CN116581033B - 一种Micro-LED MIP灯珠载板制作方法 - Google Patents

一种Micro-LED MIP灯珠载板制作方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种Micro‑LED MIP灯珠载板制作方法,涉及半导体器件制造技术领域,制作方法依次包括开料、减铜、钻孔、对穿镭射、AOI检查、脉冲电镀、外层线路蚀刻、镭射雕刻焊盘间距、阻焊印刷、Bottom面曝光开窗、TOP面机械开窗、压烤、沉金、AVI。钻孔时在set周边钻四个镭射定位孔;对穿镭射时加工出直壁镭射孔;为保证后续焊盘形状为方形,在BT板四个角形成角度45°、宽度30μm的补偿角;采用皮秒激光雕刻工艺将整个焊盘雕刻成多个小焊盘,小焊盘间距25μm±2μm,研磨后得到35μm×17.5μm的方形小焊盘。与现有技术相比,本方法可以得到间距更小,尺寸更小的焊盘。

Description

一种Micro-LED MIP灯珠载板制作方法
技术领域
本发明涉及半导体器件制造技术领域,尤其涉及一种Micro-LED MIP灯珠载板制作方法。
背景技术
Micro-LED与Mini-LED相比,灯珠晶元长度宽度≤50μm,其优点:1、可以高精度显示影像,显示精度可以做到P0.5以下;2、晶元尺寸缩减50%以上,节约显示晶元原料,节约成本,便于从商用转为民用;3、由于晶元尺寸缩减后,整体显示单元重量降低,便于室内与户外安装;4、Micro-LED可以用于智能穿戴等Mini-LED不具备的高精密显示使用场景。
与Mini-LED焊盘相比,加工Micro-LED焊盘时,焊盘尺寸由85μmx85μm缩小到35μmx17.5μm,焊盘间距由65μm-80μm缩小到25μm,盲孔尺寸由100μm缩小到30μm,整体难度几何倍增。Micro-LED作为下一代高清显示的关键产品,为进行技术储备,特此开发一种Micro-LED MIP灯珠载板制作方法,此类型载板作为Micro-LED灯珠与PCB板之间的桥接层,可以有效降低PCB板的制作难度,提升其产品良率。
发明内容
为解决现有技术不足,本发明提供一种Micro-LED MIP灯珠载板制作方法,可以加工出更小尺寸的焊盘。
为了实现本发明的目的,拟采用以下方案:
一种Micro-LED MIP灯珠载板制作方法,包括以下步骤:
S1、开料:采用BT板,如BT树脂基覆铜板。
S2、减铜:将BT板的铜箔厚度减至3μm-4μm,减铜时注意:反向多次,保证铜箔均匀性控制在1μm以内。
S3、钻孔:每个set周边钻四个镭射定位孔,便于后续进行镭射分割;常规做法是在panel大板(本方案中指的是BT板)周边钻定位孔,set指的是BT板中间的单元,本方案采用set定位孔可以有效提高后续镭射孔的精度。
S4、对穿镭射:定位之后进行镭射分割,先从Top面(指的是BT板顶面)开始镭射,再从bottom面(指的是BT板底面)镭射形成通孔,镭射孔形设置为直壁孔径,禁止打成X型孔,因为X型孔中间≤20μm,在通电高热情况下容易孔铜断裂。
S5、AOI检查:AOI全称Automatic Optical Inspection, 即自动光学检测设备,对穿镭射后形成通孔结构,由于盲孔AOI设备只适用于检查镭射形成的盲孔,而常规通孔验孔机精确度无法达到要求,因此本方案采用以下检测方法对镭射孔进行检查:
将一张铜板平铺在盲孔AOI设备光台表面,然后将镭射后的BT板铺在铜板表面,BT板四周用胶布贴在光台上,因为对于单面盲孔,一般抽真空可以固定板面,而本方案的镭射对穿孔无法按照常规方法进行固定,因此采用底部铺铜板模拟常规盲孔的方式检测镭射孔的品质问题。
S6、脉冲电镀:沉铜两次,第二次沉铜从微蚀缸后面进行放板,防止微蚀时将第一次沉铜层咬蚀掉;沉铜后会在镭射孔内形成铜柱,整体面铜厚度控制在18μm±2μm。
S7、外层线路蚀刻:为保证后续焊盘形状达到方形,需要先在BT板的四个角形成补偿角;蚀刻时TOP面向下,蚀刻后得到焊盘,铜柱在蚀刻后有部分露出。
S8、镭射雕刻焊盘间距:需要在焊盘上加工出25μm±2μm的间距,普通的tenting(负片工艺)无法实现以上间距,因此采用皮秒激光雕刻工艺将整个焊盘雕刻成多个小焊盘,小焊盘间距25μm±2μm;然后采用微蚀整理焊盘的毛边,微蚀厚度0.5μm-1μm以内。
S9、阻焊印刷:镭射雕刻后,在焊盘间距形成的同时,底部有部分基材被激光烧灼,形成5μm-10μm的凹陷,需要阻焊油墨进行填充凹陷;然后对TOP面进行切片,焊盘上油墨厚度控制在10μm以内。
S10、Bottom面曝光开窗:bottom按照正常流程进行曝光开窗。
S11、TOP面机械开窗:阻焊后整体板属于超薄板,因此采用底部托板的形式进行单面研磨,研磨时将bottom面用水沾湿紧密贴合托板,然后通过磨板磨刷TOP面。注意:先镭射雕刻焊盘间距、阻焊印刷之后,再进行机械开窗,因为油墨填充焊盘微小间距,可以实现小间距沉金。
S12、压烤:注意当超薄板单面受力,会有一定的板翘。
S13、沉金:消除焊盘由于研磨造成的磨痕印,注意控制镍厚控制。
S14、AVI:AVI是Automatic Vision Inspection的缩写,即自动视觉检测,检测之后出货。
进一步的,步骤S1开料中,BT板包括基板和覆于基板表面的铜箔,基板厚0.1mm,铜箔为3μm-15μm厚的RTF铜箔,BT板XY方向CTE(热膨胀系数)≤10ppm/℃,Z方向CTE≤15ppm/℃,Tg值(玻璃化转变温度)为300℃,Rz值(表面粗糙度评定参数)≤2μm。
进一步的,步骤S4对穿镭射中,镭射参数为:光圈0.8mm,基础能量4mj,第一枪脉宽4ms,第二枪脉宽2ms,第三枪脉宽2ms。
进一步的,步骤S6脉冲电镀中,电流密度≤5ASF,时间90min。
进一步的,步骤S7外层线路蚀刻中,补偿角的角度45°,宽度30μm;蚀刻后得到的焊盘公差在±10μm以内,TOP面的焊盘长度155μm,宽度60μm。
进一步的,步骤S9阻焊印刷中,TOP面采用77T网版印刷三刀,对凹陷处反复填充,印刷后TOP面向上,静止20min后进行预烤;bottom面采用77T网版印刷1刀,控制油墨厚度≤15μm。
进一步的,步骤S11 TOP面机械开窗中,底部托板规格:厚度0.5mm,公差±20μm,材质采用FR-4,FR-4为无铜结构,且具有高Tg值;磨板材质为不织布或陶瓷,其中不织布采用800#或1000#,陶瓷采用2000#或3000#;刷磨参数为:电流0.5A-1.0A,轻刷,速度控制2m/min-3m/min;研磨后得到多个35μm×17.5μm的焊盘。
进一步的,步骤S12压烤:采用温度200℃,时间2h,压强1.5kg/cm2的参数进行压烤。
进一步的,步骤S13沉金:喷砂一次,沉镍厚度5μm-8μm,金厚0.025μm-0.05μm。
本发明的有益效果在于:
1、依次通过开料、减铜、钻孔、对穿镭射、AOI检查、脉冲电镀、外层线路蚀刻、镭射雕刻焊盘间距、阻焊印刷、Bottom面曝光开窗、TOP面机械开窗、压烤、沉金、AVI检测等步骤,可以加工出35μmx17.5μm的焊盘,其中焊盘间距缩小至25μm,镭射孔缩小至30μm,从而满足Micro-LED的产品需求。
2、以下操作都具有有益效果:选用具有特定参数的BT板;在set周边钻四个镭射定位孔,便于后续进行镭射分割并提高镭射孔的精度;选择特定参数,加工出直壁镭射孔,防止在通电高热情况下孔铜出现断裂;采用底部铺铜板模拟常规盲孔的方式检测镭射孔的品质问题;沉铜时采用特定的电镀参数以解决电镀填孔孔洞问题,并且第二次沉铜从微蚀缸后面进行放板,防止微蚀时将第一次沉铜层咬蚀掉;为保证后续焊盘形状达到方形,在BT板的四个角形成角度45°、宽度30μm的补偿角;采用皮秒激光雕刻工艺将整个焊盘雕刻成多个小焊盘,小焊盘间距25μm±2μm;采用特定的阻焊印刷方式,控制bottom面油墨厚度≤15μm,TOP面焊盘上油墨厚度控制在10μm以内;选用特定的托板和磨板,以底部托板的形式单面研磨TOP面,研磨后得到35μm×17.5μm的小焊盘。
附图说明
图1为实施例的制作方法流程图;
图2为实施例的载板叠层结构示意图;
图3为实施例的定位孔示意图;
图4为实施例的镭射孔示意图;
图5为实施例的补偿角图;
图6为实施例的外层线路蚀刻后的焊盘示意图;
图7为实施例的镭射雕刻焊盘间距后的焊盘示意图;
图8为实施例的TOP面机械开窗后的焊盘示意图;
附图标记:Top面阻焊层-11、芯板-12、铜层-13、bottom面阻焊层-14、铜柱-15、补偿角宽度-L1、纵向间距-L2、横向间距-L3。
具体实施方式
如图1所示,本实施例提供了一种Micro-LED MIP灯珠载板制作方法,依次包括开料、减铜、钻孔、对穿镭射、AOI检查、脉冲电镀、外层线路蚀刻、镭射雕刻焊盘间距、阻焊印刷、Bottom面曝光开窗、TOP面机械开窗、压烤、沉金、AVI、出货。
载板叠层结构如图2所示,包括Top面阻焊层11、芯板12、铜层13、bottom面阻焊层14、铜柱15。具体制作工艺如下:
S1、开料:采用生益电子SI07NR BT板,BT板包括基板和覆于基板表面的铜箔,基板(即芯板)厚0.1mm,铜箔为3μm-15μm厚的RTF铜箔,比如选用三分之一盎司厚的RTF铜箔,铜箔经过后续一系列处理形成载板中的铜层13;BT板XY方向CTE(热膨胀系数)≤10ppm/℃,Z方向CTE≤15ppm/℃,Tg值(玻璃化转变温度)为300℃,Rz值(表面粗糙度评定参数)≤2μm。
S2、减铜:将BT板的铜箔厚度减至3μm-4μm,减铜时注意:反向多次,保证铜箔均匀性控制在1μm以内。
S3、钻孔:如图3所示,每个set周边钻四个0.2mm镭射定位孔,便于后续进行镭射分割;常规做法是在panel大板(本方案中指的是BT板)周边钻定位孔,set指的是BT板中间的单元,本方案采用set定位孔可以有效提高后续镭射孔的精度。
S4、对穿镭射:定位之后进行镭射分割,先从Top面(指的是BT板顶面)开始镭射,再从bottom面(指的是BT板底面)镭射形成通孔,镭射参数为:光圈0.8mm,基础能量4mj,第一枪脉宽4ms,第二枪脉宽2ms,第三枪脉宽2ms,镭射孔形设置为直壁孔径,结果如图4所示。禁止打成X型孔,因为X型孔中间≤20μm,在通电高热情况下容易孔铜断裂。
S5、AOI检查:AOI全称Automatic Optical Inspection, 即自动光学检测设备,对穿镭射后形成通孔结构,由于盲孔AOI设备只适用于检查镭射形成的盲孔,而常规通孔验孔机精确度无法达到要求,因此本方案采用以下检测方法对镭射孔进行检查:
将一张铜板平铺在盲孔AOI设备光台表面,然后将镭射后的BT板铺在铜板表面,BT板四周用胶布贴在光台上,因为对于单面盲孔,一般抽真空可以固定板面,而本方案的镭射对穿孔无法按照常规方法进行固定,因此采用底部铺铜板模拟常规盲孔的方式检测镭射孔的品质问题。
S6、脉冲电镀:沉铜两次,第二次沉铜从微蚀缸后面进行放板,防止微蚀时将第一次沉铜层咬蚀掉;注意电镀填孔孔洞问题,采用电流密度≤5ASF,时间90min的参数,沉铜后会在镭射孔内形成铜柱15,整体面铜厚度控制在18μm±2μm。
S7、外层线路蚀刻:为保证后续焊盘形状达到方形,需要先在BT板的四个角形成补偿角,补偿角的角度45°(对应图5中的α角),宽度30μm(对应图5中的L1);蚀刻时TOP面向下,蚀刻后得到焊盘,焊盘公差在±10μm以内,TOP面的焊盘长度155μm,宽度60μm,铜柱15在蚀刻后有部分露出,如图6所示。
S8、镭射雕刻焊盘间距:需要在焊盘上加工出25μm±2μm的间距,普通的tenting(负片工艺)无法实现以上间距,因此采用皮秒激光雕刻工艺将整个焊盘雕刻成六个小焊盘,如图7所示,小焊盘间距分为纵向间距L2和横向间距L3,纵向间距L2和横向间距L3都是25μm±2μm;然后采用微蚀整理焊盘的毛边,微蚀厚度0.5μm-1μm以内。如图7所示,小焊盘的尺寸为35μm×17.5μm,每个小焊盘还包含有露出的铜柱15。
S9、阻焊印刷:镭射雕刻后,在焊盘间距形成的同时,底部有部分基材被激光烧灼,形成5μm-10μm的凹陷,需要阻焊油墨进行填充凹陷;具体阻焊印刷方式如下:
TOP面采用77T网版印刷三刀,对凹陷处反复填充,印刷后TOP面向上,静止20min后进行预烤;bottom面采用77T网版印刷1刀,控制油墨厚度≤15μm;然后对TOP面进行切片,焊盘上油墨厚度控制在10μm以内。
S10、Bottom面曝光开窗:bottom按照正常流程进行曝光开窗。
S11、TOP面机械开窗:阻焊后整体板厚0.15mm,属于超薄板,因此采用底部托板的形式进行单面研磨,底部托板规格:厚度0.5mm,公差±20μm,材质采用FR-4,FR-4为无铜结构,且具有高Tg值(玻璃化转变温度)。研磨时将bottom面用水沾湿紧密贴合托板,然后通过磨板磨刷TOP面,磨板材质为不织布或陶瓷,其中不织布采用800#或1000#,陶瓷采用2000#或3000#,刷磨参数为:电流0.5A-1.0A,轻刷,速度控制2m/min-3m/min;如图8所示,研磨后得到六个35μm×17.5μm的小焊盘,研磨后磨掉了每个小焊盘原先露出的铜柱15,得到方形的小焊盘。注意:先镭射雕刻焊盘间距、阻焊印刷之后,再进行机械开窗,因为油墨填充焊盘微小间距,可以实现小间距沉金。
S12、压烤:注意当超薄板单面受力,会有一定的板翘,采用温度200℃,时间2h,压强1.5kg/cm2的参数进行压烤。
S13、沉金:喷砂一次,消除焊盘由于研磨造成的磨痕印,沉镍厚度5μm-8μm,金厚0.025μm-0.05μm。
S14、AVI:AVI是Automatic Vision Inspection的缩写,即自动视觉检测,检测之后出货。
以上实施例仅用于说明本发明的技术思想及特点,并不表示是唯一的或是限制本发明。本领域技术人员应理解,在不脱离本发明的范围情况下,对本发明进行的各种改变或同等替换,均属于本发明保护的范围。

Claims (9)

1.一种Micro-LED MIP灯珠载板制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、开料:采用BT板;
S2、减铜:将BT板的铜箔厚度减至3μm-4μm,均匀性控制在1μm以内;
S3、钻孔:每个set周边钻四个镭射定位孔;
S4、对穿镭射:先从Top面开始镭射,再从bottom面镭射形成通孔,镭射孔形设置为直壁孔径;
S5、AOI检查:将一张铜板平铺在盲孔AOI设备光台表面,然后将镭射后的BT板铺在铜板表面,BT板四周用胶布贴在光台上,开始AOI检查;
S6、脉冲电镀:沉铜两次,第二次沉铜从微蚀缸后面进行放板;镭射孔内形成铜柱,整体面铜厚度控制在18μm±2μm;
S7、外层线路蚀刻:先在BT板的四个角形成补偿角;蚀刻时TOP面向下,蚀刻后得到焊盘,铜柱在蚀刻后有部分露出;
S8、镭射雕刻焊盘间距:采用皮秒激光雕刻工艺将整个焊盘雕刻成多个小焊盘,小焊盘间距25μm±2μm;然后采用微蚀整理焊盘的毛边,微蚀厚度0.5μm-1μm以内;
S9、阻焊印刷:焊盘间距形成的同时,其底部形成5μm-10μm的凹陷,利用阻焊油墨填充所述凹陷;然后对TOP面进行切片,焊盘上油墨厚度控制在10μm以内:
S10、Bottom面曝光开窗;
S11、TOP面机械开窗:采用底部托板的形式进行单面研磨,研磨时将bottom面用水沾湿紧密贴合托板,然后通过磨板磨刷TOP面;
S12、压烤;
S13、沉金;
S14、AVI:进行自动视觉检测。
2.根据权利要求1所述的Micro-LED MIP灯珠载板制作方法,其特征在于,步骤S1开料中,BT板包括基板和覆于基板表面的铜箔,基板厚0.1mm,铜箔为3μm-15μm厚的RTF铜箔,BT板XY方向CTE≤10ppm/℃,Z方向CTE≤15ppm/℃,Tg值300℃,Rz值≤2μm。
3.根据权利要求1所述的Micro-LED MIP灯珠载板制作方法,其特征在于,步骤S4对穿镭射中,镭射参数为:光圈0.8mm,基础能量4mj,第一枪脉宽4ms,第二枪脉宽2ms,第三枪脉宽2ms。
4.根据权利要求1所述的Micro-LED MIP灯珠载板制作方法,其特征在于,步骤S6脉冲电镀中,电流密度≤5ASF,时间90min。
5.根据权利要求1所述的Micro-LED MIP灯珠载板制作方法,其特征在于,步骤S7外层线路蚀刻中,补偿角的角度45°,宽度30μm;蚀刻后得到的焊盘公差在±10μm以内,TOP面的焊盘长度155μm,宽度60μm。
6.根据权利要求1所述的Micro-LED MIP灯珠载板制作方法,其特征在于,步骤S9阻焊印刷中,TOP面采用77T网版印刷三刀,对凹陷处反复填充,印刷后TOP面向上,静止20min后进行预烤;bottom面采用77T网版印刷1刀,控制油墨厚度≤15μm。
7.根据权利要求1所述的Micro-LED MIP灯珠载板制作方法,其特征在于,步骤S11 TOP面机械开窗中,底部托板规格:厚度0.5mm,公差±20μm,材质采用FR-4;磨板材质为不织布或陶瓷,其中不织布采用800#或1000#,陶瓷采用2000#或3000#;刷磨参数为:电流0.5A-1.0A,轻刷,速度控制2m/min-3m/min;研磨后得到35μm×17.5μm的焊盘。
8.根据权利要求1所述的Micro-LED MIP灯珠载板制作方法,其特征在于,步骤S12压烤:采用温度200℃,时间2h,压强1.5kg/cm2的参数进行压烤。
9.根据权利要求1所述的Micro-LED MIP灯珠载板制作方法,其特征在于,步骤S13沉金:喷砂一次,沉镍厚度5μm-8μm,金厚0.025μm-0.05μm。
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Denomination of invention: A Method for Manufacturing Micro LED MIP Lamp Bead Carrier Board

Granted publication date: 20231013

Pledgee: Sichuan Tianfu Bank Co.,Ltd. Suining Branch

Pledgor: INNO CIRCUITS LIMITED

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