WO2021039199A1 - 半導体レーザ駆動装置、電子機器、および、半導体レーザ駆動装置の製造方法 - Google Patents

半導体レーザ駆動装置、電子機器、および、半導体レーザ駆動装置の製造方法 Download PDF

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浩永 安川
加治　伸暁
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    • H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters

Definitions

  • a distance measuring method called ToF Time of Flight
  • the light emitting unit irradiates an object with sine wave or square wave irradiation light
  • the light receiving unit receives the reflected light from the object
  • the distance measuring calculation unit determines the phase difference between the irradiation light and the reflected light.
  • This is a method for measuring distance.
  • an optical module in which a light emitting element and an electronic semiconductor chip for driving the light emitting element are housed in a case and integrated is known.
  • an optical module including a laser diode mounted in an array on an electrode pattern of a substrate and a diffuser plate for diffusing the laser light of the laser diode has been proposed (see, for example, Patent Document 1).
  • the diffuser diffuses the laser beam, it is possible to realize an eye-safe light source that does not easily damage the eyes.
  • the diffuser plate may be damaged or peeled off due to impact or deterioration over time. If such damage to the diffuser plate occurs during irradiation with the laser beam, the laser beam is output without being diffused, which may reduce the safety of the semiconductor laser drive device.
  • an outer wall surrounding the region including the semiconductor laser is further provided on one surface of the substrate, and the diffuser plate can cover the upper part of the region surrounded by the outer wall. ..
  • wiring for connecting the conductive film and the laser driver along the outer wall may be further provided. This has the effect of measuring the electrical characteristic value via the wiring.
  • the outer wall may include a mold resin and a penetrating via that penetrates the mold resin and connects the conductive film and the laser driver. This has the effect that the electrical characteristic value is measured via the penetrating via.
  • the electrical characteristic value is a resistivity
  • the laser driver may irradiate the laser beam when the resistivity is less than a predetermined threshold value. This has the effect of stopping the laser beam when the diffuser plate is damaged or the like.
  • connection wiring may be via a connection via provided on the board. This has the effect of shortening the wiring length.
  • a part of the semiconductor laser may be arranged so as to be overlapped on the laser driver.
  • the semiconductor laser may be arranged so that a portion of 50% or less of the area thereof is overlapped on the laser driver.
  • the substrate may be provided with a thermal via at a position where the semiconductor laser is mounted. This has the effect of promoting heat dissipation.
  • FIG. 3 is a third diagram showing an example of a manufacturing process of the substrate 100 according to the embodiment of the present technology.
  • FIG. 4 is a fourth diagram showing an example of a manufacturing process of the substrate 100 according to the embodiment of the present technology.
  • FIG. 5 is a fifth diagram showing an example of a manufacturing process of the substrate 100 according to the embodiment of the present technology. It is a figure which shows an example of the manufacturing process seen from the Y axis in embodiment of this technique. It is a figure which shows an example of the manufacturing process until the diffuser plate is arranged in embodiment of this technique. It is a figure which shows an example of the cross-sectional view of the semiconductor laser driving apparatus 10 in the 1st modification of embodiment of this technique.
  • This semiconductor laser drive device 10 is based on the assumption that the distance is measured by ToF. Although ToF is not as good as a structured light, it has high depth accuracy and can operate without problems even in a dark environment. In addition, in terms of simplicity of device configuration and cost, it is considered that there are many merits compared to other methods such as structured lights and stereo cameras.
  • the semiconductor laser 300, the photodiode 400, and the passive component 500 are electrically connected and mounted on the surface of the substrate 100 in which the laser driver 200 is built.
  • the substrate 100 As the substrate 100, a printed wiring board is assumed.
  • the semiconductor laser 300 is a semiconductor device that emits laser light by passing an electric current through the PN junction of a compound semiconductor.
  • a compound semiconductor for example, aluminum gallium arsenide (AlGaAs), indium gallium arsenide phosphorus (InGaAsP), aluminum gallium indium phosphorus (AlGaInP), gallium nitride (GaN) and the like are assumed.
  • the laser driver 200 is a driver integrated circuit (IC: Integrated Circuit) for driving the semiconductor laser 300.
  • the laser driver 200 is built in the substrate 100 in a face-up state.
  • IC Integrated Circuit
  • the photodiode 400 is a diode for detecting light.
  • the photodiode 400 is used for APC control (Automatic Power Control) for monitoring the light intensity of the reflected light with respect to the laser light from the semiconductor laser 300 and maintaining the output of the semiconductor laser 300 constant.
  • APC control Automatic Power Control
  • the passive component 500 is a circuit component other than an active element such as a capacitor and a resistor.
  • the passive component 500 includes a decoupling capacitor for driving the semiconductor laser 300.
  • the axis perpendicular to the substrate 100 will be referred to as the "Z axis”. Further, a predetermined axis parallel to the substrate 100 is referred to as an "X axis”, and an axis perpendicular to the X axis and the Z axis is referred to as a "Y axis”.
  • the semiconductor laser 300 is mounted on one surface of both sides of the substrate 100 as a surface. Further, a laser driver 200 is built in the substrate 100, and the laser driver 200 is connected to the semiconductor laser 300 by a connection via 101. Further, wirings 103 and 104 are formed in the substrate 100, and the wirings 103 and the like are connected to the laser driver 200.
  • a side wall 600 is formed so as to surround a central region on which a semiconductor laser 300 or the like is mounted.
  • Connection wirings 610 and 611 are wired along the inner wall surface of the side wall 600. These connection wirings 610 and the like are formed when the side wall 600 is injection molded.
  • a component such as the side wall 600 in which a pattern such as wiring is formed during injection molding is also called an MID (Molded Interconnect Device).
  • MID wiring is used as the connection wiring 610 and the like, the wiring is not limited to this configuration and can be wired by forming an insert.
  • the side wall 600 is an example of the outer wall described in the claims.
  • connection wiring 610 described above connects one of the two connection points on the lower surface of the conductive film 710 with the wiring 103, and the connection wiring 611 connects the other of the two connection points with the wiring 104. Since the wirings 103 and 104 are connected to the laser driver 200, the conductive film 710 and the laser driver 200 are electrically connected by the connection wirings 610 and 611.
  • the laser driver 200 can reliably detect the presence or absence of damage or peeling of the diffuser plate 700 from the change in the electrical characteristic value (resistivity or the like) of the conductive film 710.
  • the laser driver 200 when measuring the resistivity of the conductive film 710, the laser driver 200 irradiates the laser beam when the resistivity is equal to or less than a predetermined threshold value.
  • a predetermined threshold value the value of the resistivity when the diffuser plate 700 is not damaged or peeled off is set.
  • the laser driver 200 stops the irradiation of the laser beam.
  • the laser driver 200 may reduce the brightness of the laser driver 200 without stopping the irradiation of the laser beam.
  • the laser driver 200 can also measure electrical characteristic values (conductivity, voltage, etc.) other than resistivity. When measuring the conductivity, the laser driver 200 may stop the laser beam when the conductivity is equal to or less than a predetermined threshold value.
  • the semiconductor laser 300, the photodiode 400, and the passive component 500 mounted on the surface of the substrate 100 are surrounded by the side wall 600.
  • the material of the side wall 600 for example, a plastic material or a metal is assumed.
  • the inductance IDC [ ⁇ H] of the strip line (board wiring pattern) having a length L [mm], a width W [mm], and a thickness H [mm] is expressed by the following equation in free space.
  • IDC 0.0002L ⁇ (ln (2L / (W + H))) +0.2235 ((W + H) / L) +0.5)
  • [Production method] 7 and 8 are diagrams showing an example of a step of processing a copper land and a copper wiring layer (RDL) in the manufacturing process of the laser driver 200 according to the embodiment of the present technology.
  • RDL copper wiring layer
  • an I / O pad 210 made of, for example, aluminum is formed on the semiconductor wafer. Then, a protective insulating layer 220 such as SiN is formed on the surface, and the region of the I / O pad 210 is opened.
  • a surface protective film 230 made of polyimide (PI: Polyimide) or polybenzoxazole (PBO: Polybenzoxazole) is formed, and the region of the I / O pad 210 is opened.
  • a substrate made of an inorganic material, a metal material, a resin material, or the like can be used as the support plate 110.
  • silicon (Si) glass, ceramics, copper, copper-based alloys, aluminum, aluminum alloys, stainless steel, polyimide resins, and epoxy resins can be used.
  • a carrier copper foil 131 having a thickness of 18 to 35 micrometers is vacuum-adhered to an ultrathin copper foil 132 having a thickness of 2 to 5 micrometers.
  • the peelable copper foil 130 for example, 3FD-P3 / 35 (manufactured by Furukawa Circuit Foil Co., Ltd.), MT-18S5DH (manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.) and the like can be used.
  • the resin material of the adhesive resin layer 120 includes epoxy resin, polyimide resin, PPE resin, phenol resin, PTFE resin, silicon resin, polybutadiene resin, polyester resin, melamine resin, urea resin, and PPS containing a reinforcing material for glass fibers.
  • Organic resins such as resins and PPO resins can be used.
  • the reinforcing material in addition to glass fiber, aramid non-woven fabric, aramid fiber, polyester fiber and the like can also be used.
  • an electroless copper plating treatment was performed on the surface of the ultrathin copper foil 132 of the peelable copper foil 130 to provide a plating base conductive layer having a thickness of 0.5 to 3 micrometers (not shown).
  • a conductive layer under the electrolytic copper plating that forms a wiring pattern is formed next.
  • this electroless copper plating treatment is omitted, the electrode for electrolytic copper plating is directly brought into contact with the peelable copper foil 130, and the electrolytic copper plating treatment is directly applied on the peelable copper foil 130.
  • a wiring pattern may be formed.
  • a photosensitive resist is attached by roll laminating to the surface of the interlayer insulating resin 161 whose surface is electroless plated.
  • a dry film photosensitive plated resist film can be used as the photosensitive resist in this case.
  • a plating resist pattern in which the via hole 170 portion and the wiring pattern portion are opened is formed.
  • the opening portion of the plating resist pattern is subjected to electrolytic copper plating treatment with a thickness of 15 micrometers.
  • DAF Die Attach Film
  • the deep via hole 172 is a so-called conformal via in which copper plating is applied only to the outside of the via.
  • the size and depth of the vias are on the order of 80 to 150 micrometers, respectively.
  • the size of the land is about 150 to 200 micrometers in diameter. It is desirable that the deep via hole 172 is arranged via an insulating resin of about 100 micrometers from the outer shape of the laser driver 200.
  • the same interlayer insulating resin as before is thermocompression bonded by roll laminating or laminating press. At this time, the inside of the conformal via is filled with the interlayer insulating resin. Next, the same via hole processing, desmear treatment, roughening treatment, electroless plating treatment, and electrolytic plating treatment as before are performed.
  • the support plate 110 is separated by peeling from the interface between the carrier copper foil 131 of the peelable copper foil 130 and the ultrathin copper foil 132.
  • the ultrathin copper foil 132 and the conductive layer underneath the plating are removed by using sulfuric acid-hydrogen peroxide-based soft etching to obtain a component-embedded substrate with an exposed wiring pattern. Can be done.
  • electrolytic Ni plating may be formed at 3 micrometers or more in the opening of the solder resist 180, and electrolytic Au plating may be formed at 0.5 micrometers or more on the electrolytic Ni plating.
  • an organic rust preventive film may be formed in the opening of the solder resist 180 in addition to the metal plating.
  • cream solder may be printed and applied to the land for external connection as a connection terminal, and a solder ball BGA (Ball Grid Array) may be mounted.
  • a connection terminal a copper core ball, a copper pillar bump, a land grid array (LGA: Land Grid Array), or the like may be used.
  • the semiconductor laser 300, the photodiode 400 and the passive component 500 are mounted on the surface of the substrate 100 manufactured in this manner, and the side wall 600 and the diffuser plate 700 are attached.
  • the outer shape is processed with a dicer or the like to separate the pieces into individual pieces after performing the process in the form of a collective substrate.
  • FIG. 15 is a diagram showing an example of a manufacturing process up to arranging the diffuser plate 700 in the embodiment of the present technology.
  • a shows an example of a step of forming the side wall 600 together with the connection wiring 610 and the like
  • b in the figure shows an example of a step of arranging the diffusion plate 700.
  • the laser driver 200 irradiates the laser beam based on the electrical characteristic value of the conductive film 710 formed on the diffuser plate 700, so that the diffuser plate 700 is damaged or the like. When it occurs, the irradiation of the laser beam can be stopped. As a result, it is possible to prevent the laser beam from being output without being diffused, and to improve the safety of the semiconductor laser driving device 10.
  • connection wirings 610 and 611 through vias 620 and 621 that penetrate the side wall 601 along the Z-axis direction are provided.
  • the penetrating via 620 electrically connects the conductive film 710 and the laser driver 200 via the wiring 103.
  • the penetrating via 621 electrically connects the conductive film 710 and the laser driver 200 via the wiring 104.
  • the ceramic side wall 601 is used, but the material of the side wall is not limited to ceramic and may be a mold resin.
  • the semiconductor laser driving device 10 of the second modification of this embodiment is different from the first modification in that the side wall is formed of the mold resin.
  • TMV Thorough Mold Via
  • the side wall 602 is formed of the mold resin to provide the TMV630 and 631, the formation of the MID wiring can be omitted.
  • FIG. 18 is a diagram showing a system configuration example of the electronic device 800, which is an application example of the embodiment of the present technology.
  • FIG. 19 is a diagram showing an example of an external configuration of an electronic device 800, which is an application example of the embodiment of the present technology.

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Abstract

レーザ光を拡散板により拡散させる半導体レーザ駆動装置において、安全性を向上させる。　基板は、レーザドライバを内蔵し、半導体レーザは、その基板の一方の面に実装される。接続配線は、レーザドライバと半導体レーザとを０．５ナノヘンリー以下の配線インダクタンスにより電気接続する。拡散板は、半導体レーザにより照射されたレーザ光を拡散する。透明な導電膜は、拡散板の所定面に形成される。また、レーザドライバは、導電膜の電気特性値に基づいて半導体レーザを駆動してレーザ光を照射させる。

Description

半導体レーザ駆動装置、電子機器、および、半導体レーザ駆動装置の製造方法
　本技術は、半導体レーザ駆動装置に関する。詳しくは、レーザドライバ内蔵基板と半導体レーザとを備える半導体レーザ駆動装置、電子機器、および、半導体レーザ駆動装置の製造方法に関する。
　従来、測距機能を持つ電子装置において、ＴｏＦ（Time of Flight）と呼ばれる測距方式がよく用いられている。このＴｏＦは、発光部がサイン波や矩形波の照射光を物体に照射し、その物体からの反射光を受光部が受光して、測距演算部が照射光と反射光との位相差から距離を測定する方式である。そのような測距機能を実現するため、発光素子と、その発光素子を駆動する電子半導体チップとをケース内に収容して一体化した光モジュールが知られている。例えば、基板の電極パターン上にアレイ状に実装されたレーザーダイオードと、そのレーザダイオードのレーザ光を拡散させる拡散板とを備える光モジュールが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００９－１７０６７５号公報
　上述の従来技術では、拡散板がレーザ光を拡散させるため、目に障害を与えにくいアイセーフ光源を実現することができる。しかしながら、上述の従来技術では、衝撃や経年劣化などによって拡散板が損傷したり、剥がれたりすることがある。このような拡散板の損傷等がレーザ光の照射中に生じると、レーザ光が拡散されずに出力され、半導体レーザ駆動装置の安全性が低下するおそれがある。
　本技術はこのような状況に鑑みて生み出されたものであり、レーザ光を拡散板により拡散させる半導体レーザ駆動装置において、安全性を向上させることを目的とする。
　本技術は、上述の問題点を解消するためになされたものであり、その第１の側面は、レーザドライバを内蔵する基板と、上記基板の一方の面に実装された半導体レーザと、上記レーザドライバと上記半導体レーザとを０．５ナノヘンリー以下の配線インダクタンスにより電気接続する接続配線と、上記半導体レーザにより照射されたレーザ光を拡散する拡散板と、上記拡散板の所定面に形成された透明な導電膜とを具備し、上記レーザドライバは、上記導電膜の電気特性値に基づいて上記半導体レーザを駆動して上記レーザ光を照射させる半導体レーザ駆動装置、および、その製造方法である。これにより、導電膜の電気特性値に基づいてレーザ光が照射されるという作用をもたらす。
　また、この第１の側面において、上記基板の上記一方の面において上記半導体レーザを含む領域を囲う外壁をさらに具備し、上記拡散板は、上記外壁に囲まれた領域の上方を覆うこともできる。
　また、この第１の側面において、上記導電膜と上記レーザドライバとを上記外壁に沿って接続する配線をさらに具備してもよい。これにより、配線を介して電気特性値が測定されるという作用をもたらす。
　また、この第１の側面において、上記外壁は、セラミックと、上記セラミックを貫通して上記導電膜および上記レーザドライバを接続する貫通ビアとを含むものであってもよい。これにより、貫通ビアを介して電気特性値が測定されるという作用をもたらす。
　また、この第１の側面において、上記外壁は、モールド樹脂と、上記モールド樹脂を貫通して上記導電膜および上記レーザドライバを接続する貫通ビアとを含むものであってもよい。これにより、貫通ビアを介して電気特性値が測定されるという作用をもたらす。
　また、この第１の側面において、上記電気特性値は、抵抗率であり、上記レーザドライバは、上記抵抗率が所定の閾値に満たない場合には上記レーザ光を照射させてもよい。これにより、拡散板の損傷等の生じた際にレーザ光が停止するという作用をもたらす。
　また、この第１の側面において、上記接続配線は、０．５ミリメートル以下の長さを備えることが望ましい。また、上記接続配線は、０．３ミリメートル以下であることがより好ましい。
　また、この第１の側面において、上記接続配線は、上記基板に設けられる接続ビアを介してもよい。これにより、配線長を短くするという作用をもたらす。
　また、この第１の側面において、上記半導体レーザは、その一部が上記レーザドライバの上方に重ねて配置されるようにしてもよい。この場合において、上記半導体レーザは、その面積の５０％以下の部分が上記レーザドライバの上方に重ねて配置されるようにしてもよい。
　また、この第１の側面において、上記基板は、上記半導体レーザが実装された位置においてサーマルビアを備えるようにしてもよい。これにより、放熱を促進するという作用をもたらす。
　また、この第１の側面において、上記基板の上記一方の面に実装されて上記半導体レーザから照射されたレーザ光の光強度を監視するフォトダイオードをさらに具備してもよい。これにより、半導体レーザの出力を一定に維持するという作用をもたらす。
　また、この第１の側面において、上記基板の上記一方の面とは反対の面において外部との接続端子をさらに具備してもよい。これにより、外部との接続を確保するという作用をもたらす。この場合において、上記接続端子は、半田ボール、銅コアボール、銅ピラーバンプ、および、ランドグリッドアレイの少なくとも何れか１つにより形成されてもよい。
　また、本技術の第２の側面は、レーザドライバを内蔵する基板と、上記基板の一方の面に実装された半導体レーザと、上記レーザドライバと上記半導体レーザとを０．５ナノヘンリー以下の配線インダクタンスにより電気接続する接続配線と、上記半導体レーザにより照射されたレーザ光を拡散する拡散板と、上記拡散板の所定面に形成された透明な導電膜とを具備し、上記レーザドライバは、上記導電膜の電気特性値に基づいて上記半導体レーザを駆動して上記レーザ光を照射させる電子機器である。これにより、導電膜の電気特性値に基づいてレーザ光が照射されるという作用をもたらす。
本技術の実施の形態における半導体レーザ駆動装置１０の上面図の一例を示す図である。 本技術の実施の形態におけるＹ軸に沿って切断した際の半導体レーザ駆動装置１０の断面図の一例を示す図である。 本技術の実施の形態におけるＸ軸に沿って切断した際の半導体レーザ駆動装置１０の断面図の一例を示す図である。 本技術の実施の形態におけるレーザドライバ２００と半導体レーザ３００とのオーバラップ量の定義を示す図である。 アディティブ法により配線パターンを形成した場合の、配線長Ｌおよび配線幅Ｗに対する配線インダクタンスの数値例を示す図である。 サブトラクティブ法により配線パターンを形成した場合の、配線長Ｌおよび配線幅Ｗに対する配線インダクタンスの数値例を示す図である。 本技術の実施の形態のレーザドライバ２００の製造過程において銅ランドおよび銅配線層（ＲＤＬ）を加工する工程の一例を示す第１の図である。 本技術の実施の形態のレーザドライバ２００の製造過程において銅ランドおよび銅配線層（ＲＤＬ）を加工する工程の一例を示す第２の図である。 本技術の実施の形態における基板１００の製造工程の一例を示す第１の図である。 本技術の実施の形態における基板１００の製造工程の一例を示す第２の図である。 本技術の実施の形態における基板１００の製造工程の一例を示す第３の図である。 本技術の実施の形態における基板１００の製造工程の一例を示す第４の図である。 本技術の実施の形態における基板１００の製造工程の一例を示す第５の図である。 本技術の実施の形態におけるＹ軸から見た製造工程の一例を示す図である。 本技術の実施の形態における拡散板を配置するまでの製造工程の一例を示す図である。 本技術の実施の形態の第１の変形例における半導体レーザ駆動装置１０の断面図の一例を示す図である。 本技術の実施の形態の第２の変形例における半導体レーザ駆動装置１０の断面図の一例を示す図である。 本技術の実施の形態の適用例である電子機器８００のシステム構成例を示す図である。 本技術の実施の形態の適用例である電子機器８００の外観構成例を示す図である。
　以下、本技術を実施するための形態（以下、実施の形態と称する）について説明する。説明は以下の順序により行う。
　１．実施の形態（半導体レーザ駆動装置）
　２．適用例（電子機器）
　＜１．実施の形態＞
　［半導体レーザ駆動装置］
　図１は、本技術の実施の形態における半導体レーザ駆動装置１０の上面図の一例を示す図である。
　この半導体レーザ駆動装置１０は、ＴｏＦによる距離の測定を想定したものである。ＴｏＦは、ストラクチャードライトほどではないものの奥行き精度が高く、また、暗い環境下でも問題なく動作可能という特徴を有する。他にも、装置構成の単純さや、コストなどにおいて、ストラクチャードライトやステレオカメラなどの他の方式と比べてメリットが多いと考えられる。
　この半導体レーザ駆動装置１０では、レーザドライバ２００を内蔵する基板１００の表面に、半導体レーザ３００、フォトダイオード４００および受動部品５００がワイヤボンディングにより電気接続されて実装される。基板１００としては、プリント配線板が想定される。
　半導体レーザ３００は、化合物半導体のＰＮ接合に電流を流すことにより、レーザ光を放射する半導体デバイスである。ここで、利用される化合物半導体としては、例えば、アルミニウムガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）、インジウムガリウム砒素リン（ＩｎＧａＡｓＰ）、アルミニウムガリウムインジウムリン（ＡｌＧａＩｎＰ）、ガリウムナイトライド（ＧａＮ）などが想定される。
　レーザドライバ２００は、半導体レーザ３００を駆動するためのドライバ集積回路（ＩＣ：Integrated Circuit）である。このレーザドライバ２００は、フェイスアップ状態で基板１００に内蔵される。半導体レーザ３００との間の電気接続については、配線インダクタンスを低減させる必要があるため、出来る限り短い配線長とすることが望ましい。この具体的数値については後述する。
　フォトダイオード４００は、光を検出するためのダイオードである。このフォトダイオード４００は、半導体レーザ３００からのレーザ光に対する反射光の光強度を監視して、半導体レーザ３００の出力を一定に維持するためのＡＰＣ制御（Automatic Power Control）に用いられる。
　受動部品５００は、コンデンサおよび抵抗などの能動素子以外の回路部品である。この受動部品５００には、半導体レーザ３００を駆動するためのデカップリングコンデンサが含まれる。
　以下、基板１００に垂直な軸を「Ｚ軸」とする。また、基板１００に平行な所定の軸を「Ｘ軸」とし、Ｘ軸およびＺ軸に垂直な軸を「Ｙ軸」とする。
　図２は、本技術の実施の形態におけるＹ軸に沿って切断した際の半導体レーザ駆動装置１０の断面図の一例を示す図である。例えば、図１の線分Ｃ－Ｄに沿って基板１００を切断することにより、図２の断面図が得られる。
　同図に例示するように、基板１００の両面のうち一方の面を表面として、その表面に半導体レーザ３００が実装される。また、基板１００には、レーザドライバ２００が内蔵され、このレーザドライバ２００は、接続ビア１０１により半導体レーザ３００と接続される。また、基板１００内には、配線１０３および１０４が形成され、それらの配線１０３等は、レーザドライバ２００と接続される。
　また、基板１００の表面には、半導体レーザ３００等が実装された中央の領域を囲むように側壁６００が形成される。この側壁６００の内側の壁面には、その壁面に沿って、接続配線６１０および６１１が配線される。これらの接続配線６１０等は、側壁６００を射出成型する際に形成される。側壁６００のように、射出成型時に配線などのパターンが形成される部品は、ＭＩＤ（Molded Interconnect Device）とも呼ばれる。なお、ＭＩＤの配線を接続配線６１０等として用いているが、この構成に限定されず、インサート形成により配線することもできる。また、側壁６００は、特許請求の範囲に記載の外壁の一例である。
　また、基板１００の裏面から表面への方向を上方として、側壁６００により囲まれた基板１００の表面の上方は、拡散板７００により覆われる。この拡散板７００の下面には、透明な導電膜７１０が形成される。この導電膜７１０として、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜が成膜される。導電膜７１０は、拡散板７００の下面の少なくとも一部を覆うが、拡散板７００の全面を覆うことが望ましい。
　上述の接続配線６１０は、導電膜７１０の下面の２つの接続箇所の一方と配線１０３とを接続し、接続配線６１１は、２つの接続箇所の他方と配線１０４とを接続する。配線１０３および１０４はレーザドライバ２００に接続されているため、接続配線６１０および６１１により、導電膜７１０とレーザドライバ２００とが電気的に接続される。
　レーザドライバ２００は、導電膜７１０に電流を供給して、その電気特性値を測定し、測定値に基づいて、半導体レーザ３００を駆動してレーザ光を照射させる。
　ここで、拡散板７００は、衝撃や経年劣化により、損傷が生じたり、剥がれたりすることがある。このような拡散板７００の損傷等がレーザ光の照射中に生じると、レーザ光が拡散されずに出力され、半導体レーザ駆動装置１０の安全性が低下するおそれがある。
　拡散板７００が完全に剥がれた場合は、フォトダイオード４００の受光する反射光はなくなるため、前述のＡＰＣ制御において、レーザドライバ２００は、レーザ光の出力を低下させ、安全性を向上させることができる。しかし、拡散板７００が完全に剥がれず、一部が残った場合、残った拡散板７００によりレーザ光が反射されて、その輝度が低下しないため、レーザ光の出力が一定に維持されて安全性が低下してしまう。ひび割れなどの損傷が生じた場合も同様に反射光の輝度が低下しないため、レーザ光の出力が維持されてしまう。このようにＡＰＣ制御では、安全性を十分に向上させることができない。
　一方、拡散板７００の剥がれや損傷が生じると、反射光の輝度に関わりなく、その拡散板７００に成膜された導電膜７１０の導電率が低く（言い換えれば、導電率の逆数である抵抗率が高く）なる。このため、レーザドライバ２００は、その導電膜７１０の電気特性値（抵抗率など）の変化から、拡散板７００の損傷や剥がれの有無を確実に検出することができる。
　例えば、導電膜７１０の抵抗率を測定する場合、レーザドライバ２００は、抵抗率が所定の閾値以下であるときに、レーザ光を照射させる。この閾値には、拡散板７００に損傷や剥がれが生じていないときの抵抗率の値が設定される。一方、抵抗率が閾値より高い（すなわち、拡散板７００に損傷等が生じた）ときにレーザドライバ２００は、レーザ光の照射を停止させる。なお、抵抗率が閾値より高いときにレーザドライバ２００は、レーザ光の照射を停止させずに、その輝度を低下させてもよい。
　なお、レーザドライバ２００は、抵抗率以外の電気特性値（導電率や電圧など）を測定することもできる。導電率を測定する際は、導電率が所定の閾値以下のときにレーザドライバ２００がレーザ光を停止させればよい。
　上述のようにレーザドライバ２００が、導電膜７１０の電気特性値に基づいて、拡散板７００の損傷や剥がれの生じた際に半導体レーザ３００を停止させることにより、ＡＰＣ制御のみを行う場合と比較して、安全性を向上させることができる。
　図３は、本技術の実施の形態におけるＸ軸に沿って切断した際の半導体レーザ駆動装置１０の断面図の一例を示す図である。例えば、図１の線分Ａ－Ｂに沿って基板１００を切断することにより、図３の断面図が得られる。
　上述のように、基板１００はレーザドライバ２００を内蔵し、その表面には半導体レーザ３００などが実装される。半導体レーザ３００とレーザドライバ２００との間の接続は、接続ビア１０１を介して行われる。この接続ビア１０１を用いることにより、配線長を短くすることが可能となる。なお、接続ビア１０１は、特許請求の範囲に記載の接続配線の一例である。
　また、基板１００は、放熱のためのサーマルビア１０２を備える。基板１００に実装された各部品は発熱源であり、サーマルビア１０２を用いることにより、各部品において発生した熱を基板１００の裏面から放熱することが可能となる。
　基板１００の表面に実装された半導体レーザ３００、フォトダイオード４００および受動部品５００は、側壁６００によって囲まれる。この側壁６００の材料としては、例えば、プラスティック材料、または、金属が想定される。
　側壁６００によって囲まれた上面は、拡散板７００によって覆われる。この拡散板７００は、半導体レーザ３００からのレーザ光を拡散させるための光学素子であり、ディフューザとも呼ばれる。
　図４は、本技術の実施の形態におけるレーザドライバ２００と半導体レーザ３００とのオーバラップ量の定義を示す図である。
　上述のように、半導体レーザ３００とレーザドライバ２００との間の接続は接続ビア１０１を介して行われることを想定しているため、上面から見ると両者は重なって配置されることになる。その一方で、半導体レーザ３００の下面にはサーマルビア１０２を設けることが望ましく、そのための領域を確保する必要もある。そこで、レーザドライバ２００と半導体レーザ３００の位置関係を明らかにするために、両者のオーバラップ量を以下のように定義する。
　同図におけるａに示す配置では、上面から見て両者に重なる領域が存在しない。この場合のオーバラップ量を０％と定義する。一方、同図におけるｃに示す配置では、上面から見て半導体レーザ３００の全てがレーザドライバ２００と重なっている。この場合のオーバラップ量を１００％と定義する。
　そして、同図におけるｂに示す配置では、上面から見て半導体レーザ３００の半分の領域がレーザドライバ２００と重なっている。この場合のオーバラップ量を５０％と定義する。
　この実施の形態では、上述の接続ビア１０１のための領域を設けるために、オーバラップ量は０％よりも大きいことが望ましい。一方、半導体レーザ３００の直下においてある程度の数のサーマルビア１０２を配置することを考慮すると、オーバラップ量は５０％以下であることが望ましい。したがって、オーバラップ量を０％より大きく、５０％以下とすることにより、配線インダクタンスを小さくするとともに、良好な放熱特性を得ることが可能となる。
　［配線インダクタンス］
　上述のように、半導体レーザ３００とレーザドライバ２００との間の接続においては、配線インダクタンスが問題となる。全ての導体には誘導成分があり、ＴｏＦシステムのような高周波領域では、極めて短いリード線のインダクタンスでも悪影響をおよぼすおそれがある。すなわち、高周波動作した際に、配線インダクタンスの影響によりレーザドライバ２００から半導体レーザ３００を駆動するための駆動波形が歪んでしまい、動作が不安定になるおそれがある。
　ここで、配線インダクタンスを計算するための理論式について検討する。例えば、長さＬ［ｍｍ］、半径Ｒ［ｍｍ］の円形断面を持つ直線リード線のインダクタンスＩＤＣ［μＨ］は、自由空間において次式により表される。ただし、ｌｎは自然対数を表す。
　　ＩＤＣ＝０．０００２Ｌ・（ｌｎ（２Ｌ／Ｒ）－０．７５）
　また、例えば、長さＬ［ｍｍ］、幅Ｗ［ｍｍ］、厚さＨ［ｍｍ］のストリップ・ライン（基板配線パターン）のインダクタンスＩＤＣ［μＨ］は、自由空間において次式により表される。
　　ＩＤＣ＝０．０００２Ｌ・（ｌｎ（２Ｌ／（Ｗ＋Ｈ））
　　　　　　　　　　　　＋０．２２３５（（Ｗ＋Ｈ）／Ｌ）＋０．５）
　プリント配線板の内部に内蔵されたレーザドライバとプリント配線板の上部に電気接続された半導体レーザとの配線インダクタンス［ｎＨ］を試算したものが、図４および図５である。
　図５は、アディティブ法により配線パターンを形成した場合の、配線長Ｌおよび配線幅Ｗに対する配線インダクタンスの数値例を示す図である。アディティブ法とは、絶縁樹脂面の必要な部分にだけ銅を析出させて、パターン形成する方法である。
　図６は、サブトラクティブ法により配線パターンを形成した場合の、配線長Ｌおよび配線幅Ｗに対する配線インダクタンスの数値例を示す図である。サブトラクティブとは、銅張積層板の不要な部分をエッチングして、パターンを形成する方法である。
　ＴｏＦシステムのような半導体レーザ駆動装置の場合、数百メガヘルツで駆動させることを想定すると、配線インダクタンスとしては０．５ｎＨ以下であることが望ましく、さらに０．３ｎＨ以下であることがより好ましい。したがって、上述の試算結果を考慮すると、半導体レーザ３００とレーザドライバ２００との間の配線長としては、０．５ミリメートル以下にすることが望ましく、さらに０．３ミリメートル以下であることがより好ましいと考えられる。
　［製造方法］
　図７および図８は、本技術の実施の形態のレーザドライバ２００の製造過程において銅ランドおよび銅配線層（ＲＤＬ：Redistribution Layer）を加工する工程の一例を示す図である。
　まず、図７におけるａに示すように、半導体ウェハにおいて、例えばアルミニウムなどによるＩ／Ｏパッド２１０が形成される。そして、表面にＳｉＮなどの保護絶縁層２２０が成膜され、Ｉ／Ｏパッド２１０の領域が開孔される。
　次に、図７におけるｂに示すように、ポリイミド（ＰＩ：Polyimide）またはポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ：Polybenzoxazole）による表面保護膜２３０が成膜され、Ｉ／Ｏパッド２１０の領域が開孔される。
　次に、図７におけるｃに示すように、数十乃至百ｎｍ程度のチタンタングステン（ＴｉＷ）、百乃至千ｎｍ程度の銅（Ｃｕ）を連続スパッタして密着層およびシード層２４０を形成する。ここで、密着層は、チタンタングステン（ＴｉＷ）の他にクロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、チタン銅（ＴｉＣｕ）、プラチナ（Ｐｔ）等の高融点金属やその合金を適用してもよい。また、シード層には、銅（Ｃｕ）の他にニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、または、その合金を適用してもよい。
　次に、図８におけるｄに示すように、電気接合用の銅ランドと銅配線層を形成するために、フォトレジスト２５０をパターニングする。具体的には、表面洗浄、レジスト塗布、乾燥、露光、現像の各工程によって形成する。
　次に、図８におけるｅに示すように、密着層およびシード層２４０の上にめっき法により、電気接合用の銅ランドおよび銅配線層（ＲＤＬ）２６０を形成する。ここで、めっき法としては、例えば、電解銅めっき法や電解ニッケルめっき法などを用いることができる。また、銅ランドの直径は５０乃至１００マイクロメートル程度、銅配線層の厚さは３乃至１０マイクロメートル程度、銅配線層の最小幅は１０マイクロメートル程度が望ましい。
　次に、図８におけるｆに示すように、フォトレジスト２５０を除去し、半導体チップの銅ランドおよび銅配線層（ＲＤＬ）２６０をマスクして、ドライエッチングを行う。ここで、ドライエッチングは、例えば、アルゴンイオンビームを照射するイオンミリングを用いることができる。このドライエッチングにより、不要領域の密着層およびシード層２４０を選択的に除去することができ、銅ランドおよび銅配線層が各々分離される。なお、この不要領域の除去は、王水、硝酸第二セリウムアンモニウムや水酸化カリウムの水溶液等のウエットエッチングでも可能だが、銅ランドおよび銅配線層を構成する金属層のサイドエッチや厚み減少を考慮するとドライエッチングの方が望ましい。
　図９乃至図１３は、本技術の実施の形態における基板１００の製造工程の一例を示す図である。
　まず、図９におけるａに示すように、支持板１１０に接着性樹脂層１２０を介して、極薄銅箔１３２とキャリア銅箔１３１の２層構造から成るピーラブル銅箔１３０を、ロールラミネートまたは積層プレスにより片面に熱圧着させる。
　支持板１１０は、無機材料や金属材料、樹脂材料等からなる基板を使用することができる。例えば、シリコン（Ｓｉ）、ガラス、セラミック、銅、銅系合金、アルミニウム、アルミ合金、ステンレス、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂を使用することができる。
　ピーラブル銅箔１３０は、厚さ２乃至５マイクロメートルの極薄銅箔１３２に、厚さ１８乃至３５マイクロメートルのキャリア銅箔１３１を真空密着したものを用いる。ピーラブル銅箔１３０としては、例えば、３ＦＤ－Ｐ３／３５（古河サーキットフォイル株式会社製）、ＭＴ－１８Ｓ５ＤＨ（三井金属鉱業株式会社製）等を用いることができる。
　接着性樹脂層１２０の樹脂材料としては、ガラス繊維の補強材入りの、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＰＰＥ樹脂、フェノール樹脂、ＰＴＦＥ樹脂、珪素樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、ＰＰＳ樹脂、ＰＰＯ樹脂などの有機樹脂を使用することができる。また、補強材としては、ガラス繊維以外に、アラミド不織布やアラミド繊維、ポリエステル繊維などを用いることもできる。
　次に、図９におけるｂに示すように、無電解銅めっき処理により、ピーラブル銅箔１３０の極薄銅箔１３２の表面に厚さ０．５乃至３マイクロメートルの（図示しない）めっき下地導電層を形成する。なお、この無電解銅めっき処理は、次に配線パターンを形成する電解銅めっきの下地の導電層を形成するものである。ただし、この無電解銅めっき処理を省略して、ピーラブル銅箔１３０に直接的に電解銅めっき用の電極を接触させて、ピーラブル銅箔１３０の上に直接的に電解銅めっき処理を施して、配線パターンを形成してもよい。
　次に、図９におけるｃに示すように、支持板の表面に感光性レジストをロールラミネートで貼り付けて、配線パターン用のレジストパターン（ソルダーレジスト１４０）を形成する。この感光性レジストとしては、例えば、ドライフィルムのめっきレジストを用いることができる。
　次に、図９におけるｄに示すように、電解銅めっき処理により、厚さ１５マイクロメートル程度の配線パターン１５０を形成する。
　次に、図１０におけるｅに示すように、めっきレジストを剥離させる。そして、層間絶縁性樹脂を形成するための前処理として、配線パターン表面を粗化処理して、層間絶縁性樹脂と配線パターンの接着性を向上させる。なお、粗化処理は、酸化還元処理による黒化処理または過水硫酸系のソフトエッチング処理によって行うことができる。
　次に、図１０におけるｆに示すように、配線パターン上に層間絶縁性樹脂１６１を、ロールラミネートまたは積層プレスで熱圧着させる。例えば、厚さ４５マイクロメートルのエポキシ樹脂をロールラミネートする。 ガラスエポキシ樹脂を使う場合は、任意の厚さの銅箔を重ね合わせて、積層プレスで熱圧着させる。層間絶縁性樹脂１６１の樹脂材料としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＰＰＥ樹脂、フェノール樹脂、ＰＴＦＥ樹脂、珪素樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、ＰＰＳ樹脂、ＰＰＯ樹脂などの有機樹脂を使用することができる。また、これらの樹脂単独でも、複数樹脂を混合あるいは化合物を作成するなどした樹脂の組み合わせも使用することができる。さらに、これらの材料に無機フィラーを含有させたり、ガラス繊維の補強材を混入させたりした層間絶縁性樹脂も使用することができる。
　次に、図１０におけるｇに示すように、層間電気接続用のビアホールをレーザ法またはフォトエッチング法により形成する。層間絶縁性樹脂１６１が熱硬化性樹脂の場合は、レーザ法によりビアホールを形成する。レーザ光としては、高調波ＹＡＧレーザやエキシマレーザなどの紫外線レーザ、炭酸ガスレーザなどの赤外線レーザを用いることができる。なお、レーザ光にてビアホールを形成した場合は、ビアホール底に薄い樹脂膜が残る場合があるため、デスミア処理を行う。このデスミア処理は、強アルカリにより樹脂を膨潤させ、クロム酸、過マンガン酸塩水溶液等の酸化剤を使用して樹脂を分解除去する。また、プラズマ処理や研磨材によるサンドブラスト処理にて除去することもできる。層間絶縁性樹脂１６１が感光性樹脂の場合は、フォトエッチング法によりビアホール１７０を形成する。つまり、マスクを通して、紫外線を用いて露光した後に現像することにより、ビアホール１７０を形成する。
　次に、粗化処理の後、ビアホール１７０の壁面および層間絶縁性樹脂１６１の表面に、無電解めっき処理を行う。次に、表面に無電解めっき処理した層間絶縁性樹脂１６１の面に感光性レジストをロールラミネートで貼り付ける。この場合の感光性レジストとしては、例えば、ドライフィルムの感光性めっきレジストフィルムを用いることができる。この感光性めっきレジストフィルムを露光した後に現像することにより、ビアホール１７０の部分および配線パターンの部分を開口しためっきレジストのパターンを形成する。 次に、めっきレジストパターンの開口部分に、厚さ１５マイクロメートルの電解銅めっき処理を施す。 次に、めっきレジストを剥離し、層間絶縁性樹脂上に残っている無電解めっきを過水硫酸系のフラッシュエッチングなどで除去することにより、図９におけるｈに示すような銅めっきで充填したビアホール１７０と配線パターンを形成する。そして、同様の配線パターンの粗化工程と層間絶縁性樹脂１６２の形成工程を繰り返し行う。
　次に、図１１におけるｉに示すように、厚み約３０乃至５０マイクロメートルに薄化した銅ランドおよび銅配線層を加工済みのダイアタッチフィルム（Die Attach Film：ＤＡＦ）２９０が付いたレーザドライバ２００をフェイスアップ状態で実装する。
　次に、図１１におけるｊに示すように、層間絶縁性樹脂１６３を、ロールラミネートまたは積層プレスで熱圧着させる。
　次に、図１１におけるｋおよび図１２におけるｌに示すように、これまでと同様のビアホール加工、デスミア処理、粗化処理、無電解めっき処理、電解めっき処理を行う。なお、レーザドライバ２００の銅ランドへの浅いビアホール１７１の加工と、１階層下の深いビアホール１７２の加工、デスミア処理および粗化処理とは同時に行う。
　ここで、浅いビアホール１７１は、銅めっきで充填したフィルドビアである。ビアのサイズおよび深さは、それぞれ２０乃至３０マイクロメートル程度である。また、ランドのサイズは、直径６０乃至８０マイクロメートル程度である。
　一方、深いビアホール１７２は、銅めっきをビア外側のみに施したいわゆるコンフォーマルビアである。ビアのサイズおよび深さは、それぞれ８０乃至１５０マイクロメートル程度である。また、ランドのサイズは、直径１５０乃至２００マイクロメートル程度である。なお、深いビアホール１７２は、レーザドライバ２００の外形より１００マイクロメートル程度の絶縁性樹脂を介して配置することが望ましい。
　次に、図１２におけるｍに示すように、これまでと同様の層間絶縁性樹脂を、ロールラミネートまたは積層プレスにより熱圧着させる。この際、コンフォーマルビアの内側が層間絶縁性樹脂で充填される。次に、これまでと同様のビアホール加工、デスミア処理、粗化処理、無電解めっき処理、および、電解めっき処理を行う。
　次に、図１２におけるｎに示すように、支持板１１０を、ピーラブル銅箔１３０のキャリア銅箔１３１と極薄銅箔１３２の界面より剥離させることによって、分離する。
　次に、図１３におけるｏに示すように、硫酸－過酸化水素系ソフトエッチングを用いて極薄銅箔１３２とめっき下地導電層を除去することにより、配線パターンが露出した部品内蔵基板を得ることができる。
　次に、図１３におけるｐに示すように、露出させた配線パターン上に、配線パターンのランド部分において開口部を有するパターンのソルダーレジスト１８０を印刷する。なお、ソルダーレジスト１８０は、フィルムタイプを用いて、ロールコーターによって形成することも可能である。次に、ソルダーレジスト１８０の開口部のランド部分に、無電解Ｎｉめっきを３マイクロメートル以上形成し、その上に無電解Ａｕめっきを０．０３マイクロメートル以上形成する。無電解Ａｕめっきは１マイクロメートル以上形成してもよい。さらに、その上に半田をプリコートすることも可能である。または、ソルダーレジスト１８０の開口部に、電解Ｎｉめっきを３マイクロメートル以上形成し、その上に電解Ａｕめっきを０．５マイクロメートル以上形成してもよい。さらに、ソルダーレジスト１８０の開口部に、金属めっき以外に、有機防錆皮膜を形成してもよい。
　また、外部接続用のランドに、接続端子として、クリーム半田を印刷塗布して、半田ボールのＢＧＡ（Ball Grid Array）を搭載してもよい。また、この接続端子としては、銅コアボール、銅ピラーバンプ、または、ランドグリッドアレイ（ＬＧＡ：Land Grid Array）などを用いてもよい。
　このようにして製造された基板１００の表面に、図１２におけるｑに示すように、半導体レーザ３００、フォトダイオード４００および受動部品５００を実装し、側壁６００および拡散板７００を取り付ける。一般的には、集合基板状で行った後に外形をダイサーなどで加工して個片に分離する。
　なお、上述の工程ではピーラブル銅箔１３０と支持板１１０を用いた例について説明したが、これらに代えて銅張積層板（ＣＣＬ：Copper Clad Laminate）を用いることも可能である。また、部品を基板へ内蔵する製造方法は、基板にキャビティ形成して搭載する方法を用いてもよい。
　続いて、図１３におけるｐと同図におけるｑとの間の製造工程についてより詳細に説明する。
　図１４は、本技術の実施の形態における拡散板７００を配置するまでの製造工程の一例を示す図である。同図におけるａは、基板１００の製造工程の一例を示し、同図におけるｂは、半導体レーザ３００を実装する工程の一例を示す。
　同図におけるａに例示するように、レーザドライバ２００を内蔵した基板１００が製造される。この基板１００は、図７から、図１３におけるｐまでの各工程により製造される。そして、図１４におけるｂに例示するように、基板１００の表面に半導体レーザ３００が実装される。
　図１５は、本技術の実施の形態における拡散板７００を配置するまでの製造工程の一例を示す図である。同図におけるａは、接続配線６１０等とともに側壁６００を形成する工程の一例を示し、同図におけるｂは、拡散板７００を配置する工程の一例を示す。
　同図におけるａに例示するように、接続配線６１０および６１１のパターンが形成された側壁６００が射出成型される。そして、拡散板７００の下面に導電膜７１０が成膜され、同図におけるｂに例示するように、その拡散板７００が側壁６００の上部に接続される。
　このように、本技術の実施の形態によれば、レーザドライバ２００が、拡散板７００に形成された導電膜７１０の電気特性値に基づいてレーザ光を照射させるため、拡散板７００の損傷等が生じた際にレーザ光の照射を停止させることができる。これにより、レーザ光が拡散されずに出力されることを防止し、半導体レーザ駆動装置１０の安全性を向上させることができる。
　［第１の変形例］
　上述の実施の形態では、側壁６００の内壁に形成された接続配線６１０等が導電膜７１０とレーザドライバ２００とを電気的に接続していたが、側壁を貫通する貫通ビアにより導電膜７１０とレーザドライバ２００とを接続することもできる。この実施の形態の第１の変形例の半導体レーザ駆動装置１０は、貫通ビアにより電気的な接続を行う点において実施の形態と異なる。
　図１６は、本技術の実施の形態の第１の変形例における半導体レーザ駆動装置１０の断面図の一例を示す図である。この実施の形態の第１の変形例の半導体レーザ駆動装置１０は、側壁６００の代わりに側壁６０１が形成される。この側壁６０１の材料として、セラミックが用いられる。
　また、接続配線６１０および６１１の代わりに、側壁６０１をＺ軸方向に沿って貫通する貫通ビア６２０および６２１が設けられる。貫通ビア６２０は、導電膜７１０とレーザドライバ２００とを配線１０３を介して電気的に接続する。貫通ビア６２１は、導電膜７１０とレーザドライバ２００とを配線１０４を介して電気的に接続する。
　このように、本技術の実施の形態の第１の変形例では、側壁６０１を貫通する貫通ビア６２０および６２１が導電膜７１０とレーザドライバ２００とを電気的に接続するため、ＭＩＤの配線の形成を省くことができる。
　［第２の変形例］
　上述の実施の形態の第１の変形例では、セラミックの側壁６０１を用いていたが、側壁の材料は、セラミックに限定されず、モールド樹脂であってもよい。この実施の形態の第２の変形例の半導体レーザ駆動装置１０は、モールド樹脂により側壁を形成した点において第１の変形例と異なる。
　図１７は、本技術の実施の形態の第１の変形例における半導体レーザ駆動装置１０の断面図の一例を示す図である。この実施の形態の第１の変形例の半導体レーザ駆動装置１０は、側壁６０１の代わりに側壁６０２が形成される。この側壁６０１の材料として、熱可塑性樹脂などのモールド樹脂が用いられる。
　また、貫通ビア６２０および６２１の代わりにＴＭＶ（Through Mold Via）６３０および６３１が設けられる。
　このように、本技術の実施の形態の第２の変形例では、モールド樹脂により側壁６０２を形成してＴＭＶ６３０および６３１を設けたため、ＭＩＤの配線の形成を省くことができる。
　＜２．適用例＞
　［電子機器］
　図１８は、本技術の実施の形態の適用例である電子機器８００のシステム構成例を示す図である。
　この電子機器８００は、上述の実施の形態による半導体レーザ駆動装置１０を搭載した携帯端末である。この電子機器８００は、撮像部８１０と、半導体レーザ駆動装置８２０と、シャッタボタン８３０と、電源ボタン８４０と、制御部８５０と、記憶部８６０と、無線通信部８７０と、表示部８８０と、バッテリ８９０とを備える。
　撮像部８１０は、被写体を撮像するイメージセンサである。半導体レーザ駆動装置８２０は、上述の実施の形態による半導体レーザ駆動装置１０である。
　シャッタボタン８３０は、撮像部８１０における撮像タイミングを電子機器８００の外部から指示するためのボタンである。電源ボタン８４０は、電子機器８００の電源のオンオフを電子機器８００の外部から指示するためのボタンである。
　制御部８５０は、電子機器８００の全体の制御を司る処理部である。記憶部８６０は、電子機器８００の動作に必要なデータやプログラムを記憶するメモリである。無線通信部８７０は、電子機器８００の外部との無線通信を行うものである。表示部８８０は、画像等を表示するディスプレイである。バッテリ８９０は、電子機器８００の各部に電源を供給する電源供給源である。
　撮像部８１０、半導体レーザ駆動装置８２０を制御する発光制御信号の特定の位相（例えば、立上りタイミング）を０度として、０度から１８０度までの受光量をＱ１として検出し、１８０度から３６０度までの受光量をＱ２として検出する。また、撮像部８１０は、９０度から２７０度までの受光量をＱ３として検出し、２７０度から９０度までの受光量をＱ４として検出する。制御部８５０は、これらの受光量Ｑ１乃至Ｑ４から、次式により物体との距離ｄを演算し、表示部８８０に表示する。
　ｄ＝（ｃ／４πｆ）×ａｒｃｔａｎ｛（Ｑ３－Ｑ４）／（Ｑ１－Ｑ２）｝
　上式において距離ｄの単位は、例えば、メートル（ｍ）である。ｃは光速であり、その単位は、例えば、メートル毎秒（ｍ／ｓ）である。ａｒｃｔａｎは、正接関数の逆関数である。「（Ｑ３－Ｑ４）／（Ｑ１－Ｑ２）」の値は、照射光と反射光との位相差を示す。πは、円周率を示す。また、ｆは照射光の周波数であり、その単位は、例えば、メガヘルツ（ＭＨｚ）である。
　図１９は、本技術の実施の形態の適用例である電子機器８００の外観構成例を示す図である。
　この電子機器８００は、筐体８０１に収められ、側面に電源ボタン８４０を備え、表面に表示部８８０およびシャッタボタン８３０を備える。また、裏面には撮像部８１０および半導体レーザ駆動装置８２０の光学領域が設けられる。
　これにより、表示部８８０には、通常の撮像画像８８１を表示するだけでなく、ＴｏＦを利用した測距結果に応じた奥行画像８８２を表示することができる。
　なお、この適用例では、電子機器８００として、スマートフォンのような携帯端末について例示したが、電子機器８００はこれに限定されるものではなく、例えばデジタルカメラやゲーム機やウェアラブル機器などであってもよい。
　なお、上述の実施の形態は本技術を具現化するための一例を示したものであり、実施の形態における事項と、特許請求の範囲における発明特定事項とはそれぞれ対応関係を有する。同様に、特許請求の範囲における発明特定事項と、これと同一名称を付した本技術の実施の形態における事項とはそれぞれ対応関係を有する。ただし、本技術は実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において実施の形態に種々の変形を施すことにより具現化することができる。
　なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって、限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。
　なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
（１）レーザドライバを内蔵する基板と、
　前記基板の一方の面に実装された半導体レーザと、
　前記レーザドライバと前記半導体レーザとを０．５ナノヘンリー以下の配線インダクタンスにより電気接続する接続配線と、
　前記半導体レーザにより照射されたレーザ光を拡散する拡散板と、
　前記拡散板の所定面に形成された透明な導電膜と
を具備し、
　前記レーザドライバは、前記導電膜の電気特性値に基づいて前記半導体レーザを駆動して前記レーザ光を照射させる
半導体レーザ駆動装置。
（２）前記基板の前記一方の面において前記半導体レーザを含む領域を囲う外壁をさらに具備し、
　前記拡散板は、前記外壁に囲まれた領域の上方を覆う
前記（１）記載の半導体レーザ駆動装置。
（３）前記導電膜と前記レーザドライバとを前記外壁に沿って接続する配線をさらに具備する前記（２）記載の半導体レーザ駆動装置。
（４）前記外壁は、セラミックと、前記セラミックを貫通して前記導電膜および前記レーザドライバを接続する貫通ビアとを含む
前記（２）記載の半導体レーザ駆動装置。
（５）前記外壁は、モールド樹脂と、前記モールド樹脂を貫通して前記導電膜および前記レーザドライバを接続する貫通ビアとを含む
前記（２）記載の半導体レーザ駆動装置。
（６）前記電気特性値は、抵抗率であり、
　前記レーザドライバは、前記抵抗率が所定の閾値に満たない場合には前記レーザ光を照射させる
前記（１）から（５）のいずれかに記載の半導体レーザ駆動装置。
（７）前記接続配線は、０．５ミリメートル以下の長さを備える
前記（１）から（６）のいずれかに記載の半導体レーザ駆動装置。
（８）前記接続配線は、前記基板に設けられる接続ビアを介する
前記（１）から（７）のいずれかに記載の半導体レーザ駆動装置。
（９）前記半導体レーザは、その一部が前記レーザドライバの上方に重ねて配置される
前記（１）から（８）のいずれかに記載の半導体レーザ駆動装置。
（１０）前記半導体レーザは、その面積の５０％以下の部分が前記レーザドライバの上方に重ねて配置される
前記（９）記載の半導体レーザ駆動装置。
（１１）前記基板は、前記半導体レーザが実装された位置においてサーマルビアを備える
前記（１）から（１０）のいずれかに記載の半導体レーザ駆動装置。
（１２）前記基板の前記一方の面に実装されて前記半導体レーザから照射された前記レーザ光の光強度を監視するフォトダイオードをさらに具備する前記（１）から（１１）のいずれかに記載の半導体レーザ駆動装置。
（１３）前記基板の前記一方の面とは反対の面において外部との接続端子をさらに具備する前記（１）から（１２）のいずれかに記載の半導体レーザ駆動装置。
（１４）前記接続端子は、半田ボール、銅コアボール、銅ピラーバンプ、および、ランドグリッドアレイの少なくとも何れか１つにより形成される
前記（１３）記載の半導体レーザ駆動装置。
（１５）レーザドライバを内蔵する基板と、
　前記基板の一方の面に実装された半導体レーザと、
　前記レーザドライバと前記半導体レーザとを０．５ナノヘンリー以下の配線インダクタンスにより電気接続する接続配線と、
　前記半導体レーザにより照射されたレーザ光を拡散する拡散板と、
　前記拡散板の所定面に形成された透明な導電膜と
を具備し、
　前記レーザドライバは、前記導電膜の電気特性値に基づいて前記半導体レーザを駆動して前記レーザ光を照射させる
電子機器。
（１６）支持板の上面にレーザドライバを形成する手順と、
　前記レーザドライバの接続配線を形成して前記レーザドライバを内蔵する基板を形成する手順と、
　前記基板の一方の面に半導体レーザを実装して前記接続配線を介して前記レーザドライバと前記半導体レーザとを０．５ナノヘンリー以下の配線インダクタンスにより電気接続する接続配線を形成する手順と、
　前記基板の前記一方の面において前記半導体レーザを含む領域を囲う外壁を設ける手順と、
　前記半導体レーザにより照射されたレーザ光を拡散する拡散板に透明な導電膜を成膜して前記外壁に接続する手順と
を具備する半導体レーザ駆動装置の製造方法。
　１０、８２０　半導体レーザ駆動装置
　１００　基板
　１０１　接続ビア
　１０２　サーマルビア
　１０３、１０４　配線
　１１０　支持板
　１２０　接着性樹脂層
　１３０　ピーラブル銅箔
　１３１　キャリア銅箔
　１３２　極薄銅箔
　１４０、１８０　ソルダーレジスト
　１５０　配線パターン
　１６１～１６３　層間絶縁性樹脂
　１７０～１７２　ビアホール
　２００　レーザドライバ
　２１０　Ｉ／Ｏパッド
　２２０　保護絶縁層
　２３０　表面保護膜
　２４０　密着層／シード層
　２５０　フォトレジスト
　２６０　銅ランドおよび銅配線層（ＲＤＬ）
　２９０　ダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）
　３００　半導体レーザ
　４００　フォトダイオード
　５００　受動部品
　６００～６０２　側壁
　６１０、６１１　接続配線
　６２０、６２１　貫通ビア
　６３０、６３１　ＴＭＶ（Through Mold Via）
　７００　拡散板
　７１０　導電膜
　８００　電子機器
　８０１　筐体
　８１０　撮像部
　８３０　シャッタボタン
　８４０　電源ボタン
　８５０　制御部
　８６０　記憶部
　８７０　無線通信部
　８８０　表示部
　８９０　バッテリ

Claims (16)

  1. 　レーザドライバを内蔵する基板と、
    　前記基板の一方の面に実装された半導体レーザと、
    　前記レーザドライバと前記半導体レーザとを０．５ナノヘンリー以下の配線インダクタンスにより電気接続する接続配線と、
    　前記半導体レーザにより照射されたレーザ光を拡散する拡散板と、
    　前記拡散板の所定面に形成された透明な導電膜と
    を具備し、
    　前記レーザドライバは、前記導電膜の電気特性値に基づいて前記半導体レーザを駆動して前記レーザ光を照射させる
    半導体レーザ駆動装置。
  2. 　前記基板の前記一方の面において前記半導体レーザを含む領域を囲う外壁をさらに具備し、
    　前記拡散板は、前記外壁に囲まれた領域の上方を覆う
    請求項１記載の半導体レーザ駆動装置。
  3. 　前記導電膜と前記レーザドライバとを前記外壁に沿って接続する配線をさらに具備する
    請求項２記載の半導体レーザ駆動装置。
  4. 　前記外壁は、セラミックと、前記セラミックを貫通して前記導電膜および前記レーザドライバを接続する貫通ビアとを含む
    請求項２記載の半導体レーザ駆動装置。
  5. 　前記外壁は、モールド樹脂と、前記モールド樹脂を貫通して前記導電膜および前記レーザドライバを接続する貫通ビアとを含む
    請求項２記載の半導体レーザ駆動装置。
  6. 　前記電気特性値は、抵抗率であり、
    　前記レーザドライバは、前記抵抗率が所定の閾値に満たない場合には前記レーザ光を照射させる
    請求項１記載の半導体レーザ駆動装置。
  7. 　前記接続配線は、０．５ミリメートル以下の長さを備える
    請求項１記載の半導体レーザ駆動装置。
  8. 　前記接続配線は、前記基板に設けられる接続ビアを介する
    請求項１記載の半導体レーザ駆動装置。
  9. 　前記半導体レーザは、その一部が前記レーザドライバの上方に重ねて配置される
    請求項１記載の半導体レーザ駆動装置。
  10. 　前記半導体レーザは、その面積の５０％以下の部分が前記レーザドライバの上方に重ねて配置される
    請求項９記載の半導体レーザ駆動装置。
  11. 　前記基板は、前記半導体レーザが実装された位置においてサーマルビアを備える
    請求項１記載の半導体レーザ駆動装置。
  12. 　前記基板の前記一方の面に実装されて前記半導体レーザから照射された前記レーザ光の光強度を監視するフォトダイオードをさらに具備する請求項１記載の半導体レーザ駆動装置。
  13. 　前記基板の前記一方の面とは反対の面において外部との接続端子をさらに具備する請求項１記載の半導体レーザ駆動装置。
  14. 　前記接続端子は、半田ボール、銅コアボール、銅ピラーバンプ、および、ランドグリッドアレイの少なくとも何れか１つにより形成される
    請求項１３記載の半導体レーザ駆動装置。
  15. 　レーザドライバを内蔵する基板と、
    　前記基板の一方の面に実装された半導体レーザと、
    　前記レーザドライバと前記半導体レーザとを０．５ナノヘンリー以下の配線インダクタンスにより電気接続する接続配線と、
    　前記半導体レーザにより照射されたレーザ光を拡散する拡散板と、
    　前記拡散板の所定面に形成された透明な導電膜と
    を具備し、
    　前記レーザドライバは、前記導電膜の電気特性値に基づいて前記半導体レーザを駆動して前記レーザ光を照射させる
    電子機器。
  16. 　支持板の上面にレーザドライバを形成する手順と、
    　前記レーザドライバの接続配線を形成して前記レーザドライバを内蔵する基板を形成する手順と、
    　前記基板の一方の面に半導体レーザを実装して前記接続配線を介して前記レーザドライバと前記半導体レーザとを０．５ナノヘンリー以下の配線インダクタンスにより電気接続する接続配線を形成する手順と、
    　前記基板の前記一方の面において前記半導体レーザを含む領域を囲う外壁を設ける手順と、
    　前記半導体レーザにより照射されたレーザ光を拡散する拡散板の所定面に透明な導電膜を成膜して前記外壁に接続する手順と
    を具備する半導体レーザ駆動装置の製造方法。
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