CN116685141A - 一种半导体结构的制作方法及其结构 - Google Patents

Abstract

本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制作方法及其结构，其中，半导体结构的制作方法可以包括：提供衬底，衬底包括相互间隔排布的有源区以及位于有源区之间的隔离结构；形成字线结构，字线结构沿第一方向贯穿部分有源区；形成位线结构，位线结构位于衬底上，且位线结构沿第二方向延伸；图形化衬底以形成凹槽，凹槽位于相邻位线结构之间，且凹槽沿第二方向延伸；形成节点接触层，节点接触层填充凹槽；图形化节点接触层，以形成间隔排布的节点接触结构；形成隔离层，隔离层至少位于相邻节点接触结构之间；可以提高半导体结构的可靠性。

Description

一种半导体结构的制作方法及其结构

技术领域

本公开实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构的制作方法及其结构。

背景技术

存储器是用来存储程序和各种数据信息的记忆部件。一般计算机系统使用的随机存取内存(Random Access Memory，RAM)可分为动态随机存取存储器(Dynamic RandomAccess Memory，DRAM)与静态随机存取存储器(Static Random-Access Memory，SRAM)两种，动态随机存取存储器是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。

每个存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的漏极与位线相连、源极与电容器相连，晶体管与位线经由位线接触窗相连，电容器与位线经由节点接触结构相连。

然而目前在形成节点接触结构的过程中存在形成的节点接触结构内壁不均匀，导致半导体结构可靠性降低的问题。

发明内容

本公开实施例提供一种半导体结构的制作方法及其结构，至少可以提高凹槽的均匀性和节点接触结构材料的填充能力，进而提高半导体结构的可靠性。

根据本公开一些实施例，本公开实施例一方面提供一种半导体结构的制作方法，包括提供衬底，所述衬底包括相互间隔排布的有源区以及位于所述有源区之间的隔离结构；形成字线结构，所述字线结构沿第一方向贯穿部分所述有源区；形成位线结构，所述位线结构位于所述衬底上，且所述位线结构沿第二方向延伸；图形化所述衬底以形成凹槽，所述凹槽位于相邻所述位线结构之间，且所述凹槽沿所述第二方向延伸；形成节点接触层，所述节点接触层填充所述凹槽；图形化所述节点接触层，以形成间隔排布的节点接触结构；形成隔离层，所述隔离层至少位于相邻所述节点接触结构之间。

在一些实施例中，所述节点接触结构顶面还具有绝缘层；形成的所述隔离层还位于相邻所述绝缘层之间。

在一些实施例中，在形成所述绝缘层之前，图形化所述节点接触层；在形成所述节点接触结构之后，在所述节点接触结构顶面形成所述绝缘层。

在一些实施例中，在同一工艺步骤中，形成所述隔离层以及所述绝缘层。

在一些实施例中，在图形化所述节点接触层之前，还包括：形成初始绝缘层，所述初始绝缘层位于所述节点接触层的顶面，且所述初始绝缘层与所述节点接触层共同填充满所述凹槽；图形化所述初始绝缘层，剩余所述初始绝缘层作为所述绝缘层。

在一些实施例中，利用同一掩膜，刻蚀所述初始绝缘层以及所述节点接触层，以图形化所述初始绝缘层以及所述节点接触层。

在一些实施例中，形成所述初始绝缘层的步骤包括：形成绝缘膜，且所述绝缘膜覆盖所述位线结构的顶面；回刻蚀所述绝缘膜，暴露出所述位线结构的顶面，剩余所述绝缘膜作为所述初始绝缘层。

在一些实施例中，所述初始绝缘层顶面低于所述位线结构的顶面；形成的所述隔离层还覆盖所述绝缘层的顶面。

在一些实施例中，所述绝缘层的材料与所述隔离层的材料不同。

在一些实施例中，形成所述节点接触层的步骤包括：形成导电层，所述导电层填充满所述凹槽，且所述导电层覆盖所述位线结构的顶面；回刻蚀所述导电层，直至剩余所述导电层顶面低于所述位线结构顶面，剩余所述导电层作为所述节点接触层。

在一些实施例中，形成节点接触结构的步骤包括：在所述节点接触层的顶面形成掩膜层，所述掩膜层露出位于所述字线结构正上方的所述节点接触层；图形化所述节点接触层，剩余所述节点接触层作为所述节点接触结构。

在一些实施例中，形成所述隔离层的步骤包括：形成初始隔离层，所述初始隔离层位于所述节点接触结构之间，且还位于所述节点接触结构的顶面上；对所述初始隔离层进行平坦化处理，去除高于所述位线结构顶面的所述初始隔离层，剩余所述初始隔离层作为所述隔离层。

在一些实施例中，所述隔离结构还覆盖部分所述有源区的顶面，形成所述凹槽的过程中还包括：去除部分位于所述有源区的顶面的所述隔离结构，去除部分所述有源区侧壁的所述隔离结构及去除部分所述有源区，以形成所述凹槽。

在一些实施例中，所述隔离层的材料包括氮化硅或氮氧化硅。

根据本公开一些实施例，本公开实施例另一方面还提供一种半导体结构，采用上述步骤形成。

本公开实施例提供的技术方案至少具有以下优点：通过图形化衬底形成凹槽，此时形成的凹槽沿第二方向延伸且连续，故形成的凹槽的侧壁的平整度及均匀性较好，再形成节点接触层，此时形成的节点接触层的内壁的均匀性也较好，通过图形化节点接触层的方法形成间隔排布的节点接触结构可以提高形成的节点接触结构内壁的均匀性，进而提高半导体结构的可靠性。

附图说明

一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制；为了更清楚地说明本公开实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领缺普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本公开一实施例提供的一种半导体结构的俯视图；

图2至图18为本公开一实施例提供的一种半导体结构的制作方法各步骤对应的结构示意图。

具体实施方式

由背景技术可知，目前是直接在衬底上形成间隔排布的凹孔，并向凹孔内填充相应的材料以形成节点接触结构，通过这种方法形成凹孔的内壁的均匀性不高，故向凹孔内填充相应的材料以形成节点接触结构的内壁的均匀性也不高，从而会影响半导体结构的稳定性。

本公开实施提供一种半导体结构的制作方法，通过先形成连续的凹槽，形成连续的凹槽相较于形成间隔的凹孔而言形成难度较低，且形成凹槽的内壁的均匀性较高，故后续填充凹槽形成的节点接触层的内壁的均匀性也较好，再通过图形化连续的节点接触层以形成间隔分布的节点接触结构，从而可以提高节点接触结构的均匀性，进而提高半导体结构的可靠性。

下面将结合附图对本公开的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本公开各实施例中，为了使读者更好地理解本公开而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本公开所要求保护的技术方案。

参考图1至图4，图1为本公开一实施例提供的一种半导体结构的俯视图，图2为图1沿AA'及BB'方向的剖视图，图3为图2中沿椭圆形虚线框的结构放大示意图；图4为图1沿CC'及DD'方向的剖视图。

具体的，参考图1，提供衬底100，衬底100包括相互间隔排布的有源区101以及位于有源区101之间的隔离结构(Shallow Trench Isolation，STI)102；形成字线结构110，字线结构110沿第一方向X贯穿部分有源区101；形成位线结构120，位线结构120位于衬底100上，且位线结构120沿第二方向Y延伸。

在一些实施例中，有源区101的材料可以是硅、锗或者锗化硅等，隔离结构102的材料可以是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等绝缘材料。

参考图2，在一些实施例中，形成有源区101的方法包括：提供基底103，图形化基底103以形成间隔分布的有源区101。

在一些实施例中，形成字线结构110的步骤可以包括：图形化衬底100，以形成字线沟槽，字线沟槽贯穿部分有源区101，在图形化衬底100的过程中，部分隔离结构102会出现过刻蚀的情况，故会形成部分朝向隔离结构102内凹陷的空缺；形成第一金属层112，第一金属层112填充满空缺且位于字线沟槽的底面及部分侧壁；形成第一保护层111，第一保护层111位于第一金属层112的顶面，且填充满字线沟槽。

在一些实施例中，第一金属层112的材料可以是钨金属或者铝金属等，第一保护层111的材料可以是氮化硅、氮氧化硅或者碳氮氧化硅等，第一金属层112的导电性好，第一保护层111用于保护第一金属层112，且可以隔离字线结构110与位线结构120。

在一些实施例中，在形成第一金属层112前还可以在字线沟槽的底面形成第一阻挡层(图中未示出)，第一阻挡层用于将第一金属层112与衬底100隔开，避免第一金属层112的金属离子扩散至衬底100内将衬底100污染，第一阻挡层的材料可以是氮化钛。

在一些实施例中，形成位线结构120的步骤可以包括图形化衬底100，形成间隔排布的位线沟槽；形成多晶硅层121，至少部分多晶硅层121位于位线沟槽内；形成第二金属层122，第二金属层122位于多晶硅层121顶面；形成第二保护层123，第二保护层123位于第二金属层122的顶面；形成第二隔离层124，第二隔离层124至少位于多晶硅层121及第二金属层122的侧壁，通过第二隔离层124将位线结构120与后续形成的节点接触层隔离。

在一些实施例中，通过先形成初始多晶硅层，初始第二金属层及初始第二保护层，再通过图形化初始多晶硅层，初始金属层及初始第二保护层以形成多晶硅层121、第二金属层122及第二保护层123，并在多晶硅层121、第二金属层122及第二保护层123的顶面及侧壁形成第二隔离层124。

通过形成多晶硅层121及第二金属层122的叠层结构即可以提高位线结构120的导电性能又可以使连通位线结构120与有源区101的过程平缓，通过多晶硅层121过渡，避免在导通位线结构120与有源区101的过程中出现异常。

在一些实施例中，在形成第二金属层122之前还包括形成第二阻挡层(图中未示出)，第二阻挡层位于多晶硅层121的顶面，将第二金属层122与多晶硅层121隔开，通过形成有第二阻挡层，可以避免第二金属层122在离子扩散的过程中出现污染多晶硅层121的情况。

第二阻挡层可以与第一阻挡层的材料相同，都为氮化钛，第二金属层122的材料可以与第一金属层112的材料相同，为钨金属或者铝金属等，第二保护层123的材料可以与第一保护层111的材料相同，为氮化硅、氮氧化硅或者碳氮氧化硅等。

在一些实施例中，位线结构120还可以只包括单晶硅层或者只包括第二金属层。

在一些实施例中，隔离结构102还位于部分有源区101的顶面形成隔离结构102，通过在有源区101的顶面也形成隔离结构102有助于减小电极间的漏电流，承受更大的击穿电压，从而提高半导体结构的可靠性。

参考图3，在一些实施例中，形成第二隔离层124的方法包括：形成第一子隔离层125，第一子隔离层125位于多晶硅层121、第二金属层122及第二保护层123的侧壁；形成第二子隔离层126，第二子隔离层126位于第一子隔离层125的侧壁；形成第三子隔离层127，第三子隔离层127位于第二子隔离层128的侧壁。

在一些实施例中，第一子隔离层125及第三子隔离层127的材料可以为氮化硅，第二子隔离层126的材料为氧化硅；氧化硅的隔离性能更好，通过将第二子隔离层126的材料设置为氧化硅可以提高第二隔离层124的隔离性能，但是氧化硅的材料本身较软，故通过形成第一子隔离层125及第三子隔离层127以形成形貌较好的第二隔离层124，且本公开中的第二隔离层124中的第二子隔离层126的介电常数低于第一子隔离层125和第三子隔离层127的介电常数，有利于减少第二金属层122的寄生电容，提高器件的性能。

在另一实施例中，第二子隔离层126还可以是空气。

参考图4，在形成位线沟槽的过程中，随着刻蚀试剂的消耗，刻蚀能力下降，故部分位线沟槽呈现倒梯形结构，即下窄上宽，故，在填充位线沟槽形成多晶硅层121后，部分多晶硅层121呈现倒梯形结构。

在一些实施例中，隔离结构102包括第一隔离结构104及第二隔离结构105，可以理解的是，有源区101之间部分间隙较大，部分间隙较小，在形成第一隔离结构104的过程中，部分较小的被填充满，故存在部分隔离结构102为单层第一隔离结构104，部分隔离结构102为第一隔离结构104及第二隔离结构105的叠层结构。

在一些实施例中，第一隔离结构104的材料可以是氧化硅，第二隔离结构105的材料可以是氮化硅。

在另一些实施例中，隔离结构也可以只包括第一隔离结构。

在一些实施例中，在形成字线结构110之前，还可以在字线沟槽的底面及侧壁形成一层字线隔离结构113，通过字线隔离结构113避免字线结构110中的第一金属层112的金属离子扩散至衬底100内，避免出现字线结构110污染衬底的情况，从而提高半导体结果的可靠性。

参考图5及图6，图5为图2半导体结构形成凹槽后示意图，图6为图4半导体结构形成凹槽后示意图；图形化衬底100以形成凹槽130，凹槽130位于相邻位线结构120之间，且凹槽130沿第二方向Y延伸。

可以理解的是，凹槽130包括图形化衬底100形成的凹陷的部分及位线结构120之间的间隙部分。

具体的，在一些实施例中，可以采用湿法刻蚀的方法图形化衬底100，可以理解的是随着刻蚀试剂的消耗，随着刻蚀过程的进行，刻蚀试剂的刻蚀能力越来越差，故形成的凹槽130的形貌为上宽下窄的倒梯形。

在一些实施例中，在形成第二保护层123的过程中，还在位线结构120之间的衬底100表面形成有第二保护层123，故在形成凹槽130过程中还包括去除位于衬底100表面的第二保护层123，然后再刻蚀去除部分有源区101及部分隔离结构102，以形成凹槽130。

在一些实施例中，隔离结构102还覆盖部分有源区101的顶面，形成凹槽130的过程中还包括：去除部分位于有源区101的顶面的隔离结构102，去除部分有源区101侧壁的隔离结构102及去除部分有源区101，以形成凹槽130。

可以理解的是，通过控制隔离结构102覆盖部分有源区101的顶面可以提高隔离结构102的绝缘性，故在形成凹槽130的过程中，还包括刻蚀部分覆盖在有源区101顶面的隔离结构102，从而使有源区101暴露出来，从而为后续刻蚀有源区101提供工艺基础，通过去除部分有源区101侧壁的隔离结构102及去除部分有源区101，以形成凹槽130，为后续形成节点接触结构提供工艺基础。

在另一些实施例中，凹槽的形貌也可以是矩形，图形化衬底的方法也可以采用其他方法，只需形成对应的凹槽即可。

参考图7至图10，图7为图5中的半导体结构形成导电层后的示意图，图8为图6中的半导体结构形成导电层后的示意图，图9为图7中的半导体结构形成节点接触层后的示意图，图10为图8中的半导体结构形成节点接触层后的示意图；形成节点接触层140，节点接触层140填充凹槽130(参考图5)。

在一些实施例中，形成节点接触层140的步骤包括：形成导电层141，导电层141填充满凹槽130(参考图5)，且导电层141覆盖位线结构120的顶面；回刻蚀导电层141，直至剩余导电层141顶面低于位线结构120顶面，剩余导电层141作为节点接触层140。

具体的，参考图7及图8，形成导电层141，在一些实施例中，导电层141的材料可以是多晶硅，通过沉积多晶硅以形成导电层141。

参考图9及图10，回刻蚀导电层141(参考图8)，通过刻蚀导电层141(参考图8)直至剩余导电层141(参考图8)的高度低于位线结构120的顶面，即节点接触层140的高度低于位线结构120的顶面，在一些实施例中节点接触层140的顶面位于位线结构120的第二金属层122的顶面附近，即，节点接触层140可以略低于第二金属层122或者略高于第二金属层122或者与第二金属层122齐平。

可以理解的是，通过回刻蚀导电层141(参考图8)形成节点接触层140，节点接触层140的延伸方向与位线结构120的延伸方向相同，且节点接触层140的顶面高度低于位线结构120的第二金属层122的顶面高度，通过回刻蚀导电层141(参考图8)可以降低节点接触层140的接触电阻，且形成节点接触层140为后续形成间隔排列的节点接触结构提供工艺基础。

参考图11至图14，图11为图9中的半导体结构形成初始绝缘层后的示意图，图12为图10中的半导体结构形成初始绝缘层后的示意图，图13为图11中半导体结构形成节点接触结构后的示意图，图14为图12中半导体结构形成节点接触结构后的示意图；图形化节点接触层140，以形成间隔排布的节点接触结构160。

在一些实施例中，形成节点接触结构160的步骤可以包括：在节点接触层140的顶面形成掩膜层(图中未示出)，掩膜层露出位于字线结构110正上方的节点接触层140；图形化节点接触层140，剩余节点接触层140作为节点接触结构160。

通过去除字线结构110正上方的节点接触层140，以形成节点接触结构160，通过图形化部分未被掩膜层覆盖的节点接触层140可以控制形成的节点接触结构160的形貌，从而可以提高节点接触结构160图形的精确性，从而提高半导体结构的可靠性。

在一些实施例中，节点接触结构160顶面还可以具有绝缘层150，绝缘层150可以保护节点接触结构160。

在一些实施例中，在图形化节点接触层140之前，还包括：形成初始绝缘层151，初始绝缘层151位于节点接触层140的顶面，且初始绝缘层151与节点接触层140共同填充满凹槽130(参考图5)；图形化初始绝缘层151，剩余初始绝缘层151作为绝缘层150。

通过先形成初始绝缘层151，再通过图形化初始绝缘层151的方式可以形成间隔分布的绝缘层150，且每一间隔分布的绝缘层150位于每一节点接触结构160的顶面，通过形成绝缘层150可以提供较好的绝缘性能。

在一些实施例中，在形成绝缘层150之前，图形化节点接触层140；在形成节点接触结构160之后，在节点接触结构160顶面形成绝缘层150；换句话说，通过先形成间隔分布的节点接触结构160，然后在间隔分布的节点接触结构160上形成间隔分布的绝缘层150，即通过先对节点接触层140进行图形化，再通过对初始绝缘层151进行图形化进而形成间隔分布的绝缘层150；通过两次图形化可以使形成的节点接触结构160及绝缘层150的图形更加精确，从而提高半导体结构的稳定性。

在一些实施例中，绝缘层的150的材料可以是氧化硅，氧化硅的绝缘性能较好，但是氧化硅的材料较软，故后续还形成有隔离层，通过隔离层可以使绝缘层150具有较好的形貌。

在一些实施例中，可以利用同一掩膜，刻蚀初始绝缘层151以及节点接触层140，以图形化初始绝缘层151以及节点接触层140。

采用同一掩膜刻蚀初始绝缘层151以及节点接触层140可以减少一次形成掩膜的工序，从而可以减小生产工艺的工艺时长，且减少一次去除掩膜及更换掩膜的时间，且通过同一掩膜刻蚀形成的绝缘层150及节点接触结构160的形貌也相同，从而可以使绝缘层150覆盖节点接触结构160的覆盖效果较好。

在一些实施例中，形成初始绝缘层151的方法刻蚀包括：形成绝缘膜(图中未示出)，且绝缘膜覆盖位线结构120的顶面；回刻蚀绝缘膜，暴露出位线结构120的顶面，剩余绝缘膜作为初始绝缘层151。

通过形成先形成绝缘膜的方式可以确保后续形成初始绝缘层151填充满凹槽130(参考图5)，从而为后续刻蚀初始绝缘层151形成绝缘层150提供工艺基础，且通过回刻蚀绝缘膜的方式可以使初始绝缘层151的表面相对平整，从而使初始绝缘层151的形貌较好。

在一些实施例中，还可以通过化学机械抛光(Chemical Mechanical PolishingCMP)的方式去除部分绝缘膜，从而形成初始绝缘层151。

在一些实施例中，初始绝缘层151顶面低于位线结构120的顶面；形成的隔离层还覆盖绝缘层150的顶面。

在形成初始绝缘层151的过程中可以控制刻蚀绝缘膜的厚度，从而使初始绝缘层151顶面低于位线结构120的顶面；当初始绝缘层151顶面低于位线结构120的顶面时，后续形成的绝缘层150的顶面低于位线结构120的顶面，故后续形成隔离层的时候，形成的隔离层还覆盖绝缘层150的顶面，故形成节点接触结构、绝缘层及隔离层三层结构。通过形成节点接触结构、绝缘层及隔离层三层结构可以提高半导体结构的抗应力能力，从而提高半导体结构的可靠性。

参考图15至图18，图15为图13中的半导体结构形成初始隔离层后的示意图，图16为图14中的半导体结构形成初始隔离层后的示意图，图17为图15中的半导体结构形成隔离层后的示意图，图18为图16中的半导体结构形成隔离层后的示意图；形成隔离层170，隔离层170至少位于相邻节点接触结构160之间。

在一些实施例中，隔离层170还位于相邻绝缘层150之间，通过隔离层170可以将相邻的节点接触结构160间隔开，从而可以使间隔排布的节点接触结构160之间相互绝缘，从而可以避免节点接触结构160之间电连接，从而提高半导体结构的可靠性。

在一些实施例中，可以在同一工艺步骤中，形成隔离层170以及绝缘层150；可以理解的是，在同一工艺步骤中形成隔离层170以及绝缘层150，即隔离层170与绝缘层150的材料相同，由于隔离层170以及绝缘层150的作用都是使节点接触结构160之间相互绝缘，故可以在使隔离层170以及绝缘层150在同一工艺步骤中形成，从而减少在生产过程中的生产步骤，从而可以减少整个生产过程的生产时间，提高生产效率。

在一些实施例中，绝缘层150的材料与隔离层170的材料不同，绝缘层的材料可以是氧化硅，隔离层170的材料可以是氮化硅，氧化硅材料的绝缘性能较好，故通过设置绝缘层150的材料与隔离层170的材料不同可以提高相邻节点接触结构160的绝缘性，氮化硅材料的材质较硬，可以使隔离层170具有良好的抗应力作用，且可以使绝缘层150具有较好的形貌，进而提高半导体结构的可靠性；且后续在形成隔离层170后还会将节点接触结构160顶面的绝缘层150去除，通过使绝缘层150与隔离层170的材料不同还可以便于后续选择性刻蚀去除绝缘层150。

在一些实施例中，形成隔离层170的步骤包括：形成初始隔离层171，初始隔离层171位于节点接触结构160之间，且还位于节点接触结构160的顶面上；对初始隔离层171进行平坦化处理，去除高于位线结构120顶面的初始隔离层171，剩余初始隔离层171作为隔离层170。

通过形成初始隔离层171可以使初始隔离层171填充满节点接触结构160之间，从而避免在填充过程中出现部分节点接触结构160之间还存在空隙，通过先形成初始隔离层171，并通过对初始隔离层171进行平坦化处理可以提高半导体结构的可靠性。

在一些实施例中，隔离层170的材料可以包括氮化硅或氮氧化硅等，氮化硅或氮氧化硅材料的材质较硬，可以使隔离层170既具有一定的绝缘性能，又可以使隔离层170具有一定的抗应力能力，且可以使隔离层170具有较好的形貌，从而提高半导体结构的可靠性。

本公开实施例通过提供一种半导体结构的制作方法，通过先图形化衬底100形成凹槽130，并通过向凹槽130内沉积导电材料以形成节点接触层140，再通过图形化节点接触层140以形成节点接触结构160，通过先形成沿第二方向Y延伸的凹槽130，可以使形成凹槽130的内壁的平整度及均匀性较好，且相较于形成间隔的凹孔来说，形成凹槽130的工艺难度更小，通过向凹槽130内填充导电材料以形成节点接触层140，再通过图形化节点接触层140以形成节点接触结构160可以使形成的节点接触结构160的内壁均匀性及形貌较好，进而可以提高半导体结构的可靠性。

本公开实施例还提供一种半导体结构，可以采用上述全部或者部分步骤形成。

本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本公开的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本公开实施例的精神和范围。任何本领域技术人员，在不脱离本公开实施例的精神和范围内，均可作各自更动与修改，因此本公开实施例的保护范围应当以权利要求限定的范围为准。

Claims (15)

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括相互间隔排布的有源区以及位于所述有源区之间的隔离结构；

形成字线结构，所述字线结构沿第一方向贯穿部分所述有源区；

形成位线结构，所述位线结构位于所述衬底上，且所述位线结构沿第二方向延伸；

图形化所述衬底以形成凹槽，所述凹槽位于相邻所述位线结构之间，且所述凹槽沿所述第二方向延伸；

形成节点接触层，所述节点接触层填充所述凹槽；

图形化所述节点接触层，以形成间隔排布的节点接触结构；

形成隔离层，所述隔离层至少位于相邻所述节点接触结构之间。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述节点接触结构顶面还具有绝缘层；形成的所述隔离层还位于相邻所述绝缘层之间。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在形成所述绝缘层之前，图形化所述节点接触层；在形成所述节点接触结构之后，在所述节点接触结构顶面形成所述绝缘层。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在同一工艺步骤中，形成所述隔离层以及所述绝缘层。

5.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在图形化所述节点接触层之前，还包括：

形成初始绝缘层，所述初始绝缘层位于所述节点接触层的顶面，且所述初始绝缘层与所述节点接触层共同填充满所述凹槽；

图形化所述初始绝缘层，剩余所述初始绝缘层作为所述绝缘层。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，利用同一掩膜，刻蚀所述初始绝缘层以及所述节点接触层，以图形化所述初始绝缘层以及所述节点接触层。

7.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成所述初始绝缘层的步骤包括：

形成绝缘膜，且所述绝缘膜覆盖所述位线结构的顶面；

回刻蚀所述绝缘膜，暴露出所述位线结构的顶面，剩余所述绝缘膜作为所述初始绝缘层。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述初始绝缘层顶面低于所述位线结构的顶面；形成的所述隔离层还覆盖所述绝缘层的顶面。

9.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述绝缘层的材料与所述隔离层的材料不同。

10.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成所述节点接触层的步骤包括：

形成导电层，所述导电层填充满所述凹槽，且所述导电层覆盖所述位线结构的顶面；

回刻蚀所述导电层，直至剩余所述导电层顶面低于所述位线结构顶面，剩余所述导电层作为所述节点接触层。

11.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成节点接触结构的步骤包括：

在所述节点接触层的顶面形成掩膜层，所述掩膜层露出位于所述字线结构正上方的所述节点接触层；

图形化所述节点接触层，剩余所述节点接触层作为所述节点接触结构。

12.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成所述隔离层的步骤包括：形成初始隔离层，所述初始隔离层位于所述节点接触结构之间，且还位于所述节点接触结构的顶面上；

对所述初始隔离层进行平坦化处理，去除高于所述位线结构顶面的所述初始隔离层，剩余所述初始隔离层作为所述隔离层。

13.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述隔离结构还覆盖部分所述有源区的顶面，形成所述凹槽的过程中还包括：去除部分位于所述有源区的顶面的所述隔离结构，去除部分所述有源区侧壁的所述隔离结构及去除部分所述有源区，以形成所述凹槽。

14.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述隔离层的材料包括氮化硅或氮氧化硅。

15.一种半导体结构，其特征在于，如上述权利要求1至14任一项所述的制作方法形成的半导体结构。