CN116623275B - 一种太阳能光伏硅片生产用单晶炉加料系统 - Google Patents
一种太阳能光伏硅片生产用单晶炉加料系统 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116623275B CN116623275B CN202310641376.XA CN202310641376A CN116623275B CN 116623275 B CN116623275 B CN 116623275B CN 202310641376 A CN202310641376 A CN 202310641376A CN 116623275 B CN116623275 B CN 116623275B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- fixedly connected
- furnace body
- box
- charging box
- wall
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims abstract description 12
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 6
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000009514 concussion Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008093 supporting effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
本发明公开了一种太阳能光伏硅片生产用单晶炉加料系统，涉及单晶炉加料领域，包括炉体，所述炉体的上放设置有加料箱，所述炉体的上端与加料箱通过安装架固定连接，所述加料箱的右侧安装有进料口，所述加料箱的内底部设置有柱状口，所述炉体的内顶部还设置有开口；熔化机构，所述熔化机构包括多个固定连接在加料箱上下内壁间的金属加热杆，所述加料箱的内壁上安装有感应线圈，所述感应线圈与多个金属加热杆配合；流动机构，所述流动机构用于提高熔化的速度。该加料系统在使用时，先将固态的硅料进行熔化后，经过降速后投放入炉体中的溶体中，极大的降低溶体液面震荡可能性，保证了后续成品质量。
Description
技术领域
本发明涉及单晶炉加料领域，尤其涉及一种太阳能光伏硅片生产用单晶炉加料系统。
背景技术
在光伏硅板的生产过程中，需要用到单晶体炉，单晶炉是用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备，但是在实际的使用过程中，我们发现，现有的单晶炉在进行加料过程中，还存在以下问题：
在供给硅料的过程中，当固态硅料直接落入到炉体内熔体中时，会产生较大机械冲击和热冲击，导致熔体液面振荡，并在晶体生长界面的引起温度梯度变化，温度梯度发生变化后，会影响后续单晶生长，最终影响实际成品质量，因此，为了解决上述问题，设计一种太阳能光伏硅片生产用单晶炉加料系统是我们需要考虑的。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种太阳能光伏硅片生产用单晶炉加料系统，该加料系统在使用时，先将固态的硅料进行熔化后，经过降速后投放入炉体中的溶体中，极大的降低溶体液面震荡可能性，保证了后续成品质量。
为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：
一种太阳能光伏硅片生产用单晶炉加料系统，包括炉体，所述炉体的上放设置有加料箱，所述炉体的上端与加料箱通过安装架固定连接，所述加料箱的右侧安装有进料口，所述加料箱的内底部设置有柱状口，所述炉体的内顶部还设置有开口；熔化机构，所述熔化机构包括多个固定连接在加料箱上下内壁间的金属加热杆，所述加料箱的内壁上安装有感应线圈，所述感应线圈与多个金属加热杆配合；流动机构，所述流动机构用于提高熔化的速度。
优选地，所述流动机构包括设置在加料箱内的连接柱，所述连接柱的下端开设有提升槽，所述连接柱的下端延伸至柱状口内。
优选地，所述提升槽的内顶部转动连接有转轴，所述转轴外侧设置有螺旋叶片，所述提升槽的内顶部左右两侧内壁上设置有第一连通口，所述提升槽的内底部空间左右两侧内壁上均开设有第二连通口。
优选地，所述转轴的下端延伸至柱状口内，并固定连接有转动圆板，所述转动圆板的外侧壁与柱状口的内壁贴合，并滑动连接。
优选地，所述加料箱的内顶部开设有矩形槽，所述矩形槽的内顶部对称安装有两个液压伸缩杆，两个所述液压伸缩杆的伸缩端共同与连接柱的上端固定连接。
优选地，所述加料箱的上端安装有电机，所述电机的输出轴延伸至矩形槽内，并固定连接有转动伸缩杆，所述转动伸缩杆的伸缩端延伸至提升槽内，并与转轴的上端固定连接。
优选地，所述转动圆板的下端固定连接有空心盒，所述空心盒内设置有可上下滑动的滑动块，所述滑动块的上端与空心盒的内顶部通过弹簧弹性连接，所述滑动块的下端固定连接有连柱，所述连柱的下端延伸至外界，并固定连接有抖动网。
优选地，所述抖动网的下端偏心处固定连接有多个第一凸块，所述炉体的左侧内壁上固定连接有连接杆，所述连接杆的右端固定连接有圆环，所述圆环的上端固定连接有多个第二凸块。
本发明与现有技术相比，其有益效果为：
1、设置有可控制转动速度的电机和螺旋叶片，在熔化的过程中，让物料处于运动状态，提高物料与热源接触的均匀性，最终提高熔化均匀性和速度，而在后续加料过程中，利用电机和螺旋叶片，可对液体下流的速度降低，从而降低炉体内熔体震荡性，提高后续产品质量。
2、设置有转动圆板，可在电机低速转动的状态下，使转动圆板转动处于变化状态，这样通过离心力作用，液体在落到转动圆板上后，可被更为均匀的甩落到炉体的熔面上，是的其与炉体内的熔体更为均匀接触。
3、通过抖动网的设置，配合第一凸块、第二凸块以及弹簧，最终可让抖动网处于抖动状态，将甩落的熔液被均匀抖散，进一步提高硅料熔液与炉体内熔体接触的均匀性。
附图说明
图1为本发明的实施例1结构示意图；
图2为图1的A处放大图；
图3为伸缩杆处剖视图；
图4为图1加料时状态图；
图5为本发明的实施例2结构示意图；
图6为图5的B处放大图。
图中：1炉体、2加料箱、3安装架、4金属加热杆、5感应线圈、6矩形槽、7连接柱、8液压伸缩杆、9转动伸缩杆、10进料口、11提升槽、12第一连通口、13转轴、14螺旋叶片、15第二连通口、16转动圆板、17柱状口、18圆环、19第二凸块、20连接杆、21抖动网、22第一凸块、23空心盒、24滑动块、25弹簧、26连柱、27开口、28电机。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
实施例1
参照图1-4，一种太阳能光伏硅片生产用单晶炉加料系统，包括炉体1，炉体1的上放设置有加料箱2，炉体1的上端与加料箱2通过安装架3固定连接，安装架3呈回形状，可起到密封的作用，加料箱2的右侧安装有进料口10，加料箱2的内底部设置有柱状口17，炉体1的内顶部还设置有开口27；
作为本发明的一种实施方式，还包括熔化机构，熔化机构包括多个固定连接在加料箱2上下内壁间的金属加热杆4，加料箱2的内壁上安装有感应线圈5，感应线圈5与多个金属加热杆4配合，感应加热线圈是根据电力电子学和电磁兼容测试技术性，使高频交变电流变换为高频率交替变化电磁场，磁场遇到金属材料料筒又转化为高频率交变电流，而此电流量使被加热设备立即从内部结构发烫的一种加热方法，此为现有技术，此处不做具体阐述；
作为本发明的一种实施方式，还包括流动机构，流动机构用于提高熔化的速度，流动机构包括设置在加料箱2内的连接柱7，连接柱7的下端开设有提升槽11，连接柱7的下端延伸至柱状口17内，提升槽11的内顶部转动连接有转轴13(通过轴承转动连接，通过轴承的设置，具有一定的支撑作用)，转轴13外侧设置有螺旋叶片14，提升槽11的内顶部左右两侧内壁上设置有第一连通口12，提升槽11的内底部空间左右两侧内壁上均开设有第二连通口15，转轴13的下端延伸至柱状口17内，并固定连接有转动圆板16，转动圆板16的外侧壁与柱状口17的内壁贴合，并滑动连接，加料箱2的内顶部开设有矩形槽6，矩形槽6的内顶部对称安装有两个液压伸缩杆8，两个液压伸缩杆8的伸缩端共同与连接柱7的上端固定连接；
作为本发明的一种实施方式，加料箱2的上端安装有电机28，电机28为可改变转动速度的伺服电机，伺服电机可以控制速度，位置精度非常准确，可以将电压信号转化为转矩和转速以驱动控制对象。伺服电机转子转速受输入信号控制，并能快速反应，在自动控制系统中，用作执行元件，且具有机电时间常数小、线性度高等特性，可把所收到的电信号转换成电动机轴上的角位移或角速度输出，电机28的输出轴延伸至矩形槽6内，并固定连接有转动伸缩杆9，转动伸缩杆9的伸缩端延伸至提升槽11内，并与转轴13的上端固定连接，转动伸缩杆9具体如图3所示，由一个设置有中空矩形腔的杆体和一个连杆组成，连杆的上端延伸至中空矩形腔内，并固定连接连接有矩形块，矩形块与中空矩形杆的内壁滑动连接。
本发明中，从进料口10处投放入需要量的硅料，然后启动感应线圈5即可，感应线圈5启动后，会对多个金属加热杆4进行加热，多个金属加热杆4作为热源，可让内部的硅料加热，对其进行熔化，在这个过程中，启动电机28快速转动，电机28会通过伸缩杆9让转轴13转动，从而让螺旋叶片14快速转动，螺旋叶片14的转动，可将位于底部部分的硅料运动到顶部，实现硅料的运动，让硅料更为均匀的与热源接触，提高熔化的速度和均匀性；
在完成熔化后，启动多个液压伸缩杆8伸长，让连接柱7下移至炉体1中，高于炉体1内熔液的液面高度后，位于加料箱2内的熔化的液体会自然的流入到炉体1中；
而在上述的熔化的液体下流的过程中，可启动电机28低速的转动，由于螺旋叶片14的转动具有一个向上的提升力，而此时是低速转动，所以提升力较小，不足以支撑流体上移，因此液体还是会下移，只是下移的速度较慢，这样液体最终进入到炉体1熔液液面处时冲击力较小，造成的震荡较小，提高成品质量；
在这个过程中，可在电机28低速转动的状态下，使其转动处于变化状态，这样通过离心力作用，液体在落到转动圆板16上后，可被更为均匀的甩落到炉体1的熔面上，是的其与炉体1内的熔体更为均匀接触。
实施例2
参照图5-6，本实施例与实施例1的不同之处在于，转动圆板16的下端固定连接有空心盒23，空心盒23内设置有可上下滑动的滑动块24，滑动块24的上端与空心盒23的内顶部通过弹簧25弹性连接，滑动块24的下端固定连接有连柱76，连柱76的下端延伸至外界，并固定连接有抖动网21，抖动网21的下端偏心处固定连接有多个第一凸块22，炉体1的左侧内壁上固定连接有连接杆20，连接杆20的右端固定连接有圆环18，圆环18的上端固定连接有多个第二凸块19。
在上述让加料箱2内熔化硅料甩落过程中，转动圆板16的转动会带动抖动网21转动，通过第一凸块22、第二凸块19以及弹簧25的配合下，抖动网21会往复的上下抖动，抖动网21的抖动，可将甩落的熔液被均匀抖散，进一步提高硅料熔液与炉体1内熔体接触的均匀性。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种太阳能光伏硅片生产用单晶炉加料系统，其特征在于，包括：
炉体（1），所述炉体（1）的上放设置有加料箱（2），所述炉体（1）的上端与加料箱（2）通过安装架（3）固定连接，所述加料箱（2）的右侧安装有进料口（10），所述加料箱（2）的内底部设置有柱状口（17），所述炉体（1）的内顶部还设置有开口（27）；
熔化机构，所述熔化机构包括多个固定连接在加料箱（2）上下内壁间的金属加热杆（4），所述加料箱（2）的内壁上安装有感应线圈（5），所述感应线圈（5）与多个金属加热杆（4）配合；
流动机构，所述流动机构用于提高熔化的速度；
所述流动机构包括设置在加料箱（2）内的连接柱（7），所述连接柱（7）的下端开设有提升槽（11），所述连接柱（7）的下端延伸至柱状口（17）内；
所述提升槽（11）的内顶部转动连接有转轴（13），所述转轴（13）外侧设置有螺旋叶片（14），所述提升槽（11）的内顶部左右两侧内壁上设置有第一连通口（12），所述提升槽（11）的内底部空间左右两侧内壁上均开设有第二连通口（15）；
所述转轴（13）的下端延伸至柱状口（17）内，并固定连接有转动圆板（16），所述转动圆板（16）的外侧壁与柱状口（17）的内壁贴合，并滑动连接；
所述加料箱（2）的内顶部开设有矩形槽（6），所述矩形槽（6）的内顶部对称安装有两个液压伸缩杆（8），两个所述液压伸缩杆（8）的伸缩端共同与连接柱（7）的上端固定连接；
所述加料箱（2）的上端安装有电机（28），所述电机（28）的输出轴延伸至矩形槽（6）内，并固定连接有转动伸缩杆（9），所述转动伸缩杆（9）的伸缩端延伸至提升槽（11）内，并与转轴（13）的上端固定连接；
当电机(28)快速转动时，让螺旋叶片(14)快速转动，将位于底部部分的硅料运动到顶部；当电机(28)低速转动时，螺旋叶片(14)低速转动，使熔化的液体下移的速度较慢。
2.根据权利要求1所述的一种太阳能光伏硅片生产用单晶炉加料系统，其特征在于，所述转动圆板（16）的下端固定连接有空心盒（23），所述空心盒（23）内设置有可上下滑动的滑动块（24），所述滑动块（24）的上端与空心盒（23）的内顶部通过弹簧（25）弹性连接，所述滑动块（24）的下端固定连接有连柱（26），所述连柱（26）的下端延伸至外界，并固定连接有抖动网（21）。
3.根据权利要求2所述的一种太阳能光伏硅片生产用单晶炉加料系统，其特征在于，所述抖动网（21）的下端偏心处固定连接有多个第一凸块（22），所述炉体（1）的左侧内壁上固定连接有连接杆（20），所述连接杆（20）的右端固定连接有圆环（18），所述圆环（18）的上端固定连接有多个第二凸块（19）。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310641376.XA CN116623275B (zh) | 2023-06-01 | 2023-06-01 | 一种太阳能光伏硅片生产用单晶炉加料系统 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310641376.XA CN116623275B (zh) | 2023-06-01 | 2023-06-01 | 一种太阳能光伏硅片生产用单晶炉加料系统 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116623275A CN116623275A (zh) | 2023-08-22 |
| CN116623275B true CN116623275B (zh) | 2024-01-02 |
Family
ID=87641541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310641376.XA Active CN116623275B (zh) | 2023-06-01 | 2023-06-01 | 一种太阳能光伏硅片生产用单晶炉加料系统 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116623275B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117661112B (zh) * | 2023-12-14 | 2024-06-21 | 连城凯克斯科技有限公司 | 一种连续加料式单晶炉 |
| CN117888196B (zh) * | 2023-12-29 | 2024-07-26 | 连城凯克斯科技有限公司 | 一种光伏单晶炉的连续加料装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT512275B1 (de) * | 2012-03-12 | 2013-07-15 | Pinda Technology Co Ltd | Metallschmelzvorrichtung und Verfahren zum Schmelzen von Metall |
| CN115369477A (zh) * | 2022-09-26 | 2022-11-22 | 浙江求是半导体设备有限公司 | 一种晶体生长炉复投送料装置 |
| CN115679437A (zh) * | 2021-07-30 | 2023-02-03 | 隆基绿能科技股份有限公司 | 一种单晶炉加料系统以及加料控制方法 |
| CN116145239A (zh) * | 2023-04-24 | 2023-05-23 | 苏州晨晖智能设备有限公司 | 单晶硅加料监测方法和单晶硅连续加料装置及其生长装置 |
-
2023
- 2023-06-01 CN CN202310641376.XA patent/CN116623275B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT512275B1 (de) * | 2012-03-12 | 2013-07-15 | Pinda Technology Co Ltd | Metallschmelzvorrichtung und Verfahren zum Schmelzen von Metall |
| CN115679437A (zh) * | 2021-07-30 | 2023-02-03 | 隆基绿能科技股份有限公司 | 一种单晶炉加料系统以及加料控制方法 |
| CN115369477A (zh) * | 2022-09-26 | 2022-11-22 | 浙江求是半导体设备有限公司 | 一种晶体生长炉复投送料装置 |
| CN116145239A (zh) * | 2023-04-24 | 2023-05-23 | 苏州晨晖智能设备有限公司 | 单晶硅加料监测方法和单晶硅连续加料装置及其生长装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116623275A (zh) | 2023-08-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN116623275B (zh) | 一种太阳能光伏硅片生产用单晶炉加料系统 | |
| CN106435712B (zh) | 一种炉腔可更换的晶体提拉炉 | |
| CN102836658B (zh) | 硅切割废砂浆搅拌装置 | |
| CN108624952A (zh) | 一种晶体生长控制装置及控制方法 | |
| CN101954475B (zh) | 一种具有锡锅搅拌装置的液态金属冷却定向凝固设备 | |
| CN105772661A (zh) | 合金快速凝固设备及利用该设备进行合金快速凝固的方法 | |
| CN116728631A (zh) | 一种塑料颗粒加工用热熔装置及塑料颗粒加工工艺 | |
| CN219670350U (zh) | 一种盖板玻璃窑炉卡脖水包调整系统 | |
| CN108529888A (zh) | 耐高温铝浆用玻璃粉的制备方法 | |
| CN210085624U (zh) | 单晶炉石英坩埚的升降装置 | |
| CN1890409A (zh) | 落下管式粒状结晶制造装置及粒状结晶制造方法 | |
| CN108580814B (zh) | 一种制备金属半固态浆料的方法 | |
| CN102286781B (zh) | 一种蓝宝石晶体生长用坩埚移动装置 | |
| CN106544722B (zh) | 一种晶体垂直自动化生长装置 | |
| CN211595843U (zh) | 一种高精度晶体生长粉料给定控制装置 | |
| CN210529103U (zh) | 一种用于晶体生长的称量装置 | |
| CN102181917B (zh) | 一种人工晶体自动控制生长连续加料装置 | |
| CN108941497A (zh) | 微型透平压缩机用多级涡轮转子的铸造装置及铸造方法 | |
| CN207452300U (zh) | 适宜蓝宝石晶体生长用的坩埚移动装置 | |
| CN1330798C (zh) | 熔体注入法生长近化学比铌酸锂晶体系统及其工艺 | |
| CN1045427A (zh) | 半导体致冷取向晶体的制备方法及设备 | |
| CN209288271U (zh) | 一种改进的制粒装置 | |
| CN102425005A (zh) | 多晶硅铸锭炉下炉体定向凝固系统及其铸锭工艺 | |
| CN113337883B (zh) | 一种陶瓷生产工艺 | |
| CN221666601U (zh) | 熔样机的转摆机构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |