CN116643350B - 端面耦合器及光芯片系统 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种端面耦合器及光芯片系统。其中，端面耦合器包括：耦合波导。所述耦合波导用于对进入所述端面耦合器的光进行模斑转换和耦合。所述耦合波导包括至少两段耦合段。随着所述耦合波导的延伸，所述耦合段的横截面的面积逐渐增加或逐渐减小。随着所述耦合波导的延伸，所述耦合段的横截面的面积逐渐增加的方向为第一方向。沿所述第一方向，所述耦合段的横截面的面积的增加速率不同。所述至少两段耦合段用于使所述耦合波导的有效面积的变化速率保持一致。根据本申请实施例，可以降低光通过端面耦合器时的耦合损耗。

Description

端面耦合器及光芯片系统

技术领域

本申请涉及硅基光电子芯片技术领域，尤其涉及一种端面耦合器及光芯片系统。

背景技术

在相关技术中，集成光子芯片由于其具备性能稳定、信息传输速度快与能耗低等优势，在光通信与光传感等领域有着极大的应用潜力。目前的主要发展趋势是提高集成度以获得更小的尺寸和能耗。随着对光子芯片性能和集成度要求的提高，需要更加紧凑的器件结构，随之而来的对于器件的封装要求也日益苛刻。对于光芯片来说，如何提高光纤和芯片波导之间的耦合效率一直是一个研究的重点。两者进行耦合造成损耗的主要原因是模场的失配问题。

目前为了解决这个问题已经提出了很多种耦合方案，整体来看用于光纤和光芯片耦合的器件可以分为光栅耦合器和端面耦合器。其中端面耦合器由于其耦合效率高，偏振不敏感等特性成为解决前述问题的研究热点。但是，如何进一步减少光信号从光纤传输到光子芯片时的损耗仍是一个亟待解决的问题。

发明内容

根据本申请实施例的第一方面，提供一种端面耦合器，包括：耦合波导；

所述耦合波导用于对进入所述端面耦合器的光进行模斑转换和耦合；

所述耦合波导包括至少两段耦合段；随着所述耦合波导的延伸，所述耦合段的横截面的面积逐渐增加或逐渐减小；随着所述耦合波导的延伸，所述耦合段的横截面的面积逐渐增加的方向为第一方向；

沿所述第一方向，所述耦合段的横截面的面积的增加速率不同；所述至少两段耦合段用于使所述耦合波导的有效面积的变化速率保持一致。

在一些实施例中，沿所述第一方向，每一所述耦合段的横截面积的增加速率依次增加。

在一些实施例中，还包括：下包层；

所述耦合波导位于所述下包层上；所述耦合波导的横截面在所述下包层上的投影宽度为波导宽度；所述耦合波导的横截面上的点与所述下包层之间的距离最大处为波导高度；

每一所述耦合段的所述波导宽度与所述波导高度都线性增加。

在一些实施例中，沿所述第一方向，每一所述耦合段的所述波导宽度的线性增加速率保持一致，所述波导高度的线性增加速率依次增加。

在一些实施例中，沿所述第一方向，每一所述耦合段的所述波导宽度的线性增加速率依次增加，所述波导高度的线性增加速率保持一致。

在一些实施例中，沿所述第一方向，每一所述耦合段的所述波导宽度的线性增加速率依次增加，所述波导高度的线性增加速率依次增加。

在一些实施例中，所述耦合波导还包括至少一段传输段；所述传输段位于所述耦合段之间；沿所述第一方向，所述传输段的横截面的面积保持不变。

在一些实施例中，还包括：接口端；

所述接口端位于所述端面耦合器的两端；所述接口端用于使光输入所述端面耦合器，或者，使光输出所述端面耦合器；

所述耦合波导还包括接口段；所述接口段位于所述耦合波导的两侧，且与所述接口端相对应；沿所述第一方向，所述接口段的横截面的面积保持不变。

在一些实施例中，所述耦合波导通过灰度光刻工艺形成。

根据本申请实施例的第二方面，提供一种光芯片系统，包括上述任一种端面耦合器；还包括：光芯片与光纤；

所述端面耦合器位于所述光芯片与所述光纤之间，且所述光芯片与所述光纤分别与所述端面耦合器两端的接口端相连接。

根据上述实施例可知，通过使耦合段的横截面的面积的增加速率不同，可以确保至少两段耦合段使耦合波导的有效面积的变化速率保持一致，从而，可以使耦合波导的有效面积稳定发生变化，以降低光通过端面耦合器时的耦合损耗。

而通过设置至少两段耦合段可以使不同的耦合段分别对应不同的耦合波导的有效面积随横截面积的变化而发生变化的区间，从而，可以更好地使耦合波导的有效面积稳定发生变化，以降低光通过端面耦合器时的耦合损耗。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。

图1是根据本申请实施例示出的一种端面耦合器的俯视图。

图2是根据本申请实施例示出的图1中沿剖面线AA的剖视图。

图3是根据本申请实施例示出的通过仿真得到的耦合波导的有效面积的变化趋势与横截面积的变化趋势的关系图。

图4a是根据本申请实施例示出的第一横截面处的横磁波的模场分布的三维示意图。

图4b是根据本申请实施例示出的第一横截面处的横电波的模场分布的三维示意图。

图5a是根据本申请实施例示出的第二横截面处的横磁波的模场分布的三维示意图。

图5b是根据本申请实施例示出的第二横截面处的横电波的模场分布的三维示意图。

图6a是根据本申请实施例示出的第三横截面处的横磁波的模场分布的三维示意图。

图6b是根据本申请实施例示出的第三横截面处的横电波的模场分布的三维示意图。

图7是根据本申请实施例示出的另一种端面耦合器的俯视图。

图8是根据本申请实施例示出的图7沿剖面线BB的剖视图。

图9是根据本申请实施例示出的另一种端面耦合器的俯视图。

图10是根据本申请实施例示出的图9沿剖面线CC的剖视图。

图11是根据本申请实施例示出的耦合波导的制备过程中的一个中间结构。

图12是根据本申请实施例示出的耦合波导的制备过程中的另一个中间结构。

图13是根据本申请实施例示出的耦合波导的制备过程中的另一个中间结构。

图14是根据本申请实施例示出的一种光芯片系统的结构示意图。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。

在将光纤内传输的信号耦合至光芯片时，往往需要通过端面耦合器实现。而在端面耦合器将光纤内传输的光耦合进光芯片时，由于最常用的单模光纤的模场直径与光芯片内可以传输的模场直径有着近两个数量级的差别，这就导致了即便通过端面耦合器将光信号从光纤耦合到光芯片时，仍会造成极大的耦合损耗。

本申请实施例提供一种端面耦合器10。图1示出的是该端面耦合器10的俯视图，图2示出的是图1中沿剖面线AA的剖视图。如图1与图2所示，该端面耦合器10，包括：耦合波导110。

耦合波导110用于对进入端面耦合器10的光进行模斑转换和耦合。

具体的，端面耦合器10主要通过耦合波导110结构实现对进入端面耦合器10的光进行模斑转换和耦合。其中，端面耦合器10一般设置于光芯片与光纤之间，且端面耦合器10两端的接口端101分别与光芯片以及光纤连接，而对进入端面耦合器10的光进行模斑转换和耦合，即指通过端面耦合器10将光纤内传输的光的模场转换成能够在光芯片内传输的光的模场，也即指通过端面耦合器10将光纤内传输的光耦合进光芯片内。

耦合波导110包括至少两段耦合段111。随着耦合波导110的延伸，耦合段111的横截面的面积逐渐增加或逐渐减小。随着耦合波导110的延伸，耦合段111的横截面的面积逐渐增加的方向为第一方向X。

具体的，耦合波导110包括至少两段耦合段111，即耦合波导110可以包括两段耦合段111，或者，耦合波导110可以包括三段耦合段111，或者，耦合波导110可以包括四段耦合段111，或者，耦合波导110可以包括五段耦合段111，但不限于此。

并且，随着耦合波导110的延伸，耦合段111的横截面的面积逐渐增加或逐渐减小，即指沿第一方向X，耦合段111的横截面的面积随着耦合波导110的延伸而逐渐增加，而沿与第一方向X相反的方向，耦合段111的横截面的面积随着耦合波导110的延伸而逐渐减小。而第一方向X以及与第一方向X相反的方向都为耦合波导110的延伸方向。

沿第一方向X，耦合段111的横截面的面积的增加速率不同。至少两段耦合段111用于使耦合波导110的有效面积的变化速率保持一致。

需要说明的是，耦合波导110的有效面积的变化速率保持一致，并不要求耦合波导110的有效面积的变化速率完全保持一致。具体的，耦合波导110的有效面积的变化速率可以根据实际需要进行调整，而耦合波导的有效面积的变化速率与预计的变化速率偏差在正负百分之五内均可以认为是耦合波导110的有效面积的变化速率保持一致。

根据波导理论，横截面积较小的波导对光的束缚能力越弱，因而模场直径会越大。而模场直径越大即该波导传输的光场的有效面积越大。具体的，图4a与图4b示出的是图1中第一横截面M1处的模场分布的三维示意图，即第一横截面M1处的有效面积。图5a与图5b示出的是图1中第二横截面M2处的模场分布的三维示意图，即第二横截面M2处的有效面积。图6a与图6b示出的是图1中第三横截面M3处的模场分布的三维示意图，即第三横截面M3处的有效面积。其中，图4a、图5a与图6a示出的是横磁波（TM波）的模场分布，图4b、图5b与图6b示出的是横电波（TE波）的模场分布。各图中的竖直方向为第一方向X，各图中的底面即对应耦合波导110的横截面。而各图中的X轴与Y轴对应耦合波导110的横截面的尺寸，其单元为微米，而各图中竖直的Z轴对应的是能量的强度。根据上述各图可以直观地看到耦合波导110的横截面的面积与光场有效面积之间的关系。本申请中的其他方案的有效面积与耦合波导110的横截面的面积的对应关系同样可以参照上述示意图。

需要说明的是，耦合波导110的各横截面上的有效面积的边界为该横截面上，能量衰减至1/e的部分，能量高于等于1/e的部分即为耦合波导110的各横截面上的有效面积的范围。

通过设计端面耦合器10的横截面的面积，使得端面耦合器10的横截面的面积逐渐变化，从而，可以实现端面耦合器10的有效面积的逐渐变化，进而，可以通过有效面积逐渐变化的端面耦合器10对进入端面耦合器10的光进行传输并进行耦合，以较少的损耗实现光的传输及模斑转换与耦合。

并且，耦合波导110的有效面积的变化趋势与横截面积的变化趋势并非是线性相关的。图3示出的是通过仿真得到的耦合波导110的有效面积的变化趋势与横截面积的变化趋势的关系图。具体的，图3为耦合波导110的厚度一定的情况下，有效面积随耦合波导110的宽度变化的趋势。曲线T1示出的是针对横电波（TE波）的有效面积随耦合波导110的宽度变化的趋势，曲线T2示出的是针对横磁波（TM波）的有效面积随耦合波导110的宽度变化的趋势。其中，横坐标为耦合波导110的宽度，单位为微米，纵坐标为耦合波导110的有效面积，单位为平方微米。

通过图3可以更为明显的看到，耦合波导110的有效面积的变化趋势与横截面积的变化趋势并非是线性相关的。在转折线D1之前，耦合波导110的有效面积随耦合波导110的宽度变化的趋势，快于在转折线D1之后，耦合波导110的有效面积随耦合波导110的宽度变化的趋势。因此，通过使耦合段111的横截面的面积的增加速率不同，可以确保至少两段耦合段111使耦合波导110的有效面积的变化速率保持一致，从而，可以使耦合波导110的有效面积稳定发生变化，以降低光通过端面耦合器10时的耦合损耗。

而通过设置至少两段耦合段111可以使不同的耦合段111分别对应不同的耦合波导110的有效面积随横截面积的变化而发生变化的区间，从而，可以更好地使耦合波导110的有效面积稳定发生变化，以降低光通过端面耦合器10时的耦合损耗。

在一些实施例中，如图1与图2所示，沿第一方向X，每一耦合段111的横截面积的增加速率依次增加。

根据图3所示的内容，在转折线D1的前后，耦合波导110的有效面积随耦合波导110的宽度变化的趋势发生了较大变化。因此，在图1与图2所示的方案中，耦合波导110包括两段耦合段111，且沿第一方向X，耦合段111的横截面积的增加速率依次增加，从而，可以使横截面积的增加速率较慢的耦合段111对应转折线D1之前，耦合波导110的有效面积随耦合波导110的宽度变化较大的部分，使横截面积的增加速率较快的耦合段111对应转折线D1之后，耦合波导110的有效面积随耦合波导110的宽度变化较小的部分，进而，可以实现通过耦合段111使耦合波导110的有效面积的变化速率保持一致。

需要说明的是，虽然图1与图2示出的是包括两段耦合段111的耦合波导110，以对应图3示出的设置一个转折线D1分隔出的两段不同的变化段的方案仅是一种可行的实施例，但在其他实施例中不限于此，耦合波导110也可以包括更多耦合段111以更为精确地对应图3中的不同变化段，进一步提升耦合波导110有效面积的变化速率的一致，以减小光通过端面耦合器10时的耦合损耗。

还需要说明的是，耦合波导110包括更多耦合段111虽然能更好地保持耦合波导110有效面积的变化速率的一致，但也会快速提升制备耦合波导110的工艺难度与制备成本。因此，在综合实际保持耦合波导110有效面积的变化速率一致的效果，以及制备耦合波导110的工艺难度与制备成本的基础上，优选的，耦合波导110包括两段耦合段111。

在一些实施例中，如图2所示，端面耦合器10还包括：下包层120。

耦合波导110位于下包层120上。耦合波导110的横截面在下包层120上的投影宽度为波导宽度。耦合波导110的横截面上的点与下包层120之间的距离最大处为波导高度。

图1中不仅耦合波导110的俯视图，还示出了与第一方向X相垂直的第二方向Y。在耦合波导110的俯视图中，耦合波导110在第二方向Y上的距离值即为波导宽度。图2不仅耦合波导110的沿剖面线AA的剖视图，还示出了与第一方向X以及第二方向Y相垂直的第三方向Z。在耦合波导110的剖视图中，耦合波导110在第三方向Z上的距离值即为波导高度。

每一耦合段111的波导宽度与波导高度都线性增加。

由于每一耦合段111不仅波导宽度会线性增加，且其波导高度也会线性增加。因此，在传统的仅有波导宽度会发生变化的基础上，在第三方向Z上增加了一个可供调整的波导高度，从而，可以增加设计耦合波导110的有效面积以及有效折射率时的维度，即可以从第二方向Y与第三方向Z构成的平面上进行耦合波导110的设计，进而，可以使得对耦合波导110的有效面积及有效折射率的调整更为精细灵活。

在一些实施例中，图7示出的是另一种端面耦合器10的俯视图，图8示出的是图7沿剖面线BB的剖视图。沿第一方向X，每一耦合段111的波导宽度的线性增加速率保持一致，波导高度的线性增加速率依次增加。

参考图7所示的内容，在第一方向X上，各耦合段111的波导宽度的线性增加速率保持一致。参考图8所示的内容，在第一方向X上，各个耦合段111的波导高度的线性增加速率依次增加。

这样设置，在确保耦合段111的横截面积的增加速率依次增加的同时，可以仅对耦合波导110在一个方向上的变化速率参数进行改变，从而，可以降低耦合波导110的工艺难度并降低耦合波导110的制备成本。

在一些实施例中，如图1与图2所示，沿第一方向X，每一耦合段111的波导宽度的线性增加速率依次增加，波导高度的线性增加速率保持一致。

参考图1所示的内容，在第一方向X上，各耦合段111的波导宽度的线性增加速率依次增加。参考图2所示的内容，在第一方向X上，各个耦合段111的波导高度的线性增加速率保持一致。

这样设置，在确保耦合段111的横截面积的增加速率依次增加的同时，可以仅对耦合波导110在一个方向上的变化速率参数进行改变，从而，可以降低耦合波导110的工艺难度并降低耦合波导110的制备成本。

在一些实施例中，图9示出的是另一种端面耦合器10的俯视图，图10示出的是图9沿剖面线CC的剖视图。沿第一方向X，每一耦合段111的波导宽度的线性增加速率依次增加，波导高度的线性增加速率依次增加。

参考图9所示的内容，在第一方向X上，各耦合段111的波导宽度的线性增加速率依次增加。参考图10所示的内容，在第一方向X上，各个耦合段111的波导高度的线性增加速率依次增加。

这样设置，在确保耦合段111的横截面积的增加速率依次增加的同时，可以对耦合波导110在第二方向Y与第三方向Z所构成平面上的变化速率参数进行改变，从而，可以更为精确地调整耦合波导110的有效面积，以提高耦合波导110的有效面积的变化速率的一致。

在一些实施例中，耦合波导110还包括至少一段传输段112。传输段112位于耦合段111之间。沿第一方向X，传输段112的横截面的面积保持不变。

具体的，当耦合波导110包括两段耦合段111时，耦合波导110还包括一段传输段112，或者，当耦合波导110包括三段耦合段111时，耦合波导110还包括两段传输段112，或者，当耦合波导110包括四段耦合段111时，耦合波导110还包括三段传输段112，或者，当耦合波导110包括五段耦合段111时，耦合波导110还包括四段传输段112。

由于不同耦合段111的横截面积的变化速率不同，通过传输段112衔接不同的耦合段111，可以通过传输段112耦合离开前一个耦合段111的光，并将其传输至下一个耦合段111内。

在一些实施例中，如图1与图2所示，端面耦合器10还包括：接口端101。

接口端101位于端面耦合器10的两端。接口端101用于使光输入端面耦合器10，或者，使光输出端面耦合器10。

耦合波导110还包括接口段113。接口段113位于耦合波导110的两侧，且与接口端101相对应。沿第一方向X，接口段113的横截面的面积保持不变。

具体的，接口段113可以接受从对应接口端101输入端面耦合器10的光，并将之输入耦合波导110，或者，接口段113将经过耦合波导110进行模斑转换和耦合后的光输出耦合波导，并将之通过对应的接口端101输出端面耦合器10。

这样设置，可以通过接口段113与端面耦合器10之外的结构进行耦合，从而，可以改变端面耦合器10之外的结构与端面耦合器10的耦合部分波导的大小，进而，通过线形的设计可以减小端面耦合器10之外的结构的光传输进端面耦合器10，或者，端面耦合器10传输的光传输进小端面耦合器10之外的结构时的损耗。

需要说明的是，虽然接口段113采用的是横截面保持不变的直波导，但在其他实施例中不限于此。接口段113也可以通过设计特定的耦合线形，以进一步减小端面耦合器10之外的结构的光传输进端面耦合器10，或者，端面耦合器10传输的光传输进小端面耦合器10之外的结构时的损耗。

在一些实施例中，端面耦合器10还包括上包层130与衬底140。

上包层130与下包层120一同用于包覆耦合波导110，并起到保护耦合波导110的作用。

衬底140在端面耦合器10整体的结构中起到作为基底的作用。

在一些实施例中，耦合波导110通过灰度光刻工艺形成。

具体的，图11示出的是耦合波导110的制备过程中的一个中间结构。参考图11所示，在衬底140上沉积氧化硅层201，再在氧化硅层201上沉积氮化硅层202。在形成氮化硅层202后，在氮化硅层202上设置光刻胶，并对设置的光刻胶采用匀胶工艺以形成光刻胶层203。

图12示出的是耦合波导110的制备过程中的另一个中间结构。参考图12所示，对图11所示的中间结构进行曝光刻蚀工艺，以对氮化硅层202进行刻蚀，从而形成耦合波导110。并在耦合波导110后，去除剩余的光刻胶。

图13示出的是耦合波导110的制备过程中的另一个中间结构。参考图13所示，在图12所示的中间结构上再沉积一层氧化硅层201，这一层氧化硅层201包覆耦合波导110。

最后在图13所示的中间结构上刻槽，以使两层氧化硅层201分别形成下包层120与上包层130，并形成图2、图8或图10所示的结构。

这样设置，通过灰度光刻工艺形成耦合波导110，可以形成三维形状更为复杂的耦合波导110，以实现在传统的仅有波导宽度会发生变化的基础上，在第三方向Z上增加了一个可供调整的波导高度。从而，可以增加设计耦合波导110的有效面积以及有效折射率时的维度，即可以从第二方向Y与第三方向Z构成的平面上进行耦合波导110的设计，进而，可以使得对耦合波导110的有效面积及有效折射率的调整更为精细灵活。

本申请实施例还提供一种光芯片系统，图14示出的是光芯片系统的结构示意图。如图14所示，该光芯片系统包括上述任一种端面耦合器10。还包括：光芯片30与光纤40。

端面耦合器10位于光芯片30与光纤40之间，且光芯片30与光纤40分别与端面耦合器10两端的接口端101相连接。

这样设置，可以通过前述的端面耦合器10将光纤40传输的光耦合进光芯片30内，从而，可以在将光纤40传输的光耦合进光芯片30内的同时，降低耦合损耗。

需要说明的是，图14仅是示例性的，实际上光芯片30、端面耦合器10与光纤40之间的尺寸关系并不如图14所示。

本申请的上述实施例，在不产生冲突的情况下，可互为补充。

需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。

术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本申请的真正范围和精神由下面的权利要求指出。

应当理解的是，本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (7)

1.一种端面耦合器，其特征在于，包括：耦合波导；

所述耦合波导用于对进入所述端面耦合器的光进行模斑转换和耦合；

所述耦合波导包括至少两段耦合段；随着所述耦合波导的延伸，所述耦合段的横截面的面积逐渐增加或逐渐减小；随着所述耦合波导的延伸，所述耦合段的横截面的面积逐渐增加的方向为第一方向；

沿所述第一方向，所述耦合段的横截面的面积的增加速率不同；所述至少两段耦合段用于使所述耦合波导的有效面积的变化速率保持一致；

沿所述第一方向，每一所述耦合段的横截面积的增加速率依次增加；

所述端面耦合器还包括：下包层；

所述耦合波导位于所述下包层上；所述耦合波导的横截面在所述下包层上的投影宽度为波导宽度；所述耦合波导的横截面上的点与所述下包层之间的距离最大处为波导高度；

每一所述耦合段的所述波导宽度与所述波导高度都线性增加；

所述耦合波导通过灰度光刻工艺刻蚀形成。

2.根据权利要求1所述的端面耦合器，其特征在于，沿所述第一方向，每一所述耦合段的所述波导宽度的线性增加速率保持一致，所述波导高度的线性增加速率依次增加。

3.根据权利要求1所述的端面耦合器，其特征在于，沿所述第一方向，每一所述耦合段的所述波导宽度的线性增加速率依次增加，所述波导高度的线性增加速率保持一致。

4.根据权利要求1所述的端面耦合器，其特征在于，沿所述第一方向，每一所述耦合段的所述波导宽度的线性增加速率依次增加，所述波导高度的线性增加速率依次增加。

5.根据权利要求1所述的端面耦合器，其特征在于，所述耦合波导还包括至少一段传输段；所述传输段位于所述耦合段之间；沿所述第一方向，所述传输段的横截面的面积保持不变。

6.根据权利要求1所述的端面耦合器，其特征在于，还包括：接口端；

所述接口端位于所述端面耦合器的两端；所述接口端用于使光输入所述端面耦合器，或者，使光输出所述端面耦合器；

所述耦合波导还包括接口段；所述接口段位于所述耦合波导的两侧，且与所述接口端相对应；沿所述第一方向，所述接口段的横截面的面积保持不变。

7.一种光芯片系统，其特征在于，包括权利要求1至6任一项所述的端面耦合器；还包括：光芯片与光纤；

所述端面耦合器位于所述光芯片与所述光纤之间，且所述光芯片与所述光纤分别与所述端面耦合器两端的接口端相连接。