CN1166036A - 芯片电子器件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

芯片电子器件制造工序既要简单又要能批量生产，而且仅与端面的电极层相压接即可获得充分地导通。在基板上形成多数的平行长孔，在长孔内形成电极层3，在基板的表面上和电极层3的表面部上，形成由连续电子器件组成的电子器件层之后，经切断基板两分割成单个的芯片电子器件1，从而在基体2的表面上形成电子器件层4，而电子器件层4的端部，在基体2的两侧所形成的电极层3的表面部3a上，再同电极层3进行电的连接，结果即可获得芯片电子器件1。

Description

芯片电子器件及其制造方法

本发明是有关芯片电子器件及其制造方法，即由过电压吸收器和其它电子器件所组成的电子器件，尤其是在基体端面所形成的原电极层，同该电极层相连接的其它电极之间，可实现稳定的电气连接。

图10所示是采用现有芯片电子器件为例的过电压吸收器的断面图，图11(a)～(f)所示是上述过电压吸收器制造方法的工序顺序说明图。

图10所示的过电压吸收器10A，是在平板状的芯片基体11表面上，由作为电子器件层的电阻层12a和12b而组成的，在这些电阻层12a和12b之间制成微小间隔G的缝隙13。在基体11的两端部设有电极层14a和14b，分别与电阻层12a和12b进行电的连接。这个电极层14a和14b，在基体11的表面上与电阻层12a和12b的两端部相接触，并旋入基体11的两端面和其内侧。两对这个电极层14a和14b，与主电极15a和15b由于进行压接，因此是分别处于面接合。

主电极15a和15b是通过引线16a和16b相连接。基体11和主电极15a、15b被封入玻璃密封体17之内，而引线16a和16b是穿出玻璃密封体17的外部。接着在玻璃密封体17的内部，充入氩、氖、氦等惰性气体，以保持所定的内压力。

象这样结构的过电压吸收器10A，过去是如下制造的。

首先如图11(a)所示，在将基体11制成数个可取面积的基板11A的整体表面上形成电阻层之后，则如图11(b)所示那样，采用蚀刻法将电阻层12A刻划成沟状，使其形成缝隙13A。然后将基体11A按图11(b)所示沿虚线13B的切断位置进行纵横切断，以分割成每个分别的基体11。

被分割成每个分别的基体11如图11(c)所示，在表面上其电阻层12a和12b，通过缝隙13而形成隔离状态。每个基体11的大小约为1.2mm×2.0mm～4.5mm×7.0mm。

然后将每个基体11通过工具进行集合固定，将数个基体11汇集一起，如图11(d)所示，在其两端面采用喷镀法分别形成电阻层11a和11b。

如下图11(e)所示，使被切断的每个基体11和两侧电极层14a和14b，分别与带有引线16a和16b的主电极15a和15b进行压接，相互成为面接合，然后如图11(f)所示，将其封入玻璃密封体17内，最后而制成过电压吸收器10A。

可见，过去的过电压吸收器，它是将基板11A分割成每个基体11之后，而对每个基体11利用喷镀而形成电极层14a和14b。

但是，将从基板11A所分割成的基体11汇集一起，需利用工具进行保持，这种作业程序效率很低，而且使用工具所保持的每个基体11，首先需在一方的端面上喷镀成14a，而后再将工具和每个基体11的固定位置倒过来，再对另一端面14b进行喷镀，这样使形成电极层14a和14b的工序量增大且制造效率低。

针对此问题，本发明人等曾提出了这样一个方案(日本专利申请平第7-26979号)，即在从基板11A分割成每个基体11之前，便可形成电极层14a和14b的方法。

图12是本方案中形成电极层14a和14b的形成工序断面图说明图。

本发明人等所提出的方法，如图12(a)所示，首先在基板11A上，利用喷镀和蚀刻法形成电阻层12a和12b。在组成一个电子器件的电阻层12a和12b之间，形成微小间隔的缝隙13，而相邻电子器件的电阻层12a和12b之间是沿着图中的X方向刻出一定的间隔。

相继在电阻层12a和12b上形成保护层，这个保护层18是在组成电子器件的电阻层12a和12b的两端缘部，已被除掉两端缘部的电阻层12a和12b上和缝隙13上而形成的。

其次，基板11A是通过喷镀，真空镀和电镀等而形成的电阻层14。这个电阻层14是在第1个切削沟19的底面(八)和两侧内壁上，以及在电阻层12a和12b的保护层18未被覆盖的面上和保护层18上而形成的。

然后在基板11A的内面侧制成第2个切削沟20。第2个切削沟20沿X方向的宽度尺寸W₁比第1个切削沟19的宽度尺寸还大。而第2个切削沟20与第1个切削沟处于相同位置，并切入到与第1个切削沟相重复的深度。这样由于形成了第2个切削沟20，第1个切削沟19的底面(八)被除掉，结果基板11A即分离成数个块体。这个块体呈细长的带状。

由于除掉保护层18，如图12(b)所示，即形成了从电阻层12a和12b的缘部延伸到电极层14a和14b。

将这样的块体，在其长度方向按一定间隔进行切断，即可获得每个芯片电子器件。

通过此过程所得到的芯片电子器件，在断面约呈T字形的基体11的两端面上，就形成了膜厚为50～300nm的电极层14a和14b，而且这个电极层14a和14b是重叠在电阻层12a和12b的缘部上。因此带有引出线的主电极，使其与基体11的两端面的电极层14a和14b相压接，由此而组成了过电压吸收器。

这样由本发明人等所提出的制造方法，由于它是将电极层14a和14b形成汇集一体，而后将基体11再分割成每个基体，因此制造工序简单且适于批量生产。

虽然如此，但是基体11其断面是呈T字状，在电极层14a和14b所形成的两端面的基体11，其内面侧有凹进部。因此在电极层14a和14b所形成的两端面，当与主电极相压接时，由于基体11的两端部存有缺陷或易于变形，致使被压接的电极层14a和14b同主电极的导通，会出现不稳定状态。

鉴于上述，本发明的课题，是使芯片电子器件的制造工序既简单又可批量生产，同时仅采取与基体端面的电极层相互压接，即可获得充分地导通。

为解决上述课题，根据本发明，本芯片电子器件的特征，是在基体表面上形成电子器件所组成的电子器件层，同上述电子器件层的端部，是同在上述基体的两侧所形成的电极层，和该电极层的表面部具有电气连接。上述电子器件层是在基体的表面上将其形成具有微小的间隔，并被分隔成多数的电阻层。

本发明的制造方法步骤如下：是在基板上有形成多数平行长孔的长孔形成工序，在该长孔内有形成电极层的电极形成工序，在上述基板的表面上和上述电极层表面上有形成连接电子器件层的电子器件层形成工序，以及切断上述电极层和电子器件层所形成的基板，使其每个芯片电子器件相互分隔的切断工序。在上述电极层形成的过程中，对上述长孔内进行涂刷导电性油墨。上述基板的表面到长孔内壁由溅射所形成的电极材料膜，可通过清除手段除掉其上述基板上的电极材料膜。可将多数基板成重叠状态进行溅射。

下面对本发明进行详细说明。

图1是本发明芯片电子器件的第1实施例的斜视图；

图2是用图1的芯片电子器件所组成的过压吸收器的斜视图；

图3是表示本发明的芯片电子器件第1制造例中的长孔形成工序，(a)是斜视图，(b)是沿A-A’线的断面图；

图4是表示本发明芯片电子器件的第1制造例中的电极层形成工序断面图；

图5是表示本发明芯片电子器件第1制造例中的电子器件层形成工序，(a)是斜视图、(b)是沿B-B’线的断面图；

图6是表示本发明芯片电子器件第1制造例中的切断工序斜视图；

图7是表示本发明芯片电子器件第2制造例中的电极层形成工序的工序顺序断面图；

图8是表示本发明芯片电子器件第2制造例电极层形成方法的他例工序顺序断面图；

图9是表示本发明电子器件第3制造例中的电极层形成工序断面图；

图10是表示采用现有芯片电子器件的过压吸收器的断面图；

图11是表示图1芯片电子器件制造方法的工序顺序斜视图；

图12是表示至今所提出的芯片电子器件制造方法的工序顺序断面图。

图1所示是本发明第1实施例的芯片电子器件的斜视图。在以下实施例中，对最适用于过电压吸收器的芯片电子器件为例进行说明。图2所示是用芯片电子器件所组成的过压吸收器为例的斜视图。

图中符号1是表示芯片电子器件，这个芯片电子器件1是由基体2、两个电极层3和电子器件层4而组成的。

基体2是选用了硅基板，玻璃基板和兰宝石基板。这些基板中的硅基板，因其加工性好多被人们所应用，但其导电性也高，当在要求必须完全绝缘的情况下，实际玻璃基板和兰宝石基板也被常用。玻璃基板比较便宜也是人们感兴趣的一点，在玻璃基板中，也可根据耐热性等要求的特性，选用钠玻璃基板和石英基板等相应地分类对象。基体2的厚度T可根据芯片电子器件1的用途而定，例如多选用0.4～1.0mm左右。

电极层3是由基体2的两个端面分别形成。电极层3的材料是由烧结的导电性油墨的导电性材料，同溅射成膜的导电性材料而形成的，根据芯片电子器件1的用途和电极层3形成的方法，而选用适当的材料。在这里如将垂直于基体2的端面方向取作X方向，将垂直X方向且平行于基体2的表面2 a的方向取作Y方向，将垂直于XY方向取作Z方向(以下相同)，则在X方向电极层3的厚度，对应芯片电子器件1的使用条件可将其设置的厚些，例如像图2所示，用于这样过电压吸收器的厚度取为1μm以上，理想厚度是取2μm以上。当电极层3的厚度不足1μm，而电极层3和其它电极相连接时，这时如用X方向的压力对基体2的中心进行压接，则这个力会使电极层破损，或容易产生脱落现象，结果致使导通不良，因此这是不希望的。

在本实施例中，基体2的表面2a和电极层3和3的表面部3a被形成一个面体，使这个基体2的表面2a和电极层3和3的表面部3a，在3a上被形成电子器件层4。电子器件层4是使其两端部，在电极层3、3的表面部3a和3a上进行重叠形成，因此电子器件层4和电极层3和3是有电的连接。

在本实施例中，电子器件层4是由在X方向上切刻一个微小的间隔G，从而形成被隔离的两个电阻层4a和4b而组成的。电阻层4a和4b是利用DLC、非晶质碳、TaSiO₂(钽化合物)和CrSiO₂(铬化合物)等物质，通过真空喷镀而形成的高阻材料。

下面参照制造上述第1实施例的芯片电子器件的第1制造例，对图3～6进行说明。

图3所示是表示长孔形成工序，(a)是基板的斜视图，(b)是图3(a)中的沿A-A’线的断面图。

首先将准备好的基板2A，从其表面2A’内面形成一个贯通的长孔21。

基板2可采用组成能够从芯片电子器件1和基体2中，可取出多个面积较宽的基板。在本例中采用了圆板状的基板2A，但不限于此，基板2A的形状可是任意的。

长孔21至少是2条，长孔21相邻之间的间隔口，它是与每个芯片电子器件1的基体2的X方向，其尺寸是一致且平行的。长孔21的形成，可采用喷镀加工方法和蚀刻加工方法。当采用蚀刻方法时，蚀刻液需根据基板2A的材质进行适当地选择，例如对硅基板而言，采用氟硝酸和KOH(氢氧化钾)为主的碱性蚀刻液为好，而对玻璃基板而言，采用氟硝酸和碘酸为好。

长孔21的宽度W，取为芯片电子器件1的电极层3的X方向厚度的两倍为好，如宽度过窄，对长孔21的加工和加工后的工序作业比较困难，例如宽度过宽，从1张基板2A中所取得的芯片电子器件1的个数太少，当然不利于成本核算。因此例如当基板的厚度T取为0.4～1.0mm时，其长孔21的宽度W取为2～5mm的范围比较理想。

在后面将要谈到切断工序中，为了将基板2A容易分割成每个芯片电子器件1，在基板2A的内面，正如图中虚线所示，将垂直于长孔21的长度方向的延长线状切缝22，最好是取作多数条。切缝22相邻的间隔，要与芯片电子器件1的Y方向尺寸相一致，切缝22的深度一般取为基板2A厚度的1/3左右为好。

在这样的基板2A上形成长孔21之后，在这个长孔21内即形成电极层3A。图4所示是电极层形成工序的断面图。本制造例是采用涂刷法形成的电极层3A。

如图4所示那样，在基板2A所形成的长孔21之中，将导电性油墨24通过细节印刷的手段被涂入之后，在基板2A的表面2A’上则附着有导电性油墨24，这个油墨可利用硬质橡胶的滑规等适当的写入工具进行渗入。

这里所用的导电性油墨24，是由粉末状的导电材料和粘合剂以及基本含有这些材料的溶剂混合而成：例如可适当采用①金、银、铜、铅和钯等导电材料，苯酚树脂、环氧树脂等粘合剂，甲醇等溶剂和金属胶；②银、铅等导电材料，苯酚树脂、环氧树脂等树脂和玻璃混合成的粘合剂，甲醇等溶剂的金属陶瓷油墨；或者③碳黑，石墨等导电材料，苯酚树脂，环氧树脂等粘合剂，甲醇等溶剂的碳油墨等。

导电性油墨24的组成，为实现导电性油墨24形成电极层3的目的，导电材料可随意采用很多方法，但是对粘合剂而言，导电材料过多时，则得不到胶状的导电性油墨24。因此，为获得含有尽可能多的导电材料的油墨状组成物，必须设定好适当的导电材料和粘合剂的使用量。例如在使用碳油墨的情况，其导电体材料的含有率取为20～40vol％左右为适宜。此外导电性油墨24的粘度如果过高或过低，对油墨涂刷入长孔21内都有困难，因此粘度取为在100～1000csp的范围加入溶剂比较理想。

另外，在长孔21内被涂刷入的导电性油墨24，通过烧结而形成电极层3A。例如这种烧结可使用皮带传送式红外加热烧结炉进行。烧结条件可根据所用导电性油墨24的种类不同而不同，而且基板2A必须在未溶融的温度范围内进行。例如当使用碳油墨时，多是在200℃左右温度下进行约10分钟的烧结，而在使用金属陶瓷油墨的情况，在850℃左右温度下进行约10～20分钟的时间为宜。

在通过上述的滑规等进行写入的过程中，在基板表面2A’上已被附着的导电性油墨24，欲将其完全除掉是不可能的，因此通过烧结后在基板2A’上如有残存的导电性油墨薄膜时，可通过抛光研磨等手段对基板表面2A’进行研磨。

这样，在基板2A的长孔21内形成电极层3A之后，在基板2A的表面2A’上，通过溅射和真空镀等手段，即形成多数的电子器件层4。

图5所示是电子器件层形成工序，(a)是斜视图，(b)是图5(a)中沿B-B’线的断面图。电子器件层4如图5(a)和(b)所示那样，在与长孔21的长度方向相垂直的方向(X方向)的两端部，形成相邻的两个长孔21，在21内被形成两个电极层3A，在3A的表面部3A’上，分别形成重叠。这时的电子器件层4和电极层3A的X方向重叠宽度，比长孔21的宽度W要小1/2。此外电子器件层4的平面形状，与已获得的芯片电子器件1的电子器件层4的形状是相一致的，在本制造例中，电阻层4a和4b是由微小间隔G所分割的电阻层而组成的。而且如图5(a)所示，将由这两个电阻层4a和4b组成的电子器件层4，在平行于X方向和基板表面2A的垂直方向(Y方向)上，分别切割出具有一定间隔的多数电子器件层。这时在Y方向相邻的电子器件层4之间的间隙，已被切缝22进行定位而形成电子器件层4。

这样形成电子器件层4之后，切断基板2A，图6所示是切断工序的斜视图。

首先如图5所示，将基板2A在长孔21宽度方向(X方向)的中心的切断位置P，沿着Y的方向进行切断，即可得到如图6所示的小册子形器件。这种切断可采用冲模进行切断。而且根据需要切断面尚要研磨。

其次，通过在基板2A内面的切缝22的位置，所获得的小册子形的器件，即可得到如图1所示的每个芯片电子器件1。在这个切缝22的位置进行切断方法，例如利用冲压滚对形成电子器件层的面进行轻轻地挤压，也可通过在切缝22上集中应力的方法进行切断。

这样所得到的芯片电子器件1，例如图2所示那样，它是将带有引出线36a和36b的主电极35a和35b，分别对基体2的两侧的电极层3进行相互压接，然后被封入玻璃密封体37之内，从而获得过压吸收器。

根据本制造例，当切断基板2A被分割成每个单个的芯片电子器件1之时，相对基体2就已经形成了电极层3和电子器件层4，因此可见其制造工序简单且适于批量生产。

另外电极层3是通过涂刷入导电性油墨24而形成的，它与采用溅射和喷镀等在真空室内进行的成膜法相比较，其制造成本非常低，因油墨涂刷法可在通常的环境中进行操作。

这时，已获得的芯片电子器件1，在其基体2的两侧分别形成了电极层3，在这个电极层3的表面部3a上形成了与电子器件层4进行电连接的结构，  因此上述电极层3即或形成的厚些，而对电极层和电子器件层4的电气连接并无坏影响，例如图2所示那样，采用将主电极35a和35b直接压接在电极层3的结构时，仅通过相互压接，电极层3和主电极35a和35b即可得到充分地导通。

在本制造例中，因基板2A的表面2A’和电极层3A的表面部3A’是形成一面体，因此在电极层3的表面部3a上，即可使电极层3和电子器件层4的端部之间得到良好的电气连接。

下面对制造上述第1实施例的芯片电子器件1的第2制造例，参照图7进行说明。这个第2制造例和上述第1制造例，其电极层形成的工序不同。

首先，与上述第1制造例相同之处，是准备好基板2A，在已形成长孔21之后，再在基板2A上形成长孔21。

而本制造例中，是在长孔21内采用溅射法形成其电极层3A。

图7所示是电极层形成工序的断面图。首先如图7(a)所示，对基板2A进行偏压溅射，从基板2A的表面2A’到长孔21的内壁面，例如可使用铜等导电性材料形成电极材料膜25。形成电极材料膜25时，对基板2A所加的偏压多为-50～-100V左右为宜，通过适当设定偏压条件，在长孔21的内壁面上被形成的电极材料膜25的厚度a，与在基板2A的表面2A’上所形成的电极材料膜25的厚度b，这两者a/b之比最大可取为0.5左右。其溅射条件取为0.5～2kw×20～30分钟为宜，而所投入功率和成膜时间要根据成膜速度而适当变化，在长孔21的内壁面上的厚度可取1μm以上，电极材料膜25形成理想的厚度可设定在1～5μm。

如图7(b)所示那样，对基板表面2A’进行研磨，并将基板2A上的电极材料膜25刮掉。可见基板2A上的电极材料膜25，就表示出是与基板表面2A’成一面体的电极材料膜25，其中并包含基板表面2A’上的电极材料膜25和电极表面部3A’上的电极材料膜25(以下同)。由此而在长孔21内形成了电极层3A。而且基板表面2A’和电极层3A的表面部3A’成为一面体。

这样在基板2A的长孔21内形成电极层3A之后，与上述第1制造例相同，在基板2A的表面2A’上和电极层3A的表面部3A’上，形成多数相连接的电子器件层4，然后切断基板2A，即可获得如图1所示的每个芯片电子器件1。

第2制造例，是在基板2A上形成长孔21，并从基板表面2A’到长孔21的内壁形成电极材料膜25之后，即由于对基板2A上的电极材料膜25，是通过研磨被清除后而才形成了电极层3A，因此基板表面2A’和电极层3A的表面部3A’形成一面体。

而且，在基板表面2A’上和电极层3的表面部3A’上形成了连接的电子器件层，由于基板2A被切割成每个单个的芯片电子器件1，正如图1所示的那样，在基体2的两侧就分别形成电极层3，从而在这个电极层3的表面部3a上，即可获得电子器件层4和电板层3相互进行电连接的芯片电子器件1。因此，电极层3形成的厚些，也不会有害电极层3和电子器件层4之间的电连接，例如图2所示那样，将主电极35a和35b与两侧电极层3相压接而组成的过压吸收器，从结果来看，主电极35a和35b只要与两侧电极层3进行压接，即可获得充分地导通效果。

可见与第1制造例相同，当基板2A被切断而形成单个的芯片电子器件1时，实际在基体2上已被形成电极层两端3和电子器件层4，因此制造工序简单且适于批量生产。

此外由于是利用溅射而形成的电极层3，因此可获得不含有粘合剂等异物的金属层(电极层3)，而且还具有导通时其导通电阻非常低的特点。

在上述第2制造例中，从基板表面2A’到长孔21的内壁形成电极材料膜25之后，它是采用了对基板2A上的电极材料膜进行研磨的方法，但也可采用如图8所示的其它方法。即首先如图8(a)所示，在基板表面2A’上形成保护膜44之后，再如图8(b)所示，从保护膜44到长孔21的内壁形成电极材料膜25’然后使用消除液剥掉保护膜44，因此又形成如图8(c)所示，即在长孔21的内壁而形成电极层3A。当保护膜44已被剥掉时，电极层3A的一部分发现基板表面2A’有突起现象，也可根据需要将突起部分通过研磨除掉。

如果采用这种方法，就不需要对基板2A上的电极材料膜25进行研磨操作，因此制造效率高。

下面对制造上述第1实施例的芯片电子器件1的第3制造例，可参照图9进行说明。

第3制造例与上述第2制造例不同之处，是如图9所示那样，在通过偏压溅射形成导电性层25时，其基板2A是采用数张，而长孔21的位置是相互重合一致的状态。

相重合基板2A的数量，当然张数越多其制造效率越高，但是过多的在长孔21的内壁所形成电极材料膜25的厚度，将会使每张基板2A上的膜厚出现不均匀。因此需根据基板2A的厚度、长孔21的形状(大小)和溅射条件等，通过适当地设定方可在长孔21内得到均匀的电极材料膜25。

形成电极材料膜25之后，在最上层的基板2A，与上述第2制造例相同，经过研磨刮掉基板2A上的电极材料膜25，使长孔21内形成电极层3A。而对于其它的下层基板2A，实际导电性层25在基板2A上并未形成，只是在长孔21内壁被形成，因此不需进行研磨。利用此方法，即可获得在基板2A的长孔21内形成电极层3A，且基板表面2A’和电极层3A的表面部3A’成一面体的多数张基板2。

这样，在基板2A的长孔21内形成电极层3A之后，与上述第1制造例同样，在基板2A的表面2A’和在电极层3A的表面部3A’上，可形成多数个连续的电子器件层4，然后再切断基板2A，即可得到如图1所示的每个单个的芯片电子器件1。

本第3制造例，是将形成长孔21的基板2A多数张相重合，通过溅射形成电极材料膜25’因此在多数张基板2A的长孔21的内壁上，可同时形成电极材料膜25。另外电极材料膜25形成之后的基板2A的研磨，实际也只是对最上层的基板2A进行，因此制造效率很高。

这样被形成的电极层3A，由于其表面3A’和基板表面2A’是成一面体，因此在基板表面2A’上和电极层3的表面部3A’上，即形成连续的电子器件层4，并将基板2A切断成每个单个的电子器件1，如图1所示那样，在基体2的两侧形成电极层3，从而在电极层3的表面部3a上，可获得电子器件层4和电极层3具有电连接的芯片电子器件1。因此电极层3虽形成的厚些，也不会影响电极层3和电子器件层4之间的电气连接，例如图2所示那样，当将主电极35a和35b与电极层3两侧相压接而组成过压吸收器时，主电极35和电极层3只要是相互压接上，则电极层3两侧和主电极35a和35b之间即可得到充分地导通。

可见与第1制造例相同，当基板2A被切断而形成单个的芯片电子器件1时，实际在基体2上已被形成电极层3两侧和电子器件层4，因此制造工序简单且适合批量生产。

此外由于是利用溅射而形成的电极层3，因此可获得不含有粘合剂等异物的金属层(电极层3)，而且还具有导通时其导通电阻非常小的特点。

在本第3制造例中，也是首先在基板表面2A’上形成保护膜之后，在从保护膜上到长孔21的内壁上，将形成电极材料膜25，这个保护膜也可利用消除液将其剥掉。

如将取这种方法，则不需要对最上层的基板2A上的电极材料膜进行研磨。

通过以上说明，芯片电子器件是在基体的表面上形成由电子器件所组成的电子器件层，而上述电子器件层的端部，是同在上述基体的两侧被形成的电极层和该电极层的表面部，相互具有电气连接。因此在基体的两侧分别形成电极层，在这个电极层的表面部上，因电子器件层和电极层形成电的连接，所以电极层可形成得厚些。例如当组成过压吸收器时，只要是做到将主电极和电极层相互压接，主电极和电极层即可获得充分地导通。芯片电子器件在基体的表面上被形成的电子器件层，是由在上述基体的表面上分割成微小间隔的多数电阻层而组成的，因此所组成的这样的过压吸收器，可获得适当的芯片电子器件。

芯片电子器件的制造方法具有在基板上形成多数的平行长孔的长孔形成工序，在该长孔内形成电极层的电极层形成工序，在上述基板的表面上和上述电极层表面部上形成连续的电子器件层的电子器件层形成工序，以及切断在上述电极层和电子器件层所形成的基板，并将其分割成单个芯片电子器件的切断工序。根据这种制造方法，即可获得芯片电子器件。而且当切断基板分割成单个的芯片电子器件时，在其基体上已经形成了电极层和电子器件层，因此制造简单且可批量生产。通过将导电性油墨涂刷入上述长孔内的方法而形成电极层。因这种方法不需要真空室设备，因此制造成本可控制在最低。

另外，从上述基板的表面到长孔内壁，当利用溅射法形成电极材料膜之后，通过除掉上基板上的电极材料膜也可形成电极层。这种方法的优点是可获得形成低电阻的电极层。

当进行上述溅射时，也可将多数基板处于重叠状态，因采取这种方法，对多数基板而言，在其长孔内壁同时可形成电极材料膜，不过因在最上层的基板以外的基板上未形成电极材料膜，因此可省去除掉基板上电极材料膜的手续，而且可提高制造效率。

Claims (6)

1.本芯片电子器件的特征，是在基体表面上形成由电子器件组成的电子器件层，而上述电子器件层的端部，是同在其上述基体的两侧所形成的电极层和该电极层的表面部具有电气连接。

2.根据权利要求1记载的芯片电子器件其特征是所述电子器件层在基体的表面上将其形成具有微小的间隔，并被分隔成多数的电阻层。

3.芯片电子器件的制造方法特征，是在基板上有形成多数平行长孔的长孔形成工序，在该长孔内有形成电极层的电极形成工序，在上述基板的表面上和上述电极层表面上有形成连接电子器件层的电子器件层形成工序，以及切断上述电极层和电子器件层所形成的基板，使其每个芯片电子器件相互分制的切断工序。

4.根据权利要求3记载的芯片电子器件制造方法，在上述电极层形成工序中，对上述长孔内进行涂刷导电性油墨。

5.根据权利要求3记载的芯片电子器件制造方法，在上述电极层形成工序中，对从上述基板的表面到长孔内壁由溅射所形成的电极材料膜，可通过清除手段除掉其上述基板上的电极材料膜。

6.根据权利要求5记载的芯片电子器件制造方法，在上述电极层形成工序中，可将多数基板成重叠状态进行溅射。

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