CN115679437A - 一种单晶炉加料系统以及加料控制方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种单晶炉加料系统以及加料控制方法，涉及太阳能光伏技术领域，以解决在供给固态原料的过程中，当固态原料落入到坩埚内熔体中时，会产生较大冲击，导致熔体液面振荡，影响单晶生长的技术问题。上述单晶炉加料系统，包括加料装置以及导料装置；导料装置包括导料加热部。加料装置的出料口与导料加热部的入料口相对设置，用于将原料加入导料加热部中，导料加热部用于对原料进行熔融，得到熔料；导料加热部的出料口伸入单晶炉中，用于将熔料导入单晶炉的坩埚内。

Description

一种单晶炉加料系统以及加料控制方法

技术领域

本发明涉及太阳能光伏技术领域，尤其涉及一种单晶炉加料系统以及加料控制方法。

背景技术

目前，拉制单晶硅的工艺包括CZ(Czochralski，直拉单晶制造法)和CCZ(Continuous Czocharlski，连续拉晶)工艺。

采用CCZ工艺拉制单晶硅棒时，通常在单晶炉外设置加料器装置，在保持拉晶的同时将固态原料连续地加入单晶炉的坩埚中，从而保证连续拉晶的进行。

但在供给固态原料的过程中，当固态原料直接落入到坩埚内熔体中时，会产生较大机械冲击和热冲击，导致熔体液面振荡，并在晶体生长界面的引起温度梯度变化，影响单晶生长。

发明内容

基于此，本发明的目的在于提供一种单晶炉加料系统以及加料控制方法，以解决在供给固态原料的过程中，当固态原料落入到坩埚内熔体中时，会产生较大冲击，导致熔体液面振荡，影响单晶生长的技术问题。

本发明提供的单晶炉加料系统，包括加料装置以及导料装置；导料装置包括导料加热部。加料装置的出料口与导料加热部的入料口相对设置，用于将原料加入导料加热部中，导料加热部用于对原料进行熔融，得到熔料；导料加热部的出料口伸入单晶炉中，用于将熔料导入单晶炉的坩埚内。

在采用上述方案的情况下，本发明提供的单晶炉加料系统包括加料装置以及导料装置，加料装置的出料口与导料加热部的入料口相对设置，用于将原料加入导料加热部中，导料加热部用于对原料进行熔融，以得到熔料。由于导料加热部的出料口伸入单晶炉中，故在导料加热部中熔融的熔料，可以进入单晶炉的坩埚内。基于此，本发明在单晶炉外部将原料进行熔融，然后将原料熔融后得到的液态熔料加入单晶炉的坩埚内，液态熔料的加入，相对于固态原料对坩埚内本身存在熔料产生的冲击较小，基本不会导致坩埚内的熔料液面产生波纹，因此，本发明提供的单晶炉加料系统在对单晶炉的坩埚进行加料时，不会影响单晶硅棒的生长，保证了单晶硅棒的品质。

再者，基于以上结构，本发明结构简单、成本较低，控料更便于调节，易于维护。

在一种可能的实现方式中，导料装置还包括高度调节机构，高度调节机构与导料加热部相连接，用于调整导料加热部相对坩埚的顶部的倾斜度。例如，导料加热部相对坩埚的顶部的倾斜角度大于或等于15°，小于或等于60°。

在采用上述方案的情况下，可以通过上述高度调节机构对导料加热部相对坩埚倾斜度的控制，从而控制熔料的流动速度，进而可以使导料装置中的定量熔料加入至单晶炉的坩埚中，以达到对加入坩埚中熔料量的控制。

具体的，上述导料装置还包括壳体，导料加热部的入料口位于壳体内，加热导料部的出料口通过壳体后，伸入单晶炉中。高度调节机构的一端固定于壳体上，另一端与导料加热部的入料口一端相连接，用于通过调整所述导料加热部的入料口相对所述导料加热部出料口的高度，以调整所述导料加热部相对所述坩埚的顶部的倾斜角度，从而使使熔料能够以不同的速度进入单晶炉的坩埚中。

进一步的，上述导料装置还包括可转动支撑件，可转动支撑件的一端固定于所述壳体上，另一端与导料加热部相连接，且可转动支撑件位于设置于高度调节机构与导料加热部出料口之间。可转动支撑件用于在导料加热部具有不同倾斜度时，以实现对上述导料加热部进行支撑。

在一种可能的实现方式中，导料装置还包括隔热件，隔热件设置于导料加热部的外周与壳体的内壁之间。

在采用上述技术方案的情况下，在导料加热部的外周设置隔热件，可以防止导料加热部在熔料导料过程中热量的散失。

在一种可能的实现方式中，导料加热部包括导料件以及设置在导料件上的加热件。加料装置的出料口与所述导料件的入料口相对设置，导料件的出料口伸入单晶炉中；

导料件与所述高度调节机构相连接，用于调整导料件相对所述坩埚的顶部的倾斜角度。

在采用上述方案的情况下，加热件用于对导料件中的原料进行加热，以得到熔料，导料件用于将熔料导入单晶炉的坩埚中。上述导料件与高度调节机构相连接，通过高度调节机构调整导料件相对所述坩埚的顶部的倾斜角度，以使导料件中的熔料能够进入单晶炉的坩埚内。

具体的，上述加热件可以为电磁感应加热件。进一步的，上述加热件为电磁感应线圈，所述导料件为导料管，所述加热线圈环绕设置在所述导料管的外周。

在一种可能的实现方式中，本发明中的导料件的入料口的切面与导料件的横截面之间的夹角大于15°，小于60°。也就是说，上述导料件的入料口具有倾斜设置的切面，基于此，可以增大入料口的面积，从而使加料装置中原料更容易进入导料件中。进一步的，导料件的入料口的切面与导料件的轴向横截面之间的夹角，与导料件相对坩埚的顶部的倾斜角度之间的差值大于或等于0°，小于或等于5°。

在一种可能的实现方式中，加料装置的出料口高度高于导料加热部的入料口高度，导料加热部的出料口高度高于单晶炉的坩埚的顶部高度。

在采用上述技术方案的情况下，加料装置的出料口高度高于导料加热部的入料口高度，导料加热部的出料口高度高于单晶炉中坩埚的顶部高度。基于此，加料装置中的原料可以利用自身重力进入导料加热部中，导料加热部中的熔料也可通过自身重力进入坩埚中，无需借助任何动力机构，也无需对加料装置和导料加热部的结构作任何特殊设计。

在一种可能的实现方式中，加料装置包括加料部。所述加料部的入料口用于接收所述原料，所述加料部的出料口与所述导料加热部的入料口相对设置，用于向所述导料加热部提供所述原料。所述加料部的出料口高度高于所述导料加热部的入料口高度。

进一步的，所述加料装置还包括原料供应部以及震动加料器。所述原料供应部的出料口与所述加料部的入料端相对设置，所述加料部的出料端与所述导料加热部的入料口相对设置，用于将所述原料加入所述导料加热部中。所述震动加料器与所述加料部相连接，用于向所述加料部提供震动力，以使所述加料部中预设质量的所述块状原料进入所述导料加热部中。

在采用上述技术方案的情况下，震动加料器用于向加料部提供震动力，以使加料部中预设质量的原料进入熔料装置中。基于此，可以通过调整震动加料器的震动参数，以使加料件向导料加热部提供不同质量的原料，从而保证加入到导料加热部中的原料均能充分熔融，以进一步提高拉制的单晶硅棒的品质。

进一步的，所述震动加料器还与所述导料加热部的控制器通信连接，用于向所述控制器提供震动参数，所述控制器用于根据所述震动参数，控制所述导料加热部的加热件的加热参数。

在采用上述技术方案的情况下震动加料器用于向控制器提供震动参数，控制器用于根据震动参数，控制导料加热部的加热件的加热参数。基于此，本发明的导料加热部中的加热件的加热参数可以根据加入到导料加热部的原料的质量进行设定，从而保证加入到导料加热部中的原料均能充分熔融，以进一步提高拉制的单晶硅棒的品质。

第二方面，本发明还公开了一种加料控制方法，包括：

控制加料装置向所述导料加热部提供原料；

控制所述导料加热部对所述原料进行熔融，以得到熔料；所述熔料通过所述导料加热部进入单晶炉的坩埚内。

本发明中第二方面及其各种实现方式的有益效果与第一方面或第一方面任一可能的实现方式的有益效果相同，此处不再赘述。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1示出了本发明实施例提供的一种单晶炉加料系统的结构示意图；

图2示出了本发明实施例提供的一种导料管的结构示意图。

其中，10-加料装置，101-原料供应部，102-加料部，103-震动加料器，20-导料装置，201-导料加热部，2011-导料件，20111-导料件的入料口，2012-加热件，202-高度调节机构，203-隔热件，204-可转动支撑件，205-壳体，30-单晶炉，坩埚-301。

具体实施方式

以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。“若干”的含义是一个或一个以上，除非另有明确具体的限定。

目前，拉制单晶硅的工艺包括CZ(Czochralski，直拉单晶制造法)和CCZ(Continuous Czocharlski，连续拉晶)工艺。

采用CCZ工艺拉制单晶硅棒时，通常在单晶炉外设置加料器装置，以将固态原料连续地加入单晶炉的坩埚中，从而保证连续拉晶的进行。

但在供给固态原料的过程中，当固态原料落入到坩埚内熔体中时，会产生较大冲击，导致熔体液面振荡，影响单晶生长。

基于此，本发明实施例公开了一种单晶炉加料系统，以解决在供给固态原料的过程中，当固态原料落入到坩埚内熔体中时，会产生较大冲击，导致熔体液面振荡，影响单晶生长的技术问题。

图1示出了本发明实施例提供的一种单晶炉加料系统的结构示意图，参照图1，本发明实施例提供的单晶炉加料系统包括加料装置10以及导料装置20。导料装置20包括导料加热部201。加料装置10的出料口与导料加热部201的入料口相对设置，用于将原料加入导料加热部201中，导料加热部201用于对原料进行熔融，得到熔料；导料加热部201的出料口伸入单晶炉中，用于将熔料导入单晶炉的坩埚301内。

上述加料装置的出料口与导料加热部的入料口相对设置，用于将原料加入导料加热部中，导料加热部用于对原料进行熔融，以得到熔料。由于导料加热部的出料口伸入单晶炉中，故在导料加热部中熔融的熔料，可以进入单晶炉的坩埚内。基于此，本发明在单晶炉外部将原料进行熔融，然后将原料熔融后得到的液态熔料加入单晶炉的坩埚内，液态熔料的加入，相对于固态原料对坩埚内本身存在熔料产生的冲击较小，基本不会导致坩埚内的熔料液面产生波纹，因此，本发明提供的单晶炉加料系统在对单晶炉的坩埚进行加料时，不会影响单晶硅棒的生长，保证了单晶硅棒的品质。

其中，上述导料装置20还包括高度调节机构202，高度调节机构202与导料加热部201相连接，用于调整导料加热部201相对单晶炉内坩埚的顶部的倾斜角度。基于此，可以通过高度调节机构202对导料加热部201相对坩埚的顶部的倾斜角度进行控制，从而控制熔料的流动速度，进而可以使导料装置20中的定量熔料加入至单晶炉的坩埚中，以达到对加入坩埚中熔料量的控制。

具体的，导料加热部相对所述坩埚的顶部的倾斜角度大于或等于15°，小于或等于60°。

在实际中，可以通过增大导料加热部相对所述坩埚的顶部的倾斜角度，来增大加入至单晶炉的坩埚中熔料的流量。相反的，可以通过减小导料加热部相对所述坩埚的顶部的倾斜角度，来减小加入至单晶炉的坩埚中熔料的流量。

示例性的，导料加热部相对所述坩埚的顶部的倾斜角度为15°。

示例性的，导料加热部相对所述坩埚的顶部的倾斜角度为35°。

示例性的，导料加热部相对所述坩埚的顶部的倾斜角度为55°。

在具体的应用中，导料装置还包括壳体，导料加热部的入料口位于壳体内，加热导料部的出料口通过壳体后，伸入单晶炉中。具体的，高度调节机构202可以与导料加热部201的入料口一端固定于所述壳体上，另一端相连接，用于调整导料加热部201的入料口相对导料加热部201出料口的高度，以使熔料能够以不同的速度进入单晶炉的坩埚中。

具体的，参照图1，上述导料加热部201、高度调节机构202均可以安装在壳体中。具体的，高度调节机构202的一端与壳体205的底部相连接，另一端与导料加热部201的入料口一端相连接。导料加热部201的入料口一端通过高度调节机构202固定的壳体205内，并通过高度调节机构202调整导料加热部201的入料口一端相对壳体205底部的高度。

在一种具体的实现方式中，为了便于调整导料加热部201相对坩埚301的倾斜度，可以将高度调节机构202与导料加热部201的连接方式设置为可转动连接。也就是说，在导料加热部201相对坩埚301的倾斜度逐渐变化的过程中，由于连两者之间的可转动连接关系，高度调节机构202与导料加热部201的连接位置不会发生变化。

参照图1，导料装置20还包括可转动支撑件204，所述可转动支撑件204的一端固定于所述壳体205上，可转动支撑件204的另一端与导料加热部201相连接，且设置于高度调节机构202与导料加热部201的出料口之间。并在导料加热部201具有不同倾斜度时，以对上述导料加热部201进行支撑和固定。

具体的，上述可转动支撑件204可以为旋转铰链。在上述高度调节机构202对导料加热部201的入料口一侧的高度进行调整的过程中，可转动支撑件204与导料加热部201转动连接，用于以保证对导料加热部201的支撑作用。

参照图1，可转动支撑件204的一端固定在壳体205的底部，另一端与导料加热部201可转动连接。在上述高度调节机构202对导料加热部201相对坩埚的倾斜度进行调整的过程中，可转动支撑件204本身的固定位置不会发生变化，与导料加热部201的连接位置也不会发生变化，只是导料加热部201相对可转动支撑件204发生转动，两者之间的夹角发生变化。基于此，不仅可以简化导料装置整体的结构，还可以实现对导料加热部201相对坩埚301的倾斜度的调整。

参照体1，上述导料装置还包括隔热件203，隔热件203设置于所述导料加热部的外周与所述壳体的内壁之间。

其中，该隔热件可以为保温毡，用于防止导料加热部的热量散失，进而防止导料加热部中熔料的结晶固化，在利用本发明实施例提供的单晶炉加料系统对单晶炉中的坩埚进行加料时，可以保证单晶硅棒的生长和品质。

具体的，参照图1，上述隔热件203设置在壳体201内，可以填充在壳体的内壁中，防止导料加热部201向壳体201的外部散失热量。

在本发明实施例中，上述导料加热部201包括导料件2011以及设置在所述导料件2011上的加热件2012。其中，加料装置10的出料口与所述导料件2011的入料口相对设置，导料件2011的出料口伸入单晶炉30，并与单晶炉30内坩埚301的入料口相对设置中，以将导料件2011中的熔料导入坩埚301中。且上述导料件2011与所述高度调节机构202相连接，高度调节机构202用于调整导料件2011相对坩埚的顶部的倾斜角度。

其中，上述导料件2011可以为导料管，导料管的材质可以为非金属高纯材料。上述加热件2012设置在导料管的外周，且与外部电源电连接，用于对导料管中原料进行加热熔融，且用于保证导料管中流通的熔料不会发生结晶，从而确保导料管中熔料具有稳定的流动性。

上述加热件2012可以为电磁感应加热件。具体的，电磁感应加热件为电磁加热线圈。电磁加热线圈可以为高频或中频线圈，该电磁加热线圈环绕设置在导料管的外周。

加热件2012采用较大功率感应线圈，使原料在导料管中滑动的过程中实现液化，最终流入单晶炉的坩埚中。

图2示出了本发明实施例提供的一种导料管的结构示意图。参照图2，为了使加料装置中的原料能够更容易进入导料件2011中，导料件2011的入料口20111的切面与导料件2011的横截面之间的夹角大于15°，小于60°。

可以看出，上述导料件的切面相对于导料件的横截面具有一定的夹角。其中，夹角范围可以根据具体的情况进行设定，且当该夹角越小时，导料件的入料口的面积越大，导料件的可入料区域就越大。在实际中，当原料的尺寸较大时，需要将导料件的切面相对于导料件的横截面之间的夹角值设置的较小。

示例性的，上述导料件2011的入料口20111的切面与导料件2011的横截面之间的夹角为15°。

示例性的，上述导料件2011的入料口20111的切面与导料件2011的横截面之间的夹角为30°。

示例性的，上述导料件2011的入料口20111的切面与导料件2011的横截面之间的夹角为55°。

可以理解，为了使加料装置中原料更容易进入导料件中，可以将导料件的入料口的切面与导料件的横截面之间的夹角设置的尽可能小。

进一步的，导料件的入料口的切面与导料件的轴向横截面之间的夹角，与导料件相对坩埚的顶部的倾斜角度之间的差值大于或等于0°，小于或等于5°。

参照图1，本发明实施例提供的加料装置10包括原料供应部101以及加料部102。原料供应部101的出料口与加料部102的入料端相对设置，加料部102的出料端与导料加热部201的入料口相对设置，用于将原料加入导料加热部201中。

为了适应上述导料加热部的结构，本发明实施例中的原料可以为块状原料，块状原料盛放在原料供应部101中。原料供应部101的出料口与加料部102的入料端相对设置，用于向加料部102提供原料。

具体的，上述加料装置10还包括包括震动加料器103。震动加料器103与述加料部102相连接，用于向加料部102提供震动力，以使加料部102中预设质量的原料进入导料加热部201中。

具体的，参照图1，上述原料供应部101可以为漏斗形，此时，原料从原料供应部的上方开口处进入原料供应部101中，从原料供应部的底部漏出至加料部102的加料部102中。其中，加料部102中可以为槽状加料部。加料部102中的入料端与上述漏斗形的原料供应部101的底部相对设置，加料部102中的出料端与导料加热部201的入料口相对设置，用于将原料加入导料加热部201中。震动加料器103设置在加料部102的下侧。更优的，震动加料器103可以设置在加料部102的入料端下侧，用于向加料部102提供震动力，从而将块状原料加入到导料加热部201中。

上述震动加料器103的震动参数可以调整，通过调整震动加料器103的震动参数可以调整施加在加料部102上的震动力，从而可以使加料件中预设质量的原料进入导料加热部201中。其中，上述预设质量的原料可以根据实际的需求来确定，本发明实施例对此不作具体的限定。

进一步的，上述震动加料器103在向加料部102提供震动力时，还用于将震动加料器103的震动参数发送给导料加热部的的控制器。控制器根据震动参数，控制导料加热部的的加热件的加热参数。基于该加热参数，加热件可以在在合适的时长内，使导料加热部201内新加入的原料熔融，以满足实际需求。

基于此，本发明的导料装置20中的加热件的加热参数可以根据加入到导料加热部的的原料的质量进行设定，从而保证加入到导料装置20中的原料均能充分熔融，以进一步提高拉制的单晶硅棒的品质。

本发明实施例还提供了一种加料控制方法，包括：

控制加料装置向所述导料加热部提供原料；

控制所述导料加热部对所述原料进行熔融，以得到熔料；所述熔料通过所述导料加热部进入单晶炉的坩埚内。

本发明实施例还提供的加料控制方法的有益效果与上述单晶炉加料系统的有益效果相同，此处不再赘述。

尽管在此结合各实施例对本发明进行了描述，然而，在实施所要求保护的本发明过程中，本领域技术人员通过查看附图、公开内容、以及所附权利要求书，可理解并实现公开实施例的其他变化。在权利要求中，“包括”(comprising)一词不排除其他组成部分或步骤，“一”或“一个”不排除多个的情况。单个处理器或其他单元可以实现权利要求中列举的若干项功能。相互不同的从属权利要求中记载了某些措施，但这并不表示这些措施不能组合起来产生良好的效果。

尽管结合具体特征及其实施例对本发明进行了描述，显而易见的，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可对其进行各种修改和组合。相应地，本说明书和附图仅仅是所附权利要求所界定的本发明的示例性说明，且视为已覆盖本发明范围内的任意和所有修改、变化、组合或等同物。显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包括这些改动和变型在内。

Claims (16)

1.一种单晶炉加料系统，其特征在于，所述单晶炉加料系统包括加料装置以及导料装置；所述导料装置包括导料加热部；

所述加料装置的出料口与所述导料加热部的入料口相对设置，用于将原料加入导料加热部中，所述导料加热部用于对所述原料进行熔融，得到熔料；所述导料加热部的出料口伸入单晶炉中，用于将所述熔料导入所述单晶炉的坩埚内。

2.根据权利要求1所述的单晶炉加料系统，其特征在于，所述导料装置还包括高度调节机构，所述高度调节机构与所述导料加热部相连接，用于调整所述导料加热部相对所述坩埚的顶部的倾斜角度。

3.根据权利要求2所述的单晶炉加料系统，其特征在于，所述导料装置还包括壳体，所述导料加热部的入料口位于所述壳体内，所述加热导料部的出料口通过所述壳体后，伸入所述单晶炉中。

4.根据权利要求3所述的单晶炉加料系统，其特征在于，所述高度调节机构的一端固定于所述壳体上，另一端与所述导料加热部的入料口一端相连接，用于通过调整所述导料加热部的入料口相对所述导料加热部出料口的高度，以调整所述导料加热部相对所述坩埚的顶部的倾斜角度。

5.根据权利要求3所述的单晶炉加料系统，其特征在于，所述导料装置还包括可转动支撑件，所述可转动支撑件的一端固定于所述壳体上，另一端与所述导料加热部相连接，且所述可转动支撑件位于所述高度调节机构与所述导料加热部出料口之间。

6.根据权利要求3所述的单晶炉加料系统，其特征在于，所述导料装置还包括隔热件，所述隔热件设置于所述导料加热部的外周与所述壳体的内壁之间。

7.根据权利要求2所述的单晶炉加料系统，其特征在于，所述导料加热部相对所述坩埚的顶部的倾斜角度大于或等于15°，小于或等于60°。

8.根据权利要求2-7任一项所述的单晶炉加料系统，其特征在于，所述导料加热部包括导料件以及设置在所述导料件上的加热件；

所述加料装置的出料口与所述导料件的入料口相对设置，所述导料件的出料口伸入单晶炉中；

所述导料件与所述高度调节机构相连接，所述高度调节机构用于调整所述导料件相对所述坩埚的顶部的倾斜角度。

9.根据权利要求8所述的单晶炉加料系统，其特征在于，所述加热件为电磁感应加热件；

或，所述加热件为电磁感应线圈，所述导料件为导料管，所述加热线圈环绕设置在所述导料管的外周。

10.根据权利要求8所述的单晶炉加料系统，其特征在于，所述导料件的入料口的切面与所述导料件的轴向横截面之间的夹角大于15°，小于60°。

11.根据权利要求8所述的单晶炉加料系统，其特征在于，所述导料件的入料口的切面与所述导料件的轴向横截面之间的夹角，与所述导料件相对所述坩埚的顶部的倾斜角度之间的差值大于或等于0°，小于或等于5°。

12.根据权利要求1-7任一项所述的单晶炉加料系统，其特征在于，所述加料装置的出料口高度高于所述导料加热部的入料口高度，所述导料加热部的出料口高度高于所述单晶炉的坩埚的顶部高度。

13.根据权利要求1-7任一项所述的单晶炉加料系统，其特征在于，所述加料装置包括加料部；

所述加料部的入料口用于接收所述原料，所述加料部的出料口与所述导料加热部的入料口相对设置，用于向所述导料加热部提供所述原料；

所述加料部的出料口高度高于所述导料加热部的入料口高度。

14.根据权利要求13所述的单晶炉加料系统，其特征在于，所述加料装置还包括原料供应部以及震动加料器；

所述原料供应部的出料口与所述加料部的入料端相对设置，所述加料部的出料端与所述导料加热部的入料口相对设置，用于将所述原料加入所述导料加热部中；

所述震动加料器与所述加料部相连接，用于向所述加料部提供震动力，以使所述加料部中预设质量的所述块状原料进入所述导料加热部中。

15.根据权利要求14所述的单晶炉加料系统，其特征在于，所述震动加料器还与所述导料加热部的控制器通信连接，用于向所述控制器提供震动参数，所述控制器用于根据所述震动参数，控制所述导料加热部的加热件的加热参数。

16.一种加料控制方法，其特征在于，应用于权利要求1-15任一项所述的单晶炉加料系统中，所述加料控制方法包括：

控制加料装置向所述导料加热部提供原料；

控制所述导料加热部对所述原料进行熔融，以得到熔料；所述熔料通过所述导料加热部进入单晶炉的坩埚内。

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