待加工晶圆101在检测装置500检测到晶圆主体102的后端点和晶圆外框103的内圆的后端点的时间差期间的移动距离来确定。

当然，在另外的实施例中，也可以在相同晶圆移动速度条件下，比较检测装置500开始检测到标准晶圆100和待加工晶圆101的晶圆主体102的时间来确定待加工晶圆101的晶圆主体102在第一水平方向X上是否贴偏，即如果检测装置500开始检测到标准晶圆100和待加工晶圆101的晶圆主体102的时间相同，则表明待加工晶圆101的晶圆主体102在第一水平方向X上未贴偏，反之，则表明待加工晶圆101的晶圆主体102在第一水平方向X上贴偏。

后续可以根据待加工晶圆的晶圆主体102的贴偏情况来对待加工晶圆要移动到的位置和工作台要移动到的位置进行调整，以使待加工晶圆的晶圆主体与工作台保持共轴状态。

具体的，本发明的晶圆上料方法在通过移料机构将待加工晶圆101从供料机构的料盒移动到预对准机构300上时，根据检测装置500的信号确定所述待加工晶圆101的晶圆主体102是否贴偏。

在确定晶圆主体102未贴偏（标准晶圆100）时，如附图1所示，则使待加工晶圆101移动到基准位置以及使工作台700移动到标准接料位置。处于基准位置的标准晶圆100与处于标准接料位置的所述工作台700保持共轴状态，所述工作台700在所述标准接料位置时，所述工作台700的台面中心到所述预对准机构的两个支撑杆的距离相同。

在确定待加工晶圆101的晶圆主体102贴偏时，确定所述晶圆主体102的圆心偏差，并根据所述晶圆主体102的圆心偏差确定所述待加工晶圆101在预对准机构300上应移动到第一位置和确定所述工作台700应移动到的第二位置。

通过所述移料机构使所述待加工晶圆101沿第一水平方向X移动到第一位置，使所述工作台700沿第二水平方向Y移动到第二位置以使所述晶圆主体102与所述工作台700同心，如附图6所示。

通过所述移料机构将处于第一位置的待加工晶圆101吸附，使所述预对准机构300的两个支撑杆移动到所述待加工晶圆101的两侧外，所述移料机构将其吸附的待加工晶圆101直线下移并放置于处于第二位置的工作台700上。

如附图5所示，所述晶圆主体102的圆心偏差包括所述待加工晶圆的晶圆主体102的圆心O1在第一水平方向X上的第一距离偏差D1和所述晶圆主体102的圆心O1在第二水平方向Y上的第二距离偏差D2，所述第一距离偏差D1和第二距离偏差D2具体可以理解为所述晶圆主体102的圆心和所述晶圆外框的中心在第一水平方向和第二水平方向的距离。当待加工晶圆的晶圆主体仅在第一水平方向X上贴偏时，则第二距离偏差D2为0；同样的，当待加工晶圆的晶圆主体仅在第二水平方向Y上贴偏时，则第一距离偏差D1为0。

在确定所述第一距离偏差D1时，可以按照如下过程来确定：

如附图7所示，获取第一弦心距D3，所述第一弦心距D3是根据第一宽度W1和晶圆主体102的半径确定，所述第一宽度是标准晶圆100以第一速度匀速移动经过所述检测装置500时，检测装置500在T时测得的标准晶圆100的晶圆主体102的宽度；

使待加工晶圆101以第一速度匀速移动经过所述检测装置500，确定所述检测装置500在T时测得的待加工晶圆101的晶圆主体102的第二宽度W2；根据所述第二宽度W2和晶圆主体102的半径确定第二弦心距D4；

根据所述第一弦心距D3和第二弦心距D4确定所述第一距离偏差D1。

或者，也可以计算待加工晶圆在所述检测装置500开始检测到标准晶圆100和待加工晶圆101的晶圆主体102的时间差期间所移动的距离作为所述第一距离偏差D1。

在确定所述晶圆主体102的圆心O1在第二水平方向Y上的第二距离偏差D2时，可以通过检测装置500测得的标准晶圆100的第三距离L3与检测装置500测得的待加工晶圆101的第三距离L3相减并取绝对值来得到；或者，也可以通过检测装置500测得的标准晶圆100的第四距离L4与检测装置500测得的待加工晶圆101的第四距离L4相减并取绝对值来得到。或者可以计算检测装置500上检测到待加工晶圆101的晶圆主体102的圆心O1位置的检测点和检测到标准晶圆100的晶圆主体102的圆心O1的检测点之间的距离来作为所述第二距离偏差D2。

如果晶圆主体102仅在第一水平方向X上贴偏，则仅需要调节待加工晶圆在预对准机构上应移动到的第一位置，工作台仍然移动到标准接料位置，所述第二位置即是标准接料位置；如果晶圆主体102仅在第二水平方向Y上贴偏，则仅需要调节工作台的第二位置，待加工晶圆仍然移动到基准位置，所述第一位置即所述基准位置。

在晶圆主体102在第一水平方向和第二水平方向均贴偏时，

所述第一位置是根据标准晶圆100在预对准机构300上应移动到的基准位置与所述第一距离偏差D1来确定；

所述第二位置是根据工作台700应移动到的标准接料位置与所述第二距离偏差D2来确定。

进一步，通过比较检测装置500开始检测到待加工晶圆101和标准晶圆100的晶圆主体102的时间来确定待加工晶圆101的晶圆主体102在第一水平方向X的偏移方向；

通过比较检测装置500检测到所述待加工晶圆101和标准晶圆100的晶圆主体102的检测点的位置来确定待加工晶圆101的晶圆主体102在第二水平方向Y的偏移方向；

根据确定的待加工晶圆101的晶圆主体102在第一水平方向X的偏移方向确定所述第一位置和根据确定的待加工晶圆101的晶圆主体102在第二水平方向Y的偏移方向确定所述第二位置。

具体的，当晶圆主体102在第一水平方向上贴偏时，在相同晶圆移动速度下，检测装置500开始检测到待加工晶圆101的晶圆主体102的时间相对于检测装置500开始检测到标准晶圆100的晶圆主体102的时间会提前或延后。

当提前时，表明晶圆主体102的圆心O1偏向晶圆外框103的中心O2的前方（定义待加工晶圆由料盒移动到预对准机构时的朝向为前），此时，所述第一位置位于所述基准位置的后方，且所述待加工晶圆101在所述第一位置和基准位置时，待加工晶圆101的晶圆外框103的中心O2的距离为所述第一距离偏差D1，即所述第一位置是位于所述基准位置后方且与基准位置之间的距离为第一距离偏差的位置。具体实现时，可以先存储标准晶圆由料盒或触发所述检测装置的位置移动到所述基准位置时的晶圆移动行程，当晶圆主体102的圆心O1偏向晶圆外框103的中心O2的前方时，所述待加工晶圆由料盒或触发所述检测装置的位置移动到所述第一位置的实际移动行程通过所述晶圆移动行程减去所述第一距离偏差S1得到。

当延后时，如附图6所示，表明待加工晶圆101的晶圆主体102的圆心O1偏向晶圆外框103的中心O2的后方，此时，所述第一位置位于所述基准位置的前方，且所述待加工晶圆101在所述第一位置和基准位置时，待加工晶圆101的晶圆外框103的中心O2的距离等于所述第一距离偏差D1，即在待加工晶圆移动到所述基准位置（晶圆外框与工作台共轴）后，使所述待加工晶圆101继续向前移动所述第一距离偏差D1。此时，当晶圆主体102的圆心O1偏向晶圆外框103的中心O2的后方时，所述待加工晶圆由料盒或触发所述检测装置的位置移动到所述第一位置的实际移动行程通过所述晶圆移动行程加上所述第一距离偏差S1得到。

当确定检测到待加工晶圆101的晶圆主体102的检测点的位置相对于检测到标准晶圆100的晶圆主体102的检测点的位置向右偏时，此时，所述第二位置满足，所述工作台700未移动到标准接料位置，且工作台700的台面中心在第二位置和标准接料位置之间的距离等于所述第二距离偏差D2。即工作台的实际移动行程要在标准移动行程的基础上减去所述第二距离偏差D2，所述标准移动行程是将所述工作台由加工机构处移动到标准接料位置时的移动行程。

反之，当确定检测到晶圆主体102的检测点的位置相对于检测到标准晶圆100的晶圆主体102的检测点的位置向左偏时，此时，所述第二位置满足所述工作台700移动超过所述标准接料位置，且工作台700的台面中心在第二位置和标准接料位置之间的距离等于所述第二距离偏差D2。即工作台的实际移动行程要在标准移动行程的基础上加上所述第二距离偏差D2。

实施例2

本实施例揭示了一种晶圆加工方法，包括如上所述的晶圆上料方法。当待加工晶圆101放置在工作台700上后，工作台700通过真空吸附和/或压紧器将待加工晶圆101固定，在待加工晶圆101固定在工作台700上后，使所述工作台700沿第二水平移动到加工机构处进行加工，例如移动到环切机构处进行环切，或者移动到取环机构处进行取环。

本发明尚有多种实施方式，凡采用等同变换或者等效变换而形成的所有技术方案，均落在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.晶圆上料方法，其特征在于：在通过移料机构将待加工晶圆从供料机构的料盒移动到预对准机构上时，根据检测装置的信号确定所述待加工晶圆的晶圆主体是否贴偏，在确定待加工晶圆的晶圆主体贴偏时，确定所述晶圆主体的圆心偏差，根据所述晶圆主体的圆心偏差确定所述待加工晶圆在预对准机构上应移动到第一位置和确定工作台应移动到的第二位置，定义所述待加工晶圆在所述预对准机构上的移动方向为第一水平方向，定义所述工作台的移动方向为第二水平方向，所述第一水平方向垂直于第二水平方向；

通过所述移料机构将所述待加工晶圆沿第一水平方向移动到所述第一位置，使所述工作台沿第二水平方向移动到所述第二位置以使所述晶圆主体与所述工作台同心；

通过所述移料机构将处于第一位置的待加工晶圆吸附，使所述预对准机构的两个支撑杆移动到所述待加工晶圆的两侧外，所述移料机构将其吸附的待加工晶圆直线下移并放置于处于第二位置的工作台上。

2.根据权利要求1所述的晶圆上料方法，其特征在于：所述检测装置是设置在所述料盒的出料口外侧且向下测距的一排等间距分布的测距传感器或一测高光幕，一排所述测距传感器沿第二水平方向排布；所述测高光幕沿第二水平方向延伸。

3.根据权利要求1所述的晶圆上料方法，其特征在于：在确定晶圆主体未贴偏时，所述移料机构将所述待加工晶圆移动到其在预对准机构上应移动到的基准位置以及使所述工作台移动到标准接料位置，在标准接料位置时，所述工作台的台面中心到所述预对准机构的两个支撑杆的距离相同；在基准位置时，所述待加工晶圆的晶圆外框与所述工作台同心。

4.根据权利要求1所述的晶圆上料方法，其特征在于：所述晶圆主体的圆心偏差包括所述晶圆主体的圆心在第一水平方向上的第一距离偏差和所述晶圆主体的圆心在第二水平方向上的第二距离偏差。

5.根据权利要求4所述的晶圆上料方法，其特征在于：所述第一距离偏差按照如下过程确定：

获取第一弦心距，所述第一弦心距是根据第一宽度和晶圆主体的半径确定，所述第一宽度是标准晶圆以第一速度匀速移动经过所述检测装置时，检测装置在T时测得的标准晶圆的晶圆主体的宽度；

使待加工晶圆以第一速度匀速移动经过所述检测装置，确定所述检测装置在T时测得的待加工晶圆的晶圆主体的第二宽度；根据所述第二宽度和晶圆主体的半径确定第二弦心距；

根据所述第一弦心距和第二弦心距确定所述晶圆主体的圆心在第一水平方向上的第一距离偏差。

6.根据权利要求4所述的晶圆上料方法，其特征在于：

所述第一位置是根据标准晶圆在预对准机构上应移动到的基准位置与所述第一距离偏差来确定，处于基准位置的标准晶圆与处于标准接料位置的所述工作台处于共轴状态，所述标准接料位置满足，所述工作台的台面中心到所述预对准机构的两个支撑杆的距离相同；

所述第二位置是根据工作台应移动到的标准接料位置与所述第二距离偏差来确定。

7.根据权利要求6所述的晶圆上料方法，其特征在于：

通过比较检测装置开始检测到待加工晶圆和标准晶圆的晶圆主体的时间来确定待加工晶圆的晶圆主体在第一水平方向的偏移方向；

通过比较检测装置检测到所述待加工晶圆和标准晶圆的晶圆主体的检测点的位置来确定待加工晶圆的晶圆主体在第二水平方向的偏移方向，并根据确定的待加工晶圆的晶圆主体在第一水平方向的偏移方向确定所述第一位置和根据确定的待加工晶圆的晶圆主体在第二水平方向的偏移方向确定所述第二位置。

8.晶圆加工方法，其特征在于：包括如权利要求1-7任一所述的晶圆上料方法。

9.根据权利要求8所述的晶圆加工方法，其特征在于：在待加工晶圆固定在工作台上后，使所述工作台移动到加工机构处进行加工。

10.晶圆加工设备，包括供料机构、预对准机构、移料机构、工作台及控制装置，其特征在于：所述供料机构的料盒的出料口外侧设置有用于确定进入到预对准机构上的待加工晶圆的晶圆主体是否贴偏以及在确定所述晶圆主体贴偏时，确定所述晶圆主体的圆心偏差的检测装置，所述检测装置连接控制装置。