CN116666257A - 基板蚀刻处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及基板蚀刻处理装置,其包括:基板支撑装置,包括吸盘底座和吸盘销,吸盘底座以能够水平旋转的方式配置,吸盘销设置在吸盘底座的上部,用于支撑基板,基板支撑装置形成有从吸盘底座的底部面中心沿着上下方向朝向吸盘底座的内部延伸的吹扫气体流入孔,并形成有从吹扫气体流入孔沿着半径方向延伸并向上方延伸来贯通吸盘底座的上部面的吹扫气体排出孔;旋转马达,通过中空管形态的驱动轴来旋转驱动基板支撑装置;以及吹扫气体供给组装体,在未旋转的状态下,通过磁轴承与驱动轴连接,在吸盘底座的下部中心形成有沿着上下方向贯通延伸的中孔,以与吸盘底座的底部隔开的状态垂直延伸配置来向吹扫气体流入孔供给吹扫气体。

Description

基板蚀刻处理装置
技术领域
本发明涉及基板蚀刻处理装置,更详细地,涉及如下的基板蚀刻处理装置,即,在使形成有电路的基板的工序处理面朝下的状态下,利用药液来蚀刻基板的周围边缘。
背景技术
通常,基板的电路形成工序包括在基板的一面执行的氧化、光刻、蚀刻、蒸镀及金属配线等多种作业。
经过这种作业,异物将附着在基板的周围附近边缘部分并形成层。
因此,无法使用基板的边缘部分,且不会形成实际电路。
但是,为了进行作业,当吸盘把持上述基板的边缘部分时,在所附着的异物部分发生龟裂并向内侧传播,或者产生颗粒并进入到基板的内侧,从而很难形成电路。
为了解决这种问题,需要预先蚀刻并去除周围边缘的异物层。
图1a简要示出蚀刻基板周围边缘的工序。
作为蚀刻基板边缘的代表工序,如图1b所示,在吸盘底座20上下颠倒配置基板10来使其在形成电路形成层11的工序处理面朝下的状态下进行旋转,向上部面供给药液,在下方供给N2等吹扫气体来进行吹扫的方法进行蚀刻。
如上所述,若供给药液,则在基板10的边缘,在药液通过表面张力稍微进入到半径方向内侧并再次向外侧排出的过程中实现边缘的蚀刻。
上述吹扫气体为用于防止空气中的颗粒等流入到基板的电路形成层11侧的气体,代表性地,可以采用N2等惰性气体。
如图所示,以往,当通过配置在中心的吹扫气体管道30向基板支撑装置40的半径方向外侧排出吹扫气体时,存在因在轴承20产生的油脂、微粒或空气中的颗粒而损伤基板10的表面的问题(参照图2的(a)部分的径向缺陷)。
进而,基板10和基板支撑装置40在旋转的过程中因朝向外侧的N2气流而在基板10与基板支撑装置40之间的空间发生负压,由此,基板10向下方发生变形,因基板10的自身重量而进一步下垂,由此,存在可发生与基板支撑装置40接触的现象,而且因所发生的负压,颗粒停留在上述空间并损伤基板的问题(图2的(b)部分的中心聚集性缺陷)。
并且,在基板10上,朝向半径方向外侧的药液的运动量少,使得药液过度进入到半径方向内侧,从而发生沿着基板10的周围方向部分过度蚀刻的现象,从而还存在很难形成电路的问题(参照图2的(c)部分的药液侵入性过度蚀刻缺陷)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:韩国授权专利公报第10-1359402号(2014年01月29日)
发明内容
本发明为了解决上述现有技术的问题而提出,本发明的目的在于,提供如下的基板蚀刻处理装置,即,不存在当排出吹扫气体时,颗粒等异物一同卷入而损伤基板的表面的情况。
并且,本发明的目的在于,提供如下的基板蚀刻处理装置,即,在基板边缘蚀刻工序中,防止基板与基板支撑装置之间的空间形成负压,由此,可以防止因基板的下垂所引起的损伤及因上述空间内颗粒的残留所引起的基板受损。
为了实现上述目的,本发明的基板蚀刻处理装置的特征在于,包括:基板支撑装置,包括吸盘底座和吸盘销,上述吸盘底座以能够水平旋转的方式配置,上述吸盘销设置在上述吸盘底座的上部,用于支撑基板,在上述基板支撑装置形成有从上述吸盘底座的底部面中心沿着上下方向朝向上述吸盘底座的内部延伸的吹扫气体流入孔,并形成有从上述吹扫气体流入孔沿着半径方向延伸并向上方延伸来贯通上述吸盘底座的上部面的吹扫气体排出孔;旋转马达,通过中空管形态的驱动轴来旋转驱动上述基板支撑装置;以及吹扫气体供给组装体,在未旋转的状态下,通过磁轴承与上述驱动轴连接,在上述吸盘底座的下部中心形成有沿着上下方向贯通延伸的中孔,以与上述吸盘底座的底部隔开的状态垂直延伸配置来向上述吹扫气体流入孔供给吹扫气体。
本发明的特征在于,上述吹扫气体供给组装体包括:吹扫气体引导管,当从俯视图观察时,以沿着半径方向隔开的状态包围上述吹扫气体流入孔,当从侧面观察时,沿着上下方向贯通形成上述中孔;以及中空管形态的吹扫气体引导管支撑轴,以从上述吹扫气体引导管的上端向半径方向外侧隔开的状态重叠连接,为了旋转支撑上述驱动轴而设置上述磁轴承。
本发明的特征在于,以与上述吹扫气体流入孔相连通的方式形成有从上述吸盘底座的底部向下方延伸的吹扫气体导入管,上述吹扫气体导入管在上述吹扫气体引导管内沿着半径方向隔开配置,上述吹扫气体导入管与吹扫气体引导管之间的通路、上述吸盘底座的底部与吹扫气体引导管的上端之间的通路、上述吹扫气体引导管支撑轴与驱动轴之间的通路形成吹扫气体的第一排出管路。
本发明的特征在于,在上述吹扫气体引导管的上部,沿着周围方向相互隔开形成有多个连通孔,从而上述吹扫气体引导管与吹扫气体导入管之间的通路、上述连通孔、上述吹扫气体引导管与吹扫气体引导管支撑轴之间的通路形成吹扫气体的第二排出管路。
本发明的特征在于,当从俯视图观察时,在上述吸盘底座的上部面中心形成与上述吹扫气体排出孔连通的旁通通路。
本发明的特征在于,当从纵向剖视图观察上述吸盘底座时,以上述吹扫气体排出孔为基准,形成在内侧的内侧部的高度小于形成在外侧的外侧部的高度。
根据上述结构的本发明,本发明为包括:基板支撑装置,包括底盘底座和吸盘销,上述吸盘底座以可水平旋转的方式配置,上述吸盘销设置在上述吸盘底座的上部,用于支撑基板,上述基板支撑装置形成在上述吸盘底座的底部面中心,沿着上下方向朝向上述吸盘底座的内部延伸的吹扫气体流入孔,并形成有从上述吹扫气体流入孔沿着半径方向延伸并向上方延伸并贯通上述吸盘底座的上部面的吹扫气体排出孔;旋转马达,通过中空管形态的驱动轴来旋转驱动上述基板支撑装置;以及吹扫气体供给组装体,在不进行旋转的状态下,通过磁轴承与上述驱动轴连接,在上述吸盘底座的下部中心形成有沿着上下方向贯通延伸的中孔,以与上述吸盘底座的底部隔开的状态垂直延伸配置来向上述吹扫气体流入孔供给吹扫气体,通过上述磁轴承,上述驱动轴可相对于吹扫气体供给组装体被旋转支撑,因此,不具有磁轴承本身产生的颗粒,因此,可以避免基板受损。
并且,根据本发明,上述吹扫气体供给组装体包括:吹扫气体引导管,当从俯视图观察时,以沿着半径方向隔开的状态包围上述吹扫气体流入孔的周围,当从侧面观察时,沿着上下方向贯通形成上述中孔;以及中空管形态的吹扫气体引导管支撑轴,以从上述吹扫气体引导管的上端向半径方向外侧隔开的状态重叠连接,为了旋转支撑上述驱动轴而设置上述磁轴承,在N2等吹扫气体通过上述吹扫气体引导管流入之后,一部分通过吹扫气体流入孔来通过形成在吸盘底座的吹扫气体排出孔排向基板与吸盘底座的上部面之间来执行吹扫功能,同时,剩余一部分通过上述吹扫气体流入孔与吹扫气体引导管之间的通路和磁轴承沿着远离基板的方向排向外部,因此,可以防止外部的颗粒通过磁轴承流入到基板。
并且,根据本发明,以与上述吹扫气体流入孔相连通的方式形成有从上述吸盘底座的底部向下方延伸的吹扫气体导入管,上述吹扫气体导入管在上述吹扫气体引导管内沿着半径方向隔开配置,上述吹扫气体导入管与吹扫气体引导管之间的通路、上述吸盘底座的底部与吹扫气体引导管的上端之间的通路、上述吹扫气体引导管支撑轴与驱动轴之间的通路形成吹扫气体的第一排出管路,吹扫气体通过上述第一排出管路向外部排出,使得外部气流无法通过磁轴承引入到吹扫区域,因此,可以避免基板的电路形成层受损的情况,不仅如此,通过驱动轴和吸盘底座的连接部流入的颗粒也可以轻松向外部排出。
并且,根据本发明,在上述吹扫气体引导管的上部,沿着周围方向相互隔开形成有多个连通孔,从而,上述吹扫气体引导管与吹扫气体导入管之间的通路、上述连通孔、上述吹扫气体引导管与吹扫气体引导管支撑轴之间的通路形成吹扫气体的第二排出管路,在进入到上述吹扫气体引导管与吹扫气体导入管之间的通路的吹扫气体中,除通过第一排出管路的一部分之外的剩余部分通过第二排出管路排出,因此,可以完全排出通过上述吹扫气体引导管与吹扫气体引导管支撑轴之间的组装结构之间的微细缝隙流入的剩余异物。
并且,根据本发明,当从俯视图观察时,在上述吸盘底座的上部面中心形成与上述吹扫气体排出孔连通的旁通通路,从而可以防止在吸盘底座与基板之间的空间发生负压,以防止基板朝向吸盘底座的上部面下垂或者外部的颗粒聚集在上述空间。
并且,根据本发明,当从纵向剖视图观察上述吸盘底座时,以上述吹扫气体排出孔为基准,形成在内侧的内侧部的高度小于形成在外侧的外侧部的高度,从而确切防止上述基板下垂而与吸盘底座的内侧部上部面接触。
附图说明
图1a为示出在基板中的边缘蚀刻工序的图。
图1b为示出现有技术的基板蚀刻处理装置的结构的纵向剖视图。
图2为通过现有技术的基板蚀刻处理装置发生的基板的缺陷,(a)部分为径向缺陷,(b)部分为中心聚集性缺陷,(c)部分为药液侵入性过度蚀刻缺陷。
图3为示出本发明的基板蚀刻处理装置的结构的立体图。
图4为示出本发明的基板蚀刻处理装置的结构的纵向剖视图。
图5为本发明另一实施例的基板蚀刻处理装置的一部分详细纵向剖面立体图。
图6为示出根据本发明的在构成吸盘底座的内侧部和外侧部分离的情况下的内侧部的一例的底部面立体图。
具体实施方式
以下,参照附图,详细说明本发明的优选实施例。
如图3和图4所示,本发明的基板蚀刻处理装置1000包括:基板支撑装置100,包括吸盘底座110和吸盘销120,上述吸盘底座110以可水平旋转的方式配置,上述吸盘销120设置在上述吸盘底座110的上部,用于支撑基板W,在上述基板支撑装置100形成有从上述吸盘底座110的底部面中心沿着上下方向朝向上述吸盘底座110的内部延伸的吹扫气体流入孔111,并形成有从上述吹扫气体流入孔111沿着半径方向延伸并向上方延伸来贯通上述吸盘底座110的上部面的吹扫气体排出孔112;旋转马达200,通过中空管形态的驱动轴210来旋转驱动上述基板支撑装置100;以及吹扫气体供给组装体300,在未旋转的状态下通过磁轴承400与上述驱动轴210连接,在上述吸盘底座110的下部中心形成有沿着上下方向贯通延伸的中孔311,以与上述吸盘底座110的底部隔开的状态垂直延伸配置来向上述吹扫气体流入孔111供给吹扫气体。
如上所述,通过磁轴承400,上述驱动轴210相对于吹扫气体供给组装体300被旋转支撑,因此,不具有磁轴承400本身产生的颗粒,从而不存在基板W受损的情况。
具体地,上述吹扫气体供给组装体300包括:吹扫气体引导管310,当从俯视图观察时,以沿着半径方向隔开的状态包围上述吹扫气体流入孔111的周围,当从侧面观察时,沿着上下方向贯通形成上述中孔311;以及中空管形态的吹扫气体引导管支撑轴320,以从上述吹扫气体引导管310的上端沿着半径方向外侧隔开的状态重叠连接,为了旋转支撑上述驱动轴210而设置上述磁轴承400。
根据这种结构,在N2等吹扫气体通过上述吹扫气体引导管310流入之后,一部分通过吹扫气体流入孔111来通过形成在吸盘底座110的吹扫气体排出孔112排向基板W与吸盘底座110的上部面之间来执行吹扫功能,同时,剩余一部分通过上述吹扫气体流入孔111与吹扫气体引导管310之间的通路和磁轴承400沿着远离基板W的方向排向外部,因此,可以防止外部的颗粒通过磁轴承400流入到基板W。
尤其,若吹扫气体导入管113以与上述吹扫气体流入孔111连通的方式从上述吸盘底座110的底部向下方延伸形成,且将上述吹扫气体导入管113在吹扫气体引导管310内沿着半径方向隔开配置,则可以预先明确区分上述剩余一部分气体所经过的通路,从而,吹扫气体的流量可以比较准确地分割并流入。
上述吹扫气体导入管113也可以与上述吸盘底座110形成为一体,如图5所示,上端以沿着半径方向扩张的方式构成,从而以可拆装的方式结合在上述吸盘底座110。
根据这种结构,上述吹扫气体导入管113与吹扫气体引导管310之间的通路P1、上述吸盘底座110的底部与吹扫气体引导管310的上端之间的通路P2、上述吹扫气体引导管支撑轴320与驱动轴210之间的通路P3形成吹扫气体的第一排出管路EX1。
吹扫气体通过上述第一排出管路EX1向外部排出,外部气流无法通过磁轴承400进入到吹扫区域,因此,可以避免形成有电路的基板W的电路形成层W1受损的情况,不仅如此,通过驱动轴210和吸盘底座110的连接部170流入的颗粒也可轻松向外部排出。
以通过中空管形状的上述驱动轴210和连接部170连接的方式在上述吸盘底座110的下部可形成中空管形态的连接轴119。
当从俯视图观察时,优选地,上述吹扫气体导入管113、吹扫气体引导管310、吹扫气体引导管支撑轴320及驱动轴210形成同心圆,从而,沿着周围方向,分别均匀地形成半径方向间隔。
并且,在上述吹扫气体引导管310的上部,沿着周围方向相互隔开形成有多个连通孔312,从而,上述吹扫气体引导管310与吹扫气体导入管113之间的通路P1、上述连通孔312、上述吹扫气体引导管310与吹扫气体引导管支撑轴320之间的通路P4可以形成吹扫气体的第二排出管路EX2。
根据这种结构,在进入到上述吹扫气体引导管310与吹扫气体导入管113之间的通路P1的吹扫气体中,除通过第一排出管路EX1的一部分之外的剩余部分通过上述第二排出管路EX2排出,因此,可以完全排出上述吹扫气体引导管310与吹扫气体引导管支撑轴320之间的剩余异物。
即,当吸盘底座110旋转时,上述吹扫气体引导管310与吹扫气体引导管支撑轴320之间的连接部周边的压力将下降,从而可以防止颗粒通过上述吹扫气体引导管310与吹扫气体引导管支撑轴320之间的组装结构之间的微细的缝隙从外部气流流入。
并且,当从俯视图观察时,在上述吸盘底座110的上部面中心形成与上述吹扫气体排出孔112连通的旁通通路114,从而防止在吸盘底座110与基板W之间的空间S发生负压,以防止基板W朝向吸盘底座110的上部面下垂或者外部的颗粒聚集到上述空间。
在上述吸盘底座110的中心可形成覆盖上述旁通通路114的盖150,在此情况下,在上述盖150可形成与上述旁通通路114连通的贯通孔151。
通过上述贯通孔151排出通过旁通通路114的吹扫气体,从而可沿着基板W的半径方向移动并执行吹扫功能。
并且,当从纵向剖视图观察上述吸盘底座110时,优选地,以上述吹扫气体排出孔112为基准,形成在内侧的内侧部115的高度小于形成在外侧的外侧部116的高度(参照图4的附图标记“t”),从而防止因上述基板W下垂而与吸盘底座110的内侧部115的上部面接触。
如图3和图6所示,上述内侧部115与外侧部116单独形成,可借助螺丝或螺栓等紧固单元F来通过紧固孔H拆装,在底部面可形成有沿着半径方向延伸的引导片115a。
本发明的实施例仅为例示性实施例,本技术领域的普通技术人员将理解,在所附发明要求保护范围内,多种变形及等同的其他实施例是可行的。

Claims (6)

1.一种基板蚀刻处理装置,其特征在于,包括:
基板支撑装置,包括吸盘底座和吸盘销,上述吸盘底座以能够水平旋转的方式配置,上述吸盘销设置在上述吸盘底座的上部,用于支撑基板,在上述基板支撑装置形成有从上述吸盘底座的底部面中心沿着上下方向朝向上述吸盘底座的内部延伸的吹扫气体流入孔,并形成有从上述吹扫气体流入孔沿着半径方向延伸并向上方延伸来贯通上述吸盘底座的上部面的吹扫气体排出孔;
旋转马达,通过中空管形态的驱动轴来旋转驱动上述基板支撑装置;以及
吹扫气体供给组装体,在未旋转的状态下,通过磁轴承与上述驱动轴连接,在上述吸盘底座的下部中心形成有沿着上下方向贯通延伸的中孔,以与上述吸盘底座的底部隔开的状态垂直延伸配置来向上述吹扫气体流入孔供给吹扫气体。
2.根据权利要求1所述的基板蚀刻处理装置,其特征在于,上述吹扫气体供给组装体包括:
吹扫气体引导管,当从俯视图观察时,以沿着半径方向隔开的状态包围上述吹扫气体流入孔,当从侧面观察时,沿着上下方向贯通形成上述中孔;以及
中空管形态的吹扫气体引导管支撑轴,以从上述吹扫气体引导管的上端向半径方向外侧隔开的状态重叠连接,为了旋转支撑上述驱动轴而设置上述磁轴承。
3.根据权利要求2所述的基板蚀刻处理装置,其特征在于,
以与上述吹扫气体流入孔相连通的方式形成有从上述吸盘底座的底部向下方延伸的吹扫气体导入管,上述吹扫气体导入管在上述吹扫气体引导管内沿着半径方向隔开配置,
上述吹扫气体导入管与吹扫气体引导管之间的通路、上述吸盘底座的底部与吹扫气体引导管的上端之间的通路、上述吹扫气体引导管支撑轴与驱动轴之间的通路形成吹扫气体的第一排出管路。
4.根据权利要求3所述的基板蚀刻处理装置,其特征在于,在上述吹扫气体引导管的上部,沿着周围方向相互隔开形成有多个连通孔,从而上述吹扫气体引导管与吹扫气体导入管之间的通路、上述连通孔、上述吹扫气体引导管与吹扫气体引导管支撑轴之间的通路形成吹扫气体的第二排出管路。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板蚀刻处理装置,其特征在于,当从俯视图观察时,在上述吸盘底座的上部面中心形成有与上述吹扫气体排出孔连通的旁通通路。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的基板蚀刻处理装置,其特征在于,当从纵向剖视图观察上述吸盘底座时,以上述吹扫气体排出孔为基准,形成在内侧的内侧部的高度小于形成在外侧的外侧部的高度。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10340948A (ja) * 1997-06-09 1998-12-22 M Setetsuku Kk 表面処理装置
JP3698567B2 (ja) * 1998-10-23 2005-09-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US7018555B2 (en) * 2002-07-26 2006-03-28 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treatment method and substrate treatment apparatus
KR20070109635A (ko) * 2006-05-12 2007-11-15 삼성전자주식회사 웨이퍼 표면 세정 장치, 노즐 암 및 웨이퍼 표면 세정 방법
US20080128088A1 (en) 2006-10-30 2008-06-05 Jusung Engineering Co., Ltd. Etching apparatus for edges of substrate
US8057602B2 (en) * 2007-05-09 2011-11-15 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for supporting, positioning and rotating a substrate in a processing chamber
TWI373804B (en) * 2007-07-13 2012-10-01 Lam Res Ag Apparatus and method for wet treatment of disc-like articles
US20110065276A1 (en) * 2009-09-11 2011-03-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and Methods for Cyclical Oxidation and Etching
KR101100281B1 (ko) * 2010-04-19 2011-12-30 세메스 주식회사 스핀 헤드, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 방법
US10043686B2 (en) * 2013-12-31 2018-08-07 Lam Research Ag Apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles
US10490426B2 (en) * 2014-08-26 2019-11-26 Lam Research Ag Method and apparatus for processing wafer-shaped articles
US20170148652A1 (en) * 2015-11-20 2017-05-25 Lam Research Ag Spin chuck with in situ temperature monitoring
US20170162426A1 (en) * 2015-12-04 2017-06-08 Lam Research Ag Spin chuck with gas leakage prevention
US9887122B2 (en) * 2016-05-06 2018-02-06 Lam Research Ag Method and apparatus for processing wafer-shaped articles
US10312117B2 (en) * 2016-08-10 2019-06-04 Lam Research Ag Apparatus and radiant heating plate for processing wafer-shaped articles
JP6770886B2 (ja) * 2016-12-28 2020-10-21 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
US11427912B2 (en) * 2018-06-25 2022-08-30 Applied Materials, Inc. High temperature rotation module for a processing chamber
KR102333001B1 (ko) * 2021-06-24 2021-12-01 이종상 식각 장치
KR102656188B1 (ko) * 2022-02-21 2024-04-11 (주)디바이스이엔지 기판 식각 처리장치 및 기판 가장자리의 식각 제어 방법

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